Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik

Professur Mikrosysteme und Medizintechnik

Prof. Dr.-Ing. habil. Jan Mehner
M.Sc. Marvin Friedemann

Lehrveranstaltung Medizingerätetechnik

6. Übung
Wärmeabfuhr

1. Ein dualer Operationsverstärker (2 OPV in einem Gehäuse) wird in zwei verschiedenen

Gehäusevarianten angeboten. Der Ruhestrom eines einzelnen OPVs beträgt Iq = 10 mA bei einer
Betriebsspannung von UB = ±15 V. Die thermischen Eigenschaften der Gehäusetypen sind im
Datenblatt, wie in der untenstehenden Abbildung dargestellt, angegeben.

a) Zeichnen Sie das thermische Ersatzschaltbild des Bauelements!

U B=± 15 V I q =10 mA ,2 ×OPV

b) Wie groß ist bei beiden Gehäusetypen die Erwärmung des OPV-Kerns gegenüber der
Umgebung?

PV =|± 15V |→ 30 V P V =2 UI=2∙ 30 V ∙ 0 , 01 A=0 , 6 W

Фth =PV =0 , 6 W

K
DFN ∆ V ja =Фth ∙ Rm . ja =0 , 6 W ∙ 160 =96 K
W

MOS(без охолоджуючого елемнта)

 c) Welche Bauteilkerntemperatur stellt sich ein, wenn der Operationsverstärker bei einer
Umgebungstemperatur von 25 °C betrieben wird?
d) Der OPV befindet sich auf einer Schaltung, deren maximal zulässige Umgebungstemperatur θA
= 50 °C beträgt. In welcher Gehäusevariante kann die höhere Leistung umgesetzt werden und
wie groß ist für beide Varianten jeweils die zulässige Maximalleistung?

2. Auf einer Leiterplatte befindet sich eine Schaltung mit einem 2-fach OPV im SOIC-8 Gehäuse
(OPA2134). Für den OPV sind im Datenblatt folgende Kenngrößen gegeben:

Ruhestrom je OPV: Iq = 5 mA
Betriebsspannung: UB = ±15 V
Rth,ja = 85 K/W (Wärmeabfuhr über Lötkontakte/Beinchen)
Rth,jc = 15 K/W (Wärmewiderstand Chip-Gehäuseoberseite)
Die maximale Umgebungstemperatur der Schaltung beträgt θA,max = 50 °C.

a) Wie hoch ist die maximale Kerntemperatur des OPVs, wenn nur die Wärmeabfuhr über die
Lötkontakte berücksichtigt wird?

b) Auf das Gehäuse des OPVs wird ein Kühlkörper mit den folgenden Kenngrößen aufgeklebt:

Bauform: SMD, 8×6,3×4,8 mm³

Kühlkörper: Rth,KK = 87 K/W
Kleber: Rth,WLK = 0,5 mK/W

Zeichnen Sie das vollständige thermische Ersatzschaltbild für das thermodynamische

Gleichgewicht! Welche maximale Kerntemperatur des OPVs ergibt sich?
c) Bestimmen Sie die Temperaturdifferenz zwischen Kühlkörper und Umgebungstemperatur!
Welche Absoluttemperatur ergibt sich damit für den Kühlkörper?
 Rth gs=R th ja ∥ ( Rth ja + R thkh + R thha ) =85
K
W ( K
∥ 15 + 0 ,5
W
mK
W
+ 87
K
W )
U Teil . Rleit .
Spannungsleites. =
U ges R ges

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3. Zur Versorgung einer elektrischen Schaltung wird ein Linearregler verwendet, der die
Eingangsspannung von 5 V auf 3 V heruntersetzt. Die Spannungsdifferenz wird als Verlustwärme
über das Gehäuse des Linearreglers und die Leiterplatte abgeführt. Der Strom durch den Regler
beträgt 2 A.

Das Gehäuse des Reglers ist quadratisch (QFP) und hat an der Unterseite eine zusätzliche
Kühlfläche, die auf die Leiterplatte gelötet wird (vgl. Abbildung). Über 4 Durchkontaktierungen (DK)
wird die Wärme von der Oberseite der Leiterplatte auf die Unterseite geführt, wo sich eine
Kühlfläche (AK) befindet.
Folgende Größen sind gegeben:
θj ≤ 150 °C max. Chiptemperatur des Linearreglers

θa ≤ 50 °C max. Umgebungstemperatur der Schaltung

Thermischer Widerstand bei Wärmeableitung

Rth,ja = 45 K/W des Reglers über die Gehäuseoberseite

Rth,jc = 5 K/W Thermischer Widerstand bei Wärmeableitung

des Reglers über die Kühlfläche

Thermischer Widerstand einer

Rth,DK = 64 K/W Durchkontaktierung

Rth,K = 881,25 K/W·mm² Thermischer Widerstand der Kühlfläche AK je

mm²
a) Berechnen Sie die Verlustleistung PV am Linearregler!
 PV =UI=∆ UI=(5−3)V ∙2 A=4 W
b) Zeichnen Sie das thermische Ersatzschaltbild des Aufbaus und beschriften Sie die einzelnen
Komponenten (Widerstand der DKs zusammenfassen)!

c) Wie groß ist der thermische Widerstand zwischen der aufgelöteten Kühlfläche des Linearreglers
und der Kühlfläche AK auf der Unterseite der Leiterplatte?

Rth Oh=Rth DK ∥ Rth DK ∥ Rth DK ∥ Rth DK =¿

d) Wie groß darf die Temperaturdifferenz, die über Rth,ja abfällt, maximal sein?

∆ U ja =U j−U a =150 ℃−50 ℃=100 K

e) Bestimmen Sie den maximal zulässigen thermischen Widerstand des Gesamtaufbaus! Welcher
notwendige thermische Widerstand Rth,P ergibt sich damit für den Pfad Chip-Kühlfläche AK?

Rth ges=R th ja ∥ ( Rth ja + RthOh + Rth U )

R th ja ∙ R th P
Rth ges=R th ja ∥ Rth P ¿ =R th ges
R th ja + R th P
∆U ja K
Rth ges= =25
Фth W
K K
45 ∙ 25
R ∙R W W K
Rth P = th ja th ges = =56 , 25
Rth ja + Rth ges K K W
45 + 25
W W
f) Welche Fläche muss die Kühlfläche AK aufweisen, damit der notwendige thermische Widerstand
Rth,P erreicht wird? Geben Sie eine sinnvolle Kantenlänge für AK an!

Rth P =Rth ja + R th DK +¿

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