5.

1
Beschichtung
Ein berblick ber die wichtigsten
Verfahren der Dnnschichttechnik
5.2
bersicht
Verfahren der Oberflchen- und
Dnnschichttechnik
Induktionshrten
Flammhrten
Nitrocarburieren
Aufkohlen
Nitrieren
Auftragschweien
Plasmaspritzen
Randschichthrten
Diffusion
Dnnschichtverfahren Dickschichtverfahren
Galvanik
Eloxieren
Bedampfen PECVD
CVD PVD
Sputtern
Elektrochem.
Verfahren
Thermisches
Spritzen
Flammspritzen
dnne Schichten nach DIN: 1 nm 10m
Siebdruck
MBE
5.3
PVD
Physical Vapour Depositon
CVD
Chemical Vapour Depositon
Evaporation Sputtering
PECVD
Plasma
enhanced
CVD
(Low T)
LPCVD
Low Pressure
CVD
(High T)
Metals
Insulators,
Polysilicon
Overview on Thin film
deposition
bersicht: Dnnschichtverfahren
Hufig angewandte Verfahren Hufig angewandte Verfahren
5.4
bersicht
5.5
PVD PVD- -Verfahren Verfahren Abscheidung aus einem Dampf- oder Plasmastrom,
der durch intensiven Energieeintrag aus dem
zunchst in fester Form (Target) vorliegenden
Schichtmaterial erzeugt wird.
Bedampfen Bedampfen Verdampfung des homogen aufgeheizten Materials
Sputtern Sputtern (Zerstuben) (Zerstuben) Herauslsung von Atomen aus der Targetoberflche
durch Sto von energiereichen Ionen
Molekularstrahlepitaxie Molekularstrahlepitaxie (MBE) (MBE)
Atom- oder Moleklstrahl fhrt auf einem
geheizten Substrat zu epitaktischen Wachstum von
Einkristallen
Pulsed Pulsed Laser Laser Deposition Deposition (PLD) (PLD)
Nanosekunden-Laserimpuls erzeugt Plasma ber
dem Substrat, Beschleunigt Atome Richtung Substrat
bersicht
5.6
bersicht
5.7
Metal evaporator
Thermal Evaporation: Heater (coil)
High
Vac
Mech
Vac
Cruicible: heated up
Ebeam Evaporation
Electromagnetic lens
-scan electron beam
-focus or defocus
Cooling water (<100 C)
PVD: Evaporation
5.8
PVD: Aufdampfen
PVD: Physical Vapour
Deposition
Aufdampfen von
Metallfilmen im Vakuum
Aufheizen des Targets
Einfacher Proze
Mige Filmqualitt
Atome treffen mit geringer
Energie auf das Substrat
auf (0,1 eV)
Hohe Beschichtungsrate
(bis zu 0,5 m/min fr Al
5.9
Mittlere freie Weglnge (grobe Abschtzung)
Mittlere Weglnge, die Atome zwischen zwei Sten mit anderen Atomen zurcklegen.
Ste: Die Zentren zweier Atome sind weniger als 2r voneinander entfernt.
r
2r

N
V
r
2
) 2 (
Mittleres Volumen eines Atoms
p
kT
D N
V
D
2 2
1 1

=
D = 5
kT=0.026eV= 1.60210
19
0.026=4.1710
-21
J
= 50 nm (1 atm)
= 50 m (~ 10
-7
Torr)
PVD: Aufdampfen
5.10
High Vacuum
1 atm
760 mm of Hg = 760 Torr
1013 mbar
1.01310
5
Pa
14.7 psi
E-beam metal deposition
10
-6
10
-7
Torr
-long mean free path of
metal atoms
-directional deposition
-prevents oxidation
-little gas trapped in film
-poor step coverage
http://www.aip.org/avsguide/refguide/workingpress.html
PVD: Aufdampfen
5.11
Achieving high vacuum (< 10
-7
Torr)
Mechanical pumping
outgassing
:rough vacuum ~ 1 - 10 mTorr
Diffusion pump
Cold trap (liquid N
2
)
Oil jet
Roughing pump
chamber
Introduction to Microelectronic Fabrication (Jaeger)
PVD: Aufdampfen
5.12
PVD: Aufdampfen
5.13
PVD
Kontrolle der Schichtdicke whrend des Beschichtungsprozesses Kontrolle der Schichtdicke whrend des Beschichtungsprozesses
Messe die Resonanzfrequenz eines Quarzkristalls.
