Elektrotechnik Und Elektronik: Taschenbuch Der

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10. Auflage
Harry Brauer
Helmut Lindner
Constans Lehmann
Taschenbuch der
Elektrotechnik
und Elektronik
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Größen und Einheiten
Formel- Größe Einheit Beziehung zu den Basiseinheiten

zeichen des SI
B magnetische Flussdichte T 1 T = 1 Wb/m2 = 1 kg/(s2 · A)
C elektrische Kapazität F 1 F = 1 C/V = 1 A2 · s4 /(m2 · kg)
D elektrische Flussdichte,
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Verschiebungsdichte C/m2 1 C/m2 = 1 A · s/m2

E elektrische Feldstärke V/m 1 V/m = 1 kg · m/(s3 · A)
G elektrischer Leitwert S 1 S = 1/Ω = 1 A2 · s3 /(m2 · kg)
H magnetische Feldstärke A/m
I elektrische Stromstärke A Basiseinheit
J elektrische Stromdichte A/m2
L Induktivität H 1 H = 1 Wb/A = 1 m2 · kg/(s2 · A2 )
M Gegeninduktivität H 1 H = 1 Ω · s = 1 V · s/A
P elektrische Leistung W 1 W = 1 V · A = 1 m2 · kg/s3
Q Elektrizitätsmenge,
elektrische Ladung C 1C=1A·s

R elektrischer
Wirkwiderstand Ω 1 Ω = 1 V/A = 1 m2 · kg/(s3 · A2 )
U elektrische Spannung V 1 V = 1 W/A = 1 m2 · kg/(s3 · A)
W Energie, Arbeit J 1 J = 1 N · m = 1 W · s = 1 m2 · kg/s2
X elektrischer
Blindwiderstand Ω 1 Ω = 1 V/A = 1 m2 · kg/(s3 · A2 )
Z elektrischer
Scheinwiderstand Ω 1 Ω = 1 V/A = 1 m2 · kg/(s3 · A2 )
f Frequenz Hz 1 Hz = 1 s−1
ε Permittivität F/m 1 F/m = 1 A · s/(V · m)
= 1 A2 · s4 /(m3 · kg)
η Raumladungsdichte C/m3 1 C/m = 1 A · s/m3
3
Θ magnetische Durchflutung A
κ elektrische Leitfähigkeit S/m 1 S/m = 1/(Ω · m)
= 1 A2 · s3 /(m3 · kg)
µ Permeabilität H/m 1 H/m = 1 V · s/(A · m)
= 1 m · kg/(A2 · s2 )
% spezifischer elektrischer
Widerstand Ω·m Ω · m = 1 m3 · kg/(s3 · A2 )
σ Flächenladungsdichte C/m2 1 C/m2 = 1 A · s/m2
Φ magnetischer Fluss Wb 1 Wb = 1 V · s = 1 m2 · kg/(s2 · A)
ϕ elektrisches Potenzial V 1 V = 1 W/A = 1 m2 · kg/(s3 · A)
ψ elektrischer Fluss C 1C=1A·s
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1 Gleichstrom 21
2 Elektrische und magnetische Felder 49
3 Wechselstrom 103
4 Besondere Wechselstromkreise 135
5 Signale und Systeme 193
6 Bauelemente der Elektronik 239

7 Analoge Schaltungen 354
8 Digitale Schaltungen 429
9 Stromversorgungsschaltungen 525
10 Elektrische Maschinen 554
11 Matlab-Programme 633
12 Abkürzungsverzeichnis zur Elektronik 635
13 Formelzeichenverzeichnis 639
14 Literaturverzeichnis 647
15 Sachwortverzeichnis 657
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Lindner/Brauer/Lehmann
Taschenbuch der Elektrotechnik und Elektronik
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Taschenbuch der
Elektrotechnik
und Elektronik
von Studiendirektor Helmut Lindner †
Dr. Harry Brauer †
und Prof. Dr. Constans Lehmann †
unter Mitarbeit von

Univ.-Prof. Dr. Harald Lindner †
Prof. Dr. Hartmut Lindner
Prof. Dr. Wolfgang Reinhold
Prof. Dr.-Ing. Rolf Fischer
10., aktualisierte Auflage

Mit 631 Bildern und 99 Tabellen
Fachbuchverlag Leipzig
im Carl Hanser Verlag
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Studiendirektor HELMUT LINDNER †

Bearbeiter Univ.-Prof. Dr. HARALD LINDNER †
Technische Universität Bergakademie Freiberg
1 Gleichstrom, 2 Elektrische und magnetische Felder,
3 Wechselstrom, 4 Besondere Wechselstromkreise
Dr. HARRY BRAUER †
Bearbeiter Prof. Dr. WOLFGANG REINHOLD
Hochschule für Technik, Wirtschaft und Kultur Leipzig
6 Bauelemente der Elektronik
Prof. Dr. CONSTANS LEHMANN, Leipzig †

5 Signale und Systeme, 7 Analoge Schaltungen,
8 Digitale Schaltungen, 9 Stromversorgungsschaltungen
Prof. Dr. HARTMUT LINDNER
Hochschule für Technik und Wirtschaft Mittweida (FH)
unter Mitarbeit von Prof. Dr.-Ing. ROLF FISCHER
Hochschule Esslingen
10 Elektrische Maschinen
Bibliografische Information der Deutschen Nationalbibliothek

Die Deutsche Nationalbibliothek verzeichnet diese Publikation in der Deutschen Natio-
nalbibliografie; detaillierte bibliografische Daten sind im Internet über <http://dnb.d-
nb.de> abrufbar.
ISBN 978-3-446-44497-3
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Alle Rechte, auch die der Übersetzung, des Nachdruckes und der Vervielfältigung des
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§§ 53, 54 URG genannten Sonderfälle –, reproduziert oder unter Verwendung elektroni-
scher Systeme verarbeitet, vervielfältigt oder verbreitet werden.
© 2018 Carl Hanser Verlag München

Internet: http://www.hanser-fachbuch.de
Lektorat: Manuel Leppert, M.A.

Herstellung: Dipl.-Ing. (FH) Franziska Kaufmann
Satz: Satzherstellung Dr. Steffen Naake, Brand-Erbisdorf
Coverconcept: Marc Müller-Bremer, www.rebranding.de, München
Coverrealisierung: Stephan Rönigk
Druck und Binden: Kösel, Krugzell
Printed in Germany
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Vorwort
Auch die schnelle Zunahme von Spezialwissen erfordert ständiges Vergegen-

wärtigen der Grundlagen eines Fachgebietes. Das vorliegende Taschenbuch
vermittelt deshalb wesentliche Kenntnisse über Gesetzmäßigkeiten, Prinzi-
pien sowie Anwendungen der Elektrotechnik und Elektronik. Es will dazu
beitragen, Wissenslücken zu schließen und früher erworbene Kenntnisse zu
vervollständigen und zu aktualisieren. Das Buch wendet sich gleichermaßen

an Studenten wie an Praktiker und soll auch Anwendern angrenzender Fach-
gebiete von Nutzen sein.
Der Stoff wird in übersichtlicher und konzentrierter Form dargestellt. Gesuch-
te Informationen sind in Verbindung mit einem umfangreichen Sachwort- und
Symbolverzeichnis schnell auffindbar.
Die vorliegende 9. Auflage ist wieder eine Neubearbeitung. Dies betrifft vor
allem die Kapitel zum Teil Elektronik und die Kapitel Signale und Systeme
sowie Elektrische Maschinen. Neben umfangreichen Aktualisierungen und
der Aufnahme neuer technischer Anwendungen wurden auch zahlreiche Le-
serhinweise in der neuen Auflage berücksichtigt.

Für kritische Hinweise zur Verbesserung des Buches sind die Autoren und der
Verlag dankbar.
Dezember 2007 Autoren und Verlag
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Inhaltsverzeichnis
1 Gleichstrom . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21
1.1 Grundgrößen und Grundbegriffe . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21
1.1.1 Elektrische Ladung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21
1.1.2 Elektrischer Strom . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21
1.1.3 Elektrische Spannung und Potenzial . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22

1.1.4 Elektrischer Widerstand . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
1.1.5 Ohm’sches Gesetz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
1.1.6 Elektrische Arbeit und Leistung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29
1.2 Zusammengesetzte Widerstände . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
1.2.1 Reihenschaltung von Widerständen und Spannungsteilung . . . . 30
1.2.2 Parallelschaltung von Widerständen und Stromteilung . . . . . . . 31
1.2.3 Gemischte Schaltung von Widerständen . . . . . . . . . . . . . . . . 32
1.2.4 Dreieck-Stern-Umwandlung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32
1.3 Stromkreise und Netzwerke . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33
1.3.1 Grundstromkreis . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33
1.3.1.1 Darstellung mit Spannungsquelle . . . . . . . . . . . . . . 33
1.3.1.2 Darstellung mit Stromquelle . . . . . . . . . . . . . . . . . 34

1.3.1.3 Wirkungsgrad im Grundstromkreis . . . . . . . . . . . . . 35
1.3.1.4 Leistungsanpassung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36
1.3.2 Kirchhoff’sche Regeln . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36
1.3.3 Berechnung von Netzwerken . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37
1.3.3.1 Knotenpunkt- und Maschensatz . . . . . . . . . . . . . . . 38
1.3.3.2 Überlagerungssatz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39
1.3.3.3 Zweipoltheorie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40
1.3.3.4 Maschenstromverfahren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41
1.3.3.5 Knotenpotenzialverfahren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42
1.3.4 Belasteter Spannungsteiler . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42
1.4 Messung der elektrischen Grundgrößen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44
1.4.1 Messung von Spannung und Strom . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44
1.4.2 Messung des Widerstandes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45
1.4.2.1 Direkte Messung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45
1.4.2.2 Wheatstone-Brücke . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46
1.4.2.3 Thomson-Brücke . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46
1.4.3 Messung der Leistung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 47
2 Elektrische und magnetische Felder . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49
2.1 Elektrostatisches Feld . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49
2.1.1 Elektrische Feldstärke . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49
2.1.2 Influenz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50
2.1.3 Verschiebungsdichte und Verschiebungsfluss . . . . . . . . . . . . . 50
2.1.4 Dielektrikum . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51
2.1.5 Kondensatoren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52
2.1.5.1 Kapazität . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52
2.1.5.2 Schaltung von Kondensatoren . . . . . . . . . . . . . . . . 53
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8 Inhaltsverzeichnis
2.1.5.3 Berechnung der Kapazität von Kondensatoren . . . . . 55

2.1.5.4 Geschichtetes Dielektrikum . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55
2.1.5.5 Ladung und Entladung von Kondensatoren . . . . . . . . 55
2.1.6 Kräfte im elektrischen Feld . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 57
2.1.7 Energie im elektrischen Feld . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 59
2.1.8 Piezoelektrischer Effekt . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60
2.1.9 Thermoelektrischer Effekt . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 61
2.1.10 Lichtelektrischer Effekt . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62
2.2 Stationäres elektrisches Strömungsfeld . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 63
2.2.1 Strömungsfeld . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 63
2.2.2 Stromdichte . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 63
2.2.3 Stromdichte und Feldstärke . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65
2.2.4 Feldstärke und Potenzial . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 66
2.3 Magnetisches Feld . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 66
2.3.1 Magnetische Feldstärke . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 66
2.3.1.1 Durchflutungssatz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 67
2.3.1.2 Gesetz von Biot-Savart . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70
2.3.2 Magnetische Flussdichte . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 71
2.3.3 Magnetischer Fluss und Streuung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 71
2.3.4 Permeabilität . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 72
2.3.5 Magnetismus des Eisens . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 73

2.3.6 Arten magnetischer Werkstoffe . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75
2.3.7 Ohm’sches Gesetz des magnetischen Kreises . . . . . . . . . . . . . 77
2.3.8 Eisengefüllte magnetische Kreise . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 78
2.3.8.1 Unverzweigter magnetischer Kreis ohne Luftspalt . . . 78
2.3.8.2 Zusammengesetzter magnetischer Kreis . . . . . . . . . . 79
2.3.8.3 Scherung der Magnetisierungskennlinie . . . . . . . . . . 80
2.3.8.4 Flussdichte bei gegebener Durchflutung . . . . . . . . . . 81
2.3.8.5 Verzweigter magnetischer Kreis . . . . . . . . . . . . . . . 82
2.3.9 Induktionsgesetz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 82
2.3.9.1 Ruhende Spule und zeitlich veränderliches Magnet-
feld . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 82
2.3.9.2 Ruhendes Magnetfeld und bewegter gerader Leiter . . 83
2.3.9.3 Lenz’sche Regel . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 84
2.3.9.4 Prinzip des Gleichstromgenerators . . . . . . . . . . . . . 84
2.3.9.5 Wirbelströme . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 85
2.3.9.6 Skineffekt . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 86
2.3.10 Selbstinduktion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 88
2.3.11 Gegeninduktivität und induktive Kopplung . . . . . . . . . . . . . . 90
2.4 Kräfte und Energie im Magnetfeld . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 91
2.4.1 Kraft auf eine bewegte elektrische Ladung . . . . . . . . . . . . . . . 91
2.4.2 Kraft auf geradlinige Stromleiter . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 92
2.4.3 Kraft zwischen zwei parallelen Stromleitern . . . . . . . . . . . . . . 92
2.4.4 Prinzip des Gleichstrommotors . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 93
2.4.5 Energie des magnetischen Feldes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 94
2.4.5.1 Energie bei konstanter Permeabilität . . . . . . . . . . . . 94
2.4.5.2 Energie im eisengefüllten Kreis . . . . . . . . . . . . . . . 94
2.4.5.3 Hysteresisarbeit . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 95
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Inhaltsverzeichnis 9
2.4.5.4 Zugkraft von Magneten . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 96

2.4.5.5 Supraleitende Magnete . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 96
2.4.6 Schaltvorgänge mit Induktivitäten . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 97
2.4.7 Hall-Effekt . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 99
2.4.8 Elektromagnetische Verträglichkeit . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 101
3 Wechselstrom . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 103
3.1 Grundgrößen und Grundbegriffe . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 103
3.1.1 Vorteile des Wechselstroms gegenüber Gleichstrom . . . . . . . . 103
3.1.2 Kenngrößen sinusförmiger Wechselgrößen . . . . . . . . . . . . . . 103

3.1.3 Zeiger- und Liniendiagramm . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 104
3.1.4 Addition phasenverschobener Wechselgrößen gleicher Frequenz 105
3.1.5 Mittelwerte sinusförmiger Wechselgrößen . . . . . . . . . . . . . . . 106
3.1.6 Scheitel- und Formfaktor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 108
3.2 Widerstände im Wechselstromkreis . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 110
3.2.1 Wirkwiderstand . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 110
3.2.2 Induktiver Widerstand . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 110
3.2.3 Kapazitiver Widerstand . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 111
3.3 Komplexe Wechselgrößen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 112
3.3.1 Grundlagen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 113
3.3.2 Arithmetik . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 113

3.4 Schaltungen von Widerständen im Wechselstromkreis . . . . . . . . . . . . . . 114
3.4.1 Reihenschaltungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 114
3.4.2 Parallelschaltungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 117
3.4.3 Darstellung komplexer Größen in Wechselstromkreisen . . . . . . 119
3.4.4 Umwandlung von Schaltungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 121
3.5 Leistung und Arbeit im Wechselstromkreis . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 123
3.5.1 Augenblicksleistung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 123
3.5.2 Mittlere Leistung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 124
3.5.3 Leistungsfaktor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 127
3.5.4 Wirk-, Blind- und Gesamtstrom . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 128
3.5.5 Verbesserung des Leistungsfaktors . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 128
3.5.6 Leistung in komplexer Schreibweise . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 129
3.5.7 Messung der Wechselstromleistung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 130
3.5.7.1 Messung der Wirkleistung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 130
3.5.7.2 Messung der Blindleistung . . . . . . . . . . . . . . . . . . 131
3.5.7.3 Messung der Wirkarbeit . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 131
3.5.7.4 Kombinierte Messung von Wirk- und Blindleistung . . 133
4 Besondere Wechselstromkreise . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 135

4.1 Zusammengesetzte Schaltungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 135
4.1.1 Komplexer Spannungs- und Stromteiler . . . . . . . . . . . . . . . . . 135
4.1.2 Gemischte Schaltungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 137
4.1.2.1 Parallelschaltung mit komplexen Widerständen . . . . . 137
4.1.2.2 Wechselstromparadoxon . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 137
4.1.2.3 90◦ -Schaltung nach Hummel . . . . . . . . . . . . . . . . . 138
4.1.2.4 RC-Kombination mit Phasendrehung um 90◦ . . . . . . 139
4.1.2.5 RC-Kombination mit Phasendrehung um 180◦ . . . . . 140
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4.2 Frequenzverhalten von Wechselstromkreisen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 141

4.2.1 Verluste in Wechselstromkreisen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 141
4.2.1.1 Verlustwinkel einer Spule . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 141
4.2.1.2 Verlustwinkel eines Kondensators . . . . . . . . . . . . . . 142
4.2.2 Reihenresonanz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 143
4.2.2.1 Grundvorgang . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 143
4.2.2.2 Besonderheiten bei Reihenresonanz . . . . . . . . . . . . 145
4.2.2.3 Verluste bei Reihenresonanz . . . . . . . . . . . . . . . . . 145
4.2.2.4 Normierte Darstellung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 146
4.2.3 Parallelresonanz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 147

4.2.3.1 Grundvorgang . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 147
4.2.3.2 Besonderheiten bei Parallelresonanz . . . . . . . . . . . . 148
4.2.3.3 Verluste bei Parallelresonanz . . . . . . . . . . . . . . . . . 149
4.2.4 Übertragungsfunktion von Vierpolen . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150
4.2.5 Filter . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 151
4.2.5.1 RC-Glied als Hochpass . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 151
4.2.5.2 RC-Glied als Tiefpass . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 152
4.2.5.3 RC-Kombination als Bandpass . . . . . . . . . . . . . . . . 153
4.3 Spule mit Eisen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 155
4.3.1 Eisenverluste . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 155
4.3.2 Kupferverluste . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 157

4.3.3 Induktiver Spannungsabfall . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 157
4.3.4 Ersatzschaltbild der Spule mit Eisenkern . . . . . . . . . . . . . . . . 158
4.3.5 Drosselspule mit Gleichstromvormagnetisierung . . . . . . . . . . 159
4.4 Transformator . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 160
4.4.1 Arten der Transformatoren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 160
4.4.2 Idealer Transformator . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 161
4.4.3 Realer belasteter Transformator . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 162
4.4.4 Grundgleichungen des Transformators in komplexer Form . . . . 163
4.4.5 T-Ersatzschaltung des Transformators . . . . . . . . . . . . . . . . . . 163
4.4.6 Reduzierte Ersatzschaltung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 164
4.4.7 Vereinfachtes Zeigerdiagramm des Starkstromtransformators . . 165
4.4.8 Kapp-Diagramm . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 166
4.4.9 Verluste und Wirkungsgrad des Transformators . . . . . . . . . . . 167
4.4.10 Spartransformator . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 168
4.5 Dreiphasenstrom . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 169
4.5.1 Erzeugung des Dreiphasenstromes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 169
4.5.2 Arten der Verkettung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 170
4.5.2.1 Sternschaltung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 170
4.5.2.2 Dreieckschaltung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 171
4.5.3 Leistung des Drehstromes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 172
4.5.4 Drehstromtransformator . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 173
4.5.4.1 Aufbau . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 173
4.5.4.2 Schaltungsarten . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 174
4.6 Inversion komplexer Wechselgrößen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 175
4.6.1 Inversion eines einzelnen Zeigers . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 175
4.6.2 Wahl des Maßstabs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 177
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4.6.3 Inversion von Punkten, Geraden und Kreisen . . . . . . . . . . . . . 177

4.6.3.1 Punkt . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 177
4.6.3.2 Geraden, durch den Nullpunkt laufend . . . . . . . . . . . 177
4.6.3.3 Geraden, parallel zu einer Achse und nicht durch den
Nullpunkt laufend . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 178
4.6.3.4 Geraden, nicht achsenparallel und nicht durch den
Nullpunkt laufend . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 179
4.6.3.5 Kreis, nicht durch den Nullpunkt laufend . . . . . . . . . 180
4.7 Ortskurven . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 181
4.7.1 Definition . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 181

4.7.2 Maßstäbe und Maßteilungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 181
4.7.3 Ortskurven von Grundschaltungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 182
4.7.3.1 L in Reihe mit veränderlichem R . . . . . . . . . . . . . . . 182
4.7.3.2 R und L in Reihe bei variabler Frequenz . . . . . . . . . 183
4.7.3.3 Reihenresonanz bei veränderlicher Frequenz . . . . . . 185
4.7.3.4 Normierte Darstellung der Reihenresonanz . . . . . . . 185
4.7.3.5 R und L parallel bei variabler Frequenz . . . . . . . . . . 187
4.7.4 Ortskurven gemischter Schaltungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 187
4.7.4.1 Addition eines konstanten Widerstandes . . . . . . . . . 188
4.7.4.2 Nullpunktverschiebung der Ortskurve einer gemisch-
ten Schaltung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 189

4.7.5 Konstruktion von Ortskurven mittels Wertetabelle . . . . . . . . . . 190
5 Signale und Systeme . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 193

5.1 Signale . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 193
5.1.1 Begriffsbestimmung und Übersicht . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 193
5.1.2 Periodische Signale mit konstanter Amplitude . . . . . . . . . . . . 193
5.1.2.1 Merkmale . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 193
5.1.2.2 Fourier-Reihen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 195
5.1.3 Nichtperiodische Signale mit zweiseitiger Begrenzung . . . . . . 200
5.1.3.1 Merkmale . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200
5.1.3.2 Fourier-Transformation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 201
5.1.4 Nichtperiodische Signale mit einseitiger Begrenzung . . . . . . . . 205
5.1.4.1 Merkmale . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 205
5.1.4.2 Laplace-Transformation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 206
5.2 Systeme . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 208
5.2.1 Begriffsbestimmung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 208
5.2.2 Lineare, zeitinvariante Systeme (LTI-Systeme) . . . . . . . . . . . . 209
5.2.2.1 Systemreaktionen (Impulsantwort, Sprungantwort) . . 209
5.2.2.2 Berechnung von Einschaltvorgängen mit der Laplace-
Transformation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 210
5.2.2.3 Allgemeine Form der komplexen Übertragungsfunk-
tion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 211
5.2.2.4 Pol-Nullstellen-Plan . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 212
5.2.2.5 Amplituden- und Phasen-Frequenzgang . . . . . . . . . . 213
5.2.3 Abtastsysteme . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 215
5.2.3.1 Bedeutung der Abtastung für die digitale Signalverar-
beitung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 215
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5.2.3.2 Ideale Abtastung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 215

5.2.3.3 Abtasttheorem . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 217
5.2.3.4 Bandbegrenzung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 217
5.3 Elemente der digitalen Signalverarbeitung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 219
5.3.1 Diskrete Signale . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 219
5.3.2 Zeitdiskrete Systeme . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 220
5.3.3 z-Transformation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 223
5.4 Grundlagen digitaler Filter . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 225
5.4.2 FIR-Filter . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 226

5.4.2.1 Einführung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 226
5.4.2.2 Fenster-Methode . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 228
5.4.3 IIR-Filter . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 232
5.4.3.1 Einführung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 232
5.4.3.2 Bilineare Transformation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 235
5.4.3.3 Frequenztransformationen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 237
6 Bauelemente der Elektronik . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 239
6.1 Begriffsbestimmung und Übersicht . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 239
6.2 Leiterplatten . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 240
6.2.1 Halbzeuge . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 240
6.2.2 Entwurf und Herstellung von Leiterplatten . . . . . . . . . . . . . . . 241

6.2.3 Leiterplatten-Montagetechniken . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 243
6.3 Die internationalen E-Reihen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 244
6.4 Widerstände . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 245
6.4.1 Der Widerstand als Bauelement . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 245
6.4.2 Festwiderstände . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 246
6.4.3 Einstellwiderstände . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 248
6.5 Kondensatoren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 248
6.5.1 Kenngrößen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 248
6.5.2 Technische Kondensatoren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 249
6.5.3 Kondensatoren mit veränderbarer Kapzität . . . . . . . . . . . . . . . 250
6.6 Spulen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 251
6.6.1 Kenngrößen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 251
6.6.2 Technische Spulen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 251
6.7 Physikalische Grundlagen der Halbleiter . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 252
6.7.1 Reine Halbleiter . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 252
6.7.2 Dotierte Halbleiter . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 254
6.7.3 pn-Übergänge . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 255
6.7.3.1 Wirkprinzip . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 255
6.7.3.2 Strom-Spannungs-Kennlinie des pn-Übergangs . . . . . 257
6.7.3.3 Kleinsignalverhalten des pn-Übergangs . . . . . . . . . . 259
6.7.3.4 Schaltverhalten des pn-Übergangs . . . . . . . . . . . . . 259
6.7.3.5 Thermisches Verhalten des pn-Übergangs . . . . . . . . 260
6.7.3.6 Herstellungsverfahren für pn-Übergänge . . . . . . . . . 261
6.8 Halbleiterdioden . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 262
6.8.1 Gleichrichter- und Schaltdioden . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 262
6.8.2 PIN- und PSN-Dioden . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 263
6.8.3 Schottky-Dioden . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 264
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6.8.4 Heterodioden . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 265

6.8.5 Z-Dioden . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 266
6.8.6 Tunneldioden . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 268
6.8.7 Backwarddioden . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 269
6.8.8 Kapazitätsdioden . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 270
6.8.9 Spezielle Diodenarten . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 270
6.9 Bipolare Transistoren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 271
6.9.1 Aufbau und Wirkprinzip . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 271
6.9.2 Grundschaltungen des Transistors . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 275
6.9.3 Strom-Spannungs-Kennlinie des Transistors . . . . . . . . . . . . . . 275

6.9.3.1 Kennlinienfelder in Emitterschaltung . . . . . . . . . . . 275
6.9.3.2 Arbeitspunkteinstellung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 277
6.9.3.3 Übersteuerungsgrenze und Sättigungsspannung . . . . 278
6.9.4 Kleinsignalverhalten des Transistors . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 279
6.9.5 Transistorkennwerte und -grenzwerte . . . . . . . . . . . . . . . . . . 282
6.9.5.1 Stromverstärkungsgruppen . . . . . . . . . . . . . . . . . . 282
6.9.5.2 Restströme des Transistors . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 282
6.9.5.3 Temperaturabhängigkeit der Kennwerte . . . . . . . . . . 282
6.9.6 Anwendungen bipolarer Transistoren . . . . . . . . . . . . . . . . . . 284
6.9.6.1 Elektronischer Schalter . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 284
6.9.6.2 Kleinsignalverstärker . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 287

6.10 Feldeffekttransistoren (FET) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 289
6.10.1 Übersicht . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 289
6.10.2 Strom-Spannungs-Kennlinie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 292
6.10.3 Kleinsignalverhalten . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 295
6.10.4 Effekte bei integrierten MOSFET . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 296
6.10.5 Thermisches Verhalten . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 297
6.10.6 Anwendungen von Feldeffekttransistoren . . . . . . . . . . . . . . . 297
6.10.6.1 FET als elektronischer Schalter . . . . . . . . . . . . . . . 297
6.10.6.2 Steuerbarer Widerstand . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 299
6.10.6.3 Kleinsignalverstärker . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 299
6.10.6.4 Konstantstromquellen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300
6.10.6.5 Leistungs-Feldeffekttransistoren . . . . . . . . . . . . . . . 301
6.10.6.6 Spezielle Feldeffekttransistorarten . . . . . . . . . . . . . 302
6.11 Thyristorbauelemente . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 307
6.11.1 Überblick . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 307
6.11.2 Einrichtungs-Thyristordiode . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 307
6.11.3 Zweirichtungs-Thyristordiode und Diac . . . . . . . . . . . . . . . . 308
6.11.4 Einrichtungs-Thyristortriode . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 310
6.11.4.1 Technologischer Aufbau . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 310
6.11.4.2 Wirkungsweise . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 310
6.11.5 Zweirichtungs-Thyristortriode . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 312
6.11.6 Anwendungen von Thyristor und Triac . . . . . . . . . . . . . . . . . 313
6.11.6.1 Leistungsschalter für Wechsel- und Gleichstrom . . . . 313
6.11.6.2 Elektronische Lastrelais . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 315
6.11.6.3 Störschutz und Schutzbeschaltung . . . . . . . . . . . . . 316
6.11.7 Spezielle Thyristoren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 317
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6.12 Optoelektronische Bauelemente . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 317

6.12.1 Übersicht . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 317
6.12.2 Fotometrische Beziehungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 318
6.12.3 Lichtempfindliche Fotohalbleiter . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 320
6.12.3.1 Fotowiderstände . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 320
6.12.3.2 Fotodioden . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 321
6.12.3.3 Fotoelemente und Solarzellen . . . . . . . . . . . . . . . . 322
6.12.3.4 Fototransistoren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 323
6.12.3.5 Fotothyristoren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 324
6.12.4 Lichtemittierende Fotohalbleiter . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 324

6.12.4.1 Lumineszenzeffekt in Halbleitern . . . . . . . . . . . . . . 324
6.12.4.2 Lumineszenzdioden (LED) . . . . . . . . . . . . . . . . . . 325
6.12.4.3 LED-Anzeigesysteme (Display-Bauelemente) . . . . . 325
6.12.4.4 Halbleiter-Injektionslaser . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 326
6.12.5 Optoelektronische Koppelelemente . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 326
6.12.6 Feldeffekt-Anzeigeelemente . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 327
6.13 Halbleitersensoren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 327
6.13.1 Temperatursensoren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 328
6.13.1.1 Heißleiter . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 328
6.13.1.2 Kaltleiter . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 329
6.13.1.3 Thermoelemente . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 330

6.13.2 Drucksensoren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 332
6.13.2.1 Piezoresistive Wandler . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 332
6.13.2.2 Piezoelektrische Wandler . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 333
6.13.3 Magnetfeldsensoren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 334
6.13.3.1 Feldplatten . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 334
6.13.3.2 Hall-Generatoren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 334
6.13.3.3 Reed-Kontakte . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 335
6.13.4 Feuchtesensoren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 336
6.13.5 Gassensoren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 337
6.13.6 Fotosensoren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 338
6.13.7 Auswerteprinzipien und Messschaltungen für Sensoren . . . . . . 338
6.14 Integrierte Schaltungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 339
6.14.1 Übersicht . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 339
6.14.2 Filmschaltkreise . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 340
6.14.3 Festkörperschaltkreise . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 341
6.14.3.1 Grundlagen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 341
6.14.3.2 Herstellungszyklen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 341
6.14.3.3 Schaltkreistechnologien . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 342
6.14.3.4 Schaltkreisentwurf . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 346
6.14.4 Schaltkreisgehäuse . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 347
6.15 Kühlung von Halbleiterbauelementen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 348
6.16 Rauschen elektronischer Bauelemente . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 350
6.16.1 Grundbeziehungen und Widerstandsrauschen . . . . . . . . . . . . . 350
6.16.2 Äquivalenter Rauschwiderstand . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 351
6.16.3 Rauschzahl und Rauschmaß . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 351
6.16.4 Rauschen von Feldeffekttransistoren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 351
6.16.5 Rauschen bipolarer Transistoren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 352
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7 Analoge Schaltungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 354

7.1 Begriffsbestimmung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 354
7.2 Analysemethoden . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 356
7.2.1 Vierpolanalyse (Zweitoranalyse) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 356
7.2.1.1 Rechnen mit Vierpolen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 357
7.2.1.2 Widerstände und Übertragungsfaktoren . . . . . . . . . . 361
7.2.1.3 Wellenbezogene Parameter . . . . . . . . . . . . . . . . . . 363
7.2.2 Knotenspannungsanalyse . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 365
7.2.3 Computergestützte Netzwerk-Analysen . . . . . . . . . . . . . . . . . 367
7.3 Aktive Grundschaltungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 369

7.3.2 Gegengekoppelte Schaltungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 370
7.3.2.1 Begriff der Rückkopplung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 370
7.3.2.2 Gegenkopplungsmodelle . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 371
7.3.2.3 Gegenkopplungseffekte . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 373
7.3.3 Kopplungsarten bei mehrstufigen Verstärkern . . . . . . . . . . . . . 375
7.3.3.1 Grenzfrequenz bei RC-Kopplung . . . . . . . . . . . . . . 375
7.3.3.2 Drift bei direkter Kopplung . . . . . . . . . . . . . . . . . . 376
7.3.4 Differenzverstärker . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 378
7.3.4.1 Eigenschaften der Grundschaltung . . . . . . . . . . . . . 378
7.3.4.2 Stromspiegel . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 380

7.3.5 Leistungsendstufen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 382
7.3.5.1 Begriffsbestimmung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 382
7.3.5.2 Grundschaltungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 383
7.4 Operationsverstärker . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 386
7.4.2 Kenngrößen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 388
7.4.2.1 Statische Kenngrößen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 388
7.4.2.2 Offset- und Driftkenngrößen . . . . . . . . . . . . . . . . . 389
7.4.2.3 Dynamische Kenngrößen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 390
7.4.2.4 Kompensationsmaßnahmen . . . . . . . . . . . . . . . . . . 391
7.4.3 Grundschaltungen mit Operationsverstärkern . . . . . . . . . . . . . 394
7.4.3.1 Verstärkergrundschaltungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . 394
7.4.3.2 Verstärkerschaltungen mit speziellen Eigenschaften . . 395
7.4.3.3 Konstantstromquellen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 396
7.4.3.4 Analogrechenschaltungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 397
7.4.3.5 Komparatoren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400
7.5 Filter . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 401
7.5.1 Übersicht . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 401
7.5.2 Aktive RC-Filter . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 402
7.5.2.1 Tiefpässe . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 403
7.5.2.2 Hochpässe . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 406
7.5.2.3 Bandpässe (Selektivfilter) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 407
7.5.2.4 Hinweise zu Filtern höherer Ordnung . . . . . . . . . . . 408
7.5.3 SC-Filter . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 408
7.6 Oszillatoren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 409
7.6.2 RC-Oszillatoren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 410
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7.6.3 Quarzoszillatoren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 412

7.6.3.1 Elektrische Eigenschaften des Quarzes . . . . . . . . . . 412
7.6.3.2 Hinweise zu einfachen Oszillatoren . . . . . . . . . . . . . 414
7.7 Analog/Digital- und Digital/Analog-Umsetzer . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 414
7.7.1 Analog/Digital-Umsetzer . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 416
7.7.1.1 Parallelverfahren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 416
7.7.1.2 Wägeverfahren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 417
7.7.1.3 Abtast- und Halteschaltung . . . . . . . . . . . . . . . . . . 419
7.7.1.4 Zählverfahren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 421
7.7.1.5 Hinweise zu weiteren Umsetzverfahren . . . . . . . . . . 422

7.7.2 Digital/Analog-Umsetzer . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 424
7.7.2.1 Prinzip der Parallelumsetzung . . . . . . . . . . . . . . . . 425
7.7.2.2 Umsetzverfahren mit R-2R-Netzwerk . . . . . . . . . . . 426
7.7.2.3 Analogschalter . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 427
8 Digitale Schaltungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 429

8.1 Begriffsbestimmung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 429
8.2 Grundlagen der Schaltalgebra . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 431
8.2.1 Logische Funktionen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 431
8.2.2 Rechenregeln . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 433
8.2.3 Minimierung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 436
8.3 Logische Grundschaltungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 439

8.3.1 Logische Pegel . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 439
8.3.2 Integrierte Standard-Schaltkreise . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 440
8.3.2.1 TTL-Schaltkreise . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 441
8.3.2.2 CMOS-Schaltkreise . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 447
8.4 Ausgewählte Bausteine für Schaltnetze . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 451
8.4.1 Komparatoren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 452
8.4.2 Multiplexer und Demultiplexer . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 453
8.4.3 Codeumsetzer . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 455
8.4.4 Addierer und Subtrahierer . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 457
8.5 Elementare Kippschaltungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 461
8.5.2 Bistabile Kippschaltungen (Flipflop) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 462
8.5.2.1 Ungetaktete Flipflops . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 463
8.5.2.2 Zustandsgesteuerte Flipflops . . . . . . . . . . . . . . . . . 465
8.5.2.3 Flankengesteuerte Flipflops . . . . . . . . . . . . . . . . . . 467
8.5.3 Schmitt-Trigger . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 469
8.5.4 Monostabile Kippschaltungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 471
8.5.5 Astabile Kippschaltungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 472
8.6 Komplexe Bausteine für digitale Systeme . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 474
8.6.1 Zähler . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 474
8.6.1.1 Asynchronzähler . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 475
8.6.1.2 Synchronzähler . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 476
8.6.1.3 Integrierte Zähler . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 477
8.6.2 Frequenzteiler . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 479
8.6.2.1 Asynchrone Frequenzteiler . . . . . . . . . . . . . . . . . . 480
8.6.2.2 Synchrone Frequenzteiler . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 480
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8.6.3 Register . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 482

8.6.3.1 Begriffsbestimmung und Überblick . . . . . . . . . . . . . 482
8.6.3.2 Elementare Schieberegister . . . . . . . . . . . . . . . . . . 483
8.6.3.3 Integrierte Schieberegister . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 484
8.7 Halbleiterspeicher . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 486
8.7.2 Schreib-Lese-Speicher (RAM) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 489
8.7.2.1 Statische RAM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 490
8.7.2.2 Dynamische RAM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 493
8.7.3 Festwertspeicher (ROM) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 495

8.7.3.1 Programmierbare ROM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 496
8.7.3.2 Reprogrammierbare ROM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 497
8.7.4 Kombinierte Speicherschaltungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 501
8.8 Anwenderspezifische Schaltkreise (ASIC) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 503
8.8.1 Merkmale von ASIC-Strukturen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 504
8.8.2 Einfache PLD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 505
8.8.2.1 PAL-Grundstrukturen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 505
8.8.2.2 Reprogrammierbare PLD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 508
8.8.2.3 Komplexe PLD (CPLD) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 510
8.8.2.4 Feldprogrammierbare Gate Array (FPGA) . . . . . . . . 511
8.9 Ergänzende Informationen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 514
8.9.1 Code-Arten . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 514

8.9.2 Zahlensysteme . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 516
8.9.3 Schaltkreis-Listen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 518
8.9.4 Hardware-Beschreibungssprachen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 519
8.9.4.1 VHDL . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 520
8.9.4.2 Verilog . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 522
9 Stromversorgungsschaltungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 525
9.1 Grundfunktionen konventioneller Netzteile . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 525
9.1.1 Gleichrichtung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 526
9.1.1.1 Einweggleichrichtung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 526
9.1.1.2 Zweiweggleichrichtung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 527
9.1.1.3 Gleichrichtung mit Spannungsvervielfachung . . . . . . 529
9.1.2 Glättung und Siebung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 530
9.1.2.1 Glättung mit Ladekondensator . . . . . . . . . . . . . . . . 531
9.1.2.2 Siebung mit frequenzabhängigen Bauelementen . . . . 534
9.2 Spannungsstabilisierung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 535
9.2.2 Erzeugung von Referenzspannungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 536
9.2.2.1 Diskrete Schaltungen mit Z-Dioden . . . . . . . . . . . . 536
9.2.2.2 Integrierte Referenzspannungsquellen . . . . . . . . . . . 538
9.2.3 Stetige Gleichspannungsregelung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 539
9.2.3.1 Grundschaltung aus diskreten Bauelementen . . . . . . 539
9.2.3.2 Integrierte Regler mit einstellbarer Spannung . . . . . . 540
9.2.3.3 Integrierte Festspannungsregler . . . . . . . . . . . . . . . 541
9.2.4 Unstetige Regelung mit Schaltregler . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 542
9.2.4.1 Begriffsbestimmung und Übersicht . . . . . . . . . . . . . 542
9.2.4.2 Gleichspannungswandler . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 543
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9.2.4.3 Wandler für Netzbetrieb . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 548

9.2.4.4 Integrierte Ansteuerschaltungen . . . . . . . . . . . . . . . 552
10 Elektrische Maschinen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 554
10.1 Allgemeine Vorgaben . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 554
10.1.1 Klassifikation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 554
10.1.1.1 Leistungsbereich . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 554
10.1.1.2 Leistungsangaben . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 555
10.1.1.3 Gliederung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 556
10.1.2 Normen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 558

10.1.2.1 Bauformen und Schutzarten . . . . . . . . . . . . . . . . . . 558
10.1.2.2 Betriebsarten . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 559
10.1.2.3 Baugrößen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 560
10.2 Gleichstrommaschinen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 561
10.2.1 Aufbau und Wirkungsweise . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 561
10.2.1.1 Bauteile . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 561
10.2.1.2 Wirkungsweise . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 562
10.2.1.3 Anker- und Erregerwicklung . . . . . . . . . . . . . . . . . 564
10.2.2 Betriebsverhalten . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 565
10.2.2.1 Ankerrückwirkung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 565
10.2.2.2 Fremderregte Gleichstrommotoren . . . . . . . . . . . . . 567
10.2.2.3 Reihenschlussmotoren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 567

10.2.3 Drehzahlsteuerung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 568
10.2.3.1 Ankervorwiderstand . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 568
10.2.3.2 Feldschwächung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 569
10.2.3.3 Spannungsabsenkung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 570
10.2.3.4 Stromrichterbetrieb . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 571
10.2.3.5 Bremsverfahren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 572
10.3 Drehstrom-Asynchronmaschinen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 573
10.3.1.1 Bauteile . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 573
10.3.1.2 Drehfeld und Drehmoment . . . . . . . . . . . . . . . . . . 576
10.3.2 Betriebsverhalten . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 577
10.3.2.1 Ersatzschaltung und Zeigerbild . . . . . . . . . . . . . . . . 577
10.3.2.2 Stromortskurve . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 579
10.3.2.3 Drehmoment . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 582
10.3.3 Drehzahlsteuerung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 584
10.3.3.1 Frequenzänderung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 584
10.3.3.2 Polumschaltung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 586
10.3.3.3 Läufervorwiderstände . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 587
10.3.3.4 Absenken der Ständerspannung . . . . . . . . . . . . . . . 588
10.3.3.5 Untersynchrone Stromrichterkaskade (USK) . . . . . . 589
10.3.4 Anlauf- und Bremsverfahren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 590
10.3.4.1 Anlasstechniken . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 590
10.3.4.2 Bremsverfahren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 593
10.3.5 Asynchronmotoren für Wechselstrombetrieb . . . . . . . . . . . . . 596
10.3.5.1 Kondensatormotoren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 596
10.3.5.2 Spaltpolmotoren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 597
10.3.5.3 Steinmetz-Schaltung für Drehstrommotoren . . . . . . . 598
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10.4 Synchronmaschinen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 599

10.4.1.1 Bauteile . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600
10.4.1.2 Erregersysteme . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 601
10.4.1.3 Spannungsinduktion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 603
10.4.2 Betriebsverhalten der Vollpolmaschine . . . . . . . . . . . . . . . . . 604
10.4.2.1 Inselbetrieb . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 604
10.4.2.2 Stoß- und Dauerkurzschlussstrom . . . . . . . . . . . . . . 607
10.4.2.3 Netzbetrieb . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 607
10.4.3 Spezielle Bauformen und Betriebsarten . . . . . . . . . . . . . . . . . 612

10.4.3.1 Schenkelpolmaschinen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 612
10.4.3.2 Stromrichtergespeiste Synchronmaschinen . . . . . . . . 616
10.4.3.3 Dauermagneterregte Servomotoren (E-Auto) . . . . . . 617
10.4.3.4 Linearmotoren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 619
10.5 Kleinmaschinen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 622
10.5.1 Batterieversorgte Gleichstrommaschinen . . . . . . . . . . . . . . . . 623
10.5.2 Universalmotoren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 624
10.5.3 Schrittmotoren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 628
10.5.4 Elektronikmotor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 631
Matlab-Programme . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 633
Abkürzungsverzeichnis zur Elektronik . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 635

Formelzeichenverzeichnis . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 639
Literaturverzeichnis . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 647
Sachwortverzeichnis . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 657
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1 Gleichstrom 1
1.1 Grundgrößen und Grundbegriffe
1.1.1 Elektrische Ladung

Alle elektrischen Erscheinungen beruhen auf der Anhäufung oder Bewegung

positiver und negativer elektrischer Ladungen. Diese sind an die kleinsten
stofflichen Teilchen (z. B. Elektronen oder Ionen) gebunden und üben auf
andere, gleichfalls elektrisch geladene Körper Kraftwirkungen aus (→ 2.1.6):
Gleichartig stoßen einander ab

geladene Körper
Ungleichartig ziehen einander an
I Hinweis: SI-Einheit der elektrischen Ladung: [Q] = C (Coulomb) = A · s (Am-

peresekunde).
Jede elektrische Ladung ist ein ganzzahliges Vielfaches der Elementarla-

dung e.
e = ±1,6022 · 10−19 C
Elektronen enthalten die negative Elementarladung −e, während Protonen die

positive Elementarladung +e tragen. Elektronenüberschuss auf einem Körper
verursacht seine negative, Elektronenmangel dagegen seine positive Ladung.
1.1.2 Elektrischer Strom

Augenblickswert der Stromstärke. Das Fließen eines elektrischen Stromes
bedeutet die kontinuierliche oder schwingende Bewegung von Ladungsträgern
in einem Leiter. Der den Leiterquerschnitt in einer kurzen Zeit dt durchflie-
ßende Ladungsanteil dQ ist der Augenblickswert der Stromstärke.
dQ
i= (1.1)
dt
Gleichstrom. Bleibt die Stromstärke über einen längeren Zeitraum t konstant,
so handelt es sich um einen Gleichstrom.
Q
I= (1.2)
t
I Hinweis: SI-Einheit der Stromstärke: [I] = A (Ampere) (zur Definition → 2.4.3).
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22 1 Gleichstrom
Der Richtungssinn des Stromes entspricht der Bewegungsrichtung der

positiven Ladungen vom Pluspol zum Minuspol außerhalb der Spannungs-
quelle (→ Bild 1.1).
Die Ladungsträger selbst können sich entweder in dieser Richtung 1) (z. B.

positive Ladungen, verursacht durch Elektronenmangel) oder auch entgegen-
gesetzt (z. B. Elektronen) in einem Metalldraht bewegen (→ Bild 1.2).
In Elektrolyten und Gasen erfolgt die Stromausbreitung durch elektrisch

geladene Ionen. − +
I − −
U
R I I +
− + +
Bild 1.1 Richtungssinn des Stromes Bild 1.2 Bewegungsrichtung positiver

und negativer Ladungsträger
1.1.3 Elektrische Spannung und Potenzial

Quellenspannung
Elektrische Ladungen Q mit unterschiedlichen Vorzeichen lassen sich durch
äußere Energiezufuhr Wzu voneinander trennen.
Die Trennung elektrischer Ladungen ist die Ursache für das Auftreten einer
elektrischen Quellenspannung Uq zwischen den Polen der entstehenden
Spannungsquelle (→ Tabelle 1.1).
Wzu
Uq = (1.3)
Q
Die Quellenspannung ist vom Pluspol zum Minuspol der Spannungsquelle

gerichtet und dem angetriebenen Strom entgegengerichtet.
Spannungsabfall
In umgekehrter Weise wird beim Fließen des Stromes im Leiter die Energie
Wab wieder frei, meist in Form von Wärme. Zwischen den betrachteten Lei-
terpunkten besteht dann der Spannungsabfall:
Wab
U= (1.4)
Q
1)
Aus der Ionenbewegung bei der Elektrolyse abgeleitet.
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1.1 Grundgrößen und Grundbegriffe 23
Tabelle 1.1 Erzeugen von Quellenspannungen

Physikalische Ursache Vorgang Anwendung 1
Elektronenaustausch bei chemische Veränderungen Batterien, Akkumulatoren
chemischen Reaktionen der Elektroden
Induktionsvorgänge in Bewegung von Leitern im Dynamomaschine
festen Leitern Magnetfeld
Induktionsvorgänge in Bewegung von Flammen- magnetohydrodynamischer
Plasmen gasen im Magnetfeld (MHD-)Generator
Thermoelektrischer Erwärmen der Kontakt- Thermoelement

Seebeck-Effekt stellen zwischen verschie-
denen Metallen
Piezoelektrischer Effekt mechanischer Druck auf Dicken- und Dehnungs-
polare Kristalle schwinger
Innerer Fotoeffekt Lichteinstrahlung in Solarzelle
Halbleiterkombinationen
Der Spannungsabfall hat den gleichen Richtungssinn wie der fließende

Strom (→ Bild 1.1).
P2 U20 = ϕ 2 – ϕ 0
Uq U12
P0
− +
P1 U10 = ϕ 1 – ϕ 0
Bild 1.3 Ideale Spannungsquelle Bild 1.4 Potenzial und Spannung
Die elektrische Spannung U ist der Quotient aus der zur Verschiebung der
Ladung Q erforderlichen Arbeit Wzu und dieser Ladung.
I Hinweis: SI-Einheit der elektrischen Spannung: [U] = V (Volt).
Potenzial
Das Potenzial ϕ 1 kennzeichnet die zwischen einem Punkt P1 des elektri-
schen Feldes oder Leitersystems und einem willkürlichen Bezugspunkt P0
bestehende elektrische Spannung.
Das Potenzial ist positiv, wenn für den Transport positiver Ladung von einem
Raumpunkt P1 oder P2 zum Bezugspunkt P0 Arbeit aufzuwenden ist.
Haben zwei Punkte P1 und P2 unterschiedliches Potenzial (→ Bild 1.4), so
besteht zwischen ihnen die Potenzialdifferenz bzw. die Spannung:
U12 = ϕ 1 − ϕ 2 (1.5)
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24 1 Gleichstrom
Die Spannung von P1 gegen P2 ist positiv, wenn für den Ladungstransport die
zugeführte Arbeit überwiegt; d. h., ϕ 1 > ϕ 2 .
Die elektrische Spannung ist eine Potenzialdifferenz. Ströme fließen au-

ßerhalb von Quellen von Stellen höheren Potenzials zu Stellen niedrigeren
Potenzials.
1.1.4 Elektrischer Widerstand

Widerstand und Leitwert
In jedem Leiter wird die Bewegung der Ladungsträger durch seinen Wider-
stand R behindert:
U
R= (1.6)
I
Die Ursachen des elektrischen Widerstandes sind z. B. Störungen im ex-

akten Aufbau des Kristallgitters in den Metallen und die unregelmäßigen
Wärmeschwingungen der Atome.
I Hinweis: SI-Einheit des Widerstandes: [R] = Ω (Ohm).

In manchen Fällen ist es zweckmäßiger, mit dem Leitwert zu rechnen, d. i. der
reziproke Wert des Widerstandes:
1
G= (1.7)
R
I Hinweis: SI-Einheit des Leitwertes: [G] = S (Siemens) = 1/Ω.
Spezifischer Widerstand
Der Widerstand R ist der Länge l des Leiters direkt und seinem Querschnitt A
umgekehrt proportional:
%l
R= (1.8)
A
Der Proportionalitätsfaktor % ist der spezifische Widerstand (→ Tabelle 1.2).
I Hinweis: SI-Einheit des spezifischen Widerstandes: [%] = Ω·m = 106 Ω·mm2 /m.
Der reziproke Wert des spezifischen Widerstandes wird als elektrische

Leitfähigkeit κ (→ Tabelle 1.2) bezeichnet.
Die Messung der elektrischen Leitfähigkeit κ von Materialien lässt sich nach
Gl. (1.8) auf eine Widerstandsmessung zurückführen. Diese erfolgt z. B. für
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Tabelle 1.2 Werte des spezifischen Widerstandes, der Leitfähigkeit und von
Temperaturkoeffizienten verschiedener Leiterwerkstoffe und 5%iger Elektrolyte
bei ϑ = 20 ◦ C 1
Material Spezifischer Elektrische Temperaturkoeffizienten
elektrischer Leitfähigkeit
Widerstand
% κ α β
10−6 Ω · m 106 S/m 10−4 /K 10−6 /K2
Widerstands-
legierungen
Chromnickel 1,12 0,89 1,4 –
(80 Ni, 20 Cr)
Konstantan 0,50 2,0 −0,03 –
(54 Cu, 45 Ni, 1 Mn)
Manganin 0,42 2,38 0,1 . . . 0,2 0,4
(86 Cu, 2 Ni, 12 Mn)
Nickelin 0,43 2,27 1,1 –
(54 Cu, 26 Ni, 20 Zn)
Leiter- und
Kontaktmaterial
Leitungsaluminium 0,0286 35,0 37 1,3
Gold 0,023 43,5 38 . . . 40 0,5
Leitungskupfer 0,0178 56,2 39 0,6
Silber 0,0165 60,6 38 0,7
Wolfram 0,055 18,2 48,2 1
Zinn 0,12 8,3 42 . . . 46 6
Widerstands-
schichtmaterial
Platin 0,10 . . . 0,11 9,1 . . . 10,0 39 0,6
Palladium 0,102 9,8 37 –
Kohle 40 . . . 100 0,01 . . . 0,025 −3,8 . . . − 4,0 –
Sonstige Metalle
Eisen 0,1 . . . 0,15 6,67 . . . 10,0 65,1 . . . 65,7 6
Quecksilber 0,968 1,03 8...9 1,2
Zink 0,061 16,4 41,9 2
Elektrolyte
KOH 0,208 4,80 −200 –
NaCl 0,724 13,82 −200 –
CuSO4 0,020 50,40 −200 –
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26 1 Gleichstrom
Elektrolytflüssigkeiten in Messzellen, die mit einer Kochsalzlösung bekannter

Leitfähigkeit kalibriert werden. Polarisationseffekte der Elektroden lassen
sich durch Nutzung von Wechselstrom mit Frequenzen bis zu mehreren kHz
ausschalten.
1
κ= (1.9)
%
I Hinweis: SI-Einheit der Leitfähigkeit: [κ] = S/m (Siemens/Meter) = 1/(Ω · m).
Widerstand und Temperatur
Der spezifische Widerstand ist als Materialkonstante mehr oder weniger

temperaturabhängig.
Als Temperaturkoeffizient α gilt die relative Widerstandsänderung ∆R/R20

gegenüber der auf 20 ◦ C bezogenen tatsächlichen Temperaturänderung ∆ ϑ :
∆R
α = (1.10)
∆ ϑ R20
R20 Widerstand bei der Temperatur ϑ = 20 ◦ C

Demnach beträgt der Widerstand bei der beliebigen Temperatur ϑ :
R = R20 (1 + α ∆ ϑ ) = R20 [1 + α (ϑ − 20 ◦ C)] (1.11)
Diese einfache lineare Beziehung gilt jedoch nur näherungsweise für be-
stimmte Werkstoffe und ist bei höheren Temperaturen durch den Ausdruck
R = R20 (1 + α ∆ ϑ + β ∆ ϑ 2 ) (1.12)
zu ersetzen, der die Kenntnis eines zweiten Temperaturkoeffizienten β vor-
aussetzt (→ Tabelle 1.2).
I Beachte: Verschiedene Elektrolyte (elektrisch leitende Flüssigkeiten) und Halb-
leiter haben im Gegensatz zu Metallen einen negativen Temperaturkoeffizienten,
d. h., ihr Widerstand nimmt mit steigender Temperatur ab. Für Messwiderstände
werden Legierungen mit möglichst kleinem Temperaturkoeffizienten, wie z. B.
Konstantan, verwendet.
Supraleitung
Supraleitung definiert das sprunghafte Verschwinden des elektrischen

Widerstandes unterhalb einer bestimmten Temperatur.
Verschiedene elektrische Leiter zeigen bei tiefen Temperaturen kein all-

mähliches, sondern ein sprunghaftes Verschwinden ihres Widerstandes. Die
Sprungtemperatur Ts (→ Bild 1.5) ist materialabhängig (→ Tabelle 1.3). Bei
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Supraleitung sind die verlustarme Übertragung großer Energiemengen und die

Erzeugung von Dauerströmen möglich (Kryoelektronik). 1
R H
Hk Normalleitung
Normalleiter
R0
Supraleiter
Supraleitung
Ts T Ts T
Bild 1.5 Temperaturabhängigkeit Bild 1.6 Einfluss der magnetischen Feld-
des Widerstandes von Leitern bei stärke H auf einen Supraleiter für T < Ts
tiefen Temperaturen Hk kritische magnetische Feldstärke
R0 Restwiderstand H < Hk supraleitender Zustand
Ts Sprungtemperatur H > Hk normalleitender Zustand
Der supraleitende Zustand wird bei T > Ts oder bei Einwirkung eines äußeren
Magnetfeldes der Feldstärke H > Hk wieder aufgegeben (→ Bild 1.6).
Verbindungen mit Sprungtemperaturen von mehr als 25 K werden als Hoch-
temperatursupraleiter bezeichnet. Diese werden z. Z. in der Technik einge-
führt.
In der Praxis dominieren gegenwärtig Metalle.
Tabelle 1.3 Sprungtemperaturen verschiedener Materialien
Metalle Ts in K Jahr Keramiken Ts in K Jahr

Pb 7,2 1911 Ba0,6 K0,4 BiO3 28 1988
Nb 9,3 1930 La-Ba-Cu-O 35 1986
Nb3 Ge, Nb3 Sn 23,2 1957 YBa2 Cu3 O7 92,1 1987
MgB2 40 2001 Hg-Ba-Ca-Cu-O 130 2001
Anwendung:
supraleitende Magneten in der Medizintechnik (→ 2.4.5.5)
supraleitende Schalt- und Speicherelemente
Neuentwicklungen in der Messtechnik (Bolometer, SQUID-Magnetometer)
im GHz-Bereich arbeitende Miniaturantennen
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28 1 Gleichstrom
1.1.5 Ohm’sches Gesetz
Lineare Widerstände
In metallischen Leitern ist bei konstanter Temperatur der Spannungsabfall
U dem fließenden Strom I proportional. Der Proportionalitätsfaktor ist der
Widerstand R. Dies führt zum Ohm’schen Gesetz:
U
R= = const. (1.13)
I
Weitere Schreibweisen:
U
I= I = GU U = RI (1.14)
R
Die Kennlinie des ohmschen Widerstandes (Wirkwiderstand) ist eine Ge-

rade durch den Koordinatenursprung, deren Anstieg ∆I/∆U den Leitwert
G darstellt (→ Bild 1.7a).
Nichtlineare Widerstände
Viele Materialien und elektronische Bauelemente haben nichtlineare Kennli-
nien, d. h., der Spannungsabfall zeigt keine Proportionalität gegenüber dem
fließenden Strom. Im Allgemeinen werden vier verschiedene Typen nichtli-
nearer Kennlinien unterschieden:
Heißleiter (z. B. Thermistoren, → Bild 1.7, 2)
Kaltleiter (z. B. PTC-Widerstände, → Bild 1.7, 3)
Sättigungskennlinien (z. B. Gasdioden, → Bild 1.7, 4)
Halbleiter (z. B. Varistoren, → Bild 1.7, 5)
I 1 2 I 5
∆I
3
A α
∆U 4
U
IS
a) U b)
Bild 1.7 Strom- und Spannungs-Kennlinien von Widerständen; 1 ohmscher
Widerstand, 2 Heißleiter, 3 Kaltleiter, 4 Sättigungskennlinie, 5 Halbleiter
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Weitere Kennlinien sind an spezielle elektronische Bauelemente gebunden (→

6.7 bis 6.12).
1
Im nichtlinearen Teil einer Kennlinie hat der Widerstand in jedem Punkt einen
anderen Wert und wird daher als differenzieller Widerstand ausgedrückt:
dU ∆U
r= ≈ (1.15)
dI ∆I
Er ist gleich dem reziproken Wert des Anstieges der Kennlinie im Arbeits-
punkt A, dargestellt durch 1/ tan α .
1.1.6 Elektrische Arbeit und Leistung
Die elektrische Arbeit (Energie) W wird zum Transport der Ladung Q

unter der Spannung U benötigt (Gl. (1.3)).
W = UQ (1.16)
I Hinweis: SI-Einheit der Energie (Arbeit):

[W ] = J (Joule) = W · s (Wattsekunde) = V · A · s.
1 kWh (Kilowattstunde) = 3,6 · 106 W · s = 3,6 · 106 J

(elektrisches Wärmeäquivalent)
Die elektrische Leistung des Stromes ergibt sich aus dem Quotienten der
umgesetzten Leistung und der dazu benötigten Zeit.
dW
P=
dt
Wenn die Leistung über einen längeren Zeitraum t konstant bleibt, gilt:
W
P= (1.17)
t
Mit den Gln. (1.2) und (1.16) ergibt sich:
P = UI (1.18)
Die in einem Leiter umgesetzte Leistung ist sowohl der Spannung als auch
dem Strom proportional.
I Hinweis: SI-Einheit der Leistung: [P] = W (Watt) = J/s.
Wird nach Gl. (1.6) I = U/R bzw. U = IR eingesetzt, so ergibt sich:
U2
P= P = I2R (1.19)
R
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30 1 Gleichstrom
Stromwärme. Je nach Leiteranordnung kann die Stromarbeit nach Gl. (1.16)

auch in andere Energieformen umgewandelt werden, z. B. die Stromwärme
Qel (Gesetz von Joule).
Qel = I 2 Rt
Wirkungsgrad
Der Wirkungsgrad η eines Verbrauchers elektrischer Leistung wird als

Verhältnis der von ihm abgegebenen Nutzleistung PN und der zugeführten

Leistung definiert.
Die zugeführte Leistung ist um den Leistungsverlust PV (Stromwärme, me-

chanische Reibung usw.) größer als die Nutzleistung.
PN
η = (1.20)
PN + PV
1.2 Zusammengesetzte Widerstände
1.2.1 Reihenschaltung von Widerständen

und Spannungsteilung
Durchfließt der Strom I mehrere Widerstände nacheinander, so sind diese in

Reihe geschaltet (→ Bild 1.8), und es gilt:
Die Stromstärke ist in allen Widerständen gleich groß.
Die Spannungsabfälle an den Widerständen addieren sich zur Gesamtspan-
nung U:
U = U1 + U2 + . . . + Un
= IR1 + IR2 + . . . + IRn
R
I R1 R2
U1 U2 Bild 1.8 Reihenschaltung von zwei Widerständen

U (einfacher Spannungsteiler)
Daraus folgt:
Der Gesamtwiderstand R in Reihe liegender Widerstände ist gleich der

Summe der Einzelwiderstände.
R = R1 + R2 + . . . + Rn
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1.2 Zusammengesetzte Widerstände 31
Eine wichtige Anwendung bildet der unbelastete Spannungsteiler, für den

folgende Proportionen gelten (→ Bild 1.8):
1
U1 R1 U1 + U2 R1 + R2 U R
= = = (1.21)
U2 R2 U2 R2 U2 R2
Spannungsteilerregel
Bei Reihenschaltungen von Widerständen verhalten sich die einzelnen

Teilspannungen wie die Widerstände, an denen sie abfallen.
1.2.2 Parallelschaltung von Widerständen und Stromteilung
Verzweigt sich der Strom und fließt durch mehrere Widerstände, so gilt:
Die Spannungsabfälle parallel geschalteter Widerstände sind gleich (→
Bild 1.9):
U = I1 R1 = I2 R2 = . . . = In Rn
Die Teilströme addieren sich zum Gesamtstrom I:

I = I1 + I2 + . . . + In
Mit dem Ohm’schen Gesetz (1.13) folgt:
U U U
I= + + ... + = U(G1 + G2 + . . . + Gn )
R1 R2 Rn
I1 R1
I
I 2 R2
Bild 1.9 Parallelschaltung von zwei Widerständen
U (einfacher Stromteiler)
Befinden sich Widerstände in einer Parallelschaltung, so ergibt sich deren
Gesamtleitwert aus der Summe der Einzelleitwerte:
1 1 1 1
G = G1 + G2 + . . . + Gn oder = + + ... +
R R1 R2 Rn
I Häufige Sonderfälle:
Für zwei parallel geschaltete Widerstände gilt:
R1 R2
R= (1.22)
R1 + R2
Für drei parallel geschaltete Widerstände gilt:
R1 R2 R3
R= (1.23)
R1 R2 + R1 R3 + R2 R3
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32 1 Gleichstrom
Stromteilerregel
Die Stromstärken parallel geschalteter Widerstände verhalten sich umge-

kehrt wie die zugehörigen Widerstände.
I1 R2 I R1 + R2
= = (1.24)
I2 R1 I2 R1
1.2.3 Gemischte Schaltung von Widerständen
Gemischte Schaltungen enthalten Widerstände sowohl in Reihen- als auch

in Parallelschaltung.
Zur Berechnung des Ersatzwiderstandes einer gemischten Schaltung von

Widerständen werden alle kleineren Gruppen parallel oder in Reihe liegender
Widerstände schrittweise zusammengefasst, bis nur noch eine einzige Reihen-
oder Parallelschaltung vorliegt. Bild 1.10 zeigt das Beispiel einer in den drei
Schritten a bis c vollzogenen Vereinfachung.
a) b) c)
A BA BA B
Bild 1.10 Vereinfachung einer gemischten Schaltung
1.2.4 Dreieck-Stern-Umwandlung
Bei Netzwerken, die aus zusammenhängenden Maschen bestehen, ist häu-

fig die Umwandlung einer Dreieckschaltung in eine Sternschaltung not-
wendig (→ Bild 1.11).
a) C b) C
R1 R2 RC Bild 1.11 Schaltungs-

RB RA anordnungen
R3 a) Dreieckschaltung
B A B A b) Sternschaltung
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1.3 Stromkreise und Netzwerke 33
Drei zu einem Dreieck zusammengesetzte Widerstände R1 , R2 , R3 lassen sich

durch drei andere zu einem Stern zusammengesetzte Widerstände RA , RB , RC
ersetzen, ohne dass sich der Widerstand zwischen den Anschlussklemmen A,
1
B, C ändert. Die umgekehrte Umwandlung ist ebenfalls möglich.
Sternersatzwiderstände einer Dreieckschaltung
R2 R3 R1 R3
RA = RB =
R1 + R2 + R3 R1 + R2 + R3
(1.25)
R1 R2
RC =
R1 + R2 + R3
Dreieckersatzwiderstände einer Sternschaltung
RB RC RA RC
R1 = RB + RC + R2 = RA + RC +
RA RB
(1.26)
RA RB
R3 = RA + RB +
RC
Beispiel: Die Umwandlung des im Bild 1.12a enthaltenen Dreiecks R1 , R2 , R3

liefert den in der Ersatzschaltung von Bild 1.12b enthaltenen Stern RA , RB , RC ,
womit die Zusammenfassung zu Schaltung 1.12c möglich wird. Es kann auch
vom Dreieck R1 , R4 , R5 ausgegangen werden.
a) R4 b) R4 c)
R4 + RC
R1 R2 RA
RC
R5 R3 R5 RB RA
R5 + RB
Bild 1.12 Vereinfachung einer Schaltung mittels einer Dreieck-Stern-Umwandlung
a) Ausgangsschaltung, b) erste Vereinfachung, c) zweite Vereinfachung
1.3 Stromkreise und Netzwerke
1.3.1 Grundstromkreis
1.3.1.1 Darstellung mit Spannungsquelle
Im einfachsten Fall besteht der Grundstromkreis aus einer Spannungsquelle

Uq und dem vom Strom I durchflossenen äußeren Widerstand Ra .
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34 1 Gleichstrom
Aber auch die Spannungsquelle selbst hat einen oft nicht ohne weiteres
erkennbaren inneren Widerstand Ri , z. B. die Ankerwicklung eines Generators
oder den Elektrolyten eines galvanischen Elements. Der Deutlichkeit halber
wird der innere Widerstand meist als gesondertes Schaltzeichen neben das der
idealen Spannungsquelle gezeichnet (→ Bild 1.13).
Uq
Ri I
A B
Uk
Ra Bild 1.13 Grundstromkreis mit Spannungsquelle
Damit ergibt sich der Strom:

Uq
I= (1.27)
Ri + Ra
Zwischen den Anschlüssen A, B der Spannungsquelle besteht die Klemmen-

spannung:
Uk = IRa = Uq − IRi (1.28)
Die Klemmenspannung Uk ist im Belastungsfall kleiner als die Quellen-

spannung Uq der Spannungsquelle.
Leerlaufspannung. Bei offenen Klemmen A, B ist UAB gleich der Leerlauf-

spannung Ul , die gleich der Quellenspannung Uq ist:
Uq = Ul (1.29a)
Kurzschlussstrom. Bei Kurzschluss der Klemmen A, B ist dagegen die
Klemmenspannung Uk = 0, und es fließt der Kurzschlussstrom:
Uq Ul
IK = = (1.29b)
Ri Ri
1.3.1.2 Darstellung mit Stromquelle
Quellenstromstärke. Der Grundstromkreis kann auch vom Standpunkt einer

Stromquelle aus betrachtet werden. Die Darstellung ist der im vorigen Ab-
schnitt gleichwertig, wenn für den äußeren Widerstand Ra keine Änderung
eintritt. Parallel zur widerstandslos gedachten Stromquelle liegt dann der
innere Widerstand Ri (→ Bild 1.14).
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Iq Ii I
1
Ri Ra
Uk
B Bild 1.14 Grundstromkreis mit Stromquelle

Bei Kurzschluss der Klemmen A, B liefert die Stromquelle bei Ra = 0 die

Quellenstromstärke:
Uq
Iq = (1.30)
Ri
Die Quellenstromstärke ist gleich dem Kurzschlussstrom IK der Spannungs-

quelle bei Ra = 0. Wenn jedoch Ra 6= 0 ist, gilt:
I = Iq − Ii
1.3.1.3 Wirkungsgrad im Grundstromkreis
Die Leistungen Pe ,Pi ,Pa im Grundstromkreis erhält man durch Multiplizieren

von Gl. (1.27) mit dem Strom I:
IUq = I 2 Ri + I 2 Ra
Pe = Pi + Pa (1.31)
Die im Stromkreis erzeugte Leistung Pe ist gleich der Summe der in der
Spannungsquelle und im Verbraucher umgesetzten Leistungen Pi und Pa .
Mit Gl. (1.31) ergibt sich der Wirkungsgrad:
Pa 1
η = = (1.32)
Pa + Pi Ri
1+
Ra
Der maximale Wirkungsgrad η = 1 wird erreicht, wenn Ri = 0 oder Ra = ∞

ist. Weder der eine noch der andere Extremfall ist praktisch realisierbar.
Gegenüber dem Außenwiderstand Ra ist stets ein möglichst geringer Innen-
widerstand Ri der Spannungsquelle anzustreben (Ri Ra , → Bild 1.15).
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36 1 Gleichstrom
1.3.1.4 Leistungsanpassung
Im Gegensatz zur Leistungselektronik kommt es in der Informationselektro-

nik, insbesondere in der Nachrichtentechnik, weniger auf den Wirkungsgrad
als auf die maximale vom Verbraucher aufgenommene Leistung Pa an.
Bei Widerstands- und Leistungsanpassung ist der äußere Widerstand so

bemessen, dass er die maximale Leistung aufnimmt.
Durch Einsetzen von Pa = I 2 Ra in Gl. (1.27) folgt:

Uq2 Ra
Pa = (1.33)
(Ri + Ra )2
Für Ri 6= 0 ergibt sich durch Differenzieren von Pa nach Ra die maximale
Leistung Pmax für Ra = Ri (Leistungsanpassung). Nach Gl. (1.32) beträgt
bei Leistungsanpassung der Wirkungsgrad nur η = 50 %. Oberhalb von
Ri /Ra = 1 nimmt η nur langsam ab.
1
Pa / Pa max
Pa / Pa max
η
0,5
η
0 Bild 1.15 Wirkungsgrad η und

0 1 2 3 normierte abgegebene Leistung
Ri / Ra im Grundstromkreis
1.3.2 Kirchhoff’sche Regeln
Zur Berechnung von Netzwerken (elektrische Schaltungen bestehend aus

Zweigen, Knoten und Maschen) dienen zwei Regeln.
1. Kirchhoff’sche Regel
Stromkreise können auch mehrere Spannungsquellen enthalten und sich in der
verschiedensten Art verzweigen. Jeden Punkt, in dem mehr als zwei Zweige
zusammenlaufen, nennt man einen Knotenpunkt (→ Bild 1.16). Dafür gilt die
1. Kirchhoff’sche Regel oder der Knotenpunktsatz:
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In jedem Knotenpunkt eines Stromkreises ist die Summe der zufließenden

gleich der Summe der abfließenden Ströme. 1
∑ Izu = ∑ Iab ∑I = 0 (1.34)
Im zweiten Ausdruck sind die zufließenden und abfließenden Ströme mit

entgegengesetztem Vorzeichen einzusetzen.
2. Kirchhoff’sche Regel
Jeder geschlossene Einzelstromkreis innerhalb eines Netzwerkes stellt eine
Masche dar. Zusammenhängende Maschen werden durch Knoten verbunden
(→ Bild 1.17). Dafür gilt die 2. Kirchhoff’sche Regel oder der Maschensatz:
Beim gleichsinnigen Umlaufen ist die Summe aller Spannungen innerhalb

einer Masche gleich null.
∑U = 0 (1.35)
I1 R1 I1 B I 3 R3
I5
I2
I2
Uq I R2 II R4
I4
I3
A
Bild 1.16 Knotenpunkt Bild 1.17 Netzwerk mit zwei Maschen
und zwei Knoten
Beispiel: Für die im Stromkreis gekennzeichneten zwei Maschen (→ Bild 1.17)
ergeben sich zwei Maschengleichungen. Bei rechtssinnigem Umlauf gilt:
Masche I: I1 R1 + I2 R2 − Uq = 0
Masche II: I3 R3 + I3 R4 − I2 R2 = 0
1.3.3 Berechnung von Netzwerken
Ein Netzwerk ist aus elektrischen Schaltungen aufgebaut, welche aus

zusammenhängenden Maschen bestehen.
Die Grundlage zur Berechnung der darin enthaltenen und für den interessie-
renden Zweck benötigten Ströme bilden der Knotenpunkt- und der Maschen-
satz. Die äußere Umrandung zweier zusammenhängender Maschen oder auch
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38 1 Gleichstrom
die des gesamten Netzwerkes bildet eine zusätzliche Masche, für die Gl. (1.35)
gilt. Jede einzelne Masche, in die Ströme hinein- oder aus ihr abfließen, sowie
ganze, nach außen hin offene Netzwerke können als ein einziger Knotenpunkt
behandelt werden, für den Gl. (1.34) gilt.
1.3.3.1 Knotenpunkt- und Maschensatz
Enthält das Netzwerk m Zweigströme und n Maschen, so sind zur Berechnung

m unabhängige Gleichungen erforderlich. Davon entfallen auf die

Knotenpunkte: n − 1 Gleichungen
Maschen: m − (n − 1) Gleichungen
Diese sind unabhängig voneinander, wenn jede Gleichung mindestens ein

Glied enthält, das in den übrigen Gleichungen nicht enthalten ist.
I Ausführung der Rechnung:
Festlegung eines einheitlichen Umlaufsinnes in allen Maschen
Eintragen von Richtungspfeilen der Ströme und Quellenspannungen in den
Zweigen (identisch mit dem Umlaufsinn: positives Vorzeichen, nichtidentisch
mit dem Umlaufsinn: negatives Vorzeichen)

Aufstellen der voneinander abhängigen Knoten- und Maschengleichungen so-
wie deren Auflösung nach den einzelnen Strömen und Spannungen
Beispiel (→ Bild 1.18): Zu berechnen ist der Strom I3 im Mittelzweig durch R3 .
Aufstellen der Gleichungen für
Knoten A: I2 = I1 + I3
Masche I: Uq1 = I1 R1 − I3 R3
Masche II: Uq2 = I2 R2 + I3 R3
Einsetzen von A in II sowie Eliminieren von I1 liefert:
Uq2 R1 − Uq1 R2
I3 =
R1 (R2 + R3 ) + R2 R3
B
I1
R1 I R3 II R2
I3
U q1 Uq 2
I2 Bild 1.18 Beispiel zum
A Knotenpunkt- und Maschensatz
Das Verfahren wird erleichtert durch Einführung von Netzwerkgraphen.
Ein Netzwerkgraph ist die vereinfachte Darstellung der Zweige eines

Netzwerkes durch Linien.
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B
Baumzweig
Verbindungszweig 1
Knoten
A Bild 1.19 Netzwerkgraph zu Bild 1.18
Der Netzwerkgraph enthält den sog. vollständigen Baum (Verbindung von

Knoten, ohne geschlossen zu sein) sowie die Verbindungszweige (→ Bild

1.19). Die Einzelmasche wird damit durch einen Verbindungszweig und
beliebig viele Baumzweige definiert.
1.3.3.2 Überlagerungssatz
Jeder Zweigstrom im Stromkreis ist die Summe aller durch diesen Zweig
fließenden Teilströme, die von den vorhandenen Spannungsquellen einzeln
angetrieben werden.
Zur Berechnung des ersten Teilstromes schließt man alle Spannungsquellen

bis auf eine kurz und rechnet so, als ob alle übrigen nicht vorhanden wä-
ren. Die Innenwiderstände dieser Spannungsquellen müssen jedoch stehen
bleiben. Dann schließt man alle Spannungsquellen bis auf eine zweite kurz
und erhält dabei den zweiten Teilstrom usw. Der gesuchte Zweigstrom ist die
Summe dieser Teilströme, deren Vorzeichen zu beachten sind.
Beispiel (→ Bild 1.18): Zu berechnen ist der Strom I3 im Mittelzweig durch R3 .
Der Kurzschluss von Uq2 (→ Bild 1.20a) ergibt nach Gl. (1.23) den Strom
Uq1
I=
R2 R3
R1 +
R2 + R3
und nach Stromteilung
Uq1 R2
I30 =
R1 (R2 + R3 ) + R2 R3
Der Kurzschluss von Uq1 (→ Bild 1.20b) ergibt den Strom
Uq2
I 00 =
R1 R3
R2 +
R1 + R3
und nach Stromteilung
Uq2 R1
I300 =
R2 (R1 + R3 ) + R1 R3
Uq2 R1 − Uq1 R2
I3 = I300 − I30 =
R1 (R2 + R3 ) + R2 R3
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40 1 Gleichstrom
I B B I ′′
I 3′ I 3′′
R1 R2 R1 R2
R3 R3
Uq1 U q2
a) A b) A
Bild 1.20 Beispiel zum Überlagerungssatz: a) Kurzschluss Uq2 , b) Kurzschluss Uq1
1.3.3.3 Zweipoltheorie
Der Zweipol ist ein elektrisches Netzwerk mit zwei stromführenden An-
schlüssen.
Ersatzspannungsquelle
Die gegebene Schaltung wird in einen aktiven Zweipol zerlegt, der die
Spannungsquellen enthält, und einen passiven Zweipol, bestehend aus den
Widerständen. Sind z. B. Strom I und Klemmspannung Ua eines einzelnen Wi-
derstandes Ra gesucht, so trennt man diesen von der Schaltung und betrachtet
den Rest der Schaltung als eine Spannungsquelle mit Ersatz-Quellenspannung
U1 (Leerlaufspannung) und einem inneren (Ersatz-) Widerstand Ri . Dann fließt
durch Ra der Strom I = U1 /(Ri +Ra ), und der Spannungsabfall am Widerstand
Ra ist Ua = IRa .
Berechnung des Ersatzwiderstandes Ri des aktiven Zweipols:
Nach Kurzschluss der vorhandenen idealen Spannungsquellen wird der
Ersatzwiderstand zwischen den freien Klemmen A, B berechnet.
Berechnung der Leerlaufspannung U1 :
1. Weg: U1 ist der Spannungsabfall an dem Widerstand des aktiven Zwei-
pols, der zu den Klemmen A, B des Widerstandes Ra parallel liegt.
2. Weg: Berechnung des Kurzschlussstroms IK , der bei kurzgeschlossenen
Klemmen A, B zwischen diesen fließen würde. Dann beträgt wegen IK =
U1 /Ri die Leerlaufspannung U1 = IK Ri .
Beispiel: Zu berechnen ist der Strom I3 im Mittelzweig durch R3 (→ Bild 1.18).

