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TP-2 03/2017 1
VDT-2 03-2017 1
Überblick der Technologien
Allgemeines:
Bei den Vakuumbeschichtungsverfahren liegt das schichtbildende
Material in Form von Atomen bzw. Molekülen vor.
Ist am Übergang vom gasförmigen in den festen Zustand eine
chemische Reaktion beteiligt, wird von chemischer Gasphasenabscheidung
(CVD) gesprochen.
Die chemische Reaktion kann dabei durch verschiedene
Anregungsprozesse (thermisch, plasma-induziert) ausgelöst werden.
Erfolgt die Beschichtung ohne Beteiligung einer chemischen Reaktion,
wird die Beschichtungstechnologie als physikalische
Gasphasenabscheidung (PVD) bezeichnet.
Diese wird besonders zur Auftragung von dünnen Metall-, Metalloxid-
sowie Halbleiterschichten verwendet.
Wichtige Methoden dazu sind die Vakuumverdampfung, das Sputtern
(Zerstäuben) sowie die Molekularstrahlepitaxie (MBE) und die
ionenstrahlgestützte Beschichtung.
TP-2 03/2017 2
VDT-1 03-2017 2
Überblick der Technologien
Verschiedene Methoden zur Beschichtung von Werkstücken und zur Funktionalisierung von
Oberflächen [3]:
TP-2 03/2017 3
VDT-1 03-2017 3
Überblick der Technologien
TP-2 03/2017 4
VDT-1 03-2017 4
Überblick der Technologien
Überblick über Dünnschichttechnologien [3]:
TP-2 03/2017 5
VDT-1 03-2017 5
PVD – Physical Vapour Deposition
Die PVD-Technologie ist nicht nur ein Prozess, sondern differenziert sich in
einer Vielzahl von unterschiedlichen vakuumtechnischen Prozessvarianten und
Beschichtungsstoffen, abhängig von Funktionalität der Beschichtung, sowie
der Beschaffenheit des Trägermaterials.
TP-2 03/2017 6
VDT-1 03-2017 6
PVD – Physical Vapour Deposition
Typische Anwendungen derartiger dünner PVD-Schichten liegen im Bereich
der Optik (z.B. Brillenbeschichtung, Architekturglasbeschichtung, Herstellung
von optischen Systemen wie Linsen und Strahlteiler, Herstellung von
Laserspiegeln, Filter für die Telekommunikation) oder im Bereich des
Maschinenbaus und der Werkzeugtechnik (z.B. Korrosionsschutzschichten,
Hartstoffschichten für Dreh- und Fräswerkzeuge, Gleitreibungsschichten für
Lager oder Oberflächenschutzschichten).
TP-2 03/2017 8
VDT-1 03-2017 8
PVD – Physical Vapour Deposition
Vorteile - PVD:
die Vielfalt der beschichtbaren Substratmaterialien wie Metalle,
Legierungen, Keramik, Glas, Kunststoffe etc, und
nahezu uneingeschränkte Auswahl an Beschichtungsmaterialien, wie
Metalle, Legierungen, Halbleiter, Metalloxide, Carbide, Nitride, Cermets,
Sulfide, Selenide, Telluride etc
freie Wahl der Substrattemperatur
hervorragende Schichthaftung
einfache Beeinflussbarkeit der Mikrostruktur durch die Wahl der
Prozessparameter
Nachteile - PVD:
vergleichsweise geringe Beschichtungsraten und Schichtdicken
technisch anspruchsvolle Prozesse (Vakuumtechnik)
Beschichtung geometrisch komplexer Bauteile ist schwierig
TP-2 03/2017 9
VDT-1 03-2017 9
PVD – Physical Vapour Deposition
TP-2 03/2017 11
VDT-1 03-2017 11
PVD – Physical Vapour Deposition
TP-2 03/2017 12
VDT-1 03-2017 12
CVD – Chemical Vapour Deposition
Beim CVD-Prozeß entstehen aus chemischen Reaktionen in geeigneten
Gasphasen, durch entsprechende Temperatur- und Druckführung gesteuert,
die gewünschten Verbindungen als Reaktionsprodukte, die sich auf der
Oberfläche von im Behandlungsraum befindlichen Bauteilen abscheiden.