Der Quarzkristall wird mit dem Substrat mitbeschichtet.
Die Resonanzfrequenz verschiebt sich proportional der Dicke des
aufgebrachten Films.
Die Abscheidungsrate kann damit genauer als 0,1 nm/s gemessen werden.
5.14
PVD: Aufdampfen
Shadowing and step
coverage
Because of the large
mean free paths of
gas molecules at low
pressure, evaporation
techniques tend to be
directional in nature,
and shadowing of
patterns and poor step
coverage can occur
during deposition.
5.15
Deposition characteristics

r
o
r
o
r
Source
Wafer
2
4
o
o
r
m
t

=
Deposition rate (Quartz monitoring)
m: evaporation rate [g/sec]
: density [g/cm
3]
Fixed holder: poor step coverage (lift-off)
Deposition materials
Anything that can be
evaporated: Al, Ti, Cr, Au, Pt, Si,
SiO
2
, etc
Rotating holder: conformal coating
Introduction to Microelectronic Fabrication (Jaeger)
PVD: Aufdampfen
5.16
PVD: Sputtern
5.17
Sputtering (Al, Ti, W, etc)
(a) Mechanism: physical bombardment of energetic ions (Ar
+
)
Ar
+ Metal (cathode)
(b) Characteristics:
Vacuum (100 Pa) : mean free path ~ 50 m
Very good step coverage (preferred in IC process)
Better contact / stiction
Gas (Ar) trapped in the film
Sputtering yield: metal atoms
generated by 1 Ar ion
Sputter etching: wafer cathode,
cleaning oxide before etching
Introduction to Microelectronic
Fabrication (Jaeger)
PVD
5.18
Sputtern
Sputter characteristics
Argon gas + electric field Plasma
Accelerated Ar ions hit target (e.g. plate of gold) and remove target atoms
Target atoms deposit on surface of substrate
The advantages of sputter deposition
[1] Multi component films, insulators as well as refractory materials can be deposited.
[2] Higher energy of adsorbed atom because of the electric field Good adhesion is
assured
[3] Thickness uniformity over large areas can be obtained.
[4] Thickness control is easy since the thickness is proportional to the deposition
time.
[5] Substrate cleaning in situ is possibly by ion bombardment.
[6] Control of many parameters (?)
The disadvantages of sputter deposition
[1] Complicated machine
[2] Source material must be available in sheet form, targets are expensive
[3] Deposition rate usually lower than 4 nm/s
[4] Substrate must be cooled except for short runs.
5.19
Pulsed Laser Deposition (PLD)
Dauer des Laserpulses
kontrolliert die die Energie
mit der die Teilchen das
Substrat treffen
Typ. 10 100 eV
5.20
MBE
Typische Anwendung im
Halbleiterbereich:
Epitaktische Schichten
mit verschiedenen
Dotierungen
5.21
Wachstum dnner Filme
- Teilchen trifft die Substratoberflche
- Teilchen ist auf der Oberflche beweglich (temperaturabhngig)
- Teilchen lagert sich an einem geeigneten Platz an
Source: S. Wolf, N. Tauber: Silicon Processing for the VLSI era
Wichtige Parameter :
- Energie der Teilchen: Aufdampfen: 0,1 - 0,2 eV,
Sputtern: 4 - 40 eV
- Temperatur des Substrats
5.22
Wachstum dnner Filme
Transmissionselektronenmikroskopische Aufnahmen des
Wachstum eines Indium-Filmes bei T = 0,6 T
m
5.23
Diffusionsbegrenztes zeidimensionales Wachstum
Wachstum dnner Filme
5.24
Morphologie dnner Filme: Einflu der Substrattemperatur
3-Zonen Modell von Movchan and Demchisin
Parameter: T
S
/ T
M
Temperatur des Substrats / Schmelztemperatur
0,25 0,45 T
S
/ T
M
Zone 1: T
S
/ T
M
< 0,25. No surface mobility, few nuclei, dentrites and shadowing, adhesion bad,
porosity
Zone 2: 0,25 < T
S
/ T
M
< 0,45. Surface mobility, voids fill up, columnar structure, better
adhesion
Zone 3: 0,45 < T
S
/ T
M
. Volume diffusion, recrystallisation
Problem of evaporation: Zone 3 often not accessible since melting point too high
Sputtering: Higher energy moves transition to lower temperature
5.25
Kontaminationen Kontaminationen
Wachstum dnner Filme
5.26
In PVD system, degree of supersaturation, i.e. the ratio of the vapor pressure at the
source temperature to the vapor pressure at substrate temperature determines the
deposition rate. From economic considerations, higher deposition rates are
desirable which requires higher supersaturation. However, the defect density in the
layers also depends exponentially on the source temperature and substrate
temperature. Thus the polycrystalline films inherently contain structural defects.