Nach Zerlegung in aktiven und passiven Zweipol (→ Bild 1.21) ergeben sich:
R1 R2 Uq1 Uq2
Ri = IK0 = − IK00 = −
R1 + R2 R1 R2
0 00 Uq2 R1 − Uq1 R2
IK = IK + IK =
R1 R2
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Uq2 R1 − Uq1 R2
U1 = IK Ri =
R1 + R2
U1 Uq2 R1 − Uq1 R2
1
I3 = =
Ri + Ra R1 (R2 + R3 ) + R2 R3
Ersatzstromquelle
Der aktive Zweipol kann auch als Stromquelle behandelt werden, deren
Innenwiderstand Ri parallel liegt und sich wie eben angegeben berechnet. Bei
kurzgeschlossenen Klemmen A, B liefert die Stromquelle den Kurzschluss-
strom IK , der sich nach der Stromteilerregel in die Widerstände Ri und Ra
verzweigt. Enthält der aktive Zweipol mehrere Spannungsquellen, so ergibt
sich der Kurzschlussstrom IA,B als die Summe der Kurzschlussströme der
einzelnen Spannungsquellen.
Beispiel: Das o. g. Beispiel (→ Bild 1.18) liefert nach Zerlegung (→ Bild 1.20) Ri
und IK . Daraus folgen:
IK Ri + Ra
=
I3 Ri
IK Ri Uq2 R1 − Uq1 R2
I3 = =
Ri + Ra R1 (R2 + R3 ) + R2 R3
Ri
B
}
′
IK ′′
IK
R1 R2
Ra = R3
U q1 U q2
Bild 1.21 Beispiel zur Nutzung einer
A Ersatzspannungs- bzw. -stromquelle
1.3.3.4 Maschenstromverfahren
Aus einem Netzwerk, das aus m Zweigen und n Knoten besteht, wird zunächst
der vollständige Baum ausgewählt. Dieser enthält (n − 1) Baumzweige mit
l = m − (n − 1) Verbindungszweigen, welche zugleich die Zahl der entstehen-
den Maschengleichungen definieren. Dabei ist jede Masche über genau einen
Verbindungsweg und über beliebig viele Baumzweige zu führen.
Beispiel: Zu berechnen ist der Strom I3 durch den Widerstand R3 (→ Bild 1.18).
Baumzweig (→ Bild 1.19): I3 = I2 − I1
Masche I: R1 I1 − R3 (I2 − I1 ) − Uq1 = 0
Masche II: R2 I2 − Uq2 + R3 (I2 − I1 ) = 0
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42 1 Gleichstrom
Das System der Maschengleichungen hat die Lösungen:

(R2 + R3 )Uq1 − R3Uq2 (R1 + R3 )Uq2 − R3Uq1
I1 = ; I2 =
R1 (R2 + R3 ) + R2 R3 R1 (R2 + R3 ) + R2 R3
Damit ergibt sich der gesuchte Strom:
R1Uq2 − R2Uq1
I3 = I2 − I1 =
R1 (R2 + R3 ) + R2 R3
1.3.3.5 Knotenpotenzialverfahren
Jedem Knotenpunkt des Netzwerkes wird ein Potenzial ϕ zugeordnet, wobei

ein willkürlicher Knotenpunkt das Potenzial ϕ = 0 erhält. Die Ströme werden
durch I = ϕ /R ausgedrückt (I > 0 für Stromfluss zum niedrigeren Potenzial
und umgekehrt). Danach werden die Knotengleichungen aufgestellt.
Beispiel: Zu berechnen ist der Strom I3 , der durch den Widerstand R3 fließt (→
Bild 1.18).
Knotengleichung:
I1 + I3 − I2 = 0
1 1 1
(ϕ A − ϕ B + Uq1 ) + (ϕ A − ϕ B + Uq1 ) − (−ϕ A + ϕ B + Uq2 ) = 0

R1 R3 R2
mit ϕ B = 0 folgt

1 1 1 1
ϕA + = (Uq2 − ϕ A ) − Uq1
R1 R3 R2 R1
und daraus
UAB ϕA Uq2 R1 − Uq1 R2
I3 = = =
R3 R3 R1 (R2 + R3 ) + R2 R3
B I1 ϕB = 0 I2
I1
R1 I R3 II R2 R1 R2
I3 R3
U q1 Uq 2 U q1 I3 U q2
I2 ϕA
A
Bild 1.22 Beispiel zum Maschen- Bild 1.23 Beispiel zum Knotenpotenzial-
stromverfahren verfahren
1.3.4 Belasteter Spannungsteiler
Die mit Gl. (1.21) für den Spannungsteiler aufgestellten Beziehungen gelten
nur dann exakt, wenn diesem kein Strom entnommen wird (→ Bild 1.8). Ist
aber ein Belastungswiderstand R3 angeschlossen (→ Bild 1.24), durch den
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der Strom I3 fließt, so verzweigt sich der Querstrom I1 im Punkt C in die

beiden Teilströme I2 und I3 , und die abgegriffene Spannung U2 ist nicht mehr
proportional zu R2 . Unter Anwendung der Spannungsteilerregel Gl. (1.21)
1
R2 R3
U2 R2 kR3 R2 + R3
= =
U R1 + R2 kR3 R2 R3
R1 +
R2 + R3
folgt nach weiterer Rechnung mit a = R2 /R:

U2 I3 a
= = (1.36)
U I3max R
1+ a − a2
R3
A U B
R
I1 I1
R2 R1
I2
C
U2 U1
I3 R3
Bild 1.24 Belasteter Spannungsteiler
Die Abweichungen von der Linearität verstärken sich (→ Bild 1.25) mit
kleiner werdendem Belastungswiderstand R3 . Im Leerlauf (R3 → ∞) liegt
wieder der unbelastete Fall vor.
Beispiel: Steht der Abgriff in der Mitte des Querwiderstandes R, so ist a = 0,5.
Mit R3 = R folgt:
U2 0,5
= = 0,4.
U 1 + 1(0,5 − 0,25)
1,0
0,8
U2 I
= 3
U I max 0,6
R / R3 = 0 1 3
0,4
5
10
0,2
0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 Bild 1.25

Spannungen und Ströme am
a = R2 / R belasteten Spannungsteiler
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44 1 Gleichstrom
1.4 Messung der elektrischen Grundgrößen
1.4.1 Messung von Spannung und Strom
Schaltung von Spannungsmessern

Zur Messung der Spannung werden Instrumente mit möglichst großem Innen-
widerstand Ri verwendet. Drehspulinstrumente reagieren auf den sehr kleinen
Messstrom Ii , welcher der ebenfalls sehr kleinen Spannung Ui proportional ist.

Soll damit eine größere Spannung U gemessen werden, so wird ein Vorwider-
stand Rv mit dem Messwerk in Reihe geschaltet, an dem der Spannungsabfall
U −Ui entsteht (→ Bild 1.26). Somit wird das n(= U/Ui )-fache der Spannung
Ui messbar, und für den Vorwiderstand gilt:
RV = Ri (n − 1) (1.37)
Schaltung von Strommessern

Zur Messung des Stromes eignen sich Drehspulinstrumente mit möglichst
kleinem Innenwiderstand Ri , die den sehr kleinen Messstrom Ii anzeigen. Soll

damit ein größerer Strom I gemessen werden, so wird ein Nebenwiderstand
(Shunt) RN parallel zum Messwerk geschaltet, durch den der Strom I − Ii
fließt. Somit wird das n(= I/Ii )-fache des Stromes Ii messbar, und für den
Nebenwiderstand gilt (→ Bild 1.27):
Ri
RN = (1.38)
n−1
Uq
I Ii Ri
Ii Rv Ri A R
V
Uv Ui R1 Ux
U I N RN
Bild 1.26 Spannungs- Bild 1.27 Strommesser Bild 1.28 Spannungs-
messer mit Vorwiderstand mit Nebenwiderstand kompensation
Spannungskompensation
Zur besonders genauen Messung von Spannungen dienen Kompensations-
schaltungen. Nach Bild 1.28 liegt eine genau bekannte Spannungsquelle Uq
(z. B. ein geeichtes Normalelement) an dem Spannungsteiler R. Der abge-
griffene Teil mit dem Widerstand R liegt mit gleicher Polarität R an der zu
prüfenden Spannungsquelle mit der Quellenspannung Ux . Bei entsprechender
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1.4 Messung der elektrischen Grundgrößen 45
Einstellung am Spannungsteiler wird das Galvanometer stromlos, da die

Spannungsquellen gegeneinander gerichtet sind. Es gilt dann:
1
Uq R1
Ux = (1.39)
R
1.4.2 Messung des Widerstandes

1.4.2.1 Direkte Messung
Spannungsrichtige Schaltung
Nach Bild 1.29 werden Spannung U und Strom I gleichzeitig gemessen. Von
diesem Strom I ist aber der durch den Spannungsmesser fließende Strom Ii
abzuziehen, sodass sich der Widerstand
U
R= (1.40)
I − Ii
ergibt. Ist der Innenwiderstand des Spannungsmessers Ri bekannt, so gilt nach

Erweiterung dieser Gleichung mit Ri :
URi
R=
IRi − U
Wenn es sich um relativ kleine Widerstände R handelt, so ist der Nebenstrom Ii
gegenüber I zu vernachlässigen, und es kann näherungsweise R ≈ U/I gesetzt
werden.
Stromrichtige Schaltung
Wird dagegen die im Bild 1.30 angegebene Schaltung verwendet, so ist von
der gemessenen Spannung U der vom Strommesser verursachte Spannungs-
abfall Ui abzuziehen:
U − Ui
R= (1.41)
I
V Ri V
I R I R
A A
U Ri U
Bild 1.29 Spannungsrichtige Schaltung Bild 1.30 Stromrichtige Schaltung
i i
i i
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46 1 Gleichstrom
Bei Kenntnis des Innenwiderstandes des Strommessers Ri ist:

U
R = − Ri
I
Wenn es sich um relativ große Widerstände R handelt, so kann der Instrumen-
tenwiderstand Ri gegenüber R vernachlässigt werden.
1.4.2.2 Wheatstone-Brücke
Die genannten Fehlerquellen werden bei der Wheatstone-Brückenschaltung

vermieden. Im Bild 1.31 bedeutet Rx den Prüfling, R1 einen festen Vergleichs-
widerstand, R2 und R3 können auch durch einen Widerstandsdraht ersetzt
werden, auf dem der Kontakt A verschoben werden kann (Schleifdrahtmess-
brücke). Durch Verstellen von R2 und R3 wird das Messgerät stromlos. Die
Brücke ist dann abgeglichen und es gilt:
Rx R3
= (1.42)
R1 R2
Der Widerstand des Prüflings ist:
R1 R3
Rx = (1.43)
R2
R1 Rx
R1 R2
R3 R4
Rx RL RN
R2 R3
A
Bild 1.31 Wheatstone-Brücke Bild 1.32 Thomson-Brücke

Als Spannungsquelle genügt i. Allg. eine kleine Trockenbatterie.
1.4.2.3 Thomson-Brücke
Bei sehr kleinen Widerständen im Bereich von 10−5 . . . 1 Ω macht sich der
Widerstand RL der Zuführungsdrähte störend bemerkbar. Dieser Einfluss wird
bei der Thomson-Brücke (→ Bild 1.32) ausgeschaltet. Im Bild 1.32 stellt Rx
den Prüfling und RN einen Normalwiderstand von etwa gleicher Größe dar.
Beide sind über Potenzialklemmen mit den Abgleichwiderständen R1 . . . R4
verbunden. Für
R1 R3
=
R2 R4
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1.4 Messung der elektrischen Grundgrößen 47
wird das Galvanometer stromlos, und es gilt für den Prüfling:
R1 RN
1
Rx = (1.44)
R2
Der Widerstand RL der Zuleitung geht in die Berechnung nicht ein, sodass Rx
nicht verfälscht wird.
1.4.3 Messung der Leistung
Anstatt Spannung und Strom einzeln nacheinander zu messen, ist es, vor
allem bei schwankenden Betriebsverhältnissen, vorteilhafter, beide Größen
gleichzeitig zu erfassen. Im hierzu nutzbaren elektrodynamischen Messwerk
gelangen sowohl der Strom I im Strompfad als auch die Klemmenspannung
U im Spannungspfad zur Wirkung, sodass der Zeigerausschlag dem Produkt
P = UI proportional ist.
Spannungsrichtige Schaltung (→ Bild 1.33a):

Die am Verbraucher R liegende Spannung U wird richtig gemessen. Der
angezeigte Strom setzt sich aus dem Verbraucherstrom I und dem Strom ∆I
im Spannungspfad zusammen. Am Verbraucher gilt:
U2
P = UI − (1.45)
RU
I Relativer Fehler mit dem Widerstand des Spannungspfades (Spannungsspule des

Wattmeters mit Vorwiderstand) RU :
∆P R
=
P RU
a) Spannungspfad b) Spannungspfad
RI ∆I RI
Strom- Strom-
pfad I pfad I
∆U
U Rv R U Rv R
Bild 1.33 Leistungsmessung mit elektrodynamischem Messwerk

a) Spannungsrichtige Schaltung b) Stromrichtige Schaltung
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48 1 Gleichstrom
Stromrichtige Schaltung (→ Bild 1.33b):

Der Strom I wird richtig angezeigt. Die angezeigte Spannung setzt sich aus der
des Verbrauchers U und dem Spannungsabfall ∆U im Strompfad zusammen.
Am Verbraucher gilt:
P = UI − RI I 2 (1.46)
I Relativer Fehler mit dem Widerstand des Strompfades (Stromspule des Wattme-
ters) RI :
∆P RI
=
P R
Der relative Fehler ∆P/P ist klein, wenn gilt:
RU R RI
Bei kleinem Verbraucherwiderstand R ist daher die spannungsrichtige und bei
großem Verbraucherwiderstand R die stromrichtige Schaltung zu bevorzugen.
Bei Einsatz von Leistungselektronik ist der Eigenverbrauch ∆P des Instrumentes
so gering, dass er vernachlässigt werden kann.
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2 Elektrische und magnetische Felder
2.1 Elektrostatisches Feld 2

2.1.1 Elektrische Feldstärke
Unter dem Einfluss getrennter elektrischer Ladungen nimmt der leere oder
auch stofferfüllte Raum einen Zustand an, der als elektrisches Feld bezeichnet
wird. Er ist u. a. daran zu erkennen, dass elektrisch geladene Körper bestimmte
Kraftwirkungen erfahren (→ 2.1.6).
Die elektrische Feldstärke kennzeichnet die Größe der Kraftwirkung für

jeden Punkt des elektrischen Feldes.
Die in Richtung der wirkenden Kraft verlaufenden Linien werden elektrische

Feldlinien genannt. Sie kennzeichnen in jedem Punkt des Raumes die Rich-
tung der wirkenden elektrischen Kräfte. Im Sonderfall des homogenen Feldes

verlaufen sie parallel und in gleichen Abständen.
Die elektrischen Feldlinien verlaufen stets von der positiven zur negativen
Ladung.
Ein elektrisches Feld, das in allen Punkten von gleicher Stärke ist, wird als
homogen bezeichnet. Es ist annähernd in den zentralen Teilen des Zwischen-
raums zweier im Abstand l befindlicher isolierter Metallplatten verwirklicht,
an die die Spannung U gelegt wird (→ Bild 2.1).
++++++++++++
l U
−−−−−−−−−−−− Bild 2.1 Elektrische Feldlinien
zwischen zwei Platten
Im homogenen Feld besteht die elektrische Feldstärke:
U
E= (2.1)
l
I Hinweis: SI-Einheit der elektrischen Feldstärke: [E] = V/m.
I Beachte: Die elektrische Feldstärke ist eine vektorielle (gerichtete) Größe und
wird als solche mit E bezeichnet. In diesem Buch wird meist nur mit deren Betrag
gerechnet (|E| = E). Dieses gilt auch für weitere folgende vektorielle Feldgrößen,
wie z. B. D, F, H und B.
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50 2 Elektrische und magnetische Felder
2.1.2 Influenz
Wird in das elektrische Feld ein Metallkörper gebracht, so verschieben sich

unter der Wirkung der elektrischen Anziehungskräfte seine negativen La-
dungsträger an die der positiven Platte nächstliegende Oberfläche, während
sich die andere Seite positiv auflädt (→ Bild 2.2). Bei Wegfall des Feldes
verschwindet die Erscheinung wieder:
Influenz ist die vorübergehende Verschiebung von Ladungen unter dem

Einfluss eines äußeren elektrischen Feldes.

Das Innere des leitenden Körpers bleibt dabei feldfrei.
−+
−+ −+
+ −+ − + − + −
−+
−+ − feld- +
−+ − frei
−+ − ++
+Q −Q +Q −Q
Bild 2.2 Influenz Bild 2.3 Abschirmung elektrischer Felder

Anwendung: Abschirmung elektrischer Felder (→ Bild 2.3) durch Drahtnetze
(Faraday’scher Käfig).
2.1.3 Verschiebungsdichte und Verschiebungsfluss

Die Stärke des elektrischen Feldes kann auch durch die auf den Platten
befindlichen Ladungen ±Q und deren Oberfläche A ausgedrückt werden und
wird dann als Verschiebungsdichte oder elektrische Flussdichte bezeichnet:
Q
D= (2.2)
A
I Hinweis: SI-Einheit der Verschiebungsdichte: [D] = C/m2 = A · s/m2 .
Zwischen den elektrischen Feldgrößen E und D besteht im Vakuum die
Beziehung:
D = ε0E (2.3)
Elektrische Feldkonstante ε 0 ≈ 8,854 · 10−12 F/m
Verschiebungsfluss. Die vom Feld verschobene Ladungsmenge wird auch
Verschiebungsfluss Ψ genannt. Es ist daher
Ψ
D= (2.4)
A
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Als Flächenladungsdichte wird der Quotient Q/A bezeichnet.
Q
σ = (2.5)
A
Im Unterschied zu σ ist D in Gl. (2.2) eine vektorielle Feldgröße, die im 2
freien Raum meist die gleiche Richtung wie der elektrische Feldvektor E hat.
Lediglich ihr Betrag ist |D| = D = σ .
2.1.4 Dielektrikum
Als Dielektrikum wird der im Raum zwischen zwei geladenen Metallplat-

ten befindliche Isolierstoff bezeichnet.
Wird der Plattenzwischenraum mit einem isolierenden Stoff, d. h. einem

Dielektrikum, ausgefüllt, so erhöht sich die vom Feld gebundene Ladung, und
anstelle von Gl. (2.3) tritt
D = ε0εrE (2.6)
mit der Permittivitätszahl ε r (→ Tabelle 2.1). Ursache ist der molekulare

Aufbau dieser Stoffe. Ihre Moleküle stellen kleine elektrische Dipole dar,
die sich in Feldrichtung einstellen und den Verschiebungsfluss entsprechend
verstärken. Für Luft beträgt bei 0 ◦ C und 101,3 kPa ε r = 1,00058 und kann
in allen praktischen Fällen gleich 1 gesetzt werden.
Tabelle 2.1 Eigenschaften von Dielektrika bei ϑ = 20 ◦ C
Material Permittivitätszahl Spezifischer elektri- Verlustfaktor
ε r bei f = 50 Hz scher Widerstand tan δ C · 10−4
% in Ω · m bei f = 1 MHz
BaTiO3 103 . . . 104
destilliertes Wasser 80,4 5 · 103
Siliconasbestpappe 30 7 · 1010 3000
Hartporzellan 5 . . . 6,5 1011 . . . 1012 10 . . . 20
Quarzglas 4,2 1015 . . . 1019 0,5
Glimmer 4...8 1014 . . . 1017 0,5 . . . 1
Polyamid (PA66) 3,5 1014 20
Epoxidharz 3,3 . . . 3,9 1015 . . . 1016 5...8
Polyurethan 3,1 . . . 4 bis 1013 15 . . . 60
Transformatoröl 2 . . . 2,5 bis 1013 1
Teflon 2 bis 1016 0,2 . . . 0,5
Da jeder Isolator letzlich ein schlechter Leiter ist, kommt es zu dielektrischen

Verlusten, die besonders bei Wechselströmen nicht zu vernachlässigen sind.
Sie werden durch Ströme im Isolationswiderstand, im Oberflächenwiderstand
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und von Polarisationseffekten bestimmt. Daraus ergibt sich der entsprechende

Leistungsverlust, welcher den material- und frequenzabhängigen Verlustfak-
tor tan δ enthält.
PV = 2π fCU 2 tan δ (2.7)
Die Messung des Verlustfaktors eines Kondensators C2 mit der Kapazität Cx
und dem Verlustwiderstand Rx erfolgt mit der Schering-Brücke (→ Bild 2.4).
Mit dem Referenzkondensator CR und den Abgleichsbedingungen
C1 R1
R x = R2 , Cx = CR
CR R2
ergibt sich der Verlustfaktor tan δ = ω RxCx .
R2 C2 ( Rx , Cx )
R1
CR
C1
Bild 2.4 Schering-Brücke
2.1.5 Kondensatoren
Kondensatoren sind Anordnungen zur Speicherung ruhender elektrischer

Ladungen.
2.1.5.1 Kapazität
Anordnungen, in denen ruhende elektrische Ladungen gespeichert sind, hei-

ßen Kondensatoren. Zwei isoliert und parallel zueinander aufgestellte Me-
tallplatten bilden einen Plattenkondensator. Wird die an den Platten liegende
Spannung U schrittweise erhöht, so nimmt die gespeicherte Ladung Q pro-
portional zu:
Q = CU (2.8)
Kapazität. Der Proportionalitätsfaktor C ist die Kapazität des Kondensators:

Q
C= (2.9)
U
I Hinweis: SI-Einheit der Kapazität: [C] = F (Farad) = A · s/V.
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2.1.5.2 Schaltung von Kondensatoren
Reihenschaltung (→ Bild 2.5)

Da beim Aufladen nur gleich große Ladungen getrennt werden können, trägt
jeder Kondensator die gleiche Ladung Q. Für die Teilspannungen gilt: 2
Q Q Q
U1 = , U2 = , . . . , Un =
C1 C2 Cn
und für die Gesamtspannung:

Q Q Q Q
U = U1 + U2 + . . . + Un oder = + + ... +
Cges C1 C2 Cn
Nach Kürzen mit der Ladung Q ergibt sich für den reziproken Wert die
Gesamtkapazität:
1 1 1 1
= + + ... + (2.10)
Cges C1 C2 Cn
I Sonderfall für zwei in Reihe geschaltete Kondensatoren:

C1C2
Cges = (2.11)
C1 + C2
Q1 C1
+Q −Q +Q −Q + −
C1 C2
Q2 C2
U1 U2
U U
Bild 2.5 Reihenschaltung Bild 2.6 Parallelschaltung
von Kondensatoren von Kondensatoren
Parallelschaltung (→ Bild 2.6)
Alle Kondensatoren liegen an der gleichen Spannung U, ihre Ladungen
addieren sich.
Aus Q = Q1 + Q2 + . . . + Qn oder auch UCges = UC1 + UC2 + . . . + UCn
ergibt sich die Gesamtkapazität:
Cges = C1 + C2 + . . . + Cn (2.12)
Gemischte Schaltung
Gemischte Schaltungen enthalten Kondensatoren sowohl in Reihen- als

auch in Parallelschaltung.
Zur Berechnung der Gesamtkapazität werden wie bei der Berechnung von
Widerständen alle kleineren, in sich geschlossenen Gruppen von parallel oder
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in Reihe liegenden Kondensatoren zusammengefasst. Unter Hinzunahme der

nächstliegenden Kondensatoren wird das Verfahren solange fortgesetzt, bis
nur noch eine einfache Reihen- oder Parallelschaltung vorliegt.
Beispiel (→ Bild 2.7): Die Kapazität C aller Kondensatoren sei gleich groß. Nach
Zusammenfassung der links und rechts liegenden Reihenschaltungen mit je
1 1 1 1 1 3 C
= = + + = wird C1 = C2 = (→ Bild 2.8)
C1 C2 C C C C 3
Nochmaliges Zusammenfassen liefert: Cges = 2C/3 + C = 5C/3.
A A
C C
C C C
C1 C C2
C C
B B
Bild 2.7 Gemischte Schaltung Bild 2.8 Vereinfachte Schaltung
von Kondensatoren von Bild 2.7
Tabelle 2.2 Kapazität von Kondensatoren und Leitungen
Art des Kondensators Kapazität C Erläuterungen

Zweiplattenkondensator mit ε0εrA A wirksame Oberfläche
engem Abstand d d Plattenabstand
Kugelkondensator 4πε 0 ε r ri ,ra innerer und äußerer
1 1 Kugelradius
−
ri ra
Frei stehende Einzelkugel in Abstand gegen Erde
4πε 0 r
Luft re r (Kugelradius)
Aus n Metallplatten geschich- ε0εrA d Dicke der Isolatorschichten
(n − 1)
teter Kondensator d
Röhrchenkondensator 2ε 0 ε r lr r mittlerer Röhrchenradius
d d Dicke des Dielektrikums
Doppelleitung in Luft πε 0 ε r l d Leiterabstand
d r Leiterradius
ln
r l Länge der Leitung
Einzelne Freileitung 2πε 0 ε r l h Höhe über Erde

2h r Leiterradius
ln
r l Länge der Leitung
Koaxialkabel 2πε 0 ε r l ra ,ri Radius von Außen- und

ra Innenleiter
ln
ri l Länge des Kabels
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2.1.5.3 Berechnung der Kapazität von Kondensatoren
Plattenkondensator. Durch Gleichsetzen von Gln. (2.2) und (2.6) ergibt

sich für die Ladung zweier im engen Abstand d befindlicher Platten Q =
ε 0 ε r AU/d. Für die Kapazität entsteht daraus wegen Q = CU
2
ε0εrA
C= (2.13)
d
Weitere kapazitive Anordnungen sind in Tabelle 2.2 dargestellt.

Beispiel: Ein aus zehn Metallfolien und 0,1 mm dicken Glimmerblättchen (ε r =
7,5) geschicheter Blockkondensator mit 1,5 · 3 cm2 wirksamer Fläche hat die
Kapazität:
8,854 · 10−12 A · s · 7,5 · 1,5 · 3 · 10−4 m2
C = (10 − 1) = 2,7 nF
10−4 m · V · m
2.1.5.4 Geschichtetes Dielektrikum

Ein geschichtetes Dielektrikum enthält Materialien mit unterschiedlichen

Permittivitätszahlen.
Im Bild 2.9 sind zwei verschiedene Materialien im Plattenkondensator vor-

handen. Denkt man sich die Grenzfläche durch eine unendlich dünne Metall-
belegung ersetzt, so liegen zwei Kondensatoren in Reihenschaltung vor. Diese
tragen gleich große Ladungen, sodass auch die Verschiebungsdichten gleich
groß sein müssen. Nach Gl. (2.6) ist ε r1 E1 = ε r2 E2 . Wegen E1 = U1 /d1 und
E2 = U2 /d2 gilt für das Verhältnis der Teilspannungen:
U1 ε r2 d1
α = = (2.14)
U2 ε r1 d2
Bei gegebener Gesamtspannung U ergeben sich für die Teilspannungen:
Uα U
U1 = U2 = (2.15)
1+α 1+α
2.1.5.5 Ladung und Entladung von Kondensatoren
Wird an einem Stromkreis mit ohmschem Widerstand R und Kondensator C

die Spannung U angelegt, so beträgt der Augenblickswert der Spannung am
Kondensator nach dem Maschensatz (→ Bild 2.10):
uC = U − iR (2.16)
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d
d1 d2
i R C
+ −
εr1 εr2 t=0
S uC
U1 U2
d1 d2
U U
Bild 2.9 Geschichtetes Dielektrikum Bild 2.10 Ladung und Entladung
im Plattenkondensator eines Kondensators
Der Augenblickswert des Stromes nach Gl. (1.1) beträgt i = dQ/ dt. Mit
Gl. (2.8) dQ = C duC folgt für den zeitlich veränderten Strom i bzw. den
Augenblickswert der Spannung uC (→ Bild 2.11):
duC duC
i=C uC = U − RC (2.17)
dt dt
uC
R
t
τ
uC
Bild 2.11 Augenblickswert von

t Strom und Spannung beim Laden
Aufladen Entladen und Entladen eines Kondensators
Durch Integration folgt t = −RC ln(U − uC ) + K. Die Integrationskonstante K

hat für t = uC = 0 den Wert K = RC ln U. Daraus folgt mit der Zeitkonstanten
τ = RC für den Augenblickswert der Aufladespannung:

uC = U 1 − e−t/RC (2.18)
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Der Augenblickswert des Aufladestromes ist:

U −t/RC
i= e = I e−t/RC (2.19)
R
Zum Zeitpunkt t = 0 ergeben sich aus Gl. (2.19) i = U/R und der Anstieg 2
−U/(τ R). Damit lässt sich eine Gerade definieren, welche die t-Achse im
Punkt τ schneidet (→ Bild 2.11).
Nach Umlegen des Schalters S (→ Bild 2.10) entlädt sich der Kondensator
über den Widerstand R. Die Entladespannung fällt exponentiell ab.
uC = U e−t/τ (2.20)
1,0
uC / U
0,8
i / I,
uC / U 0,6
0,4
0,2
i/I
0 1 2 3 4 5
t/τ
Bild 2.12 Verlauf von Spannung und Strom beim Laden eines Kondensators in
normierter Darstellung
Hieraus folgt durch Differenziation und Gl. (2.19) der Entladestrom:

duC
i=C = −I e−t/τ (2.21)
dt
Beispiel: Betragen der Widerstand R = 0,5 MΩ und die Kapazität C = 4 µF,
so ist die Zeitkonstante τ = 0,5 · 4 s = 2 s; nach Ablauf von t = 2 s sinkt der
Einschaltstrom nach Bild 2.12 auf i = I e−1 = 0,368I. Die Spannung steigt dabei
auf den Wert uC = U(1 − 0,368) = 0,632U.
2.1.6 Kräfte im elektrischen Feld
Auf jede Ladung wird im elektrischen Feld eine Kraftwirkung ausgeübt.
Kraft auf eine Punktladung

Denkt man sich eine punktförmige Ladung im elektrischen Feld (→ Bild
2.13), so verrichtet diese nach Gl. (1.4) bei Durchlaufen der Spannung dU
die Arbeit dW = Q dU. Diese ist aber das Produkt aus der Kraft F und dem
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zurückgelegten Weg ds, und es gilt F ds = Q dU. Nach Gl. (2.1) E = dU/ ds
ergibt sich für die bewegende Kraft:
F = QE (2.22)
E
Q
+ + −
F
U r
Bild 2.13 Punktladung im Bild 2.14 Verlauf der Feldstärke im
homogenen elektrischen Feld Abstand r von einer Punktquelle
Kraft zwischen zwei Punktladungen

Die von einer punktförmigen Ladung ausgehenden Feldlinien verlaufen radi-

alsymmetrisch in den Raum. Die gleiche Feldform hat eine geladene Kugel.
Aus den Gln. (2.2) und (2.6) folgt für die Verschiebungsdichte an der Ober-
fläche einer geladenen Kugel:
Q
D = ε0εrE =
A
In der Entfernung r vom Ort einer Punktladung Q1 beträgt die Feldstärke auf
der Kugelfläche A = 4πr 2 (→ Bild 2.14):
Q1
E= (2.23)
4πε 0 ε r r 2
Befinden sich zwei Punktladungen Q1 und Q2 im Abstand r, so werden sie

mit einer Kraft F voneinander angezogen oder abgestoßen (Coulomb’sches
Gesetz).
Q1 Q2
F
+ − Bild 2.15 Kraft zwischen zwei
r
entgegengesetzt geladenen Punktquellen
Q1 Q2
F= (2.24)
4πε 0 ε r r 2
Dies ist das Coulomb’sche Gesetz.
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I Beachte: Da Versuchskörper, z. B. geladene Kugeln, nicht punktförmig sind, wird

das Feld durch Influenz verzerrt, und Gl. (2.24) gilt nur näherungsweise.
Kraft zwischen zwei geladenen Platten

Die Kraft zwischen zwei geladenen Platten der Fläche A bei kleinem Ab- 2
stand d und gegebener Spannung U folgt nicht ohne Weiteres aus dem
Coloumb’schen Gesetz. Zunächst gelten:
1 dC A
F = U2 und C = ε0εr
2 dd d
Nach Differenziation von dC/ dd ergibt sich:
ε 0 ε r AU 2
|F| = (2.25)
2d 2
F
U Bild 2.16 Kraft auf

d zwei geladene Platten
I Beachte: Bei größerem Plattenabstand quellen die Feldlinien seitlich aus dem
Zwischenraum, das Feld wird inhomogen.
2.1.7 Energie im elektrischen Feld
Während des Aufladens des Kondensators fließt die Ladung in kleinen Teilbe-
trägen dQ zu, wobei sich die Spannung jeweils um den Betrag dU erhöht. Die
erforderliche Energie beträgt bei jedem Schritt nach Gl. (1.4) dW = U dQ.
Nach Gl. (2.8) ist aber dQ = C dU, sodass sich die gesamte Arbeit W durch
Integration ergibt:
ZU
CU 2
W = UC dU = (2.26)
2
0
Dieser Energiebetrag ist im elektrischen Feld gespeichert und wird wieder frei
(z. B. in Form von Stromwärme), wenn das Feld verschwindet. Setzt man in
Gl. (2.26) die Kapazität des Plattenkondensators Gl. (2.13) und U = Ed ein,
so ergibt sich mit dem Feldvolumen V = Ad:
ε 0 ε r E 2V
W = (2.27)
2
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2.1.8 Piezoelektrischer Effekt
Bei Druckeinwirkung auf einen Kristall entsteht eine elektrische Quel-

lenspannung (piezoelektrischer Effekt). Die dazu erforderliche Kraft F
erzeugt im Inneren des Kristalls eine Ionenverschiebung und damit eine
elektrische Polarisation.
Bild 2.17 zeigt dies in vereinfachter Form für einen Quarzkristall.

z +
F
+ Si − +
− O − + − − −
− − − F
− − − −
y
x + + + + + +
− −
−− + − −
a) b) c) −
Bild 2.17 Ursache des piezoelektrischen Effekts bei Quarz (drei Si4+ -, sechs
O2− -Ionen): a) unbelastet, b) longitutinale Belastung (d33 ), c) transversale
Belastung (d31 )
Piezoelektrische Materialien laden sich bei Druck- oder Zugbeanspruchung

in Richtung ihrer polaren Achsen elektrisch auf.
Die aufgewendete mechanische Arbeit F∆x wird dabei in elektrische Energie

QU umgewandelt:
F∆x = QU (2.28)
Durch Einführung des Piezomoduls dmn ergibt sich:
∆x
U= (2.29)
dmn
Die technisch bedeutsamen ferroelektrischen Keramiken werden erst beim
Anlegen einer Gleichspannung piezoelektrisch aktiv (Ausrichtung der Domä-
nen im atomaren Verband). Der Piezomodul dmn enthält zwei Indizes. Diese
definieren die Achsenrichtung der angelegten Spannung und die Deformati-
onsrichtung. Der Piezomodul ist materialabhängig (→ Tabelle 2.3).
Anwendungen:
Mikrofone und Tonabnehmer
piezokeramische Wandler (Dicken- und Dehnungsschwinger)
Ultraschallwandler
Keramiktransformator
Druck- und Durchflussmessung
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Tabelle 2.3 Eigenschaften piezoelektrischer Stoffe

Material Permittivität Piezomodul Curie-Temperatur
εr dmn in 10−12 V/m TC in K
SiO2 3,7 d11 = 2,25
d14 = 0,85 2
Ba(Ti0,95 ,Zr0,05 )O3 1400 d31 = −60 120
d33 = 150
Pb(Ti0,54 ,Zr0,46 )O3 1540 d15 = 550 350
d31 = −150
d33 = 330
Bei Nutzung des Piezoeffektes zur Messung von Drücken sind Systeme mit
kapazitiven Siliciumchips und dielektrisch isolierten piezoresistiven Sensoren
im Einsatz (→ Bild 2.18).
P K 4 5 6 7
3
8
I 2
e 9
p 1
Bild 2.18 Aufbau eines Bild 2.19 Thermosäulendünnschichtsystem
piezoresistiven Drucksensors zur berührungslosen Temperaturmessung
P Piezowiderstand, K Kontakt, 1 Si-Chip, 2 Si3 N4 / SiO2 , 3 Referenzdraht,
I Isolator, e epi-n-Si, p p-Si 4 aktiver Kontakt, 5 Absorptionsschicht,
6 Bi, 7 Sb, 8 Bondendraht, 9 Bondinsel
2.1.9 Thermoelektrischer Effekt
Der Thermo- oder Seebeck-Effekt verursacht bei Erwärmen bzw. Abküh-

len der Verbindungsstelle zweier Leiter oder Halbleiter, welche eine ge-
schlossene Schleife bilden, eine elektrische Quellenspannung (→ Tabelle
1.1).
Diese hat ihre Ursache in der unterschiedlichen Austrittsarbeit der Elektronen

innerhalb der beiden Leiter I und II. Es gilt:
k nI
U = ln ∆T (2.30)
e nII
∆T Temperaturdifferenz der Kontaktstellen
nI,II Elektronenzahl der Leiter pro Volumeneinheit
e elektrische Elementarladung, e = 1,602 18 · 10−19 C
k Boltzmann-Konstante, k = 1,380 66 · 10−23 J/K
Der thermoelektrische Effekt wird u. a. zur berührungslosen Temperaturmes-
sung genutzt. Eine Vielzahl in Reihe geschalteter Thermoelemente sichert eine
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hohe Empfindlichkeit. Bewährt haben sich Dünnschichtsysteme aus Bi-Sb und

Bi-Sb-Te-Se-Mischkristallen (→ Bild 2.19). Mit 50 Thermopaaren lässt sich
eine Empfindlichkeit von 5 6 · 10−3 K erreichen.
2.1.10 Lichtelektrischer Effekt
Einfallendes Licht löst Elektronen aus ihrer atomaren Bildung und es

kommt zu einem Ionisationsstrom.
Äußerer lichtelektrischer Effekt

Die freigesetzten Ladungsträger werden mit einer positiven Spannung zur
Anode abgesaugt (Vakuumfotozelle).
Die Energie des Photons 1) h f verteilt sich auf die Austrittsarbeit zur Elektro-
nenbefreiung WA = h fGr und die kinetische Energie des freigesetzten Elek-
trons ( =
b der gemessenen Bremsspannung UB ).
h f = h f |Gr + eUB (2.31)

h
UB = f − f |Gr (2.32)
e
f |Gr materialabhängige Frequenz
Anwendung:
Lichtintensitätsmessgeräte
Geiger-Müller-Zählrohr
Innerer lichtelektrischer Effekt
Die freigesetzten Ladungsträger verlassen den Kristall nicht. pn-Übergänge

in Halbleitern sind die Grundlage entsprechender Fotoelemente (→
6.12.3). An den Kontaktstellen x = 0 entstehen Überschussladungen Q(x)
und ein entsprechender Feldverlauf.
Zx
1
E(x) = Q(x) d x Feldverlauf (2.33)
ε0εr
−∞
Zx
U(x) = − E(x) d x Spannungsverlauf (2.34)
−∞
1)
Korpuskulartheorie des Lichtes
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2.2 Stationäres elektrisches Strömungsfeld 63
2.2 Stationäres elektrisches Strömungsfeld
2.2.1 Strömungsfeld
2
Stationäre Strömungsfelder definieren die Bewegung von Ladungen und
deren Wirkungen im Leiter für den Fall, dass diese zeitlich invariant sind.
Das heißt, es gilt ∂i/∂t = 0. In Leitern mit durchgehend gleichem Querschnitt

verlaufen die Stromlinien (auch als Stromdichtelinien bezeichnet) parallel
zueinander (homogenes Strömungsfeld), d. h., der Strom I verteilt sich hier
gleichmäßig über den Leiterquerschnitt. Bei flächenhaft oder räumlich ausge-
dehnten Leitern mit veränderlichem Querschnitt ist dies nicht mehr der Fall.
Der Strom wird hier durch ein mehr oder weniger kompliziertes Strömungs-
feld dargestellt, dessen Verlauf sich durch Stromlinien symbolisieren lässt. Die
Stromlinie steht senkrecht auf den Äquipotenziallinien und ist in Richtung des
höheren Potenzials gerichtet. Sie wird in jedem Punkt des Raumes vom Vektor
der Stromdichte J tangiert.
∆A2
∆I
∆A1
Stromlinie
v
Bild 2.20 Strömungsfeld mit Strom- Bild 2.21 Stromröhre
linien und Geschwindigkeitsvektoren
An jeder Stelle des Feldes bewegen sich die Ladungsträger mit einer nach
Betrag und Richtung bestimmten Geschwindigkeit v. Die Geschwindigkeits-
vektoren sind Tangenten der Strömungsfeldlinien (→ Bild 2.20). Der Gesamt-
strom I lässt sich dann gedanklich in einzelne Stromröhren (→ Bild 2.21)
zerlegen, die von dem gleichen Teilstrom ∆I durchflossen werden und deren
Mantelflächen aus Strömungsfeldlinien bestehen.
2.2.2 Stromdichte
Die Stromdichte kennzeichnet die Verteilung des Stromes in Leitern und

Elektrolyten und dient als Maß für ihre elektrische Belastbarkeit.
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Wird der Gesamtstrom im Leiter in einzelne Teilströme ∆I aufgeteilt, so gilt

für die Stromdichte J bezogen auf ein Flächenelement ∆A, das vom Strom ∆I
senkrecht durchsetzt wird (→ Bild 2.22):
∆I
J=
∆A
∆I J1 J 2 ∆A J3
Bild 2.22 Stromdichte bei unterschied-

lichem Leiterquerschnitt (J1 > J3 > J2 )
Für den Gesamtstrom I, der die Fläche A unter einem Winkel α durchsetzt,
ergibt sich
Z
I= J cos α dA (2.35)
A
Bei homogenen Querschnittsverhältnissen und α = π/2 (z. B. in dünnen

Drähten) gilt
I
J=
A
I Hinweis: SI-Einheit der Stromdichte: [J] = A/m2 .
Beispiel: Wirtschaftlich vertretbare Stromdichten
Freileitungen und Kabel 2,5 . . . 3 A/mm2
Geräte 1,5 . . . 10 A/mm2
Wicklungen von Spulen 2,5 . . . 3 A/mm2
Setzt man nach Gl. (1.1) I = Q/t und beachtet, dass sich die Ladung Q mit
der gleichförmigen Geschwindigkeit v = s/t bewegt, so wird aus Gl. (2.35)
J = Qv/(As). Dabei nimmt die Ladung Q das Volumen V = As ein, während
Q/V = %e die Raumladungsdichte darstellt. Somit ist die Stromdichte auch:
J = %e v (2.36)
Die Stromdichte ist eine vektorielle Größe, deren Richtung mit der des
Geschwindigkeitsvektors v positiver Ladungsträger übereinstimmt.
Radialhomogene Strömungsfelder (Spezialfall inhomogener Felder)

Koaxialkabel: Der zwischen Innen- und Außenleiter eines Koaxialkabels
quer durch die Isolation fließende Strom I bildet ein inhomogenes Strö-
mungsfeld. Die vom Strom durchsetzten Flächen haben die Form von
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2.2 Stationäres elektrisches Strömungsfeld 65
Zylindermänteln der Oberfläche A = 2πrl. Der Betrag der Stromdichte

ergibt sich daher aus:
I
J= (2.37)
2πrl
Die Stromdichte J nimmt von innen nach außen mit zunehmendem Achs- 2
abstand r ab.
Eingebettete Kugel: Eine z. B. in der Erde eingelagerte, gut leitende Kugel,
deren Gegenpol sich in weiter Entfernung befindet, erzeugt ein ähnliches
Strömungsfeld. Die Strömungslinien durchsetzen Kugelflächen A = 4πr 2 :

I
J= (2.38)
4πr 2
Halbkugel: In die Erdoberfläche versenkte Erdungskörper können nähe-
rungsweise als Halbkugel betrachtet werden, in deren Umgebung besteht
die Stromdichte:
I
J= (2.39)
2πr 2
2.2.3 Stromdichte und Feldstärke

Homogene Felder
Ein Feld ist homogen, wenn in allen Punkten des Feldes die gleiche
Feldstärke nach Betrag und Richtung vorliegt.
Dividiert man die mit den Gln. (1.8) und (1.9) umgeformte Gl. (1.6)
I = κUA/l beiderseits durch den Leiterquerschnitt A, so entsteht die
elektrische Stromdichte in der Form:
κU
J=
l
Wegen U = El ist die Stromdichte das Produkt aus elektrischer Leitfähigkeit
κ und Feldstärke E = U/l (→ 2.1.1):
J = κE (2.40)
Inhomogene Felder
In inhomogenen Feldern ist die Feldstärke E nicht in allen Punkten des Feldes
konstant und daher als Differenzialquotient darzustellen:
dU
E=
ds
Danach ergibt sich die Spannung U12 zwischen zwei Punkten einer Feldlinie
mit: 2
Z
U12 = E ds (2.41)
1
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2.2.4 Feldstärke und Potenzial
Nach der in 1.1.3 gegebenen Definition, wonach das Potenzial gleich der
Spannung U1 gegenüber einem festen Bezugspunkt mit dem Potenzial ϕ 0 = 0
ist, lautet Gl. (1.5):
ZP0
U10 = ϕ 1 − ϕ 0 = ϕ 1 = E ds (2.42)
P1
Die Richtung des Feldstärkevektors E weist stets in Richtung abnehmen-

den Potenzials ϕ .
Unter Verwendung von Gl. (2.40) kann die Stromdichte J anstelle der Feld-
stärke in Gl. (2.42) eingesetzt werden:
ZP0
1
ϕ1 = J ds (2.43)
κ
P1
Linien bzw. Flächen gleichen Potenzials ϕ schneiden die elektrischen

Feldlinien überall senkrecht (→ Bild 2.23) und werden Äquipotenziallinien

bzw. -flächen genannt.
E
P1
− ds U01
ϕ1
+ P0 Bild 2.23 Äquipotenziallinien,

ϕ0 Feldstärke und Spannung
2.3 Magnetisches Feld
Das magnetische Feld beschreibt die Wirkungen stationärer und zeitlich

veränderlicher Ströme innerhalb und außerhalb elektrischer Leiter.
2.3.1 Magnetische Feldstärke
Zwischen den Polen von Permanentmagneten und in der Umgebung strom-

durchflossener Leiter entstehen magnetische Felder. Diese lassen sich durch
magnetische Feldlinien darstellen. Eine in das Feld gebrachte kleine Kom-
passnadel stellt sich stets in Richtung der Feldlinien ein.
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2.3 Magnetisches Feld 67
Bei einem Permanentmagneten verlaufen die Feldlinien vom Nord- zum Süd-
pol (→ Bild 2.24). In einem stromdurchflossenen Leiter sind die Feldlinien
geschlossen und bilden konzentrische Kreise (→ Bild 2.25).
I
2
S N
N S N
S
Bild 2.24 Probemagnet im Bild 2.25 Stromleiter mit
magnetischen Feld umlaufendem Magnetfeld
Für den Zusammenhang zwischen dem Strom I und der Feldstärke H gilt die
Schraubenregel in zweierlei Form:
Geradliniger Stromleiter (→ Bild 2.26a)
Stromrichtung und Umlaufsinn der magnetischen Feldlinien bilden eine
Rechtsschraube.
Stromdurchflossene Zylinderspule (→ Bild 2.26b)

Der Umlaufsinn des Stromes und die Richtung der magnetischen Feldlinien
bilden eine Rechtsschraube.
−
H
I
H N
Bild 2.26 Schraubenregel für
Strom- und Feldrichtung
+
I (N Nord- und S Südpol)
a) S b) a) gerader Leiter, b) Zylinderspule
Der Abstand der Feldlinien ist umgekehrt proportional der magnetischen

Feldstärke H. Diese ist eine vektorielle Größe und immer rechtwinklig zum
erzeugenden Strom gerichtet.
Beispielsweise ergibt sich die magnetische Feldstärke im Inneren einer
Zylinderspule mit der Länge l und der Windungszahl N aus:
NI
H= (2.44)
l
I Hinweis: SI-Einheit der magnetischen Feldstärke: [H] = A/m.
2.3.1.1 Durchflutungssatz
Der Durchflutungssatz stellt einen Zusammenhang zwischen elektrischen

und magnetischen Größen her.
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Wird eine Einzelfeldlinie, welche aus einer Zylinderspule austritt, in klei-

ne Abschnitte l1 , l2 , . . . , ln zerlegt, so besitzen die zugehörigen Feldstärken
H1 , H2 , . . . , Hn in jedem dieser Abschnitte einen anderen Wert (→ Bild 2.27).
Analog zur elektrischen Spannung El = U werden die Produkte
Hi li = Vi (2.45)
als magnetische Spannungen bezeichnet. Bei infinitesimaler Zerlegung gilt

für den vorliegenden magnetischen Kreis:
I
H dl = V (2.46)
Die magnetische Spannung beträgt für:

stromführende Leiter (→ Bild 2.28):
V =I (2.47)
Treten mehrere Ströme I j durch die umspannte Fläche: V = ∑ I j
j
Spulen mit N Windungen und dem Leitungsstrom I:
V = IN (2.48)
H 4l4 H5l5
H 3l3
H1l1
H 2l2 Bild 2.27 Einzelne

Feldlinienabschnitte
IN einer Zylinderspule
Das Produkt
IN = Θ (2.49)
stellt die Durchflutung dar, d. i. die Gesamtheit der am Aufbau des Kreises
beteiligten Ströme (Amperewindungszahl). Der in Gl. (2.48) ersichtliche
Zusammenhang zwischen der magnetischen Feldstärke H und der elektrischen
Stromstärke I wird als Durchflutungssatz bezeichnet:
Die Durchflutung der von einer Feldlinie umrandeten Fläche ist gleich der
magnetischen Umlaufspannung.
Die Gl. (2.46) lässt sich zur Berechnung der magnetischen Feldstärke von
einfachen Leiteranordnungen nutzen.
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Beispiele:
1. Gerader Leiter (→ Bild 2.28). Es wird eine kreisförmige Feldlinie im Abstand
r betrachtet. H und dl besitzen die gleiche Richtung, und es ist im Umlauf-
integral von Gl. (2.46) der Kreisumfang einzusetzen.
I
H dl = 2πrH = V (2.50) 2
Mit Gl. (2.47) ergibt sich
I
H= (2.51)
2πr
I
r
r P
P
H
I
Bild 2.28 Feldlinie außerhalb Bild 2.29 Magnetische Feldlinien

des geraden Leiters in einer Ringspule (Toroid)

2. Ringspule (→ Bild 2.29). Mit dem Kreisumfang 2πr in Gl. (2.46) und der
Windungszahl N gilt mit Gl. (2.48) im Zentrum der Ringspule
IN
H= (2.52)
2πr
Weitere Gleichungen zur Feldstärkeberechnung verschiedener Leiteranord-
nungen enthält Tabelle 2.4.
Tabelle 2.4 Magnetische Feldstärke einfacher Leiteranordnungen

Leiterform Bezugspunkt P Feldstärke H
Kreisförmiger Leiter: Mittelpunkt I
Radius r 2r
Langer geradliniger Leiter außerhalb des Leiters im I
Abstand r0 2πr0
Voller zylindrischer Leiter: im Leiterinneren im Abstand x Ix
Radius r von der Achse 2πr 2
Zylinderspule: Länge l, Mittelpunkt der Achse im IN
Durchmesser d, Inneren p
Windungszahl N l + d2
2
Zylinderspule: Länge l, Mittelpunkt der Endflächen IN

p
Radius r, Windungszahl N 2 l2 + r2
Sehr lange Zylinderspule im Inneren
IN
und Ringspule: mittlerer
Umfang l, Windungszahl N l
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2.3.1.2 Gesetz von Biot-Savart
Das Gesetz von Biot-Savart erlaubt die Berechnung des Magnetfeldes

beliebig gestalteter Leiter.
Die Anwendung des Durchflutungssatzes erfordert eine hohe Symmetrie der

Stromverteilung. Ist diese nicht gegeben, so wird gedanklich auf das Cou-
lomb’sche Gesetz (→ 2.1.6) zurückgegriffen. Bei Ersetzen der Ladungsele-
mente %e dV durch Stromelemente I dl, des Maßstabfaktors 1/ε 0 durch µ 0

und Beibehaltung von 1/(4πr 2 ) entsteht das Gesetz von Biot-Savart. Danach
liefert das vom Strom I durchflossene Leiterstück dl nach Bild 2.30 den
differenziellen Flussdichteanteil:
µ0
dB = I sin α dl (2.53)
4πr 2
bzw. den differenziellen Feldstärkeanteil:
1
dH = I sin α dl
4πr 2
α Winkel zwischen der Richtung des Linienelementes dl und dessen Verbindung r
mit dem Punkt P, in dem die Feldstärke dH besteht
P dH
r I
α dl
r
P
dl
Bild 2.30 Zum Gesetz von Biot-Savart Bild 2.31 Kreisstrom
Die Gesamtfeldstärke H ergibt sich aus Gl. (2.53) durch Integration über die
Leitergesamtlänge.
Beispiel: Feldstärke im Mittelpunkt eines Kreisstromes (→ Bild 2.31).
Der Abstand r des Linienelementes dl ist konstant, dann gilt:
Z2πr
I I I
H= dl = 2πr = (2.54)
4πr 2 4πr 2 2r
0
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2.3.2 Magnetische Flussdichte
Die magnetische Flussdichte leitet sich aus der Kraft auf bewegte Ladun-
gen ab.
2
Zu den wichtigsten Wirkungen des Magnetfeldes gehört der Induktionsvor-
gang (→ Bild 2.32).
N I
Uq
S
V
Bild 2.32 Induktion der Spannung Uq innerhalb einer Drahtschleife
Das eine Drahtschleife durchsetzende Magnetfeld induziert während seines

Entstehens oder Abnehmens eine elektrische Spannung. Der auf die Flä-
cheneinheit der Schleife entfallende Spannungsstoß definiert die magnetische
Flussdichte B.
I Hinweis: SI-Einheit der magnetischen Flussdichte: [B] = T (Tesla) = V · s/m2 .
Die Flussdichte B ist wie die Feldstärke H eine vektorielle Größe. Im Vakuum
und auch in guter Näherung in Luft gilt:
B = µ0H (2.55)
Magnetische Feldkonstante
4π V·s H
µ0 = · 10−6 = 1,257 · 10−6
10 A·m m
2.3.3 Magnetischer Fluss und Streuung
Der magnetische Fluss kennzeichnet die Gesamtheit aller Feldlinien im

Magnetfeld.
Der magnetische Fluss ergibt sich aus dem Produkt der magnetischen Fluss-
dichte B und der von ihr senkrecht durchsetzten Fläche A.
Φ = BA (2.56)
I Hinweis: SI-Einheit des magnetischen Flusses: [Φ ] = Wb (Weber) = V · s.
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Der magnetische Fluss hat die Richtung des magnetischen Feldes und verläuft
außerhalb eines Magneten vom Nord- zum Südpol. Ist der Feldquerschnitt A,
z. B. durch den Schenkel eines Eisenjoches, gegeben und wird dieser recht-
winklig vom Fluss Φ durchsetzt, dann ergibt sich die magnetische Flussdichte
B = Φ /A.
N
I
Bild 2.33 Magnetischer Fluss im
S Schenkel eines Elektromagneten
G mit Anker
Besonders beim Durchsetzen von Luftzwischenräumen kommt es dazu, dass

ein Teil der Feldlinien außerhalb des Feldquerschnittes A verläuft (→ Bild
2.33). Der dadurch entstehende Streufluss Φ S vermindert den Gesamtfluss

Φ G , und für den Nutzfluss gilt:
ΦN = ΦG − ΦS (2.57)
Das Verhältnis des Streuflusses zum Nutzfluss wird als Streugrad (Streufak-
tor) bezeichnet:
ΦG
σ = (2.58)
ΦN
2.3.4 Permeabilität
Die Permeabilität ist der Proportionalitätsfaktor zwischen der magneti-

schen Flussdichte und der magnetischen Feldstärke.
Ist der vom magnetischen Fluss durchsetzte Raum von einem stofflichen
Medium erfüllt, so gilt anstelle von Gl. (2.55) die Beziehung:
B = µ0µrH (2.59)
Die Permeabilitätszahl µ r weicht bei vielen Stoffen nur wenig vom Wert 1
ab, dass µ r = 1 gesetzt werden darf (→ Tabelle 2.5).
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Tabelle 2.5 Magnetische Eigenschaften verschiedener Stoffe
Stoff Eigenschaft Permeabilitäts- Verhalten Anwendungen

zahl µ r
Cu, Si, Bi, diamagnetisch <1 Abstoßung technisch nicht
H2 O vom verwertbar 2
Magnetfeld
Al, Pt, Luft paramagnetisch > 1 Anziehung technisch nicht
vom verwertbar
Magnetfeld
Cr, FeO2 antiferro- =1 unmagnetisch technisch nicht
magnetisch verwertbar
Fe, Stähle, ferro- 101 . . . 106 stark Transformatoren,
Legierungen magnetisch magnetisch elektrische Maschi-
nen, magnetische
Kreise
Ferrite ferri- bis 3 · 103 stark Permanentmagnete,
magnetisch magnetisch HF-Spulenkerne
Das Produkt aus der magnetischen Feldkonstante µ 0 und der Permeabilitäts-

zahl µ r bildet die Permeabilität:
µ = µ0µr (2.60)
Die Messung der Permeabilitätszahl µ r von Materialien (z. B. Draht) erfolgt

durch Aufmagnetisieren mit dem Hilfsfeld H 0 und Messung der magnetischen
Flussdichte B 0 über die scheinbare Permeabilitätszahl µ r0 = B 0 /H 0 :
µ r0
µr = (2.61)
N µ r0
1−
4π
N Entmagnetisierungsfaktor (für Draht mit l/d = 500: 2,5 · 10−5 . . . 2,7 · 10−7 )
2.3.5 Magnetismus des Eisens
Das Eisen ist neben Nickel und Cobalt das technisch bedeutsamste ferroma-
gnetische Element für den Aufbau magnetischer Werkstoffe.
Hysteresis
Die Hysteresiskurve beschreibt den funktionalen Zusammenhang zwi-

schen der Flussdichte und der Feldstärke bei ferromagnetischen Stoffen:
B = f (H)
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Wird in einer Spule mit Eisenkern die Feldstärke H durch Erhöhung des Spu-
lenstroms schrittweise erhöht, so steigt die Flussdichte B nicht proportional zu
H, sondern zuerst relativ steil und dann langsamer bis zur magnetischen Sät-
tigung (→ Bild 2.34). Bei erstmaliger Magnetisierung entsteht die Neukurve
N.
Ursache: Die Kristallite des Eisens bestehen aus kleinen Domänen
(Weiß’sche Bezirke) einheitlicher Magnetisierungsrichtung, die aber
unterschiedlich orientiert sind. Bei Feldstärkezunahme kommt es am

Beginn der Neukurve zu einer anfänglich reversiblen Zunahme günstig zur
Feldrichtung gelegener Bereiche. Im steilsten Teil der Neukurve wird diese
irreversibel. Die damit verbundenen Wandverschiebungen der Weiß’schen
Bezirke werden bei weiterer Felderhöhung im oberen Teil der Neukurve
durch Drehung der Magnetisierungsrichtung der Bereiche in die Feldrichtung
ersetzt.
B
Sättigung
Drehprozesse
Br N
irreversible
Wandverschiebungen
reversible
−H0 H0 H
−Br
Bild 2.34
Hysteresisschleife, N Neukurve,
Sättigung der Ummagnetisierung |Br | Remanenz, |H0 | Koerzitivfeldstärke
Bei anschließendem Feldabbau wird die Neukurve nicht wieder durchlaufen,

sondern ein höherliegender absteigender Ast, da die zuvor eingetretene irre-
versible Drehung der Domänen z. T. aufrechterhalten bleibt. Durch anschlie-
ßende zweimalige Feldumkehr entsteht die Hysteresisschleife.
Wichtig sind deren Schnittpunkte mit den Koordinatenachsen. Auch bei ver-
schwindender Feldstärke H, d. h. bei Stromlosigkeit der Spule, ist noch eine
beträchtliche magnetische Flussdichte (Remanenz Br ) vorhanden. Der Eisen-
kern ist zu einem permanenten Magneten geworden. Um die Remanenz Br
zum Verschwinden zu bringen, ist die Koerzitivfeldstärke −H0 aufzuwenden.
Die Permeabilitätszahl µ r sinkt dagegen nach Erreichen eines Maximalwer-
tes µ r max auf den Wert µ r = 1 im Sättigungsgebiet (→ Bild 2.35). Unter
der Anfangspermeabilität µ a versteht man den bei verschwindend kleiner
Feldstärke noch messbaren endlichen Wert der Permeabilitätszahl.
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B magnetische B
Sättigung
µr =1
µr max µr max 2
Bild 2.35
a) b) Eisen im magnetischen Feld

a) Magnetisierungskennlinie
0 µr
H 1 b) Verlauf der Permeabilitätszahl
2.3.6 Arten magnetischer Werkstoffe
Im Laufe der Zeit sind zahlreiche, den verschiedensten Zwecken angepasste,

vorwiegend Eisen enthaltende Werkstoffe entwickelt worden. Nach ihrem
Verhalten wird vorwiegend zwischen magnetisch weichen und magnetisch
harten Werkstoffen unterschieden.
Magnetisch weiche Werkstoffe haben eine extrem schmale Hysteresisschlei-

fe und sehr kleine Koerzitivfeldstärke. Hierzu gehören u. a. die Elektrobleche
aus Fe-Si-Legierung für elektrische Maschinen und Transformatoren. Hier
kann vereinfachend die Hysteresisschleife durch ihren mittleren Verlauf, die
Magnetisierungskennlinie, ersetzt werden (→ Bild 2.36).
Beispiel: Abschirmung niederfrequenter und statischer Magnetfelder
Magnetisch harte Werkstoffe haben dagegen eine breite Hysteresisschleife
mit großer Koerzitivfeldstärke, die sie besonders für Dauermagnete geeignet
macht. Hierzu gehören die gehärteten Stähle und viele Legierungen.
Ferrite sind Verbindungen der Art n(MeO)·m(Fe2 O3 ), wobei Me das zweiwer-
tige Ion eines Metalls darstellt. Am bekanntesten ist der Magnetit FeO·Fe2 O3 .
Weichmagnetische Ferrite (z. B. Manifer) zeichnen sich aus durch
hohen spezifischen Widerstand (bis 107 Ω · m)
hohe Anfangspermeabilität (µ a = 100 . . . 5000)
geringe Verlustfaktoren (tan δ = 10−2 . . . 10−3 (→ 4.2.2.3))
und sind daher besonders für Speicherkerne und Übertrager in der HF-Technik
geeignet.
Hartmagnetische Ferrite (z. B. Maniperm) haben größere Koerzitivfeldstär-
ken als metallische Dauermagnete und sind daher besonders stabil gegenüber
entmagnetisierenden Feldern. Sie eignen sich vorzugsweise für Spann- und
Verschlussmagnete, Kupplungen, Kleindynamos, Lautsprecher usw.
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2,0
kaltgewalztes
1,8 Blech
magnetische 1,6 Gussstahl
Flussdichte 1,4
B in T Dynamoblech IV
1,2 (3,75 % Si)
( V⋅s / m 2 )
1,0 rostfreier Stahl
0,8
0,6
0,4 Grauguss
0,2
0
400 800 1200 1600 2000
Feldstärke H in A / m
Bild 2.36 Magnetisierungskennlinien einiger Eisensorten
B
Bm
B
Br 1
−H m +H m / 2 BH = const. BR
−H m / 2 +H m H
−Br
0 H0 H
a) −Bm b)
Bild 2.37 Rechteckferrite
a) Hysteresekurve, b) BH-Hyperbeln und Magnetisierungskennlinien (2. Quadrant)
Rechteckferrite haben eine nahezu rechteckige Hystereseschleife (→ Bild

2.37a). Ihre Magnetisierungskennlinie tangiert weit außen liegende BH-Hy-
perbeln und besitzt daher die größte remanente Energiedichte BH|max (→ Bild
2.37b).
Tabelle 2.6 Extremwerte hartmagnetischer Werkstoffe

Parameter Eigenschaft Stoff
BR |max 1,6 T Nd2 Fe14 B
H0 |max 4 · 106 A/m SmCo5
(BH) |max 444 kJ/m3 Nd2 Fe14 B
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Beispiel: Wirkungsweise eines Speicherkerns.

Durch Erregung des ringförmigen Ferritkerns mit einem Stromimpuls werden
die maximale Feldstärke Hm und die Sättigung Bm erreicht. Nach Aufhören des
Impulses verbleibt die Remanenz Br und kennzeichnet den Zustand „1“. Ein
negativer Stromimpuls mit der Feldstärke −Hm führt dann zur Sättigung −Bm .
Die Feldstärke 0 ergibt die Remanenz −Br , die den Zustand „0“ kennzeichnet. 2
Vorherige Teilerregung mit ±Hm /2 verkürzt die Schaltzeit ohne Zerstörung der
gespeicherten Informationen.
Unmagnetische Werkstoffe, wie austenitische und aushärtbare CrNi-Stähle
mit Be- und Ti-Zusätzen, dienen zur Halterung rotierender Wicklungen in

elektrischen Maschinen. Sie vermeiden Nebenschlüsse für magnetische Feld-
linien und entsprechende Aufwärmverluste.
2.3.7 Ohm’sches Gesetz des magnetischen Kreises
Als magnetischer Kreis wird der Raum bezeichnet, in welchem sich das
magnetische Feld in seiner Gesamtheit ausbreitet.
Die für den magnetischen Kreis charakteristischen Größen magnetischer Fluss

Φ und Durchflutung Θ stehen in einem Zusammenhang, der den Verhältnis-

sen im elektrischen Stromkreis entspricht. Die entsprechenden Beziehungen
(→ Tabelle 2.7) sind zur Berechnung komplizierterer magnetischer Kreise
sehr nützlich.
Tabelle 2.7 Analogien zwischen elektrischem und magnetischem Kreis
Feldgröße Elektrischer Kreis Magnetischer Kreis
Quelle Uq Θ
U Θ
Widerstand R= Rm = (2.62)
I Φ
1 1
Leitwert G= Λ = (2.63)
R Rm
Uq Θ
Strömung I= Φ = (2.64)
R Rm
dI dΦ
Dichte J= B= (2.65)
dA dA
Ohm’sches Gesetz I = GU Φ = ΛΘ (2.66)
Rm magnetischer Widerstand (1/H)
Λ magnetischer Leitwert (H)
Φ magnetischer Fluss (Wb)
Θ magnetische Spannung (Durchflutung) (A)
B magnetische Flussdichte (T)
A Querschnittsfläche (m2 )
l Länge (m)
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Beispiel: Magnetischer Widerstand und magnetischer Leitwert einer Ringspule

mit Eisenkern:
Nach den Gln. (2.44), (2.56), (2.59) ist der magnetische Fluss Φ = BA =
IN µ 0 µ r A/l. Mit der Durchflutung Θ =IN ergibt sich der magnetische Widerstand
Rm = l/(µ 0 µ r A) analog zum elektrischen Widerstand R = l %/A bzw. der magneti-
sche Leitwert Λ = 1/Rm = µ 0 µ r A/l.
2.3.8 Eisengefüllte magnetische Kreise

Die Kerne der meisten Elektromagnete, Drosselspulen, Transformatoren usw.

werden aus einzelnen Blechen geschichtet, die zur Vermeidung von Wirbel-
stromverlusten (→ 2.3.9.5) mit einer dünnen Lack- oder Oxidschicht von-
einander isoliert sind. Der dem magnetischen Fluss zur Verfügung stehende
Eisenquerschnitt ist daher etwas kleiner als der geometrische Kernquerschnitt,
was durch den Eisenfüllfaktor (kFe = 0,85 . . . 0,95) berücksichtigt wird. Ta-
Tabelle 2.8 Maße einiger ausgewählter standardisierter Blechformen in mm
Typ a b c e f g d
M 30 30 30 5 20 7 6,5
M 42 42 42 6 30 12 9 0,5
M 65 65 65 10 45 20 12,5 1,0
M 85 85 85 14,5 56 29 13,5 2,0
E 30 30 30 5 15 10 5
E 48 48 32 8 24 16 8
E 84 84 56 14 42 28 14
E 150 150 100 20 80 40 35
U 30 30 40 10
U 48 48 64 16
U 72 72 96 24
belle 2.8 und Bild 2.38 enthalten einige im Gerätebau eingesetzte Blechfor-
men.
c
c
g d g
b e e f c
c f b a b
c c
c c c Bild 2.38 Standardisierte
a a a Blechformen für magne-
M E U tische Kreise
2.3.8.1 Unverzweigter magnetischer Kreis ohne Luftspalt

Sind das Kernmaterial und die Abmessungen des magnetischen Kreises be-
kannt, so besteht die Grundaufgabe darin, die für eine gegebene Flussdichte
B erforderliche Durchflutung (Stromwindungszahl) zu berechnen. Da sich
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der Zusammenhang zwischen Flussdichte und Feldstärke aus der Magneti-

sierungskennlinie des vorliegenden Materials ergibt, kann die Aufgabe direkt
gelöst werden.
Beispiel (→ Bild 2.39): Ein rechteckiger Rahmen aus Gussstahl hat überall den
Querschnitt 2 cm × 2 cm und soll die Flussdichte B = 0,6 T aufweisen. Welche
Stromstärke muss in der Erregerspule mit 500 Windungen fließen?
2
Die Magnetisierungskennlinie (→ Bild 2.36) liefert H = 100 A/m. Mittlere
Feldlinienlänge l = 28 cm. Nach Gl. (2.45) ist Θ = Hl = 28 A. Stromstärke
I = Hl/N = 28 A/500 = 56 mA.
8 cm
Bild 2.39
10 cm Magnetischer Kreis
ohne Luftspalt
2.3.8.2 Zusammengesetzter magnetischer Kreis

Enthält der magnetische Kreis Luftspalte oder unterschiedliche Materialien, so

kann zunächst nur die Durchflutung bei vorgegebener Flussdichte berechnet
werden, da der Zusammenhang zwischen Flussdichte und Feldstärke als
empirische Funktion nur für ein bestimmtes Material zur Verfügung steht. Für
den zusammengesetzten magnetischen Kreis ist der Durchflutungssatz (→ Gl.
(2.49)) sinngemäß zu erweitern:
Die Durchflutung eines zusammengesetzten magnetischen Kreises ist

gleich der Summe der magnetischen Spannungen für die Eisenteile und
Luftspalte.
Θ = ∑ (HFe lFe + HL d) (2.67)
d Breite des Luftspaltes

Analog zum elektrischen Strom im geschlossenen Stromkreis gilt ferner:
Der magnetische Fluss im gesamten Kreis ist (bei Nichtbeachtung der

Streuung) konstant.
Die Feldstärke in Luft kann nach Gl. (2.55)

BL
HL = (2.68)
µ0
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i i
i i
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berechnet und die Feldstärke in den Eisenteilen HFe aus der Magnetisierungs-
kennlinie (→ Bild 2.36) entnommen werden.
Beispiel (→ Bild 2.40): Gegeben ist der Kern U 48 (Dynamoblech) mit zwei Luft-
spalten von je d = 1 mm und dem Eisenfüllfaktor kFe = 0,9. Die Flussdichte in
den Luftspalten soll 0,6 T betragen, die Windungszahl der Erregerspule N = 500.
Zu berechnen ist die Stromstärke I.
d
2 cm
8 cm
Bild 2.40
Magnetischer Kreis
6 cm mit Luftspalt
BL 0,6 V · s · A · m
HL = = = 4,77 · 105 A/m,
µ0 1,257 · 10−6 V · s · m2
B
BFe = = 0,67 T; HFe = 80 A/m;

kFe
mittlere Länge der Feldlinien im Eisen lFe = 19,8 cm;
HFe lFe = 16 A; HL 2d = 954 A; ∑ Hl = 970 A; I = ∑ Hl/N = 1,94 A.
2.3.8.3 Scherung der Magnetisierungskennlinie
Scherung der Magnetisierungskennlinie bedeutet das anfängliche Aus-

einanderlaufen der Magnetisierungskennlinien magnetischer Kreise ohne
und mit Luftspalt.
Da die mittlere Länge der Feldlinien in einem einfachen eisengefüllten Kreis

geometrisch festliegt, kann der mit der Magnetisierungskennlinie gegebene
Zusammenhang durch Umbenennung der Abszisse auch als magnetische
Kennlinie B = f (Hl) = f (VFe ) beschrieben werden, wobei nach Gl. (2.45)
VFe = HFe lFe die magnetische Spannung darstellt. Ist ein Luftspalt vorhanden,
so kommt nach Gl. (2.67) noch der Summand HL d dazu, und es entsteht die
neue Kennlinie:
B = f (VFe + VL )
VL = BL d/µ 0 magnetische Spannung im Luftspalt
Für sich allein stellt diese Funktion eine Luftspaltgerade dar, deren Anstieg
von der Breite d des Luftspaltes abhängt. Die Kennlinie B = f (VFe + VL ) des
Kreises mit Luftspalt unterscheidet sich also von der des einfachen Kreises
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B = f (VFe ) dadurch, dass die zu den gleichen Ordinatenwerten B gehörigen

Abszissen um den Betrag VL größer sind.
Konstruktion: Jeder auf der Magnetisierungskennlinie B = f (VFe ) liegende Punkt
P wird um den zum gleichen B-Wert gehörenden Betrag VL nach rechts verscho-
ben (Scherung, → Bild 2.41a), und es ergibt sich P 0 . 2
B f (VL ) B
f (VFe ) f (VFe )
B0
P VL P′ f (V +V ) P f (VFe +VL )
Fe L
BFe
VFe H,V HFe H0 H,V
VL
Bild 2.41 Magnetisierungskennlinie
VFe +VL mit und ohne Luftspalt
a) b) a) Scherung, b) Bestimmung von BFe
Die Magnetisierungskennlinie eines magnetischen Kreises mit Luftspalten

verläuft je nach Breite der Luftspalte mehr oder weniger gestreckt.
Eine derartige Linearisierung der Magnetisierungskennlinie ist erwünscht,
wenn auf verzerrungsfreie Ströme und Flüsse besonderer Wert gelegt wird.
2.3.8.4 Flussdichte bei gegebener Durchflutung
Sind die Durchflutung Θ = IN eines Kreises mit Luftspalt und die Magneti-
sierungskennlinie des Materials f (VFe ) gegeben, so folgen mit Gl. (2.67):
BFe = f (VFe ) (2.69a)
BFe d
Θ = IN = HFe lFe + (2.69b)
µ0
Diese erlauben eine grafische Bestimmung der gesuchten magnetischen Fluss-
dichte BFe . Aus Gl. (2.69b) ergeben sich mit BFe = 0 und HFe = 0 die
Abschnitte einer Geraden:
IN IN µ 0
H0 = B0 =
lFe d
Der Schnittpunkt der durch B0 und H0 verlaufenden Geraden mit der Magne-
tisierungskennlinie f (VFe ) im Punkt P liefert die gesuchte Flussdichte BFe , die
bei gleichem Flussquerschnitt mit der Flussdichte im Luftspalt identisch ist
(→ Bild 2.41b).
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2.3.8.5 Verzweigter magnetischer Kreis
Kommt es durch technische Konstruktion zu einer Aufspaltung des mag-

netischen Flusses, so handelt es sich um einen verzweigten magnetischen
Kreis.
Nach Bild 2.42 verzweigt sich der von der Erregerspule ausgehende magneti-
sche Fluss in den Knotenpunkten A und B auf zwei parallelliegende Zweige.
Analog zum Knotenpunktsatz des elektrischen Stromkreises gilt:

Φ1 = Φ2 + Φ3 (2.70)
A
I l1
1 2 l2 3 l3
B Bild 2.42 Verzweigter magnetischer Kreis

Die magnetischen Spannungen sind nach Gl. (2.45) in diesen Zweigen gleich
groß:
H2 l2 = H3 l3 (2.71)
In verzweigten magnetischen Kreisen gelten für die magnetischen Flüsse

und magnetischen Spannungen Knotenpunkt- und Maschensatz analog zu
verzweigten elektrischen Kreisen.
2.3.9 Induktionsgesetz
Das Induktionsgesetz beschreibt das Entstehen einer elektrischen Quel-

lenspannung durch ein zeitlich veränderliches Magnetfeld in einer ruhen-
den Spule oder durch ein ruhendes Magnetfeld in einem bewegten Leiter.
2.3.9.1 Ruhende Spule und zeitlich veränderliches Magnetfeld
Unterliegt der eine einfache Stromschleife oder Spule durchsetzende magne-

tische Fluss einer zeitlichen Änderung, so wird in den N Windungen eine
Quellenspannung induziert:
dΦ
uq = N (2.72)
dt
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Tabelle 2.9 Symbolische Zuordnung magnetischer Größen

Zugeordnete Größen Flusszunahme + dΦ / dt Flussabnahme − dΦ / dt
Quellenspannung uq Rechtsschraube Linksschraube
und magnetischer Fluss Φ
Induktionsstrom i Linksschraube Rechtsschraube 2
und magnetischer Fluss Φ
Φ
dΦ
+
uq dt
i
− +
Bild 2.43 Induktionsgesetz
bei zeitlicher Flusszunahme
Ist die Spule in sich geschlossen, so stellt sie einen selbstständigen Stromkreis
dar, in welchem der Induktionsstrom i fließt 1) . Seine Stärke hängt von der in-
duzierten Quellenspannung und dem Widerstand der Spule ab. Seine Richtung
läuft der induzierten Quellenspannung entgegen (→ 1.1.3) und ergibt sich aus
den Zuordnungen von Tabelle 2.9 (→ Bild 2.43).
2.3.9.2 Ruhendes Magnetfeld und bewegter gerader Leiter
Wird ein Leiterstück der Länge l mit der Geschwindigkeit v durch ein
homogenes Magnetfeld der magnetischen Flussdichte B bewegt, sodass es
die Feldlinien rechtwinklig schneidet (→ Bild 2.44), dann ergibt sich aus Gl.
(2.72):
Uq = lvB (2.73)
Bezüglich der Richtung des induzierten Stromes gelten:
Rechte-Hand-Regel (→ Bild 2.45)

