Emv Tu KL

Lehrstuhl für Hochspannungstechnik und EMV
Universität Kaiserslautern
Professor Dr.-Ing. P. Weiß
Skriptum zur Vorlesung
Elektromagnetische
Verträglichkeit
Lehrstuhl für Hochspannungstechnik und EMV
Universität Kaiserslautern
Professor Dr.-Ing. P. Weiß
Skriptum zur Vorlesung
Elektromagnetische
Verträglichkeit
Niederschrift im Rahmen einer Studienarbeit

von Hartmut Becker
(überarbeitet durch Andreas Ott)
 (1994, 1. Auflage)
 (2000, 2. Auflage)
Weiß, Kaiserslautern
Vorwort
Vorwort
Das Skriptum soll Begleiter zur Vorlesung "Elektromagnetische Verträglichkeit" sein. Daraus
ergeben sich gewisse Eigenarten im Aufbau und - vor allem wegen der für eine derartige
Vorlesung verfügbaren Zeit - Begrenzungen im Inhalt. Das Skriptum kann somit kein Lehrbuch
ersetzen. Solche Hilfsmittel sind im Literaturverzeichnis aufgeführt.
Die Beschäftigung mit der EMV erscheint für den angehenden Diplom-Ingenieur im Hinblick
auf den EU-Binnenmarkt zwingend notwendig, da in Zukunft bei Nichtbeachtung der EMV-
Gesetzgebung rechtliche und wirtschaftliche Konsequenzen schwerwiegend sein werden. Sehr
häufig wird der Absolvent seinen beruflichen Einstieg in Forschungs- und
Entwicklungsabteilungen finden, in denen er unmittelbar mit dieser Problematik in Berührung
kommt. Noch wichtiger ist für den Berufsanfänger, der in kleinen oder mittleren Betrieben seine
Arbeit aufnimmt, die Beschäftigung mit dieser Thematik, da ihm keine beratende EMV-
Abteilung zur Seite steht.
Besonderer Dank gilt Herrn Professor Weiß für seine außerordentliche Bereitschaft, dem
Verfasser auf all seine Fragen geduldig Gehör zu verleihen, sowie den Mitarbeitern des
Lehrstuhl für Hochspannungstechnik und EMV, Herrn Markus Metzger und Herrn Bernd
Gutheil, für ihre Ausdauer und ihr Einfühlungsvermögen bei der Erstellung dieses Skriptums.
Hartmut Becker, im Januar 1994
Vorwort zur 2., überarbeiteten Auflage
Der leitende Gedanke bei der Überarbeitung war, wie bereits zu seiner Entstehungszeit 1994, die
Schaffung einer begleitenden Literatur zur Vorlesung.
Der Student soll hierdurch zum einen eine Entlastung bei der Erstellung eines eigenen Skripts
erfahren, und zum anderen wird dem Vortragenden die Möglichkeit an die Hand gegeben, einige
Punkte zu vertiefen und andere, ohne nennenswerten Informationsverlust für den Studierenden,
schneller abzuhandeln.
Ein Großteil des Skripts ist nahezu unverändert in die Neuauflage übernommen worden, da es
sich hierbei um grundsätzliche Erörterungen handelt. Veränderungen gab es bei unklaren
Formulierungen, Zusammenhängen und Erläuterungen. Weiterhin wurden einige Gebiete etwas
ausführlicher dargestellt und, zur optimalen Vertiefung der einzelnen Themengebiete, besonders
Wert auf die Angabe der Quellen gelegt.
Mein Dank gilt vor allem Herrn Michael Renner, welcher mich in der letzten Phase des Projektes
unterstützt hat. Herrn Dirk Gust bin ich für die Bereitstellung aller Informationen zum
zugrundeliegenden Skript und Herrn Markus Metzger für die Hinweise und die Korrektur des
7. Kapitels sehr dankbar.
Andreas Ott, im Oktober 2000

Inhaltsverzeichnis
Inhaltsverzeichnis
Kapitel 1, Grundlagen 1
1.1 Einführung 2
1.2 Der wirtschaftliche Aspekt 4
1.3 Stördämpfung 5
1.4 Quantitative Beurteilung der Störgrößen 5
1.5 Störpegel und Störabstand 7
1.6 Fourier-Analyse 9
1.7 Der Weg zur EMV-Tafel 12
Kapitel 2, Störquellen und Koppelmechanismen 15

2.1 Störquelle, Kopplungspfad und Störsenke 16
2.2 Gegentakt- und Gleichtaktstörungen 20
2.3 Praxisbezogene Entstörungsmaßnahmen 21
2.4 Weitere Störquellen 24
Kapitel 3, Passive Entstörkomponenten 27

3.1 Passive Entstörkomponenten 28
3.2 Filter 28
3.3 Dissipative Filter 37
3.4 Überspannungsableiter 39
3.5 Hybrid-Ableiterschaltungen 41
Kapitel 4, Elektromagnetische Schirme 43

4.1 Unterteilung der Störfelder 44
4.2 Dämpfung elektrostatischer Felder 44
4.3 Dämpfung elektrischer Wechselfelder niedriger Frequenz 45
4.4 Dämpfung magnetostatischer Felder 46
4.5 Dämpfung magnetischer, niederfrequenter Wechselfelder 47
4.6 Dämpfung elektromagnetischer Wechselfelder 48
4.7 Zusammenfassung 48
4.8 Nah- und Fernfeld 49
4.9 Absorptions-/ Reflexionsdämpfung 51
4.10 Schirmdämpfung im Nah- und Fernfeld 52
4.11 Schirmmaterialien 54
4.12 Dichtungen für Schirme 54
4.13 Durchführungen in geschirmte Räume 55
4.14 Massung und Filterung bei Durchführungen 57
4.15 Raumschirmungen 59
Kapitel 5, Repräsentative EMV-Probleme 61

5.1 EMV-Probleme in der Energietechnik 62
5.2 EMV-Probleme in der Digitaltechnik 75
5.3 Die EMV in der Automobiltechnik 80
5.4 Elektromagnetische Felder und Bioorganismen 83
Kapitel 6, Simulations- und Meßtechnik 87

6.1 Einführung 88
6.2 Prüfungsvorbereitungen 88
6.3 Die Eigenstörfestigkeit 88
6.4 Die Fremdstörfestigkeit 88
6.5 Messung der Störemissionen 104
Inhaltsverzeichnis
Kapitel 7, Vorschriften und Rechtsgrundlagen 109

7.1 Das CE-Zeichen 110
7.2 Die EMV und die Gesetzgebung 111
7.2.1 Das EMV-Gesetz 111
7.2.2 Das Telekommunikationsgesetz 111
7.2.3 Bis 31.12.1995 gültige Gesetze 111
7.2.4 Ausnahmen 112
7.2.5 Genehmigungen 112
7.2.6 Einteilung der EMV Normen 113
7.2.7 Die drei Ebenen der EMV-Normenvergabe 113
7.3 Beispiele für basic standards, generic standards und product standards 116
Kapitel 1 – Grundlagen 1
KAPITEL 1, GRUNDLAGEN .................................................................................................................... 1

1.1 EINFÜHRUNG ................................................................................................................................. 2
1.2 DER WIRTSCHAFTLICHE ASPEKT ................................................................................................... 4
1.3 STÖRDÄMPFUNG............................................................................................................................ 5
1.4 QUANTITATIVE BEURTEILUNG DER STÖRGRÖßEN ......................................................................... 5
1.5 STÖRPEGEL UND STÖRABSTAND ................................................................................................... 7
1.6 FOURIER-ANALYSE ....................................................................................................................... 9
1.7 DER WEG ZUR EMV-TAFEL ........................................................................................................ 12
Kapitel 1
Grundlagen
Einführende Fragen:
1. Wie ist die elektromagnetische Verträglichkeit definiert?

2. Erklären Sie die Begriffe Sender und Empfänger und nennen Sie Beispiele.
3. Wie werden Sender, Kopplungspfade und Empfänger beeinflußt, so daß sie sich nicht
gegenseitig stören?
4. Nennen sie die Fachbegriffe für eine Systemunterteilung in innere und äußere Systeme.
5. Wodurch werden die Eigenstörfestigkeit, die Fremdstörfestigkeit und der Emissionsgrad
beeinflußt?
6. Was beschreibt der EMV-Plan?
7. Was bedeutet Stördämpfung?
8. Wie werden Störgrößen quantitativ beurteilt (welche Art der Darstellung wird verwendet)?
9. Wie sind Spannungs- und Leistungspegel im logarithmischen Maßstab definiert?
10. Wie lauten die Umrechnungen in den linearen Maßstab?
11. Was wird unter dem Störabstand bzw. dem Störsicherheitsabstand verstanden?
12. Welche Begriffe definieren die DIN/VDE-Bestimmungen im Hinblick auf Grenzstörpegel?
13. Erklären Sie die Fourier-Analyse?
14. Wie und wozu wird die EMV-Tafel angewendet?
1.1 Einführung
Was ist EMV?
Elektromagnetische Verträglichkeit ist die Fähigkeit eines Gerätes, in seiner elektromagnetischen

Umwelt zufriedenstellend zu arbeiten, ohne dabei selbst elektromagnetische Störungen zu
verursachen, die für andere in dieser Umwelt vorhandene Geräte unannehmbar wären.
Quelle: EMVG §2 Abs. 7 vom 9.11.1992
Der Wunsch nach einer intakten Umwelt hat einen dominanten Stellenwert erhalten. Deshalb
müssen elektromagnetische „Umweltverschmutzer", in der EMV Sender (Störer) genannt, in
ihren Auswirkungen begrenzt werden. Damit mögliche Sender nicht zur Gefahr werden, müssen
Empfänger, das sind Systeme, welche die Ausstrahlungen der Sender aufnehmen und damit in
ihrem Betrieb gefährdet sind, gegen elektromagnetische Störeinflüsse geschützt werden.
Hervorgerufene Funktionsstörungen bei Empfängern können dabei vorübergehend oder dauerhaft
(z.B. RESET notwendig) sein. Auch eine Zerstörung ist möglich.
Beispiele für technische Sender (Störer):
• Motoren
• Leuchtstofflampen
• Leistungselektronik
• Schaltkontakte
• Monitore
• Computer
• Rundfunksender
• Mobiltelefone
Beispiele für natürliche "Sender" (Störer):
• Atmosphärische Störungen
• Elektrostatische Aufladungen
Als Empfänger können

• Automatisierungsstechnik
• KFZ-Mikroelektronik
• Meß-, Steuer- und Regelgeräte
• Datenverarbeitungsanlagen
• Herzschrittmacher
• Bioorganismen
wirken.
Die EMV gliedert sich in die Vermittlung von Störaussendung (Emission, lat. emittere:
aussenden) und Störfestigkeit (Imission, lat. imittere: hineinschicken). Hierbei finden nicht nur
elektronische Geräte, sondern auch Bioorganismen und die uns umgebende Umwelt
Berücksichtigung.
Jeder elektromagnetische Sender und Empfänger stellt ein elektromagnetisches

Beeinflussungspotential dar. Oft ist eine Beeinflussung erwünscht (z.B. Radio), doch viel öfter
auch unerwünscht. Hierbei unterscheidet man zwischen einer reversiblen (lat. revertere:
umkehren) und einer irreversiblen (nicht umkehrbaren) Störung.
Reversible Beeinflussungen sind z.B. zeitweise mangelnde Verständigung beim Telefonieren. Sie
können zu Fehlfunktionen führen, die eine indirekte irreversible Störung zur Folge haben (z.B.
Knackstörungen bei Datenübertragungen über Telefonleitungen).
Irreversible Störungen sind z.B. Zerstörungen elektronischer Komponenten auf Leiterplatten
durch elektrostatische Aufladungen (Stichwort: EGB (= elektrostatisch gefährdete Bauelemente))
oder Überspannungen bei Blitzeinwirkung (Stichwort: LEMP (Lightning Electromagnetic Pulse)
= Blitz)).
Daher gilt es Schaden zu vermeiden, bevor er entstehen kann. Maßnahmen zielen auf eine
Beeinflussung der Sender, Kopplungspfade und Empfänger:
• Sender werden beispielsweise geschirmt, wenn dies sinnvoll ist, d.h. wo der Zweck des
Gerätes nicht die Aussendung von Strahlung ist
• Kopplungswege zwischen Sender und Empfänger werden unterbrochen durch Schirmung,
Filterung, galvanische Entkopplung (z.B. Optokoppler), etc.
• Empfänger werden gegen einfallende Kopplungen (siehe Kapitel 2.1) geschützt, die
Zuleitungen werden gefiltert etc.
Bei den Betrachtungen des Beeinflussungsmodells
Sender Kopplungspfad Empfänger
ist eine Unterscheidung in Inter- und Intrasystem von Vorteil:

• Wenn sich zwei Systeme stören, so spricht man von einem Intersystem (lat. inter:
zwischen).
• Stören sich beispielsweise Baugruppen innerhalb eines Systems (z.B. eine Interface-Karte
stört durch ihre elektromagnetische Abstrahlung das Motherboard), so spricht man von
einem Intrasystem (lat. intra: innerhalb).
Aus diesen Sachverhalten ergeben sich drei charakteristische Parameter für ein
elektrotechnisches System (Gerät):
EMV= f (SE, SF, η)

Die Eigenstörfestigkeit SE innerhalb eines Gerätes ist abhängig von:
• Anzahl, Art und Intensität der internen Störquellen

• Ausbreitungsmöglichkeiten der internen Störgrößen über funktionell erforderliche oder
parasitäre Koppelwege
• Störfestigkeit der Systemelemente
• Fehlertoleranz des Signalverarbeitungskonzeptes
Die Fremdstörfestigkeit SF innerhalb eines Systems wird beeinflußt durch:
• Eindringmöglichkeiten äußerer Störgrößen in das Geräteinnere

• Grad der Beherrschung eingedrungener Störgrößen
Der Emissionsgrad η innerhalb eines Gerätes wird beeinflußt durch:

• Anzahl, Art und Intensität der internen Störquellen
• Möglichkeit des Ausbreitens der Störung
[vgl. auch [Hab98], S2. ff)
1.2 Der wirtschaftliche Aspekt
"Komplexe Systeme verlangen bereits im Planungsstadium die umfassende Berücksichtigung

von EMV-Aspekten, sowie den Einsatz EMV-förderlicher Komponenten und Maßnahmen
(EMV-Plan). Hoher präventiver Aufwand läßt spätere EMB-Probleme (EMB =
elektromagnetische Beeinflussung; Anm. des Autors) mit geringer Wahrscheinlichkeit und auch
nur geringe Nachbesserungskosten während der Inbetriebnahmephase erwarten. Umgekehrt führt
geringer anfänglicher Aufwand mit großer Wahrscheinlichkeit zu hohen Nachbesserungskosten
[...].Über der Wahrscheinlichkeit des Auftretens elektromagnetischer Beeinflussungen ...
aufgetragen, zeigt die Kurve für den gesamten EMV-Aufwand ein Minimum". ([SCH91], S. 6)
(siehe Bild 1.2)
Bild 1.2
Zusammenhang zwischen EMV relevanten Kostenanteilen und unverträglicherbedinger
Fehlerwahrscheinlichkeit WF
Das Kostenminimum ist aus wettbewerblichen Gründen anzustreben, setzt aber

• detaillierte Kenntnis der Entstehung, Ausbreitung und Einkopplung elektromagnetischer
Beeinflussungen
• frühzeitiges Erkennen wenig augenfälliger Beeinflussungspfade
• Vermeiden übertriebenen Entstöraufwandes
• Maßnahmen am richtigen Platz
Entstörmaßnahmen sollten so nah wie möglich an der Quelle und die Schirmung
so früh wie möglich am Gerät, nicht erst an der Platine stattfinden.
voraus.
1.3 Stördämpfung
Welches Maß erreicht die Entstörwirkung von Enstörmitteln? Die begriffliche Kennzeichnung
geschieht in Abhängigkeit des Mittels. Bei der Anwendung beispielsweise eines Schirmes
bezeichnet die Schirmdämpfung aS das logarithmische Verhältnis der Feldstärken eines
bestimmten Punktes vor und nach dessen Anwendung. Die Filterdämpfung aF bezeichnet das log.
Verhältnis der Spannungen vor und nach einem Filter.
 H in Abwesenheit eines Schirmes 

aS = 20 ⋅ lg  
 H im geschirmten Raum anzutreffende Feldstärke 
 
 U 
a F = 20 ⋅ lg 1 
 U2 
(vgl. auch [Sch91], S.17)
Die Dämpfungen haben in aller Regel positive Vorzeichen. Resonanzeffekte, wie sie bspw. in
Gehäusen (Länge des Gehäuses ein Vielfaches der Wellenlänge) oder bei LC-Konstrukten
(Filterresonanzen) entstehen können, bewirken negative Dämpfungen (= Verstärkung). Eine
Störung könnte dann beispielsweise ohne Gehäuse geringer ausfallen als mit.
Beide Beispiele zur Kennzeichnung einer Dämpfung werden unter dem Begriff Stördämpfung
zusammengefaßt. Es ist somit eine oberbegriffliche Kennzeichnung und bedarf im jeweiligen Fall
der genaueren Bezeichnung der Art der Entstörung.
1.4 Quantitative Beurteilung der Störgrößen

(vgl. [Sch91], S. 7ff)
Logarithmische Verhältnisse dienen zur quantitativen Beurteilung der Störgrößen. Sie haben u.a.
folgende Vorteile:
• Erhalt der Übersichtlichkeit der Darstellung auch dann, wenn der Meßwert mehrere
Zehnerpotenzen überschreitet
• Multiplikativ zusammenhängende Größen können logarithmisch addiert werden
Wird von einem Pegel oder Abstand gesprochen, so bezieht sich dieses logarithmische Verhältnis
auf einen festen Bezugspunkt (z.B. U0 = 1 µV). Beispiele hierfür sind der Störabstand bzw. der
Störpegel.
Ein Übertragungsmaß dagegen ist das Verhältnis von Ein- und Ausgangsgrößen eines Systems.
Wie unter (1.3) angeführt, benutzt man Übertragungsmaße (Verhältnis von Ausgangsgröße zu
Eingangsgröße) zur Charakterisierung von Leitungs-, Schirm- und Filterdämpfungen, sowie von
Verstärkungen.
Spannungs- und Leistungspegel sind wie folgt definiert (log10 = lg):

Spannungspegel:
UX
U = 20 lg (in dBµV für U0 = 1 µV)
dB U0
Angewendet ebenso bei: IdB in dBµA für I0= 1 µA

EdB in dBµV/m für E0=1 µV/m
HdB in dBµA/m für H0=1 µA/m
P
Leistungspegel: P = 10 ⋅ lg X (in dBmW oder dBm, für P0= 1 mW)
dB P0
Dabei ist zu beachten, daß alle Leistungsgrößen mit dem Vorfaktor 10 und alle Feldgrößen, wie
Strom und Spannung, mit dem Vorfaktor 20 versehen werden.
Umrechnungen zur Ermittlung des Wertes einer unbekannten linearen Größe bei gegebenem
Pegel ergeben sich zu:
U dB
U X = U 0 ⋅ 10 20
(analog: Ix, Ex, Hx)

PdB
PX = P0 ⋅ 10 10
Neben Dezibel findet teilweise auch (noch) das Neper Verwendung. Umrechnungen von Dezibel
(dB) in Neper (Np) werden nach dieser Formel berechnet:
10 E1
1 NP = 0,5 ⋅ ln( ) ≈ 8,686 dB
E1
Vereinfacht dienen die Multiplikatoren:
1 Np = 8,686 dB
1dB = 0,115 Np
Bemerkung:
Dezibel Angabe: Verwendung des Zehner-Logarithmus

Neper Angabe: Verwendung des natürlichen Logarithmus
Beachtet man die erwähnten Rechenregeln für logarithmisches Rechnen, kann man leicht aus
einer Größe eine andere Größe errechnen (Multiplikation Addition). Aus dem ohmschen
Gesetz
(I = U/R)
ergibt sich dann:
I (dBµA) = U (dBµV) – R (dBΩ)
1.5 Störpegel und Störabstand
Emissionen von Störquellen dürfen bestimmte, von der Frequenz abhängige Grenzstörpegel
nicht überschreiten. Diesen Zusammenhang zeigt folgende (Bild 1.5), stark vereinfachte Grafik
(im Regelfall keine so ausgeprägte Parallelität, sondern von der Frequenz abhängige Spektren)
(vgl. [Sch91], S.11):
Bild 1.5
Störabstand und Störsicherheitsabstand zwischen Nutzsignal und Störpegel
Störpegel und Störschwellenpegel sind jeweils absolute Pegel, Stör- und Störsicherheitsabstand
dagegen relative Pegel.
Grenzstörpegel werden unterschieden für:
- Funkstörspannungen
- Funkstörfeldstärken
- Funkstörleistungen
Funkstörspannungen (10 kHz ... 30 MHz)
Als Funkstörspannungen werden Spannungen zwischen einzelnen stromführenden Leitungen und

PE (protective earth) eines Gerätes mit einer Frequenz bis maximal 30 MHz betrachtet.
(unsymmetrische Funkstörspannungen).
Die Meßwerte werden mit einem Tastkopf in einer geschirmten Kabine (empfohlen)
aufgenommen.
Magnetische Funkstörfeldstärken (10 KHz ... 30 MHz)
In diesem Frequenzbereich „wird die Abstrahlung durch die Messung der magnetischen
Feldstärke mit einer Rahmenantenne im Nah – und Übergangsfeld erfaßt.“
Elektrische Funkstörfeldstärken (30 MHz ... 18 GHz)
Elektrische Funkstörfeldstärken werden bei Frequenzen, die 30 MHz übersteigen, gemessen. Die
Meßwerte werden dabei mit einer Stab- oder logarithmisch periodischen Antenne aufgenommen.
Meßort ist das Freigelände oder eine Absorberhalle.
Funkstörleistungen (30 MHz ... 300 MHz)
Oberhalb einer Frequenz von 30 MHz verliert bei Leitungsstrecken, die 10 m überschreiten, die
Funkstörspannung proportional zum Anstieg der Frequenz an Relevanz, da eine deutlich meßbare
EM-Abstrahlung einsetzt. Daher sehen Vorschriften Grenzwerte für Funkstörleistungen vor.
Meßwertaufnehmer ist eine Absorptionsmeßwandlerzange in einer geschirmten Kabine
(empfohlen).
(vgl. auch Übersicht bei [Hab98], S. 166 und Erläuterungen bei [Gon92], S. 424ff)
Aus den oben ausgeführten Sachverhalten ergeben sich notwendigerweise Folgerungen

hinsichtlich einer Klassifizierung potentiell EM-emittierender Geräte in Grenzwertklassen.
Grenzwertklasse A (Industriebereich)
Geräte der Grenzwertklasse A, z.B. Rechner am Arbeitsplatz und industrielle

Hochfrequenzgeneratoren, weisen einen höheren Grenzstörpegel und/oder einen geringeren
Störabstand auf. Daher ist für derartige Geräte die Erteilung einer Einzelgenehmigung
erforderlich, die allerdings auch in Form einer Typprüfung erfolgen kann.
Grenzwertklasse B (Heim-, Bürobereich)
Geräte der Grenzwertklasse B, z.B. Haushaltsgeräte, Rundfunk- und Fernsehempfänger und

PC‘s, weisen derart geringe Störpegel auf, daß in der Regel ein ausreichender
Störsicherheitsabstand gewährleistet ist. Deshalb wird bei Geräten dieser Grenzwertklasse auf
Einzelgenehmigungen generell verzichtet und lediglich eine allgemeine Genehmigung erteilt.
1.6 Fourier-Analyse
Die Fourier-Analyse zerlegt eine allgemeine periodische Zeitfunktion y = u(t+kT) (siehe Bilder
1.6.a und 1.6.b), die beschränkt, stückweise monoton und stückweise stetig ist, in sinusförmige
Teilschwingungen, die auch als Harmonische bezeichnet werden. Die Sinusschwingung mit der
Periodendauer der vorgegebenen Kurve heißt Grundschwingung oder 1. Teilschwingung bzw. 1.
Harmonische. Die Frequenzen der Oberschwingungen, das sind die höheren Teilschwingungen
bzw. Harmonischen, betragen ganzzahlige Vielfache der Grundschwingungsfrequenz, wobei das
Verhältnis von Teil- zu Grundschwingungsfrequenz die Ordnungszahl ν der Teilschwingung
darstellt (siehe DIN 1311).
Bild 1.6.a
Eine harmonische Funktion (sinusförmige Größe) wird im Zeit- und Frequenzbereich dargestellt
Bild 1.6.b
Eine periodische, nicht harmonische Funktion (hier zusammengesetzt aus zwei sinusförmigen
Größen), wird über die diskrete Variable fν aufgetragen
Die Fourier-Reihen-Darstellung ergibt sich nach der mathematischen Beziehung in der Normal-
Form:
A0 ∞
f (t ) = + ∑ Aν cos( νω 0 t ) + Bν sin( νω 0 t )
2 ν= 1
Wobei die Komponenten durch folgende Formeln berechnet werden:
T
2
Aν = T ∫ f (t ) cos(νω 0 t )dt
0
T
2
Bν = T ∫ f (t ) sin(νω 0 t )dt
0
T
2
A0 =
T ∫ f (t ) dt
0
Neben der Normalform gibt es noch die Betrags/Phasen-Form mit der Beziehung
∞
f ( t ) = C0 + ∑ Cν cos( νω 0 t + ϕ ν ) ,
ν= 1
wobei
2 2
Cν = A ν + Bν
das Amplitudenspektrum ergibt, welches in der EMV-Praxis mit dem Spektrum-Analysator

gemessen wird.
Bν
ϕ ν = − arctan ( ) wird als Phasenspektrum bezeichnet.
Aν
Die dritte Form neben der Normal- und Betrags/Phasen-Form heißt Komplexe-Form:
+∞
f (t ) = ∑ C ν e
−∞
jνω 0t
= C 0 + ∑ C +ν e
ν =1
∞
( + jνω 0t
+ C −ν e
− jνω 0t
)
wobei gilt:
T − jνω 0t
1
C ν (± νω 0 ) = T ∫ f (t )e dt
0
ν = 0, ± 1, ± 2, ...
Mit den möglichen Vereinfachungen ergeben sich folgende Zusammenhänge:
1
Cν = 2
( Aν − jBν ) mit ν = 0, ± 1, ± 2 ...
da , cos ( − νω 0 t ) = cos ( νω 0 t )
und sin ( νω 0 t ) = − sin ( − νω 0 t )
ergibt sich:
A− ν = Aν und B− ν = − Bν
und somit :
1 1 ∗
C −ν = 2
( A− ν − jB− ν ) = 2
( Aν + jBν ) = C ν
1
C0 = 2
A0
B0 ≡ 0
Nichtperiodische Funktionen werden durch die Fourier-Integral-Darstellung beschrieben

(Spektralfunkton):
+∞
X (ω ) = ∫ f (t )e − jωt dt
−∞
Die Amplitudendichte ist der Betrag der Funktion: X(ω)

Man kann aus der Spektralfunkton X( ω ) wieder zur Zeitfunktion über die Rücktransformation
zurückgelangen:
+∞
1
f (t ) = 2π ∫ X (ω )e jωt dω
−∞
1.7 Der Weg zur EMV-Tafel
(vgl. auch Herleitung bei [Hab98], S. 40ff und Anhang A)
Die allgemein verbreitete Lehrmeinung, daß ein Digitalrechner lediglich den Boolschen Algebren
Tribut zollt, endet mit der Erkenntnis, daß es elektrische Impulse sind, die für den
Informationsaustausch verantwortlich sind. Gemäß Abschnitt 1.6 können Zeitfunktionen in ein
Amplitudenspektrum überführt werden. Wendet man dies auf die Zeitfunktionen der
Digitalsignale an, so ist ein großes Störpotential auszumachen. Daher ist die Digitaltechnik nur
ein Sonderfall der Analogtechnik.
Nehmen wir die (periodische) Rechteckfunktion (rect-Funktion) und transformieren diese in die
Spektraldarstellung, dann erhalten wir folgendes Bild (Bild 1.7.a):
Bild 1.7.a
Die rect-Funktion und ihre spektrale Darstellung
In der Spektraldarstellung ergibt sich ein Spektrum, dessen Amplituden mit steigender Frequenz
kleiner werden. Die beschreibende Funktion heißt sinc-Funktion (= sin(x)/x) und hat neben
einem Hauptmaximum unendlich viele Nebenmaxima, deren Energieinhalt (mit steigender
Frequenz) stark abnimmt.
Der größte Energieanteil steckt in der Fläche unter dem Hauptmaximum (bis zur 1. Nullstelle bei
f = 1/T).
Eine wichtige Erkenntnis lautet: Je schmaler ein Impuls ist (je kleiner also seine
Zeitdauer T), desto breiter ist sein Spektrum.
Die EMV-Tafel ist dabei ein Hilfsmittel, um Probleme mit dem (Stör-)Spektrum in den Griff zu
bekommen. In ihr wird grafisch die Einhüllende der Amplitudendichte eines gegebenen
Standardimpulses dargestellt. Daraus ist anschließend die Synthese möglich, aus einem
gegebenen Spektrum eine äquivalente Impulsform zu finden, bei der auch die
frequenzabhängigen Übertragungseigenschaften Berücksichtigung finden.
Erklärt sei dies anhand des symmetrischen Trapezimpulses (Herleitung siehe Anhang A):
sin πfτ sin πf r

U ( f ) = uˆτ
πfτ π fτ r
Die Ausführungen folgen der VDE 0847, mit der schnell die spektrale Amplitudendichte
abgeschätzt werden kann. Auf doppeltlogarithmischem Papier (für Frequenz- und
Amplitudenachse) verläuft die Einhüllende von f = 0 Hz bis fu = 1/πτ Hz horizontal mit der
Dichte A = ûτ, fällt dann bis fo = 1/πτr mit 20 dB/Dekade und anschließend mit 40 dB/Dekade
(Bild 1.7.b).
Bild 1.7.b
Der Trapezimpuls mit dem dazugehörigen Spektrum
Für beliebige Trapez-, Rechteck- und Dreieckfunktionen kann man ebenso die Einhüllende ihrer
Amplitudendichte abschätzen (Bild 1.7.c).
Bild 1.7.c
Spektrale Darstellung der Dreieck-, Trapez- und Rechteckfunktion
Folgerungen:
• Die Länge der Parallele zur Abszisse hängt von τ ab.
• Je steiler die Impulsflanken sind, desto flacher sind die abfallenden Amplitudendichten.
Mit diesem Wissen kann man auch aus dem Frequenzbereich heraus eine Zeitfunktion
approximieren, die das Spektrum hervorruft.
Kapitel 2 – Störquellen und Koppelmechanismen 15
KAPITEL 2, STÖRQUELLEN UND KOPPELMECHANISMEN ....................................................... 15

2.1 STÖRQUELLE, KOPPLUNGSPFAD UND STÖRSENKE ....................................................................... 16
2.2 GEGENTAKT- UND GLEICHTAKTSTÖRUNGEN ............................................................................... 20
2.3 PRAXISBEZOGENE ENTSTÖRUNGSMAßNAHMEN ........................................................................... 21
2.4 WEITERE STÖRQUELLEN ............................................................................................................. 24
Kapitel 2
Störquellen und Koppelmechanismen
1. Auf welchen Wegen gelangt die Energie von der Störquelle zur Störsenke?
2. Erklären Sie die den Begriff „Erdschleife“ und nennen Sie Gegenmaßnahmen?
3. Wie wird kapazitiv geschlossenen Stromkreisen entgegengewirkt?
4. Wo tritt die magnetische Kopplung auf? Wie wird Abhilfe geschaffen?
5. Erklären Sie die Funktionsweise eines Reduktionsleiters (Kurzschlußschleife)!
6. Wie berechnet sich der Feldwellenwiderstand des freien Raumes für elektromagnetische
Felder?
7. Was sind Gegentaktstörungen?
8. Was sind Gleichtaktstörungen?
9. Wie ergibt sich durch eine Erdschleife eine Gleichtaktstörung?
10. Wie funktioniert ein Trenntransformator? Welchen Nachteil hat er bei hohen Frequenzen?
11. Was ist ein Neutralisierungstransformator? Wie muß er für Gleichtakt- und Gegentakt-
störungen gewickelt sein?
12. Was bewirken Ferritringe um eine Leitung?
13. Welchen (schwerwiegenden) Nachteil hat ein Relais als Entstörmaßnahme beim
galvanischen Entkoppeln eines Stromkreises?
14. Was ist beim Einsatz von Optokopplern als Entstörmaßnahme zu beachten?
15. Welche Vorteile haben Lichtwellenleiter?
16. Worin liegt die Gefahr bei der Entladung elektrostatischer Elektrizität?
17. Was ist der NEMP? Warum ist er so gefährlich?
2.1 Störquelle, Kopplungspfad und Störsenke
Das EMV-gerechte Gerätedesign hat seinen Ursprung im nachrichtentechnischen Modellbild von

