Technik der Dotierung | LEIFIphysik 10.01.

24, 23:38

Einführung in die Elektronik

Grundwissen
Technik der Dotierung
Das Wichtigste auf einen Blick

Halbleiter werden meist durch ein Diffusionsverfahren oder durch Implantation (Einschuss) mit Fremdatomen dotiert.

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Um die Leitfähigkeit eines Halbleiterkristalls gezielt erhöhen zu können werden ihm drei- bzw. fünfwertige Fremdatome eingebaut (Dotierung).
Beim Einbringen der Fremdatome verwendet man heute zwei Verfahren, die Diffusion und die Implantation.

Dotierung durch Diffusion

Bei der Diffusion dringen die Fremdatome in den Halbleiterkristall aufgrund eines bestehenden
Konzentrationsgefälles ein (zunächst ist außerhalb der Siliziumscheiben die Konzentration der
Fremdatome hoch, in der Scheibe dagegen gering).

Dazu bringt man die Siliziumscheiben (Wafer) in eine Gasatmosphäre, welche die Dotier-Atome
enthält. Als Gas eignet sich z.B. Phosphin (PH3 oder Diboran (B2H6). Der Diffusionsprozess läuft
bei hohen Temperaturen (ca. 1000°C) besonders effektiv ab, da die Siliziumatome in Bewegung
sind und leichter an der ein oder anderen Stelle durch Fremdatome ersetzt werden können.

Das Diffusionsverfahren ist im Vergleich zum Implantationsverfahren billig, weist jedoch einige
Nachteile auf:

Die Konzentration der Dotieratome lässt sich nicht sehr genau einstellen.

Die größte Dotierungsdichte herrscht trotz ausgeklügelter Verfahren immer an der

Oberfläche.

[CC BY-SA 3.0] by Guillaume Paumier via

Wikimedia Commons
Abb. 1 Ofen zur Dotierung von Halbleitern
mittels Diffusion

Dotierung durch Implantation

Bei diesem Verfahren werden Ionen des Dotierungsstoffes (z.B. B-Ionen oder P-Ionen) durch
ein elektrische Spannung stark beschleunigt und auf den Halbleiterkristall geschossen.
Aufgrund ihrer hohen kinetischen Energie können die Fremdionen in den Kristall eindringen
und z.B. Siliziumatome aus ihren Gitterplätzen drängen. Bei den hohen kinetischen Energien
der implantierten Ionen kann die Kristallstruktur teilweise zerstört werden. Durch Erwärmen des
nun schon dotierten Kristalls können Gitterfehler wieder beseitigt werden. Man nennt diesen
Prozess "Ausheilen".

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Das Implantationsverfahren kann die Nachteile des Diffusionsverfahrens weitgehend

überwinden, ist aber deutlich teuerer.
CC BY-NC-SA 4.0 Joachim Herz Stiftung
Abb. 2 Dotierung durch Implantation -
Schematisch

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