Treten die magnetischen Feldlinien in die Fläche der rechten Hand ein und
bewegt sich der Daumen in Richtung der Geschwindigkeit v des Leiters, so
zeigen die Finger die Richtung des induzierten Stromes an.
1)
In der häufigen Schreibweise Ui = −N dΦ / dt bedeutet Ui die „induzierte Spannung“,
die mit dem Strom gleichgerichtet ist. Im Gegensatz zur Quellenspannung Uq bildet sie
bei Flusszunahme mit der Flussrichtung eine Linksschraube, was durch das Minuszeichen
ausgedrückt ist.
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B
l
Bild 2.44 Mit der Geschwindigkeit v bewegter Leiter

der Länge l im stationären Magnetfeld der Flussdichte B
Schraubenregel (→ Bild 2.46)

Der induzierte Strom I, die Geschwindigkeit v und die magnetische Fluss-
dichte B bilden in dieser Reihenfolge eine Rechtsschraube, wenn sich die
Richtung von v mit einer Rechtsdrehung auf dem kürzesten Weg in Richtung
von B drehen lässt.
Strom v
I B
+
S I
Strom
Magnetfeld
v
N Bewegung −
Bild 2.45 Rechte-Hand-Regel Bild 2.46 Schraubenregel
2.3.9.3 Lenz’sche Regel
Der induzierte Strom ist stets so gerichtet, dass er dem erzeugenden Vor-
gang entgegenwirkt.
Damit lässt sich in allgemeiner Weise die Richtung des Induktionsstromes

beschreiben.
Hätte z. B. der Induktionsstrom beim Einschalten des Spulenstromes dieselbe
Richtung wie der Strom, der das Magnetfeld verursacht (Rechtsschraube), so
ergäbe er eine zusätzliche positive Flusszunahme und müsste sich auf diese
Weise von selbst immer weiter verstärken. Der Vorgang würde gegen das
Gesetz von der Erhaltung der Energie verstoßen.
2.3.9.4 Prinzip des Gleichstromgenerators
Die Querbewegung eines Stromleiters im Magnetfeld bildet die Grundlage al-

ler elektrischen Maschinen (→ Gl. (2.73)). Um eine kräftige Quellenspannung
zu erhalten, liegt eine größere Anzahl von Drähten in Form von Spulen in den
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Nuten eines aus Blechen geschichteten Ankers A, der zwischen den Polen des
Feldmagneten F rotiert und gleichzeitig den magnetischen Fluss Φ schließt
(→ Bild 2.47a). Dabei wird in den Drahtwindungen eine Wechselspannung
induziert. Einer vollen Umdrehung der einfachen Spule im zweipoligen Feld
entspricht eine Periode. Die Wechselspannung wird dem auf der Antriebswelle 2
sitzenden Kollektor K zugeführt. Er besteht aus zwei voneinander isolierten
Lamellen, an die sich beiderseits zwei Bürsten B elastisch anlegen, wodurch
die Spulenanschlüsse bei jeder Umdrehung zweimal vertauscht werden. Auf
diese Weise nehmen die Bürsten einen pulsierenden Gleichstrom ab (→ Bild

2.47b), dessen Welligkeit mit zunehmender Anzahl von Ankerspulen und
entsprechender Unterteilung des Kollektors immer mehr verschwindet und
einem Gleichstrom nahe kommt.
E
N
F
Uq
B
A
S
Periode t
Uq
a) b)
Bild 2.47 Generator mit zweifacher Kollektorleitung
a) Prinzip, b) Spannungskurve
Als Feldmagnete können im einfachsten Fall und nur bei Kleingeneratoren

(z. B. Fahrraddynamo) Permanentmagnete dienen. Bei größeren Maschinen
werden sie von Erregerspulen E gespeist, deren Strom z. B. von dem im An-
kerkreis fließenden Strom abgezweigt wird. Von großer Bedeutung ist dabei
das von Werner v. Siemens 1866 entdeckte dynamoelektrische Prinzip:
Der im Feldmagneten stets vorhandene remanente Magnetismus induziert

in der Ankerwicklung eine Anfangsspannung, die einen Strom durch die
Erregerwicklung treibt und den anfänglichen magnetischen Fluss verstärkt.
Dadurch steigen die induzierte Spannung und damit auch der erregende
Strom an (→ 5.1).
2.3.9.5 Wirbelströme
Wirbelströme besitzen geschlossene Stromlinien.
In einer zwischen den Polen P eines Magneten mit der Geschwindigkeit v

bewegten Metallscheibe (→ Bild 2.48) entstehen an den Stellen der magne-
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tischen Flussänderung elektrische Umlaufspannungen und als deren Folge

Wirbelströme. Ihr Verlauf ergibt sich nach der Rechten-Hand-Regel.
S
P v
S I
v P
P
Bild 2.48 Entstehung von Wirbelströmen in einer zwischen zwei Magnetpolen

bewegten Metallscheibe; P Magnetpole, S Metallscheibe, I Wirbelströme
Abschätzung der Stromstärke: Wird der Widerstand der gesamten geschlos-

senen Strombahn auf den doppelten Wert der im Felde liegenden Fläche
berechnet, so beträgt die induzierte Spannung nach Gl. (2.73)
U = lvB
und die Stärke des Wirbelstromes:
U
I= (2.74)
2R
Liegt ein magnetisches Wechselfeld vor, so bilden sich die Wirbelströme auch
in einer ruhenden Metallscheibe aus. Sie rufen ihrerseits Magnetfelder hervor,
deren Fluss dem erzeugenden Feld entgegengerichtet ist (Lenz’sche Regel).
Anwendungen:
Dämpfung elektrischer Zeigermessgeräte
Bremsung des Zählerrotors beim Induktionsinstrument
Einbau von HF-Spulen in Metallbecher zur Abschirmung von außen einwir-
kender Magnetfelder
Zur Vermeidung von Wirbelstromverlusten in elektrischen Maschinen erfolgt
eine Lamellierung des Ankerkörpers.
2.3.9.6 Skineffekt
Der Skineffekt kennzeichnet die Verlagerung der Stromleitung in Richtung

der Leiteroberfläche bei zeitlich veränderlichen Strömen und wachsendem
Leiterradius.
Auch im Inneren eines stromdurchflossenen Leiters ist ein Magnetfeld vor-

handen, dessen Flussdichte von seinem Mittelpunkt bis zu seiner Oberflä-
che linear zunimmt (→ Tabelle 2.4). Bei Gleichstrom ist die Stromdichte
J an jeder Stelle des Leiterquerschnitts konstant. Handelt es sich um einen
hochfrequenten Wechselstrom, so ist die Flussdichte zeitlich veränderlich und
verursacht im Leiterinneren Induktionsströme Iind , welche die magnetischen
Feldlinien ringförmig umschließen. Dadurch kommt es zu einer Überlagerung
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der Induktionsströme mit dem Primärstrom. Dies verursacht eine Stromab-

schwächung gegen die Leiterachse bzw. eine Stromverstärkung in Richtung
der Leiteroberfläche (→ Bild 2.49) und eine Erhöhung des Wirkwiderstandes.
Die Stromdichte hat damit an verschiedenen Punkten des Leiterquerschnitts
unterschiedliche Beträge; sie ist zusätzlich von der Kreisfrequenz ω abhängig 2
(→ Bild 2.50).
r
J
r0 ω=0
B J
I ω >0
I ind
ω >> 0
Bild 2.49 Skineffekt Bild 2.50 Stromdichte im Leiterinneren
Wechselströme werden durch Bildung von Wirbelströmen im Leiterinneren

zur Leiteroberfläche hin verdrängt (Skin- oder Hauteffekt).
Kennzeichnend für den Skineffekt (Leiter mit Kreisquerschnitt):

1. Eindringtiefe δ (Wandstärke eines Hohlzylinders mit gleichem Verhältnis
Wirkwiderstand/Länge wie Vollzylinder mit gleichem Radius r0 bei glei-
cher Stromdichte):
s
2 1)
δ = (2.75)
κµ ω
2. Widerstand bei Stromverdrängung RS (es tritt eine Erhöhung des Wirkwi-
derstandes R ein):
RS = kR (2.76)
p
Näherungsweise gilt beim Leiterradius r0 mit x = r0 π f κ µ /2 für
x4
k =1+ x<1
3 (2.77)
1 3
k=x+ + x>1
4 64x
Anwendungen:
Oberflächenversilberung von Leitern und Hohlleitern in der HF-Technik
Querschnittserhöhung von Kabeln in der Elektroenergietechnik
1)
Folgt aus der Entwicklung der gleichstrombezogenen Impedanz nach Bessel-Funktionen
für δ r0
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2.3.10 Selbstinduktion
Die Selbstinduktion definiert das Entstehen einer induzierten Spannung

beim Abschalten des Stromes in einer Leiterschleife.
Grundvorgang
Beim Ein- und Ausschalten eines Stromes wird in den eigenen Windungen
einer Spule infolge der Flussänderung nach dem Induktionsgesetz nach Gl.
(2.72) ein Induktionsstrom hervorgerufen.
Die ihm entsprechende, z. T. erhebliche Spannung kann nur über den Schalter
abfallen und dort zu einem Lichtbogen führen.
Schließen
Der Induktionsstrom ist beim des Stromkreises dem zufließen-
Öffnen
entgegen
den Strom gerichtet (→ 2.3.9.3 Lenz’sche Regel).
gleich
Bild 2.51 Stromverlauf in einer Spule

Einschalten Ausschalten t beim Ein- und Ausschalten
Der Induktionsstrom verursacht den induktiven Spannungsabfall uL , dessen
Betrag im Fall R = 0 dem der Quellenspannung uq entgegengesetzt gleich ist.
Induktivität
Erweitert man das Induktionsgesetz Gl. (2.72) mit dI und bedenkt, dass
bei konstanter Permeabilitätszahl µ r die Flussänderung dΦ / dI gleich dem
Quotienten aus den Anfangs- bzw. Endwerten Φ /I ist, so gilt:
NΦ di
uL = · (2.78)
I dt
Der erste Bruch enthält die Windungszahl N und ist der Koeffizient der
Selbstinduktion oder die Induktivität:
NΦ
L= (2.79)
I
Nach Erweitern mit N, Einsetzen der Durchflutung IN = Θ nach Gl. (2.49)
und mit dem magnetischen Widerstand Rm = Θ /Φ nach Gl. (2.62) wird:
N2
L= (2.80)
Rm
i i
i i
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Der induktive Spannungsabfall ergibt sich damit nach Gl. (2.78):
di
uL = L (2.81)
dt
I Hinweis: SI-Einheit der Induktivität: [L] = H (Henry) = V · s/A. 2
1,0
Korrektur- 0,8
faktor k
0,6
0,4
0,2
0 Bild 2.52 Korrekturfaktor

2 4 6 8 10 k zur Induktivitätsberech-
d/l nung einlagiger Spulen
Tabelle 2.10 Induktivitäten verschiedener Leiteranordnungen

Anordnung Induktivität L Erläuterungen
Ring- oder sehr lange 2 A Spulenquerschnitt
µ 0 µ r AN
Zylinderspule l Spulenlänge oder mitt-
l lerer Umfang
Kürzere einlagige Spule kµ 0 µ r AN 2 k = d/l Korrekturfaktor
l d Spulendurchmesser
Kürzere mehrlagige n R
n = 0,75 für <1
Spule 21µ 0 µ r N 2 R R l+h
4π l+h R
n = 0,5 für 1 < 53
l+h

Einfacher Ring R R Ringradius
µ0µrR ln + 0,25
r r Leiterradius

Dünnwandiges Rohr R R Rohrradius
µ 0 µ r R ln + 1,5
l l Rohrlänge
In Luft verlegte l einfache Leitungslänge
µ0µrl a
Doppelleitung ln + 0,25 a Leiterabstand
π r r Leiterradius

Konzentrisches Kabel µ0µrl ra ra ,ri Radien von Außen-
(ohne Mantel) ln + 0,25 und Innenleiter
2π ri
i i
i i
i i
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Am einfachsten berechnet sich die Induktivität bei streuungslos in sich ge-

schlossenem magnetischem Fluss, wie z. B. bei einer Ringspule. Nach dem in
2.3.7 angeführten Beispiel sind hier Rm = l/(µ 0 µ r A) und L = N 2 µ 0 µ r A/l 1) .
Bei beiderseits offenen Zylinderspulen kann man von Gl. (2.44) der Ringspule
ausgehen, jedoch bestimmt das Verhältnis von Durchmesser d zu Spulenlänge
l einen entsprechenden Korrekturfaktor k (→ Bild 2.52). Weitere Anordnun-
gen enthält Tabelle 2.10.
2.3.11 Gegeninduktivität und induktive Kopplung
Eine Gegeninduktivität entsteht bei der magnetischen Verkopplung meh-

rerer stromführender Leiterschleifen.
Dringt der sich zeitlich ändernde magnetische Fluss Φ 1 einer Spule 1 voll-
ständig in eine zweite Spule 2 ein, so wird hier nach Gl. (2.78) die Spannung
N2 Φ 1 di1
u2 = (2.82)
I1 dt
induziert. Der erste Bruch stellt den Koeffizienten der gegenseitigen Induktion
oder die Gegeninduktivität L12 dar. Mit dieser Kürzung ist:
di1
u2 = L12 (2.83)
dt
Fließt in der Spule 2 der Strom I2 , so induziert der erzeugte Fluss Φ 2 in der
Spule 1 die Spannung:
di2
u1 = L12
dt
Zwischen dem Koeffizienten L12 und den Induktivitäten der beiden Spulen L1
und L2 besteht die Beziehung:
√
L12 = L1 L2 (2.84)
Induktive Kopplung. Wenn jedoch der magnetische Fluss von Spule 1 die
Spule 2 nur teilweise durchdringt (Streuung, → Bild 2.53), so ist die induktive
Kopplung mehr oder weniger lose, und es gilt:
√
L12 = k L1 L2 (2.85)
Kopplungsfaktor k 5 1.
1)
Bei eisenfreien Spulen ist µ r = 1.
i i
i i
i i
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2.4 Kräfte und Energie im Magnetfeld 91
N1
Φ1
N2 2
Φ2
Bild 2.53 Induktive

Spule 1 Spule 2 Kopplung zweier Spulen
2.4 Kräfte und Energie im Magnetfeld
Die in einem magnetischen Kreis gespeicherte Energie ist in der Lage,

Arbeit zu verrichten und Kraftwirkungen freizusetzen.
2.4.1 Kraft auf eine bewegte elektrische Ladung
Lorentz-Kraft. Jede in einem magnetischen Feld der Flussdichte B mit der

Geschwindigkeit v bewegte elektrische Ladung Q erfährt eine quergerichtete
Kraft F 0 . Handelt es sich z. B. um eine positive Elementarladung e, so lautet
der Ausdruck für die Lorentz-Kraft (→ Bild 2.54):
F 0 = evB sin α (2.86)

α Winkel zwischen Bewegungs- und Feldrichtung
Die Überlagerung der Lorentz-Kraft mit der Geschwindigkeit v führt bei

α = 90◦ zu einer Bewegung des Elementarteilchens auf einer Kreisbahn.
F′ α
e
v Bild 2.54 Entstehung der Lorentz-Kraft
Anwendungen:
Ablenksystem für den Elektronenstrahl in der Bildröhre
Hall-Effekt (→ 2.4.7)
Kreisbeschleuniger in der Kernphysik
i i
i i
i i
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2.4.2 Kraft auf geradlinige Stromleiter
Da jeder Strom aus bewegten Ladungen besteht, lässt sich Gl. (2.86) auch auf
einen stromführenden Leiter im Magnetfeld anwenden. Dieser wird durch die
seitwärts gerichtete Kraft F ausgelenkt (→ Bild 2.55).
F = IlB sin α
l Länge des im Feld befindlichen Leiterstückes
α Winkel zwischen Strom- und Feldrichtung
S S
1 3 Bild 2.55 Kraft auf einen stromdurch-
flossenen Leiter im Magnetfeld (Strom
2 verläuft in die Zeicheneben hinein)
F a) Magnetfeld eines Dauermagneten
(1), Magnetfeld eines stromdurch-
flossenen Leiters (2), b) Überlagerung
a) N b) N beider Felder (3) und Kraft F
Wenn der Leiter rechtwinklig zum Feld verläuft, ist sin α = 1 und
F = IlB (2.87)
Für die Richtung gilt die Linke-Hand-Regel:
Treten die Feldlinien in die Fläche der linken Hand ein und zeigen die
Finger die Stromrichtung an, so bewegt sich der Leiter in Richtung des
abgespreizten Daumens (→ Bild 2.56).
Strom
−
S
Magnetfeld
Bewegung N
Bild 2.56 Linke-Hand-Regel
2.4.3 Kraft zwischen zwei parallelen Stromleitern

Befindet sich nach Bild 2.57 der vom Strom I2 durchflossene Leiter 2 im
Abstand r von einem vom Strom I1 durchflossenen Leiter 1, so liegt er in
dem von Leiter 1 erzeugten Magnetfeld H1 . Nach Tabelle 2.4 ergibt sich:
B1 = µ 0 µ r H1 = µ 0 µ r I1 /(2πr). Beide Leiter ziehen sich nach Gl. (2.87) mit
der Kraft an:
µ 0 µ r lI1 I2
F= (2.88)
2πr
i i
i i
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i i
2πr
1 I1
H1 r
F 2 I2
2
Bild 2.57 Kraft zwischen zwei
l
parallelen Stromleitern
gleicher ziehen sich an

Parallele Leiter mit Stromrichtung .
entgegengesetzter stoßen sich ab
Dies folgt aus der Anwendung der Linken-Hand-Regel auf I2 , B1 und F (→

Bild 2.57).
Gesetzliche Definition der Stromstärke 1 A
Das Ampere ist die Stärke des zeitlich unveränderlichen elektrischen

Stromes durch zwei geradlinige, parallele, unendlich lange Leiter von

vernachlässigbarem Querschnitt, die den Abstand 1 m haben und zwischen
denen die durch den Strom elektrodynamisch hervorgerufene Kraft im
leeren Raum je 1 m Länge der Doppelleitung 2 · 10−7 N beträgt.
Beispiel: Nach Gl. (2.88) entspricht 1 A der Kraft:

4π · 10−7 V · s · 1 · 1 A2 · 1 m
F= = 2 · 10−7 W · s/m = 2 · 10−7 N
2π · 1 m · A · m
2.4.4 Prinzip des Gleichstrommotors
Beim Gleichstrommotor wird die von einem Magnetfeld auf ein Leiter-
system ausgeübte Kraft genutzt.
Die in 2.4.2 betrachtete Kraft auf einen geraden Stromleiter im Magnetfeld

bildet die Grundlage aller elektrischen Motoren. Führt man einen Gleich-
stromgenerator von außen her Gleichstrom zu, so arbeitet er als Elektromotor.
Für den Aufbau gelten die in 2.3.9.4 gegebenen Erläuterungen. Bild 2.47a
zeigt einen Motor mit Doppel-T-Anker und permanentem Feldmagnet. Der
auf der Welle sitzende Kommutator (Kollektor) dient zur Vertauschung der
Ankeranschlüsse, um einen einheitlichen Drehsinn zu erzielen. Dieser Wech-
sel findet (→ Bild 2.47a) nach einer weiteren Vierteldrehung statt, wenn die
Spulen in der neutralen Zone stehen, wo sie keine Feldlinien schneiden.
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Bei gleichem Klemmenanschluss und gleicher Stromrichtung läuft der Gleich-

stromgenerator mit entgegengesetztem Drehsinn gegenüber dem Gleichstrom-
motor.
I Begründung: Nach der Lenz’schen Regel (→ 2.3.9.3) hat der induzierte Strom
eine solche Richtung, dass er der Ursache entgegenwirkt, die ihn selbst hervor-
bringt. Andernfalls ließe sich der Generator von seinem eigenen Strom antreiben
und würde als Perpetuum mobile arbeiten.
2.4.5 Energie des magnetischen Feldes

Zum Aufbau des Magnetfeldes ist ebenso wie zur Bildung des elektrischen
Feldes Energie erforderlich. Sie wird beim Zerfall des Feldes wieder frei.
2.4.5.1 Energie bei konstanter Permeabilität
Wird das Induktionsgesetz in Form der Gl. (2.81) beiderseits mit dem Strom
I multipliziert, so ergibt sich:
uI dt = LI dI (2.89)
Die linke Seite von Gl. (2.89) enthält die im Magnetfeld gespeicherte diffe-
renzielle Arbeit dW . Die Integration ergibt
ZW ZI
dW = LI dI (2.90)
0 0
und bei konstanter Induktivität L:
LI 2
W = (2.91)
2
Durch Einsetzen der Feldstärke H, der Flussdichte B oder des Flusses Φ folgt
aus Gl. (2.91) mit µ r = 1 die Energie des homogenen Magnetfeldes in Luft:
H 2 µ 0 lA B2 lA Φ 2l
W = W = W = (2.92)
2 2µ 0 2µ 0 A
l Länge der Feldlinien
A Feldquerschnitt
2.4.5.2 Energie im eisengefüllten Kreis

Bei Spulen mit Eisenkern folgt der Aufbau des Magnetfeldes der Magnetisie-
rungskennlinie. Die Flussdichte B ist daher nicht proportional der Feldstärke
H. Das Gl. (2.90) entsprechende Integral
ZΦ
W = IN dΦ (2.93)
0
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kann wegen H = IN/l und Φ = BA umgeschrieben werden:

ZB
W = lA H dB (2.94)
0
Feldstärke und Flussdichte besitzen keinen analytischen Zusammenhang. Da- 2
her lässt sich das Integral in Gl. (2.94) nur annäherungsweise lösen. Dies kann
z. B. durch grafische Bestimmung der in Bild 2.58 schraffierten Fläche über
der Magnetisierungskennlinie durch Zerlegen in Elementarkästchen und die
Bestimmung ihrer Anzahl erfolgen.

B
−dW1
B +dW2
Bmax
dB
dW H
H max H
Bild 2.58 Zur Bestimmung der
magnetischen Feldenergie Bild 2.59 Hysteresisarbeit
2.4.5.3 Hysteresisarbeit
Die Hysteresisarbeit definiert die beim Auf- bzw. Entmagnetisierungsvor-

gang geleistete Arbeit.
Das o. g. Verfahren lässt sich auch auf eine ganze Hysteresisschleife anwen-
den. Dazu ist, von einem der beiden Punkte H = 0 ausgehend, die positive
und negative Ordinatenachse je einmal auf und ab zu durchlaufen (→ Bild
2.59). Dabei ergeben sich diejenigen Elementarstreifen dW als negativ, deren
Breite H und Höhe dB entgegengesetzte Vorzeichen haben.
Die Elementarstreifen mit gleichen Vorzeichen sind positiv. Hierbei bedeutet
ein positiver Wert die aufzuwendende und ein negativer Wert die zurückge-
wonnene Arbeit. Die Differenz beider ist positiv und entspricht der während
eines Umlaufs verloren gegangenen, d. h. in Wärme umgewandelten Arbeit
(Hysteresisverluste).
Die von der Hysteresisschleife umschlossene Fläche ist ein direktes Maß
für die während eines Umlaufs aufzuwendende Arbeit.
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Beispiel: Der Elementarstreifen dW1 (→ Bild 2.59) hat im Sinne der Umlauf-
richtung ein negatives Vorzeichen wegen H(− dB). Der Elementarstreifen dW2
ist wegen H(+ dB) positiv. Der linke obere und rechte untere schraffierte Teil
werden zweimal (einmal negativ und einmal positiv) überstrichen und fallen aus
der Rechnung heraus.
2.4.5.4 Zugkraft von Magneten

Mit Gl. (2.92) lässt sich die Zugkraft von Elektromagneten berechnen. In den
beiden Luftspalten des Magneten (→ Bild 2.40) mit je der Länge d und der
Fläche A beträgt die Energie
B2 d
W = A (2.95)
µ0
Daraus folgt für die Magnetkraft im homogenen Feld
W B2
F= = A (2.96)
d µ0
Beispiel: Bei einem Hubmagneten mit 1000 cm2 Gesamtpolfläche und einer
Flussdichte von 1 T beträgt die Magnetkraft nach Gl. (2.96)
1 V 2 · s2 1 A·m
F= 0,1 m2 = 80 kN,
m4 4π · 10−7 V · s
80 · 103 N
d. h., er kann eine Last von m = = 8,1 t heben.
9,81 m/s2
Da Luftzwischenräume zwischen den Schenkeln und dem Joch des Magneten
den größten Teil der Durchflutung IN aufzehren, ist bei unterschiedlichen
Jochabständen die Flussdichte B in Gl. (2.96) entsprechend neu zu berechnen.
2.4.5.5 Supraleitende Magnete
Supraleitende Magnete arbeiten in der Nähe des absoluten Nullpunktes

und erzeugen hohe Werte der magnetischen Flussdichte.
Bei Verwendung supraleitender Wicklungen in Verbindung mit Kryostaten

sind bedeutend größere magnetische Feldstärken zu erzielen als mit konven-
tionell aufgebauten Elektromagneten (→ Bild 2.60). Zusätzlich lassen sich
bei Abgabe der gleichen Feldstärke die Abmessungen supraleitender Magnete
wesentlich verkleinern. So erzeugt z. B. ein 2 kg schwerer supraleitender
Magnet eine Flussdichte von etwa 10 T, während ein konventioneller Elek-
tromagnet in einem vergleichbaren Raum bei 200 kg Masse nur 1 . . . 2 T
hervorbringt. Die Ursache liegt in der etwa um 103 höheren Stromdichte in-
nerhalb eines Supraleiters gegenüber einem Normalleiter. Bei den Supraleitern
werden zwei Gruppen mit unterschiedlicher kritischer Stromdichte gegenüber
der magnetischen Flussdichte unterschieden (→ Bild 2.61).
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Neu sind Hochtemperatursupraleiter (vgl. Tabelle 1.3).

Anwendungen:
Kernspintomographie in der Medizin
Magnetokardiographie in der Medizin
hochgenaue Magnetfeldmessungen (SQUID-Magnetometer) 2
100
30
supraleitende Nb3Sn
B in T 10 Elektromagnete Nb-Ti-
3 Legierungen
1
konventionelle
0,3 Elektromagnete
0,1
100 104 108 Bild 2.60 Konventionelle
3
und supraleitende Elektro-
magnetisiertes Volumen in cm magnete
1010
Nb3Sn
J K in
A/ m 2
109
Nb-Ti- und Nb-Zr- Bild 2.61 Kritische Strom-

8 Legierungen dichte und tranversale
10 magnetische Flussdichte
0 6 12 18 verschiedener supraleiten-
B in T der Materialen
2.4.6 Schaltvorgänge mit Induktivitäten
Einschaltvorgang
Da jede Spule auch einen ohmschen Widerstand RS hat, stellt man diesen im
Schaltschema getrennt dar, und zwar mit der Induktivität in Reihe geschaltet
(→ Bild 2.62).
Wird eine Spannungsquelle mit der Quellenspannung Uq und dem inneren
Widerstand Ri angeschlossen, so liefert der Maschensatz nach Bild 2.62:
i(Ri + RS ) + uL − Uq = 0 (2.97)
Mit R = Ri + RS und uL = L di/ dt (→ Gl. (2.81)) sowie dem Endwert des
Stromes I = Uq /R ergibt sich iR + L di/ dt − IR = 0.
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Der Momentanwert des Einschaltstromes folgt daraus durch Integration zur

Zeit t:

i = I 1 − e−t (R/L) (2.98)
Mit der Zeitkonstanten τ = L/R lässt sich Gl. (2.98) umschreiben.

Uq
i= 1 − e−t/τ (2.99)
R
Bild 2.63 kennzeichnet den Strom- und Spannungsverlauf des Einschaltvor-
gangs. u, i
Uq
iL (t )
i RS L R
S i Uq
Uq uL (t )
Ri t
τ
Bild 2.62 Schaltvorgang mit Bild 2.63 Strom- und Spannungsverlauf
Induktivität des Einschaltvorgangs
Ausschaltvorgang
Nach Öffnen des Schalters S wirkt nur noch die beim Verschwinden des Feldes
induzierte Spannung −uL , jetzt aber als Quellenspannung. Der Maschensatz
vereinfacht sich gegenüber Gl. (2.97):
di
iRS + L =0
dt
Umstellen der Gleichung und Integration ergeben den Momentanwert des
Öffnungsstromes zur Zeit t:
i = I e−t/τ (2.100)
I Anfangswert des Stromes zur Zeit t = 0
Der Öffnungsstrom hat die gleiche Richtung wie der Einschaltstrom.
Funkenlöschung an Kontakten
Nach dem Induktionsgesetz kann die beim Abschalten einer stromdurchflosse-
nen Spule entstehende Spannung sehr groß werden und starke Funkenbildung
zur Folge haben, die zum Abbrand der Kontakte und zu Störungen führen
kann. Diese Spannung lässt sich vermeiden, wenn der Kontakt durch einen
Kondensator C überbrückt wird (→ Bild 2.64). Dann fließt die in der Spule
gespeicherte Feldenergie beim Abschalten in den Kondensator. Bei Vernach-
lässigung der Verluste ist:
CU 2 LI 2
= (2.101)
2 2
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R C
S
2
L Bild 2.64 Funkenlöschung
Die am Kondensator auftretende Spannung beträgt

r
L
U =I (2.102)
C
und muss kleiner als die Prüfspannung des verwendeten Kondensators sein.
Der Widerstand R hat die Aufgabe, die bei erneuter Schließung des Kontaktes
S stattfindende Entladung des Kondensators zu verlangsamen, sodass hierbei
keine Funken entstehen können.
2.4.7 Hall-Effekt
Den Hall-Effekt kennzeichnet das Auftreten einer elektrischen Quellen-

spannung bei Ablenkung von Ladungsträgern in einem Magnetfeld.
Wird ein stromdurchflossenes Metall- oder Halbleiterblättchen senkrecht zur

Richtung des Stromes I von einem Magnetfeld B durchsetzt, so erfolgt eine
Ablenkung der den Strom führenden Ladungsträger infolge der Lorentz-Kraft
F (→ 2.4.1).
B I
+ B
F
−
UH
d −
UH
Bild 2.65 Ursache des Hall-Effekts Bild 2.66 Abhängigkeit der Hall-
Spannung von der magnetischen
Flussdichte
Die Ablenkung von Ladungsträgern im Magnetfeld verursacht deren Tren-

nung und damit das Auftreten einer Quellenspannung (Hall-Effekt → Bild
2.65).
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Die größte Hall-Spannung ergibt sich, wenn die magnetischen Feldlinien die
Blättchenebene senkrecht durchsetzen:
BI
UH = RH (2.103)
d
d Blättchendicke
RH Hall-Konstante
B magnetische Flussdichte
1
RH = (2.104)
ne
n Ladungsträgerdichte (→ 6.5.1)
e ≈ 1,602 · 10−19 C Elementarladung
Die Hall-Konstante ist materialabhängig (→ Tabelle 2.11). Sie beeinflusst

direkt die Größe der entstehenden Spannung UH . Diese erreicht z. B. bei
Verwendung von InAs (d = 0,1 mm), einem Steuerstrom von 1 A und einer
magnetischen Flussdichte von 0,1 T den Betrag von 0,1 V.
Mit Ausnahme von Bismut treten bei Metallen nur sehr kleine, technisch nicht
nutzbare Hall-Spannungen auf. Bedeutung erlangt der Hall-Effekt vorrangig

bei den polykristallinen Halbleitern Indium-Antimonid (InSb) und Iridium-
Arsenid (IrAs) (→ Tabelle 2.11 und → 6.13.3.2).
Tabelle 2.11 Hall-Konstanten verschiedener Materialien
(RH -Werte der Elemente gelten für Raumtemperatur)
Element RH in 10−11 m3 /C
Kupfer −5,4
Silber −9,0
Antimon −19,8
Bismut −54000
Zink 3,3
Aluminium 10,2
Indium 16,0
Arsen 450
Halbleiter RH in 10−11 m3 /C ϑ in ◦ C
InAs 50 . . . 100 · 105 0 . . . 110
InAsP 200 · 105 0 . . . 110
InSb 200 . . . 300 · 105 200 . . . 300
I Polarität der Hall-Spannung: Ist RH < 0 (normaler Hall-Effekt), dann liegt Elek-
tronenleitung vor. Die negativen Ladungen (Elektronen) sammeln sich nach der
Linken-Hand-Regel auf der rechten Seite des Blättchens (→ Bild 2.65) an. Bei
RH > 0 (anomaler Hall-Effekt) dominiert die Löcherleitung (Defektelektronen-
leitung), und es entsteht eine Hall-Spannung mit entgegengesetztem Vorzeichen.
Auch die Richtungsumkehr des angelegten Magnetfeldes führt zu einer Änderung
der Polarität der Hall-Spannung (→ Bild 2.66).
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Arten von Hall-Elementen:

Hall-Sonde: vergossenes Halbleiterblättchen
Hall-Generator: Kombination des Halbleiterblättchens mit dem Magneten
in einem Bauelement
Anwendungen: 2
Messung großer Gleichströme
Messung elektrischer Gleichstromleistungen
kontaktlose Schaltelemente (Mikroelektronik)
Messung von Magnetfeldern
2.4.8 Elektromagnetische Verträglichkeit
Elektromagnetische Verträglichkeit (EMV) bedeutet die Fähigkeit eines

Gerätes in der elektromagnetischen Umwelt zufriedenstellend zu arbeiten,
ohne dabei selbst elektromagnetische Störungen zu verursachen.
Es wird zwischen Störaussendung (EMS) und Störfestigkeit (EMI) unterschie-

den. Entsprechende Grenzwerte sind in Normen niedergelegt 1) .
Tabelle 2.12 Elektromagnetische Störwirkungen

Bauteil Energie in J
vorübergehende Störung Zerstörung
Mikrowellendiode 10−7
CMOS-Schaltkreis 10−7 10−6
Schaltdioden 10 −6
10−4
Integrierte Schaltkreise 10−5 10−4
Relais 100
Die elektromagnetische Verträglichkeit des Menschen wird durch die Leis-

tungsdichte S einwirkender elektromagnetischer Felder gekennzeichnet.
E2
S=
Z0
E elektrische Feldstärke
Z0 = 377 Ω (Wellenwiderstand des Vakuums)
Beispiel: Mit S = 320 W/m2 errechnet sich für einen Durchschnittserwachsenen
(Masse m = 80 kg, Körperoberfläche O = 1 m2 ) seine spezifische Absorptionsrate
für 1 kg Körpergewebe mit
S·O 320 W · 1 m2
SAR = = = 4 W/kg
m 80 kg
1)
Richtlinie des Rates vom 3.05.1989 zur Angleichung von Rechtsvorschriften über die
elektromagnetische Verträglichkeit (89/336/EWG)
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Als nicht zu überschreitender Grenzwertwert gilt in Deutschland SAR =

0,4 W/kg. Da SAR-Werte schwierig zu messen sind, werden Grenzwerte der
elektrischen oder der magnetischen Feldstärke vorgezogen.
Tabelle 2.13 Ausgewählte Grenzwerte der elektromagnetischen Verträglichkeit
niederfrequenter Felder
Magnetische Feldstärke Elektrische Feldstärke in
0,5 mT Arbeitsplätze 100 V/m Daueraufenthalt im Freien
0,1 mT Allgemeinheit 10 V/m Industrieelektronik

= 0,08 mT stets Vorsicht 3 V/m Informationselektronik
Tabelle 2.14 Hochfrequenzgrenzwerte der Leistungsflussdichte

für die Allgemeinheit 1)
Funktelefonnetze Leistungsflussdichte in W/cm2

Effektivwert Scheitelwert
C-Netz 14 30
D-Netz 0,4 1
Abschirmung statischer elektrischer Felder:

Dämpfungsschirme (z. B. Faraday’scher Käfig) erzeugen Gegenfelder mit
Dämpfungswerten von 60 . . . > 80 dB.
Abschirmung elektrischer Wechselfelder:
Schirmmaterial mit hoher Leitfähigkeit. Die Dämpfung vermindert sich mit
zunehmender Frequenz.
Abschirmung niederfrequenter und statischer magnetischer Felder:
Weichmagnetisches Schirmmaterial.
Abschirmung magnetischer Wechselfelder:
Hochleitfähiges Schirmmaterial (Blech- und Metallfolien). Die Dämpfung
verbessertert sich mit zunehmender Frequenz.
1)
nach Mitteilung von Herrn Prof. Dr. J. Lutz, TU Chemnitz
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3 Wechselstrom
3.1 Grundgrößen und Grundbegriffe
3.1.1 Vorteile des Wechselstroms gegenüber Gleichstrom 3

Hauptvorteil der in der elektrischen Energietechnik vorzugsweise verwende-

ten Wechselspannungen und -ströme ist die verlustarme Übertragung großer
Leistungen über weite Strecken aufgrund ihrer leichten Transformierbarkeit.
Damit lässt sich die Stromstärke so weit herabsetzen, dass die Verluste
durch Stromwärme Pv = I 2 R in den Leitungen nur noch eine untergeordnete
Rolle spielen. Abweichungen des Wechselstromes von der reinen Sinusform
verursachen in den nichtohmschen Widerständen jedoch unerwünschte und
u. U. gefährliche Oberschwingungen, während bei reiner Sinusform lediglich
Phasenverschiebungen stattfinden. Elektrische Generatoren sind daher so kon-
struiert, dass sie nur rein sinusförmige Wechselspannungen liefern.
3.1.2 Kenngrößen sinusförmiger Wechselgrößen
Augenblickswert. Rotiert nach Bild 3.1 ein senkrecht zur Zeichenebene

verlaufendes Leiterstück L der Länge l mit der Bahngeschwindigkeit v in
einem homogenen Magnetfeld der Flussdichte B, so wird die Spannung
u = Blv sin α
induziert, wobei α der Winkel ist, den Bewegungsrichtung und Feldlini-
en einschließen. v sin α ist dann die rechtwinklig zum Feld B gerichtete
Geschwindigkeitskomponente. Bezeichnet û die bei α = 90◦ maximal auf-
tretende Spannung und u den zu einem beliebigen Winkel α gehörenden
Augenblickswert, so gilt:
u = û sin α = û sin ω t (3.1)
u, i Augenblicks- oder Momentanwerte

U, I Effektivwerte
û, î Scheitelwerte
u, i Gleichwerte (arithmetische Mittelwerte)
ω = 2π f Kreisfrequenz
α = ωt Phasenwinkel
T = 1/ f Periode
f Frequenz
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104 3 Wechselstrom
v⋅sin α
B
v
α B
L
α
Bild 3.1 Rotierender Leiter L

im Magnetfeld B, α = ω t
3.1.3 Zeiger- und Liniendiagramm
Ein mit konstanter Winkelgeschwindigkeit im Gegenuhrzeigersinn umlau-

fender Zeiger bildet den Augenblickswert sinusförmiger Wechselgrößen
ab.
Da die zeitlich veränderliche Wechselspannung einer einfachen Sinusfunktion

folgt, kann sie auch als ein Zeiger aufgefasst werden, der in mathematisch
positivem (Links-)Sinn mit der konstanten Kreisfrequenz ω umläuft. Seine
Projektion auf die senkrechte Achse stellt den Augenblickswert u zur Zeit
t, seine Länge den Scheitelwert û dar. Werden diese Projektionen über die
daneben gezeichnete Zeitachse bei den zugehörigen Phasenwinkeln α = ω t
eingetragen, so ergibt sich das Liniendiagramm (→ Bild 3.2) in Gestalt einer
Sinuskurve, deren Abszisse im Grad- oder Bogenmaß eingeteilt werden kann.
π
u
2
ω u$ u$
α 0 u
π
0 π π 3 2π t, α
π
2 2
3 T
π 2
2 T
Bild 3.2 Entstehung des Liniendiagramms aus dem Zeigerdiagramm
Augenblickswerte der Spannung und des Stromes. Da die Kreisfrequenz

bei den meisten Vorgängen konstant ist, kann der Zeiger auch feststehend
gedacht werden. Hat der umlaufende Zeiger zur Zeit t = 0 bereits den Dreh-
winkel ϕ (Anfangsphase) zurückgelegt, so ergeben sich folgende Augenblicks-
werte der Spannung und des Stromes:
u = û sin(ω t + ϕ ) i = î sin(ω t + ϕ ) (3.2)
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i i
i i
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3.1.4 Addition phasenverschobener Wechselgrößen

gleicher Frequenz
Phasenverschiebung
Die Phasenverschiebung kennzeichnet die Differenz der Nullphasenwin-

kel zwischen mehreren Wechselgrößen.
In vielen Fällen unterscheiden sich die Nullphasenwinkel mehrerer Wechsel- 3

stromgrößen voneinander und weisen untereinander eine Phasenverschiebung

ϕ auf (→ Bild 3.3).
ϕ = ϕ2 − ϕ1
u, i
u, i ωt
ωt ϕ ωt − ϕ
1
2
t, a 0 t, a
2
ϕ ϕ
1 ϕ ϕ
ϕ
a) b)
Bild 3.3 Phasenverschiebung ϕ
a) zwei Wechselgrößen, b) Vor- und Nacheilen von drei phasenverschobenen
Wechselgrößen gleicher Frequenz
I Beachte: Die Angabe der Phasenverschiebung ϕ ist nur bei gleichzeitiger Angabe
der Phasenlage einer Bezugsgröße ϕ 1 oder ϕ 2 sinnvoll.
Positiver Voreilung
Phasenwinkel oder bedeutet Verschiebung der Si-
Negativer Nacheilung
negativer
nusschwingung in Richtung der Zeitachse.
positiver
voreilende
Im Zeigerdiagramm ist der Zeiger gegenüber dem Bezugszei-
nacheilende
Links-
ger im Sinn um den Winkel ±ϕ gedreht (→ Bild 3.3b).
Rechts-
Addition im Zeiger- und Liniendiagramm

Die Zusammenfassung von Zeigern erfolgt nach den Regeln der Vektoraddi-
tion (→ Bild 3.4):
Der resultierende Zeiger ist gleich der Diagonalen des aus den beiden
Komponenten gebildeten Parallelogramms.
i i
i i
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i i
106 3 Wechselstrom
U2 U
ϕ U1
Bild 3.4 Addition von Zeigern
I Beachte: Alle als Zeiger darzustellenden Wechselgrößen werden durch einfaches

Unterstreichen gekennzeichnet. Beispielsweise schreibt sich die Addition zweier
Spannungen nach Bild 3.4:
U = U1 + U2
Sind nur die Beträge von Zeigern gemeint, so enfällt die Unterstreichung.
In einfachen Fällen kann der resultierende Zeiger grafisch, d. h. durch eine
maßstäbliche Zeichnung, gefunden werden. Genauer ist die Berechnung mit
dem Kosinussatz der Trigonometrie, wobei ϕ der von den beiden Zeigern
eingeschlossene Phasenwinkel ist; z. B. ergibt sich im Fall der beiden Span-
nungen U1 und U2 nach Bild 3.2:
q
U = U12 + U22 + 2U1U2 cos ϕ (3.3)
I Beachte: Das Pluszeichen des 3. Summanden resultiert daraus, dass der Kosinus
des Winkels gegenüber der Resultierenden der Supplementwinkel zu ϕ ist und das
entgegengesetzte Vorzeichen hat.
Da auch die Resultierende im Zeigerdiagramm mitrotiert, gilt:
Das Liniendiagramm der Resultierenden ergibt wiederum eine exakte Si-

nuskurve. Sind die Komponenten gleich groß, so beträgt der Phasenwinkel
der Resultierenden ϕ /2.
Bei unterschiedlicher Frequenz der Komponenten gelten die genannten Re-

geln jedoch nicht. Der Kurvenverlauf ist zwar periodisch, aber von kom-
pliziertem Verlauf und muss mithilfe der Additionstheoreme mathematisch
dargestellt werden.
3.1.5 Mittelwerte sinusförmiger Wechselgrößen
Arithmetischer Mittelwert und Gleichrichtwert

Bei einem Wechselstrom entspricht der arithmetische Mittelwert dem
Flächeninhalt unter der Zeitfunktion über eine ganze Periode.
Da die negative Halbschwingung der Sinuskurve genau symmetrisch zur

positiven Halbschwingung verläuft, ist der arithmetische Mittelwert einer
Wechselstromgröße für eine volle Periode T gleich null (→ Bild 3.5).
i i
i i
i i
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i i
u
u$
|u| 3π / 2
U
0 π/2 π 2π t, α
dα T / 4 T/2 3T / 4 T Bild 3.5 Gleichrichtwert |u|
und Scheitelspannung û
Bei einem Wechselstrom entspricht der arithmetische Mittelwert einer

3
Halbschwingung (Gleichrichtwert) einem Gleichstrom. Dieser besitzt die

gleiche elektrolytische Wirkung wie die Halbschwingung des Wechsel-
stroms.
Der Gleichrichtwert entspricht der Höhe des Rechteckes, das den gleichen
Inhalt wie die Fläche unter einer Halbschwingung hat. Er folgt durch Integra-
tion von 0 bis π. Für die Gleichrichtwerte |u| und |i| gilt:
û π 2û
π
1Z
|u| = û sin α d α = − cos α = (3.4)
π π 0 π
0
2
| i | = î (3.5)
π
Effektivwert
Bei einem Wechselstrom erzeugt der Effektivwert in einem Wirkwider-
stand die gleiche Wärmemenge wie ein gleich großer Gleichstrom.
Der quadratische Mittelwert oder Effektivwert (→ Bild 3.6) ist von großer
praktischer Bedeutung. Da die hierbei umgesetzte Leistung in jedem Au-
genblick nach Gl. (1.19) P = I 2 R ist, ergibt sich für den Effektivwert des
Stromes I allgemein
v
u ZT
u1
I=t i(t)2 dt (3.6)
T
0
Bei sinusförmigem Stromverlauf gilt

v s
u Z2π 2π
u1 2 î2 α 1
I= t î sin α d α = − sin 2α
2π 2π 2 4
0
0
î
= √ ≈ 0,707 î (3.7)
2
Nach Gl. (1.19), welche I 2 enthält, entspricht daher die von einer Wechsel-
stromquelle umgesetzte mittlere Leistung der halben Leistung einer Gleich-
stromquelle, deren Strom dem Scheitelwert des Wechselstromes entspricht.
i i
i i
i i
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i i
108 3 Wechselstrom
Für den Effektivwert der Spannung gilt analog zu Gl. (3.7)

v
u ZT
u1 û
U =t u2 (t) dt = √ ≈ 0,707û (3.8)
T 2
0
i
i$ 2
I2 =
2 i$ 2
I
i$ i2 i
0 π π 3 2π t, α
π
2 2
Bild 3.6 Effektivwert I und
Scheitelstrom î
I Beachte: Die Formelzeichen für die Effektivwerte lauten unter Weglassung des
Index einfach
√ U√ und I. Da sich Scheitel- und Effektivwert nur um den konstanten
Faktor 1/ 2 = 2/2 unterscheiden, ändern sich die Phasenbeziehungen nicht.
In alle Zeigerdiagramme werden üblicherweise Effektivwerte eingetragen.
3.1.6 Scheitel- und Formfaktor
Der Scheitelfaktor kennzeichnet das Verhältnis zwischen dem Scheitel-

und dem Effektivwert einer Wechselgröße beliebigen Kurvenform.
û
ks = (3.9)
U
√
Für reine Sinusgrößen ist nach Gl. (3.8) ks = 2 ≈ 1,414.
Anwendung: Bewertung der Isolationsbeanspruchung in der Hochspannungstech-
nik.
Der Formfaktor kf ist das Verhältnis des Effektivwertes zum Gleichricht-

wert.
U
kf = (3.10)
|u|
i i
i i
i i
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i i
Der Formfaktor ist ein Maß für die Kurvenform. Für reine Sinusgrößen ergibt
sich mit den Gln. (3.4) und (3.8):
π
kf = √ ≈ 1,111
2 2
Je mehr die Kurvenform einem Rechteck ähnelt, umso mehr nähert sich der
Formfaktor dem Wert eins.
Anwendung: 3
Umrechnungsfaktor zwischen der Messwertanzeige und dem Effektivwert der

zu bestimmenden Wechselgröße in der Messtechnik,
Berechnung eisengefüllter Drosseln.
Scheitelfaktor bei verzerrter Stromkurve

Infolge des nichtlinearen Verlaufes der Magnetisierungskennlinie erfährt die
Stromkurve bei Spulen mit Eisenkern eine erhebliche Verzerrung. Dagegen
sind der magnetische Fluss Φ bei sinusförmiger Klemmenspannung und
damit die magnetische Flussdichte B (um 90◦ nacheilend) sinusförmig.
Konstruktion des zeitlichen Verlaufes der Feldstärke H (→ Bild 3.7):
Zeichnen einer Sinushalbschwingung B(t) mit dem Scheitelwert Bmax und

linearer Teilung der Zeitachse,
Aufsuchen der zu diesen Zeitpunkten gehörenden B-Werte auf der Magnetisie-
rungskennlinie B(H) und der zugeordneten H-Werte,
Übertragen der H-Werte als Ordinaten über den Teilpunkten der B(t)-Kurve,
Zeichnen der H(t)-Kurve.
Wegen des Zusammenhangs I = Hl/N gibt diese Kurve zugleich den Strom-
verlauf wieder.
Berechnung: Der Effektivwert der Feldstärke H folgt analog zu Gl. (3.6) aus
dem Mittel der Quadrate der H-Werte:
q
2
H= H
Der Scheitelfaktor ergibt sich mit dem zu Bmax gehörenden Wert der magneti-
schen Feldstärke:
Hmax
ks =
H
Für das im Bild 3.7 gezeigte Beispiel ergibt sich grafisch für H = 676 A/m
und damit für ks = 2,44.
Je geradliniger die Magnetisierungskennlinie

√ ist, desto mehr nähert sich
der Scheitelfaktor des Stromes dem Wert 2 ≈ 1,41.
i i
i i
i i
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i i
110 3 Wechselstrom
H max
1,6 Bmax 1600
B( H ) Bmax
1,4
H in A/m
B3 B3
1,2 1200
B(t )
1,0
0,8 800
H in T
H (t )
0,6
0,4 400
0,2 H3 H3
0 400 800 1200 1600 0 3 6 9

H in A/ m t in s
Bild 3.7 Verlauf der magnetischen Feldstärke bei verzerrter Stromkurve
3.2 Widerstände im Wechselstromkreis
3.2.1 Wirkwiderstand
Der Wirkwiderstand setzt die einem Leiter zugeführte Energie vollständig

in nichtelektrische Energie (z. B. Wärme oder Licht) um. Er verursacht
daher Leistungsverlust.
Der Leiter verhält sich bei diesem Vorgang als Wirkwiderstand (ohmscher
Widerstand). Es gilt:
Im Wirkwiderstand sind Spannung und Strom in jedem Augenblick in

gleicher Phase.
Der Wirkwiderstand ist der Realteil des komplexen Widerstandes Z (→ 3.4.3).
3.2.2 Induktiver Widerstand
Der induktive Widerstand ist der Induktivität und der Kreisfrequenz

proportional und führt zu keinem Leistungsverlust.
Wird der Einfachheit halber vom Wirkwiderstand abgesehen, so bewirkt die

Induktivität L einer Spule nach Gl. (2.77) den Spannungsabfall:
di d(î sin ω t)
uL = L =L (3.11)
dt dt
i i
i i
i i
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i i
3.2 Widerstände im Wechselstromkreis 111
uL , i
uL
uL i u$
i$
iL 0 π 2π ωt
ϕ 3
Bild 3.8 Induktive

Phasenverschiebung
Mit dem Differenzialquotienten

di
= ω î cos ω t = ω î sin(ω t + 90◦ )
dt
ergibt sich die Spannung
uL = Lω î sin (ω t + 90◦ ) (3.12)
Die an einer Induktivität liegende Spannung eilt dem Strom um 90◦ voraus
(→ Bild 3.8).
Für die Effektivwerte gilt dann nach den Gln. (3.11) und (3.12):
UL = ω LI (3.13)
Der induktive Blindwiderstand ist das Produkt ω L
(vergleichbar mit U = RI):
XL = ω L (3.14)
Er ist bei der Kreisfrequenz ω = 0 (Gleichstrom) gleich null und wächst mit
steigender Frequenz.
3.2.3 Kapazitiver Widerstand
Der kapazitive Widerstand ist der Kapazität und der Kreisfrequenz um-
gekehrt proportional und führt zu keinem Leistungsverlust.
Wird an einen Kondensator der Kapazität C eine Wechselspannung gelegt, so

beträgt der Momentanwert des Stromes nach Gl. (2.17):
du
i=C (3.15)
dt
i i
i i
i i
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i i
112 3 Wechselstrom
Mit dem Differenzialquotienten

du d(û sin ω t)
= = ûω cos ω t = ûω sin(ω t + 90◦ )
dt dt
ergibt sich der Strom:
i = Cûω sin(ω t + 90◦ ) (3.16)
Für den durch einen kapazitiven Widerstand fließenden Strom gilt daher:
Der durch einen Kondensator fließende Strom eilt der Spannung um 90◦
voraus (→ Bild 3.9).
uC , i
uC
i u$
−90° i 0 π 2π ωt
ϕ
90° i$
Bild 3.9 Kapazitive
uC
Phasenverschiebung
Für ω t = 0 erreicht der Strom in Gl. (3.16) wegen sin 90◦ = 1 seinen Schei-
telwert î = ω CûC . Der Effektivwert lautet:
I = ω CUC (3.17)
Das Produkt ω C (vergleichbar mit I = GU) entspricht dem kapazitiven Blind-
leitwert. Für den kapazitiven Blindwiderstand gilt:
1
XC = − (3.18)
ωC
Er ist bei der Frequenz f = 0 unendlich groß und wird mit zunehmender
Frequenz immer kleiner.
3.3 Komplexe Wechselgrößen

Die Rechnung mit verschiedenen Größen im Wechselstromkreis lässt sich
durch den Übergang zur komplexen Schreibweise vielfach vereinfachen und
dient auch dem besseren Verständnis. Dies gilt insbesondere für Widerstand,
Leitwert und Strom in umfangreichen Netzwerken mit kapazitiven und induk-
tiven Schaltelementen. Darüber hinaus ist vom experimentellen Standpunkt
aus die Definition komplexer Zustandsgrößen, wie z. B. der Permeabilität
i i
i i
i i
“tbel” — 2017/8/28 — 0:50 — page 113 — #116
i i
3.3 Komplexe Wechselgrößen 113
und der Permittivität, sehr günstig, wenn deren Verhalten bei veränderten
Messbedingungen zu untersuchen ist.
3.3.1 Grundlagen
√
Mit der imaginären Einheit j = −1 gelten folgende Definitionen (→ Bild
3.10):
Komplexe Zahl A = a + jb 1)
3
a = Re (A) reelle Zahl

b = Im (A) imaginäre Zahl
Konjugiert komplexe Zahl A∗ =√a − jb
Betrag einer komplexen Zahl A = a 2 + b 2 2)
b Im (A) 3)
Phasenbeziehungen tan ϕ = =
a Re (A)
j A
Im( A) = b A
jb
+ϕ
−ϕ Re( A) = a
− jb
A∗
Bild 3.10 Komplexe Zahlenebene mit
a A∗ Zeigerdarstellung von A und A∗
Tabelle 3.1 enthält weitere Darstellungen komplexer Zahlen.

Tabelle 3.1 Darstellungsformen komplexer Größen
Bezeichnung Komplex Konjugiert komplex
algebraisch 4) A = a + jb A∗ = a − jb
trigonometrisch A = A(cos ϕ + j sin ϕ ) A∗ = A(cos ϕ − j sin ϕ )
exponentiell A = A e jϕ A ∗ = A e− j ϕ
Euler’sche Formeln e jϕ = cos ϕ + j sin ϕ e− jϕ = cos ϕ − j sin ϕ
3.3.2 Arithmetik
Liegen z. B. zwei komplexe Größen vor, so ergeben sich die in Tabelle 3.2
zusammengestellten Regeln.
1)
Komplexe Wechselstromgrößen werden durch Unterstreichen gekennzeichnet.
2)
A Amplitude
3)
ϕ Phasenwinkel oder Argument
4)
Normalform
i i
i i
i i
“tbel” — 2017/8/28 — 0:50 — page 114 — #117
i i
114 3 Wechselstrom
Tabelle 3.2 Regeln bei der Behandlung von zwei komplexen Größen
Operation Arithmetische Form Exponentielle Form
Gleichheit Real- und Imaginärteile stimmen Betrag und Phasenwinkel stim-
überein men überein
Addition Real- und Imaginärteile getrennt
(Subtraktion) addieren (subtrahieren)
Beispiel:
(3 + j5) − (2 − j3) = 1 + j8
Multiplikation Klammerregeln anwenden Beträge multiplizieren,

Exponenten addieren
Beispiel: Beispiel:
(3 + j5)(2 − j3) = 21 + j 5 e j30 · 3 e− j45 = 15 e− j15
∗
Division Erweitern mit A des Nenners, Beträge dividieren,
getrennte Division des Real- und Exponenten subtrahieren
Imaginärteils
Beispiel: Beispiel:
(2 + j)/(1 − j3) = −0,1 + j0,7 5 e j30 /3 e− j45 = 5/3 · e j75
3.4 Schaltungen von Widerständen

im Wechselstromkreis
3.4.1 Reihenschaltungen
R und L in Reihe (→ Bild 3.11)
I R L
UR UL
U Bild 3.11 Reihenschaltung aus R und L
Gesamtspannung. Durch beide Widerstände fließt derselbe Strom I. Wäh-

rend die am Wirkwiderstand liegende Spannung mit dem Strom phasengleich
ist, eilt die an der Induktivität liegende Spannung dem Strom um 90◦ voraus
(ω > 0). Mit dem Strom als Bezugsgröße ergibt das Zeigerdiagramm (→ Bild
3.12) die Gesamtspannung:
q
U= UR2 + UL2 (3.19)
Scheinwiderstand (Impedanz). Die Division der Effektivwerte der Span-

nung U durch den gemeinsamen Strom I liefert das geometrisch ähnliche
i i
i i
i i
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i i
3.4 Schaltungen von Widerständen im Wechselstromkreis 115
Widerstandsdiagramm (→ Bild 3.13). Daraus folgt für den Scheinwiderstand

bzw. die Impedanz:
p
Z = R2 + (ω L)2 (3.20)
U Z
UL X L = ωL 3
ϕ ϕ
UR R
Bild 3.12 Spannungsdiagramm Bild 3.13 Widerstandsdiagramm
zur Schaltung von Bild 3.11 zur Schaltung von Bild 3.11
Die Impedanz lässt sich auch aus dem Verhältnis der Effektivwerte von
Spannung und Strom darstellen.
Für den Phasenwinkel der Gesamtspannung gegen den Strom I gilt:

XL ωL
tan ϕ = = (3.21)
R R
Liegen die Schaltelemente R und L getrennt vor, so können die Teilspan-
nungen U R und U L direkt gemessen werden. Da aber jede Spule außer dem
induktiven Widerstand zugleich auch einen Wirkwiderstand darstellt, kann
hier nur die Gesamtspannung U gemessen werden, Bild 3.11 ist dann das
Ersatzschaltbild der Spule. Der Wirkwiderstand R kann z. B. mithilfe einer
Gleichstrommessung bestimmt werden. Die Induktivität ergibt sich nach Gl.
(3.20).
R und C in Reihe (→ Bild 3.14)
R
I R C ϕ
1
UR XC = − Z
UC ωC
U
Bild 3.14 Reihenschaltung Bild 3.15 Widerstandsdiagramm
aus R und C zur Schaltung von Bild 3.14
Gesamtspannung. Durch eine aus R und C gebildete Reihenschaltung fließt

der gemeinsame Strom I, dem die am Kondensator liegende Spannung um 90◦
nacheilt (ϕ < 0). Die Gesamtspannung ist:
q
U = UR2 + UC2 (3.22)
i i
i i
i i
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i i
116 3 Wechselstrom
Scheinwiderstand. Die Division von Gl. (3.22) durch den Strom I führt
wieder zum Widerstandsdiagramm (→ Bild 3.15). Daraus folgt für den
Scheinwiderstand:
r
1
Z = R2 + (3.23)
(ω C)2
Für den Phasenwinkel gilt:

XC 1
tan ϕ = =− (3.24)
R ω RC
R, L und C in Reihe (→ Bild 3.16, → Tafel 3.1)
I R L C
UR UL UC
U
Bild 3.16 Reihenschaltung aus R, L und C
Scheinwiderstand. Ist ϕ > 0, so hat die Schaltung induktiven Charakter (→

Bild 3.17). Ist ϕ < 0, so hat die Schaltung kapazitiven Charakter (→ Bild
3.18). Aus dem Widerstandsdiagramm ergibt sich der Scheinwiderstand:
s 2
1
Z= R2 + ω L − (3.25)
ωC
XC X L = ωL R
X L = ωL ϕ XC + X L
Z Z
ϕ X L + XC 1 XL
XC = −
1 R ωC
XC = − 1 1
ωC ωL > ωL <
ωC ωC
Bild 3.17 Widerstandsdiagramm bei Bild 3.18 Widerstandsdiagramm bei
ω L > 1/(ω C) ω L < 1/(ω C)
Für den Phasenwinkel gilt:
1
ωL − 2
tan ϕ =
XL + XC
= ω C = ω LC − 1 (3.26)
R R ω RC
i i
i i
i i
“tbel” — 2017/8/28 — 0:50 — page 117 — #120
i i
Tafel 3.1 Zeigerdiagramme, Phasenwinkel und Scheinwiderstände einfacher

Reihenschaltungen
Schaltung Zeigerdiagramm ϕ Scheinwiderstand Z tan ϕ

Z, U
R L X L = ωL p ωL
ϕ + R2 + (ω L)2 +
R I
R
s
R C
R
ϕ
I
1
2
1 3
1 − −
XC =− R2 +
Z, U ωC ωC ω RC
XC X L X L > XC
L C 1
ϕ +90◦ ω L − +∞
Z, U ωC
I
X L > XC X C s 2
Z, U XL 1 ω 2 LC−1
+ R2 + ω L− +
ϕ ωC ω RC
R I
X L = XC
R L C XC XL
0 R 0
R, U I
R I
ϕ s 2
XC 1 1− ω 2CL
Z, U − R2 + −ω L −
ωC ω RC
XC > X L X L
3.4.2 Parallelschaltungen
Stromzeigerdiagramm
Da sich bei der Parallelschaltung die Ströme addieren, empfiehlt sich die
Anwendung des Stromzeigerdiagramms (→ Bild 3.20).
Bezugsrichtung im Stromzeigerdiagramm ist die gemeinsame Spannung

(→ Bild 3.21).
R und L parallel (→ Bild 3.19)
i i
i i
i i
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i i
118 3 Wechselstrom
Gesamtstrom. Der Strom durch den Wirkwiderstand R liegt mit der Spannung
in gleicher Phase, der Strom in der Spule eilt der Spannung um 90◦ nach
(−90◦ < ϕ < 0◦ ). Der Gesamtstrom ist nach Bild 3.20:
q
I = IR2 + IL2 (3.27)
U
IR IC IR
IR R ϕ ϕ
IL − IC
I I
IL L IL IL
I IC
U
Bild 3.19 Parallelschal- Bild 3.20 Stromzeiger- Bild 3.21 Stromzeiger-
tung aus R und L diagramm zu Bild 3.19 diagramm mit IL > IC
R und C parallel
In einem zum Wirkwiderstand R parallel geschalteten Kondensator eilt der
Strom 90◦ gegenüber der Spannung vor (90◦ > ϕ > 0◦ ).

q
I = IR2 + IC2 (3.28)
R, L und C parallel (→ Tafel 3.2)

Gesamtstrom. Die Ströme in der Spule und im Kondensator laufen einander
entgegen. Der Gesamtstrom ist (→ Bild 3.21):
q
I = IR2 + (IL − IC )2 (3.29)
Leitwertzeigerdiagramm
Bei Parallelschaltungen ist es zweckmäßiger, mit den Leitwerten anstelle der
Widerstände zu rechnen (→ Tabelle 3.3).
Tabelle 3.3 Leitwerte
Art des Leitwertes Gleichung
Scheinleitwert Y = 1/Z
Wirkleitwert G = 1/R
Induktiver Blindleitwert BL = −1/XL = −1/(ω L)
Kapazitiver Blindleitwert BC = 1/XC = ω C
Setzt man z. B. in Gl. (3.27) I = UY , IR = UG und IL = UBL ein, so ergibt

sich:
p
UY = (UG)2 + (UBL )2
i i
i i
i i
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i i
Die Division durch U liefert den Scheinleitwert (Admittanz) Y für R und L:

q
Y = G2 + BL2 (3.30)
3.4.3 Darstellung komplexer Größen in Wechselstromkreisen

3
Reelle und imaginäre Grundgrößen

Die Behandlung komplizierter Wechselstromkreise lässt sich einfach und
übersichtlich darstellen, wenn die Widerstands- und Stromdiagramme in die
komplexe Zahlenebene gelegt werden.
Durch Verwendung komplexer Größen und deren mathematischer Gesetze

können beliebige zusammengesetzte Wechselstromkreise auf die Gesetze
des Gleichstromkreises zurückgeführt werden.
Tabelle 3.4 kennzeichnet den komplexen Widerstand oder Widerstandsopera-

tor Z.
Tabelle 3.4 Real- und Imaginärteile des komplexen Widerstandes
oder des Widerstandsoperators Z
Wirkwiderstand Induktiver Widerstand Kapazitiver Widerstand
Z = R + jX R jω L − j/(ω C)
R (Resistanz) R 0 0
X (Reaktanz) 0 ωL −1/(ω C)
Reihenschaltungen (→ Tabelle 3.5)

Tabelle 3.5 Komplexe Widerstände von Reihenschaltungen
Schaltung Komplexer Widerstand
R und L in Reihe Z = R + jXL = R + jω L
R und C in Reihe Z = R + jXC = R − j/(ω C)
R, L und C in Reihe Z = R + j(XL + XC ) = R + j[ω L − 1/(ω C)]
Die Beträge komplexer Größen von Reihenschaltungen stimmen unter Ver-

wendung der mathematischen Gesetze für komplexe Größen mit den Berech-
nungen in 3.4.1 überein (→ Tafel 3.1).
Im Z
tan ϕ = (3.31)
Re Z
i i
i i
i i
“tbel” — 2017/8/28 — 0:50 — page 120 — #123
i i
120 3 Wechselstrom
Parallelschaltungen (→ Tabelle 3.6)

Die Beträge komplexer Größen von Parallelschaltungen stimmen mit den
Berechnungen in 3.4.2 überein (→ Tafel 3.2).
Im Y
tan ϕ = (3.32)
Re Y
Tafel 3.2 Zeigerdiagramme, Phasenwinkel und Scheinwiderstände einfacher

Parallelschaltungen
Betrag des Schein-
Schaltung Zeigerdiagramm ϕ tan ϕ
widerstandes Z
R G U
ϕ
ω RL R
1 − p −
L BL= R2 + (ω L)2 ωL
Y, I ωL
R Y, I
BC= ωC R
ϕ + p +ω RC
C 1 + (ω RC)2
G U
L
BL BC BC > BL ωL
C ϕ +90◦ −∞
Y ω 2 LC − 1
U
BC > BL
BL
ω RL R(ω 2 LC−1)
Y, I BC + p +
ϕ R2 (ω 2 LC−1)2 +(ω L)2 ωL
G U
R BC = BL
BL BC
L 0 R 0
C
G, I U
G U
ϕ
BL ω RL R(1− ω 2 LC)
Y, I − p −
BC R2 (1− ω 2 LC)2 +(ω L)2 ωL
BL > BC
Komplexer Widerstand von Parallelschaltungen

Während der komplexe Leitwert einer Parallelschaltung aus dem Leitwert-
zeigerdiagramm sofort abgelesen werden kann, erfordert die Ermittlung des
entsprechenden komplexen Widerstandes mathematischen Aufwand. Hierfür
bieten sich zwei Wege:
Errechnung des komplexen Leitwertes und anschließende Umwandlung in
Z = 1/Y
i i
i i
i i
“tbel” — 2017/8/28 — 0:50 — page 121 — #124
i i
Anwendung der für Gleichstrom gültigen Gesetze unter Einsetzung der

komplexen Widerstände
Tabelle 3.6 Komplexe Ströme und Leitwerte von Parallelschaltungen
Schaltung Komplexer Strom Komplexer Leitwert
1 1
R und L parallel I = IR − jIL Y = G − jBL = −j
R ωL
3
1
R und C parallel I = IR + jIC Y = G − jBC = + jω C
R

1 1
R, L und C parallel I = IR + j(IC − IL ) Y = G − j(BC − BL ) = + j ω C−
R ωL
3.4.4 Umwandlung von Schaltungen
Jede Reihenschaltung komplexer Widerstände lässt sich durch eine elektrisch

gleichwertige (äquivalente) Parallelschaltung ersetzen und umgekehrt. Vor-
aussetzung ist Frequenzgleichheit in beiden Schaltungen.
Umwandlung einer Reihenschaltung in eine äquivalente Parallelschal-

tung
Die Widerstände der Reihenschaltung werden mit dem Index r und die der
Parallelschaltung mit dem Index p bezeichnet. Die komplexen Leitwerte
beider Schaltungen müssen gleich sein (→ Bild 3.22):
Reihenschaltung = Parallelschaltung
1 1
Y = = = GP + jBP
Z Rr + jXr
I Rr Xr
Rp
I
Xp
Bild 3.22 Reihenschaltung und
U äquivalente Parallelschaltung
Erweitern mit dem konjugiert komplexen Wert Rr − jXr :
Rr Xr 1 1
−j 2 = −j
R2r + Xr2 Rr + Xr2 RP XP
Vergleich der reellen und imaginären Komponenten:
Z2 Z2
RP = XP = (3.33)
Rr Xr
i i
i i
i i
“tbel” — 2017/8/28 — 0:50 — page 122 — #125
i i
122 3 Wechselstrom
Umwandlung einer Parallelschaltung in eine äquivalente Reihenschal-

tung
Mit den Bezeichnungen des vorigen Abschnittes ergeben sich die Scheinwi-
derstände der beiden Schaltungen:
Reihenschaltung = Parallelschaltung
RP jXP
Rr + jXr =
RP + jXP
Erweitern der rechten Seite mit dem konjugiert komplexen Wert:

RP XP2 + jR2P XP
Rr + jXr =
R2P + XP2
Vergleich der reellen und imaginären Komponenten:
RP XP2 R2P XP
Rr = Xr = (3.34)
R2P + XP2 R2P + XP2
Umwandlung einer Dreieckschaltung in eine äquivalente Sternschaltung

und umgekehrt
Zur Umwandlung dienen die in 1.2.4 genannten Gleichungen, die auf kom-
plexe Widerstände anzuwenden sind.
Beispiel: Wie lauten die Sternersatzwiderstände (→ Bild 3.24) der in Bild 3.23
angegebenen Dreieckschaltung mit Z 1 = 1 Ω, Z 2 = (2+ j) Ω und Z 3 = (2− j5) Ω?
Die Anwendung von Gl. (1.25) ergibt
(2 + j)(2 − j5) Ω2 (9 − j8)(5 + j4) Ω2
ZA = = ≈ (1,9 − j0,1) Ω
(5 − j4) Ω 41 Ω
1(2 − j5) Ω2 (2 − j5)(5 + j4) Ω2
ZB = = ≈ (0,7 − j0,4) Ω
(5 − j4) Ω 41 Ω
1(2 + j) Ω2 (2 + j)(5 + j4) Ω2
ZC = = ≈ (0,1 + j0,3) Ω
(5 − j4) Ω 41 Ω
C
C
ZC
Z1 Z2
ZB ZA
B A
Z3
B A
Bild 3.23 Beispiel einer Dreieck- Bild 3.24 Äquivalente Sternschaltung
schaltung zu Bild 3.23
i i
i i
i i
“tbel” — 2017/8/28 — 0:50 — page 123 — #126
i i
3.5 Leistung und Arbeit im Wechselstromkreis 123
3.5 Leistung und Arbeit im Wechselstromkreis

Im Wechselstromkreis kann wegen der möglichen Phasenverschiebung ϕ =
ϕ U − ϕ I der Spannung gegenüber dem Strom die Leistung nicht durch das
einfache Strom-Spannungs-Produkt ausgedrückt werden.
Dies ist am Verbraucher Z wie folgt zu berücksichtigen:
ϕ < 0: kapazitiver Widerstand
3
→ Voreilen des Stromes gegenüber der Spannung,

ϕ = 0: Wirkwiderstand,
ϕ > 0: induktiver Widerstand
→ Nacheilen des Stromes gegenüber der Spannung.
3.5.1 Augenblicksleistung
Die Augenblicksleistung ergibt sich aus den zeitlich zusammenfallenden

Werten von Strom und Spannung.
Im Wechselstromkreis ergibt sich für die Augenblicksleistung allgemein

P(t) = u(t)i(t) (3.35)
Am Wirkwiderstand besteht zwischen Spannung und Strom keine Phasen-
verschiebung, und es gilt
P(t) = û sin ω t · î sin ω t = ûî sin2 ω t (3.36)
Nach Gl. (3.36) ist P(t) = 0 und besitzt gegenüber der Spannungskurve die
doppelte Frequenz (→ Bild 3.25).
P(t ), u, i P( t )
u
ϕ = 0°
0 π π 3 2π ωt
π
2 2
Bild 3.25 Augenblicksleistung bei rein ohmscher Belastung am Verbraucher

√ √
Mit den Effektivwerten I = î/ 2 und U = û/ 2 ergibt sich
P(t) = 2UI sin2 ω t = UI [1 − cos(2ω t)] (3.37)
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124 3 Wechselstrom
P(t ), u, i P( t )
i
u
ϕ = −45°
0 π π 3 2π ωt
π
2 2
Bild 3.26 Augenblicksleistung bei ohmsch-kapazitiver Belastung am Verbraucher
Am Blindwiderstand ist die Phasenverschiebung zwischen Spannung und

Strom zu berücksichtigen, und es gilt analog zu Gl. (3.37)
1
P(t) = û sin ω t î sin(ω t − ϕ ) = ûî [cos ϕ −cos(2ω t − ϕ )] (3.38)
2
oder mit den Effektivwerten
P(t) = UI cos ϕ − UI cos(2ω t − ϕ ) (3.39)

In Gl. (3.39) ist der erste Term eine Konstante. Der zweite Term besitzt
gegenüber der Spannungskurve wieder die zweifache Frequenz. Bild 3.26
demonstriert dies für den Fall eines ohmsch-kapazitiven Scheinwiderstandes
mit ϕ = −45◦ . Für ϕ = −90◦ (→ Bild 3.27) tritt nur kapazitive Belastung
auf.
P(t ), u, i P( t )
i u
ϕ = −90°
0 π π 3 2π ωt
π
2 2
Bild 3.27 Augenblicksleistung bei rein kapazitiver Belastung am Verbraucher
3.5.2 Mittlere Leistung
Die mittlere Leistung ergibt sich aus dem Mittel der über eine volle
Periode integrierten Augenblicksleistung.
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Die Wirkleistung P folgt aus Gl. (3.36) mit

ZT
1
P= ûî sin2 ω t dt
T
0
ZT
û î û î
= (1 − cos 2ω t) dt = (3.40)
2T 2
0
3
oder mit den Effektivwerten und Berücksichtigung der Phasenverschiebung:
P = UI cos ϕ (3.41)
I Hinweis: SI-Einheit der Wirkleistung: [P] = W (Watt).
Dies kann auch durch Zerlegung des Spannungszeigers U in zwei Kompo-

nenten gezeigt werden (→ Bild 3.28). U cos ϕ entspricht der Richtung des
Stromes, sein Produkt mit dem Strom stellt die Wirkleistung dar.
U
U sin ϕ
ϕ
Bild 3.28 Komponenten
U cos ϕ I des Spannungszeigers U
Die Wirkleistung ist der in nichtelektrische Form (z. B. Wärme, Licht,

mechanische Leistung) umgewandelte und von einem Induktionszählwerk
registrierte Teil der Leistung.
Das Liniendiagramm von P(t) (→ Bild 3.29) ist wieder eine Sinuskurve von
doppelter Frequenz, die jedoch teilweise im negativen Bereich verläuft. Dort
stellt sie die an den Generator zurückfließende Leistung dar.
P(t ), u, i P( t )
u
i
ϕ = 45°
0 − π − 2π ωt
π 3
π
2 2
Bild 3.29 Überwiegende Wirkleistung für den Phasenwinkel 0◦ < ϕ < 90◦
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126 3 Wechselstrom
Die Blindleistung Q ergibt sich durch Multiplikation der senkrecht auf der
Stromrichtung stehenden Komponente des Spannungszeigers U mit dem
Strom I.
Q = UI sin ϕ (3.42)
Die Blindleistung lässt sich nicht in andere Leistungsformen umwandeln.