Störquelle, Kopplungspfad und Störsenke (siehe Kapitel 1). Zuerst betrachtet man das
Störproblem am Entstehungsort: Die Emission der Quelle muß verringert werden. Der nicht
vermeidbare Störrest wird auf dem Störpfad minimiert. Als letzte Eingriffsmöglichkeit bleibt
noch die Erhöhung der Störunempfindlichkeit der Störsenke.
Auf welchem Weg gelangt die Energie von der Störquelle zur Störsenke? Hierfür gibt es vier
grundlegende Möglichkeiten:
1. die galvanische Kopplung über gemeinsame Leitungswege (R, L, C-Komponenten)
2. die kapazitive Kopplung über elektrische Felder
3. die induktive Kopplung über magnetische Felder
4. die Kopplung über elektromagnetische Felder und Wellen
4.1 Leitungskopplung
4.2 Wellenkopplung
zu 1: Die galvanische Kopplung über gemeinsame Leitungswege (R, L, C-Komponenten)
galvanisch kapazitiv induktiv
Bild 2.1.a
Kopplungspfade
Die galvanische Kopplung resultiert aus der Benutzung eines Leitungsweges durch zwei oder
mehr Stromkreise. Ein Beispiel hierfür ist eine Platine, bei der der Masserückleiter von mehreren
Stromkreisen genutzt wird. Je größer die gemeinsam benutzte Impedanz Z ist (z.B. ohmscher
Leiterbahnwiderstand), desto stärker ist die Signalüberkopplung. Bei hohen Frequenzen kommt
zum ohmschen noch ein komplexer Anteil hinzu, der die rechnerische Analyse erschwert. Ab ca.
10 MHz muß zusätzlich der Skin-Effekt berücksichtigt werden, der den Strom in die Nähe der
Oberfläche treibt.
In digitalen Schaltungen führt eine hohe Eigeninduktivität eines Leiters gemäß U = L ⋅ di/dt
dazu, daß eine steile Flanke mit kurzer Anstiegszeit eine hohe Spannung induziert, welche bei
gemeinsam genutzten Leiterabschnitten zu Problemen führt.
Abhilfe kann geschaffen werden durch:

• kurze gemeinsame Wege
• Stromversorgung
• L in den Zuleitungen gering halten verdrillte Leiter
• getrennte Zuleitungen
• getrennte Stromversorgungen (separate Netzteile)
• Stützkondensatoren zur Glättung eines kurzeitigen Spannungseinbruchs
• Vermeidung von Erdschleifen durch alleinige Erdung auf einer Seite
zu 2,3: Die kapazitive Kopplung über elektrische Felder und die induktive Kopplung über
magnetische Felder
Zum Verständnis der kapazitiven und induktiven Kopplungen bedient man sich u.a. des
Feldbildes. Elektrisches und magnetisches Feld reichen weit in den sie umgebenden Raum
hinaus. Die elektrischen Feldlinien (die Anfangs- und Endpunkt haben) treffen auf eine
Gegenelektrode, wodurch es zur "Bildung" eines Kondensators kommt (Bild 2.1.b). Die
Wechselspannung treibt durch diese Streukapazitäten Wechselströme (Verschiebungsströme),
die über die gemeinsame Masseverbindung zur Signalmasse zurückfließen.
Bild 2.1.b
Als Gegenmaßnahmen bieten sich an:

• Verkleinerung der Koppelkapazität C
• Verkleinerung des Ableitwiderstandes RE
• Erhöhung der Erdkapazität CE
Die magnetische Kopplung tritt bei geschlossenen Leiterschleifen auf. Ein veränderlicher Strom
ist mit einem veränderlichen Magnetfeld verbunden, welches in einer Leiterschleife eine
Spannung induzieren kann. Die induzierte Spannung stellt somit eine Störspannung dar (Bild
2.1.c).
Bild 2.1.c
Magnetischer Kopplungspfad
An dieser Stelle sei darauf hingewiesen, daß hier nicht von Fernfeldbedingungen ausgegangen
wird und magnetisches und elektrisches Feld daher als unabhängig voneinander betrachtet
werden (Stichwort: Nahfeld; vergl. Kapitel 4).
Abhilfe kann geschaffen werden durch:

• Verkleinerung der Gegeninduktivität durch möglichst kurze, parallele Signalwege
• großer Schleifenabstand
• orthogonale Anordnung der Schleifen
• Verdrillen der Leiterschleifen des Systems 2
• Schirmung des Systems 2 (Siehe Kapitel 4)
• Hinzufügen eines Reduktionsleiters (Kurzschlußschleifen)
Ein Reduktionsleiter ist eine zusätzliche Leiterschleife zwischen System 1 und System 2 ohne
jegliche Bauelemente (sehr niederohmig). Reduktionsleiter bilden eine Kurzschlußschleife (Bild
2.1.d), deren magnetisches Gegenfeld das störende Magnetfeld schwächt. Vergleichbar ist dies
mit dem Funktionsprinzip eines Transformators: Ohne "Gegenschleife" (beim Trafo: Im
Leerlauf) verläuft der ganze magnetische Fluß irgendwo im Raum (beim Trafo: im Eisenkern). In
Anwesenheit einer geschlossenen Leiterschleife, in die ein Strom induziert wird, wird durch
diesen ein Magnetfluß aufgebaut, der dem erregenden Magnetfeld entgegenwirkt. Im Gegensatz
zum Trafo, in dem der magnetische Fluß seinen ursprünglichen Wert im Eisenkern wieder
annehmen wird, kann hier die erregende Leiterschleife aufgrund des hohen magnetischen
Widerstands der Luft, der großen Streufelder und der Impedanzen den ursprünglichen Fluß nicht
aufrecht erhalten. Die Folge ist eine Verringerung des störenden Magnetfeldes (Anwendung
meist beim Platinendesign).
Bild 2.1.d
Wirkungsweise einer Kurzschlußschleife
Im höheren Frequenzbereich läßt sich eine Unterscheidung nach kapazitiv und induktiver
Beeinflussung nicht mehr anstellen. Hier tritt eine Kopplung über das elektromagnetische Feld
auf. Die elektromagnetischen Wellen lösen sich vom Stromkreis und breiten sich mit
Lichtgeschwindigkeit im Raum aus (Fernfeld).
Zwischen Wellenlänge und der Frequenz f gilt der Zusammenhang: λ = c/f
Ohne auf das Kapitel 4 (Elektromagnetische Schirme) vorgreifen zu wollen, seien hier die
Begriffe Nah-, Übergangs- und Fernfeld der Vollständigkeit halber erwähnt.
Für den Abstand x zur Quelle gilt:

Nahfeld: x < 0,1 λ
Übergangsfeld: d = (0,1 ... 3) λ
Fernfeld: x>3λ
(vgl. [Gon92], S.425)
Hinweis:
Habiger ([Hab98], S.85f u. S.111) unterteilt das Feld „nur“ in Nah und Fernfeld. Seine
Bedingungen lauten:
Nahfeld: x < c/2πf (x < λ/2π ≈ 0,16 λ)

Fernfeld: x > c/2πf (x > λ/2π)
Im Nahfeld und Übergangsfeld sind der Feldwellenwiderstand des elektrischen Feldes und der
des magnetischen Feldes ungleich. Im Fernfeld tritt ein elektromagnetischer
Feldwellenwiderstand auf, der für elektrisches- und magnetisches Teilfeld des
elektromagnetischen Feldes gleich ist und wie folgt berechnet werden kann:
E µ0
= Z0 = = 120 ⋅ π Ω = 377 Ω
H ε0
Für geeignete Gegenmaßnahmen bei Beeinflussungen durch elektromagnetische Felder (Felder,

bei denen elektrisches und magnetisches Feld über den Feldwellenwiderstand gekoppelt sind)
wird auf Kapitel 4, Elektromagnetische Schirme, verwiesen.
2.2 Gegentakt- und Gleichtaktstörungen
Gegentaktstörungen werden u.a. durch induktive oder galvanische Kopplungen hervorgerufen.

Sie treten als dem Nutzstrom überlagerte Störströme auf. Sie bewirken Meßfehler,
Fehlfunktionen etc.
In Bild 2.2.a ist der Nutzstrom als Gegentaktsignal eingetragen, was jedoch nicht
zwingendermaßen der Fall sein muß. Eine Darstellung als Gleichtaktsgröße wäre ebenfalls
möglich.
Bild 2.2.a
Ersatzschaltbild zur Verdeutlichung einer
Gegentaktstörung in einem Stromkreis
Gleichtaktstörungen (Bild 2.2.b) entstehen durch Störspannungsquellen zwischen Bezugsmasse

(z.B. Erde) und einer oder mehreren Signalleitungen, z.B. aufgrund einer Erdpotentialanhebung.
Bild 2.2.b
Ersatzschaltbild zur Verdeutlichung
von Gleichtaktstörungen
Gleichtaktspannungen verursachen bei gleicher Impedanz von Hin –bzw. Rückleiter, inklusive
Sender und Empfängerwiderstände, zunächst keine Störspannungen. Die Gleichtaktströme sind
in diesem Fall gleichsinnig und gleich groß und heben sich am Verbraucher auf.
Bei entsprechender Höhe der Spannung können jedoch Überschläge zwischen Signalleitungen
oder Signalleitungen und Gehäuse die Folge sein. Weiterhin treten bei höheren Frequenzen
Streukapazitäten als zusätzliche Spannungsquellen in Erscheinung. Sollten in der Folge
ungleiche Leitungsimpedanzen auftreten, so findet eine Umwandlung von einer
Gleichtaktstörung in eine Gegentaktstörung (Gleichtakt/Gegentakt – Konversion) statt (siehe
[Sch91], S.27f)
Gleichtaktstörungen entstehen oft durch Erdschleifen (Bild 2.2.c). Unterschiedliche

Erdpotentiale oder induktiv eingekoppelte Spannungen bewirken einen Stromfluß über die Erde.
Je nach Größe der Quell und Senkenimpedanz kommt es zu einer Gleichtakt/Gegentakt-
Konversion, die zu einer Gegentaktspannung USt (ω) über ZE führt:
UST(ω)=UGL(ω)* ZS /(ZS + ZQ)
Bild 2.2.c
Gleichtaktstörung durch Erdschleife
Kurz gesagt:
Gleichtaktstörung: Die Leiter werden gemeinsam um ein gleiches Potential angehoben.

Diese Art der Störung hat zunächst keinen Einfluss auf die Senke. Jedoch
gilt es zu beachten, daß dies nur bis zu einer gewissen Spannungshöhe und
für gleiche Impedanzen im Hin- und Rückleiter gültig ist. Des weiteren ist
auch immer die Gleichtakt/Gegentakt-Konversion zu beachten.
Gegentaktstörung: Zwischen Leiter und Rückleiter wird ein zusätzliches Potential eingefügt.
Das Störsignal wirkt in der Folge auf die Funktion der Senke.
2.3 Praxisbezogene Entstörungsmaßnahmen
Alle Gegenmaßnahmen zielen auf eine Auftrennung möglicher Stromkreise ab, die nicht der
eigentlichen Funktion einer Schaltung dienen.
Zum Auftrennen von Erdschleifen bedient man sich bei nieder- und mittelfrequenten Signalen
der Einfügung von Trenntransformatoren (Bild 2.3.a).
Bild 2.3.a
Trenntransformator
Bei höheren Frequenzen bewirkt die Koppelkapazität zwischen den Wicklungen durch Ist eine
Gleichtakt-Gegentakt-Umsetzung (vgl. Erdschleife). Daher sind die Primär- und die
Sekundärwicklungen vorteilhafterweise durch einen Schirm voneinander zu trennen, um die
Gleichtaktunterdrückung zu erhöhen. Der Schirm sollte dabei wie im nachfolgenden Bild 2.3.b
verschaltet werden:
Bild 2.3.b
Schirmung von Primär- und Sekundärwicklung gegen
kapazitive Kopplungen
Da der Trenntransformator für Gleichspannungen undurchlässig ist, kann man sich statt dessen
des Neutralisierungstransformators (Bild 2.3.c) bedienen. Beide Spulen müssen gleichsinnig
gewickelt sein, damit sich die Durchflutungen der Nutzsignale kompensieren, die der Störsignale
sich addieren (Gleichtaktunterdrückung). Zur Gegentaktunterdrückung müssen die Spulen
gegensinnig gewickelt sein. Dies führt zu einer Erhöhung der Impedanz und kommt somit einer
Auftrennung nahe.
Bild 2.3.c
Gleichtaktunterdrückung durch einen Neutralisierungstransformator
(Zur Gegentaktunterdrückung müssen die Spulen gegensinnig gewickelt sein)
Für Frequenzen über 1 MHz eignen sich Ferritringe im Hin- und Rückleiter des
Signalstromkreises (Bild 2.3.d). Die Leiter selbst bilden die gleichsinnigen Wicklungen des
Neutralisierungstransformators (Gleichtaktunterdrückung). Sie sind beispielsweise im PC als
Verdickungen erkennbar oder aber auch als Klappkern erhältlich.
Bild 2.3.d
Ferritringe zur Dämpfungsbeschwerung
einer Leitung (Gleichtaktunterdrückung)
Relais (besonders das Reed-Relais), Optokoppler und Lichtwellenleiter (LWL) erweisen sich als
wirksame Auftrennungen.
Reed-Relais (Bild 2.3.e) haben eine geringe Streukapazität von üblicherweise maximal 5 pF.
Jedoch lassen sich mit diesem Bauteil bei einer Auftrennung eines geschlossenen, doppelt
geerdeten Stromkreises nur Binärsignale übertragen. Des weiteren benötigen Sie eigene
Versorgungen.
Bild 2.3.e
Relais mit parasitärer kapazitiver Kopplung
Der Vorteil von Optokopplern (Bild 2.3.f) ist u.a. die (noch) geringere parasitäre Streukapazität
von maximal 1 pF und ihre hohe Spannungsfestigkeit von 0,5 bis 10 kV.
Bild 2.3.f
Optokoppler mit parasitärer kapazitiver Kopplung
Lichtwellenleiter (Bild 2.3.g) können analoge und digitale Signale über hohe
Potentialdifferenzen hinweg übertragen. Sie sind absolut unempfindlich gegenüber kapazitiven
und induktiven Einwirkungen.
Bild 2.3.g
Lichtwellenleiter zur Entkopplung
In Ton- und Videostudios sowie in der Meßtechnik bedient man sich des weiteren der
symmetrischen Übertragung (Bild 2.3.h; → Symmetrische Übertragung,
Symmetrietransformatoren, symmetrische Leitungstreiber und Empfänger). Wegen der
Komplexität ihrer Ausführungen sei hier auf die umfangreiche Literatur der Nachrichtentechnik
verwiesen.
(UST = 0 bei völliger Symmetrie)
Bild 2.3.h
Symmetrische Übertragung
2.4 Weitere Störquellen
Bei der Entladung statischer Elektrizität (Abk. ESD = Electro Static Discharge) findet ein
Ladungsausgleich statt. Bekannt ist das Beispiel, bei dem eine Person über einen
Kunststoffteppichboden läuft und danach ein geerdetes Metallteil berührt.
Die durch Reibung oder Influenz entstandene Ladung kann durch blitzähnliche
Entladungserscheinungen nicht nur brennbare Gase entzünden, sondern auch bei einer Entladung
über elektrostatisch gefährdete Bauelemente der Elektronik (z.B. MOS-Schaltungen,
Herzschrittmacher) diese zerstören. An dieser Stelle sei auf die ausführliche Beschreibung und
Messung dieser Problematik in Kapitel 6, Simulations- und Meßtechnik, verwiesen.
Die elektrostatische Entladung in der Natur wird als Blitz oder auch als LEMP (engl. Lightning
Electromagnetic Pulse) bezeichnet. Blitz-Bedrohungs-Parameter haben dabei die
Größenordnungen:
• Stromscheitelwert î = ...200 kA (90% aller Blitze 5...70/80 kA)
•
• î * RErdung = ûR
•
• Stromsteilheit di/dt = 150 bis 300 kA/µs
•
• LErdung * di/dt = ûL
•
• (Bemerkung: Multiple Blitze sind besonders steil)
•
• Ladung Q = ∫ i(t) dt = ...500 As
•
• Q * UBrennspannung eines Lichtbogens = W
•
• Grenzlastintegral ∫i2dt = 107 A2s (Energie, nicht Leistung!)
•
• ∫ i2(t) dt * R = WBlitzableiter (Energie die im Blitzableiter umgesetzt wird)
Eine noch stärkere Beeinflussung geht vom sogenannten NEMP, dem Nuclear Electromagnetic
Pulse, aus.
Eine in ca. 400 km Höhe gezündete Atombombe emittiert starke γ - Strahlung, die aufgrund des
Compton-Effektes Elektronen aus den Atomrümpfen der Luft herausschlägt. Diese besitzen eine
solch hohe Energie, daß sie zur Stoßionisation fähig sind. Die in Richtung Erde fliegenden
Elektronen bilden nun mit den zurückgelassenen positiven Ionen einen elektrischen und mit dem
erdmagnetischen Feld einen magnetischen Dipol. Das daraus resultierende Wellenfeld, das
NEMP genannt wird, hat eine maximale elektrische Feldstärke von 50 kV/m und eine maximale
magnetische Feldstärke von 133 A/m.
Zum Vergleich: Die „normalen“ Grenzwerte die ein Gerät vertragen muß, bewegen sich im
Bereich bis 10 V/m.
Das Gefährliche am NEMP ist die flächendeckende Wirkung. Dadurch erlangt er einen sehr
großen Einfluß auf ein ausgedehntes Energieversorgungsnetz oder auf galvanisch gekoppelte
Rechnernetze. Die dabei induzierten Ströme entwickeln eine enorme Zerstörungskraft.
Kurz erwähnt sei hier auch der SEMP, der Switching Electromagnetic Pulse, welcher als
resultierender Impuls bei Schalthandlungen entsteht.
Kapitel 3 – Passive Entstörkomponenten 27
KAPITEL 3, PASSIVE ENTSTÖRKOMPONENTEN .......................................................................... 27

3.1 PASSIVE ENTSTÖRKOMPONENTEN ............................................................................................... 28
3.2 FILTER ......................................................................................................................................... 28
3.2.1 Wirkungsprinzip - Filterdämpfung ......................................................................................... 28
3.2.2 Filter für Gleich- und Gegentaktstörungen ............................................................................. 32
3.2.3 Filterresonanzen ..................................................................................................................... 34
3.2.4 Dissipative Dielektrika und Magnetika .................................................................................. 35
3.3 DISSIPATIVE FILTER ..................................................................................................................... 37
3.4 ÜBERSPANNUNGSABLEITER ......................................................................................................... 39
3.4.1 Zener-Dioden ......................................................................................................................... 39
3.4.2 Varistoren ............................................................................................................................... 40
3.4.3 Funkenstrecken ....................................................................................................................... 40
3.5 HYBRID-ABLEITERSCHALTUNGEN ............................................................................................... 41
Kapitel 3
Passive Entstörkomponenten
1. Beschreiben Sie die Wirkungsweise und die Einsatzmöglichkeiten von Filtern!

2. Wie berechnet man Filterdämpfungen und wie ist die Einfügungsdämpfung definiert?
3. Was macht die Konstruktion eines Netzzuleitungsfilters schwierig?
4. Welche Möglichkeiten gibt es, um Bauelemente für Netzfilter richtig zu
dimensionieren?
5. Wo treten in der Energieversorgung symmetrische und unsymmetrische Störspannungen
auf?
6. Welche verschiedenen Kondensatorklassen zur Unterdrückung symmetrischer und
unsymmetrischer Störspannungen gibt es und worin unterscheiden sich die einzelnen
Klassen?
7. Erklären Sie die parasitäre Zuleitungsinduktivität von Kondensatoren und die parasitäre
Wicklungskapazität von Induktivitäten!
8. Wie kann man diese parasitären Eigenschaften minimieren?
9. Erklären Sie die Begriffe dissipative Dielektrika, komplexe Permittivität und Güte QC!
10. Erklären Sie die Begriffe dissipative Ferromagnetika, komplexe Permeabilität,
Kernverlustwiderstand und die Güte QL!
11. Nennen Sie 4 Ausführungsformen von Entstörkondensatoren!
12. Was sind dämpfungsbeschwerte Leitungen und wie hat man sich das Wirkungsprinzip
vorzustellen?
13. Was ist ein Varistor und was sollte man über ihn wissen?
14. Erklären Sie die Funktionsweise einer Zener-Diode!
15. Vergleichen Sie die Wirkungsweise eines Varistors mit der einer Funkenstrecke!
16. Was sind Hybrid-Ableiterschaltungen und wie funktionieren sie?
3.1 Passive Entstörkomponenten
Oft treten in der EMV leitungsgebundene Störgrößen auf.

Entweder ist man bestrebt, Störaussendungen von potentiellen Störern zu minimieren oder
eingekoppelte Störungen nicht in Störsenken eindringen zu lassen. Somit werden Entstörmittel
im ersten Fall direkt an der Störquelle, im zweiten Fall an der Störsenke angewendet.
Das Ziel bei einer maximalen Dämpfung des Störpotentials ist das schaltungsmäßig erforderliche
Signal auf der Leitung nicht zu beeinflussen.
3.2 Filter
3.2.1 Wirkungsprinzip - Filterdämpfung
Analoge Filter können leitungsgebundene Störgrößen nur dämpfen. Der spektrale Abstand vom
erwünschtem Signal zur Störgröße sollte möglichst groß sein. Durch eine geeignete Auslegung
der Filterparameter (u.a. Eckfrequenz und Flankensteilheit der Übertragungsfunktion) wird das
Nutzsignal gering, die Störung maximal gedämpft.
Die Filtereinheit wird als Vierpol betrachtet, der für die Störung einen hohen Widerstand
darstellt, d.h. die Störspannung muß in hohem Maße am Filter und nicht an der zu schützenden
Senke abfallen.
Es findet somit eine Beeinflussung des Störsignals statt, die mit dem Dämpfungsfaktor aFilter (als
logarithmische Verhältnisgröße in dB angegeben) beschrieben wird:
UStörung am Eingang
a Filter = 20 lg
UStörung am Ausgang
Als Berechnungsbeispiele mögen folgende Filtergrundschaltungen (Bild 3.2.1.a) dienen:

(vgl. [Sch91], S. 148ff)
a)
b)
c)
Bild 3.2.1.a
Berechnungsbeispiele für Filtergrundschaltungen
Die Filterdämpfungen für die drei angeführten Filtergrundschaltungen lassen sich wie folgt
berechnen, wobei die Dämpfung des Nutzsignals in dessen Frequenzbereich vernachlässigt wird:
(USt = Störspannung am Eingang; UStE = Störspannung am Empfänger)
ZE Z q
Zi +
U St (ω ) Z E + Zq
a) a F (ω ) = 20 lg = 20 lg
U St E (ω ) ZE Z q
Z E + Zq
U St (ω ) Zi + Z E + Z l
b) a F (ω ) = 20 lg = 20 lg
U St E (ω ) ZE
ZE Z q
Zi + Z l +
U St (ω ) Z E + Zq
c) a F (ω ) = 20 lg = 20 lg
U St E (ω ) ZE Z q
Z E + Zq
Quell- und Lastimpedanzen sind nicht nur für die Filterdämpfung, sondern auch für die
Frequenzgänge der Filterstufen relevant. Deshalb beschränkt man sich in den Katalogen der
Filterhersteller auf gebräuchliche ZQ und ZE , wie zum Beispiel auf 60 Ω oder 600 Ω.
Auf diesen genormten Impedanzen aufbauend, wird die Einfügungsdämpfung definiert, die sich
aus dem logarithmischen Verhältnis der Störspannung am Empfängerwiderstand mit und ohne
Filter ergibt (Bild 3.2.1.b):
Bild 3.2.1.b
Zur Berechnung der Einfügungsdämpfung
benötigte Schaltungen
O
U St (ω )
a F ( ω ) = 20 lg
U St E
(ω )
oder
U Q (ω )
a F ( ω ) = 20 ⋅ lg
2 ⋅ U St E
(ω )
(o = ohne Filter)
Die Spannungen werden im ersten Fall jeweils an der Empfängerimpedanz gemessen.

Im zweiten Fall ist UQ die Leerlaufspannung der Störquelle. Der Faktor 2 im Nenner ist bedingt
durch den Spannungsteiler Zi und ZE. Beide Berechnungen führen jedoch zum gleichen Ergebnis.
Die Einfügungsdämpfung kann zur direkten Beurteilung eines Filters in einem angepaßten
System oder zum Vergleich zwischen Filtern gleicher Bauart aber unterschiedlicher Hersteller
verwendet werden. Zur Beurteilung von Filtern in Schaltungen oder als Netzfilter eignet sich
diese Angabe jedoch nicht, da sie ein angepaßter Wert ist. Differieren die Innenwiderstände bzw.
die Leitungsimpedanzen zu den Vorgaben bei der Einfügungsdämpfung, so sind die sich
ergebenenden Filterdämpfungen rechnerisch für die vorgegebenen Quell- und
Empfängerimpdedanzen zu bestimmen oder meßtechnisch zu ermitteln. Diese genaue
Bestimmung erübrigt sich jedoch, wenn nur geringe Ansprüche an die Dämpfung gestellt
werden.
Bei der Abwägung der Bauelemente für ein Netzfilter können auch Grenzwertbetrachtungen für
f → 0, f → ∞ sowie für Ze bei Zq >> 50 Ohm bzw. Ze bei Zq << 50 Ohm herangezogen
werden. Dabei wird abgeschätzt, ob die Filterdämpfung besser oder schlechter als die
Einfügungsdämpfung ist.
Desweiteren ist auch das Einbeziehen der Netzimpedanzkurve (vgl. [Gon92], S.388), hier für
verschiedene Länder, notwendig. Zu beachten ist jedoch, daß diese Darstellung nur bedingt zu
gebrauchen ist. Die Netzimpedanz muß als Funktion folgender Parameter angesehen werden:
f(Kontinent, Land, Region, Gebäude, Stockwerk,.....)
Daher sind meist nur tendenzielle Angaben, wie im folgenden Bild 3.2.1.c, möglich.
Bild 3.2.1.c
Netzimpedanzkurven verschiedener Länder
Um dem Leser bei Entscheidungen für oder gegen anzuwendende Filtersysteme eine Hilfe
mitzugeben, wurde zusätzlich folgendes Schaubild (Bild 3.2.1.d) aufgenommen (ZG =
Quellimpedanz, ZE = Empfängerimpedanz):
(entnommen aus [Gon92], S.277, jedoch gegenüber diesem in entscheidenden Punkten
korrigiert)
Bild 3.2.1.d
Auswahlhilfen für Filtersysteme
3.2.2 Filter für Gleich- und Gegentaktstörungen
Wie bereits in Kapitel 2.2 erläutert treten zwischen Hin- und Rückleitern gestörter Systeme
Gegentaktstörungen und zwischen Signalleitern und Bezugsmasse Gleichtaktstörungen auf.
Hierbei kann es sich in beiden Fällen sowohl um symmetrische, wie auch unsymmetrische
Störspannungen handeln (vgl. auch [Sch91], S.152 und S. 25 ff).
Bild 3.2.2.a ist "das Ersatzschaltbild einer Störquelle mit Spannungsquellen für symmetrische
und unsymmetrische Störspannungen." ([Sch91], S. 152)
Bild 3.2.2.a
Symmetrische und unsymmetrische Störspannungen
Zur Verkleinerung der auftretenden Störspannungen aus dem Versorgungsnetz, die z.B. durch
eine plötzliche Erdpotentialanhebung entstehen, werden Kapazitäten zwischen die einzelnen
Adern geschaltet.
Sind die Quellwiderstände des speisenden Netzes niederohmig, so sind gemäß Bild 3.2.2.b
zusätzliche Längs-Induktivitäten in L1 und N zu schalten, da ansonsten große kapazitive
Elemente notwendig wären.
Bild 3.2.2.b
Verminderung der Störgrößen durch Filterung mit Cx und Cy - Kondensatoren
Wie aus obiger Zeichnung ersichtlich wird zwischen zwei Arten von Kondensatoren
unterschieden:
X-Kondensatoren werden zur Entstörung zwischen dem Hin- und Rückleiter verwendet.
Y-Kondensatoren werden zwischen die Leiter und dem Schutzleiter geschaltet.
Die Frage die sich hier u.a. stellt ist: Gefährden wir uns mit diesen Überlegungen nicht
möglicherweise selbst? Wenn Kondensatoren zwischen Leitern der Betriebsstromkreise und der
Schutzerde (Protective Earth) geschaltet werden, wird die elektrische Isolation nicht nur für die
hochfrequenten Störspannungen sondern auch, in Abhängigkeit von der Dimensionierung der
Kondensatoren, für die Nutzspannung überbrückt, es fließt bei Betrieb des Stromkreises ein
gewisser Leckstrom.
Daher ist festgelegt, daß dieser Leckstrom bei der Berührung, z.B. eines Gehäuses durch eine
Person, zwischen 0,75 und 3,5 mA (Schutzklasse I, ortsveränderliche Geräte: bis 0,75 mA;
ortsfeste Geräte: bis 3,5 mA; Schutzklasse II: bis 3,5 mA) liegen darf. Dementsprechend gibt es
eine Obergrenze im Kapazitätswert der Y-Kondensatoren. Möchte man diese Grenze
überschreiten, sind weitergehende Schutzmaßnahmen vorgeschrieben (z.B. FI-Schalter).
3.2.3 Filterresonanzen
Bei dem Einsatz von Kondensatoren und Induktivitäten als Filterelemente ergeben sich reale
Frequenzgänge, die stark von den idealen, berechneten Frequenzgängen abweichen können und
zu störenden Filterresonanzen führen. Duch parasitäre Zuleitungsinduktivitäten von
Kondensatoren oder die parasitäre Wicklungskapazität von Induktivitäten, aber auch das
Vorhandensein komplexer Sender- und Empfangswiderstände kann es leicht zu nicht vorgesehen
Resonanzen kommen.
Eine Möglichkeit die Auswirkungen der parasitären Eigenschaften zu minimieren, ist die
Bedämpfung dieser komplexen Komponenten mit Widerständen bzw. mit Hilfe
verlustbehafteter Dielektrika und Magnetika (siehe Kapitel 3.1.4).
Eine weitere Möglichkeit liegt im Bereich der Bauelemente selbst. So wird eine Erniedrigung
der parasitären Wicklungskapazität von Induktivitäten bei kleinen Stromstärken durch ein
Wickeln in einzelnen Kammern erreicht. Bei größeren Stromstärken wird versucht dieses durch
einlagige Wicklungen mit hochkant gewickeltem Flachkupferdraht zu erreichen. (vgl. [SCH91],
S. 163)
In diesem Zusammenhang sollte auch der Einfluß eines Eisenkerns auf die wirksame
Permeabilität nicht vergessen werden. Durch die Induktivitätszunahme erhöht sich die
Enstörwirkung. Zu beachen ist jedoch, daß die Permeabilität um so mehr abnimmt, je höher der
durchfließende Strom ist. Dieser Effekt ist bei Spulen ohne Eisenkern noch ausgeprägter. Wird
das Material hierbei in die magnetische Sättigung gebracht, so tritt der beabsichtigte Effekt nicht
ein. (vgl. [SCH91], S. 163)
Bei Kapazitäten sollten die Anschlußleitungen kurz gehalten werden oder/und die
Zuführungsleitungen möglichst breit (nicht rund) sein. Zweipolkondensatoren haben eine große,
Durchführungskondensatoren (Kapitel 3.5) eine kleine parasitäre Induktivität: Nicht jeder
handelsübliche Kondensator oder jede handelsübliche Induktivität ist als Entstörelement
geeignet. Eine geeignete Überprüfung der geforderten Eigenschaften ist ratsam.
Für weitergehende Hinweise, insbesondere die Verwendung von einzelnen Kondensatorformen
für symmetrische, asymmetrische oder unsymmetrische Störspannungen, hier auf das Buch von
Schwab [SCH91], S. 161ff verwiesen
Folgende Schaubilder (Bild 3.2.3) dienen zur Verdeutlichung der Abhängigkeit der
Resonanzfrequenz kapazitiver und induktiver Komponenten von ihren parasitären Einflüssen LP
und CP.
Bild 3.2.3
Frequenzabhängigkeit des Scheinwiderstandes bei einem Kondensator und einer Drosselspule
(fo=fres)
3.2.4 Dissipative Dielektrika und Magnetika
Im Kapitel 3.1.3 wurde von der Notwendigkeit gesprochen, die Auswirkungen der parasitären
Eigenschaften von Filterelementen zu minimieren. Eine Möglichkeit war die Bedämpfung dieser
komplexen Komponenten mit Widerständen bzw. mit Hilfe verlustbehafteter Dielektrika und
Magnetika.
Dissipative Dielektrika
Dissipative Dielektrika sind Isolierstoffe zwischen den Kondensatorplatten, welche die Kapazität
erhöhen. Neben einer geringen ohmschen Leitfähigkeit treten bei zusätzlicher
Wechselspannungsbeanspruchung weitere Wirkverluste auf. Die Wirkverluste entstehen durch
Reibungsverluste der Ionen und Dipole des dielektrischen Werkstoffs, wenn sich die Ionen bzw.
Dipole im wechselnden elektrischen Feld neu ausrichten müssen.
Um diese Eigenschaften bei Anlegen einer Wechselspannung mathematisch zu erfassen, führt
man eine komplexe Permittivität ein:
ε = ε / - jε //
Allgemein gilt:
CPlatte = ε A/d
I = U jω A/d (ε' - jε'')
ε' = ε0εr
Die relative komplexe Permittivität wird durch Division durch ε0 errechnet:
ε ε //
= εr - j
ε0 ε0
Der Realteil ist ein Maß für die Kapazitätserhöhung in Anwesenheit eines Dielektrikums, der
Imaginärteil beschreibt den ohmschen Verlustwiderstand bei Wechselstrombelastung. Das
Ersatzschaltbild (Bild 3.2.4.a) wird wie folgt angenommen:
Bild 3.2.4.a
Ersatzschaltbild für eine verlustbehaftete Kapazität
Der Verlustfaktor tan(δC) ist das Verhältnis von Wirk- zu Blindleistung bzw. von ε“ zu ε‘. Der
Kehrwert wird als Güte QC bezeichnet (um nicht die üblicherweise mit Q bezeichnete
Blindleistung mit der Güte zu verwechseln, wird hier die Indexschreibweise vorgezogen).
Re(I ) PW ε //
tan (δ C ) = = = /
Im( I ) PB ε
Die im Dielektrikum erzeugten Wärmeverluste (Wirkleistungsverluste) berechnen sich wie folgt:
P = U 2 ω C tan (δ C )
Dissipative Ferro- und Ferrimagnetika
Dissipative Ferro- und Ferrimagnetika (Ferrite) sorgen in Induktivitäten für Wirbelströme und
Ummagnetisierungsverluste. Auch ihre Eigenschaften lassen sich durch komplexe Größen
beschreiben (komplexe Permeabilität):
µ = µ / - jµ //
Allgemein gilt:
U = I jωL
µ' = µ0µr
Die relative komplexe Permeabilität wird durch Division durch µ0 errechnet:

