Kollenda Skript 20.11.

22

1 Bipolartransistor, Grundlagen
Bipolartransistoren: Grundlegende Formeln
Stromverstärkung:
IC Δ IC
Gleichstromverstärkung B= differentielle Stromverstärkung β=
IB ΔIB
Steilheit und differentieller Widerstand an der Basis-Emitter-Diode von Transistoren: Die Steilheit lässt sich in
guter Näherung unabhängig von einem bestimmten Transistor berechnen. Die Steilheit gibt an, um wieviel
sich der Kollektorstrom verändert, wenn die Basis-Emitter-Spannung verändert wird. Sie ist der Übertra-
gungsleitwert.

Umrechnung Temperaturen zwischen °C und K: T =θ−273,15 ° C θ=T +273,15 ° C

Δ IC IC k⋅T 1,38⋅10−23 J / K⋅T
Steilheit (allgemein): S= = UT= = ;bei23 ° C :25,5 mV
Δ U BE U T e0 −19
1,60⋅10 As
Δ U BE U T 1
Differentieller Widerstand der Basis-Emitter-Diode (allgemein): = Rdiff = Rdiff =
Δ IC IC S
Δ IC e0 −19
1,60⋅10 As I
Steilheit (allgemein): S= =I C⋅ =I C⋅ ≈11594⋅ C
Δ U BE k⋅T −23
1,38⋅10 J / K⋅T T

Δ U BE 1 k⋅T 1 1,38⋅10−23 J / K⋅T T

Differentieller Widerstand (allgemein): = ⋅ Rdiff =
= ⋅ ≈
Δ I C I C e0 I C 1,60⋅10 As
−19
11594⋅I C
IC mA
Steilheit bei 23°C: S≈ ≈I C⋅39,2 [ ]
25,5 mV mV
25,5mV 25,5 Ω Ω
Differentieller Widerstand bei 23°C: Rdiff ≈ ≈ [ ]
IC IC mA
IC: Kollektorstrom, IB: Basisstrom, B: Gleichstromverstärkung, β: differentielle Stromverstärkung, S: Steilheit;
UBE: Basis-Emitter-Spannung, Rdiff: Differentieller Widerstand im Arbeitspunkt eines Transistors, bezogen auf
die Basis-Emitter-Diode, UT:Temperaturspannung, k: Boltzmann-Konstante, T: Absolute Temperatur in Kelvin,
θ: Temperatur in °C, e0: Elementarladung

Verstärkung eines Transistorverstärkers ohne Gegenkopplung (Bipolartransistor):

Die Formeln gelten für Emitterschaltung und Basisschaltung, da in beiden Fällen die Eingangsspannung
zwischen Basis und Emitter eingespeist wird.

Δ UC e0 1,60⋅10−19 As I C⋅RC
Verstärkung allgemein: VU= =I C⋅R C⋅ =I C⋅ ≈11594⋅
Δ U BE k⋅T 1,38⋅10−23 J / K⋅T T

I C⋅R C Δ UC
Verstärkung (bei 23°C): V U= =I C⋅RC⋅39,2=
25,5 mV Δ U BE
VU: Spannungsverstärkung; UC: Kollektorspannung, UBE: Basis-Emitter-Spannung, IC: Kollektorstrom, RC: Kol-
lektorwiderstand k: Boltzmann-Konstante, T: Absolute Temperatur in Kelvin, e0: Elementarladung

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1.1 Emitterschaltung
Verstärkung einer Transistorstufe mit Gegenkopplung beim Bipolartransistor:
Die Formeln gelten für die Emitterschaltung da die Eingangsspannung in die Basis-Emitter-Diode einge-
speist wird.
Achtung: RL sollte wenigstens das 10-fache von RC betragen. Sonst statt RC RC || RL in den Formeln einsetzen.
Genaue Formel:
Analyse eines Verstärkers:
ΔUA RC ΔUA RC
V U= = V U= = 1 1
ΔUE 1 1 ΔUE 1 R Eeff = +
+ R diff + S 1 1
S 1 1 1 1 +
+ + RE RE1
RE RE 1 RE RE1

1
R Eeff =Rdiff +
1 1
+
RE RE1
Dimensionieren eines Verstärkers:
1
R R E 1=
R Eeff = C R Eges=R Eeff −R diff 1 1
VU −
R Eges RE
Näherung, nur für kleine Verstärkungen (wenn 1/S < 0,1* R Eges) bzw. (Rdiff < 0,1 * REges) sinnvoll, es wird Rdiff
als 0Ω angenommen:
ΔUA 1 1 1 1
V U=
ΔUE
=RC⋅ +
RE RE1 ( ) R Eeff =
1
+
1
R
R Eeff = C
VU
R E 1=
1
−
1
RE RE1 R Eeff RE
VU: Spannungsverstärkung, UE: Eingangsspannung, UA: Ausgangsspannung, S: Steilheit des Transistors im
Arbeitspunkt; RC: Kollektorwiderstand, Rdiff: Differentieller Widerstand im Arbeitspunkt eines Transistors, bezo-
gen auf den Emitter, REges: Parallel geschaltete Emitterwiderstände (ohne diff. Widerstand), R Eeff: Wirksamer
Emitterwiderstand (inklusive diff. Widerstand), RE: Emitterwiderstand (Gleichstromzweig), RE1: Emitterwider-
stand parallel geschaltet über Kondensator.