Nach Division von Gl. (3.42) durch Gl (3.41) ergibt sich:
Q = P tan ϕ (3.43)
I Hinweis: Einheit der Blindleistung: [Q] = var (voltampèreréactif) =

b W.
Das Liniendiagramm der reinen Blindleistung (→ Bild 3.30) stellt eine sym-
metrisch zur Zeitachse liegende Sinuskurve dar. Die Wirkleistung ist dabei 0,
da die positiven und negativen Flächenteile gleich groß sind.
P(t ), u, i P( t )
u i
0 ϕ = 90° π 2π ωt
− −
Bild 3.30 Leistung beim Phasenwinkel ϕ = 90◦
Die Blindleistung ist die beim Auf- und Abbau des magnetischen bzw.
elektrischen Feldes zwischen Generator und Verbraucher ausgetauschte
Leistung.
Die Scheinleistung ergibt sich aus dem Produkt der Effektivwerte von Strom
und Spannung.
S = UI (3.44)
I Hinweis: Einheit der Scheinleistung: [S] = V · A (Voltampere) =
b W.
Die Scheinleistung ist das ohne Berücksichtigung einer vorhandenen Pha-

senverschiebung gewonnene Produkt aus Klemmenspannung und Strom.
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Aus dem Zeigerdiagramm (→ Bild 3.31) geht hervor:

p
S= P2 + Q2 (3.45)
S
Q
ϕ 3
P I Bild 3.31 Leistungsdiagramm
Scheinleistungen von Verbrauchern mit unterschiedlichen Phasenwinkeln dür-

fen nicht addiert werden. Ihre Gesamtscheinleistung ist durch eine getrennte
Berechnung der Wirk- und Blindleistungen zu berechnen.
3.5.3 Leistungsfaktor
Der Leistungsfaktor kennzeichnet den Anteil der in der Scheinleistung

enthaltenen Wirkleistung.
Der in dem Ausdruck für die Wirkleistung Gl. (3.41) enthaltene Faktor cos ϕ
wird für sinusförmige Ströme wegen seiner besonderen technisch-ökonomi-
schen Bedeutung Leistungsfaktor genannt:
P Wirkleistung
λ = cos ϕ = = (3.46)
S Scheinleistung
Der Leistungsfaktor (→ Tabelle 3.7) wird z. B. auf dem Typenschild von

Elektromotoren angegeben und beträgt i. Allg. 0,6 . . . 0,85.
Tabelle 3.7 Phasenwinkel und Leistungsfaktoren

Art des Widerstandes Phasenwinkel Leistungsfaktor
Reiner Wirkwiderstand ϕ = 0◦ cos ϕ = 1
Reiner Blindwiderstand ϕ = 90◦ cos ϕ = 0
Induktive Belastung 90◦ > ϕ > 0◦ cos ϕ < 1 (positiv)
Kapazitive Belastung −90◦ < ϕ < 0◦ cos ϕ < 1 (positiv)
Die von elektrischen Maschinen tatsächlich abgegebene Nutzleistung PN

ist infolge von Reibungs-, Eisen- und Stromwärmeverlusten geringer als
die Wirkleistung P. Dies ist mit dem Wirkungsgrad η nach Gl. (1.20) zu
berücksichtigen.
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128 3 Wechselstrom
3.5.4 Wirk-, Blind- und Gesamtstrom
Dividiert man die Scheinleistung S in Gl. (3.45) durch die Spannung U, so

ergibt sich für die entsprechenden Ströme:
q
I = Iw2 + Ib2 (3.47)
I Gesamtstrom
Iw Wirkstrom
Ib Blindstrom
Direkt messbar ist nur der Gesamtstrom I.
Der Wirkstrom ergibt sich aus Gl. (3.41) durch Division mit der Klemmen-
spannung U:
Iw = I cos ϕ (3.48)
Der Blindstrom folgt aus Gl. (3.42):

Ib = I sin ϕ (3.49)
Tabelle 3.8 Berechnung reiner Wirk- und Blindleistungen

Art der Leistung Gleichung
mit Gesamtstrom I mit Klemmenspannung U
Wirkleistung P I2R U 2 /R
U2 U2
Blindleistung Q, induktiv I 2 XL = I 2 ω L =
XL ωL
I2 U2
Blindleistung Q, kapazitiv I 2 XC = − = −U 2 ω C
ωC XC
Für die in einem Wirkwiderstand umgesetzte Leistung ist jedoch der Gesamt-
strom I maßgebend. Es gelten daher analoge Ausdrücke wie in Gl. (1.19) im
Gleichstromkreis (→ Tabelle 3.8).
3.5.5 Verbesserung des Leistungsfaktors
Obwohl der Blindstrom nicht zu der vom Verbraucher entnommenen Wirkleis-

tung beiträgt, so erhöht er dennoch den Gesamtstrom und stellt eine u. U. emp-
findliche Belastung des Versorgungsnetzes dar. Er hängt zwangsläufig mit dem
Leistungsfaktor cos ϕ zusammen.
p In dem mit Gl. (3.49) gegebenen Ausdruck
lässt sich für sin ϕ = 1 − cos2 ϕ einsetzen. Ein geringer Leistungsfaktor
cos ϕ hat also einen hohen Blindstrom zur Folge.
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Ursachen schlechter Leistungsfaktoren:

Wicklung von Elektromaschinen
Transformatoren, besonders im Leerlauf
Vorschaltdrosseln usw.
Folge: Erhöhung des Gesamtstroms durch großen Blindstromanteil.

Maßnahmen: Zuschaltung von Kondensatoren parallel zum Verbraucher.
3
Unerwünschte, durch Induktivitäten verursachte Blindleistungen können

durch Kondensatoren kompensiert werden, die den Phasenwinkel nach der
entgegengesetzten Seite verschieben (Phasenschieberkondensatoren).
Die vom Kondensator aufgenommene Blindleistung ergibt sich zu:
QC = Q1 − Q2 (3.50)
Q1 induktive Blindleistung vor der Kompensation
Q2 induktive Blindleistung nach der Kompensation
S QC
Q1
ϕ1 ϕ2 Q2
P I Bild 3.32 Komponenten der Blindleistung
Wegen Gl. (3.29) kann auch geschrieben werden (→ Bild 3.32):

QC = P(tan ϕ 1 − tan ϕ 2 ) (3.51)
Für die Kapazität des zur Kompensation erforderlichen Kondensators
folgt analog zu Gl. (2.8) mit QC = U 2 /XC und XC = 1/(ω C):
QC
C= (3.52)
ωU2
3.5.6 Leistung in komplexer Schreibweise
Die komplexe Leistung P ergibt sich aus dem Produkt der komplexen
Spannung U und des konjugiert komplexen Stromes I ∗ .
Im Wechselstrom kennzeichnet das Produkt UI die komplexe Leistung. Diese

ergibt sich nach Tabelle 3.1 in der komplexen Exponentialform:
P = U I ∗ = UI e jϕ u e− jϕ i = UI e j(ϕ u −ϕ i ) (3.53)
∗
I konjugiert komplexer Stromzeiger
ϕu Phasenwinkel der Spannung
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130 3 Wechselstrom
ϕ i Phasenwinkel des Stromes

−ϕ i Phasenwinkel des konjugiert komplexen Stromzeigers
Da ϕ = ϕ u − ϕ i die Verschiebung zwischen Spannung U und Strom I darstellt,
gilt mit den Euler’schen Formeln:
e jϕ = cos ϕ + j sin ϕ
e− jϕ = cos ϕ − j sin ϕ (3.54)
U I ∗ = UI(cos ϕ + j sin ϕ )
In Übereinstimmung mit den vorangegangenen Definitionen der Gln. (3.41,

3.42, 3.44) ergibt sich für die
Wirkleistung: P = Re (U I ∗ ) = UI cos ϕ
Blindleistung: Q = Im (U I ∗ ) = UI sin ϕ (3.55)
Scheinleistung: S = |U I ∗ | = UI
I Beachte: Mit der umgekehrten Schreibweise U ∗ I würde sich für den Phasenwinkel
nicht das in 3.5.2 festgelegte Vorzeichen ergeben.
3.5.7 Messung der Wechselstromleistung
3.5.7.1 Messung der Wirkleistung
Hierzu eignen sich u. a. elektromechanische und elektronische Leistungsmes-

ser und Leistungszangen. In diesen kommt das Produkt der Momentanwerte
i = î sin ω t; u = û sin(ω t + ϕ ) (3.56)
zur Wirkung und liefert das Drehmoment:
ZT
M = kûî sin ω t sin(ω t + ϕ ) dt (3.57)
0
Nach Umformung und Integration folgt:

M = kUI cos ϕ (3.58)
I, U Effektivwerte von Strom und Spannung
k Gerätekonstante
Infolge der Trägheit des drehbaren Teils der Messgeräte werden nicht die
Momentanwerte der Leistung, sondern wird die mittlere Wirkleistung P
erfasst:
P = UI cos ϕ (3.59)
Im Diagramm entspricht diese dem Inhalt der positiven Fläche unter der
Leistungskurve (→ Bild 3.29) bei Abzug der negativen Flächenteile.
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3.5.7.2 Messung der Blindleistung
Auch hier wird i. Allg. das elektrodynamische Messwerk genutzt, wobei eine
Drehung der Stromphase im Spannungspfad des Messwerks um 90◦ erforder-
lich ist. Dazu sind spezielle Schaltungen (→ Bild 3.33, 3.34) in Anwendung.
Der im Spannungspfad fließende Teilstrom I3 eilt der Spannung U um 90◦
nach (→ 3.4.2). Da cos(ϕ − 90◦ ) = − sin ϕ ist, kommt anstelle des Produktes
P = UI cos ϕ die Blindleistung 3
Q = UI sin ϕ (3.60)
zur Anzeige. Die gesonderte Messung der Blindleistung ist für Großverbrau-
cher wichtig, da sie durch Sondertarif erfasst wird.
Bild 3.33 Blindleistungsmessung am Bild 3.34 Blindleistungsmessung am

Verbraucher R mit 90◦ -Schaltung nach Verbraucher R mit Polek-Schaltung
Hummel
I Beachte: Da die Hummel-Schaltung nur für feste Frequenzen verwendbar ist, wird
oftmals die Polek-Schaltung bevorzugt (→ Bild 3.34).
3.5.7.3 Messung der Wirkarbeit
Hierzu dient der allgemein verbreitete Motorzähler in der Form des Induk-
tionszählwerkes.
Aufbau (→ Bild 3.35): Der Strom I erregt in den beiden Polen eines Weich-
eisenkerns den Magnetfluss Φ i , der eine drehbare Aluminiumscheibe S von
unten her durchsetzt, während die Spannungsspule einen zweiten Magneten
erregt, dessen Fluss Φ u nur einmal durch die Scheibe läuft. Der Drehpunkt D
der Scheibe liegt seitlich außerhalb des Magnetsystems.
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132 3 Wechselstrom
Bild 3.35 Induktionszählwerk

Wirkungsweise (→ Bild 3.36): Die Flüsse Φ u und Φ i induzieren in der
Aluscheibe die Wirbelströme Iu und Ii . Durch entsprechende Gestaltung des
magnetischen Kreises im Spannungspfad wird erreicht, dass der Strom Iu dem
Strom Ii um 180◦ + ϕ nacheilt.
M
N N S
Φi Φu Φi
Ii Iu Ii
Bild 3.36 Magnetflüsse und
D S Wirbelströme im Induktions-
zählwerk
Blickt man von oben auf die Scheibe, so ergeben sich in einem bestimmten
Augenblick die eingezeichneten Wirbelströme in der Scheibe. Dabei sucht die
Strombahn Ii zusammen mit Φ u die Scheibe (Anwendung der Linken-Hand-
Regel) nach rechts zu verschieben, wodurch diese ein Drehmoment M im
Rechtssinn erfährt. Den gleichen Drehsinn ergibt die Strombahn Iu zusammen
mit Φ i . Der Drehsinn bleibt auch beim Polwechsel erhalten.
Um die Rotation der Scheibe bei konstanter Leistung konstant zu erhalten,
wird diese randwärts von einem als Wirbelstrombremse wirkenden Dauerma-
gneten DM umfasst. Die Drehzahl n ist dann der Wirkleistung proportional:
n = kUI cos ϕ
Die im Laufe der Zeit t erfolgten Umdrehungen z = nt werden durch ein
Zählwerk ZÄ summiert und ergeben die Wirkarbeit:
W = kUIt cos ϕ (3.61)
k Zählerkonstante ( =
b Anzahl der Umdrehungen je Kilowattstunde)
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3.5.7.4 Kombinierte Messung von Wirk- und Blindleistung
Drei-Spannungsmesser-Verfahren
Steht kein Leistungsmesser zur Verfügung, so wird beim Vorliegen einer
Reihenschaltung (z. B. Motoren, Drosselspulen) nach Bild 3.37a ein Zusatz-
widerstand R vorgeschaltet. Gleichzeitig mit drei Instrumenten oder auch mit
einem Instrument nacheinander werden die drei Spannungen UR , UL und U
gemessen. Das Spannungsdiagramm ergibt nach Bild 3.37b: 3
(UR + Uw )2 + Ub2 = U 2 (3.62)

Bild 3.37 Drei-Spannungsmesser-Verfahren; a) Schaltung, b) Spannungsdiagramm
Nach Einsetzen von Ub2 = UL2 − Uw2 folgt

U 2 − UR2 − UL2
Uw = (3.63)
2UR
Danach können die Wirkleistung
P = Uw I (3.64)
und die Blindleistung
q
Q = I UL2 − Uw2 (3.65)
berechnet werden.
Die Messung des Stromes ist entbehrlich, wenn der Hilfswiderstand R bekannt
ist, denn es ist I = UL /R.
Drei-Strommesser-Verfahren
Beim Vorliegen einer Parallelschaltung werden drei Instrumente zur Messung
von I, IR , IL nach Bild 3.38a mit einem Hilfswiderstand R zusammengeschal-
tet. Das Stromdiagramm (→ Bild 3.38b) ergibt:
(Iw + IR )2 + Ib2 = I 2 (3.66)
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134 3 Wechselstrom
Nach Einsetzen von Ib2 = IL2 − Iw2 wird

I 2 − IR2 − IL2
Iw = (3.67)
2IR
Danach können die Wirkleistung
P = UIw (3.68)
und die Blindleistung
q
Q = U IL2 − Iw2 (3.69)
berechnet werden.
Die Messung der Spannung U ist entbehrlich, wenn der Hilfswiderstand R
genau bekannt ist, denn es ist U = IR.
Bild 3.38 Drei-Strommesser-Verfahren; a) Schaltung, b) Stromdiagramm
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4 Besondere Wechselstromkreise
4.1 Zusammengesetzte Schaltungen
4.1.1 Komplexer Spannungs- und Stromteiler

Spannungsteiler
4
Ein komplexer Spannungsteiler enthält Impedanzen, welche vom glei-
chen Strom durchflossen werden.
Die für Gleichstrom aufgestellten Regeln gelten in gleicher Weise unter Ver-
wendung komplexer Größen (unterstrichene Symbole) auch für sinusförmigen
Wechselstrom. Analog zu Gl. (1.21) gilt mit Bild 4.1
U1 Z
= 1 (4.1)
U2 Z2
und mit der Gesamtspannung U sowie dem Gesamtwiderstand Z:

U1 Z1 Z
= = 1 (4.2)
U Z1 + Z2 Z
Die Spannungen teilen sich proportional zu den Widerständen auf.
Z1 Z2 I 1 Z1
I
U1 U2 Z2
U I2
Bild 4.1 Spannungsteiler mit den Bild 4.2 Stromteiler mit den
komplexen Widerständen Z 1 und Z 2 komplexen Widerständen Z 1 und Z 2
Stromteiler
Ein komplexer Stromteiler enthält Impedanzen, an welchen in einer Ma-

sche die gleiche Spannung abfällt.
Analog zu Gl. (1.24) gilt mit Bild 4.2
I1 Y Z
= 1 = 2 (4.3)
I2 Y2 Z1
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136 4 Besondere Wechselstromkreise
und mit dem Gesamtstrom I:

I1 Y1 Z2 Z
= = = (4.4)
I Y1 + Y2 Z1 + Z2 Z1
Mehrstufiger Spannungsteiler
Mehrstufige Spannungsteiler enthalten kettenförmig zusammenhängen-

de Schaltelemente.
Diese lassen sich häufig als mehrstufige (gestaffelte) Spannungsteiler behan-

deln:
Das Spannungsverhältnis eines mehrstufigen Spannungsteilers ist gleich

dem Produkt der Widerstandsverhältnisse der einzelnen Stufen.
Für den zweistufigen Spannungsteiler (→ Bilder 4.3, 4.4) gilt:

U2 U U I Z (I + I 3 )Z 2 Z Z
= 2 3 = 2 4 2 = 4 2 (4.5)
U1 U 3U 1 I1Z3 I1Z1 Z3 Z1
U 1 von außen angelegte (Eingangs-)Spannung

U 2 abgegriffene (Ausgangs-)Spannung
Z4
}
U2
Z 21 Z 22
Z2
} U3
Z 11 Z 21 Z 11 Z 12 Z 3
U1
U1 Z 12 Z 22 U2
}}
Z1
Bild 4.3 Kettenschaltung Bild 4.4 Zweistufiger Spannungsteiler
zur Schaltung nach Bild 4.3
Bedeutung der Widerstände (→ Bild 4.4):

Eingangswiderstand Z 1 = Z 11 + Z 2
Z (Z + Z 22 )
Widerstand der Masche Z 2 = 12 21
Z 21 + Z 22 + Z 12
Z (Z + Z 21 )
Ausgangswiderstand Z 4 = 22 12
Z 22 + Z 12 + Z 21
Widerstand des oberen Zweiges Z 3 = Z 21 + Z 22
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4.1 Zusammengesetzte Schaltungen 137
4.1.2 Gemischte Schaltungen
Gemischte Schaltungen enthalten Wirk- und Blindwiderstände.
4.1.2.1 Parallelschaltung mit komplexen Widerständen
Gegeben ist die Schaltung nach Bild 4.5. Gesucht sind das Zeigerdiagramm,
der komplexe Leitwert und die Nacheilung des Stromes.

Zeigerdiagramm. Als Bezugsrichtung für die Zweigströme dient die beiden
Zweigen gemeinsame Spannung U = UR1 + jUL (→ Bild 4.6). I 1 liegt in 4
gleicher Phase mit UR1 ; I 2 liegt in der gleichen Phase mit U. Der Gesamtstrom
I ist die geometrische Summe aus I 1 und I 2 .
jUL
I 1 R1 L
U
I
I2 R2 ϕ I2
U I1 U R1
Bild 4.5 Gemischte Schaltung Bild 4.6 Zeigerdiagramm zur Schaltung

nach Bild 4.5
Berechnung des komplexen Leitwertes
Leitwert des oberen Zweiges:
1 1 R1 − jXL
Y1 = = = 2
Z1 R1 + jXL R1 + XL2
Leitwert des unteren Zweiges:
Y 2 = 1/R2
Gesamtleitwert:
R1 1 XL
Y = Y1 + Y2 = + −j 2
R21 + XL2 R2 R1 + XL2
Nacheilung des Stromes

Im Y XL R2 R21 +XL2 R2 XL
tan ϕ = − = 2 = 2 2
Re Y 2 2
R1 +XL R1 R2 +R1 +XL 2 R R
1 2 +R1 +XL
4.1.2.2 Wechselstromparadoxon
In einer Reihenschaltung eines Wirk- und eines induktiven oder kapazitiven

Widerstandes ändert sich der Strom nicht, wenn ein passender Wirkwider-
stand der Induktivität oder der Kapazität parallel geschaltet wird.
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Der Wirkwiderstand R2 in der Schaltung nach Bild 4.7 soll so bemessen

werden, dass sich der Betrag des durch die Schaltung fließenden Stromes I
trotz Öffnens und Schließens des Schalters S nicht ändert.
R2
R1 L S Bild 4.7 Zum Wechselstromparadoxon

I
bei einem induktiven Widerstand
Bei offenem Schalter ist Z I = R1 + jω L mit dem Betrag

q
ZI = R21 + (ω L)2
R2 jω L R1 R2 + jω L(R1 + R2 )
Bei geschlossenem Schalter ist Z II = R1 + =
R2 + jω L R2 + jω L
mit dem Betrag s
(R1 R2 )2 + ω 2 L2 (R1 + R2 )2
ZII =
R22 + (ω L)2
Durch Gleichsetzen der quadratischen Impedanzwerte ZI und ZII folgt:
(ω L)2 1
R2 = , analog gilt R2 = (4.6)

2R1 2R1 (ω C)2
Eine entsprechende Rechnung zeigt jedoch, dass sich die Phase des Stromes
I beim Schließen des Schalters dabei ändert.
4.1.2.3 90◦ -Schaltung nach Hummel
Die Hummel-Schaltung erzeugt in einem Zweigstrom eines Netzwerks

die Phasenverschiebung von 90◦ gegen die Spannung.
Der Widerstand R2 in der Schaltung nach Bild 4.8 soll so bemessen werden,
dass der Zweigstrom I 3 der Spannung U um 90◦ nacheilt.
I2 R2
I R1 L1
I 3 R3 L3
Bild 4.8 RL-Kombination als
U1 U3 Phasendrehglied für ϕ = 90◦ nach
U Hummel
Die Gesamtspannung U = U 1 + U 3 lautet in ausführlicher Schreibweise U =
(I 2 + I 3 )(R1 + jω L1 ) + I 3 (R3 + jω L3 ); wegen I 2 R = I 3 (R3 + jω L3 ) kann I 2
substituiert werden, und es ist

R1 R3 jω R1 L3 jω R3 L1 ω 2 L1 L3
U = I3 + + − + R1 + jω L1 + R3 + jω L3
R2 R2 R2 R2
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4.1 Zusammengesetzte Schaltungen 139
Da der Strom um 90◦ nacheilen soll, muss der Klammerausdruck ein rei-
ner Blindwiderstand sein, d. h., die reellen Teile müssen verschwinden. Aus
R1 R3 − ω 2 L1 L3 + R1 R2 + R2 R3 = 0 wird
ω 2 L1 L3 − R1 R3
R2 = (4.7)
R1 + R3
4.1.2.4 RC-Kombination mit Phasendrehung um 90◦

Eine Phasendrehung von 90◦ lässt sich durch ein zweistufiges RC-Glied
realisieren. 4
Während mit der einfachen Reihenschaltung aus R und C der Phasenwinkel
niemals genau auf 90◦ gebracht werden kann, lässt sich dies mit der Schaltung
nach Bild 4.9 erreichen. Nach Umzeichnen entsteht der zweistufige Span-
nungsteiler nach Bild 4.10. Ausgangs- und Eingangsspannung sind hier mit
U 2 bzw. U 1 bezeichnet. Die erste Stufe ist der obere Zweig mit
Z4 R
=
Z3 1
R+
jω C
U2
Z4
C R
Z2
} Z3
C C C R
U1
U1 R R U2
}}
Z1
Bild 4.9 RC-Kombination als Bild 4.10 Zweistufiger Spannungsteiler
Phasendrehglied für ϕ = 90◦ zur Schaltung nach Bild 4.9
Die zweite Stufe wird durch Z 2 /Z 1 gebildet, sodass sich das gesuchte Verhält-
nis nach Gl. (4.5) aus
U2 Z Z
= 4 2
U1 Z3 Z1
ergibt. Hierbei ist Z 2 der Widerstand der parallelen Gruppe

1
R R+
jω C 1
Z2 = und Z1 = + Z2
1 jω C
2R +
jω C
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3R 1
− + R2
jω C ( jω C)2
X=
1
2R +
jω C
Damit ist:
Z4 Z2 ω RC
=
Z3 Z1 3 1
ω RC + −
j ω RC
Erweitert mit j ergibt sich:
ω RC
U 2 = jU 1
1
3 + j ω RC −
ω RC
Wenn der imaginäre Teil des Nenners gleich 0 wird, ist U 2 gegenüber U 1
wegen des Faktors j um 90◦ gedreht. Für diesen Fall ist ω RC = 1/(ω RC) und
damit C = 1/(ω R). Als Spannungsverhältnis erhält man:
|U 2 | 1 U2
= = (4.8)
|U 1 | 3 U1
4.1.2.5 RC-Kombination mit Phasendrehung um 180◦
Eine Phasendrehung von 180◦ lässt sich durch ein dreistufiges RC-Glied
realisieren.
Die Schaltung nach Bild 4.11 lässt sich so dimensionieren, dass die Ausgangs-
spannung U 2 in genau entgegengesetzter Phase zur Eingangsspannung U 1
schwingt (ϕ = −180◦ ). Damit eignet sie sich u. a. als Rückkopplungsglied in
RC-Generatoren. Die etwas längere Rechnung (dreistufiger Spannungsteiler)
führt zu dem Ausdruck:
(ω RC)3
U 2 = −U 1
5ω RC − (ω RC)3 − j 1 − 6(ω RC)2
Bei Phasendrehung um ϕ = −180◦ muss das √ imagnäre Glied verschwinden,
und aus 1 − 6(ω RC)2 = 0 folgt ω RC = 1/ 6.
Mit diesem Wert gewinnt man aus dem reellen Teil des Bruches
(ω RC)3 1
= (4.9)
5ω RC − (ω RC)3 29
und die Kapazität beträgt:
1
C= √ (4.10)
ωR 6
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4.2 Frequenzverhalten von Wechselstromkreisen 141
C C C
U1 R R R U2
Bild 4.11 RC-Kombination als
Phasendrehglied für ϕ = 180◦
Ein RC-Generator kann daher nur zum Schwingen erregt werden, wenn die
Verstärkung mindestens 29fach ist, um den Spannungsverlust auszugleichen.
4.2.1 Verluste in Wechselstromkreisen
4.2.1.1 Verlustwinkel einer Spule
Stromwärme und die Wirkung frequenzabhängiger Vorgänge verursachen

im Wechselstromkreis Energieverluste in Spulen.
Verlustwiderstand. Neben ihrem induktiven Widerstand hat jede Spule noch

einen Verlustwiderstand, der mit steigender Frequenz zunimmt und ihr Fre-
quenzverhalten beeinflusst.
Ursachen der Verluste:
ohmscher Widerstand der Wicklung, frequenzunabhängig,
Skineffekt (→ 2.3.9.6), erhebliche Widerstandserhöhung bei Zunahme der
Frequenz; Spulen mit Cu-Runddraht:
– Drahtdurchmesser 1,0 mm ab etwa 10 kHz
– Drahtdurchmesser 0,1 mm ab etwa 1 MHz
Hysteresis- und Wirbelstromverluste im Kernmaterial (→ 4.3.1).
In der Regel wird der Verlustwiderstand von Spulen als Reihenwiderstand Rr

dargestellt.
Unter dem Verlustwinkel δ L versteht man den vom Zeiger des komplexen
Widerstandes Z L und der Achse der imaginären Zahlen eingeschlossenen
Winkel (→ Bild 4.12):
Rr
tan δ L = (4.11)
ωL
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Verlustfaktor. Da δ L in der Regel sehr klein ist, kann der Tangens gleich
dem Winkel im Bogenmaß gesetzt werden und wird dann als Verlustfaktor dL
bezeichnet:
Rr
δ L ≈ dL = (4.12)
ωL
Oft (z. B. im Parallelschwingkreis, → 4.2.3) ist es zweckmäßiger, den Reihen-
widerstand Rr in einen entsprechenden Parallelwiderstand Rp umzurechnen.
Man erhält dann:

ωL
dL = (4.13)
Rp
Der Gütefaktor der Spule ist der reziproke Wert des Verlustfaktors:
1
Q= (4.14)
dL
Dieser lässt sich nach Gl. (4.12) auch durch das Verhältnis von Blind- zu
Wirkkomponente ausdrücken. Im Allgemeinen liegt Q etwa zwischen 50 und
500. Näheres über Spulen mit Eisenkernen enthält Abschnitt 4.3.1.
ZL YC
Im Im
δL δL δC δC
ωL ωC
ϕ ϕ
Rr Re 1 / Rp Re
Bild 4.12 Verlustwinkel δ L Bild 4.13 Verlustwinkel δ C
einer Spule eines Kondensators
4.2.1.2 Verlustwinkel eines Kondensators
Die ständige Umladung der Kondensatorplatten verursacht im Wechsel-

stromkreis Energieverluste.
Die Energieverluste sind gegenüber denen an Spulen wesentlich geringer. Sie

liegen in der Größenordnung von 10−4 . . . 10−3 (0,1 . . . 1 Promille).
Ursachen der Verluste:
geringe Leitfähigkeit des Dielektrikums und Widerstand der Folien und
Zuleitungen,
geringe Wärmeentwicklungen im Dielektrikum durch fortgesetzte Umpo-
larisation der Moleküle.
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Da die Verluste hauptsächlich von der Spannung abhängig sind, werden sie
sinnvollerweise durch einen Parallelwiderstand Rp dargestellt.
Unter dem Verlustwinkel δ C versteht man den vom Zeiger des komplexen
Leitwertes Y C und der j-Achse eingeschlossenen Winkel (→ Bild 4.13):
1
tan δ C = (4.15)
ω CRp
tan δ C ist der Verlustfaktor dC , und es gilt für kleine Winkel δ C :

4
1
δ C ≈ dC = (4.16)
ω CRp
Bei Ersetzen des Parallelwiderstandes durch einen Reihenverlustwiderstand

Rr gilt:
dC = ω CRr (4.17)
4.2.2 Reihenresonanz
Resonanz bezeichnet das Mitschwingen eines schwingfähigen Systems bei

Erregung mit einer Frequenz, welche mit der Eigenfrequenz des Systems
übereinstimmt oder ihr nahe kommt.
Ein Reihenresonanzkreis enthält eine Reihenschaltung von Wirkwider-

stand, Induktivität und Kapazität.
4.2.2.1 Grundvorgang
Da alle Blindwiderstände frequenzabhängig sind, gilt dies auch für den

Scheinwiderstand einer Reihenschaltung aus R, L und C (→ Bild 4.14). Nach
Gl. (3.25) ergibt sich der Betrag des Scheinwiderstandes:
s 2
1
Z = R2 + ω L − (4.18)
ωC
Für den Strom gilt:

U U
I= =s 2 (4.19)
Z 1
R2 + ω L −
ωC
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1,0
R L C
I
0,8 15 Ω 0,2 H 30 µF
B Ir
0,6 kapazitiv induktiv ϕ 90o
Nacheilung
0,4 1 60o
2
0,2 30o
Voreilung
I 0 0o ϕ
Ir f0 = 65 Hz
−30o
−60o
−90o
0 20 40 60 80 100 120
f in Hz
Bild 4.14 Frequenzabhängigkeit einer Reihenschaltung aus R, L und C
Die Gln. (4.18), (4.19) entsprechen einer Spule mit Verlustwiderstand, die mit
einem Kondensator in Reihe geschaltet ist und dessen Verluste ebenfalls als
Reihenwiderstand wirksam werden.
Ist die Resonanzbedingung
1
ωL = (4.20)
ωC
erfüllt, erreicht der Scheinwiderstand Z ein Minimum und der Strom I das
Maximum Ir . Aus Gl. (4.20) folgt dann die
Resonanzfrequenz:
1 1 1
ωr = √ fr = √ (4.21)
LC 2π LC
Resonanzkurve. Der Strom, als Funktion der Frequenz gezeichnet, durchläuft

die Resonanzkurve (→ Bild 4.14).
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4.2.2.2 Besonderheiten bei Reihenresonanz
Im Resonanzfall verhält sich die Schaltung nach außen hin wie ein reiner
Wirkwiderstand Z = R (reell). Der Strom erreicht den Maximalwert Ir = U/R.
Die Resonanzspannungen pulsieren in den Blindwiderständen
Ir
UrC = UrL = = Ir ω r L (4.22)
ω rC
und erreichen für ω r L = 1/ω rC R weit höhere Werte als die Klemmenspan-
nung U. Daraus resultiert auch die Bezeichnung Spannungsresonanz. Die

Resonanzspannung entsteht durch die zwischen Spule und Kondensator hin-
und herschwingende magnetische und elektrische Feldenergie (daher auch die 4
Bezeichnung Reihenschwingkreis). Im Resonanzfall beträgt der Phasenwin-
kel nach Gl. (3.21):
Im Z 0
ϕ = arctan = = 0◦
Re Z R
I Beachte: Für große Werte von R fallen die Maxima UrL und UrC nicht mit dem
Strommaximum zusammen. Diese liegen vielmehr bei den Frequenzen:
r r
1 2 1 1 R2
frL = f rC = − 2
2π 2LC − R C 2 2 2π LC 2L
4.2.2.3 Verluste bei Reihenresonanz

Gesamtverlustfaktor. Die in der Spule und im Kondensator auftretenden
Verluste lassen sich durch den Gesamtverlustfaktor zusammenfassen:
d = dL + dC (4.23)
Der Ersatzverlustwiderstand der Reihenschaltung ist damit nach Gl. (4.12)
und Gl. (4.20):
d
R = d ω rL =
ω rC
Als Gütefaktor oder Resonanzschärfe Q wird der reziproke Wert des Ver-
lustfaktors d bezeichnet.
r
1 ω rL 1 L
Q= = Q= (4.24)
d R R C
Weiterhin folgt die Resonanzspannung aus den Gln. (4.22) und (4.24):
UrC = UrL = QU (4.25)
Die an den Blindwiderständen liegende Resonanzspannung UrC ist um den

Faktor Q größer als die Klemmenspannung U.
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4.2.2.4 Normierte Darstellung
Zu einer besonders übersichtlichen Darstellungsweise des Resonanzfalles

gelangt man, wenn anstelle der Frequenz das Frequenzverhältnis
ω
η = (4.26)
ωr
sowie die Verstimmung verwendet werden:
1 ω ωr
ν =η − = − (4.27)
η ωr ω
Die Verstimmung ist die relative Frequenzabweichung von der Resonanz-

frequenz.
Dann beziehen sich alle Berechnungen nur noch auf den normierten Teil der
Resonanzkurve bei gegebenem Gütefaktor Q. Mit der linken Gl. (4.24) und
Gl. (4.27) nimmt Gl. (4.19) die Form an:
Ir
I=p (4.28)
1 + ν 2 Q2
Der Phasenwinkel ergibt sich dann durch:

ϕ = arctan(ν Q) (4.29)
Zeichnet man nach Gl. (4.28) die Resonanzkurve für verschiedene Gütefak-
toren Q, so flachen sich diese mit kleineren Q-Werten immer mehr ab. In
den Resonanzkurven im Bild 4.15 verhalten sich die Verlustwiderstände wie
R1 : R2 : R3 = 1 : 2 : 4 . Je spitzer die Resonanzkurve ist, desto schmaler ist
der vorzugsweise durchgelassene Frequenzbereich. Für die Bandbreite B gilt
die Festsetzung:
Innerhalb der Bandbreite√ sinkt der Scheitelwert der Resonanzkurve zu

beiden Seiten auf den 1/ 2-ten Teil ab.
Grenzfrequenzen. Die Bandbreite liegt innerhalb der unteren und oberen

Grenzfrequenzen fgu und fgo (→ Bild 4.14):
B = fgo − fgu (4.30)
Aus dem Frequenzverhältnis η (→ Gl. (4.26), Bild 4.15) ergibt sich die
relative Bandbreite ∆ η und es folgt:
fr
∆ η fr = B = d fr = (4.31)
Q
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Im Bild 4.15 erscheinen die Bandbreiten B als Differenzen der relativen

Grenzfrequenzen:
∆ η = η go − η gu (4.32)
Die relative Bandbreite ergibt sich aus Gl. (4.31) direkt als Verlustfaktor bzw.
reziproker Wert des Gütefaktors:
1
∆η = d = (4.33)
Die relative Bandbreite ist die auf die Resonanzfrequenz normierte Band- 4
breite.
1,0
∆η
0,8
0,6
I 1
Ir 0,4 2
0,2 Q = 2,5
Q =5
0 Q =10
0,4 0,8 1 1,2 1,6 2,0 2,4 Bild 4.15 Resonanzkurven
ω der normierten Stromstärke
η=
ωr bei unterschiedlichem
Gütefaktor für I/Ir
4.2.3 Parallelresonanz
Ein Parallelresonanzkreis enthält eine Parallelschaltung von Wirkwider-

stand, Induktivität und Kapazität.
4.2.3.1 Grundvorgang
Liegen R, L und C parallel, so ergeben sich die Beträge des Scheinleitwertes

s 2
1 1
Y = + ω C − (4.34)
R2p ωL
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und der Spannung

I
U=s 2 (4.35)
1 1
+ ωC −
R2p ωL
Die Gleichungen entsprechen einem Kondensator mit Verlustwiderstand, der

mit einer Spule parallel geschaltet und deren Verlustwiderstand mit dem des
Kondensators zusammengefasst ist (→ Bild 4.16).
Im Resonanzfall besteht Gleichheit beider Blindleitwerte.
1
ω rC = (4.36)
ω rL
Der Scheinleitwert erreicht ein Minimum und die Spannung U ihr Maximum.
Die Resonanzfrequenz folgt aus Gl. (4.36):
1 1 1
ωr = √ bzw. fr = √ (4.37)
LC 2π LC
Die Resonanzkurve der Spannung U/Ur als Funktion des Frequenzverhält-

nisses ω /ω r für Q = 20 zeigt Bild 4.16 in normierter Darstellung.
4.2.3.2 Besonderheiten bei Parallelresonanz
Im Resonanzfall verhält sich die Schaltung wie ein reiner Wirkwiderstand mit
dem Leitwert Y = 1/Rp (reell). Die Spannung erreicht das Maximum Ur =
IRp . Die Resonanzströme pulsieren in den Blindwiderständen
Ur IRp
IrC = IrL = ω rCUr = = (4.38)
ω rL ω rL
und erreichen für ω rC = 1/(ω r L) 1/Rp weit höhere Werte als der von außen
zufließende Strom I. Daraus resultiert auch die Bezeichnung Stromresonanz.
Stromresonanz. Die Resonanzströme entstehen durch die zwischen Induk-

tivität und Kapazität hin- und herschwingende magnetische und elektrische
Feldenergie, woher auch die Bezeichnung Parallelschwingkreis stammt. Der
Phasenwinkel beträgt im Resonanzfall:
Im Y 0
ϕ = − arctan = = 0◦
Re Y Rp
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1,0
∆η 0,2 H
0,8
20 µF
0,6
U
Ur 1
0,4 2000 Ω
2
0,2
Q = 20
0
0,4 0,8 1 1,2 1,6 2,0 2,4
4
Bild 4.16 Parallelresonanz
ω
der Spannungskurve für
ωr Q = 20
4.2.3.3 Verluste bei Parallelresonanz

Verlustfaktor. Da Rp die Verluste von Spule und Kondensator zusammen-
fasst, gilt für den Verlustfaktor:

r
ω rL 1 1 L
d= = = (4.39)
Rp ω rCRp Rp C
Wie bei der Reihenresonanz ergibt sich der Gütefaktor (Resonanzüberhö-

hung):
1
Q= (4.40)
d
Aus den Gln. (4.38) und (4.14) folgen die Resonanzströme:
IrC = IrL = QI (4.41)
Der Resonanzstrom ist um den Faktor Q größer als der am Eingang

fließende Gesamtstrom I.
Für die Verstimmung v und die Bandbreite B gelten die gleichen Formeln wie
für die Reihenresonanz. Für den Verlauf der Resonanzkurve kann analog zu
Gl. (4.28) geschrieben werden:
Ur
U=p (4.42)
1 + ν 2 Q2
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4.2.4 Übertragungsfunktion von Vierpolen
Die Übertragungsfunktion beschreibt in einem linearen System das Ver-

hältnis von harmonischen Ausgangs- und Eingangssignalen bei unter-
schiedlicher Frequenz.
Der in 4.1.1 betrachtete Spannungsteiler hat je zwei Anschlussklemmen für

die angelegte und abgegriffene Spannung. Er stellt in allgemeiner Ausdrucks-
weise einen Vierpol (Zweitor) dar. Eine wichtige Rolle in der Leitungs- und
Vierpoltheorie spielt die Übertragungsfunktion:
Die komplexe Übertragungsfunktion H ist eine Funktion der Kreisfre-

quenz und lässt sich nach Betrag und Phase zerlegen. Sie kennzeichnet das
komplexe Verhältnis der Ausgangsspannung U 2 im Leerlauf zur Eingangs-
spannung U 1 .
U2 U2 j(ϕ U2 −ϕ U1 )
H( jω ) = = e (4.43)
U1 U1
Die Darstellung der Frequenzabhängigkeit der Übertragungsfunktion führt

zum Bode-Diagramm. Hier wird der Betrag des Übertragungsfaktors U2 /U1
im Dezimalmaßstab (oder auch im logarithmischen Maßstab) über dem loga-
rithmisch dargestellten Frequenzverhältnis ω /ω g aufgetragen.
Mit R = 0,1 kΩ und C = 0,1 µF ergibt sich für das RC-Glied in Bild 4.17 das
Diagramm für den Hochpass (→ Bild 4.18). Das genutzte Matlab-Programm
ist im Anhang beigefügt.
Sperrbereich Durchlassbereich
0 90°
ϕ
2
−10 70°
1
2
in dB 1
−20 50°
ϕ
−30 30°
C −40 10°
0°
U1 R U2 −50 −10°
0,01 0,1 1 10 ω 100
ωg
Bild 4.17 RC-Glied Bild 4.18 Amplituden- und Phasengang zum Hochpass
als Hochpass nach Bild 4.17
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Beispiel: (→ Bild 4.17). Nach der Spannungsteilerregel Gl. (1.21) gilt für das
einfache RC-Glied
U2 R 1
= =
U1 j j
R− 1−
ωC ω RC
mit dem Betrag:

U 1
|H( jω )| = 2 = r (4.44)
U1 1
1+
(ω RC) 2
Für den Phasenwinkel zwischen Eingangsspannung U 1 und Ausgangsspannung

U 2 gilt ϕ = arg G( jω ) oder nach Gl. (3.31): 4
1
tan ϕ = (4.45)
ω RC
4.2.5 Filter
Filter sind Schaltungen mit frequenzabhängigen Eingangs- und Ausgangs-

spannungen bzw. mit frequenzabhängigem Übertragungsverhalten.
Die Übertragungsfunktion aller Blindwiderstände in Vierpolen hängt in cha-

rakteristischer Weise von der Frequenz ab, sodass bestimmte Frequenzberei-
che gut und andere schlecht übertragen werden. Sie werden allgemein als
Filter oder Siebe bezeichnet. Hierzu gehören:
Hochpass,
Bandpass,
Tiefpass,
Bandsperre.
4.2.5.1 RC-Glied als Hochpass
Das im Beispiel (→ Bild 4.17) betrachtete RC-Glied stellt einen Hochpass

dar. Mit der Festlegung ϕ U1 = 0◦ in Gl. (4.43) ergeben sich die Komponenten
der Vierpolcharakteristik (Amplituden- und Phasengang).
Der Amplitudengang bezeichnet den Realteil der Übertragungsfunktion.

Er entspricht dem Quotienten von Ausgangs- und Eingangsspannung und
ist eine Funktion der Kreisfrequenz.
U1
H=
U2
i i
i i
i i
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i i
Für die Schaltung im Beispiel von Bild 4.17 beträgt der Amplitudengang:
U2 1
=r
U1 1
1+
(ω RC)2
Danach wächst die Ausgangsspannung U 2 mit zunehmender Frequenz immer
mehr an und nähert sich bei sehr hohen Frequenzen dem Wert U 1 .
Der Phasengang ist der Phasenwinkel (Argument der Exponentialfunkti-

on) als Funktion der Kreisfrequenz.
Für die Schaltung in Bild 4.17 beträgt der Phasengang:

1
ϕ U2 = arctan
ω RC
Von besonderem Interesse ist der Fall R = 1/ω C, dem die Grenzkreisfrequenz
1
ωg = (4.46)
RC
zugeordnet ist. Dieser Wert, in Gl. (4.44) eingesetzt, ergibt:

U2 ωg
= √1 ≈ 0,707 ϕ = arctan = arctan 1 = 45◦
U1 2 ω
Von der Grenzkreisfrequenz an aufwärts beträgt die Ausgangsspannung

eines Hochpasses mehr als 70 % der Eingangsspannung.
Einsetzen der Grenzkreisfrequenz ω g = 1/RC in Gl. (4.43) ergibt:

U2 1 ωg
= r ϕ = arctan
U1 ω 2 ω
g
1+
ω
Daraus folgt mit der Schaltung von Bild 4.17 der Kurvenverlauf nach Bild
4.18. Man beachte, dass die unabhängige Veränderliche im Diagramm ω /ω g
ist, womit U2 mit zunehmender Frequenz anwächst. Da es z. B. in Verstär-
kerstufen auf möglichst gute Übertragung der höheren Frequenzen ankommt,
stellt ω g die untere Grenze dar, von der an die Schaltung brauchbar wird.
Durchlassbereich: ω > ω g
Sperrbereich: ω < ωg
4.2.5.2 RC-Glied als Tiefpass
Die Übertragungsfunktion des in Bild 4.19 angegebenen Vierpols ergibt:

U2 1
Amplitudengang: =p (4.47)
U1 1 + (ω RC)2
i i
i i
i i
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Mit R = 0,1 kΩ und C = 0,1 µF ergibt sich dann das in Bild 4.20 dargestellte
Bode-Diagramm. Die Ausgangsspannung U2 sinkt hier mit zunehmender
Frequenz immer mehr ab. Das Spannungsverhältnis
p erreicht mit der Grenz-
kreisfrequenz ω g = 1/RC den Wert 1/2 ≈ 0,707.
Durchlassbereich Sperrbereich
0 0°
ϕ
2
−10 −20°
1
2
in dB
−20
1
−40° 4
ϕ
−30 −60°
−40 −80°
R
−90°
U1 U2 −50
C
0,01 0,1 1 10 ω 100
ωg
Bild 4.19 RC-Glied Bild 4.20 Amplituden- und Phasengang zum Tiefpass
als Tiefpass nach Bild 4.19
Unterhalb der Grenzkreisfrequenz beträgt die Ausgangsspannung eines

Tiefpasses mehr als 70 % der Eingangsspannung.
Sperrbereich: ω /ω g > 1
Durchlassbereich: ω /ω g < 1
Phasengang: ϕ U2 = − arctan ω RC
4.2.5.3 RC-Kombination als Bandpass
Ein Filter wirkt als Bandpass, wenn sein Durchlassbereich zwischen zwei
endlichen Grenzfrequenzen liegt.
Die Bandbreite
∆ ω = ω go − ω gu (4.48)
ist die Differenz zwischen oberer und unterer Grenzkreisfrequenz. Innerhalb
des Durchlassbereiches beträgt der Amplitudengang (auch als Spannungsver-
hältnis bezeichnet):

U2 1 U2
> √ (4.49)
U1 2 U1 max
i i
i i
i i
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i i
Beispiel: Die in Bild 4.21 enthaltene Schaltung lässt sich als zweistufiger Span-
nungsteiler behandeln (→ Bild 4.22). Die 1. Stufe entspricht dem oberen Zweig
mit:
Z4 R
=
Z3 j
R−
ωC U2
Z4
}
R
C
Z2
} Z3
R R
U1 U2 U1
C R }} Z1
Bild 4.21 Bandpass Bild 4.22 Spannungsteiler zu Bild 4.21
Die 2. Stufe besteht aus der parallelen Gruppe mit

j −j 1
R− + jR
ωC ωC
= ωC
Z2 =
2j 2 j − ω RC
R−
ωC
und dem gesamten Scheinwiderstand der Schaltung:

1
R 3 j − ω RC +
ω RC
Z1 = R + Z 2 =
2 j − ω RC
Somit ist:
U2 Z Z 1
= 4 2 =
U1 Z3 Z1 1
3 + j ω RC −
ω RC
Dieses Verhältnis hat sein Maximum für ω RC = 1/(ω RC) und den Betrag:

U2 1
= (4.50)
U1 max 3
Die dazugehörige Kreisfrequenz ist ω max = 1/(RC). Das Spannungsverhältnis
ergibt sich aus:
U2 1
=s 2
U1 1
9 + ω RC −
ω RC
Durch Einsetzen der Frequenz ω max = 1/(RC) entsteht der Amplitudengang:
U2 1
=s 2 (4.51a)
U1 ω ω max
9+ −
ω max ω
i i
i i
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4.3 Spule mit Eisen 155
Für den Phasengang gilt:

2
ω
1−
ω max
ϕ = arctan ω (4.51b)
3
ω max
Im Durchlassbereich
ist nach den Gln. (4.49) und (4.50):
U 2 1
> √
U 3 2
0 90°
−10
ϕ
75° ϕ
4
2
1 −15 Bandbreite 50°
2
in dB
−20 1 25°
ϕ= 0o
−25 0°
−30 −25°
−35 −50°
−40 −75°
−45 −90°
0,01 0,1 1 10 100
ωu ωo ω
ωmax ωmax ωmax
Bild 4.23 Amplituden- und Phasengang zum Bandpass nach Bild 4.21
Die Bandbreite findet man durch Gleichsetzen dieses Ausdruckes mit Gl.
(4.51a), wobei sich für die untere normierte Grenzfrequenz ω u /ω max bzw. die
obere normierte Grenzfrequenz ω o /ω max ≈ 0,303 bzw. 3,303 ergibt (→ Bild
4.23).
4.3 Spule mit Eisen
4.3.1 Eisenverluste
Eisenverluste entstehen durch Ummagnetisierungsvorgänge ferromagne-

tischer Materialien und durch das Auftreten von Wirbelströmen.
Eine mit Eisenkern versehene Spule nimmt eine größere Wirkleistung auf als
eine eisenfreie Spule.
Ursachen
Hysteresisverluste: Sie entstehen durch fortgesetztes Ummagnetisieren
des Kernmaterials beim Durchlaufen der Hysteresisschleife (→ 2.4.5.3)
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und sind umso größer, je höher die Frequenz ist. Magnetisch weiche Werk-
stoffe mit schmaler Hysteresisschleife besitzen kleine Hysteresisverluste
(→ 2.3.6).
PH = fWH (4.52)
PH Wirkleistungsverlust durch Hysteresis
WH Ummagnetisierungsarbeit für eine Periode (ist proportional der von der Hys-
teresisschleife eingeschlossenen Fläche)
Wirbelstromverluste: Im Kernmaterial werden Wirbelströme (→ 2.3.9.5)

induziert, deren Wirkleistung PW dem Quadrat der induzierten Spannung
proportional ist:
U2
PW = (4.53)
R
PW Wirkleistungsverlust durch Wirbelstrom
R Wirkwiderstand der Strombahn
Da die Spannung U von der Änderungsgeschwindigkeit des Magnetflusses

und damit von der Frequenz abhängt, sind die Wirbelstromverluste dem Qua-
drat der Frequenz proportional. Zu ihrer Unterdrückung werden die Kerne aus
voneinander isolierten Blechen geschichtet, deren Ebenen quer zur Strombahn
liegen müssen. Blechmaterial mit großem spezifischem Widerstand (Legie-
rungen mit Silicium) wird daher bevorzugt. Praktisch frei von Wirbelströmen
sind Ferritkerne, deren Widerstand um mehrere Größenordnungen höher als
der von Eisen ist und die sich besonders für Zwecke der HF-Technik eignen.
Die gesamten Eisenverluste ergeben sich aus:
PFe = PH + PW (4.54)
Sie werden durch besondere Messgeräte (Ferrometer) ermittelt und als Ver-
lustziffer v in W/kg angegeben. Näherungsweise gilt bei f = 50 Hz:
2
Bmax
v = v1,0 (4.55)
B1,0
v1,0 ; v1,5 Verlustziffer gültig bei B = 1 T bzw. B = 1,5 T

B1,0 magnetische Flussdichte = 1,0 T
Eine Übersicht über die Verlustziffern verschiedener Elektrobleche in Abhän-

gigkeit vom Kohlenstoff- und Siliciumgehalt gibt Tabelle 4.1. Die gesamte
Verlustleistung eines Kernes von der Masse m beträgt:
PFe = mv (4.56)
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Tabelle 4.1 Verlustziffern von Dynamo- und Transformatorenblechen

Blechart Dicke Kohlenstoff- Silicium- Verlustziffer
gehalt gehalt v1,0 v1,5
mm % % W/kg W/kg
I8 1 0,08 0,7 8,0 19,0
I3,6 0,5 0,08 0,7 3,6 8,6
I3,2 0,5 0,08 1,0 3,2 7,5
III2,5 0,5 0,05 2,3 2,5 6,1
III2 0,5 0,05 3,2 2,0 4,9

IV1,8 0,5 0,05 4,0 1,8 4,4
IV1 0,35 0,05 4,3 1,0 2,6
4
4.3.2 Kupferverluste
Kupferverluste entstehen durch den Wirkwiderstand der Spulenwicklung.
Diese sind durch den ohmschen Widerstand der Wicklung bedingt:

PCu = I 2 RCu (4.57)

und rufen hier den entsprechenden Spannungsabfall hervor:
UR = IRCu (4.58)
4.3.3 Induktiver Spannungsabfall
Der induktive Spannungsabfall ist die durch Induktionswirkung in einer

eisenfreien Spule entstehende Gegenspannung.
Der durch die Spule mit N Windungen fließende Strom erzeugt den in gleicher
Phase liegenden magnetischen Fluss Φ = Φ̂ sin ω t. Nach dem Induktionsge-
setz Gl. (2.57) induziert dieser die Spannung
dΦ
uL = N
dt
mit dΦ / dt = ω Φ̂ cos ω t. Der Scheitelwert dieser Spannung beträgt ûL =
ω N Φ̂ und der Effektivwert der induktiven Spannung:
2π f N Φ̂
UL = √ = 4,44 f N Φ̂ (4.59)
2
Da cos ω t = sin(ω t + 90◦ ) ist, eilt diese Spannung dem Strom um 90◦ voraus.
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4.3.4 Ersatzschaltbild der Spule

mit Eisenkern
Im Ersatzschaltbild 4.24 erscheinen folgende Größen:

I durch die Spule fließender Strom,
Iµ Magnetisierungsstrom, der den magnetischen Fluss hervorruft,
IW von den Eisenverlusten des Kernes verursachter Wirkstrom,
U an der Spule liegende (messbare) Klemmenspannung,
UR Spannungsabfall am ohmschen Widerstand der Wicklung,

UL von der Wicklung verursachter induktiver Spannungsabfall,
RFe mittlere Feldlinienlänge im Eisen.
UR
IW RFe
I RCu UL U
L I
Iµ ϕ IW
UR UL
U Iµ Φ
Bild 4.24 Ersatzschaltbild einer Bild 4.25 Zeigerdiagramm einer Spule
Spule mit Eisenkern mit Eisenkern
Zeigerdiagramm (→ Bild 4.25). In gleicher Phase mit dem magnetischen

Fluss Φ liegt der Magnetisierungsstrom I µ , rechtwinklig dazu der Wirkstrom
I W , sodass sich der Gesamtstrom mit
q
I= 2
Iµ2 + IW (4.60)
ergibt. Parallel zum Stromzeiger I verläuft der Spannungsabfall U R und ergibt

zusammen mit U L die Klemmenspannung U. Diese schließt mit dem Strom I
den Phasenwinkel ϕ ein.
Wenn kein Luftspalt vorhanden ist, gilt für den Magnetisierungsstrom nach
den Gln. (2.41) und (3.9):
Hmax lFe
Iµ = (4.61)
Nks
Und für den Wirkstrom:
PFe
IW = (4.62)
UL
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4.3.5 Drosselspule mit Gleichstromvormagnetisierung
Gegenüber einer eisenfreien Zylinderspule wird die Induktivität einer Dros-

selspule von der Permeabilitätszahl µ r bestimmt (→ Tabelle 2.9):
N 2µ0µrA
L=
l
Entsprechend der Magnetisierungskurve ist die Induktivität von der Strom-
stärke abhängig. Befindet sich auf dem Eisenkern noch eine zweite, von
Gleichstrom durchflossene Spule, so schwankt die Induktion B nicht um den
Nullpunkt, sondern um einen anderen Arbeitspunkt P der Magnetisierungs- 4
kurve (→ Bild 4.26). An die Stelle der normalen Permeabilität µ 0 µ r tritt die
reversible Permeabilität
dB
µ rev = (4.63)
dH
und es gilt:
N 2 A dB dB
L= = NA (4.64)
l dH dI
Der Differenzialquotient dB/ dH stellt den Anstieg der Magnetisierungs-

kurve im Arbeitspunkt P dar. Damit hängt auch der induktive Widerstand
XL = ω L der Drosselspule von der Gleichstromvormagnetisierung Ivorm ab.
Der durch die Drossel fließende Wechselstrom kann durch eine Gleichstrom-
wicklung ohne galvanische Kopplung gesteuert werden.
B
∆B
P
~ Arbeits- Z
wicklung
∆I
I I vorm Steuer-
I vorm. wicklung
Bild 4.26 Arbeitspunkt bei Bild 4.27 Prinzip des Transduktors

Gleichstromvormagnetisierung
Transduktor. Eine derartige Baugruppe nennt man Transduktor (→ Bild

4.27). Der in der Steuerwicklung der Spule fließende Gleichstrom Ivorm erzeugt
eine Verschiebung des Arbeitspunktes P, womit der in der Arbeitswicklung
durch den Verbraucher Z fließende Wechselstrom in weiten Grenzen geregelt
werden kann. Da die in der Steuerwicklung benötigte Leistung nur einen
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Bruchteil der gesteuerten Leistung beträgt, wirkt der Transduktor als Verstär-
ker. Sein Nachteil besteht in der Zeitverzögerung zwischen Änderungen des
Steuerstromes und der des Arbeitsstromes.
Anwendungen:
Leistungsverstärker,
Messwertverstärker.
4.4 Transformator
Der Transformator ist ein Vierpol (Zweitor) mit zwei magnetisch verkop-
pelten Spulen, die elektrisch voneinander getrennt sind.
4.4.1 Arten der Transformatoren

Der Transformator hat auf einem gemeinsamen Kern zwei getrennte Wicklun-
gen, d. h. N1 Windungen auf der Primär- und N2 Windungen auf der Sekun-
därseite. Der Kern besteht meist aus Eisen und wird von einem geschlosse-
nen magnetischen Fluss durchsetzt. Hinsichtlich der speziellen Aufgabe sind
verschiedene Arten von Transformatoren in Anwendung (→ Tabelle 4.2).
Tabelle 4.2 Arten von Transformatoren
Art Anwendungsgebiet Aufgabe

Leistungs- Starkstromtechnik ökonomischer Transport und Ver-
transformatoren teilung elektrischer Energie
Übertrager Nachrichtentechnik gleichmäßige Übertragung größerer
Frequenzbereiche bei optimaler An-
passung des Verbrauchers
Strom- und Messtechnik Anschluss von Messinstrumenten
Spannungswandler
Nach dem äußeren Aufbau werden folgende Arten unterschieden:

Kerntransformatoren. Beide Wicklungen liegen auf getrennten Schen-
keln (→ Bild 4.28).
Manteltransformatoren. Die Wicklungen liegen auf demselben Schenkel.
Der magnetische Fluss wird über die nicht bewickelten Schenkel zurückge-
führt (→ Bild 4.29).
In Hinblick auf die Wicklungsart unterscheidet man:

Zylinderwicklungen. Die Wicklung für die Oberspannung O liegt meist
über der für die Unterspannung U (→ Bild 4.28).
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4.4 Transformator 161
Scheibenwicklungen. Die primären und die sekundären Teilwicklungen

liegen in Reihe (→ Bild 4.29).
O U
O
Bild 4.28 Kerntransformator Bild 4.29 Manteltransformator

mit Zylinderwicklung mit Scheibenwicklung
4
4.4.2 Idealer Transformator
Beim idealen Transformator wird für die Primär- und die Sekundärwick-
lung der Wirkwiderstand null angenommen
I1 Φ I2
U L2
U1 U L1 U2
Bild 4.30 Idealer Transformator
Außerdem wird die Streuung des magnetischen Flusses vernachlässigt, sodass

beide Wicklungen mit demselben Fluss Φ verkettet sind (→ Bild 4.30).
Die Klemmenspannung U1 der Primärwicklung ist nach Gl. (4.59) gleich dem
induktiven Spannungsabfall:
√
U1 = UL1 = π 2 f N1 Φ̂ (4.65)
An der Sekundärwicklung wirkt die Quellenspannung Uq2 stromantreibend
und ist gleich der sekundären Klemmenspannung:
√
U2 = UL2 = −π 2 f N2 Φ̂ (4.66)
Übersetzungsverhältnis. Dividieren der Beträge der Gln. (4.65) und (4.66)

führt zum Übersetzungsverhältnis des Transformators:
U1 N1
ü= = (4.67)
U2 N2
Das Übersetzungsverhältnis entspricht dem Verhältnis der Windungszah-

len von Primär- und Sekundärwicklung.
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Da die dem idealen Transformator zugeführte Leistung gleich der abgegebe-

nen Leistung sein muss, folgt aus der Gleichung
U1 I1 = U2 I2
das Stromübersetzungsverhältnis:
I1 1
= (4.68)
I2 ü
4.4.3 Realer belasteter Transformator
Beim realen Transformator sind die Eisen- und Kupferverluste zu be-

rücksichtigen.
I 1 R1 Xσ1 Xσ2 R2 I2
Eingang U 1 U L1 U L2 Z U 2 Ausgang
Bild 4.31 Ersatzschaltung des belasteten Transformators
Der Ausgang des Transformators sei mit einem (ohmsch-induktiven) Wider-

stand Z belastet (→ Bild 4.31). Außer den bereits erläuterten Größen sind
noch zu berücksichtigen:
R1 ,R2 ohmsche Widerstände der Wicklungen,
Xσ 1 ,Xσ 2 induktive Streuwiderstände, verursacht durch die nicht mit
den Windungen verketteten, durch den Luftraum laufenden
Streuflüsse (→ 2.3.3),
Z2 gesamter komplexer Widerstand der Sekundärseite,
I0 Magnetisierungsstrom (Sekundärseite) unbelastet,
I 2 = U L2 /Z 2 Sekundärstrom,
I 20 = I 2 /ü auf die Primärseite umgerechneter Sekundärstrom.
Daraus ergeben sich die Grundgleichungen des belasteten Transformators:
U 1 = U L1 + I 1 R1 + I 1 Xσ 1
(4.69)
U 2 = U L2 − I 2 R2 − I 2 Xσ 2
Die primäre Klemmenspannung U 1 deckt die drei Spannungsabfälle U L , U R1

und U σ 1 . Die sekundäre Klemmenspannung U 2 ist gleich der treibenden
Quellenspannung U q , vermindert um die Spannungsabfälle U R2 und U σ 2
(Bestätigung mit dem Maschensatz anhand von Bild 4.31).
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4.4.4 Grundgleichungen des Transformators

in komplexer Form
Nach den Gln. (3.11) und (3.12) werden in den Windungen des Transformators
die Spannungen uL1 und uL2 sowie nach Gl. (2.66) die Gegeninduktionsspan-
nungen uq1 in der Primärwicklung aus dem Strom der Sekundärwicklung
sowie uq2 in der Sekundärwicklung aus dem Strom der Primärwicklung
induziert:
di1 di2 di2 di1

uL1 = L1 , uL2 = L2 ; uq1 = L12 , uq2 = L12
dt dt dt dt
Bei komplexer Betrachtung ergeben sich für die Imaginärteile von uL1 , uL2 4
jω L1 I 1 , jω L2 I 2
sowie für die Imaginärteile von uq1 , uq2
− jω L12 I 2 , jω L12 I 1
Die in Gl. (4.69) enthaltenen
√ Streuwiderstände X σ sind hier durch den in der
Gegeninduktivität L12 = k L1 L2 nach Gl. (2.68) enthaltenen Kopplungsfaktor
k berücksichtigt.
I Beachte: Die Gleichungen gelten nur bei sinusförmigem Stromverlauf, solange

der geradlinige Teil der Magnetisierungskurve ausgesteuert wird, bzw. für den
Transformator ohne Eisenkern (Lufttransformator).
Für die Effektivwerte ergeben sich aus Gl. (4.69):
U 1 = (R1 + jω L1 )I 1 − jω L12 I 2
(4.70)
U 2 = jω L12 I 1 − (R2 + jω L2 )I 2
4.4.5 T-Ersatzschaltung des Transformators
Die T-Ersatzschaltung enthält in einem Vierpol drei Impedanzen mit

einem gemeinsamen Knotenpunkt.
Wird auf den rechten Seiten der Gl. (4.70) ± jω L12 I 1 bzw. ± jω L12 I 2 hinzu-
gefügt, erhält man:
U 1 = [R1 + jω (L1 − L12 )]I 1 + jω L12 (I 1 − I 2 ) (4.71)
U 2 = jω L12 (I 1 − I 2 ) − [R2 + jω (L2 − L12 )]I 2 (4.72)
Der belastete Transformator lässt sich durch eine T-Ersatzschaltung dar-

stellen (→ Bild 4.32).
Gl. (4.71) gibt die Masche I und Gl. (4.72) die Masche II in Bild 4.32 richtig
wieder.
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I 1 R1 L1 − L12 L2 − L12
′ R2′ I 2′
I1− I 2
U1 I L12 II U 2′
Bild 4.32 T-Ersatzschaltung des
belasteten Transformators
4.4.6 Reduzierte Ersatzschaltung

Die Ersatzschaltung nach Bild 4.32 lässt sich vereinfachen, wenn alle Größen
der Sekundärseite mit dem Übersetzungsverhältnis
N1
ü= (4.73)
N2
auf die Primärseite umgerechnet werden, sodass ein Transformator mit dem
Windungsverhältnis 1 : 1 entsteht (→ Bild 4.33).
I 1 R1 Lσ1 L¢σ2 R2¢ I 2¢

I 1 − I 2¢
U1 L12 RFe U2¢ Z2′

Iµ IW
Bild 4.33 Reduzierte Ersatzschaltung des belasteten Transformators
Reduzierte Größen:
I2
I20 = ; 0
L12 = üL12 ; U20 = üU2
ü (4.74)
R20 = ü2 R2 ; L20 = ü2 L2 = L1 ; Z20 = ü2 Z2
Damit ergibt sich die Gegeninduktivität unter Berücksichtigung des Kopp-
lungsgrades k:
0
p
L12 = k L1 L20 = kL1 (4.75)
Die beiden Längsinduktivitäten betragen
0
L1 − L12 = (1 − k)L1 = Lσ 1
(4.76)
L20 − L12
0
= (1 − k)L20 = Lσ0 2
und werden als Streuinduktivitäten bezeichnet.
Streuinduktivitäten haben ihre Ursache in der nichtidealen Verkopplung
beider Wicklungen des Transformators.
Sie werden auch durch den Streufaktor ausgedrückt:

σ indu = 1 − k2
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Die Grundgleichungen lauten somit vollständig:

0
U 1 = (R1 + jω Lσ 1 )I 1 + jω L12 (I 1 − I 20 )
(4.77)
U 20 = jω L12
0
(I 1 − I 20 ) − (R20 + jω Lσ0 2 )I 20
I 1 jωLσ1
I 1R1 .
I 2′ jωLσ′ 2
. I1
U1 I 2′ R2′
U ′M′
I 2′
U2′ 4
I0
IW Bild 4.34 Zeigerdiagramm des belasteten
Iµ Transformators
Um noch die Eisenverluste zu berücksichtigen, ist im Schaubild 4.33 parallel

zu L12
0
der Eisenverlustwiderstand RFe
0
eingetragen. Ausgehend von der Ersatz-
schaltung (→ Bild 4.33), lässt sich das zugehörige Zeigerdiagramm ableiten
(→ Bild 4.34).
4.4.7 Vereinfachtes Zeigerdiagramm

des Starkstromtransformators
Eine besondere Vereinfachung der Ersatzschaltung nach Bild 4.33 tritt ein,
wenn man die Wirkung von L120
und RFe vernachlässigt und die beiden Wick-
lungswiderstände R1 und R2 zusammenfasst (→ Bild 4.35). Sie ergeben die
0
Wirkspannung:
U R = (R1 + R20 )I 1 (4.78)
Die Zusammenfassung der beiden Streuinduktivitäten Lσ 1 und Lσ 2 liefert die 0
Streuspannung:
U X = jω (Lσ 1 + Lσ0 2 )I 1 (4.79)
Kapp’sches Dreieck. Die Streuspannung liegt rechtwinklig zu I 1 und U R .

U R und U X ergeben zusammen mit der Kurzschlussspannung U K das Kurz-
schlussdreieck ABC, das Kapp’sche Dreieck (→ Bild 4.36).
Die Kurzschlussspannung ist diejenige Spannung, die man an einen se-

kundärseitig kurzgeschlossenen Transformator legen muss, damit dort der
Nennstrom fließt.
Bei Vernachlässigung des Magnetisierungsstromes lässt sich aber der auf das
Windungsverhältnis 1 : 1 reduzierte Transformator als eine einfache Reihen-
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schaltung aus ohmschem Widerstand (Wicklung) und induktivem Widerstand

(Streuinduktivitäten) auffassen (→ Bild 4.35).
UX
UK
UK U1
A C
UR
UR UX U2′
ϕ1
R1 + R2′ Lσ1 + Lσ′ 2 ϕ2
U1 U2′
0 I 1 = I 2′
Bild 4.35 Vereinfachte Bild 4.36 Zeigerdiagramm der vereinfachten
Ersatzschaltung des Ersatzschaltung von Bild 4.35
Starkstromtransformators
Für die Spannungsänderung ergibt sich mit I 1 = I20 und L12

0
= 0, ausgehend
von den Gln. (4.77) . . . (4.79)
∆U = U 1 − U 20 = U R + U X (4.80)
Zeigerdiagramm (→ Bild 4.36). Wird der Magnetisierungsstrom I0 vernach-

lässigt und I 20 um 180◦ gedreht, so fallen die Zeiger I 1 und I 20 zusammen,
wobei der Phasenwinkel ϕ 2 zwischen I 1 und U 20 von der Art der sekundären
Belastung abhängt. Im Kurzschlussfall fällt Punkt A des Dreiecks mit dem
Nullpunkt 0 des Diagrammes zusammen, woher auch die Bezeichnung „Kurz-
schlussdreieck“ stammt.
4.4.8 Kapp-Diagramm
Aus dem vereinfachten Zeigerdiagramm folgt das Kapp-Diagramm (→

Bild 4.37), das von einer fest vorgegebenen Klemmenspannung U1 ausgeht
und sich auf den feststehenden Stromzeiger I1 = I20 bezieht. Damit ist das
Kapp’sche Dreieck ABC in der Ebene fixiert. Je nach der Phasenlage von
ϕ 2 von U20 gegenüber I20 unterscheiden sich die Klemmenspannungen U1 und
U20 um den Differenzbetrag ∆U. Um diesen zu finden, werden Kreisbögen
mit dem Radius U1 um Punkt B (Lastkreis) und Punkt A (Leerlaufkreis)
geschlagen, sodass sich ergibt:
AE = BD = U1 AD = U20 DE = ∆U
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I1 = I 2′
B C
A I1 = I 2′
U 2′
+ϕ2
+ϕ2
D
Lastkreis ∆U
ϕ2 = 0
H
F E 4
∆U < 0 G ∆U > 0
∆U = 0
Leerlaufkreis Bild 4.37 Kapp-Diagramm
Aus dem Kapp-Diagramm kann unmittelbar die Spannungsänderung ∆U =

U1 −U20 gegenüber dem Leerlauf in Abhängigkeit vom Phasenwinkel ϕ 2 der
reduzierten Sekundärspannung U20 abgelesen werden.
Die wichtigsten Belastungsfälle sind in Tabelle 4.3 zusammengestellt.
Tabelle 4.3 Verhalten des Starkstromtransformators in Abhängigkeit von der

Belastungsart
Art der Belastung Punkt auf dem Phasenwinkel ϕ 2 von U20 Spannungsdifferenz
Lastkreis gegenüber I20 ∆U
Induktiv D ϕ2 > 0 ∆U > 0 (U1 > U20 )
Reine Wirklast F ϕ2 = 0 ∆U > 0 (U1 > U20 )
Kapazitiv G ϕ2 < 0 ∆U = 0 (U1 = U20 )
Stark kapazitiv H ϕ2 < 0 ∆U < 0 (U1 < U20 )
I Beachte: Bedingt durch die ohmschen und induktiven Spannungsabfälle in der

Wicklung ist die reduzierte Sekundärspannung U20 stets kleiner als die Primär-
spannung U1 . Bei sehr starker kapazitiver Belastung kann aber auch das Gegenteil
eintreten.
4.4.9 Verluste und Wirkungsgrad des Transformators
Die Verluste beim Transformator bestehen aus den Kupferverlusten in den

Wicklungen sowie den Eisenverlusten im Kern.
Da einerseits im Leerlauf die Stromaufnahme des Transformators sehr gering

ist, können die in der Wicklung verursachten Kupferverluste vernachlässigt
werden.
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Die Leistung im Leerlauf ist etwa gleich den Eisenverlusten:

P0 ≈ PFe (4.81)
Andererseits ist die Spannung beim Kurzschlussversuch so gering, dass die
Eisenverluste vernachlässigbar werden. Die Kurzschlussleistung beträgt:
PK ≈ PCu (4.82)
Der Wirkungsgrad ergibt sich damit aus der abgegebenen Leistung P bei
Vollast zu:
P
η = (4.83)
P + PFe + PCu
Er liegt für kleine Transformatoren bei 90 %, für große über 96 %.
Für die Berechnung der Kupferverluste kann auch vom Kurzschlusswider-
stand RK und dem Kurzschlussstrom IK ausgegangen werden:
PK
RK = 2
IK
Mit dem Primärstrom I1 bei Vollast ist dann:

PK0 = I12 RK
4.4.10 Spartransformator
Der Spartransformator (Autotransformator) besitzt nur eine Wicklung.
Diese erhält wie die Primärspule eines normalen Transformators die Pri-
märspannung U1 . Die Sekundärspannung U2 wird zwischen der beliebigen
Anzapfung A und einer Außenklemme abgegriffen (→ Bild 4.38).
Ist die Primärspannung U1 größer als die Sekundärspannung U2 , so gilt bei
Nichtbeachtung der Verluste nach Gl. (4.67):
U1 N1 + N2
= (4.84)
U2 N2
Die Spannungsänderung (Differenzspannung) ∆U = U1 − U2 ergibt sich
analog zu Gl. (4.67) aus den Windungszahlen N1 und N2 der Wicklungsteile:
∆U N1
=
U2 N2
Der größte Teil der Primärwicklung kann auf diese Weise eingespart werden,
wenn U1 ≈ U2 . Von außen her fließt dem Wicklungsteil II nach dem Knoten-
punktsatz der Differenzstrom
I2 = ∆I = III − II
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4.5 Dreiphasenstrom 169
zu, während der Wicklungsteil I nur den Primärstrom II = I1 führt. Der Einspa-
rung von Wicklungsmaterial steht ein Nachteil gegenüber. Wenn z. B. infolge
Drahtbruchs der Wicklungsteil II ausfällt, liegt die volle Primärspannung an
den Sekundärklemmen. Daher gilt allgemein:
Der Spartransformator soll bei Spannungen über 250 V nur für Überset-
zungsverhältnisse U1 /U2 5 2 verwendet werden.
I1 Φ
I: N1
II 4
A I2
U1
I II U2
II: N 2
Bild 4.38 Spartransformator

4.5 Dreiphasenstrom
Bei Dreiphasenstrom handelt es sich um eine leistungssparende Verket-

tung dreier Wechselstromkreise.
4.5.1 Erzeugung des Dreiphasenstromes
Werden im Ständer eines Innenpolgenerators (→ Bild 4.39) drei um je 120◦

versetzte Wicklungen (1-1 0 , 2-2 0 , 3-3 0 ) untergebracht, so werden in diesen
ebenfalls drei um je 120◦ phasenverschobene Spannungen induziert. Jede
dieser drei Wicklungen bildet einen Strang (→ Bild 4.40). Sind die drei
Strangspannungen
U1 = UU1−U2 , U2 = UV1−V2 , U3 = UW1−W2 (4.85)
U1 = UXU U2 = UYV U3 = UZW
gleich groß und werden die drei Stränge gleichmäßig belastet, so liegt ein
symmetrisches Dreiphasensystem vor.
I Beachte: Bei ungleichmäßiger Belastung der drei Stränge wird das System un-
symmetrisch. Die rechnerische Behandlung erfordert dann spezielle Verfahren.
Vorteile des Dreiphasenstroms:
Einsparung von Leitungsmaterial durch Verkettung von Leitungen
(→ 4.5.2),
zwei unterschiedliche wahlweise Spannungen für den Verbraucher,
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einfachste Bauart der damit betriebenen Motoren.
Φ Φ
2 U1 L1
2 2
3′ 1 − 1′
N
U1
o
120 2 − 2′ U2
V1 L2
1 1′ U 2 V2
W2
S U3
3 − 3′
2′ 3
L3
W1
Bild 4.39 Entstehung des Bild 4.40 Offene Schaltung der
Dreiphasenstromes Wicklungen von Bild 4.39
4.5.2 Arten der Verkettung

4.5.2.1 Sternschaltung
Die Sternschaltung fasst die drei Rückleiter der drei Wechselstromkreise

in einem gemeinsamen Mittelleiter zusammen.
Um die drei Stränge mit dem Verbraucher zu verbinden, wären an sich sechs
Leitungen notwendig. Davon können jedoch zwei eingespart werden, wenn
die drei Ausgänge U2 , V2 , W2 zum Sternpunktleiter im Sternpunkt N (→ Bild
4.41) verkettet werden.
U L12 , U L23 , U L31 Leiterspannungen zwischen zwei Hauptleitern,
I1, I2, I3 Strangströme,
I L1 , I L2 , I L3 , Leiterströme,
I0 Sternpunktleiterstrom.
Beziehungen:
Leiterstrom = Strangstrom.
Die (geometrische) Summe der drei Strangströme I 1 , I 2 , I 3 ist gleich null.
Zeigerdiagramm (→ Bild 4.42). Die Stromzeiger I 1 , I 2 , I 3 sind den Span-

nungszeigern U L1 , U L2 , U L3 proportional. Die Resultierende zweier Zeiger ist
entgegengesetzt und gleich dem dritten Zeiger.
Liniendiagramm (→ Bild 4.43). Die Summe der Augenblickswerte i1 , i2 , i3
und u1 , u2 , u3 ist zu jedem Zeitpunkt gleich null.
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I L1 −U L3
U1 L1 U L13
U L1 U L12 IM
I1 N 120o
U L2 I L2 U L1 U L2
U2, V2, W2 = N L2
I2 V1 U L23
I3 U L31 −U L1
U L23 U L3
U L12
U L3 I L3
W1 L3 −U L2
Bild 4.41 Sternschaltung Bild 4.42 Zeigerdiagramm der
Sternschaltung 4
u i1, u1 i2 , u2 i3, u3
t Bild 4.43 Augenblickswert von

Strom und Spannung beim
Dreiphasenstrom
I Beachte: Der Sternpunktleiter N wird auch Nullleiter genannt. Nur bei sym-
metrischer Belastung ist er stromlos. Bei asymmetrischer Belastung fließt ein
Ausgleichsstrom, und die Spannung bleibt unabhängig von den Nachbarphasen
(nahezu) konstant. Lichtnetze führen daher stets einen Nullleiter.
√
Leiterspannung = Strangspannung · 3.
√
UL = UStr 3 (4.86)
I Beweis (→ Bild 4.42): Nach dem Kosinussatz gilt z. B. für das aus den Strang-
spannungen gebildete gleichseitige Dreieck
q √
2 + U 2 − 2U U cos 120◦ = U
UL12 = UL1 L2 L1 L2 L2 3.
4.5.2.2 Dreieckschaltung
Die Dreieckschaltung reduziert die sechs Einzelleiter der drei Wechsel-

stromkreise auf drei Leiter.
Die drei Stränge werden nach Bild 4.44 zu einem Dreieck verbunden.
Bezeichnung:
U L12 , U L23 , U L31 Leiterspannungen I L1 , I L2 , I L3 Leiterströme
U 1, U 2, U 3 Strangspannungen I1, I2, I3 Strangströme
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Beziehungen:
Leiterspannung = Strangspannung.
√
Leiterstrom = Strangstrom · 3.
−I 3
U1 I L1
L1 I L1
W2
U1 I1
I1 U2 I L2 I2
I3 L2
V1 U 2 −I L3 −I 1
U3 I3
I 2 U L23 I L2
W1 L3
V2 I L3 −I 2
Bild 4.44 Dreieckschaltung Bild 4.45 Zeigerdiagramm der
Dreieckschaltung
I Beweis (→ Bild 4.45): Für jeden Eckpunkt gilt der Knotenpunktsatz, z. B.