µ µ //
= µr - j
µ0 µ0
Der Realteil entspricht dem bekannten µr, welcher ein Maß für die Induktivitätserhöhung bei
Anwesenheit eines Ferromagnetikums ist. Der Imaginärteil ist ein Maß für den ohmschen
Kernverlustwiderstand.
Das Ersatzschaltbild (Bild 3.2.4.b) wird wie folgt angenommen:
Bild 3.2.4.b
Ersatzschaltbild für eine verlustbehaftete Induktivität
Auch hier ist, wie bei den dissipativen Dielektrika ausgeführt, der Verlustfaktor das Verhältnis
von Wirk- zu Blindleistung. Der Kehrwert wird als Güte QL bezeichnet:
Re( U ) PW µ //
tan (δ L ) = = = /
Im( U ) PB µ
Der Verlustfaktor erlaubt die Berechung der erzeugten Wärmeverluste:
P = I 2 ω L tan (δ L )
3.3 Dissipative Filter
Als Eigenheit wird bei Daten- oder Telefonleitungen eine besondere Art der passiven Entstörung
angewendet: Dämpfungsbeschwerte Leitungen (Bild 3.3.a). Bei diesem Leitungstyp wird eine
Gegenmaßnahme angewendet, die bereits in Kapitel 2 vorgestellt wurde. Dort wurden Ferrit-
Ringe um Leitungen angeordnet. Ein HF-Strom erzeugt einen Fluß, der dem erzeugenden Strom
entgegenwirkt und somit dämpfend wirkt. Ferrite erhalten den Vorzug vor Eisen, da sie erst bei
höheren Frequenzen in die Sättigung kommen. Kommt es zu einer solchen Sättigung so kann ein
entsprechender Fluß nicht mehr aufrecht erhalten werden und die Dämpfung nimmt ab bzw. wird
ganz aufgehoben.
Bild 3.3.a
Ferritringe zur Dämpfungsbeschwerung
IC = Gleichtaktstom, Ib = Betriebsstrom
Als biegsame Ummantelung aus verlustbehaftetem Material kann die Ausführungsform wie folgt
dargestellt werden (Bild 3.3.b):
Bild 3.3.b
Modellbild einer dämpfungsbeschwerten Leitung
Die praktischen Ausführung besteht aus einem Innenleiter mit einer gut leitenden metallischen
Seele, umgeben von einer schlecht leitenden dissipativen Schicht.
Das durch den Betriebsstrom erzeugte Magnetfeld kompensiert sich infolge der
„Gegeneinanderschaltung“ der beiden Stromrichtungen selbst. Somit werden Gleichtaktströme
gedämpft (der hineinfließende Gleichtaktstrom Ic des Hinleiters wird durch den in die gleiche
Richtung fließenden Gleichtaktstrom Ic des Rückleiters mittels des dissipativen Mediums
kompensiert).
Bild 3.3.c
Dämpfungsbeschwerte Leitungen (engl.: lossy lines)
links: koaxialer Leiter; rechts: gewendelter Innenleiter
Dämpfungbeschwerte Leitungen, wie sie in Bild 3.3.c zu sehen sind, bestehen aus einer leitenden
Seele welche von einem schlecht leitenden dissipativen Material umhüllt ist. Ein Dielektrikum
trennt diese beiden Elemente vom Geflechtschirm. Bei hohen Frequenzen wird aufgrund des
Skin-Effektes der Strom des Innenleiters in die umgebende dissipative Schicht gedrängt und
damit bedämpft. (vgl. [Sch91], S. 168).
3.4 Überspannungsableiter
Die bis jetzt vorgestellten Filter schützen nicht vor hohen Überspannungen, da sie entweder nicht
stoßstromfest sind (Blitz, NEMP, ESD, usw.) oder keinen hohen Überspannungen standhalten
können, ohne sie abzuleiten.
In solchen Fällen setzt man Bauelemente ein, die bei Betriebsspannung stark hochohmig, bei
Überspannungen jedoch stark niederohmig sind. Überspannungsableiter haben im allgemeinen
nichtlineare Kennlinien.
Im folgenden werden drei Gruppen dieser Bauelemente vorgestellt.
3.4.1 Zener-Dioden
Zener-Dioden nutzen den scharf einsetzenden und steil ansteigenden Sperrstrom im

Durchbruchbereich eines pn-Übergangs beim Überschreiten der Zenerspannung. Die thermische
Verlustleistung und die Impulsbelastung dürfen die zulässigen Grenzwerte nicht überschreiten.
Für die Anwendung in der EMV stehen besondere Ausführungen der Zener-Dioden zur
Verfügung, die besonders strombelastbar sind. Diese höhere Strombelastbarkeit bedingt jedoch
eine Erhöhung der Sperrschichtkapazität, da der pn-Übergang großflächiger gestaltet sein muß.
Da auch Zener-Dioden eine gewisse Zuleitungsinduktivität aufweisen, wird ihre Ansprechzeit
vom Pikosekunden- in den Nanosekundenbereich verschoben. Die Kennlinie einer solchen Diode
folgt dem Verlauf, wie er im nachstehenden Diagramm (Bild 3.4.1) dargestellt wird:
Bild 3.4.1
Kennlinie einer Zener-Diode
Bezeichnungen derartiger Dioden:
Überspannungs-Schutz-Diode
Suppressordioden
TAZ-Dioden (Tansient Absorbing Zenerdiode)
3.4.2 Varistoren
Varistoren sind spannungsabhängige, nichtlineare Widerstände (Bild 3.4.2). Die Kennlinie I =

f(U) folgt näherungsweise der Gleichung:
I = K Uα
α: materialabhängiger Koeffizient (für Zinkoxid liegt α im Bereich 25...40)

K: Geometriefaktor
Bild 3.4.2
Kennlinie, Ersatzschaltbild und Schaltzeichen eines Varistors
Um ein möglichst schnelles Ansprechen des Varistors zu ermöglichen, sollte die

Streuinduktivität der Zuleitung möglichst gering sein.
3.4.3 Funkenstrecken
Hauptsächliche Einsatzgebiete für Funkenstrecken finden sich in der Energieversorgung und bei
der Telekommunikation. Der große Nachteil der Funkenstrecken besteht darin, daß ein schneller
Anstieg der an einer Funkenstrecke anliegenden Spannung die Durchschlagsspannung ansteigen
läßt; d.h. je größer du/dt ist, desto größer ist die Spannung, ab der die Funkenstrecke
durchschlägt und die Spannung wieder abgebaut wird.
Dies kann für die zu schützenden Bauelemente schnell zu einer Gefährdung führen. Deshalb
sollten Funkenstrecken nicht als alleiniger Schutz Einsatz finden. Hierzu sollte das folgende
Kapitel 3.5 - Hybrid-Ableiterschaltungen - beachtet werden.
Ein weiterer, entscheidender Nachteil einer Funkenstrecke ist, daß die Brennspannung bei
bestehendem Lichtbogen, nach Abbau der Überspannung, sehr niedrig ist und somit in einem
Gleichstromkreis u. U. keine Löschung des Lichtbogens stattfindet (da dieser ihn weiterhin am
„brennen“ hält). Daher müssen derartige Kreise zusätzlich mit einer Schmelzsicherung
abgesichert werden. Bei Wechselstrom wird dagegen bei jedem Nulldurchgang der Spannung der
Lichtbogen gelöscht.
Funkenstrecke Varistor
Bild 3.4.3
Vergleich einer Funkenstrecken- und Varistorkennlinie
In der rechten Bildhälfte des Bildes 3.4.3 ist im Vergleich zur Funkenstrecke die Kennlinie eines
Varistors dargestellt.
Der entscheidende Vorteil der Funkenstrecke liegt in der geringen kapazitiven Rückwirkung und
der hohen Strombelastbarkeit (Stromtragfähigkeit). Es gibt sie in gekapselter Form oder auch in
offener Stabform.
3.5 Hybrid-Ableiterschaltungen
Wie bereits im Kapitel 3.4 erwähnt, sollten für eine optimale Überspannungsfilterung alle drei
vorgestellten Ableitsysteme sinnvoll kombiniert werden, wenn nicht sogar noch zusätzlich mit
den in Kapitel 2.3 (Praxisbezogene Entstörmaßnahmen: u.a. Trenntransformator, Optokoppler,
Reed Relais) vorgestellten Möglichkeiten versehen werden. Solche Kombinationen nennt man
Hybrid-Ableiterschaltungen.
Beispielsweise kann ein Varistor und eine Funkenstrecke in Reihe geschaltet werden, damit die
Ausbildung eines Folgestroms in niederohmigen Netzen und bei Gleichspannung verhindert
wird. Weiterhin gibt es bei dieser Verschaltung eine höhere Ansprechspannung und, aufgrund
der hohen Isolationswirkung der Funkenstrecke, keinen Leckstrom.
In Bild 3.4.asorgt der Varistor im Falle einer brennenden Funkenstrecke für einen
Spannungsabfall (wird nach Abklingen der Überspannung wieder hochohmig), um den
Lichtbogen bei Unterschreitung der Nennansprechspannung wieder zu löschen.
Bild 3.5.a
Beispiel einer Hybridableiterschaltung
Zener- und Suppressordioden haben eine große parasitäre Kapazität. Deshalb schaltet man
kapazitätsarme Dioden vor (Bild 3.5.b).
Die maximale Stoßstromtragfähigkeit in Vorwärtsrichtung und die maximale Sperrspannung in
Rückwärtsrichtung der vorgeschalteten Dioden muß bei der Schaltungsdimensionierung
unbedingt mit berücksichtigt werden.
Bild 3.5.b
Beispiel für die Verminderung der kapazitiven Wirkung von
Zener- oder Suppressordioden
Bild 3.5.c dient zur Verdeutlichung der Wirkungsweise einer dreistufigen

Überspannungsschutzkaskade mit Gasentladungsableiter und Varistor als Grobschutzelemente
und einer Suppressordiode als Feinschutzelement beim Eintreffen eines Überspannungsimpulses
(vgl. [Hab98] S. 108f):
Bild 3.5.c
Wirkungsweise einer Überspannungsschutzkaskade
Trifft ein Überspannungsimpuls ein, spricht zuerst die Supressordiode an. Dadurch fließt ein
Strom i1, welcher an der Induktivität L1 einen Spannungsabfall uL1 gemäß uL1 = L1 di1/dt
verursacht. Diese Spannung bringt den Varistor zum Ansprechen. Dies wiederum führt zu einem
Strom i2 und einem Spannungsabfall UL2, welcher den Gasentladungsableiter durchzündet. (vgl.
[Hab98], S.109)
Zusätzlich könnten an den Filterausgang Optokoppler oder Lichtwellenleiter angeschlossen

werden (vergl. Kapitel 2).
Kapitel 4 – Elektromagnetische Schirme 43
KAPITEL 4, ELEKTROMAGNETISCHE SCHIRME ......................................................................... 43

4.1 UNTERTEILUNG DER STÖRFELDER ............................................................................................... 44
4.2 DÄMPFUNG ELEKTROSTATISCHER FELDER .................................................................................. 44
4.3 DÄMPFUNG ELEKTRISCHER WECHSELFELDER NIEDRIGER FREQUENZ.......................................... 45
4.4 DÄMPFUNG MAGNETOSTATISCHER FELDER ................................................................................. 46
4.5 DÄMPFUNG MAGNETISCHER, NIEDERFREQUENTER WECHSELFELDER .......................................... 47
4.6 DÄMPFUNG ELEKTROMAGNETISCHER WECHSELFELDER ............................................................. 48
4.7 ZUSAMMENFASSUNG ................................................................................................................... 48
4.8 NAH- UND FERNFELD .................................................................................................................. 49
4.9 ABSORPTIONS-/ REFLEXIONSDÄMPFUNG ..................................................................................... 51
4.10 SCHIRMDÄMPFUNG IM NAH- UND FERNFELD ............................................................................... 52
4.11 SCHIRMMATERIALIEN .................................................................................................................. 54
4.12 DICHTUNGEN FÜR SCHIRME ........................................................................................................ 54
4.13 DURCHFÜHRUNGEN IN GESCHIRMTE RÄUME ............................................................................... 55
4.14 MASSUNG UND FILTERUNG BEI DURCHFÜHRUNGEN .................................................................... 57
4.15 RAUMSCHIRMUNGEN ................................................................................................................... 59
Kapitel 4
Elektromagnetische Schirme
1. Nennen Sie die 5 Ordnungskategorien von Störfeldern!

2. Wie funktioniert ein Faraday'scher Käfig?
3. Erläutern Sie die Schirmdämpfung mit einem Dielektrikum!
4. Beschreiben Sie die Schwierigkeiten bei der Dämpfung von elektrischen Wechselfeldern!
5. Was macht die Dämpfung magnetostatischer Felder schwierig?
6. Erläutern Sie die Brechungsgesetze bei der Schirmung von magnetostatischen Feldern!
7. Warum sind bei der Dämpfung von magnetischen Wechselfeldern Gehäusefugen zu
vermeiden?
8. Erläutern Sie die Begriffe Gesamtschirmdämpfung, Reflexionsdämpfung und
Absorptionsdämpfung!
9. Was heißt elektromagnetisches Nah- und Fernfeld?
10. Wie und wann kann man aus der elektrischen Teilfeldstärke die magnetische Teilfeldstärke
ausrechnen und was ist dabei zu beachten?
11. Wie berechnet sich der Feldwellenwiderstand des freien Raumes?
12. Wie berechnet sich qualitativ (keine Zahlenwerte) die Reflexionsdämpfung und in welche
Feldkategorien sind die Formeln aufgeteilt?
13. Zeichnen Sie den ungefähren Verlauf der Frequenzabhängigkeit der Gesamtschirmdämpfung
für Magnetfelder im Nahbereich!
14. Klassifizieren Sie die Dämpfungsqualität von Schirmen!
15. Welche Eigenschaften sollten Schirmmaterialen aufweisen?
16. Nennen Sie Anforderungen an Schirmdichtungen!
17. Wie gestaltet man Durchführungen in geschirmte Räume?
18. Erklären Sie den Begriff Perforationsgrad und was sind Wabenkaminfenster?
19. Was ist bei Durchführungen bezüglich der Massung und Filterung zu beachten?
20. Wie schirmt man einen Raum; wie und womit macht man einen Raum reflexionsarm?
4.1 Unterteilung der Störfelder
Störquelle und -senke sind gemäß Kapitel 2.1 über den Störpfad miteinander verbunden. In
diesem Kapitel werden kapazitive, induktive und elektromagnetische Beeinflussungs-
möglichkeiten auf den Störpfad sowie entsprechende Gegenmaßnahmen betrachtet.
Dazu ist es erforderlich, die verschiedenartigen Störfelder zu unterscheiden:
1. elektrische Felder bei Gleichspannung (f = 0 Hz) elektrostatische Felder

2. elektrische Felder bei Wechselspannung (f =niederfrequent) elektrische Wechselfelder
3. magnetische Felder bei Gleichstrom (f = 0 Hz) magnetostatische Felder
4. magnetische Felder bei Wechselstrom (f = niederfrequent) magnetische Wechselfelder
5. hochfrequente Felder) elektromagnetische Wechselfelder (Kombination aus
elektrischen und magnetischen Feldern mit f ≠ 0 Hz)
4.2 Dämpfung elektrostatischer Felder

(vgl. [Sch91], S. 197ff)
Elektrostatische Felder werden zwischen Ladungen unterschiedlicher Polarität ausgebildet

(Stichwort: wirbelfreies Quellenfeld). Die Feldlinien zwischen den Ladungen haben dabei einen
Anfangs- und Endpunkt und sind nicht in sich geschlossen. Die Kenntnis dieser Tatsache kann
man sich für eine Schirmung zunutze machen: Bringt man ein geschlossenes Gehäuse aus Metall
in ein elektrisches Feld (Bild 4.2.a), so verschieben sich die Oberflächenladungen auf diesem
Gehäuse so, daß im Innern ein feldfreier Raum entsteht (Stichw.: Faradayscher Käfig). Eine
Erdung ist bei geschlossener Hülle nicht notwendig.
Bild 4.2.a
Feldfreier Raum im elektrostatischen
Feld
Auch dielektrische Hüllen haben einen Einfluß auf elektrostatische Felder. Da ein Dielektrikum
keine freien Ladungsträger besitzt, beruht die Schirmung auf dem Prinzip der Ablenkung der
elektrischen Feldlinien durch Refraktion (Brechung) am Übergang von einem Medium (z.B.
Luft) in das Andere (Dielektrikum). Die Feldlinien werden dabei kanalisiert (Bild 4.2.b).
Bild 4.2.b
Schirmung mit Dielektrikum
Es gelten die Brechungsgesetze (α = Winkel zwischen jeweiliger Feldlinie und dem Lot auf der
Grenzfläche):
tan (α 1) εr E n1 ε r2
= 1 ⇒ = ⇒ E t1 = E t 2
tan (α 2 ) ε r2 E n2 ε r1
Die Schirmdämpfung berechnet sich nach [Kad59] wie folgt:
Ea ε d
a SE = ln ≈ ln (1 + 1,33 r ) ,
Ei D
wobei d die Wandstärke und D der Außendurchmesser ist.

Man erkennt, daß eine hinreichende Schirmdämpfung für εrd >> D, d.h. für dicke Wände mit
hoher relativer Dielektrizitätszahl erreicht wird.
4.3 Dämpfung elektrischer Wechselfelder niedriger Frequenz

(vgl. [Sch91], S. 200ff)
Eine Umverteilung der Oberflächenladung kann nur mit endlicher Geschwindigkeit der
Ladungsträger erfolgen. Wenn in Bild 4.2.a (Feldfreier Raum im elektrostatischen Feld)
beispielsweise kein statisches sondern ein Wechselfeld zwischen den Platten anliegt kann ein in
jedem Raumpunkt entsprechendes Gegenfeld nur zeitversetzt zum einwirkenden (Wechsel-) Feld
aufgebaut werden. Aus diesem Grund ist bei sich schnell ändernden elektrischen Feldern keine
vollständige Schirmdämpfung zu erreichen.
An die formale Realisierung des Schirmgehäuses sind je nach Anwendungsfall besondere
Mindestanforderungen zu stellen. Verwendet man ein Gehäuse mit Ecken und Kanten (Bild 4.3),
so verbleibt ein gewisser kapazitiver Durchgriff durch die Schlitze, wenn nur die Ecken
elektrisch gut verbunden werden. Wird dieser Durchgriff nicht toleriert, so müssen spezielle
Dichtungen verwendet werden.
Um eine hohe Schirmdämpfung auch bei sich schnell ändernden Feldern zu erreichen, müssen
die Gehäuseteile öfters untereinander kontaktiert werden, um kürzere Strecken für die
Potentialausgleichsströme zu schaffen.
Bild 4.3
Gehäuse mit kapazitiver Durchgriffsmöglichkeit
Schattet man einzelne Baugruppen nur mit einzelnen Schirmblechen ab (also keine
gehäuseförmige Umhüllung), so müssen diese zwingend geerdet werden. Das Schirmblech
nähme nur das Potential des jeweiligen Ortes an und eine Schirmwirkung wäre damit nicht mehr
gegeben.
4.4 Dämpfung magnetostatischer Felder
Eine Erzeugung eines magnetostatischen Gegenfeldes durch Schirmmaterialien ist nicht möglich,
da magnetostatische Feldlinien in sich geschlossen sind und somit keine Anfangs- und
Endpunkte haben, die durch Ladungsträger aufgebaut werden können.
Deshalb ist die Schirmung mit ferromagnetischen Hüllen (Bild 4.4) die einzige Möglichkeit,
magnetostatische Felder von einem zu schützenden Objekt zu distrahieren (lat. distrahere =
wegziehen, abziehen).
Bild 4.4
Wirkungsweise einer ferromagnetischen
Hülle gegen magnetostatische Felder
Es gelten die Brechungsgesetze (α = Winkel zwischen jeweiliger Feldlinie und dem Lot auf der
Grenzfläche):
tan (α 1) µr H n1 µ r2
= 1 ⇒ = ⇒ H t1 = H t 2
tan (α 2 ) µ r2 H n2 µ r1
Die Schirmdämpfung berechnet sich nach [Kad59] folgendermaßen:
Ha µd
a SH = ln ≈ ln (1 + 1,33 r )
Hi D
wobei d die Wandstärke und D der Außendurchmesser ist.
Beispiele:
(µrd = 1000mm)
D = 100mm : ln (1+1,33 * 1000/100) = ln 14,3 = 2,66

D = 10mm : ln (1+1,33 * 1000/10) = ln 134 = 4,9
4.5 Dämpfung magnetischer, niederfrequenter Wechselfelder
Bei magnetischen Wechselfeldern werden in metallischen Schirmwänden Spannungen induziert

(Bild 4.5), die Ströme zur Folge haben. Deren Magnetfeld ist dem induzierten Feld
entgegengerichtet. Für die Schirmtechnik bedeutet dies, daß die Schirmwirkung auf den
Wirbelströmen in der Schirmwand beruht und deshalb Fugen zu vermeiden sind.
weniger gut sehr gut

die Feldlinien nehmen die Kanten sind
einen Umweg durchkontaktiert
Bild 4.5
Schirmung gegen magnetische Wechselfelder
Je höher die Frequenz des magnetischen Wechselfeldes ist, desto besser ist die Schirmwirkung.
Keine Wirkung zeigt diese Schirmmethode bei magnetischen Feldern mit f → 0 H z .
4.6 Dämpfung elektromagnetischer Wechselfelder
Eine Schirmung gegen elektromagnetische Felder muß folgende Problematik mit einbeziehen:
[Sch91], S.204: Mit zunehmender Frequenz verliert „die quasistatische Betrachtungsweise ihre
Gültigkeit, da die induzierende Wirkung des Verschiebungsstroms nicht mehr vernachlässigt
werden kann. Dies ist in der Regel dann der Fall, wenn sich der Schirm im Fernfeld des Senders
befindet, in dem elektrische und magnetische Felder nicht mehr über den Wellenwiderstand
einer Antenne, sondern über den Wellenwiderstand des freien Raumes [...] miteinander
gekoppelt sind. Während in quasistatischen magnetischen Wechselfeldern nur ein magnetisches
Rückwirkungsfeld entsteht, tritt hier auch ein merkliches elektrisches Rückwirkungsfeld auf. Der
Schirm wird selbst zum Sender und strahlt eine elektromagnetische Welle ab[...]“
Bei hohen Frequenzen verhalten sich Schirmhüllen daher auch als Hohlraumresonatoren,
wodurch es es im Bereich der Eigenresonanzen zu Einbrüchen in der Schirmdämpfung kommen
kann.
Zur Berechnung der Schirmwirkung sei hier u.a. auf [Sch91], S. 238ff, verwiesen.
4.7 Zusammenfassung
Schirmung gegen elektrostatische Felder
• Influenzwirkung: Eine räumliche Umverteilung der Ladungen bei einer

geschlossenen Hülle bewirkt ein Gegenfeld, welches das äußere Feld vollständig
kompensiert. Die Schirmwirkung ist in diesem Fall unendlich hoch.
• Distrahieren: In einem dielektrischen Medium mit hoher dielektrischer
Leitfähigkeit werden die Feldlinien um das Objekt herumgeführt. Die
Schirmwirkung ist um so höher je höher die Permittivität ε ist, sie ist jedoch nie
unendlich hoch, da vereinzelte Feldlinien weiterhin durch das Objekt führen.
Schirmung gegen elektrische, niederfrequente Felder
• Auch hier ist eine Schirmung durch die Influenzwirkung gegeben. Zu beachten ist
jedoch, daß die Höhe der Frequenz einen Einfluß auf die Schirmwirkung hat. Mit
zunehmender Frequenz stellt sich eine Phasenverschiebung ein, die aufgrund der
begrenzten Geschwindigkeit der Ladungsverschiebung entsteht. Diese
Phasenverschiebung bewirkt eine Endlichkeit der Schirmdämpfung.
Schirmung gegen magnetostatische Felder
• Distrahieren: In einem hochpermeablen ferromagnetischen Medium werden die

magnetischen Feldlinien um das Objekt herumgeführt. Eine vollständige Schirmung
ist auch hier nicht möglich, sie ist jedoch um so besser je höher µr ist.
Schirmung gegen magnetische, niederfrequente Wechselfelder
• Induktion: Ein zeitlich veränderliches Magnetfeld induziert in einem Schirm eine

Spannung, die wiederum einen Strom zur Folge hat (eine Leitfähigkeit des Schirms
wird hierbei vorausgesetzt !!). Die so entstandenen Wirbelströme erzeugen
wiederum ein eigenes Magnetfeld, welches dem Äußeren entgegengesetzt ist.
Dadurch entsteht im Innern des Schirms ein resultierendes Feld geringerer

Feldstärke.
Zu beachten ist jedoch, daß für jeden Einzelfall eine Ermittlung der
Schirmdämpfung abhängig von diversen Parametern (Wandstärke, Leitfähigkeit,
etc.) erfolgen muß. Die vereinfachte Annahme einer guten Schirmwirkung, wie dies
bei quasistatischen elektrischen Feldern durchaus erlaubt ist, ist hier nicht möglich.
Schirmung gegen das elektromagnetische Feld (Fernfeld):
• Durch das Bedämpfen des elektrischen Feldes, erreicht man auch eine Bedämpfung
des magnetischen Feldes
4.8 Nah- und Fernfeld
Erzeugt man (elektrische oder magnetische) Wechselfelder mit hoher Frequenz, so kann man ab
einem bestimmten Abstand von der Quelle nicht mehr vom getrenntem elektrischen oder
magnetischen Feld sprechen. Denn gemäß der Maxwellschen Gleichungen ist an ein elektrisches
Wechselfeld ein magnetisches Wechselfeld gekoppelt und umgekehrt. Relevant wird diese
Eigenschaft jedoch erst bei hohen Frequenzen bzw. bei großem Abstand von der Quelle.
Bereits in Kapitel 2 wurde auf die Begriffe Nah-, Übergangs- und Fernfeld eingegangen. Hier
jedoch der Vollständigkeit halber noch einmal die entsprechenden Hinweise:
Zwischen Wellenlänge und der Frequenz f gilt der Zusammenhang: λ = c/f
Für den Abstand x (Abstand von der Sendeantenne bzw. Abstand zwischen Störquelle und -
senke)
gilt:
Nahfeld: x < 0,1 λ
Übergangsfeld: d = (0,1 ... 3) λ
Fernfeld: x>3λ
[vgl. Gon92, S.425]
Habiger [Hab98, S.85f u. S.111] unterteilt das Feld „nur“ in Nah und Fernfeld (Bild 4.8.a). Seine
Bedingungen lauten:
Nahfeld: x < c/2πf (x < λ/2π)

Fernfeld: x > c/2πf (x > λ/2π)
Bild 4.8.a
Grenzkurve (f = c/2πx) zwischen Nah- und Fernfeld
Im Nahfeld und Übergangsfeld sind der Feldwellenwiderstand des elektrischen Feldes und der
des magnetischen Feldes ungleich. Im Fernfeld tritt ein elektromagnetischer
Feldwellenwiderstand auf, der für elektrisches- und magnetisches Teilfeld des
elektromagnetischen Feldes gleich ist und gemäß
E µ
=Z= = 120 ⋅ π Ω = 377 Ω
H ε
berechnet werden kann.
Für einen normierten Abstand zur Quelle hängen elektrisches und magnetisches Feld gemäß Bild
4.8.b über den Feldwellenwiderstand zusammen:
Bild 4.8.b
Feldwellenwiderstand für Nah- und Fernfelder
bezogen auf den normierten Abstand zur Quelle
Im Nahfeld ist das elektrische Feld hochohmig, das magnetische Feld niederohmig über den
Feldwellenwiderstand miteinander verbunden. Eine Abschätzung des zu einem elektrischen
Feldes gehörenden magnetischen Feldes ist folgendermaßen möglich:
Hat man ein Feld mit 10 V/m elektrischer Feldstärke und ist soweit von der Quelle entfernt, daß
200 kOhm für den elektrischen Feldwellenwiderstand angesetzt werden können, so kann mit E =
Z ⋅ H das dazugehörige magnetische Feld abgeschätzt werden:
10 V/m = 200 kΩ ⋅ H ⇒ H = 5 ⋅ 10 -5 A/m
Wichtig: Umgekehrt ist für ein magnetisches Nahfeld die Berechnung des zugehörigen
elektrischen Feldes nach dieser Methode nicht zulässig, da das betreffende elektrische Feld aus
zwei Komponenten besteht. Daher sind auch die Feldwellenwiderstände im Bild 4.7.b für
elektrische und magnetische Nahfelder stark unterschiedlich. Erst im elektrischen Fernfeld ist
diese Berechnungsweise als Abschätzung für elektrisches und magnetisches Feld wieder
zulässig.
4.9 Absorptions-/ Reflexionsdämpfung
In den obigen Kapiteln kommt die Schirmwirkung gegen elektrische und magnetische
Wechselfelder durch Influenz und Induktion im Schirmmaterial zustande, welche entsprechende
Gegenfelder aufbauen, die sich mit den Primärfeldern überlagern und diese dann schwächen.
Die Schirmdämpfungen waren dabei mit aH = ln Ha/Hi und aE = ln Ea/Ei angegeben worden und
die Berechnung beruhte auf der Ermittlung der entsprechenden Feldstärken vor und hinter einem
Schirm (Bild 4.9).
Bild 4.9
Störquelle - Schirm – Störsenke
Diese Schirmdämpfungen, man nennt sie auch Gesamtschirmdämpfungen aS , setzen sich aus
zwei Komponenten zusammen:
• Absorptionsdämpfung und
• Reflexionsdämpfung
Bei der Absorptionsdämpfung wird die Feldenergie vom Schirmmaterial absorbiert (z.B. durch
Hystereseverluste). Bei der Reflexionsdämpfung wird die einfallende Feldwelle durch das
Schirmmaterial reflektiert.
Somit wirken Absorptionsdämpfung asa und Reflexionsdämpfung asr synergetisch (mitwirkend,
behilflich) und ergeben die Gesamtschirmdämpfung aS:
a s = a sa + a sr
4.10 Schirmdämpfung im Nah- und Fernfeld
Gemäß [Hab98], S. 111f:
Reflexionsdämpfung asr
c
Magnetisches Nahfeld (x < )
2π f
µr
a sr = (15 − 10 lg + 20 lgx) + 10 lg(f)
σr
c
Elektrisches Nahfeld (x < )
2π f
µr
a sr = (202 − 10 lg + 20 lgx) − 30 lg(f)
σr
c
Elektromagnetisches Fernfeld (x > )
2π f
µr
a sr = (168 − 10 lg ) − 10 lg(f)
σr
Absorptionsdämpfung asa:
a sa = 0,1314 d µ rσ r f,
wobei: µ r relative Permeabilität