The deposition conditions are chosen to keep the growth as close to the
thermodynamic equilibrium as practically possible and make use of post-deposition
anneal or other heat treatments to improve electronic quality of the films.
Main factor that separates the polycrystalline thin films from
their single crystal counterpart is the grain boundaries. Grain
boundaries result when individual islands coalesce during the
growth of the films. Grain boundaries are generally regions of
high density of defects and segregated impurities from the
grains during growth. Grain size of the films is a function of
deposition parameters and generally the conditions are chosen
to maximize the grain size of the films.
Wachstum dnner Filme
5.27
Einkristalle: Sehr kleine Wachstumsraten,
Sehr kleine Defektdichte,
Hohe Reinheit
Polykristallines Material: Hhere Wachstumsraten,
Geringere Kosten
Korngrenzen,
Hhere Defektdichte
Kompromi zwischen Filmqualitt und Kosten
Wachstum dnner Filme
5.28
Example: Al-Metallization
Purposes
- Electrical contact with doped Si
- Interconnects
- Structure, Sacrificial layer
Example: Aluminum
Most popular
easy process (deposition and etching sacrifical layer)
reduce native oxide
low resistivity (~ 3-cm)
Problems
HF attacks Al
low melting temperature (660 C)
reaction temperature with Si (~ 250 C)
processing limited to ~450 C
SiO
2
Al
n
+
p-Si
spike
5.29
Wachstum dnner Filme
Zusammenfassung aller Einflsse
5.30
CVD
Chemical Vapor Deposition (CVD):
Abscheidung dnner Schichten auf
Oberflchen durch thermische
Zersetzung oder Reaktion von
gasfrmigen Verbindungen.
Polysilizium, Siliziumoxid, und
Siliziumnitrid werden blicherweise
durch CVD-Verfahren abgeschieden.
Die Abscheidung von
hochtemperaturbestndigen Metallen,
z.B. Wolfram ist ebenfalls mglich.
Die mittlere freie Weglnge der
Gasmolekle ist relativ gering. Hohe
Substrattemperaturen erlauben eine
gute Kantenbedeckung ber einen
weiten Bereich topologischer Profile.
5.31
CVD
Das CVD-Verfahren (CVD: Chemical Vapour Deposition):
Abscheidung der Schichten aus der Gasphase
Dissoziation der Ausgangsmolekle in einem Reaktor und chemische Reaktion der
Radikale
Energiezufuhr durch:
- Heizung (Strahlungsenergie)
- Anregung der Reaktanten in einem Plasma (PECVD)
- Anregung der Reaktanten ber Photonen (Laser CVD)
Varianten des CVD-Verfahrens:
- APCVD (Atmospheric Pressure CVD)
- LPCVD (Low Pressure CVD)
- PECVD (,Plasma Enhanced CVD)
- RECVD (,Radiation Enhanced CVD, Laser CVD)
5.32
CVD
Materialien, die mittels CVD abgeschieden werden:
- Monokristalline, polykristalline und amorphe Si-Filme
- Si0
2
-Schichten
- Bor- und Phosphorglasschichten (PSG, BPSG)
- Siliziumnitridschichten
- Metall- und Metallsilizidschichten
Vorteile des CVD-Verfahrens:
- Gute Prozesskontrolle (durch Kontrolle der Prozessparameter)
- Hohe Reinheit der Ausgangsgase
- Hohe Vielfalt der chemischen Ausgangsstoffe
5.33
CVD
Bewertungskriterien bei der Verwendung von CVD-Verfahren
Abscheidetemperaturen (beeinflussen Vorprozesse, z.B.