Hierbei handelt es sich bei der Beschichtung von Hartmetallen meist um TiC,
TiN, TiCxNy oder Al2O3-Schichten, die einzeln oder mehrlagig abgeschieden
werden.
Der große Vorteil von CVD- gegenüber PVD-Verfahren ist, daß eine
ausgezeichnete gleichmäßige Beschichtung auch von kompliziert geformten
Bauteilen (3-D) möglich ist.
Der Hauptnachteil der klassischen CVD-Methoden, bei denen die benötigte
Energie thermisch zugeführt wird, ist die für eine Schichtbildung hohe
Prozeßtemperatur, die im Bereich von 800°C bis 1400°C liegt. Solche
Temperaturen stellen heute bei der Beschichtung von Hartmetallen bei
geschickter Prozeßführung kein wesentliches Hindernis mehr dar.
Bei der Beschichtung von Werkzeugen aus Stahl wird jedoch häufig eine
nachträgliche Wärmebehandlung notwendig, die nicht immer die
Maßhaltigkeit des Werkzeugs gewährleisten kann.
Temperaturlabile Substrate lassen sich mit thermischem CVD höchstens mit
erheblichen Schwierigkeiten beschichten.
TP-2 03/2017 13
VDT-1 03-2017 13
CVD – Chemical Vapour Deposition
Bei dem CVD-Verfahren werden die zu beschichtenden Teile in einen Reaktor
gelegt. Der Innenraum des Reaktors ist meist mit verschleißfesten Graphit-
Trägergestellen ausgerüstet, auf welche die Teile gestellt werden.
Das Aufheizen geschieht zunächst in einer neutralen Atmosphäre, dann
werden mit einem Trägergas, z.B. Wasserstoff (H2), die Reaktionsgase in den
Reaktor gelassen.
Bei einer häufigen Anwendung aus dem Tribologie- und Hartstoffbereich mit
z.B. TiC- und TiN-Schichten handelt es sich hierbei um die Gase Methan (CH4)
oder Stickstoff (N2) und Titantetrachlorid (TiCl4), welches man durch Erhitzen
von flüssigem TiCl4 erhält.
Die Gase reagieren an der Oberfläche der erwärmten Werkstücke und bilden
glatte, harte und konturengetreue Überzüge von hoher Reinheit.
Damit die abgeschiedenen Schichten gut haften, z.B. durch Diffusions-
zwischenschichten, müssen die Oberflächen der Substrate sorgfältig
vorbehandelt und gesäubert werden.
Die Temperaturen bei der CVD-Beschichtung liegen normalerweise zwischen
700°C und 1050°C.
Ein kompletter Beschichtungszyklus dauert, je nach Schichttyp und
gewünschter Schichtdicke, zwischen einigen bis 20 Stunden, Aufheizen und
Abkühlen inbegriffen.
TP-2 03/2017 14
VDT-1 03-2017 14
CVD – Chemical Vapour Deposition
CVD Beschichtungsanlage
Schematischer Aufbau einer CVD Beschichtungsanlage mit außenbeheiztem
Heißwandreaktor zur Aufbringung von TiC oder TiN Schichten.
TP-2 03/2017 15
VDT-1 03-2017 15
CVD – Chemical Vapour Deposition
TP-2 03/2017 16
VDT-1 03-2017 16
CVD – Chemical Vapour Deposition
CVD Schichtaufbau
Beispielhafter Schichtaufbau eines CVD TiN- Systems
TP-2 03/2017 17
VDT-1 03-2017 17
Sol-Gel Verfahren
Sol-Gel-Verfahren sind nasschemische Verfahren zur Herstellung
keramischer oder keramisch-organischer Werkstoffe.