σr relative Leitfähigkeit (relativ zum Leitwert von Kupfer σr Cu = 5,8 107 S/m
d Schirmdicke in mm
x Abstand der Störquelle zur –senke
Die Ausdrücke in den runden Klammern charakterisieren jeweils den Einfluß der
Materialeigenschaften des Schirms und der Schirmwandstärke d auf die einzelnen
Dämpfungsfaktoren.
Grafisch ergibt sich für die prinzipielle Frequenzabhängigkeit der Gesamtschirmdämpfung as für
Magnetfelder im Nahbereich (Bild 4.10.a):
Bild 4.10.a
Frequenzabhängigkeit der Gesamtschirmdämpfung
für Magnetfelder im Nahbereich
Für elektromagnetische Fernfelder (Kurve 1) sowie für elektrische Nahfelder (Kurve 2) gilt
(Bild 4.10.b):
Biel 4.10.b
Gesamtschirmdämpfung für elektromagnetische
Fernfelder (1) und elektrische Nahfelder (2)
Die Dämpfungseffektivität von Schirmen kann wie folgt klassifiziert werden: aS
0 bis 10 dB ungenügende Dämpfung

10 bis 30 dB minimale Dämpfung
30 bis 60 dB akzeptable Dämpfung
60 bis 90 dB sehr gute Dämpfung
90 bis 120 dB extrem gute Dämpfung
(vgl. [Hab98], S. 112)
Eine Dämpfung von ca. 30 dB läßt sich schon durch eine einfache Blechkonstruktion erreichen.
Oft sorgen Öffnungen (z.B. Zu- oder Abluft) und Schlitze (z.B. bei Türen und Fenstern) für eine
Minderung der Dämpfungsqualität einer Schirmungsmaßnahme. Ebenso können
Hohlraumresonanzen in geschlossenen Schirmgehäusen auftreten, wenn zum Beispiel im
Schirmraum befindliche Störquellen ein Störsignal aussenden mit der Folge, daß es an der
Schirminnenwand reflektiert wird und sich eine stehende Welle ausbildet.
4.11 Schirmmaterialien
(siehe auch [Hab98], S.113)
unmagnetische Leiterwerkstoffe
Elektrostatische Elektrische Magnetostatische Magnetische Felder

Felder Wechselfelder Felder niedriger Frequenz
niedriger Frequenz
Kupfer gute gute gar keine Dämpfung sehr unzureichende
(µr = 1, σr =1) Dämpfungswirkung Dämpfungswirkung Dämpfung
Aluminium vgl. Gl. (2), (3) vgl. Gl. (2), (3) vgl. Gl. (1)
(µr = 1, σr ≈ 0,65)
magnetische Stoffe
Elektrostatische Elektrische Magnetostatische Magnetische Felder

Felder Wechselfelder Felder niedriger Frequenz
niedriger Frequenz
Eisen (µr >>1) schlechtere in den unteren gute Dämpfungswirkung
Mu-Metall Dämpfung als bei Frequenzbereichen Dämpfungswirkung steigt mit der Frequenz
unmagnetischen schlechtere Dämpfung steil an vgl. Gl. (4)
Stoffen, wegen der als unmagnetische
i.d.R. kleineren Stoffe
Leitfähigkeit
Dämpfungswirkung
steigt mit der Frequenz
steil an vgl. Gl. (4)
4.12 Dichtungen für Schirme
Türspalte und Trennfugen von Schirmen und Schirmräumen müssen umlaufend elektrisch
kontaktiert werden. Die Industrie bietet eine große Auswahl von Dichtungen und
Dichtmaterialien an. Diese sollten folgenden Anforderungen genügen:
• Ein Schirmspalt muß möglichst niederohmig überbrückt bzw. kurzgeschlossen werden.
• Die Langzeit-Elastizität und die Verschleißfestigkeit müssen gewahrt werden (z.B. bei
Türen).
• Nach einer Kompression (Zusammendrücken) darf nur ein geringer Elastizitätsverlust
auftreten.
• Die Anpreßkräfte sollten möglichst groß sein (entsprechende Mechanismen müssen z.B.
bei Türen vorhanden sein).
• Mit den Gegenkontaktflächen muß eine galvanische Verträglichkeit bestehen (keine
Kontaktkorrosion).
• Bei rein metallischen Dichtungen ist eine selbstreinigende Relativbewegung erwünscht.
• Bei Kunststoffverbund-Dichtungsmaterialien ist eine selbstreinigende Relativbewegung
unerwünscht (schnelle mechanische Zerstörung).
4.13 Durchführungen in geschirmte Räume
Wanddurchführungen, beispielsweise für Potentiometerwellen, müssen HF-dicht ausgeführt

werden. Metallische Wellen können in einer mit Federkontakten oder leitfähigen Dichtungen
ausgerüsteten Hülse ausgeführt werden (Bild 4.13.a):
Bild 4.13.a
Potentiometerwelle mit HF-Dichtung
Bei derartig durchgeführten Wellen wirkt das Einführungsrohr unterhalb einer Grenzfrequenz
wie ein Hohlleiter (Bild 4.13.b). Diese Grenzfrequenz (Hochpaß) kann gemäß [Kad59] nach der
Formel
8,2 ⋅ 10 9
f Gr = Hz
r0 / cm
berechnet werden. Die Dämpfung für Magnetfelder hängt dabei vom Verhältnis Kaminlänge zu
Radius bzw. Durchmesser ab und berechnet sich nach [Kad59] wie folgt:
l
a = 1,84
r0
Bild 4.13.b
Als Hohlleiter wirkende Durchführung
für eine Potentiometerwelle
Geräte und Schirmkabinen benötigen nicht nur Durchführungen für Netz-, Signal-, Daten- oder
Steuerleitungen, sondern auch für die Belüftung. Daher ist man gezwungen, Transportwege für
Luft aber nicht für Störungen jeglicher Art zu schaffen. Gebräuchlich sind Lochreihen, wie sie
beispielsweise bei Mikrowellenherdtüren üblich sind (bei Mikrowellenherden nur als
Sichtfenster eingesetzt). Der Perforationsgrad, der nach nachfolgender Formel berechnet wird,
beeinflußt die Schirmdämpfung:
2
n π r0
p = ,
A
wobei p der Perforationsgrad,

n die Anzahl der Löcher,
r0 der Lochradius und
A die zu perforierende Fläche
ist.
Je größer der Lochradius gewählt wird, desto stärker nimmt die Schirmdämpfung bei konstantem
Perforationsgrad ab.
Die Konsequenz: Viele kleine Löcher sind besser als wenige große!
Eine weitere Möglichkeit, vornehmlich Belüftungswege zu schaffen, ist der Einbau von
Wabenkaminen in Schirmwände. Hierbei wird wieder, wie bei der Durchführung von
Potentiometerwellen, die Hohlleitertheorie zur Beurteilung der Dämpfungswirkung
herangezogen. Für Wabenfenster-Geometrien gelten in Bild 4.13.c die Dämpfungen as gemäß
[Kad59]:
Bild 4.13.c
Wabenfenster-Geometrien und ihre Dämpfung
Zusammengesetzte Einzelelemente gemäß Bild 4.13.c werden als Fensterelemente angeboten

(Bild 4.13.d):
Bild 4.13.d
Wabenkaminfenster für unterschiedliche Frequenzbereiche (Siemens)
4.14 Massung und Filterung bei Durchführungen
In Schirmgehäuse ein- und ausgeführte Leitungen müssen über Filter geführt werden, um das
Eindringen von Störpotentialen in das Schirminnere zu vermeiden.
Um Ausgleichsströme in der Schirmwand zu vermeiden, werden alle Filter-, Erdungs- und
Kabelschirmanschlüsse an einer Stelle am Schirmgehäuse angeordnet (Bild 4.14.a;
Schirmgehäuse müssen gemäß den VDE-Bestimmungen 0100, 0107, 0190, 0874, 0875 aus
Sicherheitsgründen geerdet werden).
gut schlecht
Bild 4.14.a
Anschlüsse von Leitungen an Schirmgehäuse
Das richtige Durchführen von ungeschirmten, elektrischen Leitungen sei an Bild 4.14.b
verdeutlicht:
Bild 4.14.b
Durchführung von ungeschirmten elektrischen Leitungen
Leitungsschirme müssen an der Schirmdurchführung mit dem Schirmgehäuse verbunden werden

(Bild 4.14.c):
Bild 4.14.c
Durchführung einer geschirmten Leitung
in einen geschirmten Raum
Ein EMV-gerechter Aufbau eines Gerätegehäuses ist nachfolgend dargestellt (Bild 4.14.d):
Bild 4.14.d
EMV-gerechtes Gehäusedesign
4.15 Raumschirmungen
Um einen geschirmten Raum zu schaffen, muß derselbe mit HF-dicht verlöteten

Kupferbahnfolien oder durch selbsttragende Schweißkonstruktionen aus Stahlblech ausgekleidet
werden. Es können auch vorgefertigte Wandelemente zusammengeschraubt werden.
Um in EMV-Meßräumen keine Hohlraumresonanzen durch, von den Wänden reflektierte
elektromagnetische Wellen entstehen zu lassen, kleidet man die Wände mit Absorbern aus, die
eine stetige und reflexionsarme Impedanzanpassung des Wellenwiderstands des Schirmraums für
Fernfeldbedingungen (Z = 377 Ω) an die Schirmwand (Z = 0 Ω) ermöglichen.
Absorber sind aus verlustbehafteten Ferromagnetika (für magnetostatische und magnetische
Wechselfelder) und verlustbehafteten Dielektrika (für elektrostatische und elektrische
Wechselfelder) gefertigt. Das Adjektiv „verlustbehaftet“ weist darauf hin, daß die
Schirmwirkung durch Umwandlung der eingestrahlten Energie in Wärme beruht.
Diese Absorber sind meistens:
• Polyurethanschäume, die mit Kohlenstoff-Latexfarbe getränkt sind (Pyramidenabsorber)
• Ferritplatten
• Gasbetonsteine mit kristallin gebundenem Wasser.
Bild 4.14.d
Pyramidenabsorber
Bei Pyramidenabsorbern „laufen“ sich reflektierte elektromagnetische Wellen „tot“. Abhängig

ist dies unter anderem auch von der Absorbertiefe. Die Reflexionsdämpfung nimmt dabei mit
zunehmendem Verhältnis von Absorbertiefe zu Wellenlänge zu (je kleiner λ desto größer
(länger) müssen die Absorber sein). Typischerweise sind Absorber 120 cm lang, was eine
Grenzfrequenz für tiefe Frequenzen von ca. 80 MHz bedeutet.
Pyramidenabsorber aus Schaumstoff sind wegen des hohen Kohlenstoffanteils besonders
brandgefährdet. Deshalb sollte an einer leistungsfähigen Feuerlöschanlage bei EMV-Meßräumen
nicht gespart werden.
Pyramidenabsorber werden für eine bessere Langzeitstabilität ihrer geometrischen Form nicht
mehr mit ihren Flachen Seiten nach oben und unten (von vorne betrachtet: ) sondern
„getwistet“, also mit ihren Kanten nach oben und unten angebracht (von vorne betrachtet: ◊). Als
zusätzlicher positiver Effekt ergibt sich eine bessere Dämpfung bei schräg einfallenden Wellen
durch eine größere Auftrefffläche.
Kapitel 5 – Repräsentative EMV-Probleme 61
KAPITEL 5, REPRÄSENTATIVE EMV-PROBLEME ........................................................................ 61

5.1 EMV-PROBLEME IN DER ENERGIETECHNIK................................................................................. 62
5.1.1 Leistungselektronische Wandler ........................................................................................ 62
5.1.2 Kommutatormaschinen ........................................................................................................... 65
5.1.3 Schaltvorgänge in Energieversorgungsnetzen (ENV-Netze) .................................................. 67
5.2 EMV-PROBLEME IN DER DIGITALTECHNIK.................................................................................. 75
5.2.1 Generelles ............................................................................................................................... 75
5.2.2 Digitale Schaltungen mit hohen Taktfrequenzen .................................................................... 76
5.2.3 Verbesserung der Störfestigkeit von Digitalen Schaltungen insbesondere bei
Mikroprozessoren ................................................................................................................................ 77
5.3 DIE EMV IN DER AUTOMOBILTECHNIK ....................................................................................... 80
5.3.1 Beispiele für auftretende Belastungen .................................................................................... 80
5.3.2 Störaussendung von Kraftfahrzeugen (Fern-Entstörung) ....................................................... 81
5.3.3 Eigenentstörung ...................................................................................................................... 82
5.3.4 Umweltbedingte HF-Einstrahlungen ...................................................................................... 82
5.4 ELEKTROMAGNETISCHE FELDER UND BIOORGANISMEN .............................................................. 83
Kapitel 5
Repräsentative EMV-Probleme
1. Wie sind der Klirrfaktor, der Gesamtklirrfakor k und der Grundschwingungsgehalt g

definiert?
2. Wie sieht die Einhüllende des Spektrums einer B2-Brückenschaltung für verschiedene
Zündwinkel aus?
4. Was sorgt bei Kommutatormaschinen für EMV-Probleme?
5. Beschreiben Sie die Induktionswirkung einer schmelzenden Sicherung!
6. Was ist bei Leitungsabschaltungen verantwortlich für EMV-Probleme (Beschreibung)?
7. Erläutern Sie die Wanderwellenerscheinung auf Freileitungen in Abhängigkeit der
Leitungsabschlußverhältnisse (Kurzschluß, offenes Leitungsende) bei Schalthandlungen.
8. Was macht eine Transformatorzuschaltung problematisch?
9. Nennen und beschreiben Sie die 4 Level des Schutzzonenkonzeptes!
10. Was ist zum Netzverhalten bezüglich der Störsignalausbreitung zu sagen?
11. Wie kann es bei Digitalschaltungen zu Fehlfunktionen kommen (drei Möglichkeiten)?
12. Beschreiben Sie den funktionsbestimmenden Einfluß der elektrischen Verbindungen
zwischen einzelnen Komponenten digitaltechnischer Schaltungen!
13. Warum sind Kraftfahrzeuge als besonders EMV-kritisch anzusehen?
14. Was stellt an elektrische und elektronische Systeme im Auto besondere Herausforderungen
und warum?
15. Wie wirkt sich der Start eines Verbrennungsmotors auf die Spannungsversorgung eines Kfz
aus?
16. Was bedeutet das Listenverfahren bei der Automobilproduktion?
17. Wie wird die Einhaltung der Grenzwerte für die Eigenentstörung im Kfz zweckmäßiger-
weise kontrolliert?
18. Zeichnen sie die Abnahme der elektrischen Feldstärke in Abhängigkeit vom Senderabstand
(quantitativ)!
19. Was können magnetische Felder im menschlichen Körper bewirken?
20. Was kann als positive Anwendung elektromagnetischer Felder angeführt werden?
5.1 EMV-Probleme in der Energietechnik
5.1.1 Leistungselektronische Wandler

(vgl. [Gon92], S.368ff)
In der Energietechnik muß nicht nur elektrische Leistung in mechanische Leistung (oder
umgekehrt), sondern auch Erscheinungsformen elektrischer Energie (z.B. Wechselspannung und
Wechselstrom) in andere Erscheinungsformen, umgesetzt werden (z.B. Gleichspannung bzw.
Gleichstrom). Dazu benötigt man leistungselektronische Wandler.
Zur Wandlung von Wechselgrößen in Gleichgrößen werden mit Hilfe moderner

Halbleitertechniken Gleichrichterschaltungen realisiert. Repräsentativ soll an einer B2-
Brückenschaltung (halbgesteuerte Brücke) erklärt werden, wo hier die EMV-Problematik zu
finden ist und wie hier entstehenden Problemen abgeholfen werden kann.
Bei einem halbgesteuerten Brückengleichrichter (Bild 5.1.1.a) in einer B2-Brückenschaltung

wird durch geeignete Wahl der Zündzeitpunkte der eingebauten Thyristoren der arithmetische
Mittelwert der ausgangsseitigen Gleichspannung eingestellt. Die Abhängigkeit des
Zündzeitpunktes von der Phasenlage der speisenden Spannung wird als Zündwinkel α definiert,
wobei eine ganze Sinuswelle 3600 (= 2π) entspricht.
Bild 5.1.1.a
Halbgesteuerter B2-Brückengleichrichter
Wenn die Zeitkonstante τ = L/R der ausgangsseitigen Belastung sehr viel größer als die
Periodendauer T1 der speisenden Spannung ist, so kann angenommen werden, daß der
Ausgangsstrom ideal geglättet ist.
Da der Eingangsstrom (Wechselstrom) mit Hilfe der steuerbaren Ventile (Dioden und
Thyristoren) immer so umgeschaltet wird, daß der Stromfluß am Ausgang als konstant in eine
Richtung angenommen werden darf (Gleichstrom), so ist eingangsseitig der (Wechsel-) Strom
mit einem rechteckförmigen Verlauf anzunehmen (Bild 5.1.1.b unten).
Die Pausenzeit zwischen zwei Stromrechtecken ist durch den Zündwinkel α bestimmt. (Anm.:
Damit es bei der Schaltung der Pausen zu keinem Ventilkurzschluß kommt, ist eine
Kommutierungsinduktivität LK im Wechselspannungsteil der Brückenschaltung vorzusehen)
Bild 5.1.1.b
Ausgangsspannung und Eingangsstromverlauf des
Brückengleichrichters
Gemäß der Fourieranalyse eines rechteckförmigen Stromes ergibt sich für ein konstantes α ein
Linienspektrum mit den diskreten Frequenzen
1
f n = n ⋅ f1 = n ⋅ ; n = 1, 3, 5, ...
T1
T1 : Periode der Netzspannung u1
Die Spektrallinienamplituden ergeben sich gemäß Kapitel 1.6 wie folgt:
i1 ( t ) 4 α
cn = = cos ( n ) ; n = 1, 3, 5, ...
Id πn 2
(Anm.: Es ist zu beachten, daß hier eine Fourier-Reihe vorliegt, und daher auch die
Spektralamplituden diskrete Werte sind).
Die eigentliche, für EMV-Belange interessierende Tatsache, ist die Entstehung weiterer,
von f1 verschiedener Frequenzen.
Frequenzanteile bis 20 kHz werden als „Netzrückwirkungen“ bezeichnet, Frequenzanteile über
20 kHz werden dem Gebiet „elektromagnetische Unverträglichkeit“ zugeordnet. In beiden Fällen
handelt es sich um potentielle Störkomponenten. Früher wurden solche Netzrückwirkungen
beispielsweise von Aufzugs-Bremsen verursacht und damit Rechner vereinzelt zum
Absturz gebracht.
In der Netzrückwirkungsproblematik gilt das Interesse einzelnen Spektrallinien. Daher werden in

Grenzwertvorschriften die diskreten Ordnungszahlen der einzelnen Frequenzanteile
herangezogen und die jeweils zulässigen Klirrfaktoren bzw. Oberschwingverhältnisse festgelegt.
Die einzelnen Spektrallinien sind durch die Angabe des Klirrfaktors k der jeweiligen
Spektrallinie beschreibbar:
Effektivwert n - te Schwingung I1 ( f n )
kn = =
Gesamteffektivwert n
∑I
ν =1
2
1 ( fν )
oder globaler durch die Angabe des Gesamtklirrfaktors k bzw. des Grundschwingungsgehaltes g:
Effektivwert aller Oberschwingungen

∑I
ν =2
2
1 ( fν )
k = =
∑I
ν =1
2
1 ( fν )
Effektivwert der Grundschwingung I 1 ( f1 )

g= = 1- k 2 =
∑I
ν =1
2
1 ( fν )
Effektivwe rt n − te Oberschwin gung

Oberschwin gungsverhä ltnis =
Effektivwe rt Grundschwi ngung
Ordnungszahl Spannungsoberschwingver-
hältnisse in %
3 0,85
5 0,65
7 0,6
9 0,4
11 0,4
13 0,3
15 ... 19 ungerade 0,25
2 0,3
4 ... 40 ungerade 0,2
Tabelle 5.1.1
Tabelle 5.1.1 ist ein Auszug aus der DIN VDE 0838. Dort werden die zulässigen
Spannungsoberschwingungsverhältnisse für Haushaltsgeräte festgelegt. Die Messungen erfolgten
dabei an einer symmetrischen Netzimpedanz:
ZNs = 0,4 Ω + jω*0,8 mH
(Energietechnische Anlagen werden durch DIN VDE 0160 spezifiziert):
Die Einhüllende (Bild 5.1.1.c) aller cn(n,α)-Kurven deckt alle auftretenden Zündwinkel und
alle davon erzeugten Oberschwingungsanteile ab („worst-case-Betrachtung).
Der Kurvenverlauf ergibt sich aus der Bedingung max |cos(...)| = 1:

cn (n,α)|max = cn(n,α=0) = 4/(π*n)
Bild 5.1.1.c
Einhüllende des Spektrums für verschiedene Zündwinkel
Das obige Beispiel steht stellvertretend für weitere EMV-Störquellen, die auf
Wechselstromstellerbasis arbeiten, wie beispielsweise Dimmer und ähnliches.
5.1.2 Kommutatormaschinen
Im vorherigen Kapitel wurde eine Kommutierung durch Halbleiterventile ermöglicht. In

elektrischen Maschinen wird jedoch der Strom häufig über mechanische Kommutatoren geführt.
Das Umschalten des Stroms über Bürsten und Kollektor von Wicklungsstrang zu
Wicklungsstrang ist mit einer Erzeugung von Spannungsimpulsen verbunden, die von
• der Geometrie (Anzahl der Kollektorlamellen , Bürstenbreite und –länge)
• den elektrischen Eigenschaften des Kommutators (Induktivität, ohmscher
Verlustwiderstand, kapazitive Eigenschaften)
• der Anzahl der Pole
• dem Erhaltungszustand (Verschleiß, etc.)
• dem Betriebszustand
abhängen.
In Bild 5.1.2.a ist exemplarisch der Störspannungsverlauf eines Kfz-Lüftermotors aufgezeigt. Die
Messung erfolgt gemäß der Vorschrift VDE 0879, Teil 3 (Funk-Entstörung von Fahrzeugen,
Fahrzeugausrüstungen und Verbrennungsmotoren) (vgl. [Gon92], S. 375ff).
Bild 5.1.2.a
Spektrum eines unentstörten Kfz-Lüftermotors
Nach der Entstörung mittels eines LC-Entstörfilters ändert sich der Verlauf des Störspektrums
wie nachfolgend (Bild 5.1.2.b):
Bild 5.1.2.b
Spektrum eines entstörten Kfz-Lüftermotors
Der bei 30 MHz erkennbare Spannungssprung ist auf die in der Meßnorm vorgeschriebene
Meßbereichsumschaltung (Meßbandbreite) zurückzuführen.
5.1.3 Schaltvorgänge in Energieversorgungsnetzen (ENV-Netze)
5.1.3.1 Leitungsabschaltung im Kurzschlußfall

(vgl. [Gon92], S.377ff):
Im Falle eines Leitungskurzschlusses auf Einrichtungen der Energieübertragung ist eine hohe
Energie abzubauen, die in der Netzinduktivität gespeichert ist. Sie berechnet sich nach folgender
Formel:
1
Wm = ⋅ L ⋅ I 2
2
Dazu ein Beispiel (Bild 5.1.3.1.a):
Bild 5.1.3.1.a
Netzbeispiel
Eine Sammelschiene, die aus dem Mittelspannungsnetz über einen Transformator gespeist wird,
hat Leitungsabgänge, von denen aus einzelne Verbraucher versorgt werden. Diese werden
jeweils mit Schmelzsicherungen geschützt.
Sollte es an der im Bild 5.1.3.1.a eingezeichneten Stelle zu einem Kurzschluß kommen, so
schmilzt die Sicherung. Als weitere Folge tritt ein Lichtbogen auf, bei der die in der
Netzinduktivität gespeicherte magnetische Energie in Wärme umgesetzt wird. Die induzierte
Überspannung (die Netzinduktivität wirkt dem Stromabfall nach Auslösen der Sicherung
entgegen) wirkt sich über die Sammelschiene auch auf die benachbarten Leitungsabgänge aus.
Die Höhe der induzierten Spannung hängt von der Größe der Netzinduktivität, vom
Kurzschlußort und vom eingesetzten Sicherungstyp ab.
Der zeitliche Verlauf folgt der nachfolgenden Approximation (Bild 5.1.3.1.b):
Bild 5.1.3.1.b
Approximation der entstehenden Überspannung
Im obigen Beispiel berechnet sich der Kurzschlußstrom über die Kurzschlußspannung des
speisenden Transformators:
1 I
= K,
uk IN
wobei uk die Kurzschlußspannung des Transformators (typisch 5 % ... 7 %),

IK der Kurzschlußstrom und
IN der Nennstrom des Transformators
ist.
Auftretende Kurzschlußarten:
• 1-poliger Kurzschluß
• 2-poliger Kurzschluß mit und ohne Erdberührung

a) zwischen Phasen ohne Erdberührung
b) zwischen Phasen mit Erdberührung (z.B. am gleichen Hochspannungsmast)
c) Doppelerdschluß (z.B. zwischen zwei benachbarten Hochspannungsmasten oder aber
auch bei Signalanlagen der Bahn)
• 3-poliger Kurzschluß
Zu bemerken ist abschließend noch, daß Sicherungen, die aufgrund eines Kurzschlusses
auslösen, mit zu denjenigen Quellen gehören, deren Überspannungen am gefährlichsten sind.
Lichtbögen von Schaltern, Schützen und ähnlichem, welche Betriebsströme schalten, sind lange
nicht so energiereich (dennoch kann es hier aufgrund von „reflektierten“ Wellen auch zu
höheren Überspannungen kommen; siehe auch Kap. 5.1.3.3).
Liegt der Ortes des Kurzschlusses direkt hinter der Sicherung so zeigen sich höhere
Überspannungen als wenn er am Ende eines langen Kabels direkt am Verbraucher stattfindet.
Der ohmsche Widerstand des Kabels begrenzt den Kurzschlußstrom und damit die Schaltenergie
der Sicherung (vgl. [Gon92], S. 94).
5.1.3.2 Leitungsabschaltung im Betriebsfall
Bei einer Leitungsabschaltung, z.B. für Reparatur- und Wartungszwecke, sind immer folgende
Sicherheitsregeln zu beachten:
1. Es wird zuerst die Energiezufuhr zur betroffenen Leitung abgeschaltet (allpolige
Abschaltung). Diese Abschaltung hat jedoch nicht zur Folge, daß nach dem
Abschaltvorgang die in der Leitung gespeicherte kapazitive Energie abgebaut worden ist.
2. Die Anlage bzw. Leitung ist gegen Wiedereinschalten zu sichern (Klebestreifen über
Sicherung, Schraubsicherung mitnehmen). Zusätzlich ist der Name des Verantwortlichen
kenntlich zu machen.
3. Eine Prüfung auf Spannungsfreiheit ist obligatorisch.
4. Der Abbau der gespeicherten Energie geschieht erst durch das Kurzschließen und Erden
der Leitung. Da die verbleibende Restenergie von der im Abschaltzeitpunkt anliegenden
Momentanspannung und der Betriebskapazität der Leitung abhängt, muß bei einem
solchen Kurzschluß eine Analyse erfolgen, um den Entladestrom zu ermitteln, welcher in
erster Näherung nur durch die ohmschen Leitungsverluste und die Leitungsinduktivität
begrenzt wird.
Da in der EMV-Technik die „worst-case“-Betrachtung empfehlenswert ist, kann der
Entladestrom wie folgt approximiert werden (hierbei wird auch auf den Einfluss des
ohmschen Widerstand verzichtet):
C'
i max ≈ 2 ⋅U⋅
L'
Dieser Strom führt zu hohen Magnetfeldern und damit zur möglichen induktiven
Einkopplung in andere elektrische Systeme, wie zum Beispiel in Telefonleitungen,
Datenleitungen, usw. (vgl. Gon92], S. 378f).
5. Benachbarte, unter Spannung stehende Teile sind abzuschranken.
5.1.3.3 Trennschaltungen und Wanderwellen

(vgl. auch [Gon92], S. 379f)
Kurzschlüsse und Schalthandlungen auf Freileitungen sind immer mit Wanderwellenvorgängen

verbunden. Wanderwellen werden durch die Eigenschaften des Trennschalters, der
Wellenwiderstände der angeschlossenen Freileitungen und der damit verbundenen
Leitungslängen beeinflußt.
Zur einfachen Erläuterung der durch Schalthandlungen ausgelösten Vorgänge dient Bild
5.1.3.3.a, bei dem eine Hochspannungsquelle U0 über eine Leitung mit dem Wellenwiderstand Γ
1, der Länge l1 und der Laufzeit T1 mit einem Trennschalter an die Leitung 2 mit dem
Wellenwiderstand Γ2, der Länge l2 und der Laufzeit T2 zugeschaltet wird. Mit dem Schließen des
Trennschalters ist eine nach links laufende Spannungswelle verbunden, welche die Amplitude
Γ1
∆ u1 = - U 0 ⋅
Γ1 + Γ2
besitzt.
Ebenso wird eine nach rechts laufende Spannungswelle nach dem Leitungspunkt D geschickt.
Diese hat die Amplitude
Γ2
∆ u2 = U0 ⋅
Γ1 + Γ2
Bei einer Änderung des Wellenwiderstandes auf der Leitungsstrecke (z.B. am Ende oder
Anfang) werden die ausgelösten Wanderwellen reflektiert. Der Reflexionsfaktor berechnet sich
nach der Formel
Z - ΓL
r= ,
Z + ΓL
mit: ΓL= Wellenwiderstand der Leitung

Z = Abschlußwiderstand bzw. Wellenwiderstand der aufnehmenden Leitung
Bild 5.1.3.3.a
Verdeutlichung der Wanderwellenproblematik
auf Freileitungen
Nach der Laufzeit T2 wird die Wanderwelle 2 am Leitungspunkt D mit einem Reflexionsfaktor
rD = 1 in Richtung Trennschalter reflektiert; ebenso wird nach der Laufzeit T1 die Wanderwelle 1
am Leitungspunkt A mit einem Reflexionsfaktor rA = -1 in Richtung Trennschalter auf den Weg
gehen. Nach der doppelten Laufzeit treffen beide Spannungswellen am Trennschalter
aufeinander und erfahren dort eine neue Reflexion. Diese neuen Spannungswellen laufen
wiederum auf die jeweiligen Leitungsenden zu und überlagern sich später mit weiteren
Reflexionen.
Nachfolgend eine nochmalige, zusammengefaßte Darstellung (Bild 5.1.3.3.b) der

Spannungsüberhöhung:
t< 0
t> 0
Bild 5.1.3.3.b
Räumlicher Verlauf einer Wanderwellenreflexion
Trennschalter zeigen darüber hinaus in der Praxis bei Schalthandlungen Vor- und
Nachzündungen, die sich aus vielen Frequenzanteilen zusammensetzen. Teilweise werden die
erzeugten Wellen im Schalter und auf der Leitung gedämpft.
Durch Schalthandlungen auftretende Überspannungen stellen eine Überlagerung vieler nach
einem solchen Muster entstandener Reflexionen dar.
5.1.3.4 Zuschalten von Transformatoren
Beim Einschalten von Transformatoren fließt oft ein großer Einschaltstrom, der sofort abklingt.
Dieser Stromstoß verursacht Spannungseinbrüche sowie Netzstörungen und erfordert stärkere
Sicherungen als nötig.
Wird ein Transformator gegen Ende einer positiven Netzhalbschwingung ausgeschaltet, bleibt
sein Eisenkern in „positiver Richtung“ magnetisiert.
Diese Restmagnetisierung (Remanenz) bleibt im „Gedächtnis“ des Transformatoreisens beliebig
lange erhalten. Schaltet man diesen Transformator dann wieder zum Beginn einer positiven
Spannungshalbschwingung ein, wird sein Eisenkern durch das von der Netzspannung nun
aufgezwungene Magnetfeld - ausgehend von der positiven Remanenz - weiter in die magnetisch
positive Richtung bis zum Sättigungspunkt getrieben.
Das Weicheisen im Transformator läßt sich nicht beliebig stark magnetisieren, sondern nur bis
zum Grenzwert der Magnetflußdichte B (Induktion), bei dem der Eisenkern gesättigt ist. Dann
steigen Feldstärke und damit der aufgenommene Strom weiter an, aber nicht die Induktion. Der
Eisenkern hat infolgedessen plötzlich einen hohen Widerstand für die magnetischen Feldlinien,
so daß sich seine magnetische Leitfähigkeit reduziert. Am Ende dieser

