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Gegeben ist die in der Abbildung dargestellte Schaltung. Die angeschlossene Last Rload
soll – wie eingezeichnet – immer mit betrachtet werden. In der gesamten Übung soll der
Substrateffekt vernachlässigt werden. Sinnvolle, übliche Näherungen dürfen angewendet
werden.
Folgende Daten sind gegeben:
UB
M3 M5
ID7
ID5
M7
R1
Iref
Uein
Uein,dc Uaus
R2 Rload
M6
uein,ac
ID4 0V
0V ID6
M1 M2 M4
-UB
Geben Sie ALLE unbekannten Größen an! Ihre Wahl der Bauelemente muss nach-
vollziehbar sein!
3) Ausgangsstufe:
U
G7 −U
{ z }|S7 {
s
+
2ID7,max z }|
⇒ UGS7,max = (−) +
Uth,n
=
+ Uein,max −Uaus,max
UR1
Kn0 W7
L7
Uaus,max
ID7,max = = 1 mA
Rload
W7 2ID7,max
⇒ = 0 = 500
L7 Kn (Uein,max − Uaus,max )2
G6 U −U
{ z }|S6 {
s
−2ID6,min z }|
⇒ UGS6,min = (+)
− +
Uth,p
=
−UR2 + Uein,min −Uaus,min
Kp0 W6
L6
Uaus,min
ID6,min = = −1 mA
Rload
W6 −2ID6,min
⇒ = 0 = 1000
L6 Kp (Uein,min − Uaus,min )2
W W W
|1 = |2 = |4 =?
L L L
W W
|3 = |5 =?
L L
W
L
’s in großem Bereich frei wählbar. z.B.
W1 W2 W4 2 µm
= = =
L1 L2 L4 1 µm
W3 W5 1,8 µm
= =
L3 L5 1 µm
1 gm7 >>Gload 1
raus ≈ ≈ = 104,8 Ω
gm7 + Gload gm7
12.1. Zeichnen Sie eine Kollektorschaltung mit einem npn Transistor Q1 und ei- (8 Pkt.)
nem Widerstand RE und leiten Sie die Formel zur Berechnung der statischen
Kleinsignal-Verstärkung Av,BJT her.
Hinweis: Die Verstärkung darf (unter anderem) die unberechneten Kleinsi-
gnalparameter des Transistors enthalten.
Hinweis: Bahnwiderstände sollen vernachlässigt werden.
Hinweis: Geforderte ist eine exakte Herleitung ohne weitere Näherungen.
Warum wird die soeben berechnete Kollektorschaltung einer Drainschaltung
mit der Verstärkung Av,M OS = gm +gmBg+G
m
S +gDS
bevorzugt?
Knotengleichung: (Uein − Uaus )gBE + (Uein − Uaus )S − Uaus gce − Uaus GE = 0
⇒ Av,BJT = S+GES+g BE
+gBE +gCE
Steilheit BJT ist prop. zum Strom (und nicht wurzelförmig).
Ub+
Uein Q1
Uaus
RE
Ub
12.2. Die in Abb. 22 dargestellte Ausgangsstufe soll im folgenden so dimensioniert (10 Pkt.)
werden, dass auch kleinste Signale zu Änderungen der Spannung über den
Widerstand RLast führen. Dimensionieren Sie die Widerstände R1 , R2 und
die Verhältnisse der MOS Transistoren M2, M4, M5. Es sollen sich die einge-
zeichneten Stromverhältnisse einstellen.
Folgende
Werte sind bekannt:
W1 W3
L1
= L3 = 10 1
, UBE,npn = 0,5 V, UBE,pnp = −0,6 V,
UB+ = 2,5 V, UB− = −2,5 V, Iref = 10 µA, RLast = 1 kΩ.
M1 M2 M4
Q1
R1
RLast
uein R2
Q2
Iref 2 Iref 10 Iref
11
M3 M5
Ub