I L2 + I 1 = I 2 oder I L2 = I 2 − I 1
(doppelte Höhe im gleichseitigen Dreieck).
4.5.3 Leistung des Drehstromes
In jedem der drei Stränge wird nach Gl. (3.37) die Wirkleistung P = UI cos ϕ
umgesetzt. Daher ist die Gesamtleistung bei symmetrischer Belastung gleich
der Summe der drei abgegebenen Strangwirkleistungen 1) :
P = 3UI cos ϕ (4.87)
I, U Strangstrom und -spannung

Da am Verbrauchsort eine der beiden Stranggrößen nicht direkt gemessen
werden kann, sondern stattdessen
√ nur die Leitergröße, gilt sowohl für die
Sternschaltung
√ mit U = UL 3 als auch für die Dreieckschaltung mit I =
IL 3:
√
P = UL IL 3 cos ϕ (4.88)
UL Netzspannung zwischen zwei Außenleitern

IL Netzstrom im Außenleiter
1)
Bei unsymmetrischer Belastung sind die Strangwirkleistungen unterschiedlich und daher
einzeln zu erfassen (P = P1 + P2 + P3 ).
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4.5.4 Drehstromtransformator
4.5.4.1 Aufbau
Grundsätzlich kann Drehstrom durch drei getrennte, in geeigneter Weise
zusammengeschaltete Einphasentransformatoren (Transformatorenbank) um-
gespannt werden. Praktikabler als dieses nur in Ausnahmefällen eingesetzte
Verfahren ist ein einziger, aus drei Schenkeln bestehender Transformator
(Dreischenkeltransformator).
Der übliche Drehstromtransformator enthält drei Kerne eines gemeinsa- 4

men magnetischen Kreises, welche jeweils eine Ober- und eine Unterspan-
nungswicklung für jede der drei Phasen tragen.
Wie dies auch bei den Strömen der Fall ist, ergibt bei symmetrischer Belastung
die Summe der magnetischen Flüsse in jedem Augenblick null. Bei Anschluss
einphasiger Verbraucher an das Versorgungsnetz kann diese Symmetrie je-
doch stark gestört werden. Es kommt zu magnetischen Nebenschlüssen über
dem Luftraum und den äußeren Konstruktionsteilen aus Eisen, was erhebliche
Verluste zur Folge haben kann. Um diese zu verhindern, wird auf der Unter-
spannungsseite häufig die Zickzackschaltung angewendet (→ Bild 4.46):
Zickzackwicklung: Verteilung der Unterspannungswicklung eines Stran-

ges auf zwei Schenkel, wobei die auf einem Schenkel befindlichen beiden
Hälften entgegengesetzten Wicklungssinn haben, sodass sich deren magne-
tische Flüsse kompensieren.
U L1 −U L2
2 L2
UL1 U L1
− 2 −U OL2
U2 2 U1
L1 U 0L3 U L3 150o
L3
V2 V1 2
L2 −U L3 U L2
2 2
W2 W1 U 0L1 U L3
L3 U L2 −U L1
U L3
2
2 N L1
Bild 4.46 Zickzackschaltung Bild 4.47 Zeigerdiagramm der
Zickzackschaltung
Zeigerdiagramm der Zickzackschaltung (→ Bild 4.47). Die Oberspannung

UL1 induziert in der auf dem gleichen Schenkel befindlichen Hälfte der Unter-
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Tafel 4.1 Wichtige Schaltgruppen von Drehstromtransformatoren

Schalt- Zeigerbild Schaltgruppe Über-
gruppe Ober- Unter- Ober- Unter- setzung
spannungs- spannungs- spannungs- spannungs-
Wicklung Wicklung Wicklung Wicklung
V V U VW U VW
N1
Yy0
N2
U W U W
V U VW
U 2N
Yz5 √ 1
U W W V 3N2
U VW
U VW U VW
V V 2N1
Dz0
U W
U W 3N2
U VW
V U
N
Dy5 W √ 1
U W V 3N2
U VW
V U U VW √
W 3N1
Yd5
U W N2
V U VW
spannungswicklung die in Gegenphase liegende Spannung −UL1 /2, während

in der anderen Hälfte die Spannung UL3 /2 induziert wird, die wegen des
entgegengesetzten Wicklungssinnes mit UL3 in gleicher √ Phase liegt. Beide
Teilspannungen addieren sich zur Spannung U0L1 = 3UL3 /2, die gegenüber
der Oberspannung UL1 um 150◦ nacheilt. Bei gleichen Windungszahlen√ N1 =
N2 entspricht das Übersetzungsverhältnis nicht 1 : 1, sondern N1 : 3N2 /2 (→
Tafel 4.1).
4.5.4.2 Schaltungsarten
Die Wicklungen des Drehstromtransformators können sowohl im Dreieck

als auch im Stern und auf beiden Seiten unterschiedlich geschaltet werden.
Zum Beispiel kann ein Dreileiter-Drehstrom am Ort des Verbrauchers mit
einem Dreieck-Stern-Transformator in einen Vierleiter-Drehstrom umgewan-
delt werden, sodass zwei verschiedene Spannungen zur Verfügung stehen (→
Tabelle 4.4).
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4.6 Inversion komplexer Wechselgrößen 175
Die Kennzahl gibt die Phasenverschiebung der Oberspannung gegenüber der

Unterspannung in Vielfachen von 30◦ an. Die gebräuchlichsten Schaltgruppen
sind in Tafel 4.1 angegeben.
Tabelle 4.4 Kennzeichnung der Schaltgruppen von Drehstromtransformatoren
Oberspannungs- Unterspannungs- Kennzahl
Wicklung Wicklung
Sternschaltung Y y 0...6
Dreieckschaltung D d
Zickzackschaltung Z z
4
Anwendungen:
Yy0 für kleinere Verteilungstrafos bei geringer Belastung des sekundär-
seitigen Sternpunktes,
Yz5 desgl. bei starker Belastung des sekundärseitigen Sternpunktes,
Dz0 desgl. für Anschluss an ein Dreileitersystem,
Dy5 für große Verteilungstrafos bei starker Belastung des sekundärseiti-
gen Sternpunktes,
Yd5 für Haupttransformatoren großer Kraftwerke, die nicht zur Vertei-

lung dienen.
Technisch möglich sind auch alle anderen Kombinationen.
4.6 Inversion komplexer Wechselgrößen
4.6.1 Inversion eines einzelnen Zeigers
Viele Vorgänge in Wechselstromkreisen, wie das Verhalten von Schaltungen

bei veränderlicher Frequenz oder variablen Widerständen, lassen sich mithilfe
von Ortskurven darstellen. Eine wichtige Rolle spielt dabei die Inversion:
Inversion bedeutet die grafische Konstruktion des Kehrwertes einer kom-

plexen Größe.
Liegt z. B. die komplexe Größe Z = a + jb vor, so beträgt ihr Kehrwert

1 1 a − jb
Y= = = 2 . Der Zeiger hat den negativen Phasenwinkel und
Z a + jb a + b2
einen anderen Betrag und liegt unterhalb der reellen Achse. Dementsprechend
erfolgt die Inversion in zwei Schritten:
Spiegelung des gegebenen Zeigers an einem Kreis, dessen Mittelpunkt im
Ursprung der komplexen Ebene liegt,
nachfolgende Spiegelung an der reellen Achse.
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Konstruktion (→ Bild 4.48)

Man zeichne einen Kreis (Inversionskreis) vom Radius r und ziehe vom
Endpunkt des zu spiegelnden Zeigers Z aus die Tangenten an den Kreis.
Die Verbindungslinie der Berührungspunkte T1 und T2 schneidet die Strecke
OP = |Z| im Punkt P 0 . OP 0 entspricht dem Betrag des invertierten Zeigers
|Y ∗ | = 1/ |Z|.
P
Im
T1 Z
P′
r
Y∗
ϕ lY
O −ϕ T2 Re
Inversions-
Y
kreis
1 cm
Bild 4.48 Inversion des Zeigers Z
I Beweis: Da die Tangente PT1 rechtwinklig auf dem Berührungsradius r steht, ist
das Dreieck OT1 P rechtwinklig. Der Kathetensatz der Geometrie ergibt dann:
r 2 = OP · OP 0 (4.89)
Wenn der Radius des Inversionskreises r = 1 (Einheitskreis) gewählt wird, ergibt
sich:
1
OP 0 =
OP
Der erhaltene Zeiger |Y ∗ | = OP 0 ist noch an der reellen Achse zu spiegeln,

da er zu dem gesuchten Zeiger Y = 1/Z konjungiert komplex ist. Hierzu
wird der Zeiger Y ∗ mit gleicher Länge, jedoch unter dem Winkel −ϕ an
der reellen Achse angetragen.
Sonderfälle: Wenn der zu invertierende Zeiger |Z| < r ist, d. h. OP innerhalb des
Inversionskreises liegt, erfolgt die Konstruktion in umgekehrter Weise. Es wird
vom Punkt P 0 ausgegangen, wobei sich dann OP > r ergibt.
Wenn |Z| = r ist, gilt:
Ein auf dem Inversionskreis liegender Punkt geht bei der Spiegelung am
Inversionskreis in sich selbst über.
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4.6.2 Wahl des Maßstabs
Der Maßstab kennzeichnet die Länge der darzustellenden Ausgangsgröße.
Damit die invertierte Größe in der Zeichnung gut ablesbar ist, wird ein der
Zeichnung angepasster Maßstab MZ für die Ausgangsgröße Z festgelegt, die
dann mit der Länge lZ erscheint, z. B.
lZ 1 cm
MZ = = ˆ aΩ
d. h. 1 cm = (4.90)
Z aΩ
Der Radius r des Inversionskreises wird so gewählt, dass er der Größenord- 4
nung von |Z| entspricht. Dann erscheint die Größe Y mit der Länge lY und hat
z. B. den Maßstab
lY 1 cm
MY = = d. h. 1 cm =
ˆ b S (Siemens) (4.91)
Y bS
Der Maßstab MY kann nicht frei gewählt werden, er errechnet sich aus:
r2
MY = (4.92)
MZ
4.6.3 Inversion von Punkten, Geraden und Kreisen
Die grafische Kehrwertsbildung durch Inversion lässt sich in vorteilhafter

Weise auf ganze Kurven anwenden.
4.6.3.1 Punkt
Die in 4.6.1 behandelte Invertierung einer komplexen Zahl kann auch als
Invertierung des Endpunktes des diese komplexe Zahl darstellenden Zeigers
aufgefasst werden.
4.6.3.2 Geraden, durch den Nullpunkt laufend

Da die Gerade aus unendlich vielen aufeinander folgenden Punkten besteht,
gilt:
Die Inversion einer durch den Nullpunkt laufenden Geraden liefert eine zur
reellen Achse spiegelbildlich liegende Gerade.
Die den Teilpunkten 1 . . . 5 auf Bild 4.49 entsprechenden inversen Teilpunkte

sind nach der in 4.6.1 gegebenen Anleitung zu konstruieren.
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4.6.3.3 Geraden, parallel zu einer Achse und

nicht durch den Nullpunkt laufend
Die Inversion einer nicht durch den Nullpunkt, aber achsenparallel laufen-
den Geraden ist ein den Nullpunkt tangierender Kreis, dessen Durchmesser
mit der anderen Achse zusammenfällt.
5
Im 4 g Im
3 P
2
1 P′
.
O Re D .
O
5′ A Re
4′
3′ Q
2′ g
g′ Inversions-
1′ kreis
Bild 4.49 Inversion einer Geraden Bild 4.50 Inversion einer nicht durch den
durch den Nullpunkt Nullpunkt verlaufenden Geraden
I Beweis (→ Bild 4.50): Ein beliebiger Punkt P auf der zu invertierenden Geraden
g liefert den am Inversionskreis gespiegelten Punkt P 0 . Nach Konstruktion ist
Dreieck OP 0 D rechtwinklig und ähnlich dem Dreieck OPA, sodass
OP 0 OA
= oder OD · OA = OP 0 · OP
OD OP
ist. Nach Gl. (4.87) gilt OP 0 · OP = r 2 , sodass
r 2 = OD · OA
ist, unabhängig von der Lage des Punktes P auf der Geraden. Da alle Dreiecke
über OD bei P 0 rechtwinklig sind, müssen ihre Spitzen auf dem durch OD
verlaufenden Halbkreis (Thales-Kreis) liegen. Entsprechendes gilt auch für die
unterhalb der reellen Achse liegende Halbgerade.
I Beachte: Um den zu Punkt P 0 inversen Punkt Q zu finden, muss P 0 noch an der
reellen Achse gespiegelt werden.
Den auf der Geraden im 1. Quadranten liegenden Punkten sind die Punkte
zugeordnet, die auf dem inversen Kreis im 4. Quadranten liegen.
Wenn OA = lA Abstand der Geraden vom Nullpunkt,

OD = lD Durchmesser des inversen Kreises,
lautet die letzte Beziehung:
r 2 = lA lD (4.93)
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Konstruktion des zur Geraden inversen Kreises

Fall mit r < OA (→ Bild 4.51):
Über dem Nullpunktabstand lA schlägt man einen Halbkreis, der den Inver-
sionskreis im Punkt C schneidet. Das von C auf die reelle Achse gefällte Lot
schneidet diese im Punkt D. OD = lD ist nach Gl. (4.92) der Durchmesser
des inversen Kreises (Kathetensatz).
Fall mit r > OA (→ Bild 4.52):
Da der Radius des Inversionskreises beliebig wählbar ist, kann der Fall
eintreten, dass die zu invertierende Gerade vom Inversionskreis geschnitten

wird. Dann trägt man OC im Schnittpunkt C einen rechten Winkel an,
der die Achse in D schneidet. OD = lD ist der Durchmesser des inversen
4
Kreises.
Inversions- Inversions-
kreis kreis g
g r > OA C
r < OA .
r
lD D A lA A D
O O
r
C
lA lD
Bild 4.51 Konstruktion des Bild 4.52 Konstruktion des

Inversionskreises bei r < OA Inversionskreises bei r > OA
Da die von der Geraden zum Kreis führende Konstruktion umkehrbar ist, gilt:
Die Inversion eines durch den Nullpunkt laufenden Kreises ergibt eine
nicht durch den Nullpunkt laufende Gerade.
4.6.3.4 Geraden, nicht achsenparallel und

nicht durch den Nullpunkt laufend
Die Inversion einer beliebig orientierten Geraden ergibt einen durch den
Nullpunkt laufenden Kreis, dessen Durchmesser auf der an der reellen
Achse gespiegelten Geraden senkrecht steht.

Zeichnen der gegebenen Geraden g mit dem Abstand lA vom Nullpunkt
und den gegebenen Teilpunkten 1, 2, . . ., die den Zeigern Z 1 , Z 2 , . . . ent-
sprechen,
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Spiegelung der Strecke lA und der Geraden g an der reellen Achse,

Zeichnen des Inversionskreises und Inversion des Abstandes lA , womit der
Durchmesser des inversen Kreises lD gefunden ist.
Die Strahlen nach den Teilpunkten 1 0 , 2 0 , . . . der gespiegelten Geraden g∗
schneiden den inversen Kreis in den Endpunkten der invertierten Zeiger
Y 1, Y 2, . . .
Im Inversions-
kreis
0
1
lA 2
Z2 3
g
O
3 Re
g∗
Z ∗2 2
3′
2′
1′
0′ lD Bild 4.53 Inversion einer nicht
achsenparallelen und nicht durch den
1
0 Nullpunkt laufenden Geraden
4.6.3.5 Kreis, nicht durch den Nullpunkt laufend
Die Inversion eines nicht durch den Nullpunkt laufenden Kreises ergibt
wieder einen Kreis, der nicht durch den Nullpunkt läuft, aber einen anderen
Radius hat und dessen Durchmesser spiegelbildlich zu dem des Ausgangs-
kreises liegt.
Da ein Kreis durch drei Punkte seines Umfanges festgelegt ist, sind drei Punk-
te des an der reellen Achse gespiegelten Ausgangskreises am Inversionskreis
zu spiegeln.

Die Spiegelung des Ausgangskreises mit dem Mittelpunkt M0 an der reellen
Achse ergibt den neuen Mittelpunkt M0∗ .
Die Schnittpunkte P und Q des gespiegelten Kreises mit dem Inversions-
kreis gehen in sich selbst über (→ 4.6.1).
Die Spiegelung des Endpunktes des Kreisdurchmessers P1 am Inversions-
kreis ergibt den dritten Punkt P10 .
Die Mittelsenkrechte auf PP10 oder QP10 schneidet den Durchmesser des
gespiegelten Kreises im Mittelpunkt M00 des gesuchten inversen Kreises.
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4.7 Ortskurven 181
Im gespiegelter Kreis
P
P1
Inversions-
M0′
kreis M0∗
P1′
O Re
Q inverser Kreis
M0
Bild 4.54 Inversion eines 4

Ausgangskreis Kreises
4.7 Ortskurven
Ortskurven dienen der Darstellung von Betrag und Phase komplexer

Wechselgrößen bei veränderlichen Bedingungen im Stromkreis.
4.7.1 Definition
Eine Ortskurve in der komplexen Zahlenebene ist der geometrische Ort

der Endpunkte eines im Anfangspunkt festgehaltenen Widerstands- oder
Leitwertzeigers, wenn sich der Wert eines einzelnen Schaltelementes oder
die Frequenz der Schaltung ändert.
Anhand von Ortskurven können Eigenschaften und Betriebsverhalten von

Schaltungen übersichtlich dargestellt werden. Insbesondere lassen sich durch
Inversion von Ortskurven aus den Widerständen leicht die entsprechenden
Leitwerte (und umgekehrt) gewinnen und auch die Eigenschaften komplizier-
ter Schaltungen auf grafischem Weg ermitteln.
4.7.2 Maßstäbe und Maßteilungen
Da in vielen Fällen der Charakter der inversen Ortskurve (Gerade oder Kreis)
leicht erkennbar ist, kann auf das Zeichnen des Inversionskreises verzichtet
werden. Der Radius des Inversionskreises ist nur noch eine Rechengröße, die
den Zusammenhang zwischen den Maßstäben MZ und MY gemäß Gl. (4.91)
r 2 = MZ MY
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sowie zwischen dem Nullpunktabstand lA einer geradlinigen Ortskurve und

dem Durchmesser lD des dazu inversen Kreises gemäß Gl. (4.93)
r 2 = lA lD
herstellt. Diese beiden Gleichungen ergeben zusammengefasst:
lA lD = MZ MY (4.94)
Die Maßstäbe zweier zueinander inverser Ortskurven lassen sich somit

ineinander umrechnen:
lA lD
MY = (4.95)
MZ
Die Teilung einer gezeichneten Ortskurve erfolgt durch:
direkte Angabe der verwendeten Einheiten, z. B. Ω, S usw.,
Angabe eines Parameters p, der die einfache Zahlenreihe p = 0,1,2, . . .
durchläuft.
4.7.3 Ortskurven von Grundschaltungen
4.7.3.1 L in Reihe mit veränderlichem R

Es sei die Aufgabe gestellt, die Ortskurven der Widerstände und der Leitwerte
der Schaltung von Bild 4.55 zu zeichnen. Wenn sich der Wert des Widerstan-
des R stetig verändert, bewegt sich der Endpunkt des Zeigers Z auf der im
Abstand XL zur reellen Achse parallel laufenden Orstkurve, in diesem Fall
auch Widerstandsgerade genannt. Da die Leitwerte Y den Widerständen Z
reziprok sind, liegen sie auf der dazu inversen Ortskurve, die nach 4.6.3.3 ein
Halbkreis ist, der durch den Nullpunkt verläuft und dessen Durchmesser mit
der negativen imaginären Achse zusammenfällt (→ Tafel 4.2, Nr. 1).
L R Bild 4.55 Reihenschaltung aus L und stetig
veränderlichem R
Konstruktion (→ Bilder 4.56, 4.57)

Zeichnen der Widerstandsgeraden g und Teilung nach Maßstab MZ ,
Zeichnen der inversen Ortskurve (Halbkreis) mit zweckmäßig gewähltem
Durchmesser lD , der ein deutliches Ablesen der Leitwerte erlaubt; hiernach
Berechnung des Maßstabes MY nach Gl. (4.94),
Spiegelung derjenigen Zeiger Z an der reellen Achse, deren Leitwerte Y
besonders interessieren.
Die Schnittpunkte dieser Strahlen mit dem Halbkreis liefern die gesuchten
Leitwerte.
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4.7 Ortskurven 183
I Beachte: Die umständliche Spiegelung der Zeiger Z kann erspart werden, wenn
die Widerstandsgerade von vornherein spiegelbildlich zur reellen Achse gezeich-
net wird. In dieser Weise vereinfacht sich Bild 4.56 zu Bild 4.57.
Im
p =1 2 3 4
Z2 g
Z1
lA Z3
R in Ω Im
0 30 60 90 120 0
Y3 Re Re 4
3′ Z 1∗ 3′ Z ∗ lA
3
Y2 p= 1 2 3 4
lD Y1 2′ lD
2′ g
1 cm
1 cm
1′ 1′
Bild 4.56 Ortskurve zur Bild 4.57 Vereinfachte Konstruktion von

Reihenschaltung von Bild 4.55 Bild 4.56
4.7.3.2 R und L in Reihe bei variabler Frequenz
Der induktive Widerstand jXL ist veränderlich. Die Ortskurve des komplexen
Widerstandes ergibt eine Parallele zur imaginären Achse im Abstand R = lA .
Die zugeordnete Ortskurve der Leitwerte entspricht einem Halbkreis im 4.
Quadranten (→ Tafel 4.2, Nr. 2).
I Beachte: Bei einem Durchmesser des Leitwertkreises von lD = lA wird wegen
lA = R der Durchmesser lD = 1/R = G, und der Maßstab ergibt sich zu MY =
l 2 /MZ .
Teilung der Ortskurven. Unter Zugrundelegung des Maßstabes MZ können

die Teilpunkte der Widerstandgeraden auch mit den zugehörigen Frequenzen
f oder den Kreisfrequenzen beziffert werden. Diese bilden sich dann als
entsprechende Punktfolge auf der inversen Ortskurve ab.
Beispiel: R = 100 Ω, L = 50 mH, f = 0 . . . 300 Hz. In Bild 4.58 ist die Wider-
standsgerade gespiegelt gezeichnet. Ferner beträgt lA = lD = 5 cm mit dem Maß-
stab MZ = 1 cm/(20 Ω) und MY = lA lD /MZ = 25 cm2 · 20 Ω/cm = 1 cm/(2 mS).
Für z. B. Y 200 , d. i. der Leitwert der Schaltung bei f = 200 Hz, werden die
Komponenten lYr = 3,6 cm und lYi = 2,25 cm abgelesen.
Y 200 = (7,2 − j4,5) mS
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i i
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Tafel 4.2 Ortskurven von Grundschaltungen

Ortskurve der Ortskurve der
Schaltung
Widerstände Leitwerte
Im
Im
1 y Re
R L + j XL Z − jBL
Re
Im 1
2 Im
Z R
R L y Re
R Re
Im
3 Im R y
R C Re
Z 1 Re
R
Im X L > X C Im f
XC > X L
4 f 1
Z 0 f0
R f = 0...∞ C R
R f0 Re ∞ y Re
XC > X L X L > XC
5 Im Im 1
R
Z R
y Re
L
R Re
6 Im Im
R R Re y
C Z 1 Re
R
7 Im f
R X L > XC Im y f
R f0
f = 0...∞ 0
∞ X C > X L Re 1 f0 Re
C Z R
i i
i i
i i
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i i
4.7 Ortskurven 185
Im
lA = lD
R=100 Ω
G =10 mS
0
Y 100 Re
20
− j X L in Ω Y 200 f in Hz
100
40 Y 300
Z 200
60
Z 300
200 4
80
1 cm
100 300
Bild 4.58 Ortskurve zur Reihenschaltung von R und L bei veränderlicher Frequenz
4.7.3.3 Reihenresonanz bei veränderlicher Frequenz

Der Ausdruck für den komplexen Widerstand nach Gl. (4.18)

1
Z = R + j ωL − (4.96)
ωC
ergibt eine Widerstandgerade parallel zur imaginären Achse im Abstand des

Resonanzwiderstandes R = lA (→ Bild 4.59). Mit ω = 0 beginnt sie bei −∞
und endet mit ω = ∞ bei +∞. Die Frequenzteilung auf der Geraden ist
jedoch nicht linear. Die Ortskurve der Leitwerte bildet einen geschlossenen
Kreis. Der Resonanzfall tritt ein, wenn die imaginäre Komponente gleich 0
ist, was nach Gl. (4.21) bei
1
ωr = √
LC
der Fall ist. Da eine Teilung der Widerstandsgeraden nur für vorgegebene
Werte von R, L und C und nur punktweise vorgenommen werden kann,
gibt die folgende allgemein gültige normierte Darstellung (→ 4.2.2.4) einen
schnelleren Überblick.
4.7.3.4 Normierte Darstellung der Reihenresonanz
Durch Bezug komplexer Wechselgröße auf den Wirkwiderstand oder den

Leitwert in der Ortskurve entsteht eine normierte Darstellung.
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“tbel” — 2017/8/28 — 0:50 — page 186 — #189
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Mit den nach Gln. (4.24), (4.27) eingeführten Größen Gütefaktor Q und
Verstimmung ν lautet der relative komplexe Widerstand (dargestellt durch
die Punkte der Widerstandsgeraden im Abstand lA = 1 von der imaginären
Achse):
Z
= 1 + jν Q (4.97)
R
Der relative komplexe Leitwert Y /G wird durch die Punkte auf dem inversen
Kreis dargestellt. R stellt dabei den Resonanzwiderstand und G den Resonanz-

leitwert dar. Mit diesen aus den Ortskurven gewonnenen relativen Werten Z/R
und Y /G lassen sich die Resonanzkurven konstruieren (→ Bild 4.60).
Im
jvQ
3
5 1,0
Z
R 2
4 0,8
Z Y
Z Y
1 3 R G 0,6
lD = 5 cm R G
2 0,4
lA =1 Re
−1 1 0,2
3′
Y −2 1 cm
2′ −3 −2 −1 0 1 2 3
G 1′
−3 Qv
Bild 4.59 Ortskurven bei Bild 4.60 Aus Bild 4.59 übertragene
Reihenresonanz Resonanzkurven
Beispiel (→ Bild 4.59): Der Resonanzwiderstand sei R = 10 Ω, die Kreisgüte

Q = 50. Welchen Betrag haben komplexer Widerstand Z und Leitwert Y für eine
Frequenz, die um 3 % größer als die Resonanzfrequenz ist?
Für MD = 1 cm sowie lA = 1 cm und lD = 5 cm ergibt sich MY = lA lD /MZ = 5 cm.
Weitere Schritte: Zeichnen der Widerstandsgeraden und Teilung in Einheiten von
ν Q sowie des inversen Kreises der Leitwerte; Einzeichnen der gewünschten Strah-
len; Verstimmung ν = 1,03 f / fr − fr /(1,03 f ) = 1,03 − 0,97 = 0,06; ν Q = 3; aus
der Widerstandsgeraden abgelesen |Z/R| = 3,16 cm und aus dem Leitwertkreis
|Y /G| = 1,6 cm; hieraus die wahren Werte 3,16/MZ = 3,16 und 1,6/MY = 0,32.
Absolute Werte: |Z| = R · 3,16 = 31,6 Ω
|Y | = G · 0,32 = 0,032 S.
Das gleiche Ergebnis kann der aus der Ortskurve von Bild 4.59 übertragenen
Resonanzkurvendarstellung entnommen werden (→ Bild 4.60).
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“tbel” — 2017/8/28 — 0:50 — page 187 — #190
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4.7 Ortskurven 187
4.7.3.5 R und L parallel bei variabler Frequenz
Bei Parallelschaltungen ist von der Ortskurve der Leitwerte auszugehen. Der
grundsätzliche Verlauf geht aus Tafel 4.2, Nr. 6 hervor. Gemäß der Gleichung
1
Y = G − jBC = + jω C (4.98)
R
verläuft die Leitwertgerade parallel zur imaginären Achse im Abstand 1/R in
der positiven Halbebene, kann aber wegen der einfacheren Konstruktion auch
in die negative Halbebene gelegt werden. Die Inversion dieser Leitwertgera-

den ergibt (→ Tafel 4.2, Nr. 6) den zugeordneten Halbkreis der Widerstände
Z.
4
Beispiel (→ Bild 4.61): R = 50 Ω, C = 2 µF, Frequenzbereich f = 1 . . . 5 kHz.
Die Leitwertgerade ist im Bild 4.61 gespiegelt im Abstand lA = 2 cm mit dem
Maßstab MY = 1 cm/(10 mS) eingetragen. Die Ortskurve der Widerstände er-
scheint als Halbkreis mit dem frei gewählten Radius lD = 5 cm, was den Maß-
stab MZ = lA lD /MY = 1 cm/(10 Ω) liefert. Die außerhalb des interessierenden
Frequenzbereiches liegenden Teile der Ortskurven sind punktiert angedeutet.
Im
lD = R
1
lA =
R
Blindleitwert in mS
Y1 Re
Y5 1
5 Z1
4 2 1
3 1 cm
3
40
f in Hz
4
Bild 4.61 Ortskurve zur
60 Z5 5 Parallelschaltung von R und C
bei veränderlicher Frequenz
4.7.4 Ortskurven gemischter Schaltungen
Ortskurven gemischter Schaltungen enthalten die komplexen Ersatzgrö-

ßen der zugrunde liegenden Parallel- und Reihenschaltungen.
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4.7.4.1 Addition eines konstanten Widerstandes
Liegt eine Schaltung nach Bild 4.62 vor, so liegen die Leitwerte Y des aus R1
und XL bestehenden Parallelgliedes bei veränderlicher Induktivität auf einer
Geraden. Die Inversion dieser Geraden ergibt für den Scheinwiderstand des
Parallelgliedes einen Halbkreis. Nun müsste an jeden Punkt dieser Ortskurve
noch ein konstanter Zeiger Z 2 angefügt werden. Es genügt aber, die Ortskur-
ven als Ganzes in Richtung des zu addierenden Zeigers Z 2 zu verschieben.
Konstruktiv einfacher ist es, den Nullpunkt des Diagramms längs der reellen
Achse um R2 zu verschieben (→ Bild 4.63, Tafel 4.3).
Die Addition eines konstanten Reihenwiderstandes zu einer gegebenen

Ortskurve erfordert eine Parallelverschiebung des Nullpunktes der Orts-
kurve in entgegengesetzter Richtung des zu addierenden Zeigers.
Leitwert
Im
150 L in mH
200
Nullpunkt- Z 300
Z 500
verschiebung Z 150 300
Widerstand
500
R1 1 cm
Z2 ∞
XL 0′ R2 0 lA Re
Bild 4.62 Addition eines Bild 4.63 Ortskurve zur Reihenschaltung nach Bild
Widerstandes Z 2 4.62
Beispiel (→ Bild 4.63): R2 = 50 Ω in Reihe mit einer Parallelschaltung aus R1 =

100 Ω und L = 150 . . . 500 mH bei f = 50 Hz nach Bild 4.62.
Die Lösung erfordert folgende Einzelschritte:
1. Zeichnen der Leitwertgeraden des Parallelgliedes R1 kL,
2. Konstruktion des Halbkreises für dessen komplexen Widerstand,
3. Verschieben des Nullpunktes 0 nach 0 0 um die Strecke R2 nach links.
4. Die Strahlen von 0 0 zu den Punkten des Halbkreises sind die Zeiger Z des
komplexen Gesamtwiderstandes.
Gewählt wurden der Abstand der Leiterwertgeraden vom Nullpunkt 0 mit lA =

2 cm und der Maßstab MY = 1 cm/(5 mS) sowie lD = 5 cm; hieraus folgt MZ =
1 cm/(20 Ω). Die Nullpunktverschiebung und das Eintragen der Zeiger Z sind aus
Bild 4.62 zu ersehen.
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“tbel” — 2017/8/28 — 0:50 — page 189 — #192
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4.7 Ortskurven 189
4.7.4.2 Nullpunktverschiebung der Ortskurve

einer gemischten Schaltung
Als weitere Anwendung der Nullpunktverschiebung sei die Ortskurve der

Ströme für die Schaltung nach Bild 4.64 konstruiert, wobei der Widerstand
R2 mit dem Parameter p = R2 /X2 = 0 . . . 2 veränderlich sein soll.
Durch den unteren Zweig fließt der Strom
U U 1 − jU
I2 = · (4.99)
= =
pR2 + jX2 X2 pR2 R2
+j X2 1 − jp
X2 X2
während der durch den oberen Zweig fließende Strom I 1 vorläufig noch nicht
4
beachtet wird.
Tafel 4.3 Verschiebung des Nullpunktes von 0 nach 0 0 bei Addition
eines komplexen Widerstandes
Widerstand Z
Z 0
Z2
0′ Z 2 0 0′
Z 2 = j XL
Z2 = R
Z
0′ 0
Z2 Z Z2
0 Z =− j X
2 L
0′ Z 2 = R+ j XL
Zunächst ist erkennbar, dass der Nenner des Bruches eine parallel zur reellen
Achse verlaufende Gerade und der Bruch selbst einen Halbkreis (→ Tafel 4.2,
Nr. 1) darstellt, der durch den Nullpunkt verläuft. Der Kreisdurchmesser kann
aus zwei Betriebszuständen ermittelt werden:
Leerlauf : Der untere Zweig wird als unterbrochen angenommen.
R2 = p = ∞ und I 2 = 0
Kurzschluss: R2 wird kurzgeschlossen, und dabei ergibt sich für R2 =
p = 0,
sodass I 2 = − jU/X2 ist.
Damit kann der Halbkreis nach Festlegung eines bestimmten Maßstabes
gezeichnet werden (→ Bild 4.65). Die Widerstandsgerade wird zweckmä-
ßigerweise durch den Kreismittelpunkt gezogen und so geteilt, dass p = 0
im Kreismittelpunkt und p = 1 im Schnittpunkt mit dem Kreisumfang liegt.
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Daraus folgen in linearer Reihenfolge die anderen Teilpunkte 0,2 . . . 2,0. Die
auf dem Halbkreis endenden I 2 -Zeiger ergeben sich aus der Verbindungsge-
raden dieser Teilpunkte mit dem Nullpunkt. Da der Gesamtstrom I durch die
Schaltung gleich der Summe
I = I1 + I2
ist, muss noch der konstante Strom I 1 addiert werden. Dies geschieht durch
Verschiebung des Nullpunktes 0 in entgegengesetzter Richtung des Zeigers
U U(R1 − jX1 )
I1 = = (4.100)
R1 + jX1 R21 + X12
wobei der neue Nullpunkt 0 0 entsteht.
Im
0 U
∞ Re
2,0
I 2 1,6
U 1,2
I 1 R1 X1 X2
0 0,4 0,8 1,2 1,6

0,8 p
I
I2 X2 0 0,4
R2
Bild 4.64 Gemischte Schaltung bei Bild 4.65 Ortskurve des Zweigstromes I 2
veränderlichem Widerstand R2 in der Schaltung nach Bild 4.64
I Beachte (→ Bild 4.66): Es ist in diesem Fall günstig, das Diagramm um 90◦
zu drehen und die Fußpunkte des Halbkreises als Leerlaufpunkt LP bzw. Kurz-
schlusspunkt KP zu bezeichnen.
Die Zeiger des Gesamtstroms I gehen vom neuen Nullpunkt 0 0 aus und
führen bis zum interessierenden Parameterteilpunkt auf dem Halbkreis.
1 0,8
1,6 1,2
Re 2,0 0,4
I I2
LP
KP Bild 4.66 Ortskurve des
I1 0 U
0′ Gesamtstromes I in der
Im Schaltung nach Bild 4.64
4.7.5 Konstruktion von Ortskurven mittels Wertetabelle

Anstelle der geometrischen Ableitung von Ortskurven lässt sich deren Verlauf
auch rechnerisch darstellen. Dies ist besonders dann von Vorteil, wenn die
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4.7 Ortskurven 191
Schaltung aus mehreren parallelen Zweigen mit komplexen Widerständen

bei veränderlichen Frequenzen aufgebaut ist. Hier besteht gleichzeitig die
Aufgabe, mehrere Ortskurven zu summieren.

formelmäßige Darstellung der komplexen Leitwerte Y n der einzelnen Zwei-
ge der Schaltung,
Aufstellen von Wertetabellen für Y n als Funktion von der Frequenz, ge-
trennt nach Real- und Imaginärteil,
getrennte Summation der Real- und Imaginärteile, 4
Verbindung der erhaltenen Endpunkte der resultierenden Ortskurven Y und
damit zum Gesamtleitwert der Schaltung.
Im 140 200
Y2
80
0,02 Y 1,140
Y 2,140 400
50
200 300
Y 140 140
0,01 400
100 500
Y
Leitwert in S
80
0,01 0,03 0,04 ∞ 0,05
0 50 10 0 Re
40 30 20
10 Leitwert in S
−0,01
140 Y1 R1 L
20
80
50 30 R2 C
−0,02
Bild 4.67 Summe zweier Ortskurven
Beispiel: Bild 4.67 liegen folgende Zahlenwerte zugrunde:

R1 = 30 Ω, R2 = 20 Ω; L = 100 mH; C = 50 µF; f = 0 . . . ∞ Hz.
1 1 30 j 0,2π f
Y1 = = = 2 −
Z1 30 + j 0,2π f 30 + (0,2π f )2 302 + (0,2π f )2
1
1 1 20 0,0001π f
Y2 = =
j
= 2 + j 2
Z2 1 1
20 − 202 + 202 +
0,0001π f 0,0001π f 0,0001π f
Tabelle 4.5 zeigt die numerischen Ergebnisse in einer Wertetabelle.
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Um den komplexen Leitwert Z ∗ der Schaltung zu erhalten, ist die Y -Kurve

von Bild 4.67 nochmals zu invertieren. Mit
1 1 a b
Z∗ = = = 2 −j 2
Y a + jb a + b2 a + b2
und den Werten von Tabelle 4.5 ergeben sich die in Tabelle 4.6 zusammen-
gestellten Komponenten von Z ∗ und daraus abgeleitet die Darstellung der
Ortskurve von Z ∗ (→ Bild 4.68).
Tabelle 4.5 Berechnung des Real- und Imaginärteils des komplexen

Leitwertes Y
f in Hz Y 1 in S Y 2 in S Y in S
Re Im Re Im Re Im
0 0,0333 0 0 0 0,0333 0
60 0,0129 0,0162 0,0062 0,0165 0,0192 0,0003
100 0,0062 0,0130 0,0142 0,0225 0,0203 0,0096
200 0,0018 0,0075 0,0306 0,0244 0,0324 0,0168
Tabelle 4.6 Berechnung des Real- und Imaginärteils des

konjungiert komplexen Widerstandes Z ∗

f in Hz Z ∗ in Ω f in Hz Z ∗ in Ω
Re Im Re Im
0 30,03 0 100 40,28 18,94
60 51,74 0,70 200 24,37 12,66
Im
Wider- Y
Widerstand in Ω
30 stand in
Ω Z∗
Leitwert in S
0,01 20
10
10 30 40 50 60 70 80 90
0
0,01 0,03 0,04 0,05 Re
−10
Leitwert in S
Bild 4.68 Punktweise Konstruktion einer Ortskurve durch Inversion
Wesentlich einfacher lässt sich die Konstruktion von Ortskurven über ein
Matlab-Programm realisieren. Für die in Bild 4.67 gezeigte Summe zweier
Ortskurven wird im Anhang ein entsprechendes Programm vorgelegt.
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“tbel” — 2017/8/28 — 0:50 — page 193 — #196
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5 Signale und Systeme
5.1 Signale
5.1.1 Begriffsbestimmung und Übersicht

Ein Signal ist die Darstellung einer Information durch physikalische Grö-
ßen.
Als Träger der Information dienen z. B. elektrische Größen (Spannung, Strom- 5

stärke), optische Größen (Lichtstrom) oder auch pneumatische und hydrau-
lische Größen (Druck). Wenn es zur theoretischen Verallgemeinerung nütz-
lich ist, wird die mathematische Beschreibung eines Vorganges auch ohne
physikalischen Bezug als Signal bezeichnet (Elementarsignale, Testsignale).
Die physikalischen Übertragungssysteme (z. B. Telekommunikationsnetze)
haben zum Ziel, Informationen (z. B. Nachrichten für den Menschen) mög-
lichst unverfälscht vom Sendeort zum Empfangsort zu transportieren. Die
Signale sind demnach entweder Ein- oder Ausgangssignale von Systemen.
Insofern steht das Zusammenspiel „Signal → System → Signal“ im Mit-
telpunkt der Systemtheorie. Die theoretischen Signale liegen zunächst als
Zeitfunktionen vor (z. B. Sprungfunktion, Stoßfunktion). Zur Untersuchung
der Signalwirkungen auf die Systeme ist es zweckmäßig, Zeitfunktionen in
Frequenzfunktionen zu transformieren. Die Ausgangssignale werden wieder
als Zeitfunktionen erwartet, deswegen muss eine Rücktransformation aus dem
Frequenzbereich in den Zeitbereich erfolgen. Für diese Operationen werden
je nach Art der Signale verschiedene mathematische Methoden verwendet
(z. B. Fourier-Transformation, Laplace-Transformation, Z-Transformation).
Bild 5.1 zeigt eine Gliederung der Signale aus systemtheoretischer Sicht. Die
komplexe Rechnung wird aus den Grundlagen der Elektrotechnik als bekannt
vorausgesetzt.
5.1.2 Periodische Signale mit konstanter Amplitude
5.1.2.1 Merkmale
Periodendauer T . Zeitabschnitt der Signalwiederholung. Bei impulsförmigen
Signalen wird die Signalwiederholung auch als Puls bezeichnet.
f (t) = f (t + T ) (5.1)
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“tbel” — 2017/8/28 — 0:50 — page 194 — #197
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194 5 Signale und Systeme
Signalfrequenz (Pulsfrequenz) f . Anzahl der Perioden pro Zeiteinheit

1
f = (5.2)
T
Winkelfrequenz (Kreisfrequenz) ω
ω = 2π f (5.3)
Amplitude A. Periodisch wiederkehrender absoluter Extremwert des Signals

[z. B. größter Momentanwert der Spannung u (A = û)].

Signale
Determinierte Stochastische
Signale Signale
Wahrscheinlichkeits-
Zeit- Zeit- Rechnung
kontinuierlich diskret Korrelations-
Funktionen
Nicht-
Periodisch periodisch
Abtastsignale
Funktions-
Folgen
konst. Ampl.
expon. Ampl.
konst. Ampl.
Harmonisch/
Harmonisch/
Zweiseitig
begrenzt
Allgemein/
begrenzt
Einseitig
Z-Transformation
Diskrete Fourier-
Transformation
Laplace-Transformation
Fourier-Transformation
Fourier-Reihe
Erweiterte komplexe Rechnung
Komplexe Rechnung
Bild 5.1 Signale und mathematische Methoden
Signaldarstellung als Zeitfunktion f (t) oder Phasenwinkel-Funktion

f (ω t). Bei harmonischen Funktionen (Sinus; Kosinus) wird auch die
Darstellung f (ω t) verwendet. Zusammenhang:
t ϕ
= ϕ = ωt (5.4)
T 2π
Symmetrieeigenschaften. Gerade Funktionen verlaufen zur y-Achse sym-

metrisch (Beispiel: Dreieck-Signal im Bild 5.2a). Ungerade Funktionen ver-
laufen zur y-Achse antisymmetrisch (Beispiel: Rechteck-Signal im Bild 5.2b).
Bei der harmonischen Analyse werden gerade Funktionen durch Kosinuskom-
ponenten, ungerade durch Sinuskomponenten gebildet.
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“tbel” — 2017/8/28 — 0:50 — page 195 — #198
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5.1 Signale 195
Für gerade Funktionen fg (t) gilt:
fg (t) = fg (−t) (5.5a)
Für ungerade Funktionen fu (t) gilt:
fu (t) = − fu (−t) (5.5b)
Eine beliebige Funktion f (t) lässt sich in einen geraden und in einen ungera-
den Anteil zerlegen:
f (t) = fg (t) + fu (t) (5.6)
5.1.2.2 Fourier-Reihen 5
Allgemeine periodische Signale lassen sich in harmonische Funktionen (Si-
nus; Kosinus) zerlegen (Fourier-Analyse) bzw. aus Harmonischen aufbauen
(Fourier-Synthese). Die 1. Harmonische (Grundschwingung) hat die Grund-
frequenz ( f1 = 1/T ), die 2. H. (1. Oberschwingung) hat die doppelte Grund-
frequenz ( f2 = 2 f1 ), die 3. H. (2. Oberschwingung) die dreifache Grundfre-

quenz ( f3 = 3 f1 ), usw.
f (t) f (t)
A A
−T/2 T/2
−T 0 T t −T −T/2 0 T/2 T t
−A −A
a) b)
Bild 5.2 a) Gerade Funktion, b) ungerade Funktion
Zur mathematisch exakten Signalbeschreibung muss die Summe aus unend-

lich vielen Harmonischen gebildet werden (unendliche Reihe). Die Ampli-
tuden der Harmonischen nehmen jedoch mit wachsender Frequenz ab (die
Reihe konvergiert), sodass es in praktischen Anwendungsfällen ausreicht,
nur eine endliche Zahl von Harmonischen zu berücksichtigen. Bild 5.3 zeigt
die Synthese des Rechtecksignals (Mäander-Form) nach Bild 5.2b aus drei
Harmonischen ( f1 ; f3 ; f5 ). Man erkennt, dass der Kurvenverlauf noch sehr
ungenau ist. Bei Signalen mit geringerer Flankensteilheit (z. B. Dreiecksignal
nach Bild 5.2a) konvergieren die Reihen schneller, sodass mit drei Harmoni-
schen schon eine recht gute Annäherung erzielt wird (→ Bild 5.4).
Spektrum eines periodischen Signals. Linienhafte Darstellung der Am-

plituden über der Frequenz (Amplitudenspektrum) oder auch der Phasen-
winkel über der Frequenz (Phasenspektrum).
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“tbel” — 2017/8/28 — 0:50 — page 196 — #199
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0
x
−2
−4
−2π −1π 0 1π 2π
Bild 5.3 Fourier-Synthese eines Rechteckpulses aus drei Harmonischen
Damit lässt sich anschaulich darstellen, wie viele Harmonische erfasst wer-
den müssen, um eine Signalfunktion mit einer vorgegebenen Genauigkeit
beschreiben zu können. Bild 5.5 zeigt das Amplitudenspektrum zum Bild 5.2b.
10
0 x
−5
−10
−1,5π −1,0π −0,5π 0,0 0,5π 1,0π 1,5π

Bild 5.4 Fourier-Synthese eines Dreieckpulses aus drei Harmonischen
An 4
A= 3,14 V
f = 1 kHz
V
4/3
4/5 4/7
20 % 0 0 0 0 4/9
1 3 5 7 9 Bild 5.5 Amplitudenspektrum eines
kHz f Rechteckpulses (Mäander-Form)
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“tbel” — 2017/8/28 — 0:50 — page 197 — #200
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5.1 Signale 197
Reelle Normalform der Fourier-Reihe

∞
a0
f (t) = + ∑ [an cos(nω t) + bn sin(nω t)] (5.7)
2 n=1
Ein allgemein periodisches Signal f (t), das weder gerade noch ungerade
ist, lässt sich als unendliche Reihe aus Kosinus- und Sinusschwingungen
(Harmonische) darstellen. Die elementare Schreibweise von Gl. (5.7) lautet:
a0
f (t) = +a1 cos(ω t) + a2 cos(2ω t) + a3 cos(3ω t) + . . .
2 (5.8)
+b1 sin(ω t) + b2 sin(2ω t) + b3 sin(3ω t) + . . .
Berechnung der Fourier-Koeffizienten

5
Allgemein gelten die Gln. (5.9), (5.10) und (5.11). Für häufig vorkommende
Impulsformen können die Koeffizienten aus der Tafel 5.1 entnommen werden.
ZT
2
an = f (t) cos(nω t) dt; n = 1,2,3, . . . (5.9)
T
0
ZT
2
bn = f (t) sin(nω t) dt; n = 1,2,3, . . . (5.10)
T
0
Die Gleichkomponente a0 /2 ist der arithmetische Mittelwert über eine Signal-

periode T .
ZT
2
a0 = f (t) dt (5.11)
T
0
Tafel 5.1 Fourier-Reihen wichtiger Pulsformen

a) Rechteckpuls
(Umpolfunktion)
4A 1 1
f (t) = sin(ω t) + sin(3ω t) + sin(5ω t) + . . . (5.12)
π 3 5
f (t)
A
0 T/2 T t
−A
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“tbel” — 2017/8/28 — 0:50 — page 198 — #201
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Tafel 5.1 Fourier-Reihen wichtiger Pulsformen (Fortsetzung)

b) Rechteckpuls, getastet
Aϕ 2A sin(2ϕ ) sin(3ϕ )
f (t) = + sin(ϕ ) cos(ω t)+ cos(2ω t)+ cos(3ω t)+. . .
π π 2 3
(5.13)
ti ti
Hierin ist ϕ = π ; das Verhältnis wird als Tastgrad bezeichnet.
T T
f (t)
A
ti
0 T t
c) Dreieckpuls

8A 1 1
f (t) = 2 cos(ω t) + 2 cos(3ω t) + 2 cos(5ω t) + . . . (5.14)
π 3 5
f (t)
A
−T/2 T/2
0 T t
−A
d) Sägezahnpuls
2A 1 1
f (t) = − sin(ω t) + sin(2ω t) + sin(3ω t) + . . . (5.15)
π 2 3
f (t)
A
0 T/2 T t
−A
e) Sinushalbwellen
(Zweiweggleichrichtung)
2A 4A 1 1 1
f (t) = − cos(2ω t) + cos(4ω t) + cos(6ω t) + . . . (5.16)
π π 1·3 3·5 5·7
f (t)
A
−T/2 0 T/2 T t
f) Kosinushalbwellen
(Einweggleichrichtung)
A 2A π 1 1
f (t) = + cos(ω t) + cos(2ω t) − cos(4ω t) + − . . . (5.17)
π π 4 1·3 3·5
f (t)
A
0 T t
i i
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5.1 Signale 199
Das Amplitudenspektrum des getasteten Rechteckpulses (→ Tafel 5.1b) ergibt

sich aus Gl. (5.13). Die Amplitude der n-ten Harmonischen beträgt
2A sin(nϕ ) ti
An = · ϕ =π (5.18)
π n T
Im Bild 5.6 wurde An = f (n) für A = π/2 und ti /T = 0,5 aufgetragen.

Der Funktionsverlauf wird als Spaltfunktion bezeichnet. Für ganzzahlige n
(1 . . . 10) lassen sich die Amplituden (A1 ,A2 , . . . A10 ) der Harmonischen able-
sen. Die geradzahligen Harmonischen sind gleich null. Die ungeradzahligen
sind abwechselnd positiv und negativ. Bei schmaleren Impulsen (kleinere
Tastgrade) verläuft die Spaltfunktion „langsamer“, sodass mehr Harmonische
erforderlich sind, um den Puls mit entsprechender Genauigkeit darstellen zu
können.
5
2
An 1
-1
0 2 4 6 8 10 Bild 5.6 Amplitudenverteilung
n nach einer Spaltfunktion
Neben der reellen Normalform [→ Gl. (5.7)] werden noch zwei weitere
Formen der F-Reihe verwendet. Die Umrechnung erfolgt mit den Regeln der
komplexen Rechnung.
Reelle Kosinusform der Fourier-Reihe (Amplituden-Phasen-Form)
∞
a0
f (t) = + ∑ [An cos(nω t + ϕ n )] (5.19)
2 n=1
p
Die Amplitude: An = an2 + bn2 (5.20)

bn
Der Phasenwinkel: ϕ n = − arctan (5.21)
an
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Komplexe Normalform der Fourier-Reihe (Exponentialform)
+∞
f (t) = ∑ c n e jnω t (5.22)
−∞
In Gl. (5.22) ist c n die komplexe Amplitude.
ZT
1
cn = f (t) e− jnω t dt (5.23)
T
0
Zur Umrechnung zwischen den reellen Fourier-Koeffizienten [→ Gln. (5.9),

(5.10) und (5.11)] und der komplexen Amplitude dienen folgende Beziehun-
gen:
an − jbn an + jbn a0
cn = (5.24) c ∗n = (5.25) c0 = (5.26)
2 2 2
an = c n + c ∗n (5.27) bn = j(c n − c ∗n )(5.28) a0 = 2c0 (5.29)
Mit Einführung der komplexen Fourier-Reihe wird das Amplitudenspektrum

formal auf negative Frequenzen ausgedehnt. Jede Harmonische lässt sich als
Summe zweier Schwingungen darstellen. Die 1. Harmonische (n = ±1) folgt
z. B. aus Gl. (5.22) zu S1 = c 1 e jω t + c −1 e− jω t . Dieser Ausdruck lässt sich
wieder in die Amplituden-Phasen-Form [→ Gl. (5.19)] umrechnen:
A1 cos(ω t + ϕ 1 ) = c 1 e jω t + c −1 e− jω t (5.30)
Analog ergibt sich für die 2. Harmonische:
A2 cos(2ω t + ϕ 2 ) = c 2 e j2ω t + c −2 e− j2ω t (5.31)
5.1.3 Nichtperiodische Signale mit zweiseitiger Begrenzung
5.1.3.1 Merkmale
Als nichtperiodische Signale werden Impulse ohne Wiederholung (Ein-

zelimpulse) verstanden.
Aus einer Impulsfolge (Puls) entsteht mathematisch der Einzelimpuls, wenn

die Periodendauer unendlich groß wird. Aus einer periodischen Zeitfunktion
(Zeitfunktion und Signal sind hier Synonyme) entsteht durch den Grenzüber-
gang T → ∞ das zweiseitig begrenzte Signal (→ Bild 5.7).
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5.1 Signale 201
f (t) f (t)
A A
ti T →∞
Bild 5.7 Entstehung des
0 T t t 0 ti t Rechteckimpulses aus der
− i 2 2 Impulsfolge
5.1.3.2 Fourier-Transformation
Der Grenzübergang T → ∞ führt von der Fourier-Reihe zum Fourier-Integral

[→ Gl. (5.33)]. Ausgangspunkt ist die komplexe Amplitude c n [→ Gl. (5.23)].
Zur Grenzwertbildung wird das Produkt c n T gebildet. Der Grenzwert wird
auch als komplexe Amplitudendichte (Spektraldichte) F( jω ) bezeichnet.
lim (c n T ) = F( jω ) (5.32) 5
T →∞
2π
Außerdem wird ω = → ∆ ω ; nω → n∆ ω = ω .
T
+∞
Z
F( jω ) = f (t) e− jω t dt (5.33)
−∞
Aus der komplexen Normalform der Fourier-Reihe [→ Gl. (5.22)] entsteht die
Umkehrformel der Fourier-Transformation [→ Gl. (5.34)].
+∞
Z
1
f (t) = F( jω ) e jω t d ω (5.34)
2π
−∞
I Beachte: Statt jω wird auch f verwendet. Gl. (5.34) ändert sich dann wie folgt:
+∞
Z
f (t) = F( f ) e j2π f t d f (5.35)
−∞
Die Fourier-Transformation ermöglicht die Umrechnung einer Zeitfunk-

tion f (t) in den Frequenzbereich (Ergebnis: Frequenzspektrum eines Sig-
nals).
Abgekürzt schreibt man:
F( jω ) = F { f (t)} oder f (t) F( jω )
Die inverse Fourier-Transformation ermöglicht die Umrechnung einer

Frequenzfunktion F( jω ) in den Zeitbereich (Ergebnis: Signalfunktion).
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f (t) = F −1 { f (t)} oder F( jω ) f (t)

Als hinreichende Bedingung für die Existenz des Fourier-Integrals (Gl. (5.33))
gilt: Die Zeitfunktion muss stetig oder stückweise stetig und absolut integrier-
bar sein.
+∞
Z
| f (t)| dt < +∞ (5.36)
−∞
Einige Vereinfachungsregeln für reelle Zeitfunktionen

Bei geraden Funktionen fg (t) wird aus Gl. (5.33):
Z∞
F( jω ) = Fg (ω ) = 2 fg (t) cos(ω t) dt (5.37)
0
Bei ungeraden Funktionen fu (t) gilt:

Z∞
F( jω ) = Fu (ω ) = −2 j fu (t) sin(ω t) dt (5.38)
0
Einige Korrespondenzen der Fourier-Transformation (→ Tafel 5.2)

Beispiel: Der Rechteckimpuls nach Bild 5.7 mit der Amplitude A = 1 hat die
Zeitfunktion  
 ti 
 1; |t| <  t
f (t) = fg (t) = 2 = rect . (5.39)
 0; |t| > ti 
  ti
2
Zur Berechnung des Frequenzspektrums wird Gl. (5.37) verwendet. Es ergibt sich:
ti /2
Z ωt
2 i
F( jω ) = Fg (ω ) = 2 1 · cos(ω t) dt = sin . Mit ω = 2π f wird
ω 2
0
sin(πti f )
Fg ( f ) = ti = ti si(πti f ) (5.40)
πti f
Bild 5.8 zeigt die Darstellung des Freqenzspektrums nach Gl. (5.40). Zur besseren
Übersicht wurde die Frequenzfunktion mit der Variablen (ti f ) verwendet.
I Erkenntnis: Eine nichtperiodische Zeitfunktion (Einzelimpuls) hat ein kontinuier-
liches Frequenzspektrum, in dem lückenlos alle Frequenzkomponenten enthalten
sind. Die Amplitudendichte F( f ) hat jedoch für alle Frequenzen eine andere
Größe (Verteilung nach einer Spaltfunktion). Für f = 0 ist F( f ) am größten.
Für f = n/ti ; n = 1, 2, 3, . . . ist F( f ) = 0. Zur Erinnerung: Die periodische
Zeitfunktion (z. B. Rechteck-Impulsfolge) hat ein diskontinuierliches Spektrum
(→ Bild 5.6), in dem nur Frequenzkomponenten (Harmonische) mit ganzzahliger
Ordnung n vorkommen.
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5.1 Signale 203
F(ti f )
A ti
0,3
A=1
0,2
t i = π1
0,1
0,0
ti f
−0,1
Bild 5.8 Frequenzspektrum
−6 −4 −2 0 2 4 6 des Rechteckimpulses 5
Sätze der Fourier-Transformation
Additionssatz
Die Fourier-Transformierte einer Summe ergibt sich aus der Summe der
F-Transformierten der Summanden.
k1 f1 (t) + k2 f2 (t) k1 F1 ( jω ) + k2 F2 ( jω ) (5.41)

f1 (t) F1 ( jω )
f2 (t) F2 ( jω )
Ähnlichkeitssatz
Zeitdauer eines Impulses und Bandbreite seines Spektrums stehen im rezi-
proken Verhältnis.

1 jω
f (k · t) = ·F (5.42)
|k| k
Bedeutung für die Telekommunikation: Je kürzer ein Sendeimpuls ist, desto

größer muss die Bandbreite des Übertragungskanals sein, um den Impuls
unverfälscht empfangen zu können.
Der schmalere Rechteckimpuls (k = 3) hat z. B. ein breiteres Spektrum als
der breitere (k = 1), → Bild 5.9.
Verschiebungssatz: Eine Zeitverzögerung um t0 bewirkt eine proportionale

Phasendrehung des Spektrums.
f (t − t0 ) F( jω ) · e− jω t0 (5.43)
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Tafel 5.2 Einige Korrespondenzen der Fourier-Transformation (A = 1)
Signal (Zeitfunktion) f (t) Spektrum (Frequenzfunktion) F( f )

1. Impuls-Distribution (Dirac-Stoß) 1. Konstante
δ (t) 1
1
δ(t )
0 t f
2. Rechteck-Impuls 2. Spaltfunktion
rect(t/ti ) ti si(πti f )
1 ti
t 0 ti
− 2i 2 1/ ti
3. Dreieck-Impuls 3. Quadrat der Spaltfunktion

∆(t/ti ) ti si2 (πti f )
1 ti
−ti 0 ti
1/ t i
4. Gauß-Impuls 4. Gauß-Funktion
exp(−πt 2 ) exp(−π f 2 )
1 1
0,6 0,6
−0,4 0 0,4 t −0,4 0 0,4 f

5. Konstante Gleichgröße 5. Dirac-Distribution
1 δ (f)
1
δ( f )
0 t 0 f
Folgerung aus dem Verschiebungssatz: Die Amplitude einer Kosinusschwin-

gung der Frequenz f0 (Träger) wird mit einer Funktion f (t) moduliert. Das
Spektrum der Amplitudenmodulation weist zwei Seitenbänder mit einer sym-
metrischen Frequenzverschiebung f0 auf (→ Bild 5.10).
1
f (t) · cos(ω 0t) {F[ j(ω − ω 0 )] + F[ j(ω + ω 0 )]} (5.44)
2
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5.1 Signale 205
F( f )
0,3
k =3
0,2
k =1
0,1
0,0
f
Bild 5.9 Spektren von Rechteck-

−0,1
impulsen mit unterschiedlicher
−6 −4 −2 0 2 4 6 Impulsdauer
f (t ) 5
t −f0 0 f0 f
Bild 5.10 Spektrum eines amplitudenmodulierten Signals
Faltungssatz: Die Faltung (Symbol: ∗) zweier Zeitfunktionen wird durch Gl.

(5.45) ausgedrückt.
+∞
Z
f1 (t) ∗ f2 (t) = f1 (τ ) · f2 (t − τ ) d τ (5.45)
−∞
Die Anwendung der Fourier-Transformation auf das Faltungsprodukt führt

zur Multiplikation der Frequenzfunktionen:
f1 (t) ∗ f2 (t) F1 ( jω ) · F2 ( jω ) (5.46)
I Hinweis: Der Faltungssatz kann auch auf Frequenzfunktionen angewandt werden.
5.1.4 Nichtperiodische Signale mit einseitiger Begrenzung
5.1.4.1 Merkmale
Zur Berechnung von Einschaltvorgängen werden kausale Signale angenom-

men, die auf der negativen Zeitachse gleich null sind. Der Einschaltmoment
wird dabei mit t = 0 gekennzeichnet. Ein typisches Testsignal ist die Sprung-
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funktion bzw. der Einheitssprung u(t) nach Bild 5.11. Damit wird z. B. das
Einschalten einer Gleichspannung von 1 V (A = 1) gekennzeichnet.

1; t = 0
u(t) =
0; t < 0
u (t )
1
0 t Bild 5.11 Einheitssprung (unit step)
5.1.4.2 Laplace-Transformation
Die (einseitige) Laplace-Transformation ist mit der (zweiseitigen) Fourier-

Transformation verwandt. Sie eignet sich besonders für die Berechnung von
Einschaltvorgängen. Um das Lösen von Differenzialgleichungen zu vermei-
den, transformiert man die Zeitfunktionen in den Frequenzbereich und rechnet

elementar mit der komplexen Rechnung weiter. Mit der Rücktransformation
in den Zeitbereich ergeben sich dann die Zeitfunktionen des Einschaltvorgan-
ges. Die Anwendung der Laplace-Transformation wird, ähnlich wie bei der
Fourier-Transformation, durch Rechenregeln (Sätze und Korrespondenzen)
erleichtert.
Die komplexe Frequenz. Während die Fourier-Transformation mit der ima-
ginären Frequenz jω rechnet [→ Gl. (5.33)], verwendet die Laplace-Trans-
formation eine komplexe Frequenz s (in manchen Darstellungen auch mit p
bezeichnet).
s = σ + jω (5.47)
Aus den Gln. (5.33) und (5.34) wird:
Z∞
F(s) = f (t) e−st dt (5.48)
0
σZ
+ j∞
1
f (t) = F(s) est ds (5.49)
2π j
σ − j∞
Die Laplace-Transformation ermöglicht die Abbildung einer Zeitfunk-

tion f (t) in den Frequenzbereich.
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5.1 Signale 207
Tabelle 5.1 Einige Korrespondenzen der Laplace-Transformation
Nr. Originalfunktion f (t) Bildfunktion F(s)

1 Dirac-Stoß
1
δ (t)
2 Einheitssprung 1
u(t) s
3 Geradlinig steigende Funktion 1

t s2
4 Steigende Exponentialfunktion 1
eα t s−α
5 Fallende Exponentialfunktion
e−α t
1
5
s+α
6 Potenzfunktion
t n−1 1
; n>0 sn
(n − 1)!
6a Potenzfunktion (n = 3)
t2 1
2 s3
7 Produkt aus Nr. 5 und 6
t n−1 1
eα t (s − α )n
(n − 1)!
7a Funktion Nr. 7 (n = 2) 1
t eα t (s − α )2
8 Exponentialfunktion α
1 − e− α t s(s + α )
9 Exponentialfunktion α
eα t − 1 s(s − α )
10 Sinusfunktion ω
sin ω t s2 + ω 2
11 Kosinusfunktion s
cos ω t s2 + ω 2
12 Hyperbel-Sinusfunktion α
sinh α t s2 − α 2
13 Hyperbel-Kosinusfunktion s
cosh α t s2 − α 2
14 Gedämpfte Kosinusfunktion s+δ
e−δ t cos ω t (s + δ )2 + ω 2
15 Gedämpfte Sinusfunktion ω
e−δ t sin ω t (s + δ )2 + ω 2
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F(s) = L { f (t)} oder f (t) F(s)
Die inverse Laplace-Transformation ermöglicht die Rückformung einer

Frequenzfunktion in den Zeitbereich.

f (t) = L −1 {F(s)} oder F(s) f (t)
Sätze der Laplace-Transformation

Es gelten sinngemäß die gleichen Sätze wie bei der Fourier-Transformation.
In den Gln. (5.41), (5.42), (5.43) und (5.46) ist dazu jω durch die komplexe
Frequenz s zu ersetzen. Weitere Sätze sind:
Differenziationssatz
Der 1. Ableitung einer Zeitfunktion entspricht im Bildbereich die Multi-

plikation mit dem komplexen Frequenzparameter s.
d
f (t) sF(s) − f (0) (5.50)
dt
Integrationssatz
Dem bestimmten Integral einer Zeitfunktion entspricht im Bildbereich

die Division durch den komplexen Frequenzparameter s.
Zt
1
f (τ ) d τ F(s) (5.51)
s
0
5.2 Systeme
5.2.1 Begriffsbestimmung
Unter einem System wird hier ein mathematisches Modell zur Beschrei-
bung des Übertragungsverhaltens von elektrischen Netzwerken verstanden.
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5.2 Systeme 209
Dazu werden die Relationen zwischen Ein- und Ausgangssignalen betrachtet.

Aus der Beobachtung der Systemreaktionen auf bestimmte Eingangssignale
(Testsignale) wird auf die Merkmale der Systeme geschlossen.
Allgemeine Systemeigenschaften: Kausalität, Linearität, Stabilität, Zeitinva-

rianz und Realisierbarkeit.
Lineare Systeme (Netzwerke aus linearen Bauelementen, z. B. R, L, C). Es

gilt der Superpositionssatz (Überlagerungssatz).

Nichtlineare Systeme (Netzwerke mit nichtlinearen Bauelementen, z. B.
Dioden, Transistoren). Eine angenähert lineare Beschreibung ist für kleine
Amplituden möglich (Kleinsignaltheorie).
Kausale Systeme (reale Netzwerke). Die Ausgangssignale treten entweder 5
zeitgleich mit den Eingangssignalen (unverzögert) oder später als die Ein-
gangssignale (verzögert) auf.
Ideale Systeme (ideale Netzwerke). Die Kausalität wird bei der Idealisierung
nicht vorausgesetzt (z. B. ideale Filter, ideale Verstärker).
Lineare, zeitinvariante Systeme (LTI: Linear Time Invariant). Lineare Sys-

teme mit zeitlich konstanten Parametern. Die Systemreaktionen sind unab-
hängig vom Zeitpunkt der Systemerregung.
5.2.2 Lineare, zeitinvariante Systeme (LTI-Systeme)
5.2.2.1 Systemreaktionen (Impulsantwort, Sprungantwort)
Die Impulsantwort h(t) ist die Systemreaktion auf eine Stoßfunktion

(Dirac-Stoß) am Eingang.
Messtechnisch kann der Dirac-Stoß durch einen kurzen Nadelimpuls ange-

nähert werden. LTI-Systeme reagieren auf eine Zeitverschiebung τ > 0 des
Dirac-Stoßes nur mit einer Verschiebung der Impulsantwort um den gleichen
Zeitbetrag τ .
Die Sprungantwort g(t) ist die Systemreaktion auf eine Sprungfunktion

u(t) (Einheitssprung).
Da die Sprungfunktion durch das (speicherfreie) Einschalten einer Gleich-

spannung angenähert werden kann, hat die Untersuchung der Sprungantwort
die größere Praxisrelevanz. Zwischen g(t) und h(t) bestehen die Zusammen-
hänge:
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d
h(t) = g(t) (5.52)
dt
τ =t
Z
g(t) = h(τ ) d τ (5.53)
−∞
5.2.2.2 Berechnung von Einschaltvorgängen

mit der Laplace-Transformation
Im Zeitbereich (Originalbereich) sind die Signalfunktionen über den Faltungs-

satz [→ Gl. (5.45)] mit der Impulsantwort h(t) verknüpft.
f2 (t) = h(t) ∗ f1 (t) (5.54)
Transformiert man die Zeitfunktionen in den Frequenzbereich (Bildbereich),

so reduziert sich die Faltung auf eine Multiplikation der Frequenzfunktionen.
Dabei ist G(s) die komplexe Übertragungsfunktion des Netzwerkes [→ Gl.

(5.55)]. Bild 5.12 fasst diese Betrachtung zusammen.
F2 (s) = G(s) · F1 (s) (5.55)
F1 (s) F2 (s)
G(s)
f 1 (t) f 2 (t) Bild 5.12 Transformation

h(t) zwischen Zeitbereich und
Frequenzbereich
Beispiel: CR-Differenzierglied (→ Bild 5.13). Berechnung von Sprungantwort

g(t) und Impulsantwort h(t). Rechenweg:
1. Komplexe Übertragungsfunktion G(s) mit Spannungsteilerregel bilden. Dazu
ist jω = s zu setzen.
2. Bildfunktion der Sprungfunktion u(t) einsetzen (→ Korrespondenz Nr. 2, Ta-
belle 5.1).
3. Gleichung so umformen, dass eine der aufgelisteten Korrespondenzen anwend-
bar ist. Hier ist Nr. 5 geeignet.
1 R 1 1
F2 (s) = · = = (5.56)
s 1 1 s+α
R+ s+
sC CR
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5.2 Systeme 211
4. Rücktransformation in den Zeitbereich mit einer Korrespondenz (hier Nr. 5).

t
g(t) = f2 (t) = e−α t = exp − (5.57)
CR
5. Bildung der 1. Ableitung nach Gl. (5.52). Formal ist noch δ (t) zu ergänzen.

1 1
h(t) = δ (t) − exp − (5.58)
CR CR
g(t)
a) u(t ) 1
1
exp(−t / τ )
0 t u2(t) 0 t
C 1
u 1(t) 5
b) 1 1/e exp(−t / τ )
u 1(t) R u2(t)
0 ti τ t
0 ti t
h(t)
c) δ(t ) δ(t )
0 t
0 t −(1 / τ )exp(−t / τ )
Bild 5.13 CR-Glied a) Sprungantwort, b) Systemantwort auf Rechteckimpuls
der Dauer ti , c) Impulsantwort auf Dirac-Stoß
5.2.2.3 Allgemeine Form der komplexen Übertragungsfunktion
Ein Übertragungssystem, im einfachsten Fall eine Schaltung mit zwei Eingän-

gen und zwei Ausgängen (Vierpol = Zweitor), wird im Frequenzbereich durch
die Übertragungsfunktion mit komplexen Argument G(s) beschrieben.
Wie bereits im Bild 5.12 dargestellt, ist G(s) das Verhältnis der Frequenz-
funktionen von Ausgangs- und Eingangssignal. Allgemein lässt sich G(s) als
gebrochen rationale Funktion schreiben.
F2 (s) u2 (s) a0 + a1 s + a2 s2 + · · · + am sm
G(s) = = = (5.59)
F1 (s) u1 (s) b0 + b1 s + b2 s2 + . . . + bn sn
Beispiel: CR-Glied nach Bild 5.13. Im komplexen Ansatz wird formal jω = s
gesetzt.
R R
G(s) = G( jω ) = = ;
1 1
R+ R+
jω C sC
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Die weitere Umformung ergibt dann:

a1 s
G(s) = ; a1 = b1 = τ = CR (5.60)
1 + b1 s
5.2.2.4 Pol-Nullstellen-Plan
Der PN-Plan ermöglicht eine anschauliche Charakterisierung der LTI-
Systeme. Zähler und Nenner von Gl. (5.59) lassen sich in Linearfaktoren
zerlegen.
am (s − s01 )(s − s02 ) · · · (s − s0m )

G(s) = · (5.61)
bn (s − sX1 )(s − sX2 ) · · · (s − sXn )
s0 sind die Nullstellen, sX die Polstellen von G(s); am /bn ist ein Maßstabs-
faktor. Die Nullstellen ergeben sich aus der Nullsetzung des Zählers, die Pol-
stellen aus der Nullsetzung des Nenners der komplexen Übertragungsfunktion
G(s).
Beispiel: CR-Glied nach Bild 5.13. Es gilt Gl. (5.60). Nullstelle: Aus a1 s = 0 folgt
1 1
s01 = 0. Polstelle: Aus 1+b1 s = 0 folgt sX1 = − = − . Eine Nullstelle liegt im

b1 τ
Koordinatenursprung der komplexen Ebene und eine Polstelle auf der negativen
reellen Achse. Dies ist charakteristisch für einen Hochpass 1. Ordnung.
Allgemeine Merkmale von zeitkontinuierlichen LTI-Systemen

(→ Bild 5.14)
Stabile Systeme haben ihre Pole ausschließlich in der linken Halbebene der
komplexen Ebene innerhalb des Einheitskreises.
Instabile Systeme haben auch Pole in der rechten Halbebene.
jω jω jω
j1
−1
σ σ σ
−j1
a) b) c)
jω jω jω
σ σ −1/ τ σ
d) e) f)
Bild 5.14 PN-Pläne: a) stabiles System, b) instabiles System, c) Allpass 1. O.,
d) Allpass 2. O., e) Minimalphasen-S., f) Beispiel für HP 1.O. (CR-Glied)
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5.2 Systeme 213
Minimalphasensysteme haben keine Nullstellen in der rechten Halbebene.