Spannungshalbschwingung hat der Transformator durch die Sättigung seinen induktiven
Widerstand verloren. Es ist dann nur noch der wesentlich kleinere Kupferwiderstand der
Primärwicklung vorhanden. Dadurch wird dem Versorgungsnetz ein wesentlich größerer Strom
als im Normalbetrieb entnommen, der je nach Auslegung des Transformators dem 10 bis
100fachen Nennstrom - also eigentlich einem Kurzschluß - entspricht. Wird der Transformator
beim Einschalten entgegen seiner Remanenz durch die Netzspannung magnetisiert, entsteht nur
ein kleiner Einschaltstoßstrom, bei dem die Sicherung nicht auslöst.
Um diesen „inrush“-Effekt, das Hineintreiben des magnetischen Kreises eines Transformators in
seine Sättigung, zu begrenzen, wählt man dünnere und längere Wickeldrähte für die Wicklungen,
die dadurch hochohmiger werden. Damit ergibt sich aber ein schlechterer Wirkungsgrad.
Eine weitere Möglichkeit wäre die Verwendung eines Transformators mit geringer Remanenz.
Digital geregelte Transformator-Sanfteinschalter genügen den Anforderungen der EMV. Dies ist
mit allen konventionellen Methoden nicht möglich.
5.1.3.5 Das Schutzzonenkonzept
In der Norm IEC 61000-4 bzw. DIN VDE 0843 „Elektromagnetische Verträglichkeit von Meß-,
Steuer- und Regelungseinrichtungen der industriellen Prozeßtechnik“ wird ein Einsatzbereich
definiert (Tabelle 5.1.3.5). Dieser ist von der Störfestigkeit der einzelnen Betriebsmittel
abhängig. Es findet dort die Stördämpfung des Leitungsnetzes und der Umgebung gegen von
außen einwirkende Störfelder Berücksichtigung.
Level 1: gut EMV-geschützte Umgebung, z.B. Computerraum
Level 2: EMV-geschützte Umgebung, z.B. Terminalraum
Level 3: typische industrielle Umgebung, z.B. Schaltwarte
Level 4: rauhe, ungünstige industrielle Umgebung, z.B. Hochspannungsfeld,

Schweißmaschinen, Funkenerosionsmaschinen
Tabelle 5.1.3.5
Um die Schutzwirkungen der anderen Level zu nutzen kann es sinnvoll sein, die Zonen
ineinander zu verschachteln (Bild 5.1.3.5):
1 2 3 4
Bild 5.1.3.5
Verschachtelung der Schutzzonen
5.1.3.6 Netzverhalten bei Störsignalausbreitung
Die Ausbreitung von, in ein Energieversorgungsnetz eingekoppelten Störsignalen, wird durch die
HF-Impedanz ZN des Leitungsnetzes und die Dämpfungskonstante α im Leitungsnetz bestimmt
(vgl. [Gon92], S. 388f).
Gonschorek weist u.a. darauf hin, daß die Netzimpedanz unabhängig von der Betrachtungsweise
des Leitungssystems (symmetrisch/asymmetrisch, unsymmetrisch) näherungsweise durch eine,
mit dem HF-Wellenwiderstand des Leitungssystems parallel geschaltete, Induktivität
beschreibbar ist.
In diesem Zusammenhang sei daher auch auf [Gon92], S. 366 verwiesen. Der Autor erläutert
dort u.a. Begrifflichkeiten wie symmetrisch oder asymmetrisch im Einphasennetz.
Bild 5.1.3.6.a zeigt ein Meßbeispiel für den Frequenzgang einer unsymmetrischen
Netzimpedanz.
Bild 5.1.3.6.a
Die unsymmetrische Netzimpedanz verschiedener Länder
Der Frequenzganz der Netzimpedanz ist, wie bereits in Kapitel 3 erwähnt, eine Funktion welche
u.a. stark abhängig vom Kontinent oder dem Land, jedoch auch von der Region und dem
Gebäude ist. Daher sind obige Messbeispiele für die Praxis nur bedingt verwertbar.
Bild 5.1.3.6.b
Symmetrische und unsymmetrische Störspannungen
Betrachtet man die Dämpfungseigenschaften eines Energieversorgungsnetzes, so kann man nach

der symmetrischen Dämpfung für Störsignale zwischen Phase(n) und Nulleiter und der
asymmetrischen Dämpfung für Störsignale zwischen Phase und Erde unterscheiden (Bild
5.1.3.6.b). Bild 5.1.3.6.c zeigt ein Rechenbeispiel einer Laborgebäudeinstallation (siehe
[Gon92], S. 389). Die symmetrische Dämpfungskonstante ist dabei wesentlich höher als die
asymmetrische. Weiterhin nimmt sie mit der Frequenz zu und besitzt somit Tiefpaßcharakter.
Bild 5.1.3.6.c
Dämpfungswirkung eines Energieversorgungsnetzes (230 V)
mit αs = Dämpfung zwischen Phase und Nulleiter
und αas = Isolationsdämpfung
5.2 EMV-Probleme in der Digitaltechnik
5.2.1 Generelles
Bei allen nachfolgenden Betrachtungen gilt es zu beachten, daß die Störsicherheit eines
Bauelementes um so mehr abnimmt, je schneller das Element ist (vgl. [Pei90], S. 128); diese
Tendenz der Geschwindigkeitszunahme gewinnt unverkennbar an Bedeutung.
5.2.2 Digitale Schaltungen mit hohen Taktfrequenzen
Die Verwendung zunehmend höherer Frequenzen und damit verbundener, kleiner werdender
Wellenlängen in digitalen Schaltungen zwingen die Entwickler zu einer verstärkten
Berücksichtigung EMV relevanter Aspekte. Simulationen während des Boarddesigns sollen
daher die störenden Einflußfaktoren minimieren. Wie bereits angesprochen sinken die Kosten für
notwendige spätere Verbesserungen um so mehr, je früher dieser Prozeß im Design
berücksichtigt wird.
Es sind grundlegende bautechnische Gegebenheiten zu beachten, wie etwa das Verkürzen von
Signalleitungen, das Verbot des Parallelführens von Signal- und Versorgungsleitungen, das
möglichst nahe Plazieren eines Pufferkondensators an die Versorgungsleitung eines IC‘s oder
aber es sind konstruktive Überlegungen anzustellen, ob statt eines parallelen Busses auch eine
serielle Verbindung möglich ist, etc. Aber auch Diskontinuitäten auf Leiterbahnen oder nicht
optimierte Leitungsknicke können die Ausbreitung sehr hochfrequenter Signale beeinflussen
(z.B. Wirkleistungsverluste durch Abstrahlung oder Impulsverformungen durch Reflektionen).
Eine kurze, interessante Abhandlung zur Problematik zweier gekoppelter, nebeneinander

liegender Leiterbahnen findet sich bei [Pei90], S. 138. Dort wird ausgeführt, daß sich die
Wellenwiderstände zweier gekoppelter Leitungen von den Widerständen außerhalb der
Kopplung unterscheiden. Eine auf einer Leitung anlaufende Sprungspannung verursacht alleine
aufgrund dieser Situation eine Mehrfachreflexion und damit auch Überkopplungsspannungen auf
die benachbarten Leitungen.
Auch Ein- und Ausgangswiderstände der ICs sind meist nicht gleich dem Wellenwiderstand der
elektrisch langen Leitung. Es müssen daher separate Anpassungsnetzwerke unmittelbar an den
IC Ein- oder Ausgängen eingefügt werden, um einen Reflexionsfaktor nahe 0 zu erreichen.
Die traditionelle einlagige Platine hat bei den heutigen komplexeren Systemen so gut wie
ausgedient (man findet sie natürlich noch weiterhin z.B. in der Autoindustrie). Mulitlayer-
Platinen, mit fünf oder mehr Lagen sind heute kein Problem mehr. Aber auch diese Konzepte
bergen eine nicht zu unterschätzende Problematik, nämlich u.a. die impedanzmäßige Anpassung
der meist unterschiedlichen Signallagen der einzelnen Schichten, die bei der Verdrahung zu
beachten ist. Neben der direkten Abstrahlung von Störkomponenten, etwa durch die
Clockfrequenz und daraus abgeleitete Oberwellen, entstehen gerade auch durch
Leitungsreflexionen eine nicht unterhebliche Verbreiterung des abstrahlbaren und
beeinflussenden Frequenzspektrums.
Das Frequenzspektrum eines digitalen Rechteckimpulses zeigt eindeutig die zu

berücksichtigenden Frequenzanteile. Reflexionen und daraus resultierende Oberwellen
(Signalverzerrungen) verschieben die zu berücksichtigende Frequenzgrenze dabei noch weiter in
Richtung höherer Frequenzen.
Hinzu kommt, daß Verfälschungen von Logikfunktionen nicht unbedingt statischen Charakter
haben, also dauerhaft vorhanden sind. Sie treten mitunter sporadisch auf und sind u.a. auch
abhängig vom Zusammenwirken einzelner Netze. Eine Betrachtung und Verbesserung einer
einzelnen Komponente oder eines Systems, welches später in einem Verbund arbeiten soll,
genügt daher nicht.
5.2.3 Verbesserung der Störfestigkeit von Digitalen Schaltungen insbesondere bei

Mikroprozessoren
I. Elektromagnetische Abstrahlung
Zur Vermeidung von unzulässigen Emissionen bieten sich folgende allgemeine Maßnahmen an:
• Unnötige Flankensteilheiten, welche insbesondere auf Taktleitungen von µC-Systemen

entstehen, sind möglichst zu vermeiden. Oftmals ist in konkreten Applikationen eine
leichte Tiefpaßfilterung der oberwellenreichen Rechtecksignale gestattet.
• Quellen und Senken der Signalwege sind an den Wellenwiderstand der Leitungsbahnen
anzupassen. Insbesondere sind keine längeren, offenen Leitungen erlaubt. Dazu bieten
sich kleine Anpassungsnetzwerke an. Oftmals genügen auch Serienwiderstände mit
ungefähr 100Ω.
• Die Zahl der gemeinsam schaltenden Ausgänge sollte reduziert werden. Dadurch werden
starke Stromschwankungen auf den Versorgungsleitungen vermieden.
• Einige Mikrocontroller erlauben es, den Strom ihrer Treiberausgänge zu begrenzen.

Dadurch kann ein Überschwingen der Ausgangsspannung vermieden werden. Open-
Collector-Ausgänge eignen sich in gleichem Maße hierzu.
• Multilayer-Platinen sind ein- und zweiseitigen Platinen vorzuziehen. Die Versorgungs-

spannungen insbesondere GND erhalten eigene, großflächige kupferkaschierte Layer.
• Die Versorgungsspannungen digitaler ICs sind durch Kondensatoren zu puffern. Oftmals

bieten sich zwei oder mehr parallelgeschaltete Kondensatoren an, um einen breiten HF-
Bereich weitestgehend kurzzuschließen: z. B. 2,2...10µF Tantal + 100nF
Vielschichtkondensator.
Viele Maßnahmen zur Verringerung der gestrahlten Emission dienen auch der Erhöhung der
Störfestigkeit. Sie sollen im nachfolgenden Kapitel vorgestellt werden.
II. Elektromagnetische Störfestigkeit
Durch die hohen bis sehr hohen Taktfrequenzen heutiger Digitalschaltungen und den dadurch
immer kleiner werdenden Wellenlängen kommt der Reduzierung der (Gesamt-) Leitungslänge
zwischen den Schaltkreisen eine zentrale Bedeutung zu. Diese kann erreicht werden durch:
• Einsatz von dichtpackenden IC-Gehäuseformen (QFP, SOP, PLCC). Dadurch rücken die
Vcc- und GND-Pins näher zusammen als bei den schon etwas antiquierten DIP-
Gehäusen. Die Leitungslängen verkürzen sich und die Wirksamkeit von
Pufferkondensatoren erhöht sich. Kleine Gehäuseformen sind besonders für
Mikroprozessoren und -controller wichtig, da diese viele Versorgungspins haben.
• Wird keine Hochgeschwindigkeitskommunikation zwischen peripheren ICs und einem

Mikrocomputer gefordert, ist es besser, von einem parallelen zu einem seriellen Bus zu
wechseln. Ist ein paralleler Bus für einige periphere ICs erforderlich, sollten diese in der
unmittelbaren Nähe des Mikrocomputers plaziert werden. Weitere ICs sollten über einen
seriellen Bus verbunden werden (2 Systeme).
• Der intern verfügbare Speicher von Mikrocontrollern steigt Jahr für Jahr. Es ist dadurch
möglich, immer mehr Funktionen im internen Speicher zu realisieren. Dieser Speicher ist
einem externen Speicher vorzuziehen. Sollte die Kapazität des internen Speichers für die
Applikation nicht ausreichen, ist zu überlegen, ob nicht der Einsatz mehrerer Mikro-
controller angebracht ist.
• Die Wirksamkeit eines Pufferkondensators ist stark abhängig von seiner relativen Lage
zum IC. Die Leitungslänge des Vcc-Pins zum Pufferkondensator hat einen großen Einfluß
auf die Störunterdrückung. Es ist wichtig, IC-Gehäuse zu verwenden, die es gestatten, die
Leitungen so kurz wie möglich zu machen. Die Verbindung des Kondensators zu den
Versorgungspins sollte zudem möglichst gleich lang sein.
• Das Resetsignal hat bei einem Mikrocomputer die Aufgabe ihn zu initialisieren. Wenn
dafür ein kurzer Puls ähnlich eines Störimpulses benutzt wird, ist die Initialisierung
gefährdet. Wenn das Resetsignal und der Takt des Mikroprozessors synchronisiert sind,
kann auch ein Störimpuls auf der Clockleitung den µP außer Tritt bringen. Wenn sich
eine Störung auf die Leitung des Taktgenerators aufkoppelt, können diese Transienten
ebenfalls einen Mikrocomputer abstürzen lassen. Es ist deswegen unbedingt erforderlich
solche sensiblen Leitungen so kurz wie möglich auszuführen.
Oftmals ist es nicht möglich, Leitungslängen beliebig zu verkürzen. Die folgenden Punkte tragen
diesem Umstand Rechnung.
• Eine LED-Anzeige wird häufig weit entfernt von der digitalen Schaltung montiert. Durch
die lange Zuleitung entsteht zwangsläufig eine Antenne, welche Probleme verursachen
kann. In einem solchen Fall kann eine erhöhte Störunterdrückung erreicht werden, wenn
der Vorwiderstand nahe am Treiber (1-2cm) plaziert werden kann
• Wenn Eingangs- und/oder Ausgangsleitungen lang sind, empfiehlt es sich, sogenannte

Anpassungswiderstände in Serie zu schalten. Für gängiges Platinenmaterial (Pertinax)
sollte man 100Ω-Widerstände verwenden. 100Ω entspricht ungefähr dem
Leitungswellenwiderstand der Verbindung. Dies ist besonders wirksam gegen Störungen
von außerhalb und wenn die Zahl der gleichzeitig stattfindenden Zustandsänderungen
groß ist
• Leitungen mit hochfrequenten Signalen oder hohen Betriebsströmen müssen soweit wie
möglich von Taktoszillatoren und Signalleitungen, die sensibel gegenüber Störungen
sind, entfernt sein. Es versteht sich von selbst, daß diese zwei Arten von Leitungen nicht
parallel oder gekreuzt geführt werden dürfen. Bei einer zweiseitigen Platine sollte auf der
Rückseite eines Taktoszillators immer eine Massefläche vorgesehen werden
• In der Nähe eines Taktoszillators sollten nur stabile Signale geroutet werden. Eine
Möglichkeit liegt darin, die Nachbarpins des Takteinganges auf festes Potential (GND) zu
legen. In der Realität ist dies jedoch nicht immer gegeben. Verfügt man jedoch über freie
Ports, so sollten diese neben dem Clockeingang liegen, als Eingänge initialisiert und auf
festes Potential gezogen werden.
• Bei manchen Ein-Chip-Mikrocomputern liegen die Eingänge für die Systemuhr und den
Taktoszillator nebeneinander. Um Systemstörungen zu vermeiden, ist beim Layout sehr
sorgfältig vorzugehen.
• Die Versorgungsleitungen bei logischen Schaltungen sollten, wenn möglich, als Schleife
oder als Gitter ausgelegt werden (Bild 5.2.2.a). Masseschleifen sind im allgemeinen
unerwünscht, da durch den magnetischen Fluß Spannungen induziert werden können.
Diese Spannungen liegen in einem Bereich von 1 bis 10mV für die üblichen Frequenzen
von 50 bzw. 60Hz bei einer Schleifenfläche von 100cm². Dies ist jedoch weit weniger
als die 100mV bis 1V Störspannungen, welche durch die Gleichtaktimpedanz bewirkt
werden. Wenn eine Gitteranordnung nicht möglich ist, sollten zumindest die
Versorgungsleitungen parallel verlaufen (Bild 5.2.2.b).
Bild 5.2.2.a
Mögliche Routen der Versorgungsleitungen
Bild 5.2.2.b
Vorschlag zur Vermeidung von Störungen
• Zwei- und vierlagige Platinen haben gegenüber einseitigen Platinen im wesentlichen

zwei Vorteile. Zum ersten haben sie eine höhere Packungsdichte. Zum zweiten
ermöglichen sie eine einfache Implementierung von Störunterdrückungsmaßnahmen. Der
Vorteil von flächigen Versorgungslayern liegt mit in der größeren wirksamen Kapazität
gegen Masse. Masseflächen sind einzelnen Masseleitungen immer vorzuziehen, da große
Störungen auf den Versorgungsleitungen dadurch zu wesentlich kleineren Potentialunter-
schieden zwischen den Bauteilen führen.
5.3 Die EMV in der Automobiltechnik

(vgl. auch [Gon92] S. 398ff)
Kraftfahrzeuge sind aufgrund ihrer teilweise erheblichen Geschwindigkeiten als besonders

sicherheitsrelevant bezüglich der EMV einzustufen. Ein Ausfall bzw. eine Funktionsstörung,
z.B. der Zündung oder der ABS-Anlagen, dürfen nicht zur Gefahr für Fahrzeuginsassen oder
Dritte werden.
Das interne Stromversorgungssystem hat bezüglich der Hochfrequenzeigenschaften aber keinen
beliebig kleinen Innenwiderstand, was dazu führt, daß sich eingekoppelte, zeitharmonische und
transiente Signale in alle angeschlossenen Geräte fortpflanzen. Außerdem ist in Kraftfahrzeugen
die Einleiterverkabelung Stand der Technik, die, wie in Kapitel 2 beschrieben, zur galvanischen
Kopplung führt. Hierbei wird die Karosserie als gemeinsamer Rückleiter benutzt, was zu einer
„hohen“ induktiven Schleife führt.
Oft verfügen Fahrzeuge über Empfangs- und Sendeanlagen. Diese stellen für die elektronischen
und elektrischen Systeme eine besondere Herausforderung dar. Kommunikationseinrichtungen
der Ordnungs- und Hilfskräfte sowie Funktelefonsysteme strahlen eine Leistung von 5 bis 10
Watt in einem Frequenzbereich zwischen 1,8 und 1800 MHz ab. In bestimmten
Anwendungsbereichen sind auch Leistungen von 100 Watt und mehr (bis zu 750 Watt in
bestimmten Frequenzbereichen) möglich. Wenn dann noch unsachgemäß eingebaute
Hochwattverstärker oder der Austausch der konventionellen Zündanlage durch elektronische
Eigenbausysteme hinzukommen, wird oft die EMV-Konformität zunichte gemacht.
5.3.1 Beispiele für auftretende Belastungen
Alle elektronischen Bauelemente eines Fahrzeugs bedienen sich einer einzigen Spannungsquelle.
Kommt es zu kurzzeitigen Unterbrechungen, Spannungsschwankungen oder Überspannungen so
überträgt sich dieses auf alle angeschlossen Komponenten.
Bereits das Anlassen des Motors stellt für das System eine nicht unerhebliche Belastung dar.
Bild 5.3.1 verdeutlicht den Vorgang etwas genauer:
Bild 5.3.1
Die Auswirkungen des Starts eines Verbrennungs-
motors auf die Spannungsversorgung in einem Kfz
Weitergehende Beeinflussungen entstehen durch (vgl. [Gon92], S. 400):
• Auslösen von Sicherungen (man bedenke die nicht ganz unerheblich fließenden Ströme,
die aufgrund der hohen Leistungsansprüche bei niedriger Verbrauchsspannung entstehen)
• Zündaussetzer
• Einflüsse durch Starthilfe von außerhalb (Spannungsüberhöhungen)
• Einflüsse von abgeschalteten Gleichstrommotoren, die in der Folge als Generator wirken
können (Spannungsüberhöhungen)
• Wackelkontakte
• etc.
Gonschorek ([Gon92],S.401) verweist auch noch darauf, daß zusätzlich folgende Effekte
beachtet werden sollten:
1. Beeinflussungen durch Resonanzen in der Verkabelung
2. Überkopplungen in empfindliche Stomkreise sind durch die getrennte Verlegung von
„sensiblen“ Datenleitungen und Leitungen stark störender Kreise zu mildern.
5.3.2 Störaussendung von Kraftfahrzeugen (Fern-Entstörung)
In der VDE-Vorschrift 0879 Teil 1 ist die maximal zulässige Störaussendung eines
Kraftfahrzeugs festgelegt. Der Frequenzbereich, für den die zulässigen Funkstörfeldstärken
gemäß der Vorschrift einzuhalten sind, umfaßt 30 bis 250 MHz. Damit werden elektrische
Impulse, die u.a. durch Zünd- oder Schaltvorgänge erzeugt werden erfaßt. Die Messung der
Feldstärke beginnt in einem Abstand ≥ 10 m. Die Anforderungen an den Funktörmeßempfänger
und die Bedingungen für den Nachweis sind in der VDE 0876 Teil 1 und VDE 0877 Teil 2
festgelegt.
Alle an das Bordnetz des Kfz anzuschließenden Betriebsmittel müssen zusätzlich die Grenzwerte
der VDE 0875 einhalten.
Üblicherweise werden „Listenverfahren“ in der Automobilproduktion angewendet, d.h.: Wird

ein in ein Kfz einzubauendes Gerät mit einer Entstörkomponente gemäß Liste entstört, so kann
auf eine aufwendige Messung der Fern-Entstörung verzichtet werden (vgl. [Gon92], S. 403). Das
Auswahlkriterium zur Anwendung dieser Verfahrensweise beschränkt sich auf die Aufführung
eben dieser Geräte in besonderen Listen, die von Autoherstellern in Zusammenarbeit mit den
Zulieferern erstellt wurden.
5.3.3 Eigenentstörung
Die Eigenentstörung, der die VDE 0879 zugrunde liegt, befaßt sich mit der Entstörung aller
elektrischen und elektronischen Komponenten, damit diese im Fahrzeug installierte Funkanlagen
(Radio, Telefon) nicht stören oder beeinflussen. Im Gegensatz zur Fern-Entstörung werden hier
auch schmalbandigere Störsignale, wie sie durch Taktsignale entstehen können, mit einbezogen.
Die Einhaltung der Grenzwerte wird zweckmäßigerweise dadurch kontrolliert, daß für das Kurz-,
Mittel- und Langwellenspektrum die Spannung am Ende des Antennenkabels gemessen wird. Im
Ultrakurzwellenspektrum und im Spektrum mobiler Funksysteme muß das Ende des
Antennenkabels mit dem Wellenwiderstand abgeschlossen werden. Die über dem Widerstand
abfallende Spannung ist die zu bewertende Störspannung.
Für die Art des Funkstörspannungsmeßempfängers sei auch hier wieder auf die VDE 0876 Teil 1
verwiesen.
5.3.4 Umweltbedingte HF-Einstrahlungen
Die auf ein Fahrzeug einfallende elektromagnetische Strahlung kann vom Hersteller naturgemäß
nicht beeinflußt werden. Daher muß das Fahrzeug härtesten Anforderungen an die Störfestigkeit
genügen.
Eine ausführliche Grafik, welche die elektrische Feldstärke als Funktion des Abstandes für
verschiedene Funkdienste (Feststationen) wiedergibt, findet sich bei [Gon92], S. 406.
Zur Umwelt gehört auch die Vorbeifahrt an einem Auto, welches beispielsweise eine
Sendeleistung von 100 Watt abstrahlt. Die elektrische Feldstärke bezüglich des seitlichen
Abstandes verringert sich gemäß der Funktion in Bild 5.3.4 bei 14 MHz und einem Abstand von
80 cm über dem Boden:
Bild 5.3.4
Die Abnahme der elektrischen Feldstärke
in Abhängigkeit vom Senderabstand
In diesem Zusammenhang sind auch die hochfrequenten Abstrahlungen vom eigenen Fahrzeug
aus nicht zu vernachlässigen. Zum einen finden die Felder einen Weg in den
Fahrzeuginnenraum, inkl. Motorraum, (z.B. Öffnungen für Leitungsdurchführungen oder
Lüftungsschlitze) und zum anderen erzeugt der HF-Strom der Antenne, welcher über das
Fahrzeug fließt, ein störendes Magnetfeld.
Sollten Radar- oder Richtfunkstrecken in der Hauptstrahlrichtung durchfahren werden, so ist

eine mögliche Gefährdung von Fahrzeuginsassen und Fahrzeug nicht mehr auszuschließen. Für
die Fahrgastzelle kann durch die Karosserie kein Schutz erwartet werden, da der Faradaysche
Käfig nur für Blitzeinschläge angesetzt werden darf (für hochfrequente Felder gibt es, wie
bereits erwähnt, genügend Möglichkeiten den „Käfig“ zu durchdringen).
Einige Zahlenwerte sollen das Gefährdungspotential von Radar- oder Richtfunkstrecken
aufzeigen:
Eine runde Parabolantenne mit einem Durchmesser von 60 cm sendet bei 10 GHz mit einer
Leistung von 100 kW. Nach 24 m (vergl. Kapitel 4.7) werden Fernfeldbedingungen erreicht. Die
elektrische Feldstärke an dieser Stelle beträgt 9,1 kV/m. Da die Stärke des Feldes mit 1/r von der
Quelle abnimmt, ergibt sich in 240 m Entfernung eine Feldstärke von 1 kV/m (vgl. [Gon92], S.
409). Für das magnetische Feld ergibt sich, berechnet über den Wellenwiderstand des Fernfeldes
für den freien Raum: 24 A/m für den Übergangspunkt von Nah- zu Fernfeld, und für 240 m
Enfernung von der Quelle ergeben sich immer noch 2,7 A/m magnetische Feldstärke.
5.4 Elektromagnetische Felder und Bioorganismen
Nicht alle elektromagnetischen Felder sind für Bioorganismen nützlich. Im elektromagnetischen

Spektrum beginnt ab ca. 1015 Hz (ultraviolettes Licht) die ionisierende Wirkung der Strahlung.
Diese schlägt Elektronen aus der Atomhülle, wobei die entstehenden Ionen chemische
Reaktionen bewirken. Beim Menschen kommt es zur einer Bräunung der Haut, aber auch zu
Hautkrebs.
Allseits geschätzt wird die Mikrowellenerwärmung von Speisen und Getränken. Die Erwärmung
beruht auf der Ausrichtung von polaren Molekülen im Mikrowellenfeld (vor allem
Wassermoleküle). Die daraus entstehenden dielektrischen Verluste erhöhen die kinetische
Energie der Moleküle, d.h. die Dipole werden um ihre Ruhelage ausgelenkt, was eine
Wärmezunahme bedeutet. Eine Gleichmäßigkeit der Erwärmung ergibt sich aus der Weitergabe
der erhöhten Stoßenergie der erregten Dipole an die sie umgebenden Moleküle.
Extrem hohe Feldstärken unterhalb 1015 Hz lassen beim Menschen Effekte, wie
Hochfrequenzverbrennungen und Magnetophosphene (Flimmern der Augen), erkennen.
An den Auswirkungen von Langzeitaussetzungen mit kleineren Feldstärken wird noch geforscht.
Bisher sind schädigende Wirkungen über die Versuchszeiträume nicht nachgewiesen worden.
Magnetische Felder stehen im Verdacht, die Melatoninproduktion, ein Hormon, das als
krebsverhindernd eingestuft wird, während der Schlafphasen zu verringern. Am
Humanbiologischen Institut der Technischen Universität Braunschweig wurde bereits 1991
nachgewiesen, daß durch die Einwirkung magnetischer Felder auf bereits vorhandene
Krebszellen eine Wachstumsbeschleunigung eintritt. Sie können auch die Kaliumschranke im
Gehirn verändern, was eine Änderung der Kaliumkonzentration im Gehirn zur Folge hat, die
ohne die Einwirkungen eines Magnetfeldes selbst bei sportlichen Höchstleistungen u.ä. unter
normalen Umständen konstant bleibt. An der Universität von Saarbrücken wurde von Dr. Ulrich
Warnke auch eine Auswirkung von Magnetfeldern auf Kalzium nachgewiesen, welches für die
Funktionsfähigkeit einer Zelle entscheidend ist.
Positiv hervorzuheben sind u.a. die medizinischen Anwendungen. Dazu zählen die Diathermie
(griech. dia = durch) (Strahlungsdurchwärmung bei Rheuma) und die Therapie des Gliobastoms
(eines Tumors, der an der gleichen Stelle im Körper immer wieder entstehen kann). Das
Gliobastom wird durch Einpflanzung von Metallstreifen immer wieder zerstört, indem durch
äußere Felder die Metallstreifen stark erhitzt werden.
Gemäß der 26. Bundesimmissionsschutzverordnung (26. BImSchV) gelten für die elektrische
Feldstärke und magnetische Flußdichte folgende Grenzwerte:
Frequenz elektrische Feldstärke magnetische Flußdichte

50 Hz 5 kV/m (früher 20 kV/m) 100 µT (früher 5 mT)
16 2/3 Hz 10 kV/m 300 µT
Das Bundesverfassungsgericht (BVG) hält diese Werte für ausreichend. Damit sind sie
gerichtlich zur Zeit nicht anfechtbar (sofern nicht ein Beweis gegen die Ungefährlichkeit dieser
Werte vorliegt), d.h. werden sie nicht überschritten, so ist eine Klage gegen den Betrieb eines
„beanstandeten“ Gerätes nicht möglich.
Die in der Bundesrepublik herrschenden Grenzwerte ergeben sich aus dem Wissen, ab wann
Feldstärkepegel ein Gefahrenpotential darstellen. Von diesem Feldstärkepegel wird ein
Sicherheitsfaktor abgezogen. Die folgenden Grenzwerte wurden der VDE 0848-Vorschrift
entnommen und berücksichtigen nicht die Anwesenheit von Herzschrittmachern, Implantaten,
usw. Bei anwendungs-spezifischen Fragen ist auf jeden Fall das Studium dieser Vorschrift
ratsam.
Bild 5.4.a
Effektiv- und Spitzenwerte niederfrequenter elektrischer Feldstärken (unmittelbare Einwirkung)
Bild 5.4.b
Effektiv- und Spitzenwerte niederfrequenter magnetischer Feldstärken
(unmittelbare Einwirkung)
Bild 5.4.c
Effektivwerte hochfrequenter elektrischer Feldstärken
(über den Wellenwiderstand des Fernfeldes (377Ω) mit dem magnetischen Feld verbunden)
Bild 5.4.d
Effektivwerte hochfrequenter magnetischer Feldstärken (über Wellenwiderstand
des Fernfeldes (377Ω) mit dem elektrischen Feld verbunden)
Bild 5.4.e
Grenzwerte der hochfrequenten Leistungsflußdichte
Kapitel 6 – Simulations- und Messtechnik 87
KAPITEL 6, SIMULATIONS- UND MEßTECHNIK ........................................................................... 87

6.1 EINFÜHRUNG ............................................................................................................................... 88
6.2 PRÜFUNGSVORBEREITUNGEN ...................................................................................................... 88
6.3 DIE EIGENSTÖRFESTIGKEIT .......................................................................................................... 88
6.4 DIE FREMDSTÖRFESTIGKEIT ........................................................................................................ 88
6.4.1 Einkopplung ........................................................................................................................... 90
6.4.2 Energiereiche Überspannungen (Surge) ................................................................................. 96
6.4.3 Entladung statischer Elektrizität (ESD) .................................................................................. 97
6.4.4 EMB-Simulation mit E- und H-Feldern ............................................................................... 101
6.5 MESSUNG DER STÖREMISSIONEN............................................................................................... 104
6.5.1 Meßgrößen und -mittel ......................................................................................................... 105
6.5.2 Ermittlung leitungsgebundener Störgrößen .......................................................................... 105
6.5.3 Ermittlung feldgebundener Störgrößen ................................................................................ 107
Kapitel 6
Simulations- und Meßtechnik
1. Nennen Sie die Wege elektromagnetischer Kopplungen auf ein Betriebsmittel!