Diese Verfahren sind Gegenstand aktueller Grundlagenforschung, als auch
der angewandten Forschung und werden zur Herstellung keramischer
Bulkmaterialien; keramischer Nanopulver und Fasern, sowie zur Abscheidung
homogener, nanokristalliner, oxidkeramischer oder auch keramisch-
organischer Beschichtungen benutzt [6].
TP-2 03/2017 18
VDT-1 03-2017 18
Sol-Gel Verfahren
TP-2 03/2017 19
VDT-1 03-2017 19
Sol-Gel Verfahren
Der Übergang vom flüssigen Sol zum keramischen Werkstoff erfolgt jeweils über einen
Gelzustand. Während der Sol-Gel-Transformation kommt es zu einer 3-dimensionalen
Vernetzung der Nanopartikel im Lösungsmittel, wodurch das Gel
Festkörpereigenschaften erhält. Die Überführung des Gels in einen oxidkeramischen
Werkstoff erfolgt durch eine kontrollierte Wärmebehandlung unter Luft.
Sol-Gel Abscheidung
Abscheidung und Keramisierung oxidkeramischer Schichten
TP-2 03/2017 20
VDT-1 03-2017 20
Sol-Gel Verfahren
Für die Beschichtung rotationssymmetrischer Substrate - beispielsweise
Formwerkzeuge für optische Linsen – eignet sich besonders das Spin-Coating-
Verfahren. Das Sol, das sich in einer Bürette über der Probe befindet, triff auf die
schnell rotierende Scheibenprobe und verteilt sich aufgrund von Fliehkräfte gleichmäßig
auf der Probenoberfläche. Dieses Beschichtungsverfahren führt zu einer sehr
homogenen Schichtdickenverteilung.
TP-2 03/2017 21
VDT-1 03-2017 21
Sol-Gel Verfahren
Das Sol-Gel-Verfahren wird zur Herstellung und Veredlung sehr unterschiedlicher
Produkte eingesetzt, weshalb es selten als eigenständige Technologie wahrgenommen
wird:
• Poröse Siliziumdioxid-Schichten dienen zur Entspiegelung von Solarkollektoren.
• Unter der Antireflexschicht von Brillengläsern schützt eine Kratzschutzschicht aus
Hybridpolymer die Kunststofflinse.
• Durch abwechselnde Sol-Gel-Beschichtung mit niedrigbrechendem Siliziumdioxid
und hochbrechendem Titandioxid werden Interferenzfilter für optische Anwendungen,
zur Entspiegelung und zur Erzeugung von Farbeffekten produziert.
TP-2 03/2017 22
VDT-1 03-2017 22
Molekularstrahl Epitaxie
Dabei handelt es sich um ein Verfahren zum epitaktischen
Schichtwachstum von Kristallen auf einem geeignet gewählten kristallinen
Substrat.
Epitaktisch bedeutet, dass das gezüchtete Material die
Kristalleigenschaften des Substrats übernimmt.
Dazu müssen deren physikalische Eigenschaften, insbesondere
Gitterkonstanten und Wärmeausdehnungskoeffizienten, zumindest in der
Ebene vertikal zur Wachstumsrichtung relativ gut übereinstimmen.
Das Verfahren wird vor allem in der Halbleitertechnik verwendet, unter
anderem um Einkristalline Strukturen aus Halbleiterverbindungen wie z.B.
Galliumarsenid (GaAs), Indiumphosphid (InP), Galliumantimonid (GaSb)
auf einem Substrat zu erzeugen.
TP-2 03/2017 23
VDT-1 03-2017 23
Molekularstrahl Epitaxie
TP-2 03/2017 24
VDT-1 03-2017 24
Molekularstrahl Epitaxie
TP-2 03/2017 25
VDT-1 03-2017 25
Plasmatechnologien
Vakuum und Plasma haben in nahezu allen technischen Disziplinen Einzug
gehalten und tragen erheblich zu deren wissenschaftlich-technischem
Fortschritt bei.
