Formelsammlung für Halbleiterbauelemente, der HLB, Tu-Berlin 2008

1 Fermi- Dirac- Verteilungsfunktion

𝑓𝐹 (𝑊) =
𝑊 − 𝑊𝐹
1 + 𝑒𝑥𝑝 ( )
𝑘𝑇

1 Boltzmann- Verteilungsfunktion
𝑓𝐵 (𝑊) =
𝑊 − 𝑊𝐹
𝑒𝑥𝑝 ( )
𝑘𝑇

Elektronen im VB - Grundformel
𝑛0 = ∫ 𝑓(𝑊)𝐷𝐿𝐵 (𝑊)𝑑𝑊
𝐿𝑒𝑖𝑡𝑢𝑛𝑔𝑠𝑏𝑎𝑛𝑑
𝑊𝐿 − 𝑊𝐹 Vereinfachte Anz. Elektr. als f(WF)
𝑛 = 𝑁𝐿 𝑒𝑥𝑝 − ( )
𝑘𝑇

𝑊𝐹 − 𝑊𝑉 Vereinfachte Anz. Löcher. als f(WF)

𝑝 = 𝑁𝑉 𝑒𝑥𝑝 − ( )
𝑘𝑇
Massen-Wirkungs-Gesetz
ni2 = n*p
1
𝑁𝐷+ = 𝑁𝐷 ⋅
𝑊 − 𝑊𝐷 Anz. der ionisierten Donatoren
𝑒𝑥𝑝( 𝐹 )+1
𝑘𝑇 (n-Dotierung)
1 Anz. der ionisierten Akzeptoren
𝑁𝐴− = 𝑁𝐴 ⋅
𝑊 − 𝑊𝐹 (p-Dotierung)
1 + 𝑒𝑥𝑝( 𝐴 )
𝑘𝑇
+ - Neutralitätsbedingung im HL
p + ND = n + NA
𝜎 = 𝑛𝑒𝜇𝑛 + 𝑝𝑒𝜇𝑝 spezifischer Leitwert für HL

𝐽⃗𝐷𝑟𝑖𝑓𝑡 = 𝑒 ⋅ 𝑝 ⋅ 𝑣⃗𝑝 − 𝑒 ⋅ 𝑛 ⋅ 𝑣⃗𝑛 Drift- oder Feldstromdichte

= 𝑒 ⋅ (𝑛 ⋅ 𝜇𝑛 + 𝑝 ⋅ 𝜇𝑝 ) ⋅ 𝐸⃗⃗
𝐽⃗𝐷𝑖𝑓𝑓_𝑛 = −𝑒 ⋅ 𝐷𝑛 ⋅ [−𝑔𝑟𝑎𝑑(𝑛)] Diffusionsstromdichte für Elektronen
und Löcher
𝐽⃗𝐷𝑖𝑓𝑓_𝑝 = 𝑒 ⋅ 𝐷𝑝 ⋅ [−𝑔𝑟𝑎𝑑(𝑝)]

p 1  Bilanzgleichung für Löcher

= −  div j p − R
t e
p − p0 p Rekombinationsüberschussrate für Löcher
R= =
p p
n 1  Bilanzgleichung für Elektronen
= +  div jn − R
t e
n − n0 n Rekombinationsüberschussrate für Elekronen
R= =
n n
U Boltzmannfaktor:
n p (− w p ) = n p 0e UT
Minoritätsladungsträgerkonzentration am
RLZ Rand (-wp) / auf der p-Seite
 U Minoritätsladungsträgerkonzentration am
pn ( wn ) = pn 0 e UT RLZ Rand (wn) / auf der n-Seite

𝑈 Diodenkennlinie nach Shockley

𝐽𝑔𝑒𝑠 = 𝐽0 ⋅ (𝑒 𝑈𝑇 − 1)
𝑒𝐷𝑝 𝑝𝑛𝑜 𝑒𝐷𝑛 𝑛𝑝𝑜 Dunkel- / Sperrstrom
𝐽0 = ( + )
𝐿𝑝 𝐿𝑛
 N + ND 
2 0 r RLZ- Weite mit außen angelegter
w = wn + w p =   A   (U D − U ) Spannung U
e  N A  ND 
in der RLZ gespeicherte Ladung ,
Q = A  e  N A  w p = A  e  N D  wn
        es gilt Neutralität (Qp = Qn)
p − HL n − HL

2 0 r N A 1 Speicherladung auf der n-Seite as Funktion

QS = A  e  N D  U D − U der Spannung
 e ND N A + ND
n − HL

e 0 r Kapazität der RLZ /

CS = A 
N AND
(U D − U )−1 Sperrschichtkapazität
2 N A + ND
Vereinfachung für p+n Diode
e 0 r
CS  A  ND (U D − U )−1

2
Diffusions- Kapazität
e  ni
2
 Lp L  U 
CD = A   + n  exp 
UT  ND N A   UT 
𝑈 Beleuchteter pn-Übergang
𝐽𝑔𝑒𝑠 = 𝐽0 ⋅ (𝑒 𝑈𝑇 − 1) − 𝐽𝑝ℎ mit Photostrom Jph
Pmax U I Füllfaktor
FF = = MPP MPP
UL  IK UL  IK

U MPP  I MPP I MPP  RL ,opt Wirkungsgrad

2

= =
A E A E