2. Wie wird der Nachweis der Eigenstörfestigkeit geführt?
3. Wie werden Störgrößen in ein Prüfobjekt eingekoppelt (über die Netzstromversorgung)?
4. Erklären Sie das Funktionsprinzip einer kapazitiven Koppelstrecke!
5. Was sind Bursts; wie sieht der Einzelimpuls, wie die Impulspakete aus?
6. Wodurch werden Bursts beschrieben?
7. Wie sind die Stirn-, Rücken, Anstiegs- und Rückenhalbwertszeit definiert?
8. Wozu wird ein Hybridgenerator benötigt und wie funtioniert er?
9. Was bezeichnet man als ESD und wie entsteht ESD?
10. Wodurch wird die Kurvenform der menschlichen Entladung bestimmt und wie sieht diese
Kurvenform aus?
12. Beschreiben Sie die Prinzipschaltung eines ESD-Simulators!
13. Nennen Sie 5 Gründe, warum man in einem ESD-Simulator ein Schaltrelais vorsieht!
14. Welche drei Prüfaufbauten für ESD-Tests gibt es?
15. Was gehört zur Ausrüstung eines Prüflabors für E- und H-Feldmessungen?
16. Was wird unter der Substitutionsmethode verstanden?
17. Beschreiben Sie einen typischen Meßvorgang!
18. Wie prüft man kleine Objekte (Kantenlänge bis 30 cm)?
19. Beschreiben Sie die Funktion und das Aussehen einer GTEM-Zelle!
20. Wie werden quasistatische Felder simuliert?
21. Was ist in einem Meßprotokoll alles festzuhalten?
22. Wie werden leitungsgebundene Störgrößen ermittelt?
23. Beschreiben Sie eine Messung von leitungsgebundenen Störgrößen mit Hilfe eines
HF-Stromwandlers!
24. Was ist der Antennenfaktor und wie ist er definiert?
25. Was bestimmt die Wahl des Antennentyps?
26. Wie sieht ein Freifeldmeßplatz, wie eine Absorberhalle zur Emissionsmessung aus?
27. Wie funktioniert die Störleistungsmessung bei einer Kabelstrecke?
6.1 Einführung
Mit Bezug auf Kapitel 1.1, wo die drei grundlegenden Störcharakteristika (Eigenstörfestigkeit
SE, Fremdstörfestigkeit SF und der Emissionsgrad E) behandelt wurden, sollen in dem nun
folgenden Kapitel diese Größen qualitativ und quantitativ ermittelt werden, um die Einhaltung
und Wirksamkeit festgelegter EMV-Maßnahmen zu überprüfen.
6.2 Prüfungsvorbereitungen
Bevor man mit den im Pflichtenheft vereinbarten Prüf- und Meßarbeiten beginnt, sind die
Umgebungsbedingungen zu überprüfen.
Empfohlen:
15 ... 35 0C Umgebungstemperatur
45 ... 75 % relative Luftfeuchte
86 ... 106 kPa Luftdruck.
Das zu prüfende Objekt ist im Labor im Abstand von 10 cm über einer Erdpotentialfläche,
welche an den Schutzleiter des versorgenden Netzes angeschlossen wird, anzuordnen. Diese
Fläche ist üblicherweise 0,25 mm starkes Kupfer bzw. Aluminium oder 0,65 mm starkes anderes
Metall. Sie muß mindestens eine räumliche Ausdehnung von 1 m x 1 m aufweisen und das
Prüfobjekt allseitig um 10 cm überragen.
Geräte, die als Auftischgeräte ausgewiesen sind, sind auf einem Holztisch (wegen der
elektrischen und magnetischen Neutralität des Holzes) aufzubauen, der das Gerät 0,8 m über die
Erdpotentialfläche bringt. Das Gerät ist gemäß den Anschlußbedingungen zu erden.
6.3 Die Eigenstörfestigkeit
Bei der Eigenstörfestigkeit finden alle geräteinternen, betriebsbedingten

Beeinflussungsmöglichkeiten Berücksichtigung. Beim Eigenstörfestigkeitsnachweis sind alle
störintensiven geräteinternen Störquellen aktiv. Der Nachweis erfolgt bei extremen
Temperaturwerten, da sich die Diodenschwellen der Halbleiterbauelemente mit der Temperatur
ändern. Während des Nachweises dürfen keine Fremdfelder das zu prüfende Gerät erreichen.
Generell müssen die Prüfbedingungen (Gerätefunktion, Prüfanordnung,
Umgebungsbedingungen) im Prüfbericht vermerkt sein.
6.4 Die Fremdstörfestigkeit
Bei der Prüfung der Fremdstörfestigkeit geht es darum, inwieweit von außen auf das Gerät
einwirkende Beeinflussungen Störungen der Gerätefunktion hervorrufen. Dazu erzeugt man mit
Prüfgeneratoren Störgrößen, die, wie in Bild 6.4 gezeigt, auf das Gerät einwirken. Dabei handelt
es sich um leitungs- und feldgebundene Störgrößen.
Bild 6.4
Wege elektromagnetischer Kopplungen
Bei der Prüfung der Fremdstörfestigkeit werden die einwirkenden Störgrößen schrittweise
erhöht, um zu ermitteln, ab wann die Gerätefunktionen beeinträchtigt werden. Wird im
Pflichtenheft (Gesetze oder Herstelleranforderungen) festgelegt, daß vereinbarte Prüfstörgrößen
einzuhalten sind, so sollte das zu prüfende Gerät unter diesen Bedingungen einwandfrei arbeiten.
Im folgenden werden die einzelnen Meßtechniken für die EMB-Simulationsverfahren (EMB =
elektromagnetische Beeinflussung) vorgestellt (Bild 6.4.a).
Bild 6.4.a
EMB-Simulationsverfahren
6.4.1 Einkopplung
6.4.1.1 Grundlagen der Störeinkopplung
Galvanisch gekoppelte Störgrößen werden in die Netzstromversorgung und in an das Gerät

angeschlossene Leitungen (z.B. Daten- und Steuerleitungen o.ä.) eingespeist. Dazu benötigt man
einen Störgrößensimulator und ein Koppelnetzwerk, um z.B. bei der Netzversorgung eine
genormte Netzimpedanz zu erhalten (vgl. Kapitel 3: Filter - Wirkungsprinzip und
Filterdämpfung). Dabei muß das Koppelnetzwerk nicht nur verhindern, daß die beaufschlagten
Störgrößen in das Netz eindringen, sondern auch die Erzeugung einer bestimmen Kurvenform
ermöglichen.
Da das Ankoppelnetzwerk für manche Frequenzen einen geringen Netzinnenwiderstand
simuliert, ist unbedingt durch Messung am Prüfling zu kontrollieren, ob die gewünschte
Kurvenform erzeugt worden ist.
Die Einkopplung für Netz- und Datenleitungen kann kapazitiv mittels Kondensatoren (Bild
6.4.1.1.a) oder induktiv mittels Transformatoren (Bild 6.4.1.1.b) erfolgen. Von der Verschaltung
dieser Bauelemente hängt es ab, ob damit Gleich- oder Gegentaktstörgrößen erzeugt werden.
Bild 6.4.1.1.a
Einkopplung von kapazitiven Gegentakt- (links) und Gleichtaktstörungen (rechts)
Bild 6.4.1.1.b
Einkopplung von induktiven Gegentakt- (links) und Gleichtaktstörungen (rechts)
Bei Netzleitungen werden folgende „Annomalitäten“ simuliert:
• Oberschwingungen
• Änderungen (z.B. bei 230 V im Bereich von -10 % bis +6 %)
• Absenkungen (z.B. bei 230 V 20 ms auf 50 % Restspannung)
• Unterbrechungen (z.B. 10 ms)
• Unsymmetrien
• überlagerte Signal- und HF-Spannungen
• transiente Überspannungen
• auch Frequenzabweichungen
Bei Prüfungen mit Netzspannungsabsenkungen oder -unterbrechungen wird der Störgenerator

ohne Ankoppelnetzwerk direkt an den Prüfling angeschlossen.
Bei der Störbeeinflussungsmessung von Steuer-, Daten- und Signalleitungen (transiente und
periodisch veränderte Gleich- und Gegentaktstörungen) müssen zur Gewährleistung der
Wiederholbarkeit Netzzuleitungsfilter die Fernhaltung der Netzstörgrößen ermöglichen.
Auch bei der Einkopplung von Störgrößen in Steuer-, Daten- und Signalleitungen sind
Ankoppelnetzwerke vorzusehen. Bei der direkten Einkopplung wird der Störgenerator direkt mit
den Ein- bzw. den Ausgängen des Prüflings verbunden. Eine Einkopplung asymmetrischer
Störspannungen wird mittels einer kapazitiven Koppelstrecke realisiert. Die Steuer-, Daten- und
Signalleitungen werden „durch einen Kondensator“ von ca. 50 pF bis 200 pF geführt. Zwischen
seine „Platten“ wird die Prüfspannung u(t) gelegt, die dann kapazitiv und induktiv (aufgrund des
durch den Kondensator fließenden Stroms) auf die Strecke einwirkt. Diese Methode ist auf
einzelne Leitungen ebenso anwendbar wie auf Leitungsbündel. Der große Vorteil der
kapazitiven Koppelstrecke ist, daß die Wirkung von Schutzmaßnahmen wie Abschirmung,
Massung, Erdung, Filterung usw. direkt überprüft werden kann.
Bild 6.4.1.1.c
Kapazitive Koppelstrecke
Die kapazitive und induktive Einkopplung entspricht z.B. der Situation parallelgeführter
Leitungen von Relaisspulen, die nicht nur wegen der sprunghaften Potentialänderung kapazitive
Beeinflussungen in anderen, parallel laufenden Leitungen hervorrufen, sondern vor allem durch
eine sprunghafte Änderung des di/dt oft Probleme durch induktive Einkopplung bereiten.
Bild 6.4.1.1.d
Typischer Prüfplatz mit kapazitiver Koppelstrecke
6.4.1.2 Simulation von ms-Impulsen

(Niederfrequenstörungen in Niederspannungsnetzen; vgl. [Schw91], S.306ff)
Wenn Schutzschalter den Strom durch Abschalten begrenzen (vgl. Kap 5.1.2.1), kommt es zu
einer (Spannungs-) Induktion, die von den elektrischen Betriebsmitteln verkraftet werden muß.
Üblicherweise werden Betriebsmittel in Starkstromanlagen mit Überspannungen auf
Durchschlag geprüft (Bild 6.4.1.2.a).
Bild 6.4.1.2.a
Idealisierter Spannungsimpuls zur Prüfung
der Überspannungsfestigkeit in Wechselstromnetzen
(siehe VDE 0160 S.12)
Wenn die Sicherheitsvorschriften bei einphasigen Geräten mit Erdung (Prüfling, Störsimulator
und Meßgerät) am Schutzleiter beachtet werden, gibt es keine unzulässig hohen
Berührungsspannungen an Gehäusen.
Gefahr durch Überspannungen droht dann, wenn beispielsweise bei zwei- oder dreiphasigen
Versorgungsleitungen erdfrei gemessen und geprüft werden muß. Hierfür ist ein Simulator mit
erdfreiem Ausgang zu verwenden (Bild 6.4.1.2.b). Würde zur Potentialtrennung ein
Trenntransformator vor den Störsimulator geschaltet, so wird bei diesem Überspannungstest die
zulässige Trennspannung überschritten. Dies führt zu einer Gefährdung von Personen und
Gerätschaften. Daher ist seine Verwendung in diesem Zusammenhang nicht gestattet (das
Simulatorgehäuse nähme dabei zu hohe Spannungen an).
Bild 6.4.1.2.b
Überspannungsprüfung an dreiphasigen Geräten
Auch ein kurzzeitiges Absenken der Betriebsspannung ist ein, von einem elektrischen Gerät zu
verkraftender, Einfluß. Gemäß VDE 0839 Teil 1 werden kurzzeitige Netzausfälle für eine
Halbschwingung (10 ms Dauer) bzw. Spannungseinbrüche für die Dauer einer Periode (20 ms)
auf 50 % der ursprünglichen Spannung simuliert.
6.4.1.3 Energiearme Überspannungen (Burst)
(vgl. [Sch91], S.308ff)
Breitbandige, energiearme Schaltspannungsstörungen werden als Burst bezeichnet. Sie entstehen

durch Abschaltüberspannungen von Relais- und Schützspulen bzw. generell durch Abschalten
induktiver Lasten und machen sich als Störimpulspakete auf Netz-, Daten und Signalleitungen
bemerkbar. Den genormten Verlauf findet man in der VDE 0843, Teil 4.
An dieser Stelle sei die ebenfalls genormte Blitzstoßspannung aus der
Hochspannungsprüftechnik nach IEC 469-1 anhand von Bild 6.4.1.3 erklärt, da der Einzelimpuls
eines Bursts den gleichen qualitativen Verlauf besitzt, bei allerdings unterschiedlichen
Zeitparametern (andere Antiegs- und Rückenhalbwertszeit). TR ist die Rückenhalbwertszeit, Ta
die Anstiegszeit von 10 % bis 90 % von umax. Die Anstiegszeit Ta ist nicht mit der Stirnzeit TS
geichzusetzen. Diese wird in Kapitel 6.4.1.4 erläutert.
In der rechten Bildhälfte sind drei Störimpulspakete (Burst) dargestellt. Die Burstperiode beträgt
300 ms, die Burstlänge 15 ms.
Bild 6.4.1.3
Burst-Einzelimpuls (links) und Impulspakete (rechts)
Anstiegszeit Ta: 5 ns ±30 %

Rückenhalbwertszeit TR: 50 ns ± 30 %
Burstperiode: 300 ms ± 20%
Burstlänge: 15ms ± 20%
Bursts (Störimpulspakete) sind durch die Eigenschaften

• Burstamplitude,
• Burstperiode und
• Burstlänge
beschrieben.
Für die Beanspruchung von Geräten mit Bursts werden folgende Prüfschärfegrade vereinbart
(Tabelle 6.4.1.3):
Prüfschärfegrade Prüfspannung auf Prüfspannung auf Impulswiederhol-
Versorgungsleitungen Datenleitungen frequenz
± 10% (Signalleitungen)
± 10%
1 0,5 kV 0,25 kV 5 kHz
2 1 kV 0,5 kV 5 kHz
3 2 kV 1 kV 5 kHz
4 4 kV 2 kV 2,5 kHz
x nach Vereinbarung nach Vereinbarung nach Vereinbarung
Tabelle 6.4.1.3
6.4.1.4 Definition von Kurvenformparametern
Bei der Verwendung von Kuvenformparametern ist der Bezug zu einer Normung zu beachten.
Dies gilt vor allem bei der Verwendung gleicher Abkürzungen. Auch ist zu beachten, daß
aufgrund von Toleranzen und sehr geringen zeitlichen Anteilen einer Größe manche
Zeitparamter einfach 1:1 ineinander umgerechnet werden auch wenn sie im Grunde genommen
unterschiedlich berechnet werden. (so z.B. Rückenzeit und Rückenhalbwertszeit; vgl. auch
[Sch91] S. 312f).
Dies sei hier anhand der beiden Normen IEC 60-2 und IEC 469-1 kurz erläutert.
In der IEC 60-2 (Bild 6.4.1.4.a) werden die Parameter Stirnzeit (TS) und Rückenzeit (TR)
verwandt. Durch die Punkte der Anstiegszeit von 30 % und 90 % von umax wird eine Gerade
gelegt. Legt man zur t-Achse im Abstand umax eine Parallele, so schneidet diese die Gerade
durch die 30 und 90 % - Werte. Dieser Schnittpunkt ist der 100-%-Punkt. Der Zeitunterschied,
der zwischen dem Schnittpunkt auf der t-Achse und dem 100-%-Punkt herrscht, wird als
Stirnzeit TS bezeichnet. Die Rückenzeit TR ist der Zeitunterschied vom Ausgangspunkt bis zu
dem Punkt der Kurve, welcher den 50-%-Wert unterschreitet.
Bild 6.4.1.4.a
Stirn- und Rückenzeit nach VDE 0433 und IEC 60-2
Übliche Zeitparameter sind:

• Blitzstoßspannung 1,2/50 (TS/TR in µ, ± 30 %)
• Schaltspannung 10/700 (TS/TR in µ, ± 30 %)
Die IEC 469-1 (Bild 6.4.1.4.b) verwendet dagegen die Parameter Anstiegszeit (Ta) und
Rückenhalbwertszeit (TR). Ta ist die Zeitdifferenz, die beim Impulsanstieg von 10 % bis 90 %
vergeht (prozentuale Berechnung von umax ausgehend). Als Rückenhalbwertszeit TR wird die
Zeitdifferenz bezeichnet, die zwischen dem ersten Überschreiten der 50 %-umax-Spannung bis
zum nächstmöglichen Unterschreiten der 50 %-umax-Spannung herrscht.
Bild 6.4.1.4.b
Anstiegszeit und Rückenhalbwertszeit nach IEC 469-1
6.4.2 Energiereiche Überspannungen (Surge)

(vgl. [Schw91, S. 312])
Breitbandige, energiereiche Überspannungen werden als Surge bezeichnet. Sie sind oft das
Ergebnis von Schalthandlungen auf Energieversorgungseinrichtungen (SEMP = switching
electromagnetic pulse) oder Auswirkungen eines LEMP (Lightning electromagnetic pulse), der
auf galvanischem oder induktivem Weg als Störgröße in Schaltungen eingekoppelt wird.
Die Anwendung der in Kapitel 3.3 angeführten Schutzmaßnahmen (Überspannungsableiter:
Zener-Dioden, Varistoren, Funkenstrecken) bedingt, daß in der Prüftechnik diesen
Gegebenheiten Rechnung getragen werden muß. Die Schutzmaßnahmen begrenzen eine hohe
Prüfspannung auf niedrige Werte, wodurch auch die Isolation, die in diesem Zusammenhang
ebenfalls geprüft werden soll kaum beansprucht wird. Daher muß am Prüfling mit einer hohen
Stoßspannung das Ansprechen der Überspannungsschutzeinrichtung und mit einem hohen Strom
das Verkraften von Ableitströmen simuliert werden.
Dieses "zweistufige" Verhalten wird durch die Verwendung eines Hybridgenerator erreicht
Da die verwendeten Stoßspannungen bereits erläutert wurden, zeigt die folgende Grafik (Bild
6.4.2.a) die Definition des verwendeten Kurzschlußstrom-Zeitverlaufes. Zu beachten sind hier
wiederum die unterschiedlichen Definitionen, je nach verwendeter Norm (dies sind jedoch nur
definitionsgemäße Unterschiede; die Impulsform ist wie bereits erwähnt die Gleiche bzw. sehr
ähnlich und die Prüfvorschriften laufen daher auf den gleichen Impuls hinaus).
Nach IEC 60-2 (linker Bildteil) bzw. IEC 469-1 (Bildmitte) und VDE 0846, Teil 11(rechter
Bildteil) gelten die folgenden Verläufe von Stirn- und Rückenzeit sowie die Anstiegszeit von
Stoßströmen:
Bild 6.4.2.a
Definitionen von Stirn- und Rückenzeit sowie der Anstiegszeit und Rückenhalbwertszeit von
Stoßströmen gemäß
IEC 60-2, VDE 0433 Teil3 IEC 469-1 VDE 0846, Teil 11
Übliche Zeitparameter sind:

• TS = 8 µs ± 20 %, TR = 20 µs ± 20 % gemäß VDE 0433, Teil 3 bzw. IEC 60-2
• Ta = 6,4 µs ± 20 %, TR = 16 µs ± 20 % gemäß IEC 469-1.
Der Hybridgenerator ist gemäß folgendem Prinzipschaltbild (Bild 6.4.2.b) aufgebaut:
Bild 6.4.2.b
Prinzipschaltung eines Hybridgenerators
Je nach verwendeter Leerlaufspannung stehen gemäß IEC 801-5 Norm folgende

Prüfschärfegrade (Tabelle 6.4.2) zur Diskussion:
Prüfschärfe- Leerlaufspannung in kV
grad ± 10 %
1 0,5
2 1,0
3 2,0
4 4,0
x Nach Vereinbarung
Tabelle 6.4.2
6.4.3 Entladung statischer Elektrizität (ESD)

(Hier sei auch auf [Gon92], S.100ff verwiesen. Es finden sich dort zahlreiche Diagramme und
Erläuterungen.)
Entladungen statischer Elektrizität können auf elektronische Systeme eine zerstörerische

Wirkung ausüben. Die Ursache der elektrostatischen Aufladung ist der triboelektrische Effekt.
Dabei tritt bei Reibung nichtleitender Materialien eine Ladungstrennung auf. Die so aufgebaute
Ladung entlädt sich z.B. bei der Annäherung des nichtleitenden, geladenen Körpers an ein
leitendes Material und es entsteht ein ESD-Funken (ESD = electrostatic discharge). Ein
bekanntes Beispiel ist die Entladung des Menschen nach dem Begehen von Teppichböden im
Büro durch das anschließende Berühren der Türklinke bzw. des Treppengeländers.
Die Stromanstiegszeit der menschlichen Entladung liegt im Bereich unter 1 ns. Die Kurvenform
des Entladungsstromes entspricht folgendem Verlauf (Bild 6.4.3.a):
Bild 6.4.3.a
Kurvenform des menschlichen Entladestromes (H: Hand; B: Body)
Dabei zeigen sich in der Kurve zwei Maxima, ein Umstand, der durch die Anatomie des
menschlichen Körpers (Bild 6.4.3.b) bedingt ist:
Bild 6.4.3.b
Die „elektrische Körperanatomie“ eines Menschen
Durch die sogenannte Handkapazität CH geht ein kleiner Teil der Gesamtentladung des Körpers
sehr schnell auf das Entladeobjekt über. Dies bedingt einen kurzen, nicht sehr energiereichen,
aber sehr steilen Impuls mit sehr hohen Frequenzanteilen. Auf solche Impulse reagieren schnelle,
moderne Elektroniken oft sehr sensibel. Erst im zweiten Maximum entlädt sich der Hauptanteil
der Körperkapazität CB, wobei der Stromanstieg durch die Induktivität der Hand (LH) behindert,
d.h. verzögert wird.
Eine Entladung erfolgt bei der Luftentladung durch Annäherung einer geladenen
Simulatorspitze. Hierbei besteht jedoch eine Abhängigkeitkeit von den Umgebungsbedingungen
(Luftdruck, Feuchtigkeit etc.) welche zu unterschiedlichen Entladungsfunktionen führen.
Bei der jederzeit reproduzierbaren Kontaktentladung wird dagegen eine ungeladene
Simulatorspitze mit einem Relais gekoppelt. Durch das Relais kommt es zu einer
Funkenentladung, welche von der Spitze zum Objekt gelangt. Dies wird im nächsten Kapitel
genauer erläutert.
6.4.3.1 Prüfschaltungen für ESD-Tests
Simuliert werden ESD-Tests durch das Entladen eines Hochspannungskondensators über einen
definierten Entladewiderstand.
Bild 6.4.3.1
Prinzipschaltung eines ESD-Simulators
Von einer variablen Gleichspannungsquelle aus kann die Kapazität CB mit positiver oder
negativer Polarität auf einen wählbaren Spannungswert zwischen 0 und 30 kV über einen
Ladewiderstand Rcharge aufgeladen werden. Dieser Widerstand wird sehr hochohmig (ca. 100 M
Ω) bemessen, da er den sich bei der nachfolgenden Entladung über RD (D = discharge)
ergebenden Stromverlauf nicht beeinflussen soll. RD sollte zur Simulation von
Körperentladungen kleiner als 1 kΩ, für Kleinmöbelentladungen (von der Stirnzeit her sehr
gefährlich) zwischen 10 und 50 Ω gewählt werden, um den Verlauf des Entladestroms von Ta =
5 ns und TR = 30 ns gemäß VDE 0846 (jeweils ± 30 % Abweichung erlaubt) zu realisieren. Noch
sieht die VDE 0846 RD mit 330 Ω, bzw. VDE 0843 RD mit 150 Ω vor.
Als Schaltrelais, welches zur Erzeugung reproduzierbarer Entladestromverläufe benötigt wird,
verwendet man üblicherweise H2- oder SF6-gefüllte Druckgasrelais, aber oft auch Vakuumrelais,
die jedoch wegen ihres Kontaktprellens weniger geeignet sind.
Folgende Problemstellungen ergeben sich bei Luftentladung:
1. Die Entladungsstromkurve des Impulses würde stark schwanken; die nach Fourier im
Impuls enthaltenen Frequenzanteile könnten sehr stark differieren .
2. Der Entladestrom ist in seiner Impulsform von der Annäherungsgeschwindigkeit des
Simulators an das Entladungsmaterial abhängig.
3. Der Entladewiderstand RD könnte zu gering sein, da die menschliche Haut einen hohen
Übergangswiderstand haben kann.
4. Luftfeuchtigkeit, Temperatur und Staubbelastung im Testlabor könnten das Testergebnis
stark verfälschen.
5. Die gewählte Entladestromkurve würde nicht mit der realen Anwendung der menschlichen
Entladung übereinstimmen.
Nach VDE 0843 sind die nachfolgenden Prüfschärfen festgelegt (Tabelle 6.4.3.1):
Prüfschärfe- Ladespannung U [kV] ± 10 % Ladespannung U [kV] ± 10 %
grad
Kontakt-Entladung Luft-Entladung
1 2 2
2 4 4
3 6 8
4 8 15
Tabelle 6.4.3.1
6.4.3.2 Prüfverfahren für ESD-Tests
Das Bild 6.3.3.2 zeigt die Meßaufbauten, die bei ESD-Tests Verwendung finden. Die in Bild
6.3.3.1 gezeigte Schaltung zur Erzeugung des Prüfstroms ist (ohne die variable Spannungsquelle,
die sich im Netzteil befindet) in der Prüfpistole eingebaut. Die Prüfpistole ist an ein Netzteil
angeschlossen, welches alle durch die Pistole verursachten Störgrößen auskoppelt und somit
keine Netzrückwirkungen zuläßt.
Das Prüfobjekt ist wie in Bild 6.4.3.2 aufzustellen, wobei unbedingt die Ausführungen in Kapitel
6.2 (Prüfungsvorbereitungen), nicht zuletzt wegen der Erdungsverhältnisse und der
Abmessungen der einzelnen Gegenstände, zu beachten sind. Zusätzlich muß hier bei
Desktopgeräten (Tischgeräten) eine horizontale Koppelplatte auf den Holztisch gelegt werden,
die über einen Widerstand (2*470 kΩ in Reihe; u.a. für Schutz des Generators und Begrenzung
des Stroms (Spitzenabbau)) geerdet wird und das Gerät allseitig mindestens 10 cm in der Fläche
überragt.
Bild 6.4.3.2
Prüfaufbau für ESD-Tests
Bei Geräten mit Metallgehäusen wird eine Kontaktentladung durchgeführt. Die Prüfspitze der
Prüfpistole wird direkt auf der Gehäuseoberfläche aufgesetzt und 10 Einzelentladungen im
Abstand von einer Sekunde auf das Prüfobjekt (equipment under test = EUT) abgegeben.
Die Prüfspitze kann dabei an allen Orten aufgesetzt werden, die dem Bediener und dem
Servicepersonal zugänglich sind.
Mit der im mittleren Teil des Bildes 6.4.3.2 vorgestellten Prüfmöglichkeit wird ein Gerät auf
indirekte Kontaktentladung geprüft. Gemeint ist damit eine Entladung in unmittelbarer Nähe des
Prüflings. Die dabei verwendete vertikale Koppelplatte ist über einen Widerstand geerdet. Eine
Entladung auf diese Koppelplatte hat eine zur Erdung hinlaufende Spannungswelle zur Folge.
Der Entladestrom hat hierbei keine Auswirkungen, da er über die Koppelplatte großflächig
abfließt.
Durch die im rechten Teil des Bildes 6.4.3.2 gezeigte Entladungsmöglichkeit werden Geräte mit
Schutzisolierung und isolierte, nicht leitende Gehäuseteile und Bedienelemente getestet, wobei
die Prüfspitze der Prüfpistole von Hand dem EUT (Equipment under test) langsam angenähert
wird, bis es zu einer Luftentladung kommt.
Die bis hierher erwähnten Prüfverfahren finden in einem Prüflabor Anwendung. Zusätzlich
werden ESD-Messungen auch am Betriebsort eines Gerätes durchgeführt, wobei ohne leitende
Bezugsfläche durchgeprüft wird. Eine Gewährleistung realitätsnaher Aussagen ist damit
möglich.
6.4.4 EMB-Simulation mit E- und H-Feldern
6.4.4.1 Simulation elektromagnetischer Wellen (continouswaves gestrahlt)
Feldgebundene elektromagnetische Wellen treten als Störgrößen, verursacht durch HF-

Einrichtungen, wie Rundfunk, Fernsehen, Sprechfunk, medizinische Geräte usw., auf. Dabei
können Feldstärkewerte bis mehrere 100 V/m auftreten, wobei sich das Frequenzspektrum bis in
den Gigaherzbereich erstreckt.
Prüfschärfegrad E-Feld [V/m]

1 1
2 3
3 10
nach Vereinbarung nach Vereinbarung
Tabelle 6.4.4.1
Zur Überprüfung der Störfestigkeit für entsprechende Anforderungen müssen grundsätzlich