Die Beschichtung von Festkörpern im Vakuum und die Modifizierung
oberflächennaher Bereiche durch Vakuum- und Plasmaprozesse schaffen
Produkte mit neuen Gebrauchswerten.
Dies betrifft vor allem den Werkzeugbau und alle Bereiche des Maschinen-
und Fahrzeugbaus, das Bauwesen, die Glas-, Keramik-, sowie
Kunststoffverarbeitung, die Oberflächenveredelung, die Elektronik, ebenso
wie die Lebensmittel-, Bio- oder Medizintechnik.
TP-2 03/2017 26
VDT-1 03-2017 26
Plasmatechnologien
Die Plasmatechnologie beruht auf einem einfachen physikalischen Prinzip.
Durch Energiezufuhr ändern sich die Aggregatzustände: aus fest wird
flüssig, aus flüssig gasförmig. Wird einem Gas nun weitere Energie
zugeführt, so wird es ionisiert (Erzeugung elektrisch geladener Teilchen)
und geht in den energiereichen Plasmazustand als vierten Aggregatzustand
über.
Plasma wurde erst im Jahre 1928 von Irving Langmuir entdeckt. Dabei
kommt es gar nicht besonders selten vor, im Gegenteil: Mehr als 99% der
sichtbaren Materie im Universum befindet sich im Plasmazustand.
Auf der Erde kommt es in seiner natürlichen Form z.B. in Blitzen oder als
Polarlicht in der Arktis und Antarktis vor.
Bei einer Sonnenfinsternis lässt sich das Plasma als heller Lichtkranz
(Korona) um die Sonne beobachten.
Mit Plasma kennzeichnet eine Materie auf hohem, instabilem
Energieniveau. Beim Kontakt mit festen Materialien wie z.B. Kunststoffen
und Metallen trifft zugeführte Plasmaenergie auf die Oberflächen und
verändert wichtige Oberflächeneigenschaften wie z.B. die
Oberflächenenergie.
TP-2 03/2017 27
VDT-1 03-2017 27
Plasmatechnologien
Aggregatzustände [12]
TP-2 03/2017 28
VDT-1 03-2017 28
Plasmatechnologien
Niederdruckplasma
Diese Plasmen werden in geschlossenen Kammern im Vakuum (bis 10-6
mbar) erzeugt.
Die im Vergleich zum Atmosphärendruck verringerte Teilchenanzahl pro
Volumen führt zu einer größeren freien Weglänge und zu einer
vergleichsweise geringen Anzahl von Stoßprozessen.
Das Plasma hat daher eine geringere Neigung zur Relaxation und kann
sich weit in den Raum hinein ausbreiten.
Zur Evakuierung der Kammer sind starke Pumpen notwendig.
Hochdruckplasma
Hochdruckplasmen werden z. B. in speziellen Gasentladungslampen
erzeugt.
Sie haben keine besondere Bedeutung in der Dünnschichttechnologie.
TP-2 03/2017 29
VDT-1 03-2017 29
Plasmatechnologien
Atmosphärendruckplasma
Atmosphärisches Plasma wird unter Normaldruck erzeugt. Daher sind
keine Niederdruckkammern erforderlich.
TP-2 03/2017 30
VDT-1 03-2017 30
Plasmatechnologien
TP-2 03/2017 31
VDT-1 03-2017 31
Plasmatechnologien
TP-2 03/2017 33
VDT-1 03-2017 33
Oberflächenfunktionalisierung
TP-2 03/2017 34
VDT-1 03-2017 34
Oberflächenfunktionalisierung
TP-2 03/2017 35
VDT-1 03-2017 35
Oberflächenfunktionalisierung
TP-2 03/2017 36
VDT-1 03-2017 36
Oberflächenfunktionalisierung
TP-2 03/2017 37
VDT-1 03-2017 37
Oberflächenfunktionalisierung
TP-2 03/2017 38
VDT-1 03-2017 38
Oberflächenfunktionalisierung
TP-2 03/2017 39
VDT-1 03-2017 39