Allpässe haben spiegelbildliche Pol-Nullstellen-Paare (Pole in der linken,
Nullstellen in der rechten Halbebene).
Allpasshaltige Systeme haben Pole in der linken und Nullstellen in der
rechten Halbebene, die nicht spiegelbildlich sind (eine Zerlegung in einen
Allpass und ein Minimalphasensystem ist möglich).
5.2.2.5 Amplituden- und Phasen-Frequenzgang
Die komplexe Übertragungsfunktion kann in Polarkoordinaten-Darstellung

(Betrag und Phase) geschrieben werden. Dazu wird s = jω gesetzt:
G( jω ) = |G( jω )| · exp[ j arcG( jω )] (5.62) 5
Der Amplituden-Frequenzgang |G( jω )| ist der Betrag der komplexen
Übertragungsfunktion in Abhängigkeit von der Frequenz.
Ausgehend von Gl. (5.61) kann geschrieben werden:

m
∏ |( jω − sO)| am
1
|G( jω )| = H · n ; H= (5.63)
bn
∏ |( jω − sX)|
1
Mit Gl. (5.63) kann |G( jω )| aus dem PN-Plan heraus konstruiert werden. Für
das CR-Glied (HP) nach Bild 5.13 ergibt sich folgerichtig
jω − 0
G( jω ) =
1
jω +
τ
und somit
ω
|G( jω )| = r ; τ = CR (5.64)
1
ω2 +
τ2
1
Bei der Grenzfrequenz fg = ω g /(2π) ist |G( jω )| = √ . Aus Gl. (5.64) folgt
2
1 1
ω g = ; fg = (5.65)
τ 2πCR
Der Phasen-Frequenzgang ist der Phasenwinkelverlauf ϕ (ω ) = arcG( jω )

der komplexen Übertragungsfunktion in Abhängigkeit von der Frequenz.
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ϕ (ω ) wird über die komplexe Rechnung bestimmt ohne den Zusammenhang

zum PN-Plan zu betrachten. Für das CR-Glied nach Bild 5.13 ergibt sich aus
R jω τ
dem Ansatz G( jω ) = = :
1 1 + jω τ
R+
jω C
π
ϕ (ω ) = ϕ Z (ω ) − ϕ N (ω ) = − arctan(ω τ ) (5.66)
2
Das logarithmische Übertragungsmaß g(ω ) resultiert aus dem Ansatz

g(ω )
G( jω ) = 10− 20 : Die Darstellung in der komplexen Normalform ergibt
g(ω ) = a(ω ) + jb(ω ) (5.67)
Das Dämpfungsmaß a(ω ) wird in der Pseudoeinheit Dezibel (dB) angege-

ben:
a(ω ) = −20 lg |G( jω )| (5.68)
Das Phasenmaß b(ω ) wird in Radiant (rad) angegeben:
b(ω ) = −arcG( jω ) = −ϕ (ω ) (5.69)
Das Bode-Diagramm ist der Verlauf des Dämpfungsmaßes a(ω ) oder auch
des Phasenmaßes b(ω ) über einer logarithmischen Frequenzachse.
Die Gruppenlaufzeit tg ist die erste Ableitung des Phasenmaßes nach der
Frequenz:
d
tg = b(ω ) (5.70)
dω
Für das CR-Glied nach Bild 5.13 ergibt sich unter Verwendung der Gln. (5.66)
und (5.70):
τ
tg = (5.71)
1 + (ω τ )2
Die Verläufe |G( jω )|, ϕ (ω ) und tg (ω ) sind im Bild 5.15 über einer linearen
Frequenzachse dargestellt.
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5.2 Systeme 215
π/2
1
G( ω)
1/ 2
ϕ( ω)
tg ( ω)
Bild 5.15 Frequenzgänge eines

ωg ω CR-Gliedes (HP 1. Ordnung)
5.2.3 Abtastsysteme
5
5.2.3.1 Bedeutung der Abtastung für die
digitale Signalverarbeitung
Ein analoges Signal (z. B. Bild, Ton, Sprache) wird durch Abtastung („Sample
& Hold“) in ein zeitdiskretes Signal gewandelt. Der nachfolgende Ana-
log/Digital-Umsetzer (ADU) quantisiert die Amplitudenwerte und ordnet den

diskreten Amplitudenschritten Zahlenwerte zu (Codierung). Nach Übertra-
gung und Verarbeitung des digitalen Signals (z. B. mit digitalen Filtern)
besteht zumeist die Notwendigkeit der fehlerfreien Rückgewinnung des ana-
logen Signals. Dazu sind ein Digital/Analog-Umsetzer (DAU), eine „Sample
& Hold“-Schaltung und ein Rekonstruktions-Tiefpass (R-TP) zur Glättung
(engl. smoothing) notwendig. Zur Bandbegrenzung des Eingangssignals ist
ein Anti-Aliasing-TP (A-TP) erforderlich (→ Bild 5.16).
n bit n bit
Digitale
A-TP S&H ADU Signalver- DAU S&H R-TP
arbeitung
analog zeitdiskret digital digital zeitdiskret analog
Bild 5.16 Stufen der Signalumsetzung „analog-digital-analog“
5.2.3.2 Ideale Abtastung
Als ideale Abtastfunktion gilt die Dirac-Impulsfolge δ T (t) [→ Bild 5.17b

und Gl. (5.72)].
∞
δ T (t) = ∑ δ (t − nTA ) (5.72)
n=−∞
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Die abzutastende kontinuierliche Zeitfunktion (analoges Signal) sei fS (t), →

Bild 5.17a. Die Abtastung im Zeitbereich entspricht der Multiplikation beider
Signale. Dabei ergeben sich Bild 5.17c und die abgetastete Zeitfunktion fA (t),
→ Gl. (5.73). Die Dirac-Impulsfolge wird mit der Hüllkurve von fS (t) gewich-
tet (bei realer Abtastung würde man von einer Puls-Amplituden-Modulation
(PAM) sprechen).
∞
fA (t) = fS (t) · δ T (t) = ∑ fS (n) · δ (t − nTA ) (5.73)
n=−∞
f S (t) fA (t)
2,0 2,0
1,5 1,5
1,0 1,0
0,5 0,5
0,0 0,0
t t
−0,5 −0,5
−1,0 −1,0
a) −1,5
0 TA 3TA 5TA 7TA 9TA
δT (t ) c)
1
0
b) 0 TA 3TA 5TA 7TA 9TA t
Bild 5.17 Ideale Abtastung
Das Spektrum der Abtastfunktion entsteht durch Faltung von Gl. (5.73).
Die Umkehrung von Gl. (5.46) lautet:
1
f1 (t) · f2 (t) [F1 ( jω ) ∗ F2 ( jω )] (5.74)
2π
Außerdem gilt: Die Fourier-Transformierte einer Dirac-Impulsfolge (Gewicht
= 1) ist im Bildbereich wiederum eine Dirac-Impulsfolge, jedoch mit dem
Gewicht ω A .
δ T (t) ω A δ ω (ω ); ω A = 2π/TA (5.75)
Das Spektrum der abgetasteten Funktion fA (t) entspricht dem Spektrum
der Originalfunktion fS (t), jedoch mit periodischer Wiederholung. Dies zeigt
Gl. (5.76) in Verbindung mit Bild 5.18. Der Proportionalitätsfaktor 1/TA ist
dabei von untergeordneter Bedeutung.
∞
1
F { fA (t)} =
TA ∑ F( jω − jnω A ) (5.76)
n=−∞
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5.2 Systeme 217
F( f ) FA ( f )
a) −fgmax 0 fgmax f b) − f A − f A /2 0 f A /2 fA 2 fA f
Bild 5.18 Signalspektren a) der Originalfunktion, b) der ideal abgetasteten
Funktion
5.2.3.3 Abtasttheorem
Als Voraussetzung für eine fehlerfreie Rekonstruktion des kontinuierlichen
Originalsignals fS (t) dürfen sich die Seitenbänder im Spektrum (→ Bild
5.18b) nicht überlappen. Bandüberlappung (Aliasing) tritt nicht auf, wenn das
Frequenzspektrum (wie im Bild 5.18) eine begrenzte Bandbreite B = 2 fg max 5
besitzt und die Abtastfrequenz fA hoch genug gewählt wird.
Abtasttheorem: Jede bandbegrenzte kontinuierliche Signalfunktion ist

eindeutig und vollständig durch ihre zeitdiskreten Abtastwerte bestimmt,
wenn die Abtastfrequenz größer als die zweifache Signalbandbreite ist.
fA > 2 fg max (5.77)

I Anmerkung: Als Bandbreite B wird hier nicht die sonst übliche 3-dB-Bandbreite
verstanden. Bei „idealer Abtastung“ sind keine Frequenzkomponenten außerhalb
des Bandbreitenbereiches zugelassen. Viele Signale erfüllen diese Forderung
nicht, weil die Amplitudendichte mit höheren Frequenzen zwar abnimmt, aber
erst im Unendlichen gleich null wird.
5.2.3.4 Bandbegrenzung
Zur Vermeidung von Aliasing-Fehlern müssen die kontinuierlichen Signale
vor der Abtastung in der Bandbreite begrenzt werden. Dazu werden Tiefpass-
Filter (Anti-Aliasing-TP, → Bild 5.16) verwendet. Da wir von der „idealen
Abtastung“ ausgingen, ist folgerichtig auch ein „idealer Tiefpass“ zu definie-
ren.
Frequenzverhalten
Der „ideale TP“ hat im Durchlassbereich (DB) einen konstanten Übertra-
gungsfaktor G = 1 (Dämpfung a = 0) und eine konstante Gruppenlaufzeit
(tg = const). Im Sperrbereich (SB) ist G = 0 (a → ∞). Die komplexe Über-
tragungsfunktion lautet:

1 · exp(− jω tg ); |ω | 5 ω g
G( jω ) = (5.78)
0; |ω | > ω g
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Bild 5.19a, b zeigt das Übertragungsverhalten als Funktion der Frequenz f .
G( f ) b( f )
1
−fg Bild 5.19 Idealer Tiefpass
f
f fg a) Übertragungsfaktor,
−fg 0 fg b) b) Phasenmaß
a)
Zeitverhalten
Die Impulsantwort h(t) ist die Fourier-Rücktransformierte der komplexen

Übertragungsfunktion. Zur Anwendung von Gl. (5.34) ist F( jω ) = G( jω )
zu setzen. Die Integrationsgrenzen werden durch die Grenzfrequenz ω g be-
stimmt:
Zω g
1
h(t) = exp(− jω tg ) · exp( jω t) d ω (5.79)
2π
−ω g
Das Ergebnis von Gl. (5.79) ist eine Spaltfunktion vom Typ si(x) = sin(x)/x
[→ Gl. (5.40)]:
ωg sin[ω g (t − tg )]
h(t) = · = 2 fg · si[2π fg (t − tg )] (5.80)
π ω g (t − tg )
Bild 5.20 zeigt die Impulsantwort (zur Erinnerung: h(t) ist die Systemantwort
auf einen Dirac-Impuls δ (t)).
h(t) g(t)
1,0 1
0,8
0,6
0,4 0,5
0,2
0
tg t 0
−0,2 tg t
−0,4 τe
Bild 5.20 Impulsantwort des idealen Bild 5.21 Sprungantwort des idealen
Tiefpasses Tiefpasses
Die Sprungantwort g(t) ergibt sich aus der Impulsantwort h(t) durch Integra-
tion gemäß Gl. (5.53):
1 1
g(t) = + · Si[π(t − tg )] (5.81)
2 π
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5.3 Elemente der digitalen Signalverarbeitung 219
Hierin ist Si(x) die aus mathematischen Tabellen bekannte Integralsinus-

Funktion:
Zx
sin v
Si(x) = dv (5.82)
v
v=0
Bild 5.21 zeigt den Funktionsverlauf. Die Einschwingzeit τ e des idealen TP

wird aus dem Tangentenanstieg im Punkt (tg ; 0,5) bestimmt. Mit zunehmender
Grenzfrequenz fg nimmt die Einschwingzeit ab, → Gl. (5.83).
1
τe = (5.83)
2 fg
Zusammenfassend: Der ideale TP ist ein nichtkausales System (Impuls- und 5

Sprungantworten treten bereits vor der Erregung des Systems [t = 0] auf).
Grundsätzliche Aussagen, wie z. B. Gl. (5.83), lassen sich aber auf reale Filter
übertragen.
5.3 Elemente der digitalen Signalverarbeitung
5.3.1 Diskrete Signale
Diskrete Signale enstehen zumeist durch Abtastung analoger Signale (→

5.2.3).
Die Abtastfunktion fA (t) nach Gl. (5.73) lässt sich als x(n) verallgemeinern:
fA (t)|t=nTA = x(nTA ) =: x(n) (5.84)
Ein zeitdiskretes Signal x(n) ist allgemein eine Folge von Zahlen.
I Hinweis: Der Begriff „zeitdiskret“ wird oft mit „diskret“ abgekürzt.

Elementare diskrete Signale sind in Bild 5.22 dargestellt:
a) die Einheitsimpulsfolge

1; n = 0
δ (n) = (5.85a)
0; n 6= 0
b) die Einheitssprungfolge

1; n = 0
u(n) = (5.85b)
0; n < 0
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a) ϑ(n) b) u(n)
1 1
−3 −2 −1 1 2 3 4 n −3 −2 −1 1 2 3 4 n
Bild 5.22 Beispiele für diskrete Elementarsignale
5.3.2 Zeitdiskrete Systeme
Diskrete LTI-Systeme (kurz: LTD) verarbeiten diskrete Eingangssignale

x(n) zu diskreten Ausgangssignalen y(n), wobei Linearität (L) und Zeitin-
varianz (TI) vorausgesetzt werden.
Linearität (es gilt der Superpositionssatz):

ax1 (n) + bx2 (n) ⇒ ay1 (n) + by2 (n) (5.86a)
Zeitinvarianz (eine Verzögerung i bleibt konstant):

x(n − i) ⇒ y(n − i) (5.86b)
Impulsantwort
Ein LTD-System kann durch seine Impulsantwort h(n) charakterisiert werden.
Die Impulsantwort h(n) ist die Antwort des LTD-Systems auf eine Ein-
heitsimpulsfolge δ (n) (→ Bild 5.23).
ϑ(n) h(n)
1 1
ϑ(n) h(n)
LTD-System
−3 − 2 − 1 1 2 3 4 n −3 −2 −1 0 1 2 3 4 n
Bild 5.23 Impulsantwort eines realisierbaren LTD-Systems
Realisierbarkeit
Bedingungen für die Realisierbarkeit sind:
Kausalität (keine Zahlenwerte im negativen Bereich)
h(n) = 0; n<0 (5.87a)
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Stabilität (Summe der Zahlenwerte ist endlich)

∞
∑ |h(n)| < ∞ (5.87b)
n=−∞
Elementar-Operationen
Alle realisierbaren LTD-Systeme lassen sich auf einem Digitalrechner unter
Verwendung von drei Elementar-Operationen programmieren:
Addition
y(n) = x1 (n) + x2 (n) (5.88a)
Multiplikation mit einer Konstanten
5
y(n) = a x(n) (5.88b)
Verzögerung um einen Abtastwert
y(n) = x(n − 1) (5.88c)
x1(n)
a
y (n) x (n) y (n) x (n) y (n)
z−1
x (n)
a) 2 b) c)
Bild 5.24 Blockschaltbilder der Elementar-Operationen
Differenzengleichungen und Blockschaltbilder

Während zeitkontinuierliche Systeme (Analogsysteme) allgemein durch Dif-
ferenzialgleichungen beschrieben werden, genügen bei LTD-Systemen Diffe-
renzengleichungen.
Die Differenzengleichungen können durch Blockschaltbilder oder auch Si-
gnalflussgraphen (Mason-Graphen) dargestellt werden.
Hinsichtlich der Realisierung von LTD-Systemen werden rekursive und nicht-
rekursive Systeme unterschieden.
Rekursive Systeme enthalten Rückkopplungsschleifen und können deshalb
auch instabil sein. Ihre Impulsantwort bricht für endliches n > 0 nicht ab.
Rekursive Digitalfilter sind IIR-Strukturen (Infinite Impulse Response).
Allgemeine Differenzengleichung eines rekursiven Systems:
M N
y(n) = − ∑ ai y(n − i) + ∑ bi x(n − i) (5.89)
i=1 i=0
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Bild 5.25 zeigt ein einfaches Beispiel. Die Differenzengleichung lautet:

y(n) = −a1 y(n − 1) + x(n − 1); b0 = 0; b1 = 1 (5.90)
x (n) y (n)
z−1
−a1 y (n)
y (n)
−a1 Bild 5.25
Einfaches rekursives System
Nichtrekursive Systeme sind immer stabil. Ihre Impulsantwort ist nur endlich
lang. Nichtrekursive Digitalfilter sind FIR-Strukturen (Finite Impulse Respon-
se).
Allgemeine Differenzengleichung eines nichtrekursiven Systems:
N
y(n) = ∑ bi x(n − i) (5.91)
i=0
Bild 5.26 zeigt ein einfaches Beispiel. Die Differenzengleichung lautet:

y(n) = b0 x(n) + b1 x(n − 1) (5.92)

x (n) x (n−1)
z−1
b0 b1
b1x (n −1)
b0 x (n)
y (n) Bild 5.26
Einfaches nichtrekursives System
Die Impulsantwort eines LTD-Systems N-ter Ordnung ergibt sich aus den
Koeffizienten bi der Differenzengleichung:
N
h(n) = ∑ bi (5.93)
i=0
I Hinweis: Bei dem einfachen System 1. Ordnung im Bild 5.26 ist
h(n) = b0 + b1
Die Impulsantwort eines FIR-Filters N-ter Ordnung setzt sich aus N + 1

Einzelimpulsen zusammen (Filterlänge).
Diskrete Faltung
Wie bei der kontinuierlichen Faltung (→ Gl. (5.54)) sind auch bei LTD-
Systemen Eingangssignal x(n) und Ausgangssignal y(n) über den Faltungssatz
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mit der Impulsantwort h(n) verknüpft. Das Faltungsintegral (→ Gl. (5.45))

geht in eine Summe über:
∞
y(n) = x(n) ∗ h(n) = ∑ x(i) · h(n − i) (5.94)
i=−∞
Es gilt das Kommutativgesetz:

x(n) ∗ h(n) = h(n) ∗ x(n) (5.95)
Damit ergibt sich:

∞
y(n) = ∑ h(i) · x(n − i) (5.96)
i=−∞
5
Das Ausgangssignal eines LTD-Systems ist gleich der Impulsantwort, ge-
faltet mit dem Eingangssignal.
Gleichung (5.93) in (5.96) eingesetzt, ergibt Gl. (5.91). Daraus folgt:

Bei einem FIR-Filter ist die diskrete Faltung gleich der Differenzenglei-
chung.
5.3.3 z-Transformation
Bei zeitdiskreten Signalen übernimmt die z-Transformation die gleiche Rolle

wie die Laplace-Transformation bei kontinuierlichen Signalen, nämlich die
mathematische Behandlung des Überganges vom Zeitbereich in den Fre-
quenzbereich.
Die z-Transformation basiert auf der Darstellung in Gl. (5.97):
z = esT (5.97)
Hierin ist s die von der Laplace-Transformation her bekannte komplexe
Frequenz (→ Gl. (5.47)).
Aus dem Verschiebungssatz (→ Gl. (5.43)) folgt:
δ (t − nT ) e− jnω T (5.98)
I Merke: Eine zeitliche Verschiebung der Abtastwerte führt im Frequenzspektrum
zu einer Phasendrehung.
Mit σ = 0 wird s = jω und damit z−n = e− jnω T .
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Die z-Transformierte des zeitdiskreten Signals x(n) ist X(z) nach Gl. (5.99):
∞
X(z) = ∑ x(n)z−n (5.99)
n=−∞
Bei kausalen Folgen x(n) kann in Gl. (5.99) die untere Summengrenze n = 0
gesetzt werden (einseitige z-Transformation).
I Vorteile der z-Transformation:
Eine geschlossene Lösung der komplexen Summe X(z) ist oft möglich.
Die Summendarstellung ergibt auch die Stützwerte der Impulsantwort.
Gute Anpassung an die Struktur nichtrekursiver Systeme (→ Bild 5.26).
Beurteilung der Stabilität von Übertragungssystemen.
I Hinweis: Die inverse z-Transformation für den Übergang aus dem Frequenzbe-
reich in den Zeitbereich führt allgemein über den Integrationssatz von C AUCHY.
Auch spezielle Methoden, wie z. B. Rekursion oder Partialbruchzerlegung, sind
anwendbar. Wir beschränken uns hier auf die Anwendung von Korrespondenzen
(→ Tabelle 5.2).
Tabelle 5.2 Einige Korrespondenzen (Nr. 1 . . . 8) und Sätze (Nr. 9 und 10)
der z-Transformation
Nr. Originalfunktion x(n) Bildfunktion X(z) Konvergenz-Bereich

1 Einheitsimpulsfolge δ (n) 1 alle z
z
2 Einheitssprungfolge u(n) |z| > 1
z−1
z
3 (±a n )u(n) ± |z| > |a|
z−a
z
4 na n−1 |z| > |a|
(z − a)2
az
5 na n |z| > |a|
(z − a)2
az(a + z)
6 n2 a n |z| > |a|
(z − a)3
z sin α
7 sin(α n) |z| > 1
z2 − 2z cos α + 1
z(z − cos α )
8 cos(α n) |z| > 1
z2 − 2z cos α + 1
9 x(n − i) z−i X(z) RX
d
10 nx(n) −z X(z) RX
dz
I Beachte: RX ist der jeweilige Konvergenzradius von X(z)

I Hinweis: Diese und weitere Korrespondenzen können mit entsprechenden Ma-
thematik-Programmen (z. B. MAPLE, MATHEMATICA, MATHCAD) bestimmt
werden.
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5.4 Grundlagen digitaler Filter 225
Beispiel: Syntax der Formeleingabe (MAPLE) für Korrespondenz Nr. 2:

z
ztrans (Step (n), n, z) ⇒
z−1
readlib (ztrans);
invztrans(z/(z − 1), n, z) ⇒ 1 also Einheitssprungfolge u(n)
Übertragungsfunktion
Die allgemeine Differenzengleichung (→ Gl. (5.89)) wird mit dem Verschie-
bungssatz (Nr. 9 in Tabelle 5.2) in den z-Bereich transformiert:
M N
Y (z) = − ∑ ai z−iY (z) + ∑ bi z−i X(z) (5.100)
i=1 i=0
Die Übertragungsfunktion H(z) ist das Verhältnis von Ausgangssignal zu
Eingangssignal (siehe auch sinngemäß Gl. (5.59)):
5
Y (z) b0 + b1 z−1 + . . . + bN z−N
H(z) = = (5.101)
X(z) 1 + a1 z−1 + . . . + aM z−M
Gleichung (5.101) kann ähnlich wie in Gl. (5.61) durch Linearfaktoren in
Zähler und Nenner aussgedrückt werden. Damit ergeben sich Nullstellen,
Polstellen und die aus Bild 5.14 bekannten PN-Pläne.

H(z) ist in Anlehnung an Gl. (5.99) auch die z-Transformierte der Impulsant-
wort h(n): ∞
H(z) = ∑ h(i)z−n (5.102)
i=−∞
5.4 Grundlagen digitaler Filter
Der Begriff Filter wird allgemein im Abschnitt 7.5 definiert. Für das lineare
Digitalfilter gilt:
Digitalfilter haben (wie auch Analogfilter) die Aufgabe, Störsignale von

Nutzsignalen zu trennen, indem die Frequenzanteile eines Signals unter-
schiedlich gedämpft und/oder verstärkt werden. Lineare Digitalfilter be-
rechnen die Ausgangssignalwerte aus den Eingangssignalwerten mittels
rationaler Übertragungsfunktionen mit reellen Koeffizienten, stellen also
diskrete LTI-Systeme (→ 5.3.2) dar.
Oft wird das Digitalfilter in einem analogen Umfeld eingesetzt, dann muss
der Rechner (Digitalfilter im engeren Sinne) durch Analog/Digital-Umsetzer
(ADU) am Eingang und Digital/Analog-Umsetzer (DAU) und zusätzliche
Tiefpässe (TP) ergänzt werden (→ Bild 5.16)
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Statt kontinuierlicher Größen (Spannungen, Ströme) beim Analogfilter wer-

den beim Digitalfilter Zahlenfolgen (wertdiskrete Signale) verarbeitet. Die
zentrale Aufgabenstellung heißt „Wie muss die digitale Signalverarbeitung
beschaffen sein, um die geforderte Übertragungsfunktion zu erhalten?“
I Vorteile der Digitalfilter: Problemarme Realisierung von Filtern höherer Ordnung
für große Flankensteilheiten ohne die bei Analogfiltern zu erwartenden Instabili-
täten.
Lineare Digitalfilter werden in FIR-Filter (Finite Impulse Response) und IIR-
Filter (Infinite Impulse Response) gegliedert.

Tabelle 5.3 Gegenüberstellung der Filter-Eigenschaften
Eigenschaft FIR-Filter IIR-Filter
Erforderliche Ordnung hoch relativ niedrig
Stabilität unbedingt bedingt
Selektivität relativ gering hoch
Linearer Phasengang gegeben schwer realisierbar
(konstante Gruppenlaufzeit)
Anzahl der Rechenschritte hoch relativ wenig
Speicherbedarf hoch niedrig

Genauigkeit der Koeffizienten weniger kritisch hohe Anforderung
5.4.2 FIR-Filter
5.4.2.1 Einführung
FIR-Filter haben theoretisch eine endlich lange Impulsantwort. Sie sind

nichtrekursiv aufgebaut, enthalten also keine Rückkopplungen. Deshalb
sind diese Strukturen unbedingt stabil.
Die Übertragungsfunktion folgt aus Gl. (5.101), wenn alle Koeffizienten a

gleich null sind:
H(z) = b0 + b1 z−1 + b2 z−2 + . . . + bN z−N (5.103)
Anhand von Beispiel 5.1 sollen die aus Abschnitt 5.3 bekannten funktionalen
Zusammenhänge vertieft werden.
Beispiel 5.1: Nichtrekursives Filter 1. Ordnung nach Bild 5.26.
Zu bestimmen ist für b0 = b1 = +0,5:
a) PN-Plan
b) Amplitudenfrequenzgang
c) Phasenfrequenzgang
d) Impulsantwort
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Lösungen:
a) Aus Gl. (5.103) folgt H(z) = b0 + b1 z−1 = 0,5 + 0,5z−1
Es ergibt sich 1 Nullstelle bei z0 = −b1 /b0 = −1
b) H(Ω ) = 0,5(1 + e− jΩ ) = 0,5(1 + cos Ω − j sin Ω )
Somit ist
q
|H(Ω )| = 0,5 (1 + cos Ω )2 + sin2 Ω )
und nach trigonometrischer Umformung
|H(Ω )| = |cos(Ω /2)|

Setzt man eine normierte Frequenz F = f / fA ein, so ist
|H(F)| = |cos(πF)| ; Darstellung in Bild 5.27
sin(Ω ) 5
c) ϕ (Ω ) = − arctan und nach trigonometrischer Umformung
1 + cos(Ω )
|ϕ (F)| = −πF ; Darstellung in Bild 5.27
d) Nach Gl. (5.93) ist h(n) = b0 + b1 und in Sequenzschreibweise {h(n)} =

{b0 ; b1 } = {0,5; 0,5}; die Impulsantwort ist endlich und besteht aus 2 Nadeln
bei n = 0 und n = 1 jeweils mit den Amplituden 0,5.
Amplitude
0
Phase/rad
−1
−2
−3
0,0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7
f / fA
Bild 5.27 Frequenzgang eines einfachen TP 1. Ordnung
In 5.2.3.4 wurde der ideale Tiefpass als nichtkausales System erkannt. Die
Impulsantwort gehorcht einer Spaltfunktion und ist unendlich lang. Eine
Realisierung ist deshalb unmöglich, obwohl sie wegen der unendlich steilen
Filterflanke wünschenswert wäre.
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5.4.2.2 Fenster-Methode
Ein realisierbares Filter erhält man durch die Begrenzung der Impulsantwort
(Fensterung) und Verschiebung in den Bereich positiver n (Shift). Das ein-
fachste Fenster ist das Rechteckfenster.
I Nachteile des Rechteckfensters sind u. a.:
Überschwingen im Amplituden-Frequenzgang
Unzureichende Sperrdämpfung
Gibbs’sches Phänomen
Bei unstetiger Frequenzbegrenzung entstehen Überschwinger. Eine Erhöhung
der Filterordnung führt zu einer Konzentration von Überschwingern mit na-
hezu gleicher Amplitude in der Umgebung der Filterflanken.
Bild 5.28 zeigt die Impulsantwort eines TP 5. Ordnung und die Begrenzung
auf die Filterlänge N = 11.
0,6
h(n)
Rechteckfenster (N = 11)
0,5
0,4
0,3
0,2
0,1
0,0
−0,1
−0,2
−8 −6 −4 −2 0 2 4 6 8
n
0 2 4 6 8 10
n (nach Shift)
Bild 5.28 Anwendung des Rechteckfensters
Durch Festlegung von zulässigen Abweichungen (Rippel δ 1 , δ 2 ) vom idealen

Frequenzgang lassen sich Durchlassbereich, Übergangsbereich und Sperrbe-
reich definieren. Je mehr Koeffizienten N verwendet werden, umso steiler
verläuft der Übergang vom Durchlass- in den Sperrbereich, d. h. umso höher
wird die Flankensteilheit.
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Bild 5.29 zeigt den Frequenzgang für fg / fA = 0,25 (z. B. Abtastfrequenz

fA = 1 000 Hz; Grenzfrequenz fg = 250 Hz). Deutlich werden die Über-
schwinger sowohl im Durchlass- als auch im Sperrbereich.
1 + δp
1,00
1 − δp
Betrag (normiert)
0,75
ÜB
0,50 DB SB
0,25
δs
0,00
0 100 200 300 400 500
fp fs
200
Frequenz in Hz
5
Phase in Grad
100
0
−100
−200
0 100 200 300 400 500
Frequenz in Hz
Bild 5.29 Frequenzgang eines TP 5. Ordnung bei Rechteck-Fensterung
Allgemein gilt:
Impulsantwort des idealen TP
 

 Ω g sin(Ω g n) 

 · ; n 6= 0 
π Ω gn
hid (n) = (5.104)
 Ωg ;

 

n=0 
π
Verschiebung nach rechts (Shift)

N−1
h(n) = hid (n) n − (5.105)
2
Rechteck-Fensterfunktion

1; |n| 5 N
wre (n) = (5.106)
0; |n| > N
Rechteck-Fensterung im Zeitbereich
h(n) = hid (n) · wre (n) (5.107)
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Rechteck-Fensterung im Frequenzbereich
H(Ω ) = Hid (Ω ) ∗ Wre (Ω ) (5.108)

I Merke: Das Beschneiden einer Impulsfolge im Zeitbereich entspricht der Faltung
des Frequenzganges mit der Fensterfunktion.
Weitaus bessere Eigenschaften erzielt man durch eine allmähliche Begrenzung
der Impulsantwort, verbunden mit einer stärkeren Betonung der relevanten
Koeffizienten. Zum Filterentwurf nach der Fenster-Methode können eine Viel-
zahl von Fensterfunktionen genutzt werden. Hier soll nur auf eine Auswahl
von Kosinus-Fenstern hingewiesen werden.
Kosinus-Fenster

2πn 4πn
w(n) = α + β · cos + γ · cos ; (5.109)
N−1 N−1
05n5N−1
Tabelle 5.4 Fenster-Koeffizienten

Fenster α β γ
Hamming 0,54 −0,46 0
Hanning 0,5 −0,5 0
Blackman 0,42 −0,5 0,08
Bild 5.30 zeigt die Impulsantwort eines TP 5. Ordnung bei Anwendung des
Hamming-Fensters.
TP 5. Ordnung mit Hamming-Fenster

Amplitude
0,5
0,4
0,2
0,0
0,0 2,5 5,0 7,5 ms 10,0

Bild 5.30 Impulsantwort bei Anwendung des Hamming-Fensters
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Bild 5.31 zeigt den Frequenzgang für fg / fA = 0,25 (z. B. Abtastfrequenz

fA = 1 000 Hz; Grenzfrequenz fg = 250 Hz). Der Vergleich mit Bild 5.29
zeigt: Das Überschwingen ist verschwunden und die Steilheit der Filterflanke
wächst mit der Filterlänge (bei N = 51 kommt der Verlauf der Idealvorstellung
schon recht nahe).
TP (Hamming-Fenster)
1,00
Betrag (normiert)
N = 51
0,75
N=5
0,50
0,25
0,00 5
0 100 200 fg 300 400 500
Frequenz in Hz
Bild 5.31 Frequenzgang bei Hamming-Fensterung
Kaiser-Fenster
Im Gegensatz zu den Kosinus-Fenstern enthält das Kaiser-Fenster einen
Entwurfsparameter β , mit denen die Flankensteilheit und die Sperrdämpfung
beeinflusst werden kann.
q
2
I0 β 1 − 2n−N+1 N−1
w(n) = ; 05n5N−1 (5.110)
I0 [β ]
I0 ist eine modifizierte Bessel-Funktion 0-ter Ordnung
∞
i 2
x
I0 (x) = ∑ (5.111)
i=0 2i i!
Die Werte für β liegen zwischen 4 und 9, bei β = 5,67 beträgt z. B. die mini-
male Sperrdämpfung 60 dB und die Steilheit im Übergangsbereich 7,9π/N.
Abschätzung des erforderlichen Filtergrades (Empirische Formel nach

K AISER)
p
−20 lg δ p δ s − 13
N= +1 (5.112)
2,324 · ω s − ω p
Für ω p = 0,21π; ω s = 0,24π; δ p = δ s = 0,015 ergibt sich z. B. N ≈ 108.
I Hinweis: Im Gegensatz zur Fenstermethode liefert die auch als Remez-Methode
bekannte Optimalmethode Filterentwürfe mit minimierten Ordnungszahlen. Von
Nachteil ist der hohe Programmier- und Rechenaufwand.
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5.4.3 IIR-Filter
5.4.3.1 Einführung
IIR-Filter haben theoretisch eine unendlich lange Impulsantwort. Sie sind

rekursiv aufgebaut, enthalten also Rückkopplungen. Deshalb sind diese
Strukturen nur bedingt stabil.
Als Übertragungsfunktion gilt allgemein Gl. (5.101).

Anhand von Beispiel 5.2 sollen die aus Abschnitt 5.3 bekannten funktionalen
Zusammenhänge vertieft werden.
Beispiel 5.2: Rekursives Filter 1. Ordnung nach Bild 5.25.
Zu bestimmen ist für a1 = −0,5:
a) PN-Plan
b) Amplitudenfrequenzgang
c) Impulsantwort
d) Sprungantwort
Lösungen:
a) Aus Gl. (5.101) folgt die Übertragungsfunktion H(z):
b0 + b1 z−1
H(z) = (5.113)
1 + a1 z−1
Nullstellen: b0 + b1 z−1 = 0 ergibt z0 = −b1 /b0 ; wegen b0 = 0 im Endlichen
keine.
Polstellen: 1 + a1 z−1 = 0 ergibt zx = −a1 = +0,5
PN-Plan: Liegen die Pole (reell oder konjugiert komplex) innerhalb des
Einheitskreises, so ist das System stabil (→ Bild 5.32).
Im(z)
Re(z)
X +1
+0,5
Bild 5.32 PN-Plan eines einfachen

rekursiven Systems
b) Zur Berechnung des komplexen Frequenzganges wird gesetzt:

z−1 = e− jω TA = e− j2π f / fA = e− jΩ (5.114)
Ω = 2π · f / fA normierte Frequenz
fA Abtastfrequenz
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Aus Gl. (5.113) wird mit b0 = 0; b1 = 1; a1 = −0,5:

z−1 1
H(z) = =
1 − 0,5z−1 z − 0,5
Mit z = e jΩ aus Gl. (5.114) folgt:
1
H(Ω ) = jΩ
e − 0,5
Der Amplitudenfrequengang ist der Betrag von H(Ω ):
1
|H(Ω )| = p
(cos Ω − 0,5)2 + sin2 Ω
Die Grafik im Bild 5.33 zeigt Tiefpassverhalten bis Ω max = π, also fg max =
fA /2. Der Bereich oberhalb von fg max ist nicht nutzbar, da das Abtasttheorem
(→ Gl. (5.77)) verletzt würde.
5
2
a1:=−0,5
Ω := 0, 0.01.. 4
1,5 1
H (Ω ):= j⋅Ω
e + a1
H (Ω )
0,5
0 1 2 3 4
( f max )
Bild 5.33 Amplitudenfrequenzgang einer Filterstruktur nach Bild 5.25 (erstellt
mit MATHCAD)
c) Die Impulsantwort h(n) kann aus der Differenzengleichung (→ Gl. (5.90))

durch Rekursion gewonnen werden, indem x(n) = δ (n) gesetzt und die An-
fangsbedingungen definiert werden. Aus Gl. (5.90)folgt dann:
y(n) = −a1 y(n − 1) + δ (n − 1)
Anfangsbedingungen für kausales Verhalten:
n δ (n − 1) y(n)
0 0 0
1 1 1
>1 0 −a1 y(n − 1)
Damit ist: y(0) = 0; y(1) = 1; y(2) = −a1 y(1) = −a1 ; y(3) = −a1 y(2) = a12 ;
y(4) = −a1 y(3); usw. Hieraus folgt:
h(n) = (−1)n · a1(n−1) = {0; 1; 0,5; 0,25; 0,125; . . . 0}
Die Grafik zur Lösung ist im Bild 5.23 dargestellt. Der Dirac-Impuls wird
zunächst nur um einen Abtasttakt verzögert, dann mit jedem weiteren Takt
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verzögert und gedämpft. Die Impulse bilden eine konvergierende, unendliche

geometrische Folge. Zur Bestätigung kann mit Gl. (5.102) die Übertragungs-
funktion H(z) des Tiefpasses (→ Gl. (5.113)) zurück gewonnen werden. Dazu
wird die Summenformel einer unendlichen geometrischen Reihe verwendet.
d) Die Sprungantwort g(n) kann ebenfalls aus der Differenzengleichung (→ Gl.
(5.90)) durch Rekursion gewonnen werden, indem x(n) = u(n) gesetzt und die
Anfangsbedingungen definiert werden. Aus Gl. (5.90) folgt dann:
y(n) = −a1 y(n − 1) + u(n − 1)
Anfangsbedingungen für kausales Verhalten:
n u(n − 1) y(n)
0 0 0
1 1 1
>1 1 −a1 y(n − 1) + 1
Die Berechnung der Iteration mit dem Programm MATHCAD zeigt Bild 5.34.
Die Sprungantwort g(n) ist eine treppenförmige Funktion, die zum Wert 2
konvergiert.
0
a:= 0,5
0 0
n:= 0 ..10 x n :=1
1 1
y0 := 0
y n+1:= x n + a×y n 2 1,5
3 1,75
2
4 1,875
y = 5 1,938
6 1,969
yn 1 7 1,984
8 1,992
9 1,996
0 10 1,998
0 2 4 6 8 10
n 11 1,999
Bild 5.34 Sprungantwort einer Filterstruktur nach Bild 5.25
(erstellt mit MATHCAD)
I Hinweis: Bei Filtern höherer Ordnung, insbesondere für deren Entwurf, ist der ma-
nuelle Rechenaufwand unvertretbar hoch, sodass entsprechende Filterprogramme
(z. B. MATLAB, LABVIEW) zum Einsatz kommen müssen.
Die Berechnung der Filterkoeffizienten ist eine zentrale Aufgabe des Filter-
entwurfes. Bekannte Entwurfsalgorithmen sind:
bilineare Transformation
Algorithmus nach Yule-Walker
Impulsinvariante Transformation
Hier soll nur auf die bilineare Transformation eingegangen werden.
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5.4.3.2 Bilineare Transformation
Der Frequenzgang eines analogen Filters wird durch ein IIR-Filter approxi-
miert. Problematisch ist dabei, dass der Frequenzbereich des digitalen Filters
nur bis zur halben Abtastfrequenz nutzbar ist und die Übertragungsfunktion
periodisch sein muss.
Die Transformation wird durch eine Substitution eingeleitet, durch die eine
Abbildung der s-Ebene eines geeigneten Analogfilters auf die z-Ebene des zu
realisierenden Digitalfilters erfolgt. Zwei Substitutionen sind bekannt (→ Gln.

(5.115), (5.116)):
2 1 − z−1
s→ · (5.115)
T 1 + z−1
5
2 z−1
s→ · (5.116)
T z+1
s komplexe Frequenz nach Gl. (5.47)

Beispiel 5.3: Ein TP -Glied (PT1 -Glied mit fallender e-Funktion) nach Tabelle 5.1
soll digital abgebildet werden. Die Filterkoeffizienten nach Gl. (5.101) sind zu
bestimmen.
Lösung:
Aus Tabelle 5.1 ergibt sich die Bildfunktion:
1
G(s) = ; G(s) = F(s)
s+α
Die Übertragungsfunktion ergibt sich mit der jeweiligen Substitution sub zu:
H(z) = G(s)|s→sub (5.117)
Mit Gl. (5.113) wird:
1
H(z) =
2 1 − z−1
· +α
T 1 + z−1
Nach identischer Umformung können die Filterkoeffizienten über einen Koeffizi-
entenvergleich mit Gl. (5.101) berechnet werden:
T αT − 2
b0 = b1 = ; a1 =
2 + αT αT + 2
Abbildungseigenschaften
Durch die bilineare Transformation wird die linke s-Halbebene des PN-Planes
(→ 5.2.2.4) in den Einheitskreis der z-Ebene abgebildet. Die linksseitigen
Pole werden dabei in den Innenbereich des Einheitskreises transformiert. Aus
stabilen Analogfiltern entstehen damit auch stabile Digitalfilter. Der Zusam-
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menhang zwischen der Kreisfrequenz ω des Analogfilters und der normierten

Kreisfrequenz Ω des Digitalfilters ist nichtlinear:

2 Ω
ω = tan (5.118)
T 2
Prinzipielle Schritte des IIR-Filterentwurfes
1. Bestimmung von Ω p und Ω s aus dem Toleranzschema des Digitalfilters
2. Berechnung von ω p und ω s des Analogfilters mit Gl. (5.116)
3. Durchführung des analogen Filterentwurfes zur Bestimmung von G(s)

4. Substitution von s durch Gl. (5.113) oder Gl. (5.114) zur Bestimmung von
H(z)
5. Berechnung der Filterkoeffizienten durch Koeffizientenvergleich (wie in
Beispiel 5.3 gezeigt)
6. Entnormierung und Übertragung der Filterkoeffizienten in eine vorgegebe-
ne Struktur
I Hinweis: In Filter-Entwurfsprogrammen (z. B. MATLAB) sind Routinen zur
Durchführung der bilinearen Transformation implementiert.
Wahl der Filtercharakteristik

Ausgehend von den optimierten Frequenzgängen (→ 7.5.2.1) des analogen
Filterentwurfes ist zu definieren, wie die Filterkurven das vorgegebene Tole-
ranzschema ausfüllen sollen. Zur Wahl stehen mehrere Filtercharakteristiken
(→ Tabelle 5.5):
Tabelle 5.5 Filtereigenschaften
Filtercharakteristik Dominierende Eigenschaft
Bessel Phasengang annähernd linear
Butterworth Amplitudengang maximal flach
Tschebyscheff 1. Art Welligkeit im DB, Übergang maximal steil
Tschebyscheff 2. Art Welligkeit im SB, Übergang maximal steil
Cauer (elliptisch) Welligkeit im DB und SB, optimale Anpassung an Tole-
ranzschema, starke Phasenverzerrungen im DB
Bild 5.35 zeigt einen TP 10. Ordnung als Tschebyscheff-Filter 1. Art. mit
einer Grenzfrequenz 250 Hz (Abtastfrequenz 1 kHz). Deutlich wird die hohe
Flankensteilheit, die bei einem FIR-Filter nur mit einer weitaus höheren
Filterordnung zu erzielen wäre. Der Phasengang ist jedoch nichtlinear. So-
mit ist die Gruppenlaufzeit (→ Gl. (5.70)) nicht konstant. Eine qualitativ
hochwertige Verarbeitung von Bild oder Ton setzt eine möglichst konstante
Gruppenlaufzeit im Frequenzband des Übertragungsbereichs voraus. Zur Li-
nearisierung des Phasenganges werden zusätzliche Phasenfilter (Allpässe) in
die Übertragungskette eingefügt.
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1,00
0,75 N = 10
Betrag
0,50
0,25
0,00
0 100 200 fg 300 400 500
Frequenz in Hz
200
Phase in Grad
100
0 5
−100
−200
0 100 200 fg 300 400 500
Frequenz in Hz
Bild 5.35 Frequenzgang eines Tschebyscheff-TP 10. Ordnung
5.4.3.3 Frequenztransformationen
Bisher sind wir nur von Tiefpässen (TP) ausgegangen. Andere Filter (wie z. B.
Hochpässe (HP), Bandpässe (BP), Bandsperren (BS), → 7.5.2) können zwar
eigenständig entworfen werden. Effektiver ist oft die Methode, einen normier-
ten Modell-TP zu entwickeln und daraus mittels Frequenztransformation das
gewünschte Filter herzuleiten.
Die Frequenztransformation kann sowohl analog (in der s-Ebene) als auch
digital (in der z-Ebene) vorgenommen werden. Wir beschränken uns hier auf
die TP-HP-Transformation.
Analoge TP-HP-Transformation
Quellobjekt ist ein normierter analoger Modell-TP mit der Bezugsfrequenz
ω
Ω g TP = =1
ωg
Zielobjekt ist zunächst ein entnormierter analoger HP mit der Bezugsfrequenz
Ω g HP
Schritt 1: Analog → Analog (Substitution der komplexen Frequenz s)
Ω g HP
s→ (5.119)
s
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Schritt 2: Analog → Digital (Anwendung der bilinearen Transformation,

z. B. mit Gl. (5.115) zur Gewinnung eines digitalen HP-Filters)
Digitale TP-HP-Transformation
Quellobjekt ist wiederum ein normierter analoger Modell-TP.
Schritt 1: Analog → Digital (Anwendung der bilinearen Transformation,
z. B. mit Gl. (5.115) zur Gewinnung eines digitalen TP-Filters)
Schritt 2: Digital → Digital (Substitution des digitalen Parameters z). Ziel-

objekt ist ein äquivalentes digitales HP-Filter.
−1
z +α
z−1 → − (5.120)
1 + α z−1
mit

ω g HP − ω g TP
cos ·T
2
α =−
ω g HP + ω g TP
cos ·T
2
Beispiel 5.4: Das TP-Glied aus Beispiel 5.3 soll für α = 1 mittels analoger TP-HP-
Transformation umgerechnet werden. Die Filterkoeffizienten des entstehenden
digitalen HP-Gliedes sind zu bestimmen.
Lösung:
Mit Gl. (5.117) wird G(s)HP = s/(s + Ω g HP ) und nach Anwendung der bilinearen
Transformation (→ Gl. (5.115)) entsteht
b0 + b1 z−1
H(z)HP = mit
1 + a1 z−1
2 2 Ω g HP T − 2
b0 = ; b1 = − ; a1 =
2 + Ω g HP T 2 + Ω g HP T Ω g HP T + 2
Stabiles Verhalten erfordert a1 > 0 und somit Ω g HP T > 2. Wir wählen Ω g HP T = π:
b0 = 0,389; b1 = −0,389; a1 = 0,222
Hieraus kann die Grafik des Frequenzganges berechnet werden (→ Beispiel 5.2).
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6.1 Begriffsbestimmung und Übersicht
Bauelemente der Elektronik sind konstruktiv und funktionell nicht weiter

teilbare Grundglieder elektronischer Funktionsgruppen.
Jedes Bauelement stellt eine mechanisch stabile Einheit dar. Ihm ist ein
genormtes Schaltzeichen zugeordnet, das seine wesentlichen Eigenschaften
symbolisiert.
Diskrete Bauelemente enthalten nur ein Funktionselement. Eine Einteilung
erfolgt nach ihren Anwendungen bzw. Eigenschaften (→ Tabelle 6.1).
Integrierte Bauelemente oder integrierte Schaltungen (integrierte Schalt- 6
kreise, IS; integrated circuits, IC) bestehen aus einer Vielzahl von untrennbar
zu einer funktionellen Einheit verknüpften Funktionselementen. Sie können
konstruktiv als ein Bauelement mit speziellen, komplexen Funktionseigen-

schaften aufgefasst werden.
Integrationsgrad. Die Anzahl der in einem Schaltkreis integrierten Funkti-
onselemente bestimmt seinen Integrationsgrad (→ Tabelle 6.2).
Tabelle 6.1 Unterscheidungsprinzipen für Bauelemente der Elektronik

Unterscheidung nach Bezeichnung
Leistungsbereich Bauelemente der Leistungselektronik – Energieversor-
(Strom, Spannung, gung, -umwandlung, -anwendung
Leistung) Bauelemente der Informationselektronik – Informa-
tions-, Nachrichten-, Mess-, Regelungs- und Rechen-
technik
Übertragungsverhalten lineare Bauelemente – Ursache und Wirkung sind ein-
ander proportional
nichtlineare Bauelemente – Ursache und Wirkung sind
nichtlinear miteinander verknüpft
Energienutzung passive Bauelemente – Der Signalfluss erleidet einen
Energieverlust (oft beabsichtigt).
aktive Bauelemente – Die Energie des Signalflusses
wird verstärkt.
Energiewandlung sensorische Bauelemente – Umwandlung einer nicht-
elektrischen in eine elektrische Größe
aktorische Bauelemente – Umwandlung einer elektri-
schen in eine nichtelektrische Größe
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240 6 Bauelemente der Elektronik
Tabelle 6.2 Integrationsgradbezeichnungen

Integrationsgrad Anzahl der integrierten Elemente und
Abkürzung und Bezeichnung Schaltkreisbeispiele
SSI small-scale integration bis 102
Kleinintegration Gatter, einfache Verstärker
MSI medium-scale integration 102 . . . 103
Mittelintegration Zähler, Operationsverstärker
LSI large-scale integration 103 . . . 104
Großintegration Speicher, Mikroprozessor, A/D-Wandler

VLSI very large-scale integration 104 . . . 105
Höchstintegration Mikrorechner
ULSI ultra large-scale integration über 105
Ultrahöchstintegration Multirechnersystem, Speicher
6.2 Leiterplatten
6.2.1 Halbzeuge
Auf oder in einem isolierenden Trägermaterial befinden sich leitende Struk-

turen zur elektrischen Verbindung der Bauelemente der elektronischen Schal-
tung. Die Leiterplatte ist zugleich der mechanische Träger der Bauelemente.
Das Trägermaterial muss ein hochwertiger Isolator sein. Die Herstellung
der Leiterplatten einschließlich ihrer Bestückung mit den Bauelementen ist
weitgehend automatisiert.
Mehrebenenleiterplatten. Die hohe Lötstellendichte integrierter Bauelemen-

te und die Vielzahl der Verbindungsleitungen erfordern Mehrebenenleiterplat-
ten. Eine Trennung von Signalleitungen und Stromversorgungs- und Masse-
leitungen (möglichst großflächig, geringer Widerstand, kleine Induktivität,
Abschirmwirkung) auf verschiedene Ebenen ist sinnvoll. Elektrische Ver-
bindungen von einer zur anderen Ebene werden mit Durchkontaktierungen
geschaffen.
Als Halbzeuge dienen:

Phenol- und Epoxidharz-Hartpapier (1 . . . 2 mm dick) bei geringen Anfor-
derungen an klimatische Bedingungen und Bauelementedichte
kupferkaschiertes Epoxidharz-Glasgewebe (0,5 . . . 2 mm dick) bei hoher
Bauelementedichte in der kommerziellen Elektronik
Polyester-, Polyamid- und Teflonbahnen für flexible Schaltungen
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6.2 Leiterplatten 241
Für die Kupferkaschierung sind Dicken von 25 µm, 35 µm und 70 µm üblich.

Die Leiterzugbreite b ist von der Stromstärke und der zulässigen Erwärmung
abhängig. Für eine 35 µm dicke Kupferkaschierung gelten etwa
I/A = 1 2 3 4 5 6
b/mm = 0,3 1 1,8 2,8 4 5,5
Der minimal zulässige Abstand der Leitungen hängt von ihrer Spannungsdif-
ferenz ab. Er ist im Niederspannungsbereich unkritisch und vorzugsweise von
den technologischen Bedingungen der Leiterplattenherstellung abhängig.
6.2.2 Entwurf und Herstellung von Leiterplatten
Entwurf. Ausgangspunkte für den Entwurf der Leitungszüge sind der Strom-
laufplan der Schaltung und die Abmessungen der Bauelemente. Das Gesamt-
bild der Leiterzüge ist das Layout der Leiterplatte (→ Bild 6.1a). Layouts
für einfache Schaltungen lassen sich manuell erstellen. Es wird eine Druck- 6
stockzeichnung im Maßstab 4 : 1 oder 2 : 1 angefertigt, die eine positive,
seitenrichtige Darstellung des Leiterbildes und der zu ätzenden Kennzeichen
enthält. Bei komplexen Schaltungen ist ein computergestützter Layoutentwurf

nötig.
Herstellung. An den Anschlussstellen der Bauelemente werden meist runde

Lötaugen vorgesehen. Unumgängliche Kreuzungen von Leiterbahnen können
durch Bauelemente, durch Drahtbrücken über Nullohm-Widerstände (Jumper)
oder durch Übergänge in andere Leiterplattenebenen realisiert werden.
Die Leiterbildzeichnung wird durch den Bestückungsplan ergänzt (→ Bild
6.1b). Mittels Siebdruck oder Fotodruck erhält die Kupferkaschierung eine der
Leiterbildzeichnung entsprechende Ätzschutzschicht. Die nicht abgedeckte
Folie wird anschließend weggeätzt, die Ätzschutzschicht entfernt, die Lei-
terplatte mechanisch bearbeitet, mit den Bauelementen bestückt und verlötet.
Computergestützter Layoutentwurf. Der kommerzielle Entwurf von Lei-

terplatten erfolgt mit computergestützten Layoutentwurfssystemen (EDA-
Software, Elektronic Design Automation), die alle Entwurfsschritte, von der
Schaltplanerstellung bis zur Erzeugung der Ansteuerdaten für den Fotoplotter
(Gerber-Daten), die NC-Bohrmaschine und den Bestückungsautomaten um-
fasst.
Bestandteile der EDA-Leiterplattensoftware:
Projektmanager
Schaltplaneditor
Bibliotheken für diskrete Bauelemente, IC und Steckverbinder (mit Schalt-
bild, Abmaßen, Pin-Layout)
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Bild 6.1 Oberste Ebene einer 4-Ebenen-Leiterplatte

a) Layout, b) Bestückungsplan, c) Ansicht
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6.2 Leiterplatten 243
Layouteditor
interaktives Änderungssystem zwischen Layout und Schaltplan (cross pro-
bing, forward & backward annotation)
automatische Platzierung und Verdrahtung (Autorouter)
Entwurfsregelprüfung für handverlegte Netze (DRC: design rule check)
Datenausgabe für verschiedene Verarbeitungsformate (Gerber, NC-Drill)
Dokumentation
6.2.3 Leiterplatten-Montagetechniken
Man unterscheidet zwischen:

Einsteckmontage
Oberflächenmontage
Bei der Einsteckmontage werden die Bauelementeanschlüsse von der Be-

stückungsseite der Platte aus durch die Bohrungen der Lötaugen gesteckt und
6
mit dem Leiterzug verlötet (→ Bild 6.2). Die Einsteckmontage ist sehr ar-
beitsaufwendig (viele Bohrungen, Biegen und Beschneiden der Anschlüsse).

Bei der Oberflächenmontage sind Bestückungs- und Lötseite identisch. Die
dafür erforderlichen speziellen SMD-Bauelemente (SMD: surface mounted
devices = oberflächenmontierbare Bauelemente) haben keine Anschlussdräh-
te. Sie werden mit ihren Anschlussflächen direkt auf der Leiterbahn verlötet
(→ Bild 6.3).
100 µ
16 V
Sn
Cu
Sn Cu
Bild 6.2 Einsteckmontage Bild 6.3 Oberflächenmontage
SMDs sind sehr viel kleiner als bedrahtete Bauelemente. Daraus ergeben sich
entscheidende Vorteile der SMD-Montage gegenüber der Einsteckmontage:
Miniaturisierung; geringer Platzbedarf, geringes Gewicht, flache Bauweise
keine Bearbeitung der Bauelemente
vereinfachte automatische Bestückung
In SMD-Technik sind alle für die Informationselektronik erforderlichen Bau-

elemente verfügbar.
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6.3 Die internationalen E-Reihen
Diskrete Bauelemente benötigt man mit den unterschiedlichsten Werten. Der

Wertevorrat umfasst bei Widerständen und Kondensatoren mindestens 10
Dekaden. Die Nennwerte werden deshalb nach geometrischen Folgen (E-
Reihen) gestuft hergestellt, sodass sich innerhalb jeder Dekade die gleiche
Anzahl Werte ergibt. Tabelle 6.3 enthält die Grundwerte der Reihen E48
(gesamte Tabelle), E24 (Spalten 1, 3, 5, 7), E12 (Spalten 1, 5) und E6 (Spalte
1). Diese sind entsprechend der Dekade, in die sie einzuordnen sind, mit einer
Potenz von 10 zu multiplizieren.
Tabelle 6.3 Internationale E-Reihen zur Abstufung

der Nennwerte von Bauelementen (E48)
1 2 3 4 5 6 7 8
1,00 1,05 1,10 1,15 1,20 1,25 1,30 1,40
1,50 1,55 1,60 1,70 1,80 1,90 2,00 2,10
2,20 2,30 2,40 2,55 2,70 2,85 3,00 3,15
3,30 3,45 3,60 3,75 3,90 4,10 4,30 4,50
4,70 4,90 5,10 5,35 5,60 5,90 6,20 6,50

6,80 7,15 7,50 7,85 8,20 8,60 9,10 9,55
Die Grenzen der Auslieferungstoleranzen benachbarter Nennwerte berühren

oder überschneiden sich geringfügig. Damit betragen die Toleranzgrenzen der
Reihe E6 : 20 %, E12 : 10 %, E24 : 5 %, E48 : 2 %, E96 : 1 %.
Tabelle 6.4 Internationale Farbreihe

Farbe Ziffer Multiplikator Toleranz ± in % Betriebsspannung1)
Ohne – – 20 5000
Silber – 10−2 10 2000
Gold – 10−1 5 1000
Schwarz 0 100 – –
Braun 1 101 1 100
Rot 2 102 2 200
Orange 3 103 – 300
Gelb 4 104 – 400
Grün 5 105 0,5 500
Blau 6 106 0,25 600
Violett 7 107 0,1 700
Grau 8 108 0,05 800
Weiß 9 109 – 900
1)
bei Kondensatoren
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6.4 Widerstände 245
Farbcodierung. Bei Bauelementen mit sehr kleinen Abmessungen wird

statt eines Zahlenaufdruckes eine Farbcodierung für die Kennzeichnung von
Nennwert und Toleranz verwendet (→ Tabelle 6.4). Üblich und ausreichend
sind 4 Farbringe. Erst ab Reihe E48 wird für die dritte Wertziffer der Ring 5
benötigt.
6.4 Widerstände
6.4.1 Der Widerstand als Bauelement
Widerstände sind Bauelemente mit einem definierten elektrischen Wi-

derstandsverhalten. Die Abhängigkeit zwischen Strom und Spannung am
Widerstand kann linear oder nichtlinear sein.
Lineare Widerstände werden als ohmsche Widerstände bezeichnet. 6

Der Widerstandswert nichtlinearer Widerstände hängt stark von Energieein-
wirkungen (Wärme, Licht oder magnetische Felder auf bestimmte Wider-
standsmaterialien) ab.
Je nach dem verwendeten Material und der Bauform ist zwischen verschiede-
nen Widerstandsarten zu unterscheiden (→ Tabelle 6.5).
Tabelle 6.5 Widerstandsarten
Arten Bauform Widerstandsmaterial Eigenschaften
Draht- Isolierkörper mit ein- Chrom-Nickel, Manga- hohe Belastbarkeit,
wider- lagiger Wicklung ei- nin, Konstantan hohe Konstanz,
stände nes Widerstands- geringes Rauschen,
drahtes störende Induktivität
bei hohen Frequen-
zen
Masse- gepresstes und Kohlenstoff (z. B. hohe Belastbarkeit,
wider- gesintertes Wider- Antrazit, Graphit), für HF geeignet,
stände standsmaterial Siliciumcarbid (SiC) schlechte Konstanz,
starkes Rauschen
Schicht- dünne Widerstands- Kohleschichtwider- Preiswert,
wider- schicht (1 . . . 100 µm) stände: geringe Konstanz
stände auf keramischen Voll- Kohlenstoff (z. B.
oder Hohlkörpern Antrazit, Graphit)
Metallschichtwider- hohe Konstanz,
stände: geringes Rauschen
Metalle (z. B. Ni, NiCr),
Metalloxide (z. B. ZnO),
Metallglasuren
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Der spezifische Widerstand aller Widerstandsmaterialien ist temperaturab-

hängig (→ 1.1.4). Der Temperaturkoeffizient muss möglichst klein sein. Die
häufig verwendete Angabe ppm bedeutet parts per million (= 10−6 ).
Kohleschichtwiderstände TK ≈ 200 ppm/K,

Metallschichtwiderstände TK ≈ 25 . . . 50 ppm/K.
Metallschichtwiderstände besitzen eine geringere Toleranz (5 . . . 1 %) als

Kohleschichtwiderstände.
6.4.2 Festwiderstände
Festwiderstände werden in unterschiedlichen Nenngrößen, Bauformen

und Abmessungen (→ Bild 6.4) sowie in einem weiten Werte- und Be-
lastungsbereich hergestellt.
l D
a)
d) 1 2 34 56
2K7J
D
l 9 900 90 9 1
b) M k k k k
1 2 3 4 5 6
1 K 10 % 474
l e)
c)
Bild 6.4 Bauformen von Festwiderständen: a) Kohleschicht-, b) Metallschicht-,
c) Hochlast-Drahtwiderstand, d) Widerstandsnetzwerk, e) SMD-Chip-Widerstand
Kennzeichnung. Die Kennzeichnung des Widerstandswertes und der Aus-

lieferungstoleranz erfolgt durch einen Zahlenaufdruck (→ Tabelle 6.6) oder
durch eine Farbcodierung in Form mehrerer Ringe (→ Bild 6.5; → Tabelle
6.7). Die Kennzeichnung der SMD-Widerstände erfolgt durch den Aufdruck
einer drei- oder vierstelligen Ziffern- und Buchstabenfolge (→ Tabelle 6.8).
Für die Verwendung in Messgeräten stehen Widerstände mit Werten außerhalb
der E-Reihen zur Verfügung (→ Bild 6.4d). Sie haben eine sehr kleine Aus-
lieferungstoleranz (5 0,1 %) und einen sehr kleinen Temperaturkoeffizienten.
Beispiele: 47R: 47 Ω ± 20 %; 1R0G: 1,0 Ω ± 2 %; 2K7K: 2,7 kΩ ± 10 %;
R3J: 0,3 Ω ± 5 %.
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6.4 Widerstände 247
Tabelle 6.6 Kennzeichnung von Widerstandswerten

Aufdruck Bedeutung
Z1 Z2 Z3 Z4 Z1 1. Ziffer
bzw. Z2 2. Ziffer
Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z2 3. Ziffer (erst ab E48)
B1 1. Buchstabe R K M G T
Widerstand Ω kΩ MΩ GΩ TΩ
B2 2. Buchstabe K J G F D C B ohne
Toleranz ± % 10 5 2 1 0,5 0,25 0,1 20
Mit der Stellung des 1. Buchstaben wird die Kommastelle
festgelegt
Tabelle 6.7 Kennzeichnung von Widerstandswerten durch

Farben im Fünfringcode nach DIN (Farbreihe Tabelle 6.4)
Ring Bedeutung Beispiel Ergebnis
1. 1. Zahlenwert1) orange 3 6
2. 2. Zahlenwert braun 1
3. 3. Zahlenwert grün 5
4. Multiplikator rot 102
5. Toleranz rot ±2 %
R = 31500 Ω ± 2 %
1)
Ring 1 liegt in Anschlussnähe
Tabelle 6.8 Kennzeichnung von SMD-Widerständen

Aufdruck Bedeutung Beispiele Wert
Aufdruck
Für Widerstände mit 5 % oder 2 % Toleranz:
Z1 Z2 R Z1 1. Ziffer 82R 82 Ω
Z2 2. Ziffer 4R7 4,7 Ω
R Wert1) 0R0 Jumper
Z1 Z2 Z3 Z1 1. Ziffer 120 12 Ω
Z2 2. Ziffer 392 3,9 kΩ
Z3 Multiplikator2) 564 560 kΩ
Für Widerstände mit 1 % Toleranz:
Z1 Z2 Z3 Z4 Z1 1. Ziffer 1001 1 kΩ
Z2 2. Ziffer 4702 47 kΩ
Z3 3. Ziffer 2550 255 Ω
Z4 Multiplikator2) 7853 785 kΩ
1)
Wert = Widerstandswert der Ziffernfolge Z1 und Z2 in Ohm unter Berücksichtigung der
Stellung von R innerhalb des Aufdruckes
2)
Multiplikator = Exponent zur Basis 10: z. B. 3 → 103
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6.4.3 Einstellwiderstände
Der Widerstandswert kann mithilfe eines Schleifkontaktes, der entlang

einer geradlinigen oder kreisförmigen Widerstandsbahn verschiebbar ist,
eingestellt werden.
Der eingestellte Widerstandswert ist je nach Ausführung der Widerstandsbahn

linear, exponentiell oder in anderer Weise von der Einstellung abhängig (→
Bilder 6.5 und 6.6). Für präzise Einstellungen gibt es Wendelpotentiometer

und Einstellregler mit Gewindespindel.
1
RAS 3
αmax − α RAE
0,5
2
α 1
0
0 0,5 1
α
A S E αmax
Bild 6.5 Drehwiderstand Bild 6.6 Abhängigkeit des eingestellten

A: Anfang, E: Ende der Wider- Widerstandswertes vom Drehwinkel
standsbahn, S: Schleiferanschluss 1) lineare, 2) positiv-logarithmische,
3) S-förmige Einstellcharakteristik
6.5 Kondensatoren
6.5.1 Kenngrößen
Hauptkenngröße eines Kondensators ist seine Kapazität C. Diese Kapazi-

tät ist temperaturabhängig. Diese Abhängigkeit wird durch den Tempera-
turkoeffizienten TKC gekennzeichnet:
∆C
TKC =
C∆T
Isolationswiderstand. Das Dielektrikum hat einen zwar sehr großen, aber
endlichen Isolationswiderstand Ris . Bei anliegender Gleichspannung U fließt
ein Isolations- oder Kriechstrom Ikr . Ein Maß für die Güte der Isolation ist die
Zeitkonstante τ C = CRis , mit der sich der Kondensator über sein Dielektrikum
selbst entlädt.
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6.5 Kondensatoren 249
Zur Beschreibung des Verhaltens bei Wechselspannung dient der Verlustfaktor

dC = tan δ C = 1/ω τ C (→ 4.2.1.2).
Hohe Spannungen können am Dielektrikum einen Durchschlag verursachen.
Die angegebene Durchschlagspannung UD darf deshalb nicht überschritten
werden.
6.5.2 Technische Kondensatoren

Hauptsächliches technologisches Unterscheidungsmerkmal technischer

Kondensatoren ist das Dielektrikum. Es bestimmt die wichtigsten funk-
tionellen Eigenschaften und die Einsatzmöglichkeiten eines Kondensators.
Hinsichtlich des strukturellen Aufbaus sind zu unterscheiden:

Metall-Isolator-Metall-Struktur (M-I-M-Struktur)
Metall-Isolator-Elektrolyt-Struktur (M-I-E-Struktur) 6
Kondensatoren mit M-I-M-Struktur bestehen aus zwei Metallbelägen, die
durch ein möglichst dünnes Dielektrikum voneinander isoliert sind. Die wich-
tigsten Arten sind in Tabelle 6.9 und Bild 6.7 zusammengestellt.
1 1
0,22
2200 p 63-B 570 p
a) b) c) d)
Bild 6.7 Bauformen einiger M-I-M-Kondensatoren: a) FKS-, b) MKS-,
c) Keramik-Rohr-, d) Keramik-Scheiben- und Vielschicht-Kondensator
Gold-Caps sind Kondensatoren in Miniaturausführung mit sehr großer Ka-

pazität (106 µF bei 5,5 V Nennbetriebsspannung). Sie werden anstelle von
Akkumulatoren zur Überbrückung bei Netzausfall zur Datensicherung in
Computern, Uhren, Tunern u. a. eingesetzt.
Kondensatoren mit M-I-E-Struktur besitzen ein Dielektrikum, meist Alu-
miniumoxid (Al2 O3 ; ε r ≈ 8) oder Tantalpentoxid (Ta2 O5 ; ε r ≈ 26), das mit
einen Metallbelag unlösbar verbunden und außerordentlich dünn ist. Dieser
Belag muss auf positivem Potenzial liegen. Ein Elektrolyt dient als zweiter
Belag (Elektrolytkondensatoren). Das Dielektrikum bildet sich bei der Her-
stellung durch Anlegen einer Formierungsspannung.
Falschpolung der Anschlüsse führt zur Zerstörung des Kondensators. Einige
Bauformen können Bild 6.8 entnommen werden. Die Stufung der Nennkapazi-
tät erfolgt nach den Reihen E3 und E6 mit einem Wertebereich 0,47 . . . 104 µF.
I Für die Anwendung im hochfrequenten Bereich sind Elektrolytkondensatoren
wegen ihres großen Verlustfaktors nicht geeignet. Sind große Kapazitätswerte zur
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Abblockung erforderlich, muss dem Elko ein hochfrequenztauglicher Kondensa-

tor kleinerer Kapazität parallel geschaltet werden.
Tabelle 6.9 Arten, Aufbau, Eigenschaften und Anwendungen von
M-I-M-Kondensatoren
Kondensatorart Aufbau, Beläge und Eigenschaften, Anwendungen
Dielektrikum
1. Papierwickel- Aluminiumfolien; tan σ und TKC groß, Sieb- und
kondensatoren Sulfatzellulosepapier Entkoppelkondensatoren
2. Duroplast- wie 1., aber gehäuselos wie 1., kleinere Abmessungen

kondensatoren
3. Metallpapier- auf Papier aufgedampfte wie 1., kleinere Abmessungen,
kondensatoren Zn- oder Al-Schicht heilt bei Durchschlag selbst aus
4. Kunststofffolie- Aluminiumfolien; kleiner TKC , kleiner tan σ
kondensatoren Dielektikum: Polycarbonat Wertebereich:
(FKC), Polyester (FKS), ≈ 100 pF . . . 1 µF
Polypropylen (FKP)
5. Metallisierte Aufbau wie 3., Dielektrika wie 4.
KF-Konden- wie 4., MKC, MKS, MKP
satoren
6. Keramik- Silberschichten auf kerami- hochfrequenztauglich
kondensatoren schen Massen;
Titanoxid-Keramik (NDK) ε r , TKC und tan σ klein
Erdalkalititanat-Keramik ε r , TKC und tan σ groß
(HDK)
+
+
a) b) + c) d) e) f) g)
Bild 6.8 Bauformen von Elektrolytkondensatoren
a) für Schraubbefestigung, b, c) zylindrische Bauform, d) quaderförmige Bauform,
e, f) Tantalkondensatoren in Zylinder- und Tropfenform, g) Schaltsymbol
6.5.3 Kondensatoren mit veränderbarer Kapzität
Es wird zwischen
einstellbaren Kondensatoren (Drehkondensatoren) und
stellbaren Kondensatoren (Trimmern) unterschieden.
Drehkondensatoren haben ein feststehendes Plattenpaket (Stator) und einen

beweglichen, in den Stator einschiebbaren Plattensatz (Rotor). Als Dielektri-
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6.6 Spulen 251
kum dient Luft oder Kunststofffolie. Die Plattenform bestimmt die Abhängig-
keit der eingestellten Kapazität vom Eintauchwinkel der Rotorplatten.
Trimmer werden mit einem Werkzeug nur einmal oder für Servicezwecke
zum Abgleich eingestellt. Bauformen sind Luft-, Rohr- und Scheibentrimmer.
6.6 Spulen
6.6.1 Kenngrößen
Eine Induktionsspule ist ein Bauelement, das elektromagnetische Energie

speichern kann. Wichtigste Kenngröße ist ihre Induktivität L. Diese ist
von der Form, den geometrischen Abmessungen, dem Quadrat der Win-
dungszahl und dem Kernmaterial abhängig (→ 2.3.10).
6
6.6.2 Technische Spulen
Die technische Ausführung von Induktionsspulen wird von der geforderten

Induktivität, der die Spule durchfließenden Stromstärke und dem Frequenz-
bereich bestimmt.
Die einfachsten Bauformen sind ein- und mehrlagige Spulen in Zylinder- oder
Ringform. Durch ferromagnetische Kerne lassen sich bei kleiner Windungs-
zahl große Induktivitäten erreichen. Für hochfrequente Anwendungen müssen
spezielle Ferromagnetika eingesetzt werden. Die Kerne werden zusammen
mit passenden Spulenkörpern als Stab-, Ring-, Schalen- oder Mehrlochkerne
angeboten.
∅ 32
∅3 25
8
a) b)
Bild 6.9 Entstördrosseln: a) Drossel in Widerstandsform (1 . . . 100 µ H),
b) Ferrit-Ringkerndrossel (1 . . . 10 mH)
Im Niederfrequenzbereich genügen lamellierte Kerne aus speziellen silicium-

haltigen Trafoblechen. Die Bleche haben standardisierte Formen (M-, E-, I-,
U- und L-Schnitte) und Abmessungen (→ Bild 2.35).
Anwendungen: Entstördrosseln, Schwingkreisspulen, elektromagnetische Relais,
Transformatoren.
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6.7 Physikalische Grundlagen der Halbleiter
6.7.1 Reine Halbleiter

Halbleiter sind zu unterscheiden in:
Elementhalbleiter, wie Silicium (Si), Germanium (Ge), Selen (Se)
Verbindungshalbleiter, wie Galliumarsenid (GaAs), Indiumantimonid
(InSb), Bleisulfid (PbS).
Halbleiterstruktur
Halbleiter haben kristalline Struktur; die Atome sind in einem kubisch-
raumzentrierten Kristallgitter (Tetraeder) angeordnet.
Nur Bauelemente aus extrem reinem monokristallinem Halbleitermaterial

weisen optimale elektronische Eigenschaften auf. Größte Bedeutung besitzt
Silicium.
Eigenleitfähigkeit
Alle Valenzelektronen eines vierwertigen Siliciumatoms sind an der kovalen-
ten Bindung mit jeweils vier Nachbaratomen beteiligt. In der Nähe des abso-
luten Nullpunktes gibt es keine freien Elektronen im Kristall. Der Halbleiter
verhält sich dann wie ein Isolator.
Durch Energieanregung (Wärmezufuhr) werden einige Bindungen aufgebro-
chen. Jedes dabei entstehende freie Elektron hinterlässt an seinem ursprüngli-
chen Platz eine ungesättigte Bindung (Elektronenfehlstelle, Defektelektron,
Loch) mit positiver Ladung. Durch diese Generation erhält der Halbleiter
seine Eigenleitfähigkeit. Freie Elektronen können bei Annäherung an eine
Fehlstelle diese wieder auffüllen (Rekombination). Beide Vorgänge führen
zu einem Gleichgewichtszustand, in dem eine konstante Ladungsträgerdichte
vorliegt.
In einem reinen, ungestörten Halbleiterkristall ist die Elektronendichte

no gleich der Löcherdichte po und damit gleich der Eigenleitungs- oder
Intrinsic-Dichte ni :
ni = no = po (6.1)
Der Wert der Eigenleitungsdichte ist von der materialtypischen Genera-

tionsenergie Wg (Bandabstand) und stark von der Temperatur abhängig
(→ Bild 6.10). Bei einer Temperatur von 300 K gilt in Silicium ni =
1,5 · 1010 cm−3 .
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6.7 Physikalische Grundlagen der Halbleiter 253
Tabelle 6.10 Parameter wichtiger Halbleiter und Isolatoren

Halbleiter Einheit Ge Si GaAs
Atome/Volumeneinheit cm−3 4,42·1022 4,99·1022 4,43·1022
Gitterstruktur Diamant Diamant Zinkblende
Bandabstand Wg eV 0,67 1,11 1,43
Eigenleitungsdichte
2,3 · 1013 1,5 · 1010 1,3 · 106
bei T = 300 K ni cm−3

Beweglichkeit der Elektronen µn cm2 /(V·s) 3900 1350 8500
Beweglichkeit der Löcher µp cm2 /(V·s) 1900 480 400
Diffusionskonstante der
Elektronen Dn cm2 /s 100 35 200
Diffusionskonstante der Löcher Dp cm2 /s 49 12,5 10
Permittivitätszahl εr 16 11,8 10,9
Durchbruchfeldstärke EBR V/cm 105 3 · 105 4 · 105
Schmelzpunkt ϑS ◦C 937 1420 1235
6
Isolator Einheit SiO2 Si3 N4 Al2 O3
Bandabstand Wg eV 8,9 5 8,7

Permittivitätszahl εr 3,9 7,2 8
Durchschlagsfeldstärke EBR V/cm 6 · 106 107 107
1014
Ge
ni in cm−3
1012
Si
1010
108
GaAs
106
104
250 300 350 400 450
T in K
Bild 6.10 Temperaturabhängigkeit der Eigenleitungsdichte in Germanium, Silicium
und Galliumarsenid /6.16/
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Die Eigenleitfähigkeit eines reinen Halbleiters, die Intrinsic-Leitfähig-

keit, wird von der Ladungsträgerdichte und der Beweglichkeit der Elek-
tronen und Löcher (→ Tabelle 6.10) bestimmt:
κ = e(µ n + µ p )ni (6.2)
Fotogeneration
Wirken Lichtquanten auf einen Halbleiter ein, können durch Absorption eines
Teils der Strahlungsenergie Elektron-Loch-Paare erzeugt werden, sodass sich
die Eigenleitfähigkeit für die Dauer der Lichteinwirkung erhöht.
6.7.2 Dotierte Halbleiter
Durch gezielten Einbau von dreiwertigen bzw. fünfwertigen Fremdatomen

(Störstellen) in das Kristallgitter werden Leitfähigkeit und Leitungstyp des
Halbleiters verändert.
n-Leitung. Fünfwertige Dotierungsstoffe (P, As, Sb) geben bei Energiezufuhr

ihr fünftes Valenzelektron ab, ohne eine Bindung zu den benachbarten Sili-
ciumatomen aufzubrechen. Diese Donatoren liefern ein freies Elektron, ohne
ein Defektelektron zu hinterlassen; der Halbleiter wird n-leitend.
p-Leitung. Dreiwertige Dotierungsstoffe (B, Al, Ga, In) bringen eine Bin-
dungslücke in den Halbleiter ein, die von einem freien Elektron aufgefüllt
wird. Diese Akzeptoren rufen einen Überschuss an frei beweglichen Löchern
hervor; der Halbleiter wird p-leitend.
Die Ionisierungsenergie der Fremdatome ist so klein, dass im technisch ge-

nutzten Temperaturbereich alle Störstellen ionisiert sind Störstellenerschöp-
fung. Damit wird die Dichte der freien Ladungsträger (nn : Elektronen im n-
Halbleiter; pp : Löcher im p-Halbleiter) durch die Störstellendichte ND bzw.
NA bestimmt.
Für die Leitfähigkeit dotierter Halbleiter ergibt sich annähernd:
κ ≈ eµ n nn = eµ n ND ) bzw. κ ≈ eµ p pp = eµ p NA ) (6.3)
Bei hohen Dotierungsdichten (1015 cm−3 . . . 1020 cm−3 ) ist die Störstellenlei-
tung viel größer als die Eigenleitung.
Bei niedrigen Temperaturen sind noch nicht alle Störstellen ionisiert; es
besteht Störstellenreserve.
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Maximale Gebrauchstemperatur
Die Leitfähigkeit dotierter Halbleiter bleibt konstant, solange die Eigenlei-
tungsdichte ni geringer als 1/3 der Dotierungsdichte ist. Deutliche (uner-
wünschte) Veränderungen treten bei Silicium ab ca. 180 ◦ C auf (bei Ge ab
80 ◦ C).
Massenwirkungsgesetz
Im thermodynamischen Gleichgewicht gilt in einem Halbleiter stets ein fester

Zusammenhang zwischen Elektronen- und Löcherdichte.
n2i = no po (6.4)
Dominiert eine Ladungsträgerart (Majoritätsträger), so ist die Dichte der

anderen Ladungsträgerart (Minoritätsträger) nach Gl. (6.4) berechenbar. Im
n-Halbleiter gilt dann nn = ND und pn = n2i /ND .
6
6.7.3 pn-Übergänge
6.7.3.1 Wirkprinzip
Wirksamer Bestandteil vieler Halbleiterbauelemente (Dioden, Transisto-

ren) ist der als Sperrschicht ausgebildete Übergang zwischen n- und p-
leitendem Halbleiter (→ Bild 6.11a).
pn-Übergang ohne äußere Spannung

An der Grenzfläche zwischen n- und p-leitendem Gebiet diffundieren Majo-
ritätsträger in die gegenüberliegende Zone (→ Bild 6.11b) und finden dort
Rekombinationspartner. Es entsteht eine von beweglichen Ladungsträgern
fast völlig verarmte Zone, die Sperrschicht der Breite ds . Die zurückbleiben-
den ortsfesten ionisierten Störstellenatome bilden eine Raumladung (→ Bild
6.11d) und ein elektrisches Feld (→ Bild 6.11e), das dem Diffusionsprozess
entgegenwirkt. Die sich im Gleichgewichtszustand einstellende Sperrschicht-
weite (1 . . . 5 µm) wird von den Dotierungsverhältnissen bestimmt.
Diffusionsspannung. Der durch die Raumladung bewirkte Potenzialunter-

schied heißt Diffusionsspannung UD (→ Bild 6.11f). Bei Störstellenerschöp-
fung kann UD aus den Dotierungsdichten berechnet werden:
ND NA
UD = UT ln (6.5)
n2i
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Der Term kT /e wird als die Temperaturspannung UT bezeichnet:

kT
UT = (6.6)
e
Bei T = 300 K ist UT ≈ 26 mV.
Grenz- ρ
dS fläche +
p-Gebiet n-Gebiet − x
a) d)
−d1 −x1 0 x2 d2
E
+ +
+ + + +
N−
A
+
ND x
+ + +
+ + + + e)
b)
p, n 1016 pp nn
U
in cm−3
UD
1010
f)
x
−d1 −x1 0 x2 d2
104 np pn
c)
x
Bild 6.11 Struktur eines pn-Überganges und elektrische Wirkungen in der
Sperrschicht: a) Aufbau, b) Ladungsverteilung, c) Elektronen- und Löcherdichte,
d) Raumladungsdichte, e) Feldstärkeverlauf, f) Potenzialverlauf
pn-Übergang mit äußerer Spannung

Eine an den pn-Übergang angelegte äußere Spannung U stört das dynamische
Gleichgewicht in der Raumladungszone. In der Sperrschicht wird sie der
Diffusionsspannung UD überlagert (U 0 = UD − U).
1. Fall; Durchlassrichtung; U > 0 (Plus am p-, Minus am n-Gebiet):
Die Sperrschichtweite sinkt mit U oder verschwindet ganz. Der pn-Übergang
wird durchlässig. Durch den Stromfluss steigen in der Sperrschicht die La-
dungsträgerdichten (pn > n2i ).
2. Fall; Sperrichtung; U < 0 (Plus am n-, Minus am p-Gebiet):
Eine äußere Sperrspannung vergrößert die Sperrschichtweite ds . Ein Strom-
fluss durch die verarmte Sperrschicht ist nicht möglich. Das Feldstärkemaxi-
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mum in der Sperrschicht wächst ebenfalls. Bei einer bestimmten Spannung