Eingangsimpedanz einer Transistorstufe mit Gegenkopplung in Emitterschaltung:

Genaue Formel:
1 1 1
Transistor: R Eing =β⋅
( +
S 1
+
1
RE RE1 ) 1
(
R Eing =β⋅ Rdiff +
1
+
1
RE RE1 ) R Eing =β⋅( R Eeff )

R EingGes =
mit Basisspannungsteiler: 1 1 1
+ +
R Eing R B 1 R B 2
Näherung, nur für kleine Verstärkungen (wenn 1/S < 0,1* REeff) sinnvoll:
1 1
R Eing =β⋅
( 1
+
1
RE RE 1 ) R EingGes =
1
+
1
+
1
R Eing R B 1 R B 2
(Anmerkung: Die Formeln gelten auch ohne Gegenkopplung, dann ist RE1 = 0Ω, es wirkt also nur Rdiff.)
REing: Eingangswiderstand der Basis des Transistors selbst, β: diff. Stromverstärkung, S: Steilheit des Transis-
tors im Arbeitspunkt; RE: Emitterwiderstand (Gleichstromzweig), RE1: Emitterwiderstand parallel geschaltet
über Kondensator, Rdiff: Differentieller Widerstand im Arbeitspunkt eines Transistors, bezogen auf den Emitter,
REeff: Gesamter wirksamer Widerstand am Emitter (inklusive diff. Widerstand), R EingGes: Eingangswiderstand
der Gesamtschaltung (mit Basisspannungsteiler), RB1, RB2: Widerstände des Basisspannungsteilers.

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1.2 Berechnung von Kondensatoren

Berechnung der Kondensatoren in einer Verstärkerschaltung (allgemein)
Korrekturfaktoren für mehrere Hochpässe im Verstärker:
Anzahl HP 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
Korrekturfaktor C 1,000 1,554 1,961 2,299 2,593 2,858 3,100 3,324 3,534 3,733

1
C= ⋅Korrekturfaktor
2π f g R

Berechnung der Kondensatoren bei einem Verstärker in Emitterschaltung

• Der für die Berechnung des Kondensators am Eingang der Verstärkerschaltung relevante Widerstand
ist der Eingangswiderstand REingGes der Gesamtschaltung.
• Der für die Berechnung des Kondensators am Ausgang der Verstärkerschaltung relevante Wider-
stand ist genau genommen die Summe aus RC und RL. Da wir RL oft nicht kennen, legen wir uns auf
die sichere Seite und rechnen mit RC als Widerstandswert.
• Der für die Berechnung des Emitterkondensators relevante Widerstandswert ist der Effektiv wirksa-
me Widerstand am Emitter, also REeff.

Berechnung der Kondensatoren bei einem Verstärker in Basisschaltung

• Der für die Berechnung des Kondensators am Eingang der Verstärkerschaltung relevante Widerstand
ist der Eingangswiderstand REing der Gesamtschaltung.
• Der für die Berechnung des Kondensators am Ausgang der Verstärkerschaltung relevante Wider-
stand ist genau genommen die Summe aus RC und RL. Da wir RL oft nicht kennen, legen wir uns auf
die sichere Seite und rechnen mit RC als Widerstandswert.
• Der für die Berechnung des Basiskondensators relevante Widerstandswert ist REing * β.

Berechnung der Kondensatoren bei einem Verstärker in Kollektorschaltung

• Der für die Berechnung des Kondensators am Eingang der Verstärkerschaltung relevante Widerstand
ist der Eingangswiderstand REingGes der Gesamtschaltung.
• Der für die Berechnung des Kondensators am Ausgang der Verstärkerschaltung relevante Wider-
stand ist genau genommen die Summe aus RE und RL. Da wir RL oft nicht kennen, legen wir uns auf
die sichere Seite und rechnen mit RE als Widerstandswert.