Prüfungen in geschirmten Räumen durchgeführt werden, um Funkstörungen auszuschließen und
das Meßequipment/Meßpersonal vor HF-Feldern zu schützen.
Zur Ausrüstung eines solchen Prüflabors gehören HF-Generatoren (1) mit einem Frequenzgang
von 80 MHz bis 1000 MHz (früher 26 MHz bis 500 MHz, dazwischen 26 MHz bis 1000 MHz),
Leistungsverstärker (2) zur Speisung der Sendeantennen (3) und (4) und ein
Feldstärkenmeßgerät (5) mit einem Feldsensor (6), der in nächster Nähe des EUT (7)
aufzustellen ist:
Bild 6.4.4.1.a
Prinzipanordnung zur Störfestigkeitsmessung
bei elektromagnetischen Feldern
Für Messungen wird das EUT 1 m bzw. 3 m oder 10 m entfernt von der Sendeantenne in die
Raummitte gestellt, wobei Desktopgeräte auf einen drehbaren Holztisch und Schrankgeräte
isoliert auf den Boden gestellt werden.
Daraufhin werden mit vorher festgelegten Feldstärkewerten die geforderten Frequenzbereiche
(laut internationalen Richtlinien 1 MHz bis 27 MHz sowie 500 MHz bis 1 GHz) mit einer
Geschwindigkeit von 1,5 ⋅ 10-3 Dekaden je Sekunde für die Durchstimmung durchlaufen. Mit
der Neufassung der IEC-Publikation 801-3 werden auch modulierte Trägerwellen zur
Störfestigkeitsmessung herangezogen (IEC 801-3: Modulation mit 80 % Hub).
Um bei einer solchen Messung für alle Meßfrequenzen einen linearen Frequenzgang der
elektromagnetischen Wellen am EUT zu gewährleisten, müssen Verstärkungsschwankungen,
verursacht durch Nichtlinearitäten der Verstärker, der Übertragungsstrecke, Reflexionen im
Meßraum usw. kompensiert werden.
Dies erreicht man in einem „closed-loop-Betrieb“, d.h. einer geschlossenen Regelstrecke. Der
Signalverstärker erhält hier entweder durch ein am Prüfling aufgestelltes Feldstärkemeßgerät ein
Signal, welches ihm erlaubt die Verstärkung nachzuregeln, oder aber durch einen Richtkoppler,
der mit einer getrennten Messung an der Sendeantenne die zur Antenne fließende Leistung und
die von der Antenne rücklaufende Leistung mißt. Der Unterschied beider Meßgrößen ist ein Maß
für die von der Antenne abgestrahlte Leistung.
Nach einem Normvorschlag (IEC 801-3, draft 6) werden in einer Fläche von 1,5 m x 1,5 m an 16
festgelegten Punkten die dort herrschenden Feldstärkewerte ermittelt, wobei 75 % der Punkte
(12 Meßpunkte) einen bestimmten Feldstärkewertebereich (0 dB ... +6 dB) weder unter- noch
überschreiten dürfen. Bei unterschiedlichen Frequenzen sind lediglich die Bedingungen
einzuhalten, daß in 12 Meßpunkten eine Abweichung der Feldstärkewerte zwischen 0 dB und +6
dB auftritt. Welche Punkte das sind, ist gleichgültig.
Um diese geforderten Bedingungen einzuhalten, sieht der Normenvorschlag die
Substitutionsmethode vor. In die zu untersuchende Fläche, die sich vor der Front des EUT
befindet, wird ein 1,5 m x 1,5 m breiter Rahmen gestellt, in dem sich die 16 zu prüfenden Punkte
befinden (uniform area). Die Feldstärkewerte in den 16 Punkten werden ohne die Anwesenheit
des EUT bei der Einstrahlung der geforderten Meßwerte aufgenommen. Die Idee ist die
Schaffung von homogenen, vorher bekannten Feldbedingungen am EUT (keine Reflexionen
etc.). Danach wird das EUT auf den vorgesehenen Platz gestellt und die Störfestigkeit geprüft.
Um kleinere Prüfobjekte (Kantenlänge bis ca. 30 cm) zu testen, ist auch ein weniger
aufwendiges Prüffeld (Bild 6.4.4.1.b) verwendbar:
Bild 6.4.4.1.b
Offener Wellenleiter
Das zu prüfende Objekt wird räumlich zentriert zwischen die beiden Streifenleiter gestellt.
Eine oft verwendete Bauausführung hat einen Abstand d und eine Breite (hier nicht
eingezeichnet) von 80 cm (vgl. [Hab98], S. 160) bei einem Leitungswellenwiderstand Z0 = 50 Ω.
Weitet man einen Wellenleiter impedanzrichtig auf, d.h. der Leitungswellenwiderstand bleibt
vom Einspeisungspunkt bis um Abschlußwiderstand konstant, so stellt sich zwischen Hin- und
Rückleiter ein homogenes, quasistatisches elektrisches Feld ein (jedoch nur bis zu einer
bestimmten Grenzfrequenz). Die elektrische Feldstärke kann hierbei mittels der Gleichung
E=U/d
berechnet werden.
Wird die der Leitung beaufschlagte Frequenz soweit erhöht, daß λ << Länge der aufgeweiteten
Leitung bzw. λ >> Breite der aufgeweiteten Leitung ist, so breiten sich von der Einspeisung zum
Abschlußwiderstand zwischen den Leitern elektromagnetische Wellen mit transversalen
Charakter aus. Solange dieser Charakter erhalten bleibt, ist es weiterhin möglich die elektr.
Feldstärke gemäß obiger Gleichung zu berechnen. Bei weiterer Erhöhung der Frequenz verliert
sich das transversale Verhalten.
Ein weiteres Mittel zur Erzeugung von gekoppelten transversalen E- und H-Feldern und
quasistatischen elektrischen Feldern ist die [G]TEM-Zelle ([Gigahertz]-Transverse-
Electromagnetic-Cell), mit der sowohl Störemissions- als auch Störimmisionsmessungen
durchgeführt werden können.
GTEM-Zellen (Bild. 6.4.4.1.c) weiten ein angeschlossenes Kabel wellenimpedanzseitig und
breitbandig angepaßt auf. Der expandierte Raum wird am gegenüberliegenden Ende der
Einspeisung mit Absorbern ausgekleidet, die bei hohen Frequenzen den impedanzrichtigen
Abschluß gewährleisten, um Reflexionen auszuschließen. Das Widerstandsnetzwerk übernimmt
diese Aufgabe für niedrige Frequenzen.
Das EUT (equipment under test) darf nur 1/3 der Septumhöhe vom Boden ab gemessen
erreichen. Das Septum ist der innere Leiter, der mit dem Widerstandsnetz verbunden ist. (vgl.
[Hab98], S.160f; [Sch91], S. 335f)
Bild 6.4.4.1.c
GTEM-Meßzelle
6.4.4.2 Simulation von Magnetfeldbeanspruchungen

(vgl. [Hab98], S. 158f)
Bei der Überprüfung der Störfestigkeit gegenüber magnetischen Feldern im Frequenzbereich von
30 Hz bis 3 MHz wird ein Prüfobjekt über spezielle Spulenanordnungen Magnetfeldern
ausgesetzt. Bild 6.4.4.2 zeigt eine Anordnung zur Überprüfung von Elektronikschränken, bei
der das EUT (Equipment under test) im Abstand von 0,1 m isoliert über einer metallischen
Erdpotentialfläche steht und von drei einlagigen Spulen, deren Achsen orthogonal zueinander
ausgerichtet sind, umgeben ist. Das EUT kann somit einem genau definierbaren magnetischen
Feld ausgesetzt werden. Die Spulenweiten müssen so groß sein, daß der Abstand Spulenleiter -
Gehäuse mindestens 20 % einer Spulenseitenlänge beträgt.
Bild 6.4.4.2
Prüfanordnung zur Überprüfung von
Objekten mit magnetischen Feldern
6.5 Messung der Störemissionen
Bei der Messung von Störemissionen ist das Ziel, zu erfahren, inwieweit eine von einem Störer
beeinflußte Umgebung mit Störenergie belastet ist bzw. ob ein festgelegter Störgrenzwert
eingehalten wird.
Die ermittelten Werte einer solchen Messung sind aus Gründen der Reproduzierbarkeit zu
dokumentieren. In einem Meßprotokoll ist festzuhalten:
• die Höhe der Meßwerte

• die genaue Bezeichnung des Meßobjekts
• dessen Betriebsart
• die benutzten Meßmittel und Geräte
• die zugrundegelegten Meßvorschriften
• Name und Datum der messenden Person(en)
• Informationen über die Meßbedingungen.
6.5.1 Meßgrößen und -mittel
Die von einem Störer mit durchschnittlichen Abmessungen emittierten Störgrößen breiten sich
im Frequenzbereich bis ca. 30 MHz (λ0 = 10 m) leitungsgebunden, darüber feldgebunden aus.
Die zu messenden Störgrößen müssen zur Erfassung in eine proportionale Meßspannung
umgesetzt werden, die dann einem Spektralanalysator oder Meßempfänger zugeführt wird.
Diese Auswertungseinheiten zeigen zur besseren Beurteilung des Meßergebnisses verschiedene

Darstellungsformen (Mittelwert, Spitzenwert, Quasispitzenwert oder Effektivwert) des in der
Auswertungseinheit erzeugten gleichgerichteten Meßwertes an.
6.5.2 Ermittlung leitungsgebundener Störgrößen

(vgl. [Hab98], S.166 ff)
Leitungsgebundene Störgrößen werden durch Messung einer, an einem vordefinierten

Widerstand, abfallenden Störspannung gemessen. Hierzu wird z.B. am Netzanschluß des
Prüfobjektes eine Netznachbildung zugeschaltet. Dieser kommt dabei die Aufgabe zu, einen
definierten Netzinnenwiderstand (vgl. Kapitel 3.1) bereitzustellen und etwaige auftretende
Störgrößen nicht in das speisende Netz abfließen zu lassen.
Die genaue Struktur der Netznachbildungen zur Messung symmetrischer, unsymmetrischer und
asymmetrischer Störspannungen entnimmt man der Vorschrift VDE 0876.
Das folgende Beispiel zeigt eine Netznachbildung (Bild 6.5.2.a), die als Tiefpaß auftretende
Störspannungen vom speisenden Netz fernhält. Die Störströme Ist1 und Ist2 werden über CK
einer vorbestimmten Netzimpedanz ZN zugeführt, die in der rechten Bildhälfte explizit
aufgeführt ist. Der über die Netzimpedanz ZN zugeschaltete 50 Ω - Widerstand wird durch den
Eingangswiderstand des anzuschließenden Meßsystems verursacht.
Bild 6.5.2.a
Beispiel zur Messung einer unsymmetrischen Störspannung
mit Hilfe einer Netznachbildung und einer Störspannungsauskopplung
Wird eine direkte Messung von Störströmen (IST) gewünscht, so geschieht dies über einen HF-
Stromwandler (Stromwandlerkern mit Hochfrequenzeigenschaften; magnetisch gut leitender
Ringkern; Bild 6.5.2.b). Ein zwischen die Versorgungsleitung geschalteter Kondensator dient
zum niederohmigen Kurzschließen für den hochfrequenten Störstrom aus dem EUT sowie für
hochfrequente Störstörme aus dem Netz.Über den Wandler kann der Störstrom in eine Spannung
gewandelt werden, die dann einer Auswerteinheit zugeführt wird.
Mit Hilfe des Übertragungsfaktors ZW des Wandlers ist ein Rückschluß auf IST möglich:
IST = UI/ZW
Mit bekanntem IST läßst sich die an ZN abfallende Störspannung UST ermitteln.
Bild 6.5.2.b
Messung mit HF-Stromwandler
Auch bei der Messung von leitungsgebundenen Störgrößen müssen bestimmte geometrische
Anordnungen der Prüf- und Meßmittel gewährleistet sein (Bild 6.5.2.c):
Bild 6.5.2.c
Meßaufbau zur Messung leitungsgebundender Störgrößen
6.5.3 Ermittlung feldgebundener Störgrößen
In Kapitel 4 wurde der Begriff des elektromagnetischen Feldes eingeführt und erklärt. Im
Nahfeld sind elektrisches und magnetisches Feld über unterschiedliche Widerstandsverhältnisse
miteinander verbunden. Im elektromagnetischen Fernfeld sind die beiden Feldarten dagegen über
den einheitlichen Feldwellenwiderstand (377 Ω) miteinander verbunden.
Elektrische und magnetische Felder werden zur Ermittlung ihrer Feldstärke mit Hilfe von
Antennen analysiert. Dabei bewirkt ein auf die Antenne einwirkendes Feld eine am
Antennenausgang anliegende, dem erregenden Feld proportionale Spannung. Diese wird
anschließend von einem Meßempfänger ausgewertet.
Gemäß den in Kapitel 4 angestellten Überlegungen ist es möglich, bei der Messung eines
elektrischen Nahfeldes die dazugehörige magnetische Komponente zu berechnen. Im Fernfeld
können entweder elektrisches oder magnetisches Feld gemessen und über den
Feldwellenwiderstand ineinander umgerechnet werden.
Geprüft und gemessen werden alle Felder mit horizontaler und vertikaler Polarisation.
Den Zusammenhang zwischen dem auf die Antenne einwirkenden Feld und der am
Antennenausgang anliegenden proportionalen Spannung beschreibt der Antennenfaktor AF.
Für eine Antenne (linke Bildhälfte von Bild 6.5.3.a), die eine dem elektrischen Feld
proportionale Spannung abgibt, gilt:
Est Est
AFE = und in logarithmischer Form: AFE dB = 20 ⋅ lg
U st U st
Für eine Antenne (rechte Bildhälfte von Bild 6.5.3.a), die eine dem magnetischen Feld
proportionale Spannung abgibt, gilt:
H st H st
AFH = und in logarithmischer Form: AFH dB = 20 ⋅ lg
U st U st
Die Parameter AFE und AFH sind frequenzabhängige Proportionalitätsfunktionen, die als
Kalibrierkurve der betreffenden Antenne beigefügt werden. Da im Nahfeld die elektrische
Feldstärke zwei Komponenten aufweist und magnetisches und elektrisches Feld nicht über einen
konstanten Widerstandswert zusammenhängen, gelten für das Nah- und Fernfeld verschiedene
AF-Kurven.
Bild 6.5.3.a
Schematische Antennen für E- und H-Feld
Die Wahl verschiedener Antennentypen wird durch folgende Faktoren bestimmt:

• Art des Feldes
• Störniveau
• Frequenzbereich und
• Meßplatzverhältnisse
Zur Emissionsmessung können entweder Messungen auf einem Freifeldmeßplatz (linke

Bildhälfte von Bild 6.5.3.b; d = 10 m) oder in einer reflexionsarmen Meßhalle (rechte Bildhälfte
von Bild 6.5.3.b) durchgeführt werden.
Bild 6.5.3.b
Freifeldmeßplatz und reflexionsarme Absorberhalle zur Emissionsmessung
Innerhalb der eingezeichneten Ellipse darf der Freifeldmeßplatz keine reflektierenden

Gegenstände aufweisen (abgesehen vom Prüfling und der Meßanordnung). Weiter entfernte (≤
30 m) Reflexionsmöglichkeiten (z.B. Bauten) dürfen die Emissionsmessung nicht beeinflussen.
Das Prüfobjekt (EUT) wird zur Ermittlung des für jede Frequenz zu messenden
Störfeldmaximalwerts auf einem Drehtisch angeordnet (VDE 0877 beachten).
Kapitel 7 – Vorschriften und Rechtsgrundlagen 109
KAPITEL 7, VORSCHRIFTEN UND RECHTSGRUNDLAGEN ..................................................... 109

7.1 DAS CE-ZEICHEN ...................................................................................................................... 110
7.2 DIE EMV UND DIE GESETZGEBUNG........................................................................................... 111
7.2.1 DAS EMV-GESETZ .................................................................................................................... 111
7.2.2 DAS TELEKOMMUNIKATIONSGESETZ ......................................................................................... 111
7.2.3 BIS 31.12.1995 GÜLTIGE GESETZE ............................................................................................ 111
Das Funkstörgesetz ............................................................................................................................ 112
Das Hochfrequenzgerätegesetz.......................................................................................................... 112
7.2.4 AUSNAHMEN ............................................................................................................................. 112
7.2.5 GENEHMIGUNGEN ..................................................................................................................... 112
7.2.6 EINTEILUNG DER EMV NORMEN ............................................................................................... 113
7.2.7 DIE DREI EBENEN DER EMV-NORMENVERGABE ....................................................................... 113
Die Internationale Ebene ................................................................................................................... 114
Die regionale Ebene (Die europäische Ebene) .................................................................................. 114
Die nationale Ebene........................................................................................................................... 115
7.3 BEISPIELE FÜR BASIC STANDARDS, GENERIC STANDARDS UND PRODUCT STANDARDS ............... 116
Kapitel 7
Vorschriften und Rechtsgrundlagen

7.1 Das CE-Zeichen
Bereits 1957 wurde mit den Römischen Verträgen vereinbart, daß die einzelnen Staaten der
damaligen EWG (heute EU) ihr nationales Recht an europäisches Recht anpassen, wenn es auf
einem bestimmten Gebiet eine europäische Regelung gibt. Dies gilt insbesondere auch im
Hinblick auf elektrotechnische Normen.
Dafür wurde ein Europäisches Komitee für Elektrotechnische Normung (offizielle Abkürzung
CENELEC: Comité Europèen de Normalisation Electrotechnique) geschaffen.
Mit der Einführung des CE-Zeichens wurde im Sinne einer Harmonisierung eine Vielzahl von
Zulassungszeichen nicht nur auf elektrotechnischen und elektronischen Geräten und Systemen,
sondern auch für andere Bereiche (z.B. für Spielzeuge, Druckbehälter, KFZ etc.) durch die
Einführung eines einzigen europaweit anerkannten neuen Zulassungszeichens ersetzt.
Ein Hersteller oder ein Händler, der ein Gerät in der EU in Verkehr bringt, darf dieses nur dann
mit einem CE-Zeichen kennzeichnen, wenn es allen zutreffenden Rahmenrichtlinien entspricht.
Mit dieser Kennzeichnung geht die Einhaltung aller Schutzziele einher.
Mit einer Zertifizierung mit diesem CE-Zeichen sind umfangreiche Messungen und
Untersuchungen verbunden, die in einem Untersuchungsbericht festzuhalten und auf Verlangen
den kontrollierenden Behörden vom Hersteller vorzuweisen sind. Die Prüfung kann dabei durch
den Hersteller selbst, den Importeur oder einen beauftragten EMV-Dienstleister vorgenommen
werden.
Er ist weiterhin verpflichtet, auf dieser Grundlage eine Konformitätserklärung auszustellen,

welche die Einhaltung der Schutzanforderungen für alle baugleichen Geräte dieses Typs erklärt.
Es ist nochmals darauf hinzuweisen, daß alle existierenden Anforderungen eingehalten werden
müssen. Gibt es beispielsweise noch weitere auf das Produkt anzuwendende Richtlinien, wie die
Maschinenrichtlinie, die für eine CE-Kennzeichnung verbindlich sind, so müssen auch deren
Schutzanforderungen zuerst erfüllt werden, bevor eine entsprechende Kennzeichnung möglich
ist.
Bsp.:
Modelleisenbahnen
- EMV-Richtlinie
- Maschinenrichtlinie
- Niederspannungsrichtlinie
- Spielzeugrichtlinie
Die Konformitätserklärung kann, muß jedoch nicht, den Produkten beigelegt werden.
Werden bei einer Nachprüfung der zu untersuchenden Geräte und Systeme, die mit dem
CE-Zeichen gekennzeichnet sind, die geforderten Sollwerte nicht eingehalten, so kann das
für den Inverkehr-Bringer nicht nur eine Geldstrafe von bis zu 1 000 000 DM pro
Gerätetyp bedeuten, sondern auch der weitere Verkauf solcher Geräte verboten und die
Rücknahme bereits in Verkehr gebrachter Geräte gefordert werden.
7.2 Die EMV und die Gesetzgebung
7.2.1 Das EMV-Gesetz
Erstmals werden in der Richtlinie des Europarates vom 3. Mai 1989 zur Angleichung der
Rechtsvorschriften der Mitgliedsstaaten über die elektromagnetische Verträglichkeit Nr.
89/336/EWG, veröffentlicht im Amtsblatt der Europäischen Gemeinschaften Nr. L 139/19 vom
23. Mai 1989, für EMV-Forderungen Störaussendung und Störfestigkeit definiert. Diese
Europarichtlinie wurde im November 1992 als deutsches EMV-Gesetz verabschiedet (Gesetz
über die elektromagnetische Verträglichkeit von Geräten (EMVG)). Es betrifft alle Geräte die
Störungen im elektromagnetischen Bereich verursachen oder durch Störungen in ihrer Funktion
beeinträchtigt werden können. In diesem Sinne also alle elektrischen und elektronischen Geräte,
Apparate, Systeme, Anlagen und Netze (wobei die einzelnen Begrifflichkeiten im EMVG
festgelegt sind).
Es legt die Voraussetzungen zur Kennzeichnung fest, insbesondere die Anwendung der CE-
Kennzeichnung, die notwendigen Angaben auf der Gebrauchsanweisung und gegebenenfalls
notwendige Hinweise auf der Verbrauchsverpackung.
Weiterhin werden Ausnahmen und besondere Festlegungen, wie sie sich beispielsweise bei der
Entwicklung und Erprobung von Geräten oder bei Ausstellungen und Messen ergeben können,
angeführt. Ausnahmen exitieren auch bei Geräten, die der Hersteller selbst hergestellt hat und in
seinen eigenen Räumen verwendet.
Das EMV-Gesetz legt auch fest, wer dieses Gesetz ausführen darf (wenn nicht anderweitig
gesetzlich geregelt). Die Prüfung und Kontrolle der EMV-Vorgaben wird hierbei durch die
Regulierungsbehörde für Telekommunikation und Post (RegTP) wahrgenommen. Sie ist es auch,
die andere zuständige Stellen benennen darf, welche in der Lage sind die im EMVG festgelegten
Aufgaben zu übernehmen.
7.2.2 Das Telekommunikationsgesetz
Mit Aufhebung des Kommunikationsmonopols der Bundespost trat 1996 ein neues
Telekommunikationsgesetz in Kraft. Ab 01.01.1998 waren alle Paragraphen gültiges Gesetz. Es
löste das Fernmeldeanlagengesetz, welches u.a. für die Erteilung von Genehmigungen zum
Errichten und Betreiben von Anlagen und Geräten der Nachrichtenübermittlung zuständig war,
ab.
„Zweck dieses Gesetzes ist es, durch Regulierung im Bereich der Telekommunikation den
Wettbewerb zu fördern und flächendeckend angemessene und ausreichende Dienstleistungen zu
gewährleisten sowie eine Frequenzordnung festzulegen.“ [§1 des TKG]
7.2.3 Bis 31.12.1995 gültige Gesetze
Der Vollständigkeit halber seien hier zwei weitere Gesetze erwähnt, die jedoch ihre Gültigkeit
verloren haben.
Das Funkstörgesetz
„Dieses Gesetz ist ab 13.11.92 durch das neue EMV-Gesetz ersetzt und trat am 31.12.95 außer
Kraft. Es wandte sich an Inverkehrbringer“ und diente „zur Umsetzung von EG-Richtlinien über
die Vereinheitlichung der Funkentstörung in nationales Recht.“ ([Sch98], S. 406)
Das Hochfrequenzgerätegesetz
Auch dieses Gesetz wurde am 13.11.1992 durch das neue EMV-Gesetz ersetzt und trat Ende
1995 außer Kraft. Es „betraf alle nicht Kommunikationszwecken dienenden Geräte, die
beabsichtigt oder unbeabsichtigt elektromagnetische Energie im Bereich 10 kHz bis 3000 GHz
erzeugen [...], sog. Hochfrequenzgeräte.“ ([Sch98], S. 406)
7.2.4 Ausnahmen
ISM-Geräte (ISM = industrial-scientific-medical), welche auf freien Frequenzen operieren,

werden von der obigen Gesetzgebung nicht erfaßt. Dennoch gilt es zu beachten, daß auch sie
einer Normung unterliegen, welche u.a. „Grenzwerte und Meßverfahren für Funkstörungen von
industriellen, wissenschaftlichen und medizinischen Hochfrequenzverfahren (ISM-Geräten)“
festlegen. [EMV-Norm: EN 55011]
7.2.5 Genehmigungen
Genehmigungen für das Betreiben von Geräten gemäß den obigen Gesetzen sind in
Einzelgenehmigungen für Einzelgeräte mit entsprechender Registrierung und in allgemeine
Genehmigungen (unter Anwendung schärferer Grenzwerte für die Serienzulassung) unterteilt.
Ab dem 1.1.96 müssen alle auf den Markt der EU gebrachten Geräte mit dem CE-Zeichen
gekennzeichnet sein; wer dieser Bestimmung nicht genügt, wird in Zukunft vom Markt
ausgeschlossen werden.
Für Altgeräte wird es keine Nachbesserungspflicht geben.
Für die Bundesrepublik Deutschland wird, wie bereits erwähnt, die RegTP zur Überprüfung der
Einhaltung der Schutzanforderungen ermächtigt. Die zentrale Stelle befindet sich in Mainz. Es
gibt zur Zeit 56 Außenstellen, die mit der Aufgabe der Marktüberwachung betraut sind.
Erlassen werden die geltenden Richtlinien für Deutschland von der DKE (Deutsche Kommission
für Elektrotechnik), welche die DIN/VDE-Regelungen beschließt; für die EU entwickelt die
CENELEC die EN (Europanormen). Für weltweite Belange gibt die IEC die IEC und CISPR-
Publikationen heraus.
7.2.6 Einteilung der EMV Normen
Bezüglich der Normung kann eine Einteilung in folgende drei Gruppen erfolgen:
generic standards product standards
verweisen auf
basic standards
Die basic standards sind grundlegenden Normen. Sie legen allgemeine Bedingungen und
Regeln für alle Produkte fest. Dies betrifft u.a. die Meß- und Prüfeinrichtungen, die
Installationsrichtlinien etc. Die beiden anderen Normengruppen verweisen jeweils auf diese
Grundnormen.
Die generic standards sind primär allgemeingültige Produktnormen, welche
Minimalanforderungen für Störaussendung und Störfestigkeit, jeweils für eine Umgebungsart
(Industrie, Haushalt, etc.), festlegen. Die Allgemeingültigkeit wird dabei durch bestehende
Produktnormen, die ihrerseits Anforderungen bezüglich EMV berücksichtigen, eingeschränkt
bzw. gänzlich ersetzt.
Die product standards schließlich sind die konkret auf eine Produktgruppe bezogenen Normen,
die spezifische Anforderungen und Prüfungen festlegen. Sie haben Vorrang vor den Generic
standards. Die Produkte/Produktfamilien dürfen jedoch bestimmte allgemeingültige
Störaussendungs-Grenzwerte nicht überschreiten.
7.2.7 Die drei Ebenen der EMV-Normenvergabe
Die Struktur für die Normenerarbeitung und –vergabe ist weitaus komplexer ist, als hier
dargestellt. Es gibt Organisationen, Komitees, Unterkomitees, Arbeitsgruppen etc.. Verwiesen
wird daher u.a. auf die Internetseite des DKE, der Deutschen Kommission für Elektrotechnik,
http://www.dke.de, von wo aus eine weitergehende Suche nach internationalen und nationalen
Organisationen möglich ist.
Die Internationale Ebene
IEC (International Electrotechnical Commission)
Technisches Komitee 77
CISPR (Comité International Spécial pur les Perturbations Radioélectriques)
zahlreiche weitere Komitees
Das Technische Komitee 77 und das CISPR entwickeln hauptsächlich Basic und Generic
standards. Für die Product standards sind die weiteren Komitees zuständig, wobei jedoch auch
die beiden vorgenannten Institutionen bei Bedarf Produktnormen entwickeln können.
Der Regelfall ist die Veröffentlichung von internationalen Normen. Daneben gibt es noch die
Berichte oder Reports. Sie beziehen sich auf Fälle wie
• fehlende erforderliche Mehrheiten bei der Schlußabstimmung

• die Notwendigkeit, auf der einen Seite eine kommende Entwicklung nicht im
Enwicklungsstadium zu behindern, auf der anderen Seite aber gewisse Richtlinien
vorzugeben
• die Zusammenstellung von technischen Daten
Die Mitglieder des IEC sind nicht verpflichtet, internationale Normen als nationale Normen zu
übernehmen. Es gibt jedoch eine Kooperationsvereinbarung zwischen dem IEC und dem
CENELEC, welches die Zusammenarbeit beider Organisationen regelt. Darin wurde u.a.
festgelegt, daß dem IEC die primäre Verantwortung zur Entwicklung von Normen obliegt.
Besteht seitens des CENELEC der Bedarf für die Entwicklung einer Norm, so wird dies an die
IEC weitergeleitet, welche dann eine Norm in einer bestimmten Frist entwirft. Gelingt dies nicht,
so steht es der CENELEC frei, eine eigene Norm zu entwickeln.
Die regionale Ebene (Die europäische Ebene)

ETSI - the European Telecommunications Standards Institute (www.etsi.fr).
CENELEC (Comité Europèen de Normalisation Electrotechnique: Europäisches Komitee für

elektrotechnische Standardisierung, http://www.cenelec.be)
Technisches Komitee 110
Folgende Normenarten werden durch das CENELEC herausgegeben:
• EN (Europäische Norm)
• ENV (Europäische Vornorm)
• HD (Harmonisierungsdokument)
Eine Europäische Norm (EN) ist für alle Mitglieder des CENELEC bindend. Wird sie im
Amtsblatt der Europäischen Union veröffentlicht so muß sie ohne Änderung als nationale Norm
aufgenommen werden. Normen, die auf nationaler Ebene entgegenstehen, verlieren ihre
Gültigkeit.
Über die Übernahme einer Europäische Vornorm (ENV) in das Normenwerk wird nach einer
Dauer von zwei Jahren nach Erscheinen entschieden. Bis zu dieser Entscheidung dürfen
nationale Normen parallel beibehalten werden.
Ein Harmonisierungsdokument (HD) erhebt zwar auch den Anspruch auf ausschließliche
Existenz, d.h. es kann nationale Normen ersetzen, die Mitglieder des CENELEC sind aber in der
Entscheidung frei, ob sie es ganz, teilweise oder überhaupt nicht als nationale Norm anerkennen.
Die nationale Ebene
DKE (Deutsche Kommission für Elektrotechnik)
„Die DKE ist die in Deutschland zuständige Organisation für die Erarbeitung von Normen und
Sicherheitsbestimmungen auf dem Gebiet der gesamten Elektrotechnik. Sie ist ein Organ des
DIN Deutsches Institut für Normung e.V. und des VDE VERBAND DER ELEKTROTECHNIK
ELEKTRONIK INFORMATIONSTECHNIK e.V. Sie wird vom VDE getragen.
Die DKE vertritt die deutschen Interessen in den Internationalen bzw. Europäischen
Normungsorganisationen IEC, CENELEC und ETSI.“
[aus: http://www.dke.de/dke/html/d/wir/auftrag.htm]
Das DIN und die DKE erarbeiten deutsche Normen. Im Sinne einer Vereinheitlichung wird eine
größtmögliche Übereinstimmung mit internationalen Normen angestrebt. „Der Anteil der rein
national durchgeführten Normungsarbeit bewegt sich heute deutlich unter 5 %. Europäische
Normen als wesentliches Element zur Verwirklichung des Binnenmarktes beruhen zu über 80 %
ebenfalls auf Arbeiten der IEC oder sind mit diesen identisch.“
[aus: http://www.dke.de/aktuell/faq/unterschied.sql]
Für europäische Normen gilt jedoch, wie bereits oben erwähnt, die Verpflichtung der
unveränderten Übernahme in das DIN-Normenwerk.
Enthalten die Normen der DKE EMV relevante Aspekte oder „Festlegungen über die
Abwendung von Gefahren für Menschen, Tiere und Sachen[...]“ und ergeben „[...]sich diese
Gefahren aus bestimmten (zwischen DIN und VDE genau festgelegten) Gefahrenquellen[...]“
oder „[...]wenn die Normen in den Anwendungsbereich von Rechtsnormen fallen, die der
Abwendung solcher Gefahren dienen“ dann werden diese Normen zusätzlich als „VDE-
Bestimmung gekennzeichnet bzw. klassifiziert“.
[aus: http://www.dke.de/dke/html/d/wir/grundstz.htm]
„Zur leichteren Anwendung des VDE-Vorschriftenwerkes im supranationalen [oberhalb der

nationalen Ebene, Anm. von Andreas Ott] Geschäftsverkehr wird die Ursprungsbezeichnung in
den Nummern der nationalen Publikationen mit angegeben, z.B:
- Übernahme einer Europäischen Norm (EN): DIN EN xyz (VDE 0abc)

- Übernahme einer Europäischen Vornorm: DIN V ENV xyz (VDE V 0abc)
- Übernahme einer ETS (erstellt von ETSI): DIN ETS xyz (VDE 0abc)
- Übernahme einer Internationalen Norm (IEC), die nicht als EN europäisch harmonisiert ist:
DIN IEC xyz (VDE 0abc)
- Rein nationale Norm und Übernahme von Harmonisierungsdokumenten (CENELEC):
DIN VDE 0xyz (VDE 0abc).“
7.3 Beispiele für basic standards, generic standards und product standards
Diese Auflistung dient lediglich zur Darstellung von einzelnen Normenklassifikationen, um

einen ersten Eindruck von der Art der Normeneinteilung zu bekommen. Es ist daher auch nicht
relevant, ob es zu einer IEC Nummer eine DIN VDE Nummer gibt oder das einige Normen nicht
aufgeführt wurden.
Basic standards (Grundnormen) Allgemeines
IEC 61000-1 Elektromagnetische Verträglichkeit;

Teil 1: Allgemeines
IEC 61000-1-1:1990 Elektromagnetische Verträglichkeit;

Teil1; Abschnitt1: Anwendung und
Interpretation der Grunddefinitionen und Begriffe
Draft IEC 61000-1-2 77/197/CD (Entwurf) Elektromagnetische Verträglichkeit ;

Teil 1; Abschnitt2: Methoden zur Erfassung der
Funktionssicherheit von elektrischen und
elektronischen Einrichtungen
....
Basic standards (Grundnormen) Elektromagnetische Umgebung
IEC 61000-2 Elektromagnetische Verträglichkeit;

Teil 2: Umgebungsbedingungen
Teil2; Abschnitt 1: Elektromagnetische
Umgebung für niederfrequente leitungsgebundene
Störungen in öffentlichen Netzen
ENV 61000-2-2:1993 (modif) Verträglichkeitspegel für niederfrequente
leitungsgeführte Störgrößen und
Signalübertragung in öffentlichen
Niederspannungsnetzen
....
Basic standards (Grundnormen) Grenzwerte (Emissionen)

/A 1: 1997 /A2: 1998 Teil 3; Abschnitt 2: Grenzwerte für
EN 61000-3-2: 1995 Oberschwingungsströme (Geräte-Eingangsstrom
/A 1:1998 /A 2:1998 /A13:1997 < 16A je Leiter)
Draft /A 3 => 77A/262/CDV
Draft /A 4 => 77A/261CDV
DIN EN 60868 (DIN VDE 0846 Teil2) Geräte zur Messung von
Leuchtdichteschwankungen;
Flickermeter; Funktionsbeschreibung und
Auslegungsspezifikation
DIN VDE 0876 Teil 1 Geräte zur Messung von Funkstörungen;
Funkstörmeßempfänger mit bewerteter Anzeige
und Zubehör
EN 55011:1991 Grenzwerte und Meßverfahren für Funkstörungen
CISPR 11:1997 von industriellen, wissenschaftlichen und
medizinischen Hochfrequenzgeräten (ISM-
Geräte)
CISPR 22:1997 Einrichtungen der Informationstechnik –
EN 55022:1998 Funkstörungen.Grenzwerte und Meßverfahren
...
Basic standards (Grundnormen) Störfestigkeit
IEC 6100-4 Elektromagnetische Verträglichkeit

