Formelsammlung

1 Gleichstrom
1. Kirchhoffsches Gesetz / 2. Kirchhoffsches Gesetz / Ohmsches Gesetz:
Knotenregel: Maschenregel: R
I
Die Summe aller Ströme die in Die Summe aller Spannungen in
einen Knoten herein oder heraus einer Masche ist null. U
fließen ist null.
n n
X X U U
I1 + I2 + ... + In = Ii = 0 U1 + U2 + ... + Un = Ui = 0 U = RI ⇔ I = ⇔R=
R I
i=1 i=1

V
elektrischer Widerstand R: [R] = Ω = A

Ωmm2
%: spez. Widerstand [%] = m
%·l l
R= =
A κ·A κ = %1 : spez. Leitwert [κ] = m A
Ωmm2 l

Widerstand pro Längeneinheit:

R %
R0 = =
l A
Temperaturabhängigkeit:

% (T ∗ ) = %0 [1 + α · (T ∗ − T0 )] ⇒ R (T ∗ ) = R0 [1 + α · (T ∗ − T0 )]

Reihenschaltung: Parallelschaltung:

n 1 1
Rges = =
X
Rges = R1 + R2 + ... + Rn = Ri 1 1 1 n
P 1
i=1 + + ... +
R1 R2 Rn i=1 Ri

R1 R2
= = R1 ||R2 (2 Widerstände)
R1 + R2

In einer reinen Reihenschaltung sind alle Ströme In einer reinen Parallelschaltung sind alle Span-
gleich: nungen gleich:

I1 = I2 = ... = In U1 = U2 = ... = Un

Spannungsteiler: Stromteiler:
   
U1 R1  U1 R1  U2 R2 I1 R2  I1 R2  I2 R1
= =  Uges = R1 + R2
 = =  Iges = R1 + R2

U2 R2 Uges
 R1 + R2 I2 R1 Iges
 R1 + R2
Leistung P: [P ] = W (Watt) Wirkungsgrad η:

U =RI U2 Pab Pab

P = UI ⇒ = = I 2R η= bzw. = · 100%
R Pauf Pauf

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Ersatzspannungsquelle Ersatzstromquelle

A A
Ri IAB IAB
U0 UAB I0 Ri UAB

B B
UAB IAB

U0 = ULL I0 = IKS
1
UAB = U0 − Ri IAB IAB = I0 − UAB
Ri

IKS ULL
IAB UAB

Leerlaufspannung:

ULL = UAB  = U0 bei Ersatzspannungsquelle

IAB =0

Kurzschlussstrom:

IKS = IAB  = I0 bei Ersatzstromquelle

UAB =0

Innenwiderstand:
ULL
Ri =
IKS

2 Felder:

elektrisch magnetisch

Θ NI
Feldstärke E = Ud V
[E] = m H= = A
[H] = m
d d
ε µ
Flussdichte ~ = z}|{
D ~ =Q
ε0 εr E [D] = As ~ =µ
B
z }| { ~
0 µr H
Vs
[B] = m 2 = T
A m2
(Tesla)

Fluss ~ ·A
Ψ =D ~ [Ψ ] = As ~ ·A
Φ=B ~ [Φ] = Vs

u
weitere Gesetze Q = CU Θ= H ~ = NI
~ · ds
c
(”‘Ku=Ku”’) (Durchflutungsgesetz)

Konstanten ε0 = 8,854 · 10−12 Vm

As
µo = 4π · 10−7 Am
Vs

(Dielektrizitätskonstante) (Permeabilitätskonstante)

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Bauelemente:

Bauelement Widerstand Spule Kondensator

C
R L

Eigenschaft Widerstand R Induktivität L Kapazität C

l N 2A Ψ A Q
R=% L = µ 0 µr = C = ε0 εr =
A d I d U
V Vs As
Einheit [R] = Ω = A (Ohm) [L] = H = A (Henry) [C] = F = V (Farad)