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1.3 Basisschaltung
Verstärkung und Eingangswiderstand einer Transistorstufe in Basisschaltung beim Bipolartransistor:
Achtung:
1. RL sollte wenigstens das 10-fache von RC betragen. Sonst statt RC RC || RL in den Formeln einsetzen.
2. Wenn die Quelle Q1 einen Innenwiderstand aufweist, ist dieser zu RE1 zu addieren bzw. als RE1 einzutragen.
Genaue Formeln:
Analyse eines Verstärkers:
ΔUA 1 Δ U A RC 1
VU= =R C⋅S⋅ VU= = ⋅
ΔUE 1 Δ U E Rdiff 1 1
1+
RE
+ S ⋅R E 1
( ) 1+ +
(
R E Rdiff
⋅R E 1
)
Eingangsimpedanz der Schaltung: Dimensionieren eines Verstärkers:
RC
1 1 −R diff
R Eing =R E 1 + R Eing =R E 1 + VU
1 1 1 R E 1=
S+ + R diff
RE R diff R E +1
RE
Stromverstärkung
IA β
V I= =
I E β+1
Näherungen:
(Vergleiche mit den genauen Formeln.) Für RE1 = 0:
1 1
ΔUA Δ U A RC R Eing = R Eing =
1 1 1
VU= =R C⋅S VU= = S+ +
ΔUE Δ U E Rdiff RE R diff R E
Für RE >> Rdiff (dies ist oft der Fall) wird:
ΔUA RC
VU= = ΔUA RC 1
ΔUE 1 VU= = R Eing =R E 1 + R Eing =R E 1 + R diff
+ RE1 Δ U E Rdiff + R E 1 S
S
RC
R E 1= −R diff
VU
Stromverstärkung
IA
V I= <≈1
IE
VU: Spannungsverstärkung, VI: Stromverstärkung, UE: Eingangsspannung, UA: Ausgangsspannung, S: Steil-
heit des Transistors im Arbeitspunkt; RC: Kollektorwiderstand, Rdiff: Differentieller Widerstand im Arbeitspunkt
eines Transistors, bezogen auf den Emitter, R Eing: Wirksamer Eingangswiderstand des Verstärkers, R E: Emit-
terwiderstand (Gleichstromzweig), RE1: Emitterwiderstand vom Eingang zum Emitter.

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1.4 Kollektorschaltung
Berechnung einer Transistorstufe in Kollektorschaltung:
RL sollte wenigstens das 10-fache von RE betragen. Sonst statt RE RE || RL in den Formeln einsetzen.
Genaue Formel:

Nur Transistor: R Eing =β⋅ ( 1S + R ) E R Eing =β⋅( Rdiff + R E )

1
R EingGes =
mit Basisspannungsteiler: 1 1 1
+ +
R Eing R B 1 R B 2
RE
VU= (etwas weniger als 1, Näherung: 1)
R E + R diff

RQ
R Ausg = + R diff (RE kann praktisch immer vernachlässigt werden.)
β
Näherung, sinnvoll, wenn 1/S erheblich kleiner als RE, bzw. Rdiff erheblich kleiner als RE ist. Da bei der Kollek-
torschaltung RE relativ groß ist, darf meistens die Näherung verwendet werden.
1
R EingGes = RQ
R Eing =β⋅R E 1 1 1 R Ausg =
+ + β
R Eing R B 1 R B 2
REing: Eingangswiderstand am Transistor selbst, β: diff. Stromverstärkung, S: Steilheit des Transistors im Ar-
beitspunkt, RE: Emitterwiderstand, Rdiff: Diff. Widerstand am Emitter des Transistors im Arbeitspunkt; REingGes:
Eingangswiderstand der Gesamtschaltung, RB1, RB2: Widerstände des Basisspannungsteilers, VU: Span-
nungsverstärkung der Transistorstufe, RAusg: Ausgangswiderstand der Schaltung, RQ: Innenwiderstand der Si-
gnalquelle am Eingang, ggf. Basisspannungsteiler parallel geschaltet.

1.5 Kühlung
Berechnung des Wärmewiderstands ohne Kühlkörper:

T J −T A
PV = T A =T J −PV⋅RthJA
R thJA
PV: (max.) Verlustleistung, TJ: (max.) Sperrschichttemperatur, TA: (max.) Umgebungstemperatur, RthJA:
Wärmewiderstand von Sperrschicht zu Umgebung.

Berechnung des Wärmewiderstands mit Kühlkörper:

T J −T A T J −T A
PV = T A =T J −PV⋅ R thJC R thCA  RthCA = −RthJC
RthJC RthCA PV
PV: (max.) Verlustleistung, TJ: (max.) Sperrschichttemperatur, TA: (max.) Umgebungstemperatur, RthJC:
Wärmewiderstand von Sperrschicht zu Gehäuse, RthCA: Wärmewiderstand des Kühlkörpers (Gehäuse
zu Umgebung).

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2 Hilfswerkzeuge
2.1 Formeln für Spannungsteiler
Berechnen von Spannungsteilern:
Grundformel: R1 und R2 sind gegeben:
R1
Ua R2 1
Ue =V U = = Ue 1 R
Ue R1 R2 R = =1 1
1 1 U a VU R2
R2
Ua
R2
1
Ri=
1 1
+
R1 R 2
Gegeben: VU, Summe R1+R2, Gesucht R1, R2:

R2=  R1R 2 ⋅V U R1= R 1R2 ⋅ 1−V U 

Gegeben: VU, Ausgangsimpedanz R1||R2 = Ri, Gesucht R1, R2:

R1 || R2 R1 || R2
R 1= R 2=
VU 1−V U
Ue: Eingangsspannung, Ua: Ausgangsspannung, VU: Teilerverhältnis RI:
Innenwiderstand an Ua

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