UBR wird die Durchbruchfeldstärke EBR erreicht (→ Tabelle 6.10).
Sperrschichtkapazität
Die spannungsabhängige Änderung der Sperrschichtweite bewirkt eine Ver-
änderung der Raumladung innerhalb der Sperrschicht. Dies entspricht einem
kapazitiven Verhalten. Die Sperrschichtkapazität Cs ergibt sich nach:
Aε H
Cs = (6.7)
ds
Da ds von U abhängt, ist Cs mit der Sperrspannung variierbar. Diese Eigen-
schaft wird in den Kapazitätsdioden ausgenutzt.
Fluss- und Sperrstrom

In Durchlassrichtung fließt der Flussstrom IF . Er wird im Wesentlichen nur
von den im äußeren Stromkreis liegenden Widerständen begrenzt. In Sperr- 6
richtung tritt der Sperrstrom IR auf. Er ist auf die in der Sperrschicht durch
Generation ständig entstehenden Ladungsträgerpaare zurückzuführen. Diese
werden vom elektrischen Feld der Sperrschicht zu den äußeren Anschlüssen

transportiert. Der Sperrstrom erreicht bereits bei kleiner Sperrspannung einen
Sättigungswert IS . Allgemein gilt für den Strom (sowohl für IF bei U > 0 als
auch für IR bei U < 0):
U
I = IS e UT − 1 (6.8)
6.7.3.2 Strom-Spannungs-Kennlinie des pn-Übergangs
Nach Gl. (6.8) ergibt die Kennlinie I = f (U) für den Fall, dass |U| UT :
in Sperrichtung (U < 0) eine Parallele zur x-Achse,
in Durchlassrichtung (U > 0) eine exponentiell ansteigende Kurve.
Praktisch weicht die Kennlinie vom idealen Kurvenverlauf gemäß Gl. (6.8) ab
(→ Bild 6.12), weil:
der Sperrstrom mit der Sperrspannung leicht ansteigt (Sperrschichtausdeh-
nung),
die Bahnwiderstände der n- und p-Gebiete den Durchlassstrom herabset-
zen.
Ein merklicher Durchlassstrom setzt erst ein, wenn U die Schleusenspannung
US (Durchlassspannung) überschreitet. Für die Schleusenspannung sind fol-
gende Festlegungen üblich:
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1,5
I F in A
1
3
1
2
0,5
U R in V
0,1I FAV
U BR
80 60 40 20
IS US US 1
Lawinen- 10
durchbruch (Ge) (Si)
U F in V
20
30
Wärme-
durchbruch
40
I R in µΑ
Bild 6.12 Strom-Spannungs-Kennlinien von pn-Übergängen: 1 Silicium, ideal,
2 Silicium, real, 3 Germanium, real
1. Die Verlängerung des annähernd geradlinig ansteigenden Kurvenastes bis

zum Schnittpunkt mit der Spannungsachse kennzeichnet US .
2. Die bei 10 % des maximal zulässigen Dauerflussstromes eines Bauelemen-
tes (Diode) am pn-Übergang anliegende Spannung ist gleich US .
Durchbruchspannung. Bei einer bestimmten Sperrspannung, der Durch-

bruchspannung UBR , verliert der pn-Übergang seine Sperrwirkung. Ursachen
dafür können sein:
Lawinendurchbruch (Durchbruch 1. Art) infolge des
Zener-Effektes. Bei hoher Dotierung (= 1018 cm−3 ) tunneln Elektronen
durch die dann sehr schmale Sperrschicht (Tunneleffekt).
Avalanche-Effektes. Die Ladungsträger des Sperrstromes erhalten durch
hohe Beschleunigung eine so große kinetische Energie, dass es zu Stoßio-
nisationen kommt (Ladungsträgervervielfachung).
Wärmedurchbruch (Durchbruch 2. Art) infolge

thermischer Effekte, die die Ladungsträgerkonzentration und damit den
Sperrstrom erhöhen, was zu weiterer Erwärmung und Stromanstieg bis zum
Verlust der Sperreigenschaften führt.
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Ersatzwiderstände. Der pn-Übergang hat in jedem Kennlinienpunkt einen

bestimmten
statischen Durchlass- oder Gleichstromwiderstand RF
UF
RF = (6.9)
IF
dynamischen oder differenziellen Widerstand rF :
dUF ∆UF
rF = ≈ (6.10)
dIF ∆IF
6.7.3.3 Kleinsignalverhalten des pn-Übergangs
Das Kleinsignalverhalten des pn-Übergangs, d. h. seine Reaktion auf sinus-

förmige Signale kleiner Amplitude, wird durch eine Ersatzschaltung (→ Bild 6
6.13) beschrieben. In dieser sind RB Bahnwiderstände der p- und n-Schicht, rF
differenzieller Widerstand des pn-Übergangs, CS Sperrschicht- und parasitäre
Schaltkapazitäten (wirksam in Sperrichtung) und CD Diffusionskapazität (nur

wirksam in Durchlassrichtung).
Die Diffusionskapazität beschreibt die erhöhte spannungsabhängige Ladungs-
trägerdichte in der Sperrschicht, die bei Durchlassspannungen auftritt.
CS
RB rF
Bild 6.13 Ersatzschaltung eines

CD pn-Überganges für niedrige Frequenzen
6.7.3.4 Schaltverhalten des pn-Übergangs
Das Schaltverhalten ist beim schnellen Übergang zwischen Durchlass- und

Sperrichtung von Bedeutung (Impulsverhalten), (→ Bild 6.14).
Beim Übergang vom Sperr- in den Durchlasszustand muss erst die Sperr-
schichtkapazität CS entladen und die Sperrschicht mit Ladungsträgern durch-
setzt werden (tr rise time, Anstiegszeit). Beim Übergang vom Durchlass- in
den Sperrzustand müssen zunächst die Ladungsträger aus der Sperrschicht
ausgeräumt werden (Trägerstaueffekt). Für kurze Zeit fließt noch ein großer
Strom in Sperrichtung (ts storage time, Speicherzeit), der langsam abklingt
(tf fall time, Abfallzeit).
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U
UF
UR
I
IF 0,9I F
Bild 6.14 Dynamisches

0,1I RM t Verhalten eines pn-Überganges:
tr
ts Speicherzeit (storage time),
tf Sperrerholzeit (fall time),
0,9I RM trr Sperrverzugszeit (reverse
I RM ts tf recovery time), tr Anstiegszeit
trr (rise time)
6.7.3.5 Thermisches Verhalten des pn-Übergangs
Der Sättigungssperrstrom IS des pn-Übergangs ist temperaturabhängig; er

nimmt exponentiell mit der Temperatur zu:
IS (T ) = IS (T0 ) eλ ∆T (6.11)
Wg
λ= (6.12)
mkT02
Beispiele: Praktische Werte bei T = 300 K: Silicium: λ ≈ (0,12 . . . 0,13) K−1 ,
m = 1; Germanium: λ ≈ (0,080 . . . 0,085) K−1 , m = 2.
Gemäß Gl. (6.8) wirkt sich IS = f (T ) auf den gesamten Kennlinienverlauf aus
(→ Bild 6.15):
Der Sperrstrom IR verdoppelt sich bei einem Temperaturzuwachs von je-
weils 6 K (Silicium) bzw. 9 K (Germanium).
Die Durchlassspannung UF verringert sich bei Temperaturerhöhung und
konstantem Durchlassstrom mit dem Temperaturdurchgriff D um etwa
3 mV/K bei Silicium bzw. 2 mV/K bei Germanium.
UF (T ) = UF (T0 ) + D∆T (6.13)
λ kT0
D=− = −λUT (6.14)
e
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IF
ϑ2
ϑ1
ϑ 2 > ϑ1
UR UF
Bild 6.15 Temperaturabhängigkeit

IR der Kennlinien eines pn-Überganges
6.7.3.6 Herstellungsverfahren für pn-Übergänge

6
pn-Übergänge sind funktioneller Hauptbestandteil der meisten diskreten und
integrierten elektronischen Funktionselemente.
Al flüssig Anode p
a) n-Si n n
akzeptorhaltiges Katode
Gas (z. B. Bor)
SiO2 p
b) n-Si n n
Borionenstrahl
SiO2 p
c) n-Si n n
Tempern
Bild 6.16 Technologien für pn-Übergänge
a) Legierungsverfahren, b) Diffusionsverfahren, c) Ionenimplantationsverfahren
Ausgangsmaterialien für pn-Übergänge sind einkristalline, p- oder n-

dotierte Halbleiterscheiben von einigen Zehntel Millimeter Dicke (Wafer).
Die gewünschte pn-Zonenfolge wird durch ein- oder auch mehrmaliges
Umdotieren eines Teils des Grundmaterials erzeugt.
Das Einbringen der Störstellen (umdotieren des Halbleiters) erfolgt durch

Diffusion oder Ionenimplantation, früher auch durch Legieren.
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Diffusionsverfahren. Vor dem Diffusionsprozess werden in die mit einer etwa

0,5 µm dicken SiO2 -Schicht versehene Scheibenoberfläche Fenster eingeätzt
(Fotolithografie), durch die das Dotierungsmaterial im gasförmigen Zustand
in das Grundmaterial eindringt. Die Fenster werden anschließend durch eine
Metallisierung zur Kontaktierung verwendet (→ Bild 6.16b).
Ionenimplantationsverfahren. In das vordotierte Halbleiterplättchen wer-
den ionisierte Dotierungsatome aus einer Ionenquelle mit großer Energie
eingeschossen (→ Bild 6.16c). Die Eindringtiefe der Ionen lässt sich sehr
genau festlegen. Durch nachfolgendes Tempern (400 . . . 800 ◦ C) erfolgt ein
Ausheilen der dabei entstandenen Zerstörungen des Kristallgitters.
6.8 Halbleiterdioden
6.8.1 Gleichrichter- und Schaltdioden
Die Halbleiterdiode ist ein stromrichtungsabhängiger Widerstand, ein

Stromventil. Wirksamer Bestandteil aller Halbleiterdioden ist der als Sperr-

schicht ausgebildete Übergang zwischen n- und p-leitendem monokristal-
linem Halbleitermaterial (→ 6.7.3).
Für die Gleichrichtung niederfrequenter Ströme werden heute fast ausnahms-

los Silicium-Flächendioden eingesetzt.
Für hochfrequente und digitale Anwendungen müssen die Diodenkapazität
und die Sperrerholzeit klein sein (→ 6.7.3.4). Diese Forderung kann durch
kleine pn-Übergangsflächen (Beschränkung auf kleine Stromstärken) und
spezielle Technologie (Spitzendioden, Schottky- oder Hetero-Übergänge) er-
reicht werden.
Kenn- und Grenzwerte von Gleichrichterdioden

Die vom Hersteller der Dioden angegebenen Grenzwerte dürfen keinesfalls
überschritten werden; die wichtigsten sind:
IFAV arithmetischer Mittelwert des Stromes (Dauergrenzstrom)
IFRMS effektiver Durchlassstrom (Grenzeffektivstrom)
URWM Scheitelwert der Sperrgleich- oder Wechselspannung
Ptot Gesamtverlustleistung bei Nenntemperatur
Reihenschaltung von Dioden
Zur Erhöhung der Sperrspannung ist es zulässig, n Dioden gleichen Typs

in Reihe zu schalten.
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6.8 Halbleiterdioden 263
Wegen der exemplarbedingten unterschiedlichen Sperrwiderstände und Ka-

pazitäten ist eine Beschaltung mit Ausgleichwiderständen Rp ≈ 0,2 . . . 1 MΩ
und Kondensatoren Cp ≈ 1 . . . 3 nF vorzusehen (→ Bild 6.17):
UR
n = 1,25 (6.15)
URWM
Parallelschaltung von Dioden

Zur Erhöhung der Strombelastung ist es zulässig, n Dioden gleichen Typs

parallel zu schalten.
Wegen der exemplarbedingten unterschiedlichen Durchlassspannungen müs-

sen den Dioden Ausgleichwiderstände Rs in Reihe geschaltet werden (→ Bild
6.18):
IL
n = 1,25 (6.16) 6
IFRMS
US
Rs ≈ 0,5 (6.17)
IFAV
D1 D2 D3 RS D1
+ IL
RP RP RP RS D2
RL RL
U~ CP CP CP
U~ RS D3
U R = 2U ~ U~
IL =
RL
Bild 6.17 Reihenschaltung von Gleich- Bild 6.18 Parallelschaltung von
richterdioden Gleichrichterdioden
6.8.2 PIN- und PSN-Dioden
Zwischen einer stark dotierten p-leitenden (p+ ) und einer stark dotierten
n-leitenden (n+ ) Schicht befindet sich eine eigenleitende Zone, Intrinsic-
oder I-Zone (PIN-Struktur), bzw. eine schwach n-dotierte Zone, S-Zone
(PSN-Struktur). Diese Zwischenzone ist sehr hochohmig (→ Bild 6.19).
Die Durchbruchspannung hängt außer von der Durchbruchfeldstärke EBR

(→ Tabelle 6.10) fast ausschließlich von der Dicke di der ladungsträgerfreien
Zwischenschicht ab. Die Diode kann deshalb für große Sperrspannungen
ausgelegt werden.
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In Durchlassrichtung wird die Zwischenschicht von Löchern aus der

p+ Schicht und Elektronen aus der n+ -Schicht überschwemmt, sodass die
Zwischenzone niederohmig wird.
Frequenzverhalten. Bei niedrigen Frequenzen folgt die Ladungsträgerkon-

zentration in der Zwischenschicht der Frequenz der anliegenden Wechselspan-
nung.
Bei hohen Frequenzen (etwa ab 10 MHz) verliert die Diode ihre Ventil-
wirkung. Der Ladungsträgerabbau dauert länger als die Periodendauer der

Wechselspannung. In der Hochfrequenztechnik wird in erster Linie ihr vom
Arbeitspunkt abhängiger differenzieller Widerstand rF genutzt. Dieser kann
durch einen Gleichstrom gesteuert werden, der dem sehr kleinen Wechsel-
strom eines Hochfrequenzsignals überlagert wird (→ Bild 6.20).
p+ i n+
rF in Ω 104
a)
f =100 MHz
+ 103
+ + +
+ + +
−
+ 102
+ + +
b)
101
+ + +
− + +
+ + 100
+ +
+ 10−3 10−2 10−1 100
c) + I F in mA
Bild 6.19 PIN-Diode: Bild 6.20 Differenzieller Widerstand einer
a) prinzipieller Aufbau, PIN-Diode in Abhängigkeit von IF ( f fgr )
b) Durchlassrichtung,
c) Sperrichtung
Anwendungen:
Gleichrichter für große Spannungen und Ströme (> 1000 V, > 100 A)
gleichstromgesteuerte, verzerrungsfreie Dämpfungsglieder für hochfrequente
Signale (Fernsehtuner, Hi-Fi-UKW-Empfänger)
6.8.3 Schottky-Dioden
Die Funktion von Schottky-Dioden beruht auf der von Schottky entwickel-
ten, für Kontaktstellen zwischen einem Metall und n-leitendem Silicium
geltenden Randschichttheorie.
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Die Elektronen haben im n-Silicium einen höheren Energiezustand als die

Elektronen im Metall. Aufgrund der unterschiedlichen Austrittsarbeiten von
Metall und n-Halbleiter entsteht an der Grenzschicht eine Potenzialbarriere.
Diese führt auf der Halbleiterseite zu einer von Elektronen verarmten Grenz-
schicht (Sperrschicht → Bild 6.21). Bei Polung in Durchlassrichtung (Plus
am Metall) wird die Sperrschicht abgebaut, es strömen Elektronen aus dem
n-Silicium in das Metall. Es fließt ein reiner Majoritätsträgerstrom.
Eine Sperrspannung vergrößert die Sperrschicht. Es ist kein Übergang von

Elektronen aus dem Metall in den Halbleiter möglich. Die Potenzialbarriere
auf der Metallseite der Grenzschicht ist zu hoch.
Da nur Majoritätsträger am Ladungstransport beteiligt sind, vollzieht sich der
Übergang vom Durchlass- in den Sperrzustand und umgekehrt außerordent-
lich schnell (trr < 100 ps).
Die Schleusenspannung von Schottky-Dioden beträgt 0,35 V.
6
a) + b)
+
+
+
+
Metall Sperrschicht n+-Si UF
Bild 6.21 Schottky-Diode (Metall-Halbleiter-Übergang)

a) stromloser Zustand, b) Flussrichtung
Anwendungen:
Mikrowellendioden bis f = 15 GHz
extrem schnelle Schaltdioden
Schottky-Klammerung zur Vermeidung des Trägerstaueffektes in schnellen
bipolaren Schaltkreisen (Schottky-TTL)
Gleichrichterdioden für getaktete Schaltnetzteile
6.8.4 Heterodioden
Heterodioden sind Dioden mit einem pn-Übergang zwischen unterschied-

lichen Halbleitern; gebräuchlich ist u. a. die Kombination p-Germanium
und n-Galliumarsenid.
Da praktisch keine Minoritätsträger vorhanden sind, haben die Dioden eine

sehr kleine Speicherzeit. Heteroübergänge eignen sich deshalb für schnelle
Schaltdioden. Ferner finden Heteroübergänge Anwendung in Tunneldioden
(→ 6.8.6) und Fotodioden (→ 6.12.3.2).
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6.8.5 Z-Dioden
Z-Dioden sind Silicium-Dioden mit einem scharf ausgeprägten Knick und

einem steilen Verlauf der Durchbruchkennlinie. Sie werden vorzugsweise
im Durchbruchbereich in Spannungsbegrenzer- und Stabilisierungsschal-
tungen verwendet.
Strom-Spannungs-Kennlinie
Die gewünschte Kennliniencharakteristik wird durch eine spezielle Dotierung

mit der Zonenfolge n+ np+ erreicht. Im realen Verlauf der Sperrkennlinie
lassen sich drei Abschnitte, der Sperrbereich 0-A, der Knickbereich A-B und
der Durchbruchbereich B-C unterscheiden (→ Bild 6.22).
IF
∆U Z
U ZK UF
UZ
A I ZK = 5 mA
B I Zmin
Ptot
C
I Zmax
IZ
Bild 6.22 Strom-Spannungs-Kennlinie einer Z-Diode
Der nutzbare Arbeitsbereich der Durchbruchkennlinie wird vom maximal

zulässigen Strom Izmax und der noch nicht im Knickbereich liegenden Min-
deststromstärke Izmin begrenzt. Für diese Ströme gilt:
Ptot
Izmax = (6.18)
Uz
Izmin ≈ (0,05 . . . 0,1)Izmax (6.19)

Wichtigste Kenngröße der Z-Diode ist die für den Durchbruchbereich de-
finierte Nennspannung Uz . Die maximale Verlustleistung Ptot liegt für jede
Typenreihe fest.
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Innenwiderstand
Der differenzielle Widerstand rz ist ein Maß für den Anstieg der Durchbruch-
kennlinie:
dUz ∆Uz
rz = ≈ (6.20)
dIz ∆Iz
Bei Z-Dioden mit Uz zwischen 5 V und 6 V ist der differenzielle Widerstand
am kleinsten.
Temperaturverhalten
Bei Z-Spannungen Uz < 5 V wird der Durchbruch vom Zener-Effekt (→
6.7.3.2) bewirkt. Der Temperaturkoeffizient der Durchbruchspannung TKUz =
dUz / dTUz ist dann negativ. Bei Uz > 6 V verursacht der Avalanche-Effekt
(→ 6.7.3.2) den Durchbruch. Es tritt ein positiver Temperaturkoeffizient auf.
Im Bereich Uz = 5 . . . 6 V kompensieren sich Zener- und Avalanche-Effekt
innerhalb eines begrenzten Temperaturintervalls; der Temperaturkoeffizient
6
ist annähernd null.
Z-Diode als Referenzelement

Wegen der guten Stabilität der Z-Spannung im Bereich von 5 . . . 6 V eignet
sich die Z-Diode als Spannungsreferenz. Zur Erhöhung der Z-Spannung kann
eine Reihenschaltung von Z-Dioden mit sich gegenseitig kompensierenden
Temperaturkoeffizienten angewendet werden. Dabei ist eine enge thermische
Verkopplung der Z-Dioden nötig, wie sie z. B. bei integrierten Realisierungen
leicht möglich ist.
Wertespektrum: Uz : 3,5 . . . 75 V (Abstufung nach E12 und E24)

Anwendungen:
Spannungsbegrenzung von Wechselspannungen (→ Bild 6.23)
Stabilisierung von Gleichspannungen (→ 9.2.1)
U UE UA
RV U F0 +U Z
D1
UE UA 0
D2 t
−(U F0 +U Z )
Bild 6.23 Amplitudenbegrenzung durch zwei gegeneinandergeschaltete Z-Dioden
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6.8.6 Tunneldioden
Tunneldioden sind Germanium-, Silicium- oder Galliumarseniddioden mit

sehr hoher Störstellendichte und extrem abruptem pn-Übergang. Sie haben
eine vom normalen Verlauf abweichende Diodenkennlinie (→ Bild 6.24).
Wegen der hohen Störstellendichte (1019 . . . 1021 cm−3 ) ergibt sich eine sehr
schmale Sperrschichtzone (< 0,01 µm). Die resultierende Feldstärke im pn-
Übergang ist extrem groß, sodass Elektronen die äußerst schmale Sperrschicht
durchtunneln können. Jede beliebig kleine Spannung in Sperrichtung führt zu
einer großen Stromstärke; ein Sperrverhalten ist nicht vorhanden. In Durch-
lassrichtung setzt sich der ansteigende Kennlinienverlauf zunächst fort, weil
bei kleinen Spannungen der Tunneleffekt noch dominiert und Elektronen
ungehindert vom n- ins p-Gebiet strömen können, ohne dass sie ihr Ener-
gieniveau ändern.
P
IP
I F in mA 4
2
V
U R in V IV
0,1 0,2 0,4

UP UV
U F in V
Bild 6.24 Strom-Spannungs-Kennlinie

I R in mA einer Tunneldiode
Der Kennlinienverlauf resultiert aus der Überlagerung von Tunneleffekt und

Diffusionsstrom (normaler Diodenstrom), der bei höheren Spannungen do-
miniert. Zwischen den Kennlinienpunkten P (peak: Gipfel) und V (valley:
Tal) ist der differenzielle Widerstand (Kleinsignalwiderstand) der Tunneldiode
negativ. In diesem Kennlinienbereich können Tunneldioden zur Entdämpfung
von Schwingkreisen eingesetzt werden. Die Diode wirkt in diesem Falle
wie ein aktives Bauelement. Tunneldioden sind für Frequenzen bis in den
Gigahertzbereich verwendbar.
Der Höckerstrom Ip ist auch vom mechanischen Druck auf den Kristall
abhängig (piezoelektrischer Effekt).
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+UB D rd
R1
R2 L
C LS
rB
CS
Bild 6.25 Oszillatorschaltung mit Bild 6.26 Kleinsignalersatzschaltung einer
einer Tunneldiode Tunneldiode, rB Bahnwiderstand, LS Serien-
induktivität, CS Sperrschichtkapazität,
rd negativer differenzieller Widerstand
Kennwerte:
Up : 50 . . . 150 mV; Uv : 300 . . . 500 mV; Ip /Iv : 5 . . . 10 (Si); 8 . . . 15 (Ge);
20 . . . 50 (GaAs).
Anwendungen:
Verstärkerschaltungen
Oszillatoren, Minisender (→ Bild 6.25)
Drucksensoren (Piezo-Tunneldioden) 6
6.8.7 Backwarddioden
Backwarddioden (backward: rückwärts) sind spezielle Tunneldioden oh-

ne ausgeprägten Höckerstrom im Durchlass-, aber mit steilem Stroman-
stieg im Sperrbereich (→ Bild 6.27). Innerhalb eines kleinen Spannungsin-
tervalls scheinen Sperr- und Durchlassrichtung miteinander vertauscht zu
sein.
Eine Schleusenspannung ist nicht vorhanden, sodass bereits im Bereich des

Koordinatenursprungs die Ventilwirkung ausnutzbar ist.
0,4
I F in mA
0,2
UR in V
0,3 0,2 0,1 0,1 0,2 0,3

1 U F in V
2
Bild 6.27 Strom-Spannungs-Kennlinie
3 I R in mA einer Backwarddiode
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Ihre Anwendung beschränkt sich auf die

Gleichrichtung kleiner Wechselspannungen
Frequenzmischung bei sehr großen Frequenzen.
6.8.8 Kapazitätsdioden
Kapazitätsdioden sind in Sperrichtung betriebene pn-Dioden. Durch die

Nutzung der Sperrschichtkapazität (→ 6.7.3.1) stellen sie einen spannungs-

abhängigen Kondensator für die Kleinsignalverarbeitung dar.
Der Grad der Kapazitätsänderung wird vom Profil des pn-Überganges be-
stimmt:
γ
Cs UD
= (6.21)
C0 UD − UR
Cs Sperrschichtkapazität bei UR < 0
C0 Kapazität bei UR = 0
UD Diffusionsspannung (→ 6.7.3.1)
γ = 0,33 (linearer pn-Übergang); γ = 0,5 (abrupter pn-Übergang); γ > 0,5 (hyper-

abrupter pn-Übergang)
Anwendungen:
elektronische Abstimmung von Schwingkreisen in UKW- und Fernsehempfän-
gern
Modulator- und Frequenzvervielfacherschaltungen
parametrische Verstärker (Varaktordioden)
6.8.9 Spezielle Diodenarten
Step-Recovery-Dioden oder Snap-off-Dioden zeichnen sich durch eine äu-

ßerst geringe Sperrerholzeit aus. Diese Eigenschaft wird durch eine spezielle
Technologie und Strukturierung des pn-Übergangs erreicht.
Überspannungsschutzdioden sind Halbleiterbauelemente mit scharf be-
grenzter Durchbruchspannung und sehr großem zulässigem Stoßspitzenstrom
(→ Tabelle 6.11).
Die Dioden werden zusammen mit einer Schmelzsicherung (extra flink) in
die Stromversorgungsleitung elektronischer Schaltungen mit spannungsemp-
findlichen integrierten Bauelementen (z. B. Mikroprozessoren) geschaltet (→
Bild 6.28).
Impatt- und Barritt-Dioden sind Dioden für die Höchstfrequenztechnik.
Sie bestehen aus mehrstufigen pn-Übergängen der Strukturen n+ np+ , n+ npp+
oder n+ pip+ .
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6.9 Bipolare Transistoren 271
Si
+UB
Gerät Bild 6.28 Schutzschaltung gegen Überspannung
mittels Schmelzsicherung und Schutzdiode
Tabelle 6.11 Daten von Überspannungsschutzdioden

Nennspannung in V 5 10 12 15 18 24
(zu schützende Spannung)

Durchbruchspannung in V 6 11 14 17 20 28
(I = 1 mA)
Stoßspitzenstrom in A 50 30 24 20 16 12
Durch Lawinenvervielfachung der Ladungsträger und Laufzeitverzögerung

zwischen Strom und Spannung wird bei einer bestimmten Frequenz eine Pha-
senverschiebung von 180◦ hervorgerufen, was einen negativen differenziellen
Widerstand zu Folge hat. Die Diode wirkt in diesem Falle wie ein aktives 6
Bauelement.
Die Dioden finden Anwendung zur Erzeugung und Verstärkung von Mikro-
wellen bis zu Frequenzen von 300 GHz.
Gunn-Dioden sind Oszillatordioden für die Höchstfrequenztechnik. Sie be-
stehen aus einem 10 . . . 100 µm langen GaAs-Stäbchen mit sperrschichtfreier
Kontaktierung. Ein pn-Übergang ist nicht vorhanden. Bei Stromfluss bilden
sich Raumladungsdomänen aus, die durch das Halbleiterstäbchen wandern
und zu einer Oszillation des Stromes in Form periodischer Stromschwankun-
gen führen. Anwendung findet dieses Bauelement in Oszillatorschaltungen für
den Frequenzbereich zwischen 5 und 100 GHz.
6.9 Bipolare Transistoren
6.9.1 Aufbau und Wirkprinzip
Bipolare Transistoren werden aus zwei eng benachbarten pn-Übergängen

gebildet. Voraussetzung für das Funktionsprinzip ist die gegenseitige Be-
einflussung beider pn-Übergänge, die nur bei sehr geringer Basisweite
möglich wird. Die Schichtfolge der drei beteiligten Halbleitergebiete be-
stimmt den Typ der Transistoren: npn oder pnp (→ Bild 6.29).
Der Name Bipolartransistor resultiert aus der Tatsache, dass am Stromfluss

über die beiden pn-Übergänge beide Ladungsträgerarten (Löcher und Elek-
tronen) beteiligt sind.
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IE n p n IC IE p n p IC
E CE C
IB IB
UBE UBC UEB UCB
B B
Bild 6.29 Grundaufbau und
E C E C Schaltsymbol eines a) npn- und
b) pnp-Transistors mit positiven Strom-
und Spannungsrichtungen, E Emitter,
B B
a) b) C Kollektor, B Basis
Die heute verbreitetsten Bauformen beruhen auf dem Epitaxie-Planar-Tran-

sistor (→ Tabelle 6.13). Bedingt durch das Doppeldiffusionsverfahren ist die
Dotierung im Emitter am höchsten und im Kollektor am niedrigsten. Diese
Verhältnisse bewirken auch die Vorzugsrichtung für den Funktionsmechanis-
mus (normale Betriebsrichtung). In umgekehrter Richtung (Inversbetrieb) sind
die elektrischen Eigenschaften deutlich schlechter.
Je nach Anwendung werden Transistoren eingeteilt in:
Verstärkertransistoren: Niederfrequenz- (NF-) und Hochfrequenz- (HF-,
VHF- und UHF-)

Schalttransistoren
oder nach ihrer Leistung in Kleinsignal- bzw. Leistungstransistoren.

Transistoren werden mit Leistungen Ptot von 50 mW bis etwa 1 500 mW
für Oberflächenmontage (SMD-Technik) und von 150 mW bis 250 W für
konventionelle Montagetechniken hergestellt. Dementsprechend gibt es eine
Vielzahl unterschiedlicher Gehäuseformen (→ Bild 6.30).
Steuerprinzip am npn-Transistor
Im Normalbetrieb wird die Basis-Emitter-Diode in Flussrichtung (UBE > 0),
die Basis-Kollektor-Diode in Sperrichtung (UBC < 0) betrieben. Über die
geöffnete Basis-Emitter-Diode werden Elektronen (Majoritätsträger) vom
Emitter in die Basis getrieben (injiziert). Im Bild 6.31 ist dies der Anteil (1).
Nur ein geringer Teil dieses Emitterinjektionsstromes rekombiniert in der sehr
kurzen Basis (2). Die dazu benötigten Löcher werden durch den Basisstrom
IB nachgeliefert. Der größte Teil des Emitterinjektionsstromes (über 95 %)
gelangt bis zum Rand der gesperrten Basis-Kollektor-Diode. Durch die hohe
Feldstärke am gesperrten pn-Übergang werden die ankommenden Elektronen
zum Kollektor hin abgesaugt. Dieser Transferstrom (3) bildet den Kollektor-
strom IC .
Einen zweiten Anteil am Basisstrom bilden die von der Basis-Emitter-Diode
in den Emitter injizierten Löcher. Dieser Rückinjektionsstrom (4) ist nicht mit
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dem Kollektorstrom verknüpft. Er sinkt mit wachsendem Dotierungsunter-

schied von Emitter und Basis. Emitterinjektionsstrom und Rückinjektionss-
trom bilden gemeinsam den Emitterstrom IE .
Als Strombilanz folgt:
IE = IB + IC (6.22)
∅4,1
C
B E
30
B
E
22 5,7
11 9,2
17
40,5
∅8,5 6,6 4,8 5,3

26,5 11,4 6
TO-3 TO-39 TO-72
E
B
7,5
3,1
C
5,2
B C
E
3,7 4,2 5,2
2,6 10,9 16
SOT-32 TO-92
B E 1,6 4,6
1,4
2,6
4,2
C 0,4
1,1 3,0 B C E
SOT-23 (SMD) SOT-89 (SMD)
Bild 6.30 Gehäuseformen von Transistoren (Auswahl)
n 1 p n
IE - IC
E 2 3 C
4
+
IB Bild 6.31 Stromanteile

UBE > 0 B U <0 im npn-Transistor
BC
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Stromverstärkungsfaktoren. Aus Gl. (6.22) lassen sich die Stromverstär-

kungsfaktoren des Transistors in Basisschaltung A, in Emitterschaltung B und
in Kollektorschaltung C (bzw. die entsprechenden Kleinsignalwerte α , β , γ )
ableiten.
IC IC AN IE
A= B= = C= (6.23)
IE IB 1 − AN IB
Ziel des konstruktiven Aufbaus ist eine möglichst geringe Rekombination in

der Basis und eine geringe Rückinjektion in den Emitter. A sollte einen Wert
nahe 1 und B somit einen Wert größer 100 erreichen.
Betriebszustände. Entsprechend der Polarität der beiden Diodenspannungen

UBE und UBC unterscheidet man vier Betriebszustände des Bipolartransistors
(→ Tabelle 6.12).
Tabelle 6.12 Betriebszustände des npn-Transistors
UBE UBC Betriebszustand Anwendungen
>0 <0 aktiv normal Verstärker
<0 >0 aktiv invers

<0 <0 gesperrt Schalter („AUS“)
>0 >0 übersteuert Schalter („EIN“)
Tabelle 6.13 Technologische Varianten bipolarer Transistoren

Technologische Struktureller Aufbau Bemerkungen zum Aufbau,
Variante Funktion, Besonderheiten
Epitaxie-Planar- SiO2 E B n-Schicht durch Epitaxie auf n+ -
Transistor Material, p-Schicht in n-Schicht
n p n durch Diffusion (Basis),
n-Schicht durch Diffusion in
n+ p-Schicht (Emitter), SiO2
C
Hochspannungs- B E Glas dicke, hochohmige n-Schicht
transistor (Kollektor) gewährleistet große
p n+ Durchbruchspannung, eingeätzte
n und durch Glas passivierte
n+ Gräben verhindern Feldstärke-
C spitzen an pn-Übergängen
Im Inversbetrieb (UBE < 0, UBC > 0) wird der Transistor entgegen der Vor-
zugsrichtung seines optimierten Aufbaus betrieben. Die entstehenden Strom-
verstärkungsfaktoren sind dann erheblich schlechter. So liegt AI typisch zwi-
schen 0,3 und 0,8. Der Bereich der Übersteuerung wird häufig auch als
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Sättigungsbereich bezeichnet. Der Ausgangsstrom kann nicht mehr durch den

Eingangsstrom gesteuert werden.
Beim pnp-Transistor sind alle Spannungs- und Stromrichtungen umzukehren.
Alle weiteren Betrachtungen erfolgen am npn-Typ.
6.9.2 Grundschaltungen des Transistors

Je nach Wahl der gemeinsamen Bezugselektrode von Ein- und Ausgang sind
drei Grundschaltungen möglich: (→ Tabelle 6.14).
Tabelle 6.14 Grundschaltungen bipolarer Transistoren
Schaltung Gleichstromverstärkung Wechselstromverstärkung
IC IC ∆IC
Basisschaltung A= α = ≈
IE IE ∆IE
E
IE IC
C A<1 α ≈A 6
U EB UCB
IC IC ∆IC
Emitterschaltung B= β = ≈
IB IB ∆IB
IC
A α
IE C B= β =
(1 − A) (1 − α )
U BE UCE
E
IE 1 IE ∆IE
Kollektorschaltung C= = ≈B γ = ≈
IB 1−A IB ∆IB
−I E
IB E 1
γ = ≈β
1−α
U BC −UCE
C
6.9.3 Strom-Spannungs-Kennlinie des Transistors
6.9.3.1 Kennlinienfelder in Emitterschaltung
Im Transistor stehen vier Größen (Eingangsstrom und -spannung, Ausgangs-

strom und -spannung) zueinander in Beziehung. Sie hängen wegen der
Verkopplung über die Sperrschichten voneinander ab und beeinflussen sich
gegenseitig. In den Kennlinienfeldern der Grundschaltungen werden diese
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Abhängigkeiten anschaulich dargestellt. Am wichtigsten sind die Kennlinien

der Emitterschaltung (→ Bild 6.32).
Für den am meisten genutzten, aktiv normalen Betriebsbereich (UBE UT ,
UBC −UT ) lassen sich die Kennlinien in vereinfachten Gleichungen ange-
ben.
UBE
IB = IBS · e UT (6.24)

UCE
IC = (BIB + ICE0 ) 1 + (6.25)
UEA
I B in IC in U BE
I B = f (UBE ) IC = f ( I B )
mA mA in V
0,2 UCE Parameter 20 UCE Parameter 0,8
100
50
3V 0,6 20
10 V
10 µA
6V 6V
0,1 10 0,4 IB ≈ 0
3V
0,2 UBE = f (UCE )

10 V
I B Parameter
0 0 0
0 0,4 0,8 0 0,1 0,2 0 4 8
a) b) c) UCE in V
UBE in V I B in mA
IC in 200 IC in IC in
0,8
mA mA mA UCE = 6 V
20 IC = f (UCE ) 20 20
IC = f (UCE )
I B Parameter 150 IC = f (UBE )
UBE Parameter 0,75
UCE Parameter
100 µA UBE = 0,7 V
10 10 10
0,65
I B =50 0,6
0,55
0,5
0 0 0
0 4 8 0 4 8 0 0,4 0,8
d) UCE in V e) UCE in V f) UBE in V
Bild 6.32 Transistorkennlinien in Emitterschaltung
a) Eingangskennlinien, b) Übertragungskennlinien, c) Rückwirkungskennlinien,
d) Ausgangskennlinien (Stromsteuerung), e) Ausgangskennlinien (Spannungs-
steuerung), f) Strom-Spannungs-Steuerkennlinie
ICE0 stellt den Reststrom der Kollektor-Emitter-Strecke bei offener Basis

(IB = 0) dar. Die Early-Spannung UEA steht als Repräsentant für den Anstieg
der Ausgangskennlinien. IBS ist Sättigungsstrom der Basis-Emitter-Diode.
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ICE0 , IBS und UEA sind konstruktions- und materialbedingte Bauelementepa-

rameter (Herstellerangabe). Häufig ist die Näherung IC = B · IB ausreichend.
Die Eingangskennlinie wird durch Gl. (6.24), Stromübertragungs- und Aus-
gangskennlinie durch Gl. (6.25) beschrieben. Die Spannungsrückwirkung,
ebenfalls eine Folge des Early-Effekts, wird wegen ihres kleinen Zahlenwertes
meist vernachlässigt. Es gilt:
dUBE
= η ≈ 10−3 (6.26)
dUCE
Early-Effekt. Der im Kennlinienfeld sichtbare leichte Anstieg der Ausgangs-

kennlinien beruht auf der als Early-Effekt bekannten Veränderung der elek-
tronischen Basisweite infolge Spannungsabhängigkeit der Sperrschichtweite
der Basis-Kollektor-Diode.
6
6.9.3.2 Arbeitspunkteinstellung
Durch die Einstellung eines bestimmten Arbeitspunktes erfolgt die Anpassung

des Transistors an seine konkrete Aufgabe (z. B. Verstärker, elektronischer
Schalter). In der Emitterschaltung geschieht dies häufig durch Einspeisung
eines definierten Basisstromes.
IC Übersteuerungsbereich
UB
UB Übersteuerungsgrenze IBü
RC UCB = 0
RB RC
aktiver Bereich
UCB
IC
IB Arbeitsgerade IB
UCE RC
UBE
IB < 0
IB = 0
0 Sperrbereich UCE
UCEsat UB
UCERest IB ≤ 0
Bild 6.33 Transistor in Emitterschaltung mit Basisvorwiderstand zur Arbeits-

punkteinstellung; a) Stromlaufplan, b) Ausgangskennlinienfeld mit der Arbeits-
geraden für RC
Die Lage des Arbeitspunktes resultiert aus der Zusammenschaltung des Tran-
sistors mit dem aktiven Zweipol bestehend aus Betriebsspannung UB und
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Basiswiderstand RB eingangsseitig und Betriebsspannung UB und Arbeitswi-

derstand RC ausgangsseitig. Es gilt im Eingangskreis
UB = IB RB + UBE
mit IB nach Gl. (6.24) und im Ausgangskreis
UB = IC RC + UCE
wobei IC vom Betriebszustand des Transistors bestimmt wird.

In Abhängigkeit vom Basisstrom kann sich der Arbeitspunkt (AP) nur entlang
der Arbeitsgeraden verschieben (→ Bild 6.33). Dabei durchläuft er drei
charakteristische Bereiche:
Sperrbereich IB 5 0; IC ≈ 0; UCE ≈ UB (AP: 1 bis 2)
aktiver Bereich IC = BIB ; UCE = UB − IC RC (AP: 2 bis 3)
Sättigungsbereich UCE = UCERest ; IC ≈ UB /RC (AP: 3 bis 4)
I Im aktiven Bereich besitzt der Transistor aufgrund der exponentiellen Eingangs-
kennlinie ein UBE ≈ 0,6 . . . 0,7 V.
6.9.3.3 Übersteuerungsgrenze und Sättigungsspannung
Die Grenze zwischen dem aktiven Bereich und dem Sättigungs- oder Über-
steuerungsbereich liegt bei UCB = 0 (UCE = UBE ).
Die Sättigungsspannung UCEsat ist die Kollektor-Emitter-Spannung, die

sich im Schnittpunkt der Arbeitsgeraden für RC mit der Übersteuerungs-
grenzlinie UCB = 0 einstellt (AP3 in Bild 6.33).
Im Arbeitspunkt AP3 fließt der Kollektorstrom ICü , der aus dem Basisstrom IBü
resultiert. Wird IB weiter erhöht (IB > IBü ), stellt sich der AP auf einen Punkt
der Arbeitsgeraden innerhalb des Übersteuerungsbereiches ein. Während IC
nur noch geringfügig auf ICx > ICü anwächst, sinkt UCE auf einen Wert
UCERest < UCEsat .
Im Übersteuerungsfall ist:
IBx = mIBü ; ICx > ICü ; Übersteuerungsfaktor m > 1
UCERest < UCEsat
Ab einem Übersteuerungsfaktor von 2 . . . 4 erreicht UCERest seinen Minimal-

wert (AP4 in Bild 6.33). Das ist vorteilhaft bei der Anwendung des Transistors
als Schalter.
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6.9.4 Kleinsignalverhalten des Transistors
Bei der Übertragung und Verstärkung von kleinen Wechselsignalen (Kleinsig-

nalbetrieb) durch den Transistor erfolgt nur eine geringe Auslenkung des Ar-
beitspunktes um den stationären Wert. Man betrachtet die Signale als Überla-
gerung aus dem Arbeitspunktwert (Gleichanteil) und dem als komplexe Größe
dargestellten Signalwert (i. Allg. sinusförmige Wechselgröße). Unter diesen
Bedingungen ist es möglich, die nichtlinearen Strom-Spannungs-Kennlinien
im Arbeitspunkt durch ihre Anstiege zu nähern und mit diesen Näherungen

die Berechnung des Übertragungsverhaltens auf der Basis der Vierpoltheorie
(→ 7.2.1) mittels komplexer Signalgrößen durchzuführen. Bei hohen Fre-
quenzen verwendet man die komplexen Leitwertparameter (y-Parameter), im
Bereich niedriger Frequenzen die Hybridparameter (h-Parameter, hybrida:
Mischling).
Vierpolparameter. Die h-Parameter sind in der Emitterschaltung nach fol-

genden Vierpolgleichungen definiert: 6
U BE = h11e I B + h12eU CE
I C = h21e I B + h22eU CE
Aus den in einem Vierquadrantenfeld (→ Bild 6.34) zusammengefassten
Kennlinien aus Bild 6.32a, b, c und d lassen sich die h-Parameter anschaulich
ableiten:
Kurzschluss-Eingangswiderstand

U ∆UBE
h11e = rBE = BE = (6.27)
I B U CE =0 ∆IB UCE =const
Leerlauf-Spannungsrückwirkung

U ∆UBE
h12e = η = BE = (6.28)
U CE I B =0 ∆UCE IB =const
Kurzschluss-Stromverstärkung

I ∆IC
h21e = β = C = (6.29)
I B U CE =0 ∆IB UCE =const
Leerlauf-Ausgangsleitwert

1 I ∆IC
h22e = = C = (6.30)
rCE U CE I B =0 ∆UCE IB =const
Im NF-Bereich nehmen die Vierpolparameter des Transistors reelle Werte an.
Ersatzschaltbild. Dieses Vierpolgleichungssystem lässt sich in Form eines

Ersatzschaltbildes darstellen (→ Bild 6.35). Die Vierpolparameter werden
durch entsprechende Ersatzschaltbildelemente repräsentiert.
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IC in mA 20 200
IC = f ( I B ) IC = f (UCE )
150
UCE Parameter I B Parameter
15 I B in µA
UCE = 6 V
100
h21 h22
∆IC 10 ∆IC
∆UCE
∆I B 50
5
200 100 2 4 6 8 10
0,2
I B in µA UCE in V
0,4
h11 0,6 h12 I =100 µA

B
∆UBE ∆UCE
UCE = 6 V ∆I B ∆UBE 0,8
U BE UBE = f (UCE )
UBE = f ( I B ) 1,0 in V I B Parameter
UCE Parameter
Bild 6.34 Vierquadranten-Kennlinienfeld eines Bipolartransistors in

Emitterschaltung zur Veranschaulichung der h-Parameter
IB IC IB IC
B η UCE C B C
UBE βIB rCE U UBE rBE S UBE rCE U
rBE CE CE
a) E b) E
Bild 6.35 Ersatzschaltbild für das NF-Kleinsignalverhalten
a) Stromsteuerung, b) Spannungssteuerung
Spannungssteuerung. Neben der bisher betrachteten Steuerung des Transis-

tors durch den Basisstrom IB ist häufig eine Interpretation des Verhaltens als
spannungsgesteuertes Element von Nutzen (→ Bild 6.35b). Der Zusammen-
hang zwischen beiden Betrachtungen ist bei Vernachlässigung der Spannungs-
rückwirkung durch die Eingangskennlinie IB = f (UBE ) gegeben. Die Steil-
heit S ist ein Maß für die Steuerwirkung der Basis-Emitter-Spannnung U BE
auf den Kollektorstrom I C und stellt als Vierpolparameter den Kurzschluss-
Übertragungsleitwert y21 dar.

I I I β
S = C = B C = (6.31)
U BE U CE =0 U BE I B U CE =0 rBE
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Arbeitspunktabhängigkeit der Kleinsignalparameter

Die Abhängigkeit der Vierpolparameter von der Lage des Arbeitspunktes
gewinnt man durch Differenziation der Kennliniengleichungen im aktiven
Bereich Gln. (6.24) und (6.25).

dUBE UT
rBE = = (6.32)
dIB UCE0 IB0

dUBE
η = ≈0 (6.33)
dUCE IB0

dIC UCE0
β = =B 1+ ≈B (6.34)
dIB UCE0 UE0

dUCE UEA
rCE = = (6.35)
dIC IB0 IC0
6
Grenzfrequenzen
Die an den pn-Übergängen wirkenden Transistorkapazitäten, besonders die

Kollektor-Basis-Sperrschichtkapazität CSC und die Emitter-Basis-Diffusions-
kapazität CE , beeinflussen in Verbindung mit den Bahn- und Sperrschichtwi-
derständen mit steigender Frequenz die Verstärkung und die Phasendrehung
eines zu übertragenden Signals. Der Transistor weist deshalb bereits ohne
äußere Beschaltung einen Frequenzgang der Kurzschlussstromverstärkung
h21e auf (→ Bild 6.37).
Dieses Verhalten wird durch verschiedene Grenzfrequenzen (→ 7.3.3.1) be-
schrieben:
Die Frequenz, bei der die Stromverstärkung h21e auf 70,7 % (um −3 dB)
ihres Wertes bei niedrigen Frequenzen h21e ( f = 0) abgefallen ist, wird als
β -Grenzfrequenz fβ bezeichnet.
Die Frequenz, bei der die Stromverstärkung auf h21e = 1 abgefallen ist,
wird als f1 -Frequenz bezeichnet.
In Datenblättern wird die Transitfrequenz fT angegeben. Sie entspricht etwa
der f1 -Frequenz. Zwischen fT und fβ besteht die Beziehung
fT = β fβ (6.36)
Auf der Basis der Grenzfrequenzen ist der Bereich frequenzunabhängiger

Transistorparameter quantitativ spezifizierbar. Dieser Bereich wird durch fβ
begrenzt. Für höhere Frequenzen sind die Vierpolparameter frequenzabhän-
gig. Oberhalb der Transitfrequenz fT besitzt der Transistor keine Stromver-
stärkung mehr.
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h21e
I B rBB CSC I
B' C β
B C
I 'B β/ 2
'
U BE UBE rCE U
rBE CE CE 1
β I'
B
E fβ f1 f
Bild 6.36 HF-Ersatzschaltung eines Bild 6.37 Frequenzabhängigkeit
Bipolartransistors der Stromverstärkung eines
Bipolartransistors
6.9.5 Transistorkennwerte und -grenzwerte
6.9.5.1 Stromverstärkungsgruppen
Die Daten eines konkreten Transistortyps werden vom Hersteller für einen be-
stimmten Arbeitspunkt in Form von Kenndaten in Datenblättern angegeben.
Da die Exemplare eines Typs herstellungsbedingt von Exemplar zu Exemplar
stark streuen, werden sie in Stromverstärkungsgruppen eingeordnet.

Beispiel: Gruppe A (B = 40 . . . 120), B (B = 100 . . . 300), C (B = 250 . . . 700).
Bindende Festlegungen für die Kennzeichnung und den Wertebereich der Grup-
pen existieren nicht.
6.9.5.2 Restströme des Transistors

Es ist zwischen verschiedenen Restströmen des Transistors zu unterscheiden.
Diese werden für bestimmte maximal zulässige Sperrspannungen (Grenz-
spannungen) angegeben. Der Index der Grenzspannungen und der Restströme
bezieht sich auf bestimmte Betriebsarten, die in Tabelle 6.15 angegeben sind.
Für die Grenzspannungen gilt allgemein:
UCE0 < UCES < UCB0
Beispiel: 60 V 80 V 100 V.
ICB0 liegt bei Vorstufentransistoren in der Größenordnung von 1 . . . 100 nA,
bei Kleinstleistungstransistoren 1 . . . 100 mA, bei Leistungstransistoren über
0,5 mA.
6.9.5.3 Temperaturabhängigkeit der Kennwerte
Die Temperaturabhängigkeit der Kennwerte des Transistors wird haupt-

sächlich von der Temperaturabhängigkeit der pn-Übergänge bestimmt.
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Tabelle 6.15 Transistorrestströme

ICE0 bei UCE0 ICES bei UCES ICB0 bei UCB0
Basis offen, IB = 0 Basis und Emitter Emitter offen
kurzgeschlossen
ICE0 + ICES + +
ICB0
UCB0
UCE0 UCES
Eine Übertragung des von der Diode bekannten Temperaturverhaltens in der

Nähe einer Bezugstemperatur T0 zeigt Auswirkungen auf den Kollektor-Basis-
Sperrstrom ICB0 , der im Sperrbereich dominiert, und auf den Flussstrom der
Basis-Emitter-Diode IE , der im aktiven Bereich dominiert.
ICB0 (T ) = ICB0 (T0 ) · eCR (T −T0 ) (6.37) 6

CF (T −T0 )
IE (T ) = IE (T0 ) · e (6.38)
ICB0 verdoppelt sich etwa mit 6 K (bei Si) bzw. 9 K (bei Ge) Temperaturzu-
wachs. Auch der Stromverstärkungsfaktor B weist eine Temperaturabhängig-
keit auf.
B(T ) = B(T0 ) · eCb (T −T0 ) (6.39)
CR ,CF ,Cb Temperaturbeiwerte (Herstellerangaben)
Temperaturdurchgriff. Eine Erwärmung des Transistors führt bei kon-

stantem Basisstrom zum Anstieg des Kollektorstromes und damit zur Ver-
schiebung des Arbeitspunktes (→ Bild 6.38). Dieser temperaturabhängige
Stromanstieg wird in der Nähe des Arbeitspunktes häufig durch eine tem-
peraturbedingte Änderung der Basis-Emitter-Spannung um den Wert ∆UBE
interpretiert.
∆UBE = DT · ∆T (6.40)
Für den Temperaturdurchgriff DT gilt:

dUBE
DT = = −1 . . . − 3 mV · K−1
dT ICA
Die temperaturabhängige Drift der Basis-Emitter-Spannung ∆UBE wird durch

eine Ersatzquelle im Basiszweig des Transistors repräsentiert (→ Bild 6.39).
UBE0 ist die Basis-Emitter-Spannung bei Bezugstemperatur.
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U0C IC
U0C
RB RC
RC
AP2 T2 ∆UBE C
IC
AP1 T
IB 1
B
U0C UCE UBE0 E
Bild 6.38 Temperaturbedingte Bild 6.39 Transistor mit temperatur-
Arbeitspunktverschiebung abhängiger Driftquelle
6.9.6 Anwendungen bipolarer Transistoren
6.9.6.1 Elektronischer Schalter

Aufgrund seines geringen Sperrstromes und des kleinen Steuerstromes ist
der Transistor hervorragend als elektronischer Schalter geeignet. Eine solche
Nutzung erfolgt hauptsächlich in digitalen Schaltungen (z. B. Negator) oder
als Schaltverstärker. Den Standardaufbau eines Transistorschalters zeigt Bild
6.40.
I
C
AP1 IB1
I
U0C C1
RC
RC
RB IB IC AP2
UE RE IB2
I
C2
−UEE UCERest U0C UCE
Bild 6.40 Transistorschalter Bild 6.41 Stationäre Arbeitspunkte des

Transistorschalters
Stationäres Verhalten
Der Transistorschalter besitzt zwei stationäre Arbeitspunkte (Schaltzustände).
Bei hoher Eingangsspannung UE = UE1 = U0C befindet sich der Transistor
im Arbeitspunkt AP1 „EIN“ (→ Bild 6.41). Der zugehörige Basisstrom IB1
resultiert aus der Basisbeschaltung. Seine Größe ist so zu wählen, dass der
Transistor sicher übersteuert wird. Der aktive Zweipol (U0C ,RC ) bestimmt
durch die Begrenzung des Kollektorstromes den Übersteuerungsgrad m.
BN IB1 BN IB1 RC
m= = (6.41)
IC1 U0C − UCE1
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Am Ausgang liegt die Sättigungsspannung UCE1 = UCERest (ca. 0,1 V) des

Transistors.
Bei niedriger Eingangsspannung UE = UE2 = 0 V muss der Transistor
gesperrt sein. Der Reststrom durch den Transistor kann in den meisten
Fällen vernachlässigt werden. In diesem Arbeitspunkt AP2 „AUS“ (→ Bild
6.41) wird wegen IC2 → 0 die Ausgangsspannung zu UCE2 = U0C . Durch die
negative Hilfsspannung −UEE kann auch bei Störsignalen am Eingang das
sichere Sperren des Transistors garantiert werden.
Dynamisches Verhalten
Die Schaltvorgänge laufen wegen der Kapazitäten und der Leitungsvorgänge
im Transistor verzögert ab (→ Bild 6.42).
UE
UE1
UE2 6
u BE t
UBEF
t
UBE2
iB
I B1
t
I By
iC
I C1
Bild 6.42 Signalspannungs- und

td ta ts tf t Stromverläufe am Transistor-
schalter
Die Schaltverzögerungen setzen sich aus folgenden Schaltzeiten zusammen

/6.10/:
Einschaltverzögerung td :
Uers1 − Uers2
td = Rers (CSE + CSC ) ln (6.42)
Uers1 − UBEF
Dabei wurde die Basisbeschaltung in einen Ersatzzweipol mit Rers = RB kRE
und Uers = −UEE + (UE + UEE ) · RE /(RE + RB ) umgerechnet,
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Anstiegszeit ta :
m
ta = τ a · ln (6.43)
m−1
mit der Zeitkonstante τ a = B(τ BN +CSC RC ) und dem Übersteuerungsfaktor m,

Speicherzeit ts :
k+m
ts = τ s · ln (6.44)
k+1
mit dem Ausschaltfaktor k = (−IBy B)/IC1 ,

Abfallzeit tf :
k+1
tf = τ a · ln (6.45)
k
Die Schaltzeiten werden von internen Transistorparametern (Speicherzeitkon-

stante τ s , Basislaufzeit τ BN , Kollektorsperrschichtkapazität CSC , Emittersperr-
schichtkapazität CSE , Basis-Emitter-Flussspannung UBEF , Stromverstärkung
B) sowie Schaltungsgrößen (RB , RE , RC , UE , UEE ) bestimmt. Die internen
Transistorparameter sind in den Datenblättern angegeben. Die theoretisch
höchste Schaltfrequenz wird durch tein = td + ta und taus = ts + tf bestimmt:
1
f 5 (6.46)
tein + taus
Lastwiderstände mit Blindanteilen
Induktive Lastwiderstände gefährden den Transistor durch die beim

Abschalten des Kollektorstromes in der Spule auftretende Induktionsspan-
nung, die ein Vielfaches der Betriebsspannung betragen kann.
Der Spule muss deshalb ein Freilaufbauelement (Varistor oder Diode) parallel
geschaltet werden (→ Bild 6.43).
Kapazitive Lastwiderstände (C parallel zu RC oder parallel zum Tran-

sistor) gefährden den Transistor durch die beim Einschalten auftretende
Stromspitze (Lade- oder Entladestrom des Kondensators).
Der Kollektorstrom muss deshalb durch den Basisstrom IB1 begrenzt werden
(→ Bild 6.44).
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+UB +UB
Freilauf-
diode L C RC
RB
Bild 6.43 Schaltverstärker mit Bild 6.44 Schaltverstärker mit

induktivem Lastwiderstand kapazitivem Lastwiderstand
6.9.6.2 Kleinsignalverstärker
Kleinsignalverstärker haben die Aufgabe, kleine sinusförmige Wechsel-

spannungen bzw. -ströme verzerrungsarm zu verstärken.
6
Emitterschaltung
U U
+UB
t t
R1 RC B Ie IB C Ia
C2
I B0 I C0
C1 Ue RL U
a
Ua RL RB rBE βIB rCE RC
Ue U CE0
U BE0
a) b) E
IC IB
IB
AP
AP I B0 I B0
I C0
c) U CE0 UB UCE d) U BE0 U BE

Bild 6.45 Kleinsignal-Wechselspannungsverstärker in Emitterschaltung mit
Basisvorwiderstand
a) Stromlaufplan, b) Kleinsignalersatzschaltung c) Ausgangskennlinienfeld mit
der Arbeitsgeraden für RC , d) Eingangskennlinienfeld
Arbeitspunkteinstellung. In der Emitterschaltung (→ Bild 6.45) muss der

Arbeitspunkt (AP) durch geeignete Einstellung des Basisstromes etwa in die
Mitte der durch RC bestimmten Arbeitsgeraden im Ausgangs-Kennlinienfeld
gelegt werden, damit eine maximale Ausgangsspannungsamplitude möglich
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ist. Die statische Dimensionierung der Schaltung geht von dem gegebenen
Wert der Betriebsspannung UB und dem gewünschten Kollektorstrom im
Arbeitspunkt IC0 aus. Mittels RB wird der Arbeitspunkt eingestellt.
UB − UCE0 UB − UBE0 UB − UBE0
RC = ; RB = =B
IC0 IB0 IC0
Da meist UB UBE ist, genügt es, wenn bei Siliciumtransistoren UBE ≈
0,6 . . . 0,7 V gesetzt wird.
Verstärkungsverhalten. Die zu verstärkende Wechselspannung wird über

C1 in die Verstärkerschaltung eingekoppelt, das verstärkte Signal über C2
ausgekoppelt. Dabei stellen die Koppelkondensatoren für die zu übertragen-
den Signalfrequenzen einen Wechselspannungskurzschluss dar. Aus diesem
Grund erscheinen sie nicht im Kleinsignalersatzschaltbild (→ Bild 6.45b). Die
Betriebsspannungsquelle liefert eine konstante Spannung und stellt deshalb
für sämtliche Frequenzen einen Wechselspannungskurzschluss dar.
Das Übertragungsverhalten des Verstärkers lässt sich anhand des Kleinsigna-
lersatzschaltbildes anschaulich interpretieren. Die eingespeiste Kleinsignal-
Wechselspannung U e wird über den Koppelkondensator C1 ungedämpft an

die Basis des Transistors übertragen. Da sie somit am Widerstand der Basis-
Emitter-Diode rBE anliegt, bestimmt sie den Basisstrom I B und über die Strom-
verstärkung des Transistors β auch den Kollektorstrom I C . Dieser erzeugt am
Gesamtausgangswiderstand des Verstärkers ra die Ausgangsspannung U a .
Die dynamischen Verstärkerkenngrößen (Kleinsignalkennwerte) Eingangswi-
derstand re , Ausgangswiderstand ra , Spannungsverstärkung vu und Stromver-
stärkung vi sind aus dem Kleinsignalersatzschaltbild zu bestimmen.
Damit die Signalfrequenzen durch die Koppelkondensatoren ungedämpft
übertragen werden, müssen die Grenzfrequenzen der entstehenden Hochpass-
glieder (C1 und re ) bzw. (C2 und re + RL ) unterhalb des Signalfrequenzberei-
ches liegen. Es gilt:
1 1 1 1
fg1 = · und fg2 = ·
2π C1 re 2π C2 (re + RL )
Der Einfachheit der Schaltung stehen erhebliche Nachteile gegenüber:
Der Arbeitspunkt verschiebt sich bei Temperaturänderungen.
Der durch RB festgelegte Arbeitspunkt stimmt nur für eine bestimmte, der
Berechnung zugrunde gelegte Stromverstärkung.
Schaltungen mit Arbeitspunktstabilisierung

Eine Stabilisierung des Arbeitspunktes gegenüber thermischen und exemplar-
bedingten Einflüssen wird durch Schaltungen mit Gegenkopplung erreicht (→
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6.10 Feldeffekttransistoren (FET) 289
Tabelle 6.16). In den Kleinsignalersatzschaltungen (KSE) ergeben sich nur

minimale Änderungen gegenüber Bild 6.45b. Diese betreffen lediglich die
Eingangs- und Ausgangswiderstände.
Tabelle 6.16 Schaltungsvarianten zur Arbeitspunkteinstellung bipolarer

Transistoren in Kleinsignalverstärkerschaltungen
Arbeitspunktfestlegung mit Stabilisierung durch Stromgegenkopplung
UB − UCE0 − URE
C3 vermindert die fre- RC =
+UB IC0
quenzabhängige Wech-
R1 RC
C2 selstrom-Gegenkopplung RE = URE
an RE . Je größer die Ka- IC0 + IB0
C1 IC0 pazität von C3 , desto UB − UBE0 − URE
I B0 R =
niedriger liegt die untere 1 IB0 + Iq
Iq Grenzfrequenz fu . UBE + URE
R2 =
C3 Iq
R2 RE U RE
C3 ≈
100 6
2π fu RE
Iq = nIB0 mit n = 2 . . . 10
URE ≈ 0,1UB (aber = 1 V)

Änderung in KSE: RB → R2 kR1
Arbeitspunktfestlegung mit Stabilisierung durch Spannungsgegenkopplung
UB − UCE0
R1 = R1.1 + R1.2 und C3 RC =
RC +UB IC0 + IB0 + Iq
bilden einen Tiefpass,
C3 R12. C2 durch den eine verstär- UCE0 − UBE0
R1 =
kungsmindernde Wech- IB0 + Iq
R11. IC0 selspannungs-Gegen- UBE0
kopplung vermieden R2 =
C1 I B0 Iq
wird.
Iq Iq = nIB0 mit n = 0 . . . 5
C3 ≈ 0,1 µF
R2 Änderung in KSE:
RB → R2 kR1.1
RC → RC kR1.2
6.10 Feldeffekttransistoren (FET)
6.10.1 Übersicht
Die Funktion von Feldeffekttransistoren (FET) beruht auf der Steuerung

der Leitfähigkeit oder des Querschnitts eines halbleitenden Kanals durch
ein elektrisches Feld, das von einer Steuerelektrode erzeugt wird.
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Die Anschlüsse des Kanals heißen Source S (Quelle) und Drain D (Senke), der
Anschluss der Steuerelektrode ist das Gate G (Tor). Das Substrat wird auch
als Bulk B (Masse) bezeichnet. Der Kanal weist durchgängig den gleichen
Leitfähigkeitstyp wie Source und Drain auf. Der Ladungträgertransport wird
deshalb von Majoritätsträgern dominiert. Da nur eine Ladungsträgerart den
Stromfluss bestimmt, wird auch der Name Unipolartransistoren verwendet.
Die Steuerelektrode ist gegenüber dem Kanal isoliert. Dafür sind zwei Vari-
anten verbreitet:
dielektrische Isolation: IGFET (insulated-gate FET); MISFET (metal-insu-

lator semiconductor FET) (→ Bild 6.46b, c)
Isolation durch gesperrten pn-Übergang: SFET (Sperrschicht-FET); JFET
(junction FET) bzw. Schottky-Übergang: MESFET (→ Bild 6.46a)
S G D S G D S G D
3
4
p
n+ n+ n+ n+ n+ n-Kanal n+
n-Kanal
p-Substrat p-Substrat
p-Substrat
B B 1 2 B
a) b) c)
Bild 6.46 Schematischer Aufbau von Feldeffekttransistoren:
a) n-Kanal-Sperrschicht-FET, b) n-Kanal-MISFET Enhancement-Typ,
c) n-Kanal-MISFET Depletion-Typ
1 Anreicherungszone, 2 Verarmungszone, 3 Metallgate, 4 SiO2 -Isolationsschicht
Bei Isolierschicht-FET besteht das Gate aus Aluminium (MGT Metallgate-

technik) oder aus polykristallinem Silicium (SGT Siliciumgatetechnik), die
Isolierschicht aus einem Oxid (SiO2 , Al2 O3 ) – MOSFET (metal oxide semi-
conductor FET) oder aus Siliciumnitrid (Si3 N4 ) – MNSFET (metal nitride
semiconductor FET).
Der leitfähige Kanal kann
p-leitend (p-Kanal-FET) oder
n-leitend (n-Kanal-FET) sein.
Der Kanal kann herstellungsbedingt

bereits ausgebildet sein (selbstleitender, Verarmungs- oder Depletion-FET
oder
erst durch eine Steuerspannung erzeugt werden (selbstsperrender, Anrei-
cherungs- oder Enhancement-FET.
Leitwertsteuerung. Die Leitwertsteuerung erfolgt beim SFET, den es nur

als selbstleitenden Typ gibt, durch Beeinflussung des Kanalquerschnitts und
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beim IGFET durch Änderung der Ladungsträgerdichte im Kanal (Steuerung

der Oberflächenleitfähigkeit).
Je nach Art der Sperrschicht und des Kanaltypus sind sechs verschiedene
Feldeffekttransistorarten möglich (→ Tabelle 6.17).
Tabelle 6.17 Übersicht zu den sechs verschiedenen Feldeffekttransistorarten

Sperrschicht-Feldeffekttransistoren (SFET)
p-Kanal-SFET n-Kanal-SFET
−I D ID
−I D ID
I DSS I DSS
D
−UDS U DS
G
UGS −UGS
S
UP UGS
−UGS U
P
6
UDS < 0; UGS = 0; UDS > 0; UGS 5 0;
UGS < 0 nicht zulässig UGS > 0 nicht zulässig

Isolierschicht-Feldeffekttransistoren, selbstleitend (IGFET/D)
p-Kanal-IGFET/D n-Kanal-IGFET/D
−I D ID
−I D ID
D
I DSS I DSS
B −UDS U DS
G
UGS −UGS
S −UGS U
UP UGS P
UDS < 0; UGS = 0; UDS > 0; UGS 5 0;

UGS < 0 zulässig UGS > 0 zulässig
Isolierschicht-Feldeffekttransistoren, selbstsperrend (IGFET/E)
p-Kanal-IGFET/E n-Kanal-IGFET/E
−I D ID
−I D ID
I DSS I DSS
−UDS U DS
−UGS UGS
−UGS UGS
2U P UP UP 2U P
UDS < 0; UGS < 0 UDS > 0; UGS > 0
Bemerkungen: UP Schwellspannung, (threshold voltage, pinch-off voltage)
IDSS Drainstrom bei UGS = 0 bzw. bei UGS = 2UP
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Zwischen dem Substratanschluss sowie Kanal, Source und Drain liegt stets
ein gesperrter pn-Übergang, der das Bauelement gegen das umgebende Halb-
leitergebiet isoliert.
Damit dieser pn-Übergang gesperrt ist, muss über ihm eine Spannung
USB = 0 V bzw. eine Sperrspannung liegen. Meist ist dies durch einen
bauelementeinternen Kurzschluss zwischen Source und Bulk gewährleistet
und es sind dann nur die Anschlüsse Gate, Drain und Source nach außen
geführt.
6.10.2 Strom-Spannungs-Kennlinie
Schwellspannung. Die Leitfähigkeit des Kanals kann durch den zwischen

Gate und Source (Kanal) wirksamen Potenzialunterschied (Gate-Source-
Spannung UGS ) verändert werden. Im n-Kanal-Anreicherungs-FET nimmt
die Leitfähigkeit des Kanals bei Erhöhung von UGS nach Überschreiten der
Schwellspannung UP durch Erhöhung der Elektronendichte zu. Bei UGS <
UP ist die Leitfähigkeit nahezu null. In Analogie dazu geht beim n-Kanal-
Verarmungs-FET die Leitfähigkeit des technologisch bedingten Kanals infol-
ge Ladungsträgerverarmung bei Unterschreiten von UP gegen null.
Kanaleinschnürung. Liegt zwischen Drain und Source eine Spannung UDS ,

kann ein vom Zustand des Kanals abhängiger Drainstrom ID fließen. UDS
beeinflusst die Feldstärke zwischen Gate und Kanal. Sie nimmt von Source
nach Drain hin ab, sodass der Kanal keilförmig eingeengt wird (→ Bild
6.47). Der Drainstrom nimmt deshalb bei Erhöhung von UDS zunächst zu und
erreicht schließlich bei der Abschnürgrenzspannung UDSsat (Sättigungsspan-
nung) infolge drainseitiger Kanaleinschnürung einen Sättigungswert.
UDSsat = UGS − UP (6.47)
p
n+ n+
n
Bild 6.47 Kanaleinschnürung
p am SFET
Stromrichtungen. Prinzipiell lassen sich Drain und Source miteinander ver-

tauschen. Wegen einer technologisch bedingten Unsymmetrie im Aufbau
realer Transistoren ergeben sich aber leicht veränderte Parameter. Die propa-
gierten Daten gelten für eine Strömungsrichtung der Ladungsträger im Kanal
von Source nach Drain.
Die Betrachtungen zur Strom-Spannungs-Kennlinie erfolgen am n-Kanal-
Enhancement-MOSFET. Sie sind aber mit veränderten Schwellspannungen
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und Spannungsrichtungen qualitativ auf jeden anderen Typ übertragbar. Auch

die Steuerung des Kanalquerschnitts beim SFET führt zu vergleichbaren
Strom-Spannungs-Beziehungen, wie für den MOSFET.
Kennlinien. Die Strom-Spannungs-Beziehung eines MOSFET ist unterteilt

in den Sperrbereich UGS − UP 5 0, den ohmschen Bereich (Triodenbereich)
UGS − UP = UDS > 0 und den Abschnürbereich (Pentodenbereich, Pinch-off-
Bereich) 0 < UGS − UP 5 UDS .

 0 für UGS − UP 5 0
ID = β (2(UGS − UP )UDS − UDS2
) für UGS − UP =UDS > 0 (6.48)

β (UGS − UP )2 für 0 <UGS − UP 5UDS
Wichtige konstruktionsbedingte Bauelementeparameter sind die Schwellspan-
nung UP und die Transistorkonstante β . Letztere ist entsprechend Gl. (6.49)
von den geometrischen Kenngrößen Kanalweite b und Kanallänge L abhängig.
µ n ε ox b 6
β = (6.49)
2dox L
µ n Ladungsträgerbeweglichkeit
ε ox Permittivität des Gateisolators
dox Dicke des Gateisolators
Diese Gleichungen lassen sich darstellen durch (→ Bild 6.48):
Übertragungskennlinien ID = f (UGS )|UDS
Ausgangskennlinien ID = f (UDS )|UGS
Der stationäre Gatestrom eines FET ist wegen der Isolation der Gateelektrode
null.
Bei Einführung des in Bild 6.48 gekennzeichneten Bezugsstromes IDSS lässt
sich die Strom-Spannungs-Beziehung des FET im Abschnürbereich auch in
folgender Form schreiben:
2
UGS
ID = IDSS 1 − (6.50)
UP
Diese Beziehung wird hauptsächlich bei Sperrschicht-FET verwendet.

Gatedurchbruch. Übersteigt die Feldstärke Eox im Gateisolator einen kriti-
schen Wert (Ekrit = 5·106 V/cm bei SiO2 ), erfolgt ein elektrischer Durchschlag
der Isolatorschicht, wodurch das Bauelement zerstört wird. Dieser Durch-
bruch kann bereits durch elektrostatische Aufladung verursacht werden.
Draindurchbruch. Mit wachsender Spannung UDS entsteht in der Abschnür-
zone des Kanals eine ausreichend hohe Längsfeldstärke, um Lawinenver-
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I D in
ohmscher Abschnürbereich
mA UGS = 0
a) I DSS 15 Bereich
Abschnürgrenze
(UDSsat = U GS − UP )
Durchbruchbereich
UDS = 10 V 10 10 − 1V
−2V
5 5
−3V
UP UDS = 2 V −4V
0 0
−6 −4 −2 0 0 10 16
UGS in V UDS in V
I D in
ohmscher Abschnürbereich
mA Ptot = 300 mW
b) 40 Bereich − 10 V
UDS = − 10 V 40
UGS = − 9 V
30
30
I DSS Abschnür-
20 grenze −8V
20
UDS = − 2 V −7V
10 10 −6V
2U P UP −5V
0 0
− 12 −8 −4 0 0 4 8 12 16 20
UGS in V UDS in V
I D in
16 mA 16 ohmscher +3 V
Bereich
c) Ptot = 160 mW
12 12 +2 V
Abschnürgrenze +1 V
I DSS 0
8 8
UGS = − 1 V
UDS = 10 V
−2V
4 4 −3V
UP −4V
UDS = 2 V −5V
0
−6 −4 −2 0 2 0 4 8 12 16 20
UGS in V UDS in V
Bild 6.48 Kennlinienfelder von Feldeffekttransistoren
a) n-Kanal-Sperrschicht-FET, b) p-Kanal-Anreichnerungs-FET,
c) n-Kanal-Verarmungs-MOSFET
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vielfachung von Ladungsträgern zu verursachen. Die Folge ist ein star-

ker Stromanstieg. Die Durchbruchspannung UBR begrenzt die Drain-Source-
Spannung.
6.10.3 Kleinsignalverhalten
Die Beschreibung des Kleinsignalverhaltens erfolgt über die Leitwertparame-

ter und das π-Ersatzschaltbild (→ Bild 6.49). Für das Verstärkungsverhalten
werden die Vierpolparameter nur im Pentodenbereich benötigt.