durch Diffusion)
Abscheiderate
Uniformitt der Abscheidung ber den Wafer
Waferdurchsatz (vor allem bei Einwaferanlagen)
Kantenbedeckung
Elektrisches Durchbruchverhalten (bei Oxiden evtl. auch
bei Nitriden)
Partikelgeneration
Verwendung toxischer Gase
5.34
CVD
Prozessparameter:
Wafertemperatur
Gasdruck
Gaszusammensetzung (Gasflsse)
Reaktorgeometrie
Zustzlich bei PECVD-Verfahren (PECVD ist ein
Niederdruckverfahren):
HF-Leistung, Vorspannung, Frequenz,
Geometrie und Abstand der Elektroden
5.35
CVD
Temperaturbereiche bei Schichtabscheidungen am
Beispiel von SiO
2
:
Hohe Temperaturen:
HTO-Prozesse (z.B. High Temperature Oxide)
Als APCVD- oder LPCVD-Prozess (im mbar-Bereich) mglich
Reaktion: SiH
2
Cl
2
+ 2N
2
O (bei 910 C) SiO
2
+ 2HCl + 2N
2
Mittlere Temperaturen (ergeben beste Schichteigenschaften):
Beispiel: TEOS-Prozess (Tetraethylorthosilane)
TEOS ist bei 300K flssig (Siedepunkt bei 167C)
Druck: O,5 mbar (LPCVD)
Genaue Druckkontrolle ist ntig, um Partikelbildung zu vermeiden:
Fr P < O,2 mbar und P> 1 mbar entstehen Abscheidungen im
Rohr, die sich ablsen knnen
Reaktion: Si(C
2
H
5
O)
4
+ 120
2
(bei 720 C) SiO
2
+ 8CO
2
+ 10H
2
O
5.36
CVD
Temperaturbereiche bei Schichtabscheidungen:
Niedrige Temperaturen:
LTO-Prozesse (Low Temperature Oxide)
z.B. Erzeugung der Isolation zwischen Aluminiumbahnen bei T <400C
mit PECVD:
Reaktion: SiH
4
+ 2N
2
O (bei 350C) SiO
2
+ 2H
2
+ 2N
2
(PECVD)
LTO-Prozesse sind APCVD- oder LPCVD-Prozesse (Druck: mbar)
APCVD-Verfahren fr hohe Wachstumsraten (50- 100 nm/min)
LPCVD-Verfahren fr niedrige Wachstumsraten (10 15 nm/min) (zur
Verbesserung der Schichteigenschaften)
Nachteil von LTO-Prozessen: Schlechte Kantenbedeckung
5.37
Hochtemperaturprozesse sind mglich:
Silizium hlt 1200 C aus
Hochtemperaturprozess Diffusionsprozesse im Festkrper
Spezielle fen werden bentigt
Material Quarz
Sehr hohe Reinheitsanforderungen (Diffusion)
Batches mit 20 to 50 Wafern Groe Temperaturgradienten
CVD
5.38
CVD
Beispiele fr CVD-Prozesse
5.39
CVD
Prozessprobleme:
Partikelbildung (in Abhngigkeit des CVD-Verfahrens und
der Abscheidebedingungen)
Diffusionseffekte im Si-Substrat (bei vorprozessierten
Diffusions- bzw. Implantationsgebieten)
5.40
Chemical Vapor Deposition (CVD)
Process Compatibility
Film quality
Deposition rate
Deposition temperature
Step coverage
Verschiedene Rohre fr verschiedene Prozesse
5.41
Si furnace
Gasversorgung 3-Zonen-Ofen Vakuum und Abgas
5.42
PECVD: Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition
P = 10-500 Pa
T = 250C - 400C
Used for:
Si nitride Si
3
N
4
Si oxide SiO
2
Si carbide SiC
Hydrogen incorporated in films
Compressive stress, goes to tensile by annealing
when the H is removed.