N N 1 N
P P P 1
Reihenschaltung Rges = Ri Lges = Li =
i=1 i=1 Cges i=1 Ci

1 N 1
P 1 N 1
P N
P
Parallelschaltung = = Cges = Ci
Rges i=1 Ri Lges i=1 Li i=1

gespeicherte Energie - E = 12 LI 2 E = 12 CU 2

verketteter magn. Fluss: Ψ = N · Φ (nicht mit elektrischen Fluss verwechseln)

magnetischer Kreis:
(Rechenregeln, wie im elektrischen Kreis)
1 l Θ
magn. Widerstand: Rm = = Rm ↔ R
µ0 µr A Φ
magn. Durchflutung: Θ = ΦRm Θ ↔U
Θ
magn. Fluss: Φ= Φ ↔I
Rm
Induktionsgesetz: Lorentzkraft: Coulombkraft:

dΨ dΦ
 
Ui = − = −N F~L = Q ~v × B
~ F~C = QE
~
dt dt

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3 Gleichstrommaschinen

Gleichstrommaschinen

Permanenterregt Fremderregt

Ia Ia If

Ra Ra Rf

Ua La Ua La Uf

Lf
Ui Ui

Nebenschluss Reihenschluss

Ia If
Ia If
Ra Rf
Ra Rf
U La
U La
Lf
Lf Ui
Ui

mech. Leistung = abgegebene Leistung el. Leistung = aufgenommene Leistung

Pmech = Ui Ia = 2πM n Pel = Ua Ia + Uf If

weitere Formeln:

2π Ui,1 n1
Ui = kφn Ia = M = falls: If,1 = If,2
kφ Ui,2 n2

Kennlinie: n

2πRa n0
n(M ) = n0 − M
(kφ)2

Ua 2πRa
= − M
kφ (kφ)2
M

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4 Wechselstrom
U
Frequenz: Kreisfrequenz: Û
1 0 t
f= ω = 2πf
T
T

Impedanz Admittanz
1
Z Y = Reihe Parallel
Z
1 1 1 1
R R G= Z Z ges = Z 1 + Z 2 + ... = + + ...
R Z ges Z1 Z2
1 1 1 1 1
L jωL = −j Y = + + ... Y ges = Y 1 + Y 2 + ...
jωL ωL Y ges Y1 Y2
1 1
C = −j jωC
jωC ωC

Wirkleistung P : [P ] = W Blindleistung Q: [Q] = var Scheinleistung S: [S] = VA

P = Ueff Ieff cos ϕ = Re{S} Q = Ueff Ieff sin ϕ = Im{S} S = U eff I ∗eff = P + jQ
Augenblicksleistung p(t): Effektivwert: Blindstromkompensation:
v
p(t) = u(t) · i(t)
u wT
u1 |I sin ϕi |
Sinus Û C=
Ueff =t u2 (t)dt = √ ωU
T 2
0

Übertragungsfunktion Betragsfrequenzgang: Phasenfrequenzgang:

V (jω):
|U a (jω)|
 
Im{V (jω)}
|V (jω)| = ϕ(jω) = arctan
U a (jω) |U e (jω)| Re{V (jω)}
V (jω) =
U e (jω)
V dB (jω) = 20 · log (|V (jω)|)

5 (N-Kanal-) MOSFET

Drainstrom im Sättigungsbereich:
D
(UGS > Uth , UDS ≥ UGS − Uth )
  ID
S 2 UDS
ID (UGS , UDS ) = · (UGS − Uth ) · 1 +
2 UA UDS
G
Gatestrom:

∆iG = 0 UGS S

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Sourceschaltung:

Uv
R1 RD

C C Drainwiderstand: Arbeitspunkt:
ua UD,AP R2
RD = UGS,AP = UB
ue R2 ID,AP R1 + R2
UB − UDS,AP
=
ID,AP

Verstärkung:
Eingangswiderstand: Ausgangswiderstand:

ua   
vu = = −Gs · (rDS ||RD ) ≈ −Gs · RD ue  ua 
ue ia =0 re =  ra =
ie ia =0 ia ue =0
 
∂ID  ∆ID 
mit Gs = ≈ = R1 ||R2 = rDS ||RD
∂UGS AP ∆UGS AP

6 Operationsverstärker

Rückkopplung: Rückführung des Ausgangssig-

idealer OPV: nals auf den Eingang des Operationsverstärkers.
Gegenkopplung: Rückkopplung auf den in-
u+ re → ∞
vertierenden Eingang (-) des Operationsverstärk-
ra = 0 ers.
ud ua
⇒ ud → 0
u− vu → ∞ Mitkopplung: Rückkopplung auf den nicht in-
ua = vu · ud vertierenden Eingang (+) des Operationsverstärk-
ie = 0 ers.
⇒ ud 6= 0

invertierender Verstärker: Integrierer:

Ua R2 1
rt
2

=− Ua (t) = − Ue (t)dt
Ue R1 RC t1

R2 C
R1 R

Ue Ua Ue Ua

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