EN 61000-4 Teil 4: Prüf- und Meßverfahren
EN 61000-4-1:1994 Teil 4; Abschnitt 1:Übersicht über
DIN EN 61000-4-1 (DIN VDE 0847 Teil 4-1) Störfestigkeitsmeßverfahren
/A 1:1998 Teil 4; Abschnitt 2: Prüfung der Störfestigkeit
EN 61000-4-2:1995 gegen elektrostatische Entladungen
/A 1: 1998
...
Generic standards (Fachgrundnormen) Störaussendung, Störfestigkeit
Im Gegensatz zu den basic standards, bei denen die Numerierung der meisten IEC- und
CENELEC-Normen einheitlich ist, gibt es bei den generics abweichende Bezeichnungen. Sie
sind jedoch technisch so gut wie gleich. Jedoch existieren etliche aussereuropäisch geltende
Vorschriften bezüglich Hochfrequenzprüfungen, die zu beachten sind.
Die generic standards beziehen sich, wie bereits erwähnt, auf unterschiedliche Umgebungen,
wobei konkret zwei Bereiche explizit unterschieden werden:
• Wohnbereich, Geschäfts- und Gewerbebereiche, Kleinindustrie

• Industriebereich
Für jede Umgebungsbedingung ist eine Störaussendungs- und eine Störfestigkeitsnorm

entwickelt worden, so daß zur Zeit nur vier Fachgrundnormen existieren.
Generic standards (Fachgrundnormen) Störaussendung, Störfestigkeit
EN 50081-1:1992/ Elektromagnetische Verträglichkeit,

IEC 61000-6-3:1996 Fachgrundnorm Störaussendung
Teil 1: Wohnbereich, Geschäfts- und
Gewerbebereiche sowie Kleinindustrie
EN 50081-2:1993 Elektromagnetische Verträglichkeit,
IEC61000-6-4 Fachgrundnorm Störaussendung
Teil 2: Industriebereich
EN 50082-2-1:1997 Elektromagnetische Verträglichkeit,
IEC 61000-6-3:1996 Fachgrundnorm Störfestigkeit
Teil 1: Wohnbereich, Geschäfts- und
Gewerbebereiche sowie Kleinindustrie
EN 50082-2-1:1995 Elektromagnetische Verträglichkeit,
Draft IEC/EN 61000-6-2 Fachgrundnorm Störfestigkeit
77/208/FDIS Teil 2: Industriebereich
[aus:
http://www.emv-
online.de/scripts/emv/emvN.exe?bk=amahdekzreahrdrc+pg=BaseWi+pg2=Wissen-ges-
neu+jb=604]
Product standards (Produktnormen)
Produktnormen werden in der Regel von der IEC ausgearbeitet. Sie werden von der CENELEC
übernommen (eventuell noch angepaßt) und der EU-Kommission zur Harmonisierung
angeboten.
Hinzu kommen noch rein von der CENELEC oder dem DKE entwickelte Normen, für die kein
IEC Dokument vorliegt.
Die Notation der Normen ist auch hier wieder, wie bereits bei den basic standards zum größten
Teil aufeinander abgestimmt; daher wird auf die Beispiele bei den beiden anderen Normenarten
verwiesen.
Anhang B – Literaturverzeichnis, Bild- und Tabellenquellen 121
Anhang B
Literaturverzeichnis
[Kad59] Kaden, H.: Wirbelströme und Schirmung in der Nachrichtentechnik,

Springer-Verlag, 1959
[Hab98]: Habiger, Ernst: Elektromagnetische Verträglichkeit: Grundzüge ihrer

Sicherstellung in der Geräte- und Anlagentechnik, Hüthig-Verlag,
1998, Bibliotheksstandort: ELT 519-033, 3. Aufl.
[Sch91] A.J. Schwab: Elektromagnetische Verträglichkeit, Springer-Verlag,

1991, Bibliotheksstandort: ELT 519-024, 2. Aufl.
[Pei90] Peier, Dirk: Elektromagnetische Verträglichkeit: : Problemstellung

und Lösungsansätze, Hüthig-Verlag, 1990
[Gon92] Gonschorek, Karl Heinz: Elektromagnetische Verträglichkeit:

Grundlagen, Analysen, Maßnahmen, B.G.Teubner-Verlag, 1992,
Bibliotheksstandort: ELT 519-032
weitere Literaturquellen
Autor Buchtitel Verlag
Fischer, Peter; EMV-Störfestigkeitsprüfungen Franzis' Verlag

Balzer, Gerd;
Lutz, Martin
Habiger, Ernst Handbuch Elektromagnetische Verlag Technik
Verträglichkeit
Haubrich, Hans-Jürgen Sicherheit im VDE-Verlag GmbH
elektromagnetischen Umfeld
Lange, Klaus; Taschenbuch der Springer-Verlag
Löcherer, Karl-Heinz Hochfrequenztechnik
Band 1: Grundlagen
Band 2: Komponenten
Band 3: Systeme
Spindler, Eberhard Empfangsantennen Franzis' Verlag
Stadler, Erich Hochfrequenztechnik Vogel-Verlag
Sinke, Otto; Hochfrequenztechnik II Springer-Verlag
Brunswig, Heinrich
Bildquellen
Bild Quelle
1.2 zitiert aus: [Hab98], S. 12 ;

[Sch91], S.6
1.5 zitiert aus: [Sch91], S. 11
1.6.a zitiert aus: [Sch91], S. 40
1.6.b zitiert aus: [Sch91], S. 41
1.7.a ?
1.7.c zitiert aus: [Sch91], S. 55
2.1.a Autor
2.1.b AG-EMV Universität Kaiserslautern
2.1.c und d Autor
2.3.a - d zitiert aus: [Hab98], S. 72
2.3.e - g zitiert aus: [Hab98], S. 73
3.2.1.a zitiert aus: [Sch91], S. 149

3.2.1.b zitiert aus: [Sch91], S. 150
3.2.1.c zitiert aus: [Gon92], S. 388
3.2.1.d zitiert aus: [Gon92], S. 277
3.2.3 zitiert aus: [Hab98], S. 95
3.3.a und b zitiert aus: [Hab98], S. 93
3.4.1 ?
3.4.2 zitiert aus: [Sch91], S. 171 u. 172
3.4.3 zitiert aus: [Sch91], S. 176
3.5.a und b zitiert aus: [Sch91], S. 179
3.5.c zitiert aus: [Hab98], S. 108
4.2.a zitiert aus Hering, Martin, Stohrer, Physik für

Ingenieure, VDI-Verlag, 1989, Seite 258
4.4 ?
4.8.a zitiert aus: [Hab98], S. 111
4.9.a zitiert aus: [Hab98], S. 111
4.10.a und b zitiert aus: [Hab98], S. 112
4.13.a und b zitiert aus: [Sch91], S. 210
4.13.c ?
4.13.d zitiert aus: [Sch91], S. 211

4.14.b - d zitiert nach V. Schmidt, MTG-Marinetechnik
GmbH, Regensburg
5.1.1.a, b, c und 5.12.a, b zitert nach D. Anke, FH Regensburg

5.1.3.1.a, b zitiert aus: [Gon92], S. 377
5.1.3.3.a zitiert aus: [Gon92], S. 380
5.1.3.3.b Autor
5.1.3.6.a zitiert aus: [Gon92], S. 388
5.1.3.6.b zitiert aus: [Sch91], S. 152
5.1.3.6.c zitiert aus: [Gon92], S. 389
5.3.1 zitiert aus: [Gon92], S. 401
5.3.4 zitiert aus: [Gon92], S. 408
5.4.a, b, c, d, e zitert aus VDE-Vorschrift 0848
6.4 zitiert aus: [Gon92], S. 414

6.4.a Autor
6.4.1.1.a zitiert aus: [Sch91], S. 304
6.4.1.1.c zitiert aus: [Sch91], S. 311
6.4.1.1.d zitiert aus: [Hab98], S. 156
6.4.1.3 zitiert aus: [Sch91], S. 309
6.4.3.a, b Autor
6.4.3.1 Autor
6.4.3.2 zitiert aus: [Hab98], S. 157
6.4.4.1.a zitiert aus: [Hab98], S. 159
6.4.4.1.c zitiert aus: [Hab98], S. 160
6.4.4.2 zitiert aus: [Hab98], S. 159
6.5.2.a und b zitiert aus: [Hab98], S. 167
6.5.2.c zitiert aus: [Hab98], S. 168
6.5.3.a und b zitiert aus: [Hab98], S. 168
Tabellenquellen
Tabelle Quelle
6.4.2 zitiert aus: [Sch91], S. 317 Kommentar [s1]: Aktualität der
6.4.1.3 zitiert aus: [Sch91], S. 310 Tabelle überprüfen
Anhang A – Ergänzungen zum Trapezimpuls 119
Anhang A, Ergänzungen zum Trapezimpuls
h(t) Fläche = A*T

A
1/Tr s(t) Fläche = 1
*
-Tr/2 +Tr/2 -T/2 +T/2
y(t)
A
=
-T/2 +T/2
T
Tr T Tr T Tr T Tr T
− − − − + +
2 2 2 2 2 2 2 2
1 t t
Faltung von s(t) = ⋅ rect( ) und h(t) = A ⋅ rect( ) :
Tr Tr T
+∞
y(t) = s(t) ∗ h(t) = ∫ s(τ ) ⋅ h(t − τ ) dτ
−∞
Tr T
Fall 1 : t<− − :
2 2
y (t ) = 0
Tr T Tr T
Fall 2 : − − ≤t ≤ −
2 2 2 2
t +T
1 2 1 T Tr A A T Tr
y (t ) = A ⋅ ∫ 1 dτ = A ⋅ (t + + ) = ⋅t + ⋅( + )
Tr Tr Tr 2 2 Tr Tr 2 2
−
2
Tr T Tr T
Fall 3 : − ≤t ≤− +
2 2 2 2
+ Tr
1 2
y (t ) = A ⋅ ∫ 1 dτ = A
Tr Tr
−
2
Tr T Tr T
Fall 4: − + ≤t ≤ +
2 2 2 2
Tr
1 2 A Tr T A A T Tr
y (t ) = A ⋅ ∫ 1 dτ = ( −t + ) = − ⋅t + ⋅( + )
Tr T Tr 2 2 Tr Tr 2 2
t−
2
Anhang A – Ergänzungen zum Trapezimpuls 120
Fourier-Transformation der einzelnen Rechteckfunktionen und anschließende Multiplikation der

einzelnen Spektren ergibt:
t sin(π f T )
A ⋅ rect ( ) o − − − • A ⋅T ⋅
T π fT
1 t sin(π f Tr )
⋅ rect ( ) o − − − •
Tr Tr π f Tr
1 t t sin(π f T ) sin(π f Tr )
⇒ ⋅ rect ( ) ∗ A ⋅ rect ( ) o−−−• A ⋅T ⋅ ⋅
Tr Tr T π fT π f Tr
[Quelle: Hinweis auf die Faltung von Hr. Dipl. Ing. Dittrich, Lehrstuhl Nachrichtentechnik;
Explizite Durchführung der Faltung durch Andreas Ott]
Index 125
Index
[G]TEM-Zelle ............................................. 103 Modellbild........................................... 38

Ableitströmen, Verkraften von ...................... 96 Dämpfungseffektivität .................................. 53
Absorber ........................................................ 59 Dämpfungseigenschaften eines
Ferritplatten .........................................59 Energieversorgungsnetzes ........................ 75
Gasbetonsteine ....................................59 DEK ............................................................ 112
getwistet ..............................................59 Deutsche Kommission für Elektrotechnik .. 115
Pyramidenabsorber ..............................59 Dezibel ............................................................ 6
Absorptionsdämpfung ............................. 51, 52 Dichtungen
Amplitudendichte .......................................... 11 Anforderungen .................................... 54
Anstiegszeit ................................................... 93 dielektrische Hüllen ...................................... 44
Stoßspannung ......................................95 Digitale Schaltungen
Stoßströme ...........................................96 Pufferkondensator ............................... 78
Antenne Resetsignal .......................................... 78
Antennenfaktor ..................................107 Taktoszillatoren .................................. 78
elektrisches Feld ................................107 Verbesserung der Störfestigkeit .......... 77
magnetisches Feld .............................107 Versorgungsleitungen ......................... 79
Antennentypen, Faktoren zur Auswahl ....... 108 Versorgungspins ................................. 78
Ausgleichsströme, Vermeidung von ............. 57 Digitale Schaltungen mit hohen
B2-Brückenschaltung .................................... 62 Taktfrequenzen ......................................... 76
basic standards............................................. 116 Dissipative Dielektrika ................................. 35
Beeinflussungsmodell ..................................... 3 Dissipative Ferro- und Ferrimagnetika ......... 36
Betrags/Phasen-Form .................................... 10 distrahieren ................................................... 46
Blitz ............................................................... 24 Distrahieren .................................................. 48
Blitzstoßspannung ......................................... 93 DKE .............. Siehe Deutsche Kommission für
Brechungsgesetze .................................... 45, 46 Elektrotechnik
Brückengleichrichter Durchführung
halbgesteuert ........................................62 Massung und Filterung ....................... 57
Bundesimmissionsschutzverordnung ............ 84 Durchführungen
Burst .............................................................. 93 Einführunsrohr als Hohlleiter ............. 55
Burstlänge ............................................93 Lochreihen .......................................... 56
Burstperiode ........................................93 Perforationsgrad .................................. 56
Prüfschärfegrade ..................................94 Transportwege für Luft ....................... 56
CENELEC ...... 114 Siehe Comité Europèen de Wanddurchführungen,
Normalisation Electrotechnique Potentiometerwellen ....................... 55
CE-Zeichen.................................................. 110 Durchgriff
Konformitätserklärung ......................110 kapazitiver........................................... 45
CISPR 114 Siehe Comité International Spécial Eigenstörfestigkeit ........................................ 88
pur les ... Diodenschwellen................................. 88
Comité Europèen de Normalisation Eigenstörfestigkeitsnachweis .............. 88
Electrotechnique.............................. 110, 114
Comité International Spécial pur les Eigenstörfestigkeit SE .................................... 4
Perturbations Radioélectriques ............... 114 Einfügungsdämpfung .............................. 27, 30
Dämpfung Einhüllende ................................................... 13
Electrostatic discharge (ESD) . Siehe Entladung
elektrischer Wechselfelder niedriger
statischer Elektrizität
Frequenz ..........................................45 Elektromagnetische Felder und Bioorganismen
elektrostatischer Felder .......................44 .................................................................. 83
magnetischer, niederfrequenter Diathermie .......................................... 83
Wechselfelder ..................................47 Hochfrequenzverbrennungen .............. 83
magnetostatischer Felder .....................46 Magnetophosphene (Flimmern der
Dämpfungsbeschwerte Leitungen ........... 37, 38 Augen) ............................................ 83
Dämpfungsbeschwerten Leitungen
Index 126
Therapie des Gliobastoms ...................83 Prüfschaltungen für ESD-Tests .......... 99

elektromagnetische Unverträglichkeit ........... 63 Prüfschärfegrade ............................... 100
Elektromagnetische Verträglichkeit ................ 2 Prüfverfahren für ESD-Tests ............ 100
EMB ................................................................ 4 triboelektrischer Effekt ....................... 97
EMB Simulation Entstehung weiterer Frequenzen................... 63
[G]TEM-Zelle ...................................103 Entstörmittel ................................................. 28
Offener Wellenleiter ..........................103 Entstörungsmaßnahmen
EMB-Simulation praxisbezogene ................................... 21
Wellenleiter .......................................103 ENV-Netze ..... Siehe Energieversorgungsnetze
EMB-Simulation mit E- und H-Feldern ...... 101 equipment under test ................................... 100
Emission .......................................................... 2 Erdpotentialanhebung ................................... 20
Emissionsgrad E .............................................. 4 Erdschleifen .................................................. 21
Emissionsmessung Ersatzschaltbild
Freifeldmeßplatz, Absorberhalle .......108 verlustbehaftete Induktivität ............... 37
Empfänger ....................................................... 2 verlustbehaftete Kapazität .................. 36
EMV in der Automobiltechnik ...................... 80 Erzeugung von Spannungsimpulsen bei
EMV Normen, Einteilung der ..................... 113 mechanischen Kommutatoren .................. 65
EMV, Automobiltechnik ESD .......Siehe Entladung statischer Elektrizität
Beispiele für auftretende Belastungen .80 Siehe Entladung statischer Elektrizität
Eigenentstörung ...................................82 ETSI ...... Siehe European Telecommunications
Einleiterverkabelung ...........................80 Standards Institute
Empfangs- und Sendeanlagen .............80 EUT .......................Siehe Equipment under test
Faradaysche Käfig ...............................83 Fachgrundnormen ............................... 117, 118
Fern-Entstörung ...................................81 Faradayscher Käfig ....................................... 44
Listenverfahren ....................................81 Fehlerwahrscheinlichkeit ................................ 4
Feldbild ......................................................... 17
Radar- oder Richtfunkstrecken ............83
Feldwellenwiderstand ............................. 19, 50
Störaussendung von Kraftfahrzeugen .81 Fernfeld......................................................... 19
Umweltbedingte HF-Einstrahlungen...82 Ferrite............................................................ 36
EMVG ................................ Siehe EMV-Gesetz Ferritringe ............................................... 23, 38
EMV-Gesetz ................................................ 111 ferromagnetischen Hüllen, Schirmung mit ... 46
EMV-Normen Filter
Beispiele für Grund-, Fachgrund- und analoge ................................................ 28
Produktnormen ..............................116 Dissipative .......................................... 37
Kooperationsvereinbarung ................114 für Gleich- und Gegentaktstörungen .. 32
EMV-Normenvergabe, Die drei Ebenen der Filterdämpfung ............................................... 5
................................................................. 113 Filtergrundschaltungen ................................. 28
EMV-Plan........................................................ 4 Filterdämpfungen ................................ 29
EMV-Probleme in der Digitaltechnik ........... 75 Filterparameter.............................................. 28
EMV-Tafel .................................................... 12 Filterresonanzen............................................ 34
Energiearme Überspannungen........ Siehe Burst Fourier-Analyse .............................................. 9
Energiereiche Überspannungen ...... Siehe Surge Freifeldmeßplatz ......................................... 108
Energieversorgungsnetze............................... 67 Fremdstörfestigkeit ................................. 88, 89
Entladung statischer Elektrizität .............. 24, 97 EMB-Simulationsverfahren ................ 89
Elektrische Körperanatomie des
Fremdstörfestigkeit SF.................................... 4
Menschen ........................................98
Funkenstrecke ............................................... 40
Handkapazität ......................................98
Brennspannung ................................... 40
Induktivität der Hand ..........................98 Funkenstrecken ............................................. 96
Kontaktentladung ................................98 Funkstörfeldstärken
Körperkapazität ...................................98 elektrische ............................................. 8
Kurvenform des menschlichen magnetische .......................................... 8
Entladestromes ................................98 Funkstörgesetz ............................................ 112
Luftentladung ......................................98 Funkstörleistungen.......................................... 8
Prüfaufbau für ESD-Tests .................100 Funkstörspannungen ....................................... 8
Index 127
Gegentaktstörung..................................... 20, 21 X-Kondensatoren ................................ 33

generic standards ......................................... 116 Y-Kondensatoren ................................ 33
Gerätegehäuse Zuleitungsinduktivität ......................... 34
EMV-gerechter Aufbau .......................58 Koppelkapazität ............................................ 22
Gesamtklirrfaktor k ....................................... 64 Kopplung
Gesamtschirmdämpfung ................................ 52 galvanische ......................................... 16
Gesamtschirmdämpfungen ............................ 51 induktive ............................................. 17
Gleichtakt/Gegentakt – Konversion .............. 20 kapazitive ............................................ 17
Gleichtakt-Gegentakt-Umsetzung ................. 22
Kosten ............................................................. 5
Gleichtaktspannungen ................................... 20
Kurvenformparametern, Definition von ....... 94
Gleichtaktstörung .................................... 20, 21
Kurzschlußarten ............................................ 68
Gleichtaktströme ........................................... 20
Kurzschlußschleife ....................................... 18
Gleichtaktunterdrückung ......................... 22, 23
leistungselektronische Wandler .................... 62
Grenzstörpegel......................................... 1, 7, 8
Leistungspegel ................................................ 6
Grenzwertklasse A .......................................... 8
Leitungsabschaltung im Betriebsfall,
Grenzwertklasse B........................................... 9
Sicherheitsregeln ...................................... 69
Grundnormen............................................... 116
Leitungsabschaltung im Kurzschlußfall ....... 67
Grundschwingungsgehalt g ........................... 64
Leitungsschirme............................................ 58
Güte Q
LEMP...................................................... 24, 96
Induktivität ..........................................37 Lichtbogen .................................................... 40
Kondensator ........................................36 Lichtwellenleiter ..................................... 15, 23
Güte QL ......................................................... 37 Lightning electromagnetic pulse... Siehe LEMP
Harmonische.................................................... 9 Maxwellschen Gleichungen.......................... 49
Harmonisierungsdokument ......................... 115 Meßaufbau zur Messung leitungsgebundender
HF-Stromwandler ........................................ 106 Störgrößen .............................................. 107
Hochfrequenzgerätegesetz........................... 112 Meßhalle ..................................................... 108
Hohlraumresonanzen ..................................... 53 Messung der Störemissionen ...................... 104
Holztisch ........................................................ 88 Ermittlung feldgebundener Störgrößen
Hybrid-Ableiterschaltungen .......................... 41 ...................................................... 107
Hybridgenerator............................................. 96 Ermittlung leitungsgebundener
Prinzipschaltbild ..................................97 Störgrößen..................................... 105
IEC .......... Siehe International Electrotechnical HF-Stromwandler ............................. 106
Commission
Meßgrößen und Meßmittel ............... 105
Imission ........................................................... 2
Induktion ....................................................... 48
Meßprotokoll .................................... 104
Induktivität Netznachbildung ............................... 105
parasitäre .............................................34 Messung mit HF-Stromwandler ................. 106
Influenzwirkung ............................................ 48 Nah- und Fernfeld ......................................... 49
International Electrotechnical Commission 114 Nahfeld ......................................................... 19
Intersystem ...................................................... 3 NEMP .... Siehe Nuclear Electromagnetic Pulse
Intrasystem ...................................................... 3 Neper .............................................................. 6
ionisierende Wirkung der Strahlung.............. 83 Netzimpedanzkurve ...................................... 31
irreversiblen ..................................................... 3 Netzinduktivität ............................................ 67
ISM-Geräte .................................................. 112 Netzrückwirkungen....................................... 63
Kapazitive Koppelstrecke.............................. 91 Netzverhalten bei Störsignalausbreitung ...... 74
Neutralisierungstransformators..................... 22
Typischer Prüfplatz .............................92
Normal-Form ................................................ 10
Kernverlustwiderstand................................... 37
Nuclear Electromagnetic Pulse ..................... 25
Kfz-Lüftermotor, Störspannungsverlauf ....... 66
Optokoppler .................................................. 23
Kfz-Lüftermotors........................................... 66
Pegel ........................................................... 6, 7
Kleinmöbelentladung .................................... 99
Permeabilität, komplexe ............................... 36
Klirrfaktor...................................................... 63
Permittivität, komplexe................................. 35
Kommutatormaschinen ................................. 65
Pflichtenheft.................................................. 88
Kommutierungsinduktivität........................... 62
Phasenspektrum ............................................ 10
Komplexe-Form ............................................ 10
Potentialausgleichsströme............................. 46
Kondensatoren
product standards ........................................ 116
Index 128
Produktnormen ............................................ 118 Einkopplung für Netz- und

Prüflabors, Ausrüstung eines ....................... 101 Datenleitungen ................................ 90
Reduktionsleiter............................................. 18 Galvanisch gekoppelte Störgrößen ..... 90
Reed-Relais ................................................... 23 Kapazitive Koppelstrecke ................... 91
Reflexionsdämpfung ............................... 51, 52 Koppelnetzwerk .................................. 90
Reflexionsfaktor ............................................ 70
Simulation von Annomalitäten bei
Refraktion (Brechung) ................................... 44
Resonanzfrequenz Netzleitungen .................................. 91
kapazitiver, induktiver Komponenten .34 Simulation von ms-Impulsen .............. 92
reversiblen ....................................................... 3 Störbeeinflussungsmessung ................ 91
Römischen Verträgen .................................. 110 Störgrößensimulator ........................... 90
Rückenhalbwertszeit ......................... 87, 93, 94 Überspannungsfestigkeit in
Stoßspannung ................................94, 95 Wechselstromnetzen, idealisierter
Stoßströme ...........................................96 Spannungsimpuls ............................ 92
Rückenzeit ..................................................... 95 Überspannungsprüfung an dreiphasigen
Stoßspannung ......................................94 Geräten ............................................ 93
Stoßströme ...........................................96 Störeinkopplung, Grundlagen der ................. 90
Rücktransformation ....................................... 11 Störfelder
Rückwirkungsfeld elektrische Wechselfelder ................... 44
elektrisches ..........................................48 elektromagnetische Wechselfelder ..... 44
magnetisches .......................................48 elektrostatische Felder ........................ 44
Sammelschiene, Mittelspannungsnetz ........... 67 magnetische Wechselfelder ................ 44
Schaltvorgänge in Energieversorgungsnetzen magnetostatische Felder...................... 44
................................................................... 67 Störfestigkeit ................................................... 2
Schirmdämpfung ....................................... 5, 45 Störgrößen, leitungsgebunden .................... 105
Schirme Störpegel ................................................. 6, 7, 9
Dichtungen ..........................................54 Streukapazitäten............................................ 20
Schirmmaterialien ......................................... 54 Substitutionsmethode.................................. 102
Schirmung Surge ............................................................. 96
Räume..................................................59 Hybridgenerator .................................. 96
Schutzzonenkonzept ...................................... 73 Hybridgenerator, Prinzipschaltbild ..... 97
SEMP ..... 96 Siehe Switching Electromagnetic Prüfschärfen ........................................ 97
Pulse Schutzmaßnahmen bei hoher
Sender .............................................................. 2 Prüfspannung .................................. 96
Septum ......................................................... 103
Stoßströme .......................................... 96
Signalüberkopplung....................................... 16
switching electromagnetic pulse .. Siehe SEMP
Simulation elektromagnetischer Wellen...... 101
Switching Electromagnetic Pulse ................. 25
Simulation quasistatischer Felder ................ 104
Technische Komitee 77 .............................. 114
Prüfanordnung ...................................104
Telekommunikationsgesetz ........................ 111
Simulation von ms-Impulsen.................... Siehe
the European Telecommunications Standards
Störeinkopplung
Institute ................................................... 114
Simulations- und Meßtechnik........................ 87
Transformator
Umgebungsbedingungen .....................88 „inrush“-Effekt ................................... 73
sinc-Funktion ................................................. 12
Einschaltstrom .................................... 72
Skin-Effekt .................................................... 16
Spannungsoberschwingungsverhältnisse für Remanenz ........................................... 72
Haushaltsgeräte ......................................... 64 Transformatorzuschaltungen ........................ 72
Spannungspegel ............................................... 6 Trapezimpulses ............................................. 12
Spektralfunkton ............................................. 11 Trennschaltungen und Wanderwellen .......... 69
Stirnzeit ............................................. 93, 95, 99 Trenntransformator ....................................... 21
Stoßströme ...........................................96 Übergangsfeld ............................................... 19
Überspannungsableiter ........................... 39, 96
Störabstand .......................................... 1, 6, 7, 8
Überspannungsschutzeinrichtung ................. 96
Störaussendung................................................ 2
Überspannungsschutzkaskade
Stördämpfung .............................................. 1, 5
Störeinkopplung Wirkungsweise ................................... 42
Index 129
Übertragung Verlustfaktor tan(δC) ..................................... 36

symmetrische .......................................24 Wabenkamine ............................................... 56
Übertragungsmaß ............................................ 6 Wanderwellenreflexion, räumlicher Verlauf 72
uniform area ......... Siehe Substitutionsmethode Wanderwellenvorgänge ................................ 69
Varistoren ................................................ 40, 96 Wege elektromagnetischer Kopplungen ....... 89
Verbesserung der Störfestigkeit Wicklungskapazität ....................................... 34
Elektromagnetische Abstrahlung ........77 parasitäre ............................................. 34
Elektromagnetische Störfestigkeit .......77 Wirbelströme in der Schirmwand ................. 47
Verbesserung der Störfestigkeit von Digitalen Zener-Dioden .......................................... 39, 96
Schaltungen insbesondere bei
Mikroprozessoren...................................... 77
Index 130
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Lehrstuhl für Hochspannungstechnik und EMV

Skriptum zur Vorlesung

Skriptum zur Vorlesung

Niederschrift im Rahmen einer Studienarbeit

(überarbeitet durch Andreas Ott)

Hartmut Becker, im Januar 1994

Vorwort zur 2., überarbeiteten Auflage

Andreas Ott, im Oktober 2000

Kapitel 2, Störquellen und Koppelmechanismen 15

Kapitel 3, Passive Entstörkomponenten 27

Kapitel 4, Elektromagnetische Schirme 43

Kapitel 5, Repräsentative EMV-Probleme 61

Kapitel 6, Simulations- und Meßtechnik 87

Kapitel 7, Vorschriften und Rechtsgrundlagen 109

KAPITEL 1, GRUNDLAGEN .................................................................................................................... 1

1. Wie ist die elektromagnetische Verträglichkeit definiert?

Was ist EMV?

Elektromagnetische Verträglichkeit ist die Fähigkeit eines Gerätes, in seiner elektromagnetischen

Quelle: EMVG §2 Abs. 7 vom 9.11.1992

Beispiele für technische Sender (Störer):

Beispiele für natürliche "Sender" (Störer):

Als Empfänger können

Jeder elektromagnetische Sender und Empfänger stellt ein elektromagnetisches

Bei den Betrachtungen des Beeinflussungsmodells

Sender Kopplungspfad Empfänger

ist eine Unterscheidung in Inter- und Intrasystem von Vorteil:

EMV= f (SE, SF, η)

Die Eigenstörfestigkeit SE innerhalb eines Gerätes ist abhängig von:

• Anzahl, Art und Intensität der internen Störquellen

Die Fremdstörfestigkeit SF innerhalb eines Systems wird beeinflußt durch:

• Eindringmöglichkeiten äußerer Störgrößen in das Geräteinnere

Der Emissionsgrad η innerhalb eines Gerätes wird beeinflußt durch:

[vgl. auch [Hab98], S2. ff)

1.2 Der wirtschaftliche Aspekt

"Komplexe Systeme verlangen bereits im Planungsstadium die umfassende Berücksichtigung

Das Kostenminimum ist aus wettbewerblichen Gründen anzustreben, setzt aber

 H in Abwesenheit eines Schirmes 

1.4 Quantitative Beurteilung der Störgrößen

Spannungs- und Leistungspegel sind wie folgt definiert (log10 = lg):

Angewendet ebenso bei: IdB in dBµA für I0= 1 µA

(analog: Ix, Ex, Hx)

Dezibel Angabe: Verwendung des Zehner-Logarithmus

I (dBµA) = U (dBµV) – R (dBΩ)

1.5 Störpegel und Störabstand

Grenzstörpegel werden unterschieden für:

Funkstörspannungen (10 kHz ... 30 MHz)

Als Funkstörspannungen werden Spannungen zwischen einzelnen stromführenden Leitungen und

Magnetische Funkstörfeldstärken (10 KHz ... 30 MHz)

Elektrische Funkstörfeldstärken (30 MHz ... 18 GHz)

Funkstörleistungen (30 MHz ... 300 MHz)

Aus den oben ausgeführten Sachverhalten ergeben sich notwendigerweise Folgerungen

Geräte der Grenzwertklasse A, z.B. Rechner am Arbeitsplatz und industrielle

Grenzwertklasse B (Heim-, Bürobereich)

Geräte der Grenzwertklasse B, z.B. Haushaltsgeräte, Rundfunk- und Fernsehempfänger und

Wobei die Komponenten durch folgende Formeln berechnet werden:

das Amplitudenspektrum ergibt, welches in der EMV-Praxis mit dem Spektrum-Analysator

Mit den möglichen Vereinfachungen ergeben sich folgende Zusammenhänge:

und sin ( νω 0 t ) = − sin ( − νω 0 t )

Nichtperiodische Funktionen werden durch die Fourier-Integral-Darstellung beschrieben

Die Amplitudendichte ist der Betrag der Funktion: X(ω)

1.7 Der Weg zur EMV-Tafel

(vgl. auch Herleitung bei [Hab98], S. 40ff und Anhang A)

sin πfτ sin πf r