Pinholes and voids, poor step coverage
Kathode
Plasma
Substrate
Heater
Anode
Pump Gas supply
Abscheideprozesse mit geringer Prozesstemperatur, z.B. Al-Metallisierung, T < 400 C
Plasma erzeugt chemisch aktive Radikale
5.43
CVD
Unterschiede der PECVD zur thermischen CVD (I):
Geringere Oberflchendiffusion bei der PECVD aufgrund geringerer
Abscheidetemperaturen (die Oberflchendiffusion sinkt mit abnehmender
Temperatur):
Adsorbierte Radikale diffundieren bei Abscheideprozesse an der
Substratoberflche zu einer energetisch mglichst stabilen Umgebung
(Anlagerung an atomaren Stufen); dieser Vorgang wird bei einer
geringeren Oberflchendiffusion gehemmt
Geringere Dichte bei PECVD-Schichten (die Dichte nimmt mit ab-
nehmender Abscheidetemperatur ab):
PECVD-Schichten haben eine geringere Dichte als thermische CVD-
Schichten
Thermische CVD-Schichten haben eine geringere Dichte als thermisch
gewachsene Schichten (z.B. thermisch gewachsenes Si0
2
)
Hhere Defektdichte bei PECVD-Schichten aufgrund einer geringeren
Dichte chemischer Bindungen (unvollstndig Bildung chem. Bindungen, die
Defektdichte nimmt mit abnehmender Temperatur zu)
5.44
CVD
Unterschiede der PECVD zur thermischen CVD (II):
PECVD-Schichten sind weniger konform als LPCVD-Schichten
Verwendung der Elektrode, auf der die Scheiben liegen, als
Kathode
Die aufwachsende Schicht wird teilweise weggesputtert, mit
verstrktem Sputterabtrag an nichthorizontalen Bereichen der
Oberflche.
Man erhlt eine einebnende Schichtabscheidung ohne
Lunkerbildung
Konforme Abscheidung: gleiche Schichtdicken an horizontalen, wie vertikalen Flchen
5.45
CVD
5.46
CVD
Phosphordotierung: - reduziert Stress im Oxid
- gettert Verunreinigungen
- Viskoses Verhalten bei hohen Temperaturen
(wichtig bei Planarisierung der Oberflche)
5.47
CVD
Plasmanitrid: Stchiometrie stimmt
nicht, es ist noch H eingebaut
5.48
CVD
5.49
CVD
General Characteristics
Thin films deposited by chemical reaction
Chemical reaction triggered by
Heat: LPCVD (450-750 C)
Plasma: PECVD (200-350 C, low quality film)
Al melting = 660 C
Photo resist hardbaking = 130-140 C
Low Pressure: 0.3 - 1 Torr
Longer mean free path higher diffusivity
Reaction limited better uniformity
Less sensitive to gas flow dynamics
Excellent step coverage
Si Si
Conformal
CVD
Voraussetzung: Reaktionsbedingter Prozess
(Konzentration der Reaktionsgase berall gleich
Konforme Abscheidung: Schichtdicke
unabhngig von Oberflchentopografie berall
gleich gro
5.51
CVD
Verwendung von LPCVD-Reaktoren
Eine Erniedrigung des Reaktordrucks fhrt zu einer
Erhhung des Diffusionskoeffizienten und einer
Erniedrigung der Reaktionsrate
Der Abscheideprozess ist berwiegend
reaktionsbestimmt; die Anordnung der Si-Scheiben im
Reaktor ist unkritischer (im Vergleich zur APCVD)
Nachteil von LPCVD-Reaktoren:
Geringere Abscheideraten als bei APCVD
Wenn es die Prozessparameter erlauben (z.B. die
Homogenitt), werden APCVD-Prozesse verwendet
5.52
Applications of Silicon Nitride
Etching mask (KOH)
Structural material (low stress)
Oxidation mask (see figure)
Passivation layer
resitivity = ~ 10
16
ohm-cm, dielectric strength 10MV/cm
LPCVD
3SiH
4
+4NH
3
Si
3
N
4
+12H
2
700-900 C
Stoichiometric
Tensile stress
PECVD
SiH
4
+NH
3
SiNH+3H
2
200-350 C
Less tensile
Pin holes (no etching mask)
Si
SiO
2
Si
3
N
4
Oxidation
Si
CVD
5.53
CVD
5.54
Thermische Oxidation
Anwendungen:
Elektrische Isolationsschichten von hoher Qualitt
hohe Durchbruchspannung (Feldstrke >5x10
6
V/cm); z.B. als
Feldoxid oder Gateoxid)
Geringe Dichte an Fremdionen
Diffusionsbarrieren
Maskierung (strukturierbar)
Molekularstruktur von SiO
2
(SiO
2
-Gitter):
Tetraeder mit Sauerstoffatomen an den Ecken und einem Si-Atom im
Zentrum; ein Sauerstoffatom ist an 2 Si-Atome gebunden
(brckenbildendes Sauerstoffatom)
Kristallines SiO
2
: Die Anordnung der Atome weist eine Fernordnung und
eine Nahordnung auf (Dichte: 2,65 g/cm
3
)
Amorphes SiO
2
: Die Anordnung der Atome weist nur eine Nahordnung auf
(die Tetraeder bilden ein regelloses Netzwerk; ca. 43% des Volumens
nehmen SiO
2
-Molekle ein; Dichte: 2,20 g/cm
3
)
5.55
2 Prozessvarianten:
a) Trockenoxidation
Si + O
2
Si O
2
bei 800C bis 1200C,
b) Nassoxidation
Si + 2H
2
O Si O
2
+ 2H
2
Bei 900C bis 1100C,
Wasser aus der Verbrennung von Wasserstoff mit Sauerstoff, sehr
sauber, weniger Verunreinigungen als mit flssigen Wasser
Thermische Oxidation
5.56
Reaktionsmechanismus der thermischen Oxidation:
1) Sauerstoff gelangt aus der Gasphase an die Si0
2
-Grenzflche (durch Diffusion)
2) Sauerstoff diffundiert durch die bereits vorhandene Si0
2
-Grenzschicht an die
Si/Si0
2
-Grenzflche
3) Chemische Reaktion an der Si/Si0
2
-Grenzflche
Die Sauerstoffkonzentration C
0
an der Si0
2
-Oberflche ist eine Funktion der
Temperatur T, des Reaktordruckes P und des Gasflusses I:
C
0
= C
0
(T,P,I)
C
0
: 0-Konzentration an der Si0
2
-Oberflche (C
0
5x10
16
Molekle/cm
3
bei
1000C)
Fr die Si0
2
-Wachstumsgeschwindigkeit ist der langsamste der drei Vorgnge
bestimmend
Wenn der langsamste Vorgang fr das Si0
2
-Wachstum die Diffusion des
Reaktionsgases (0) an die Si0
2
-Oberflche ist, entsteht ein konformes, von der
Topografie des Substrats unabhngiges Schichtwachstum:
Si0
2
wchst bei gleichen Bedingungen an ebenen Flchen (Stufen,
berhngen, engen Grben) mit gleicher Rate
Thermische Oxidation
5.57
Thermische Oxidation
2 Bereiche:
a) Kleine Schichtdicken (< 0,1 m) :
Der Oxidationsvorgang bestimmt
die Wachstumsgeschwindigkeit
Der Wachstumsprozess ist
reaktionsbestimmt Die
schichtdicke wchst linear mit
der Prozesszeit.
b) Grere Schichtdicken: Der
Sauerstoff muss durch die
bereits vorhanden Oxidschicht
hindurch diffundieren Der
Wachstumsprozess ist
diffusionsbestimmt Die
Schichtdicke wchst mit der
Quadratwurzel der Prozesszeit
5.58
Thermische Oxidation
5.59
Thermische Oxidation
5.60
Thermische Oxidation
5.61
Applications of diffusion oven:
Silicon Dioxide Growth
Wet Oxide (T1)-typically used for field isolation, masking layers, oxides greater than 120 nm,
and optical applications.
Dry Oxide (T2)-slow controlled growth, oxides less than 120 nm.
Forming Gas Anneal (T3)
Aluminum Sinter, anneal.
General Anneal (T4)
Nitrogen ambient anneals.
Sample Sizes:
3", 4" and 6" wafers.
Maximum wafer thickness: 2.5 mm
Restrictions: Verhindern von Verunreinigungen
Silicon Wafers Allowed.
Pyrex and glass slides permitted with temperatures below melting point!
All other substrates need approval.
Max. Temperature 1100 C.
Thermische Oxidation
5.62
Stress in dnnen Filmen: Verbiegung des Substrats
Compression:
Membranes buckle
Tension: Cracks, delamination,
membranes brake
Origin: - Thermal expansion
- Bonds too long or too short
- Crystallites want to grow and fight for space