CGD
-I G -I D
G D
U
- GS UDS
-
CGS CDS gDS
S .U
- GS Bild 6.49 π-Ersatzschaltbild
S eines FET
6
Vierpolgleichungen. Bei niedrigen Frequenzen sind kapazitive Effekte ver-
nachlässigbar. Im Ersatzschaltbild entfallen alle Kapazitäten. Die Vierpolpa-

rameter können aus der Differenziation der Kennliniengleichung im Arbeits-
punkt gewonnen werden. Die Vierpolgleichungen lauten dann:
IG = 0 (6.51)
I D = y21U GS + y22U DS (6.52)
mit den Vierpolparametern
Steilheit:

dID 2ID0
y21 = S = = 2β (UGS − UP ) = (6.53)
dUGS UDS0 UGS0 − UP
Ausgangsleitwert:

1 dID
y22 = gDS = = = β λ (UGS0 − UP )2 = λ ID0 (6.54)
rDS dUDS UGS0
Kanallängenverkürzung. Der Ausgangsleitwert ist nicht direkt aus der idea-

lisierten Kennliniengleichung zu gewinnen. Der Faktor λ beschreibt den rea-
len Anstieg der Ausgangskennlinien infolge drainspannungsabhängiger Ver-
änderung der Breite der Abschnürzone, der so genannten Kanallängenverkür-
zung. Dieser Effekt wirkt ähnlich wie der Early-Effekt beim Bipolartransistor.
Er kann auch in der Gleichung des Abschnürbereichs ähnlich berücksichtigt
werden.
ID = β (UGS − UP )2 (1 + λUDS ) (6.55)
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Wirkung des Gateisolators. Bei hochfrequenten Signalen ist die kapazitive

Wirkung des Gateisolators beim MOSFET bzw. der Sperrschicht beim SFET
nicht mehr vernachlässigbar. Diese tritt zwischen Gate und Kanal auf. Durch
die elektrische Verbindung des Kanals zu Source und Drain wirkt die Isolator-
kapazität Cox (bzw. Sperrschichtkapazität CS ) vom Gate sowohl zum Source
als auch zum Drain. Bei voll ausgebildetem Kanal (Triodenbereich) teilt sich
die Isolatorkapazität zu gleichen Teilen auf Source und Drain auf. Es gilt:
CGS = CGD = 0,5 · Cox (6.56)

Bei abgeschnürtem Kanal (Pentodenbereich) ist eine Aufteilung messbar:
2
CGS = Cox (6.57)
3
CGD = 0 (6.58)
I Bei Kurzschluss zwischen Source und Bulk (USB = 0) erscheint zusätzlich die
Sperrschichtkapazität des Drain-Bulk-Übergangs zwischen Drain und Source CDS
(→ Bild 6.49).
6.10.4 Effekte bei integrierten MOSFET
Body-Effekt. Bei integrierten MOSFET tritt die Source-Bulk-Spannung USB

als unabhängige Variable auf. Der wichtigste von ihr beeinflusste Parameter
ist die Schwellspannung. Deren Abhängigkeit von USB wird als Body-Effekt
bezeichnet (→ Gl. (6.59), → Bild 6.50). Der Body-Faktor γ und die Fermi-
Spannung ϕ F ergeben sich aus konstruktiven und Materialparametern.
p p
UP = UP0 + γ USB + 2ϕ F − 2ϕ F (6.59)
CGD
U P in V
G D
1 CDB
0,5 U P0 CGS B
gDS CSB
1 2 3 4 5 S S
USB in V S-
UGS Sb U SB
Bild 6.50 Body-Effekt der Schwell- Bild 6.51 Vierpoliges Ersatzschaltbild
spannung des MOSFET
Transistoren, deren Source-Bulk-Spannung nicht null ist, erfahren durch

die veränderte Schwellspannung eine reduzierte effektive Steuerspannung
UGSE = UGS − UP und folglich auch eine veränderte Kleinsignalsteilheit S.
Bei Aussteuerung des Sourcepotenzials durch ein Signal muss dieser Effekt
im Kleinsignalersatzschaltbild durch eine zweite Steuerstromquelle, deren
Übertragungsleitwert Backgatesteilheit Sb heißt, berücksichtigt werden. Der
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MOSFET ist dann als vierpoliges Bauelement (→ Bild 6.51) zu betrachten.

dID UGS − UP
Sb = − =γβp = γB · S (6.60)
dUSB UGSA USB + 2ϕ F
γ
mit γB = p (6.61)
2 USB + 2ϕ F
Weak-Inversion-Strom. Eine genaue Analyse des Drainstromes zeigt abwei-

chend vom einfachen Modell einen kleinen Strom auch für Steuerspannungen
0 < UGS < UP . Er ist auf eine schwache Kanalinversion (weak inversion)
zurückzuführen und weist eine exponentielle Abhängigkeit von der Gate-
Source-Spannung auf. Entsprechend ergibt sich:
UGS −UP

− UDS
IWD = ID0 · e NUT 1 − e UT (6.62)
UT Temperaturspannung
N Bulkfaktor 6
6.10.5 Thermisches Verhalten

Die Temperaturabhängigkeit wird im Wesentlichen über die Beweglichkeit
der Ladungsträger und die Schwellspannung bestimmt. Die Beweglichkeit
verursacht eine umgekehrt proportionale Temperaturabhängigkeit. Der Tem-
peraturgradient der Schwellspannung
dUP mV
≈ −1
dT K
führt zu einer direkten Proportionalität von Strom und Temperatur. Eine
geschickte Wahl der effektiven Steuerspannung UGSE = UGS − UP ermöglicht
eine Kompensation beider Einflüsse zu einem temperaturunabhängigen Ar-
beitspunkt. Aber auch bei einer Abweichung von diesem idealen Arbeitspunkt
ist die Temperaturabhängigkeit eines MOSFET viel kleiner als die eines
Bipolartransistors.
6.10.6 Anwendungen von Feldeffekttransistoren
6.10.6.1 FET als elektronischer Schalter

Wird der MOSFET als Schalter in der digitalen Schaltungstechnik eingesetzt,
so sind die Verzögerungen in seinem Inneren vernachlässigbar klein. Die
innerelektronischen Auf- und Abbauvorgänge der Kanalladung gehen we-
sentlich schneller vor sich als die Umladung der externen Knotenkapazitäten
(Lastkapazität). Zur Berechnung von Schaltvorgängen sind folglich nur die
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stationäre Strom-Spannungs-Beziehung und die Gate- und Subtratkapazitäten

zu berücksichtigen.
Wird der Feldeffekttransistor zum Schalten großer Ströme eingesetzt, dann
sind entsprechende Leistungs-FET zu nutzen (→ 6.10.6.5). Es gelten ver-
gleichbare Gesichtspunkte, wie im Abschnitt 6.9.6.1 bez. der auftretenden
Blindanteile der Lastwiderstände.
Beim Einsatz des FET als Niederspannungsschalter (Logikelement) in der Di-
gitaltechnik wird der Lastwiderstand durch einen weiteren Feldeffekttransistor

ersetzt. Dies führt zur Platzeinsparung bei der Integration der Schaltungen und
verbessert die Schaltungseigenschaften (→ 8.3.2.2). Man unterscheidet drei
typische Invertervarianten anhand des Typs des verwendeten Lasttransistors
TL (→ Bild 6.52):
EE-Inverter: Enhancement-Lasttransistor, Enhancement-Schalttransistor
ED-Inverter: Depletion-Lasttransistor, Enhancement-Schalttransistor
CMOS-Inverter: p-Kanal-Enhancement-Lasttransistor, n-Kanal-Enhance-
ment-Schalttransistor
Der Lasttransistor beeinflusst wesentlich die Größe des Ausgangs-High-Pe-

gels. Der EE-Inverter liefert UAH = UB − UP . Am ED-Inverter und CMOS-
Inverter erreicht der Ausgang die maximal mögliche Spannung UAH = UB .
Vorteil des CMOS-Inverters. Der besondere Vorteil besteht in der Vermei-

dung eines stationären Stromes durch beide Transistoren. Da bei idealen
Eingangspegeln stets einer der beiden Transistoren gesperrt ist, geht die
statische Stromaufnahme der Schaltung gegen null. Gleichzeitig entstehen
ideale Ausgangsspannungspegel UAH = UB und UAL = 0. Zur Bestimmung
der Schaltzeiten werden Gl. (6.48) und die Eingangskapazität der Folgestufe
benötigt.
UB UB UB
TL TL TL
A A E A
E TS E TS TS
a) b) c)
Bild 6.52 MOSFET-Inverter: a) EE-Typ, b) ED-Typ, c) CMOS-Typ
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6.10.6.2 Steuerbarer Widerstand
FET als steuerbarer Widerstand. Der Kanal eines FET stellt einen durch die
Gate-Source-Spannung steuerbaren Widerstand dar. Für kleine Drain-Source-
Spannungen UDS < UGS − UP , d. h. im ohmschen Bereich, ergibt sich der
Widerstand des FET zu
UDS 1
RDS = = (6.63)
IDS β (2(UGS − UP ) − UDS )
Für sehr kleine Drain-Source-Spannungen UDS UGS − UP nähert sich RDS

einem von UDS unabhängigen Wert.
1 UGS − UP
RDS = = (6.64)
2β (UGS − UP ) 2IDSS
Es ergibt sich ein linearer Widerstand, dessen Größe allein von UGS abhängt
und somit elektronisch steuerbar ist. Bild 6.53 zeigt drei Anwendungsfälle in
Spannungsteilerschaltungen.
6
RV T1 T2
UE UA RL UE UA RL UE UA RL
UGS UGS UGS

a) b) c)
Bild 6.53 Spannungsteilerschaltungen mit Feldeffekttransistoren: a) Teiler mit
Längstransistor, b) Teiler mit Quertransistor, c) Teiler mit Längs- und Quertran-
sistor
6.10.6.3 Kleinsignalverstärker
Grundschaltungen. Die Anwendung der Feldeffekttransistoren als Klein-

signalverstärker erfolgt in Analogie zum Bipolartransistor (→ 6.9.6.2). Die
Grundschaltungen können entsprechend übertragen werden. Sie unterschei-
den sich nur in der Art der Arbeitspunkteinstellung.
Aus der Kleinsignalersatzschaltung lassen sich die dynamischen Verstärker-
kenngrößen (Kleinsignalkennwerte) Eingangswiderstand re , Ausgangswider-
stand ra , Spannungsverstärkung vu und Stromverstärkung vi ermitteln.
Arbeitspunkteinstellung. Der Arbeitspunkt wird im Abschnürbereich bei
UDS = UB /2 gewählt. Bei Anreicherungs-FET wird UGS0 über einen hoch-
ohmigen Gate-Spannungsteiler eingestellt. Der für n-Kanal-Verarmungs-FET
erforderliche i. Allg. negative Wert UGS0 ist am einfachsten durch einen Sour-
cewiderstand RS realisierbar, der gleichzeitig als Gleichstrom-Gegenkopplung
den Arbeitspunkt stabilisiert.
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Tabelle 6.18 Grundschaltungen unipolarer Transistoren
Schaltung Kleinsignalersatzschaltung
Sourceschaltung:
mit n-Kanal-Anreicherungs-FET
UB
G D
R1 RD
A
C1 C2 U U
e a
E R1 R S U GS r DS R
2 D
R2 S
mit n-Kanal-Verarmungs-FET
UB
G D
RD
A
C1 U U
C2 e a
E R1 S U GS r DS R
D
C3
R1 RS S
6.10.6.4 Konstantstromquellen
Besonders einfach lassen sich Konstantstromquellen mit Sperrschicht-FET

realisieren. Sie benötigen lediglich einen Widerstand zur Einstellung des
gewünschten Konstantstromes. Der FET ist im Abschnürbereich zu betreiben.
UB
ID
−UGS S G
UGS RS R
S
RS IL RLmax + RS ( RL = 0) ra
S UGS r DS
IL
D
RL UDSrest UB UDS
a) b) c)
Bild 6.54 Konstantstromquelle mit n-Kanal-SFET
a) Schaltung, b) Ausgangs-Kennlinienfeld mit den Arbeitsgeraden für RS und
RS + RLmax , c) Kleinsignalersatzschaltung
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Mit der dort gültigen Kennliniengleichung, Gl. (6.50), und der Beziehung
RS = USG /IL folgt für die Bemessung der Schaltung nach Bild 6.54:
r
|UP | IL
RS = 1− (6.65)
IL IDSS
UB − UDSrest
RLmax = − RS (6.66)
IL
Darin ist UDSrest ≈ 1,5UDSsat .
Diese Stromquelle besitzt einen sehr hohen dynamischen Ausgangswiderstand

von
ra = RS + rDS (1 + SRS ) (6.67)
6.10.6.5 Leistungs-Feldeffekttransistoren
Feldeffekttransistoren für große Leistungen (UDS bis 1000 V, ID bis 100 A

und Ptot bis 450 W) werden mittels anisotroper Ätztechnik hergestellt (→ Bild 6
6.56). Bei diesen Vertikal-MOSFET ist zwischen dem Kanal und dem Drain
eine schwach dotierte Zone (π-Zone) angeordnet, die die hohe Spannung
aufnimmt. Die Kanallänge beträgt nur 1,5 µm, sodass sich ein sehr kleiner
Kanalwiderstand ergibt. Eine andere Variante der Leistungs-FET sind die
SIPMOS-Transistoren. Sie bestehen aus der Parallelschaltung einiger tausend
winziger selbstsperrender MOS-Elemente.
Eine andere Möglichkeit, Hochspannungs-MOSFET herzustellen, ist der
DMOS-FET. Um mit der konventionellen CMOS-Technologie kompatibel
zu bleiben, wird der steuerbare Kanalbereich und die Driftzone in lateraler
Richtung an der Halbleiteroberfläche angeordnet. Die Driftzone dient der
Aufnahme der Hochspannung. Sie muss dazu eine entsprechende Ausdehnung
besitzen. In diesem Bereich kann der Stromfluss nicht mehr gesteuert werden.
Durch die existierende horizontale Feldstärke wird jede im Kanalbereich
eingestellte Elektronenflussdichte in Richtung Drain abtransportiert.
Der HEXSENSE-MOSFET hat außer für Source, Gate und Drain zwei An-
schlüsse zur Strommessung (Current Sense, Kelvin Source). Der zwischen
diesen Anschlüssen messbare Strom ist direkt proportional zum Drain-Strom
des MOSFET jedoch um ca. 3 Größenordungen kleiner, sodass Zuleitungs-
induktivitäten selbst bei schnellen Stromänderungen die Messung nicht be-
einflussen. Die Bezeichnung Kelvin Source für den Bezugspunkt der Mess-
anordnung geht auf den Erfinder dieses Messprinzips Lord Kelvin zurück.
Der HEXSENSE-MOSFET besteht wie die meisten Power-MOSFET aus
der Parallelschaltung einer Vielzahl von Einzel-MOSFET, die identische Ei-
genschaften aufweisen. Auf diese Weise können extrem hohe Drain-Ströme
realisiert werden. Die schematische Darstellung in Bild 6.55 soll verdeutli-
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chen, dass der Mess-MOSFET einer dieser Einzeltransistoren ist und dessen
Source als Messanschluss separat herausgeführt wird. Um Messfehler, die sich
aus den Zuleitungswiderständen zu den Einzel-MOSFETs ergeben, klein zu
halten, wird der Anschluss Kelvin Source in unmittelbarer Nähe des Mess-
MOSFET abgegriffen.
Drain Drain
Kelvin
Gate
Source
Gate
Current
Sense Current Power
Sense Source
Power Source Kelvin
Source
Bild 6.55 Schaltsymbol und schematische Darstellung eines HEXSENSE-MOSFET
Leistungs-MOSFET-Module zur Steuerung von Verbrauchern mit sehr großer

Leistungen werden für ID ≈ 200 A, Ptot ≈ 700 W und einen Kanalwiderstand

im EIN-Zustand von nur 5 mΩ hergestellt.
Besondere Eigenschaften und Anwendungen:
keine Speicherzeit, schnelle Schalter für die Leistungselektronik
positiver Temperaturkoeffizient, deshalb thermischer Selbstschutz (kein zwei-
ter Durchbruch möglich)
Leistungsstufen für NF-, HF- und Breitbandverstärker
D G Gate-Oxid Feld-Oxid
S G D
n+ n+
p p
n+ p n+
π π n−
n+ p−
S Kanal B Driftzone
Bild 6.56 Prinzipieller Aufbau Bild 6.57 Prinzipieller Aufbau
eines Vertikal-FET eines DMOS-FET
6.10.6.6 Spezielle Feldeffekttransistorarten
Infrarot-MOSFET. Das p-leitende Substrat ist zusätzlich mit Goldatomen

dotiert. Diese Störstellen werden erst bei Infrarotbestrahlung ionisiert, was zu
einer Erhöhung der Schwellspannung und damit zu einer von der Intensität
der Bestrahlung abhängigen Verminderung des Drainstromes führt.
Anwendung: Infrarotsensor
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Speicher-FET. Bei Speicher-FET erfolgt eine Ladungsspeicherung (Elektro-

nen) in einer Zwischenschicht innerhalb des Gateoxids eines MOSFET. Diese
Speicherladung verändert die Schwellspannung. Dadurch ist der Speicherzu-
stand leicht auswertbar.
Bei heutigen Technologien erfolgt die Ladungsspeicherung auf einer ins
Gateoxid eingebetteten und vollständig elektrisch isolierten zweiten Gate-
elektrode (Floating Gate), die aus polykristallinem Silicium besteht. Damit
Elektronen auf das Speichergate und bei Bedarf wieder zurück gebracht wer-
den können müssen sie die Potenzialbarriere Halbleiter-Isolator-Gateelektrode
überwinden. Dafür gibt es verschiedene Möglichkeiten. Die Realisierungs-
varianten der Speicher-FET werden nach der jeweils genutzten Möglichkeit
benannt.
FAMOS-Transistor (FAMOST – Floating Gate Avalanche MOSFET, →
Bild 6.58) und
FLOTOX-Transistor (Floating Gate Tunneling Oxide MOSFET, → Bild
6.59)
6
Beim FAMOST wird durch eine hohe Drainspannung ein Lawinendurchbruch
(Avalanche-Effekt) verursacht. Die dabei entstehenden energiereichen (hei-

ßen) Elektronen überwinden die Potenzialbarriere zum Gate. Eine gleichzei-
tige hohe Spannung am Steuergate unterstützt die Ablenkung der Elektro-
nen in Richtung des Speichergates (Floating-Gate). Die Elektronen auf dem
Speichergate erhöhen die Schwellspannung des MOSFET. Ein Entladen des
Speichergates ist nur möglich, indem das Bauelement mit UV-Licht bestrahlt
wird.
Anwendung: Bestandteil von EPROM-Speicherschaltkreisen (elektrisch program-
mierbarer NUR-LESE-Speicher).
SiO2 Poly-Si SiO2 Poly-Si

D G S D G S
n+ n+ n+ n+
p p
B B
Bild 6.58 Prinzipieller Aufbau Bild 6.59 Prinzipieller Aufbau
eines FAMOST-Speicher-FET eines FLOTOX-Transistor-Speicher-FET
Beim FLOTOX-Transistor handelt es sich ebenfalls um einen „Floating Gate

Transistor“. Allerdings überlappt das Speichergate das Draingebiet und das
zwischenliegende Gateoxid ist an einer Stelle stark verdünnt. Dadurch wird
an dieser Stelle bei entsprechender großer Spannung zwischen Drain und
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Steuergate eine so hohe Feldstärke erzeugt, dass Elektronen vom Drain auf
das Floating-Gate gelangen können, indem sie das Gatoxid durchtunneln. Die
Folge ist ein Ansteigen der Schwellspannung des MOSFET. Wichtiger Vorteil
dieser Struktur ist die Möglichkeit der Richtungsumkehr dieses Tunnelstroms
durch Ändern der Spannungsrichtung. Dies ermöglicht es, das Floating-Gate
wieder zu entladen, sodass der MOSFET die niedrige Schwellspannung zu-
rückerhält.
Anwendung: Bestandteil von EEPROM-Speicherschaltkreisen (elektrisch pro-
grammierbarer und elektrisch löschbarer NUR-LESE-Speicher).
I D in
mA 8 0,5 V
UGS2 = 1 V
6
S G1 G2 D 1V
4
D −1 V
2
n + n n+ n
n + G2 B −1,5 V
G1 0
p-Substrat
−3 −2 −1 0 1 2
S
a) B b) UGS1 in V
Bild 6.60 Prinzipieller Aufbau eines Bild 6.61 Übertragungskennlinien eines
Dualgate-MOSFET Dualgate-MOSFET
Dualgate-MOSFET (MOSFET-Tetrode). Der Dualgate-MOSFET hat zwei

Steuerelektroden G1 und G2 (→ Bild 6.60), über die eine multiplikative
Steuerung des Drainstroms durch zwei voneinander unabhängige Steuerspan-
nungen möglich ist (→ Bild 6.61).
Anwendungen:
im Verstärkungsgrad regelbare Verstärkerstufen (an G1 wird das Signal, an G2
die Regelspannung zugeführt)
Schaltungen zur Frequenzmodulation (z. B. Modulatorstufen in UKW- und
Fernsehempfängern)
Unijunction-Transistor. Der Aufbau des Unijunction-Transistors (UJT),

auch Doppelbasisdiode genannt, ähnelt dem eines Sperrschicht-FET (→ Bild
6.62). In ein schwach n-leitendes Gebiet ist unsymmetrisch zu den Anschlüs-
sen B1 (Basis 1) und B2 (Basis 2) eine als Emitter bezeichnete p-Zone (E)
eindotiert. Das n-Gebiet ist dadurch in die Abschnitte B1 -E und E-B2 mit
den Teilwiderständen rB1 und rB2 aufgeteilt. Der Gesamtwiderstand RBB =
rB1 + rB2 ist der Interbasiswiderstand, der praktisch in der Größenordnung
einiger Kiloohm liegt.
Die Funktion kann anhand der Ersatzschaltung und der Strom-Spannungs-
Kennlinie (→ Bild 6.63) abgeleitet werden.
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Eine an die Basisanschlüsse gelegte Spannung UBB erzeugt einen Interbasis-

strom, der UBB im Verhältnis der Teilwiderstände aufteilt. Die Teilspannung
an rB1 ist um den Faktor η kleiner als UBB . η ist ein wichtiger Kennwert des
UJT und wird als inneres Spannungsverhältnis bezeichnet:
rB1
η = (6.68)
rB1 + rB2
B2 B2
B1 E
E B2
n
n
E p B1
p rB1 rB2 c)
RBB
a) B1 b)
6
Bild 6.62 Unijunction-Transistor (UJT)
a) Aufbau als Legierungstyp, b) Aufbau als Planartyp, c) Schaltungskurzzeichen
Die Strecke E-B1 stellt eine Diode dar. Diese ist gesperrt, solange die zwischen
E und B1 anliegende Spannung UEB1 kleiner als US + η UBB (Schleusenspan-
nung US ≈ 0,7 V) ist. Bei UEB1 = UP (Höckerspannung) schaltet die Diode
durch. Vom Emitter werden Minoritätsträger (Löcher) in den Basisraum E-B1
injiziert, sodass rB1 kleiner wird und UEB1 auf die Talspannung UV absinkt.
Der Emitterstrom muss durch einen Vorwiderstand begrenzt werden.
b) UBB = 0
IE
UBB = const
I EAV
a) B2
rB2
IV
IE U BB
IP ≈
US 5 µA
ηUBB
rB1 −I EB1 ≈ U EB1
U EB1 20 µA
B1 UV UEBsat UP
Bild 6.63 Doppelbasisdiode: a) Ersatzschaltung, b) Strom-Spannungs-Kennlinie
Kennwerte: RBB ≈ 7 kΩ; TKRBB ≈ 0,5 %/K; η ≈ 0,7; IP ≈ 5 µA bei UBB = 25 V;
IV ≈ 5 mA bei UBB = 20 V.
Grenzwerte: UBB ≈ 35 V; IEAV ≈ 2 mA; IEM ≈ 2 A; Ptot ≈ 300 mW; ϑ j ≈ 125 ◦ C.
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Anwendungen:
Schwellwertschalter
Sägezahn- und Impulsgeneratoren (→ Bild 6.63)
Bemessungsrichtlinie zur Schaltung nach Bild 6.63:
R1 ≈ 5UP /IEM ; R2 ≈ 0,7 V · RBB /(η UB ); t1 ≈ C(UP − UV )/IC . IC wird mit RS der
Konstantstromquelle (FET und RS ) eingestellt.
UC
UP
UV
FET +UB
R2 t
UJT U B1
RS I E R1
IC
R1 U B1 UV
UC C
t2 t
t1
a) b)
Bild 6.64 Sägezahn- und Impulsgenerator mit einem UJT
a) Schaltung, b) Impulsdiagramme der Ausgangsspannungen
IGBT. Der IGBT (isolated gate bipolar transistor) ist ein feldeffektgesteuer-
ter Leistungstransistor. Das Bauelement besteht eigentlich aus zwei Transis-
toren. Die sehr großen Ausgangsströme werden durch einen Bipolartransistor
(Kollektor, Emitter) geliefert. Dessen Basisstrom wird durch einen MOSFET
gesteuert. Das isolierte Gate dieses MOSFET bildet die Steuerelektrode der
Baugruppe.
E G
SiO2
C n+
P+
G n-
E n+ Bild 6.65 Schaltsymbol und

p+ Querschnitt eines PT-IGBT
mit eingezeichneter
C Ersatzschaltung
Bild 6.65 zeigt das Prinzip eines PT-IGBT. In der eingezeichneten Ersatz-
schaltung ist zu erkennen, dass der Bipolar-Schalttransistor ein pnp-Typ und
der MOSFET ein n-Kanal-Typ ist.
Anwendung findet der IGBT vor allem in Gleich- und Wechselrichterschaltungen.
Das Leistungsspektrum umfasst Typen bis weit über 1 000 V, 600 A und 20 kHz.
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6.11 Thyristorbauelemente 307
6.11 Thyristorbauelemente
6.11.1 Überblick
Thyristoren (SCR, silicon controlled rectifier) sind Mehrschicht-

Halbleiterbauelemente. Charakteristisch ist ihr Schaltverhalten, für das
sich in der Steuerungstechnik und insbesondere in der Leistungselektronik
vorteilhafte Anwendungsmöglichkeiten ergeben.
Thyristoren haben ein ausgeprägtes Schalt- oder Kippverhalten mit den Zu-
ständen
EIN – durchgesteuert, niederohmig und
AUS – gesperrt, hochohmig.
Das Einschalten bezeichnet man mit Zünden, das Ausschalten mit Löschen.
Es ist zu unterscheiden zwischen Thyristordioden und Thyristortrioden. 6
IF
A A A
II
Ü1 p p T1
n T1 n U BR IH
Ü2 n UR
p p IS
p T2
Ü3 n T2 UF
n III UH I US
a) K b) K c) K IR
Bild 6.66 Vierschichtdiode Bild 6.67 Strom-Spannungs-Kennlinie
a) prinzipieller Aufbau, b) ersatzweise einer Vierschichtdiode
Aufspaltung in zwei Teilstrukturen, I Blockierbereich, II Durchlassbereich,
c) Transistorersatzschaltung III Sperrbereich
6.11.2 Einrichtungs-Thyristordiode
Wegen ihres Aufbaus wird die Einrichtungs-Thyristordiode auch als Vier-

schichtdiode bezeichnet. Sie kann als eine integrierte Zusammenschaltung
zweier komplementärer Transistoren aufgefasst werden (→ Bild 6.66).
Sperrpolung. Für UAK < 0 (A – Anode, K – Katode) sind die pn-Übergänge

Ü1 und Ü3 gesperrt, Ü2 ist in Durchlassrichtung gepolt. Bei einer bestimmten
Spannung UBR (→ Bild 6.67) kommt es zum Avalanche-Durchbruch an Ü1
und Ü3 ; das Bauelement verhält sich wie jede normale pn-Diode.
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Durchlasspolung. Für UAK > 0 sind Ü1 und Ü3 in Durchlass-, Ü2 in Sperrich-

tung geschaltet. Bei der Spannung US (Zünd- oder Schaltspannung) erfolgt der
Durchbruch an Ü2 . Der Spannungsabfall am Bauelement geht auf einen Wert
zurück, der der Durchlassspannung einer normalen pn-Diode entspricht. Es ist
deshalb notwendig, den Strom der Vierschichtdiode mit einem Vorwiderstand
auf einen zulässigen Wert zu begrenzen.
Kippverhalten. Anhand der Transitorersatzschaltung ist der Schaltvorgang
folgendermaßen erklärbar: Mit Erhöhung der Spannung UAK steigen auch

die Sperrströme der beiden Transistoren. Der Sperrstrom von T2 ist zugleich
Basisstrom von T1 und umgekehrt. Bei der Spannung US sind die Sperrströme
so groß geworden, dass sich die Transistoren gegenseitig aufsteuern und
durch den wechselseitigen Einfluss innerhalb eines sehr kurzen Zeitintervalls
voll durchsteuern. Die Vierschichtdiode ist in den niederohmigen Zustand
übergegangen. Die Anordnung verhält sich nun wie eine pin-Diode mit
einer vom Durchlassstrom abhängigen Durchlassspannung (etwa 1 V). Ein
Rücksetzen der Diode in den Sperrzustand erfolgt bei Unterschreiten eines
Mindestdurchlassstromes, des Haltestromes IH . Das kann durch Verminderung
der Betriebsspannung oder Vergrößerung des Widerstandes im Stromkreis
erreicht werden.
6.11.3 Zweirichtungs-Thyristordiode und Diac
Durch die integrierte Antiparallelschaltung zweier Vierschicht-Diodensys-

teme entsteht die Zweirichtungs-Thyristordiode oder die symmetrische
Vierschichtdiode.
Wie Bild 6.68 zeigt, handelt es sich um ein fünfschichtiges Bauelement.

Die Kennlinie weist im I. und im III. Quadranten des Koordinatensystems
prinzipiell den gleichen Verlauf mit Blockier- und Durchlasskennlinie auf (→
Bild 6.69).
Typische Grenz- und Kennwerte von Zweirichtungs-Thyristordioden:
US : 50 V ± 4 V, UH : 0,8 V, IS : 150 µA, IH : 12 . . . 45 mA, IFAV : 150 mA, IFM : 10 A,
Ptot : 150 mW, tein : 0,2 µs, taus : 5 µs.
Der Diac ist eine Zweirichtungs-Thyristordiode mit einem speziellen, geo-

metrisch und elektrisch symmetrischen Dreischichtaufbau (→ Bild 6.70),
der strukturell mit der Gegeneinanderschaltung zweier Z-Dioden vergli-
chen werden kann.
Der Leitungsmechanismus in der pnp-Struktur ist jedoch wesentlich kom-

plizierter und durch innere Rückkopplungseffekte geprägt, sodass sich ein
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von der Z-Diode abweichender Kennlinienverlauf ergibt (→ Bild 6.71). Cha-

rakteristisch ist, dass der Spannungsverlauf über dem Bauelement nach der
Zündung nur um einen relativ geringen Betrag ∆UF von etwa 6 . . . 10 V
zurückgeht.
Typische Grenz- und Kennwerte des Diac:
UB0 : 32 V ± 4 V in beiden Schaltrichtungen, ∆UF : 6 . . . 10 V, bei IF = 10 mA.
IB0 : 0,5 mA, IFM : 1 A, Ptot : 150 mW.
Anwendungen von Thyristordioden:
Ansteuerelemente für Thyristor und Triac

aktives Element in Kipp- und Sägezahngeneratoren
IF
IH
6
A2 US
UR IS
p IS UF
n IH US
p
n p
A1 IR
Bild 6.68 Prinzipieller Aufbau einer Bild 6.69 Strom-Spannungs-Kennlinie
symmetrischen Vierschichtdiode einer symmetrischen Vierschichtdiode
IF
∆U F
A2
U B0 10 mA
UR I B0
p
I B0 UF
n −10 mA U B0
A1 IR
a) b)
Bild 6.70 Diac: a) prinzipieller Bild 6.71 Strom-Spannungs-Kennlinie
Aufbau, b) Z-Dioden-Ersatzschaltung eines Diac
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6.11.4 Einrichtungs-Thyristortriode
6.11.4.1 Technologischer Aufbau
Die Einrichtungs-Thyristortriode, meist einfach als Thyristor bezeichnet,

gleicht in ihrer Halbleiterstruktur der Vierschichtdiode. Sie hat jedoch zusätz-
lich eine Steuerelektrode, das Gate (G), die mit einer der inneren Halbleiter-
schichten verbunden ist.
Es ist zu unterscheiden zwischen den am häufigsten verwendeten p- oder

katodenseitig und den selteneren n- oder anodenseitig gesteuerten Thyristoren
(→ Bild 6.72).
I Thyristoren werden vorzugsweise als leistungselektronische Bauelemente für
Dauergrenzströme über 1 A hergestellt.
A A G K
K
p p
G n p n
n n
G p p n
n n p
K K Gehäuseboden A
a) b) c)
Bild 6.72 Prinzipieller Aufbau und Symbole von Thyristoren:
a) mit katodenseitigem Gate, b) mit anodenseitigem Gate, c) technischer Aufbau
6.11.4.2 Wirkungsweise
Zündverhalten. Bei offenem oder mit Katode verbundenem Gateanschluss

verhält sich der Thyristor wie eine Vierschichtdiode. In der Schalt- oder
Vorwärtsrichtung erfolgt bei der Nullkippspannung UK0 der Übergang aus
dem Blockier- in den Durchlasszustand. Über die Steuerelektrode lässt sich
das Zündverhalten in Schaltrichtung beeinflussen. Durch einen in das Gate
eingespeisten Steuerstrom IG kann die Kippspannung verringert werden. Je
größer IG ist, desto weiter verschiebt sich die Zündspannung nach kleineren
Werten bis herab zu einigen Volt. Es ist üblich, für die Ströme und Spannungen
des Hauptstromkreises in Sperrichtung IR und UR , im Blockierzustand ID und
UD und im Durchlasszustand IT und UT zu schreiben.
Kippkennlinie. Der Übergang des Thyristors vom Blockier- in den Durch-
lasszustand (Zündung) vollzieht sich unter der Voraussetzung, dass ein aus-
reichend großer Zündimpuls IGT solange einwirkt, bis die Ladungsträgerdich-
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te in der Grenzschicht so weit angewachsen ist, dass der Laststrom einen

Mindestwert, den Einraststrom IHT , überschreitet. Die dafür nötige Zeit ist
die Zündzeit tgt (einige Mikrosekunden). IGT gilt für eine Kippspannung UDT
von 6 V. Aus der Kippkennlinie (→ Bild 6.73) kann der zur Zündung bei
beliebiger Spannung UD > UDT notwendige Gatestrom IG abgelesen werden.
Im Zünddiagramm (Eingangskennlinienfeld) umschließen die Steuergrenzen
für IGT /UGT und die Gate-Verlustleistungshyperbel die Bereiche der sicheren
und der wahrscheinlichen Zündung (→ Bild 6.74).
Löschverhalten. Nach der Zündung ist der Gateanschluss wirkungslos. Die

Zurückführung des gezündeten Thyristors in den Blockierzustand (Löschung)
ist nur über den Hauptstromkreis möglich. Der Laststrom muss einen Mindest-
wert, den Haltestrom IH , unterschreiten (→ Bild 6.75). Der Blockierzustand
wird nach Ablauf der Freiwerdezeit tq (20 . . . 300 µs) erreicht, während der
die Sperrschichten von den Ladungsträgern geräumt werden.
6
U D 800 U K0
in V UG
PGtot
600
UGTM
400 III
UGT
200 IGT II
UGD
0 I
0 10 20 30 40
IG in mA IGT IGTM IG
Bild 6.73 Kippkennlinie eines Thyristors Bild 6.74 Eingangskennlinienfeld

eines Thyristors mit den Gebieten der
Zündwahrscheinlichkeit
I Zündung nicht möglich,
II Zündung wahrscheinlich,
III Bereich der sicheren Zündung
Schutzbeschaltung des Thyristors. Im Blockierzustand dürfen rasche Span-

nungsänderungen einen bestimmten, vom Hersteller vorgeschriebenen Wert,
die kritische Spannungssteilheit SUkrit = duD /dt, nicht überschreiten; an-
dernfalls erfolgt Selbstzündung. Ferner darf nach der Zündung der Last-
strom eine bestimmte Anstiegsgeschwindigkeit, die kritische Stromsteilheit
SIkrit = diT /dt, nicht überschreiten, da sich sonst der Stromfluss im Kristall
auf eng begrenzte Strombahnen mit großer Stromdichte konzentriert. Dadurch
bedingte lokale Überhitzungen führen zur Zerstörung des Kristalls. Erreichbar
ist dies durch eine zusätzliche Reiheninduktivität.
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IT
UT
1
2
IGT I
G3 I
G2 I G1
I HT IG = 0
U BR IH
UR U DT U D3 U D2 U D1 U K0 UD
3
Sperrichtung Schaltrichtung
IR
Bild 6.75 Strom-Spannungs-Kennlinie eines Thyristors
1 Durchlasskennlinie, 2 Blockierkennlinie, 3 Sperrkennlinie
Beispiel für Kenn- und Grenzwerte eines Thyristors:

UDWM = URWM : 420 V; UDRM = URRM : 600 V; UT < 2 V; ITAV : 10 A; ITRMS : 16 A;
ITRM : 75 A; IGT : 50 mA; IH 5 75 mA; IHT 5 150 mA; tgt : 1,5 µs; tq : 100 µs; SUkrit :
200 V/µs; SIkrit : 50 A/µs.

Alle Kennwerte sind temperaturabhängig.
6.11.5 Zweirichtungs-Thyristortriode
Die Zweirichtungs-Thyristortriode oder der Triac kann technologisch und

funktionell als Antiparallelschaltung zweier Thyristoren aufgefasst werden
(→ Bild 6.76).
II IT
I
A2 negative
Schaltrichtung
n p −(U A2A1) I HT
A2
−UD IH
n IH UD
G A1 I HT (U A2A1)
p
n n positive
Schaltrichtung
G A1
III IV
a) b) −I T
Bild 6.76 a) Prinzipieller Bild 6.77 Strom-Spannungs-Kennlinie eines
Aufbau und b) Symbol eines Triac Triac
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Die Blockier- und Durchlassbereiche im I. und III. Quadranten des Kenn-

linienfeldes stimmen weitgehend überein (→ Bild 6.77). Da die äußeren
Elektroden sowohl Katode als auch Anode sein können, werden sie mit A1
(oder H1 – Hauptelektrode 1) und A2 (oder H2 ) bezeichnet. Bezugselektrode
ist immer A1 . Ein Zünden des Triac ist in jeder Richtung mit Steuerströmen
beider Polaritäten möglich.
I Für die praktische Anwendung ergeben sich in Wechselstromschaltungen erhebli-
che Vereinfachungen gegenüber Schaltungen mit Thyristoren.
6.11.6 Anwendungen von Thyristor und Triac
6.11.6.1 Leistungsschalter für Wechsel- und Gleichstrom
Da IGT IT ist, können Thyristoren als elektronisch gesteuerte Leistungs-

schalter (Halbleiterrelais, Halbleiterschütz) eingesetzt werden. Vorteilhaft 6
gegenüber elektromechanischen Relais sind die Wartungsfreiheit, der Wegfall
des Kontaktabbrandes und der Schaltgeräusche. Nachteilig sind die galvani-
sche Verbindung über die Halbleiterstruktur zwischen dem Steuer- und dem
Lastkreis und die Empfindlichkeit gegenüber Überlastungen.
Thyristoren erlauben verschiedene Steuerprinzipien. Ein Zünden kann entwe-
der durch Überschreiten der mittels Steuerstrom eingestellten Zündspannung
UD erfolgen oder durch Einspeisen eines ausreichend hohen Steuerstromim-
pulses jederzeit ausgelöst werden. Man spricht von Spannungszündung bzw.
Impulszündung.
Wechselstromschalter
Ziel der Anwendung des Thyristors ist die Steuerung der einem Verbraucher
zugeführten Leistung. Im Falle einer Wechselspannungsversorgung ist dies
auf zwei Arten möglich:
Phasenanschnittsteuerung
Schwingungspaketsteuerung
Phasenanschnittsteuerung.
Bei Phasenanschnittsteuerung wird dem Verbraucher nur während eines

Teils der Periodendauer der Wechselspannung ein Strom geliefert. Dieser
ist nicht mehr sinusförmig, stark oberwellenhaltig.
Der Zündzeitpunkt des Thyristors steuert den Stromflusswinkel Θ . Eine

einfache Schaltung für diese Steuerung ist in Bild 6.78 dargestellt.
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RL I U1
L
IL
UD
U1 R D Th
α Θ t
IG
a) b)
Bild 6.78 Phasenanschnittsteuerung
Die Größe des regelbaren Widerstandes R bestimmt den Zündzeitpunkt. Es

gilt
Û1 sin α − UF − UGT
R= (6.69)
IG
Der Steuerstrom IG legt den geforderten Wert der Zündspannung fest. Die
Spannung UGT zwischen Steuerelektrode und Katode des Thyristors be-
sitzt vor dem Zünden in Durchlassrichtung einen Wert von ca. 0,7 V. Für
die Durchlassspannung der Diode gilt UF = 0,7 V. Im Nulldurchgang der
Thyristorspannung erfolgt ein selbstständiges Löschen des Thyristors. Ein

entsprechender Stromflusswinkel Θ während der negativen Halbwelle der
Wechselspannung ist bei Verwendung eines Triacs zu erreichen. Die Diode
ist dann zu entfernen. Ein Stromflusswinkel Θ < 90◦ wird möglich, wenn der
Thyristor bzw. der Triac durch einen separat erzeugten Steuerimpuls gezündet
wird. Eine mögliche Schaltung zeigt Bild 6.79. Auf diese Weise ist eine
kontinuierliche Leistungssteuerung bis PV = 0 möglich.
RL
Th
D
1k
220 V 2,2 k
~
220 k 27
0,1 µ 0,22 µ Bild 6.79 Zündschaltung mit einem Diac

zur Ansteuerung eines Triac
Hohe Anforderungen an Einstellbarkeit, Stabilität und Reproduzierbarkeit von

Zündzeitpunkt bzw. Stromflusswinkel lassen sich nur durch eine Impulszün-
dung mittels geeigneter elektronischer Zündschaltung erfüllen.
Anwendung: Steuerung von Beleuchtungseinrichtungen (Dimmer) und Verbrau-
chern mit relativ kleiner Leistung.
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Schwingungspaketsteuerung
Bei Schwingungspaketsteuerung erfolgt die Leistungszufuhr periodisch

für eine bestimmte Anzahl ganzer Schwingungsperioden. Zum Ein- und
Ausschalten kommt es jeweils in unmittelbarer Nähe des Nulldurchgangs
der Betriebsspannung (→ Bild 6.80).
Die im Verbraucher umgesetzte Durchschnittsleistung P = Pmax · KE wird vom

Einschaltverhältnis KE = tE /TS bestimmt.

Um ein Zünden des Thyristors im Nulldurchgang zu ermöglichen bzw. ein
unerwünschtes Löschen an diesen Stellen zu vermeiden, muss während der
Einschaltphase tE für eine entsprechend geringe Zündspannung UD gesorgt
werden. Zur Bereitstellung des nötigen Steuerstromes gibt es spezielle inte-
grierte Schaltkreise mit Zeitgeber und Nullspannungsschalter.
Anwendung: Steuerung von Vorgängen mit großen Zeitkonstanten (z. B. Heizun-
gen, elektromotorische Antriebe) 6
UB IL UB
IL
tE tP
tS Bild 6.80 Schwingungs-
paketsteuerung
6.11.6.2 Elektronische Lastrelais

Steuer- und Lastkreis sind im elektronischen Lastrelais (solid state relay)
durch optoelektronische Mittel (Lichtemittierende Dioden, Fototransistoren,
Fotothyristoren, → 6.12) galvanisch getrennt. Lastströme bis zu 100 A können
durch einen Steuerstrom von etwa 20 mA geschaltet werden. Die Relais sind
in leicht montierbaren Gehäusen untergebracht (→ Bild 6.81)
Lastrelais für Wechselstrom (→ Bild 6.82) beinhalten außer dem Schalt-
thyristor einen integrierten elektronischen Nullspannungsschalter (zero cross
circuit). Dieser sorgt dafür, dass der Thyristor grundsätzlich erst kurz nach
dem Nulldurchgang der Wechselspannung gezündet wird. Dadurch werden
Störungen durch Oberwellen, die bei einem Phasenanschnitt entstehen, ver-
ringert.
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1 OUTPUT 2
4 INPUT 3
~ +−
58
Bild 6.81
Äußere Gestaltung von
45 elektronischen Lastrelais
a) für kleine Leistung,
a) 1 2 3 4 b) b) für große Leistung
Elektronische Gleichstromrelais arbeiten statt mit einem Lastthyristor

mit einem ebenfalls optoelektronisch gesteuerten Leistungs-MOSFET (→
6.10.6.5). Die technischen Daten liegen etwa bei 15 A maximalem Laststrom,
10 . . . 20 mA Steuerstrom, 0,1 Ω Innenwiderstand.
3 OK 1 3 OK 1
ZCC
Th Th
ZCC
4 2 4 2
a) b)
Bild 6.82 Prinzipschaltung elektronischer Wechselstrom-Lastrelais
a) mit LED und Fotothyristor, b) mit LED und Fototransistor
OK Optokoppler, ZCC Nullspanungsschalter
6.11.6.3 Störschutz und Schutzbeschaltung
Der durch Thyristoren geschaltete Laststrom enthält einen hohen Anteil Ober-
wellen, die benachbarte Funkgeräte stören. Die Störstrahlung ist bei der Pha-
senanschnittsteuerung besonders hoch. Es ist deshalb erforderlich, die Thyris-
torschaltung abzuschirmen, in die Netzzuleitung LC-Glieder zur Entstörung
(L ≈ 20 . . . 200 µH, C ≈ 22 . . . 100 nF) und zur Dämpfung des Trägerstauef-
fektes dem Thyristor ein RC-Glied (TSE-Beschaltung; R ≈ 3 . . . 50 Ω, C ≈
22 . . . 100 nF) parallelzuschalten.
I Thyristoren sind sehr überlastungsempfindlich. Es sind deshalb Schutzbeschaltun-
gen gegen
Kurzschluss- und Überstrom durch superflinke Schmelzsicherungen (ISi ≈
ITAV ),
Überspannungen durch einen dem Thyristor parallel geschalteten Varistor vor-
zusehen.
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6.12 Optoelektronische Bauelemente 317
6.11.7 Spezielle Thyristoren
GTO. Für spezielle Zwecke (z. B. Frequenzumrichter zur verlustarmen Dreh-

zahlstellung von Asynchronmotoren) wurde der Abschaltthyristor (GTO, gate
turn off thyristor) entwickelt. Durch einen negativen Gatestromimpuls kann
der GTO gelöscht werden. Nachteilig ist der große Löschstrom, der etwa 30 %
des abzuschaltenden Laststromes betragen muss. Wegen des komplizierten
Schichtaufbaues ist der GTO relativ teuer.
Thyristortetroden. Eine Thyristortetrode besitzt zwei Steuerelektroden, ein

Katodengate GK und ein Anodengate GA (→ Bild 6.83). Die Zündung kann
durch einen positiven Impuls an GK oder einen negativen Impuls an GA ein-
geleitet werden. Bei einigen Typen ist im Gegensatz zum normalen Thyristor
auch eine Löschung durch ein positives Signal an GA oder ein negatives Signal
an GK möglich.
A
6
p A
n GA
GA
p GK
GK K Bild 6.83 Thyristortetrode
n
a) prinzipieller Aufbau,
a) K b) b) Schaltzeichen
Anwendungsgebiet sind Steuerschaltungen mit kleinen Stromstärken bis etwa 5 A.
6.12 Optoelektronische Bauelemente
6.12.1 Übersicht
Optoelektronische Bauelemente haben lichtempfindliche, lichtemittierende

oder lichtbeeinflussende Eigenschaften.
Lichtempfindliche Bauelemente (Fotodetektoren)

Hochvakuum- und gasgefüllte Zellen, z. B. Fotozellen, Sekundärelektro-
nenvervielfacher.
Es wird der äußere lichtelektrische Effekt ausgenutzt: Photonen schlagen
aus bestimmten Stoffen Elektronen heraus.
Fotohalbleiter ohne und mit pn-Übergang, z. B. Fotowiderstände, Fotoele-
mente, Fotodioden.
Es wird der innere lichtelektrische Effekt ausgenutzt: Photonen bewirken in
Halbleitern die Generation freier Ladungsträgerpaare.
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Lichtemittierende Bauelemente (Fotoaktoren)

Hochvakuum-Katodenstrahlröhren mit fluoreszierendem Schirm, z. B.
Elektronenstrahlröhren für Oszillografen, Monitore, Bildröhren für die
kommerzielle und die Unterhaltungselektronik.
Es wird die Thermoemission von Elektronen im Vakuum und die Fluores-
zenzanregung verschiedener Stoffe durch auftreffende Elektronen ausge-
nutzt.
Glimmentladungsröhren, z. B. Signalglimmlampen, Glimmröhren mit al-
phanumerischer Anzeige.
Es wird die bei der Ionisation von Gasen auftretende Lichterscheinung
ausgenutzt (Plasmaanzeigeelemente).
Halbleiterlumineszenzelemente, z. B. lichtemittierende Dioden (LED) und
Diodenanordnungen für alphanumerische Darstellungen (Siebensegment-
und Matrixsysteme).
Es wird der Lumineszenzeffekt verschiedener Halbleiter ausgenutzt.
Lichtbeeinflussende Bauelemente
Feldeffektelemente mit Flüssigkristallen, z. B. Flüssigkristall-Anzeigeele-
mente für alphanumerische Information, Flachbildschirme für Monitore.
6.12.2 Fotometrische Beziehungen
Lichtstärke und Strahlungsstärke

Jede sichtbares Licht erzeugende Quelle hat eine Lichtstärke Iv (Candela, cd).
Jede Infrarot (IR) erzeugende Quelle hat eine Strahlstärke Ie (W/sr).
Beispiele für Lichtstärken und Strahlstärken:
Haushalt-Paraffinkerze: 1 cd; 100-W-Glühlampe: 100 cd;
Lichtemitterdiode: 0,3 . . . 5 mcd; Infrarot-Emitterdiode: 0,2 . . . 4 mW/sr.
Lichtstrom und Strahlungsleistung

Das Produkt aus der Lichtstärke bzw. Strahlstärke und dem durchstrahlten
Raumwinkel ω (Steradiant, sr) ist der Lichtstrom Φ v (Lumen, lm) bzw. die
Strahlungsleistung Φ e (W).
Da der volle Raumwinkel ω = 4π sr beträgt, erzeugt eine nach allen Seiten
gleichmäßig mit der Lichtstärke 1 cd strahlende Lichtquelle (idealer Kugel-
strahler) einen Lichtstrom von Φ v = 4πIv ≈ 12,56 lm.
Beleuchtungsstärke und Bestrahlungsstärke
Die Beleuchtungsstärke Ev (Lux, lx) bzw. die Bestrahlungsstärke Ee (W/m2 )
ist ein Maß für die Helligkeit einer beleuchteten Fläche. Sie ist gleich dem
Lichtstrom bzw. der Strahlungsleistung je Flächeneinheit:
Ev = Φ v /A bzw. Ee = Φ e /A. (Index e = energetisch; v = visuell)
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Ev bzw. Ee (allgemein und abgekürzt E) nehmen mit dem Quadrat der Ent-
fernung von der Lichtquelle und wachsendem Einfallswinkel der Strahlung
gemäß dem Kosinus ab:
E = I cos α /r 2
Bei gegebener Bestrahlungsstärke hängt die Beleuchtungsstärke von der Farb-
temperatur Tf der Quelle ab. Mit dem Farbtemperaturfaktor Kf besteht die
Beziehung Ev = Kf Ee .
Beispiele: Kf = 1000 cm2 lx/mW für Sonnenlicht (Tf = 6000 K),

Kf = 2100 cm2 lx/mW für Normlicht A (Tf = 2850 K).
Normlicht A: ungefiltertes Licht einer Wolframfadenlampe.
1 20o 10o 0o 10o 20o

1 4 5
Srel 2
1 ϕ
3
0,5 30o 0,8 30o
I in
6
0,6 Srel A
40o 40o
0,4
0 50o 50o
400 600 800 1000 60o 0,2 60o
70o 70o
λ in nm 80o 80o
Bild 6.84 Relative Fotoempfindlichkeiten 90o 90o
1 hell adaptiertes menschliches Auge, Fotoelement
2 Cadmiumsulfid, 3 Silicium, 4 Bleisulfid, Bild 6.85 Richtcharakteristiken
5 Germanium von zwei Fotoelementen
1 −20o −10o 0o 10o 20o

ϕ
−30o 0,8 30o
0,8
−40o 0,6 I vrel 40o
0,6
−50o 0,4 50o
I erel 0,4
−60o 60o
o 0,2
0,2 −70 70o
o
−80 80o
−30o −20o −10o 0o 10o 20o 30o
Lichtquelle
a) ϕ b)
Bild 6.86 Lichtverteilungskurven zweier LED in a) kartesischer und
b) Polarkoordinatendarstellung (relative Licht- bzw. Strahlstärke in Abhängigkeit
vom Abstrahlwinkel)
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Relative Fotoempfindlichkeit
Eine wesentliche Kenngröße von Fotodetektoren ist die materialspezifische
relative Fotoempfindlichkeit Srel (→ Bild 6.84). Sie wird auf die bei einer
bestimmten Wellenlänge λ max vorhandene maximale Fotoempfindlichkeit be-
zogen.
Richtdiagramme und Lichtverteilungskurven

Der mechanische Aufbau bestimmt bei Fotodetektoren die Richtungsempfind-

lichkeit für die einfallende Strahlung, bei Fotoaktoren die richtungsabhängige
Strahlungsintensität. Diese Eigenschaft wird in Richtdiagrammen und Licht-
verteilungskurven dargestellt (→ Bilder 6.85 und 6.86).
6.12.3 Lichtempfindliche Fotohalbleiter
6.12.3.1 Fotowiderstände
Fotowiderstände bestehen aus homogenen Halbleiter-Mischkristallen. Ihr

Widerstandswert sinkt mit steigender Beleuchtungsstärke.
Die Halbleiterschicht aus CdS, CdSe (für vorwiegend sichtbares Licht), Pbs,
InSb, InAs, Si oder Ge mit Au, Hg oder Cu dotiert (für vorwiegend Infrarot)
ist mäanderförmig auf ein Keramikplättchen aufgetragen und mit Anschluss-
kontakten versehen.
Bei Lichteinfall erhöht sich durch Fotogeneration (innerer lichtelektrischer
Effekt) die Dichte freier Ladungsträgerpaare, sodass sich die Leitfähigkeit
erhöht. Bei geringer Beleuchtung weisen Fotowiderstände eine starke Tempe-
raturabhängigkeit auf. Ursache ist die thermische Generation. Sie wird erst bei
höherer Fotogeneration überdeckt. Die Anpassungszeit des Widerstandswertes
an eine veränderte Beleuchtungsstärke liegt im Millisekundenbereich. Die
Einstellzeit auf den Dunkelwiderstand kann mehrere Sekunden betragen. Das
Hell-dunkel-Verhältnis des Widerstandes erreicht mehrere Zehnerpotenzen.
Kenn- und Grenzwerte:
R0 Dunkelwiderstand (1 . . . 100 MΩ)
R1000 Hellwiderstand bei Ev = 1000 lx (0,1 . . . 20 kΩ)
λ max Wellenlänge der maximalen Empfindlichkeit
Anwendungen:
Lichtschranken, Dämmerungsschalter
Messfühler für Lichtstärke und Beleuchtungsstärke
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6.12.3.2 Fotodioden
Fotodioden sind lichtempfindliche, bei Sperrspannung betriebene Halblei-

terdioden mit einem kleinflächigen pn- oder pin-Übergang. Ihr Sperrstrom
dient als Sensorsignal.
Die Lichteintrittsöffnung ist häufig zur Fokußierung des Lichtes als Sammel-
linse ausgebildet. Pin-Fotodioden haben eine höhere maximal zulässige Sperr-
spannung, eine höhere Grenzfrequenz, aber eine geringere Empfindlichkeit

bei vergleichbarer lichtempfindlicher Fläche als pn-Typen.
Fotostrom. Die Fotodiode nutzt die Lichtempfindlichkeit des Leckstromes
eines gesperrten pn-Übergangs. Eine äußere Sperrspannung sorgt während des
Betriebs für eine große Ausdehnung der Sperrschicht. Durch Fotogeneration
in dieser Sperrschicht entstandene Ladungsträger werden durch das innere
elektrische Feld zu den äußeren Klemmen der Diode abgesaugt und bilden den
Fotostrom. Der Fotostrom IF ist direkt proportional zur Beleuchtungsstärke Ev . 6
IF = IF0 · Ev + IR0 (6.70)
Der Proportionalitätsfaktor IF0 entspricht der Fotoempfindlichkeit. Bild 6.87

enthält neben der typischen Kennlinie einer Fotodiode auch das Ersatzschalt-
bild.
USP USP in V
hf 30 20 V 10 0
0
p - n 0 lx
+
- 1000
+ IF 50
2000
ds
a)
USP 100
3000
IF I F in µA
4000
150
IF
b) c)
Bild 6.87 Fotodiode
a) Funktionsprinzip, b) Symbol und Ersatzschaltbild, c) Kennlinie
Dunkelstrom. Bei Dunkelheit reduziert sich der Sperrstrom des pn-Über-

gangs auf einen thermisch bedingten restlichen Leckstrom, den Dunkelstrom
IR0 .
Grenzfrequenz. Die Anpassgeschwindigkeit des Fotostromes an die Beleuch-
tungsstärke ist bei Fotodioden sehr hoch. Sie wird in Form einer Grenzfre-
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quenz fg angegeben, bis zu der noch keine Verzögerungen auftreten, und liegt
bei fg > 10 MHz.
6.12.3.3 Fotoelemente und Solarzellen
Fotoelemente und Solarzellen sind großflächige, aktive Fotohalbleiter mit

einem Homo- oder Hetero-pn- bzw. Hetero-pin-Übergang, die Lichtenergie
in nutzbare elektrische Energie umwandeln (Fotovoltaik).
Aufbau und Eigenschaften. Als Werkstoffe werden Se, CdS, Cu2 S-CdS und
Si (→ Tabelle 6.19) sowie für große Bestrahlungsstärken und hohe Umge-
bungstemperaturen GaAs (sehr teuer) eingesetzt. Den prinzipiellen Aufbau
von Se- und Si-Elementen zeigt Bild 6.88. Solarzellen erhalten eine Abde-
ckung mit Linsenstruktur und einen Antireflexbelag.
Licht
300 I in
UL in 600 K
µA
mV
CdO
Se 400 200
Ni UL
a) Fe IK
+ 100
SiO2 200
n
0 0
p 0 1000 2000
b)
+ Ev in lx
Bild 6.88 Prinzipieller Aufbau Bild 6.89 Leerlaufspannung und

von Fotoelementen Kurzschlussstromstärke eines Silicium-
a) Selenfotoelement, fotoelementes in Abhängigkeit von der
b) Siliciumfotoelement Beleuchtungsstärke
U-I-Kennlinie. Im 4. Quadranten repräsentiert die Kennlinie einer Fotodiode

einen aktiven Zweipol (→ Bild 6.90). Bei Lichteinfall entstehen Elektron-
Löcher-Paare durch Fotogeneration. Unter dem Einfluss des an der Sperr-
schicht bestehenden elektrischen Feldes sammeln sich die Elektronen im n-,
die Löcher im p-Gebiet. Der Ladungsunterschied ist an den äußeren Anschlüs-
sen des Elementes mess- und nutzbar. Der Kurzschlussstrom IK entspricht dem
Fotostrom IF . Die Leerlaufspannung UL beträgt bei Siliciumzellen ca. 0,5 V
und weist eine logarithmische Abhängigkeit von der Beleuchtungsstärke auf
(→ Bild 6.89). Beide sind temperaturabhängig:
TKUL ≈ −0,1 %/K, TKIK ≈ +0,1 %/K.
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I Zur Energienutzung ist wegen der geringen Zellenspannung (Si: 0,4 . . . 0,7 V,
GaAs: 0,7 . . . 1 V) eine Zusammenschaltung mehrerer Einzelelemente zu Modu-
len erforderlich.
IA I
UA
UL U
UA RL
IA
RL
IK Bild 6.90 Solarzelle mit ohmscher Last
Tabelle 6.19 Arten und Anwendungen von Silicium-Solarzellen

Halbleitermaterial Kurzschluss- Wirkungs- Kosten Anwendungen
stromdichte grad
Amorphes Si 12 mA/cm2 7 % gering Taschenrechner, Uhren,
(Dünnschicht) Heimelektronik mit Leis-
pin-Übergang tungen < 1 W1)
Polykristallines Si 20 mA/cm 2
12 % mittel kleine Anlagen bis zu ei- 6
pin-Übergang nigen Watt Leistung1), 2)
2
Monokristallines Si 30 mA/cm 18 % hoch mit dem Energienetz ge-
pn-Übergang pufferte Anlagen1), 2), 3)

1)
Wegen der geringen Zellenspannung ist Reihenschaltung erforderlich.
2)
Wegen der technologisch begrenzten Zellenfläche ist Parallelschaltung erforderlich.
3)
Zur Anpassung an das Energienetz sind Wechselrichter und Spannungswandler erforder-
lich.
Optimaler Arbeitspunkt. Die von einer Solarzelle abgebbare Leistung Pab =

IA · UA wird vom aktuellen Lastwiderstand RL bestimmt (→ Bild 6.90) und
von der Temperatur der Zelle beeinflusst (Verschiebung der U-I-Kennlinie).
Die im mitteleuropäischem Raum täglich eingestrahlte Solarenergie beträgt
im Jahresdurchschnitt etwa 2,5 kWh/m2 . Für die Leistungsabschätzung zum
Einsatz von Solarzellen kann ein Wert von maximal 1 kW/m2 angesetzt
werden.
6.12.3.4 Fototransistoren
Fototransistoren sind Siliciumtransistoren, deren Basis-Kollektor-Sperr-

schicht vom Licht getroffen werden kann. Sie stellen funktionell die Zu-
sammenschaltung einer Fotodiode mit einem Verstärkertransistor dar.
Sie sind wesentlich empfindlicher als Fotodioden, haben aber eine geringere
Grenzfrequenz. Bei manchen Fototransistoren ist der Basisanschluss zugäng-
lich. Dieser kann zur Arbeitspunkteinstellung oder zur Kompensation des
Dunkelstromes in geeigneter Weise beschaltet werden.
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6.12.3.5 Fotothyristoren
Fotothyristoren sind Einrichtungs-Thyristortrioden, deren mittlere Sperr-

schicht als Fototransistor ausgebildet ist.
Der Fotothyristor kann durch Lichteinwirkung gezündet werden. Nach der

Zündung verhält er sich wie ein normaler Thyristor. Über den Steuerstrom an
der Gateelektrode ist mithilfe eines Widerstandes die Ansprechempfindlich-
keit beeinflussbar.
6.12.4 Lichtemittierende Fotohalbleiter
6.12.4.1 Lumineszenzeffekt in Halbleitern
Im pn-Übergang bestimmter Halbleiterwerkstoffe (→ Tabelle 6.20) wird

elektrische Energie in Strahlungsenergie umgewandelt. Die Struktur dafür
geeigneter pn-Übergänge zeigt Bild 6.91.
Tabelle 6.20 Einige Kennwerte von Lumineszensdioden

Halbleiter Leuchtfarbe Wellenlänge bei Flussspannung Bandabstand
maximaler Empfind- UF bei Wg
lichkeit λ max IF = 20 mA
nm V eV
GaP rot 680 1,6 2,24
gelb 590 2,4
grün 560 2,7
GaAsP rot 660 1,6 2,20
orange 630 2,2
gelb 590 2,4
grün 560 2,8
ZnSe blau 468 3,0 2,60
GaAs IR 900 1,4 1,43
InP IR 950 1,1 1,30
InAs IR 3400 1,1 0,36
Bei Betrieb in Durchlassrichtung beruht der Leitungsvorgang wegen der

starken n-Dotierung fast ausschließlich auf einem Elektronenstrom. Dieser
rekombiniert in der p-Schicht mit den Löchern. Bei diesem Übergang der
Elektronen vom Leitungs- ins Valenzband wird Energie frei, die zum größten
Teil als Wärme (unerwünscht), zum Teil als Licht (η = 0,02 . . . 1 %) oder
Infrarotstrahlung (η = 0,5 . . . 4 %) erscheint. Es entsteht eine nahezu mono-
chromatische Strahlung (Halbwertbreite etwa 40 . . . 70 nm). Im Wesentlichen
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bestimmt der Bandabstand Wg (→ Tabelle 6.20) die Wellenlänge λ der emit-

tierten Strahlung.
Licht (rot) + IR
p n+
n
n+ p
a) b) +
Bild 6.91 Prinzipieller Aufbau von Lumineszenzdioden
a) LED für sichtbares Licht, b) LED für Infrarot
6.12.4.2 Lumineszenzdioden (LED)
Der Lumineszenzeffekt wird in den LED, die vorwiegend als Signalelemente

und als Strahler in Lichtschranken verwendet werden, praktisch ausgenutzt. 6
LED sind in Durchlassrichtung zu betreiben. Sie müssen deshalb immer über
einem Vorwiderstand Rv oder aus einer Konstantstromquelle gespeist werden.
Besondere Eigenschaften der LED:

hohe Lebensdauer (104 . . . 106 h), vibrationsfest
großer Betriebstemperaturbereich (−50 . . . + 100 ◦ C)
modulierbar bis in den MHz-Bereich
6.12.4.3 LED-Anzeigesysteme (Display-Bauelemente)
Mehrere LED werden auf einem gemeinsamen Grundsubstrat so angeordnet,

dass bei entsprechender Ansteuerung eine alphanumerische Darstellung er-
zielt wird. Für die Darstellung von Ziffern, einigen Buchstaben und Zeichen
genügt das Siebensegmentsystem. Die sieben einzelnen LED haben entweder
eine gemeinsame Anode oder gemeinsame Katode. Jedem Segmentanschluss
a) b) c) d)
Bild 6.92 LED-Anzeigesysteme für alphanumerische Informationen
a) Siebensegment-Lichtschacht-LED, b) Lichtreflexion und Streuung im
Lichtschacht, c) 16-Segment-Anzeigesystem, d) (5 × 7)-Punkt-Matrixsystem
i i
i i
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ist ein Vorwiderstand zuzuordnen. Bei den Siebensegment-Bauelementen in

Lichtschachttechnik erzielt man durch die Mehrfachreflexion im Lichtschacht
eine gute Lichtausbeute. Bessere Darstellungen bringen Punktmatrixsysteme
(→ Bild 6.92). Zur groben Anzeige von elektrischen Größen, wie Tempera-
turskalen, Tendenz-, Niveau- und Positionsanzeigen, dienen LED-Band- oder
Balkenanzeigedisplays.
6.12.4.4 Halbleiter-Injektionslaser
Halbleiter-Injektionslaser (LASER, Light Amplification by Stimulated

Emission of Radiation) sind spezielle LED mit einem optischen Resonator
zur Erzeugung kohärenten Lichtes.
Bei dieser stimulierten Emission regt ein emittiertes Elektron ein weite-
res Elektron im Leitungsband zu einer strahlenden Rekombination an, die
Licht der gleichen Frequenz erzeugt. Voraussetzung dafür sind zwei Bedin-
gungen. Es müssen sich erstens mehr Elektronen auf höheren (angeregten)
Energieniveaus im Leitungsband als auf niedrigeren Niveaus im Valenzband

befinden (Besetzungsinversion); zweitens muss die Lichtwelle den Bereich
der Besetzungsinversion mehrmals durchlaufen und sich dadurch eine opti-
sche Rückkopplung ergeben. Der pn-Übergang ist deshalb sehr hoch dotiert
(> 1019 cm−3 ). Seine Struktur besteht aus der aktiven InGaAsP-Schicht, die
beiderseitig von n- und p-InP eingeschlossen ist. Ferner ist der durch den
Kristall selbst gebildete Resonator an seinen Enden von halbdurchlässigen
Spiegelflächen begrenzt. Wegen der großen Brechzahl des Halbleiters ist
die Reflektion (30 %) so groß, dass externe Spiegel nicht erforderlich sind.
Erst von einer bestimmten Schwellstromdichte (> 104 A/cm2 ) an setzt die
stimulierte Emission ein.
Hauptanwendungsgebiete sind die optoelektronische Nachrichtentechnik (Über-
tragung über Glasfaserkabel bei Wellenlängen von 1,3 . . . 1,6 mm) und die Unter-
haltungselektronik (CD-Player).
6.12.5 Optoelektronische Koppelelemente
Optokoppler sind Signalübertragungsglieder, die aus einem Fotoaktor (IR-

LED) und einem Fotosensor (Fotodiode, Fototransistor, Fotothyristor) be-
stehen. Lichtsender (Eingang) und Lichtempfänger (Ausgang) sind optisch
gekoppelt, aber galvanisch getrennt in einem Gehäuse untergebracht. Das
Verhältnis des Ausgangsstromes zum Eingangstrom ist der Übertragungs-
oder Koppelfaktor CTR (current transfer ratio). Er beträgt bei Dioden-Dioden-
Kopplung (0,5 . . . 10) · 10−3 , bei Dioden-Transistor-Kopplung etwa 0,2 . . . 2
und mit Foto-Darlingtontransistor 1 . . . 10.
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6.13 Halbleitersensoren 327
Ie Ia
Bild 6.93 Schaltsymbol eines Optokopplers
Die Eigenschaften der beiden Teilelemente liefern eine gute Proportionalität

von Eingangs- und Ausgangsstrom. Der Optokoppler ist zur Übertragung
digitaler und analoger Signale geeignet.
6.12.6 Feldeffekt-Anzeigeelemente
Feldeffekt-Anzeigeelemente nutzen die durch Einwirkung eines elektri-

schen Feldes veränderbaren optischen Eigenschaften spezieller organischer
Stoffe aus. Sie erzeugen selbst kein Licht.
Flüssigkristall-Anzeigesysteme. Einige spezielle organische Verbindungen,

die im festen Zustand Kristallstruktur haben, durchlaufen nach dem Schmel- 6
zen (tS = −50 . . . 0 ◦ C) zunächst eine Zwischenphase (Mesophase), in der
sie einen anisotropen flüssigen Zustand aufweisen. Erst nach Erreichen des
Klärpunktes (tK ≈ 75 . . . 150 ◦ C) gehen sie in den für flüssige Stoffe üblichen
isotropen Zustand über. Zwischen tS und tK lassen sich die Moleküle durch
elektrische Felder in bestimmter Weise ausrichten. Dabei geht die klare
(durchsichtige) Flüssigkeit in einen milchigen Zustand über.
Für die praktische Anwendung des Effektes sind Flüssigkristall-Anzeigesys-
teme (LCD: liquid crystal display) für Reflexions- und für Transmissionsbe-
trieb entwickelt worden. Die nichtleitende Flüssigkeitsschicht befindet sich
zwischen zwei planparallelen Glasplatten (Abstand ca. 10 µm), die an ihren
Innenseiten durchsichtige leitende Beläge aus Zinnoxid tragen. Die Polarisa-
toren auf den Glasplatten bewirken, dass je nach der Lage der Moleküle in der
Flüssigkeit die Zelle ohne Ansteuerung insgesamt hell (oder dunkel) erscheint.
Bei Ansteuerung entstehen dunkle (oder helle) Abbildungen der Elektroden.
Die Zellen müssen mit Wechselspannung betrieben werden. Andernfalls ver-
liert die Flüssigkeit ihre speziellen Eigenschaften.
Betriebswerte: UB : 3 . . . 8 V; f : 25 . . . 500 Hz; P ≈ 10 µW/cm2 ; I ≈ 1 µA/Seg-
ment; Kontrast (Hell/Dunkel) 20 : 1.
6.13 Halbleitersensoren
In Halbleitersensoren wird die stark ausgeprägte Abhängigkeit des Halb-
leiterwiderstandes von Energieeinwirkungen (Wärme, Licht, Druck) bzw.
von magnetischen und elektrischen Feldern ausgenutzt. Sind diese Senso-
ren sperrschichtfrei, spricht man von Volumen-Halbleiterbauelementen.
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6.13.1 Temperatursensoren
Passive Temperatursensoren werden als Thermistoren bezeichnet. Dabei

handelt es sich um polykristalline temperaturabhängige Halbleiterwider-
stände mit negativem (Heißleiter) oder positivem (Kaltleiter) Tempera-
turkoeffizienten. Aktive Temperatursensoren, auch Thermoelemente ge-
nannt, erzeugen auf der Basis des Seebeck-Effektes eine temperaturpro-
portionale Ausgangsspannung.
6.13.1.1 Heißleiter
Heißleiter oder NTC-Widerstände (NTC: negative temperature coeffizient)
bestehen aus gesinterten Metalloxiden (Eisen-, Nickel- und Cobaltoxide),
Titanverbindungen und Füllstoffen. Der Widerstand sinkt mit steigender Tem-
peratur.
Thermistorwiderstand. Wenn der auf die Nenntemperatur T0 (meist 293 K)
bezogene Nennwiderstand R0 (Herstellerangabe) bekannt ist, gilt für den
Thermistorwiderstand RT :

1 1
−b
T0
− T
RT = R0 · e (6.71)
b ist eine Materialkonstante (Herstellerangabe); sie liegt im Bereich 2000 . . . 4000 K.
Der Temperaturkoeffizient des Widerstandes ist selbst temperaturabhängig.
Wird Gl. (6.71) differenziert, erhält man:
dRT b
TKR = =− 2 (6.72)
dT RT T
Fließt Strom durch den Heißleiter, so tritt infolge der Verlustleistung Pv
Eigenerwärmung auf:
Pv I 2 RT
∆T = = (6.73)
Gth Gth
Gth ist der thermische Leitwert des Heißleiters; er liegt bei Messheißleitern in ruhen-
der Luft bei 0,1 . . . 2 mW/K (Herstellerangabe).
Wird eine Grenzleistung Pgr überschritten, erfolgt stetige Erwärmung durch
den Betriebsstrom. Der Widerstand nimmt ab, die Stromstärke nimmt zu, was
zu weiterer Widerstandsverringerung führt. Es ergibt sich eine fallende Strom-
Spannungs-Charakteristik. Der Stromanstieg muss durch einen Vorwiderstand
begrenzt werden. Wegen der Wärmeträgheit des Thermistors ändert sich der
Widerstand nur langsam.
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I
RV
RV
A UB RL
RT
−ϑ RT
UB
−ϑ
Bild 6.94 Temperaturmessschaltung Bild 6.95 Anlassschaltung mit einem

mit einem Heißleiter (Pv Pgr ) Heißleiter zur Begrenzung des
Einschaltstromes (Pv Pgr )
Anwendungen:
Temperaturmessfühler (→ Bild 6.94); Voraussetzung ist Pv Pgr
Anlassheißleiter zur Einschaltstrombegrenzung (→ Bild 6.95); Voraussetzung
ist Pv Pgr
Kompensation der thermisch bedingten Widerstandsänderung anderer Bauele-
mente in einer Schaltung 6
6.13.1.2 Kaltleiter
Kaltleiter oder PTC-Widerstände (PTC: positive temperature coefficient)
werden aus dotiertem Bariumtitanat (Titanatkeramik) hergestellt. Sie haben
innerhalb eines begrenzten Temperaturbereiches einen sehr großen positiven
Temperaturkoeffizienten (→ Bild 6.96).
105 RM
RT in Ω 5 TM
TE RE
2
104
5
2
103
5
RN
2 TA TN
RA
102
325 375 425 575
T in K
Bild 6.96 Widerstands-Temperatur-Kennlinie eines Kaltleiters bei
Fremderwärmung (Pv Pgr ): TA Anfangstemperatur, TN Nenntemperatur, TE
Endtemperatur, RA Anfangswiderstand, RN Nennwiderstand, RE Endwiderstand, TM
Maximaltemperatur, RM Maximalwiderstand
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Temperaturkoeffizient und Kaltleiterwiderstand. Zwischen TN und TE

nimmt der Widerstand sehr stark zu. Ursache ist der ferroelektrische Effekt
der Titankeramik. Für den Bereich TN < T1 < T2 < TE gilt für den Tempera-
turkoeffizienten TKR und den Kaltleiterwiderstand RT :
ln R2 − ln R1
TKR = (6.74)
T2 − T1
RT = RN · eT KR (T −TN ) (6.75)
RN Nennwiderstand, TN Nenntemperatur (Herstellerangaben).
Anwendungen:
Temperaturmessfühler
Überstromsicherung für kleine Ströme (→ Bild 6.97)
RT
I
UB ϑ
UT UL
RL Bild 6.97 Überlastschutzschaltung
500 Ω mit einem Kaltleiter zur
20 V
Kurzschlussstrombegrenzung
6.13.1.3 Thermoelemente
Thermoelemente wandeln Wärme- in Elektroenergie. Diese Wandlung

basiert auf dem Seebeck-Effekt. Werden zwei Drähte aus unterschiedlichen
Metallen bzw. Metalllegierungen oder Halbleiter zu einem Stromkreis ver-
bunden und einer Temperaturdifferenz zwischen den beiden Kontaktstellen
ausgesetzt, so entsteht aufgrund der unterschiedlichen Austrittsarbeiten ein
elektrischer Potenzialunterschied, die Thermospannung Uth .
Metallische Thermoelemente. Bild 6.98 zeigt die typische Anordnung ei-

nes metallischen Thermoelementes. Ein Thermopaar besteht aus zwei un-
terschiedlichen metallischen Leitern die an der Messstelle miteinander ver-
bunden sind. Weisen die Messstelle und die Anschlussstelle unterschiedliche
Temperaturen auf, entsteht an der Anschlussstelle die auswertbare Thermo-
spannung Uth = c · ∆T . Deren Größe ist proportional zur Temperaturdifferenz
zwischen Mess- und Anschlussstelle. Falls die Vergleichsstelle nicht mit
der Anschlussstelle identisch sein kann, muss eine Ausgleichsleitung zur
Verlängerung des Thermoelementes zwischengeschaltet werden. Für diese
können ausschließlich hochreine Ersatzwerkstoffe bzw. -legierungen mit den
gleichen thermoelektrischen Eigenschaften wie die des zu verlängernden
Thermopaares eingesetzt werden.
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Messstelle Anschlussstelle Vergleichsstelle
Thermopaar Ausgleichsleitung
Bild 6.98 Metallisches Thermoelement
Besonders geeignete Materialkombinationen für die thermoelektrische Ener-

giewandlung zeichnen sich durch Temperatur- und Korrosionsbeständigkeit,

Festigkeit, Alterungsbeständigkeit und die Linearität der Kalibrierkurve aus.
Aus der Vielzahl der möglichen Materialkombinationen sind die gebräuch-
lichsten Thermoelementtypen in den Normen EN 60 584 und DIN 43 710
festgelegt.
Tabelle 6.21 Gebräuchliche Thermopaarungen

Material Norm-Typ c bei 100 ◦ C Einsatzbereich in ◦ C 6
Kupfer-Konstantan U, T 42,5 µV/K −270 . . . 350
(Cu-CuNi)
Eisen-Konstantan J, L 53,7 µV/K −210 . . . 750/900

(Fe-CuNi)
Nickelchrom-Nickel K 41 µV/K −270 . . . 1300
(NiCr-Ni od. NiAl)
Platinrhodium-Platin R 6,4 µV/K −50 . . . 1600
(PtRh-Pt)
I Hinweis: http://www.ephy-mess.de/deutsch/te/tecc.pdf: Thermopaare – Typen,

Werkstoffe, Farbcodes
Halbleiterthermoelemente. Ein n- oder p-dotiertes Halbleiterstäbchen ist

an seinen Enden sperrschichtfrei kontaktiert. Liegen die Enden auf unter-
schiedlichen Temperaturen, tritt zwischen den Anschlüssen ein elektrischer
Potenzialunterschied, die Thermospannung Uth auf.
Als Halbleitermaterial werden dotierte Stoffe verwendet, die sich noch im
Zustand der Störstellenreserve (→ 6.7.2) befinden. Bei unterschiedlicher
Erwärmung der beiden Enden des Halbleiters entsteht eine ortsabhängige
Ionisationsrate der Störstellen. Der entstehende Ladungsträgergradient führt
zu einer Diffusion der beweglichen Ladungsträger. Zwischen diesen und den
zurückbleibenden ortsfesten ionisierten Störstellen entsteht ein elektrisches
Feld, das die Thermospannung Uth bewirkt. Bei einem n-Halbleiter lädt sich
das warme Ende positiv auf (→ Bild 6.99). Bei einem p-dotierten Halbleiter ist
es umgekehrt. Die Thermospannung ist proportional der Temperaturdifferenz
und abhängig vom Halbleitermaterial. Sie liegt etwa bei 180 . . . 250 µV/K.
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Praktisch schaltet man je einen n- und p-leitenden Halbleiter in Reihe (→ Bild

6.100). Die freien, mit dem Lastwiderstand (Messinstrument, Verstärkerein-
gang) verbundenen Enden liegen auf Raumtemperatur, die Verbindung der
Halbleiter liegt an der Messstelle.
Uth
+ - + - + p n
-
- +
- + - +
ϑ1
- +
+
- - + - +
T0 T0+∆T RL
Bild 6.99 Prinzip eines Halbleiter- Bild 6.100 Halbleiter-Thermoelement
Thermoelementes mit p- und n-Leiterabschnitten
Peltier-Effekt. Der Effekt ist umkehrbar. Ein durch das Halbleiterstäbchen

fließender Strom ruft an den Enden eine Temperaturdifferenz hervor. Der
Wirkungsgrad der für Kühlzwecke verwendeten Peltier-Elemente ist allerdings
wesentlich geringer als der herkömmlicher Kühlaggregate mit Kompressoren.
6.13.2 Drucksensoren
Drucksensoren werden auch als Piezowandler bezeichnet. Sie werten

eine durch Druck verursachte Biegung, Stauchung oder Dehnung einer
Halbleitermembran aus, die bei piezoresistiven Wandlern zu einer Wider-
standsänderung und bei piezoelektrischen Wandlern zum Entstehen einer
Piezospannung führt.
6.13.2.1 Piezoresistive Wandler

Als piezoresistive Wandler werden Halbleiterwiderstände (Dehnmessstrei-
fen) genutzt, die auf einer dünnen Halbleitermembran angeordnet sind. Ei-
ne mechanische Druckbelastung der Membran bewirkt deren Durchbiegung
und folglich eine Dehnung δ = ∆L/L des Materials (→ Bild 6.101). Die
relative Widerstandsänderung des Halbleiters verhält sich proportional zu
dieser Dehnung und wird durch den piezoresistiven Koeffizienten π % und die
Querkontraktionszahl ν des Halbleitermaterials beeinflusst.
∆R
= 1 + π % + 2ν δ (6.76)
R
Eine Messanordnung, die unabhängig von der Genauigkeit des Absolutwer-
tes des Piezowiderstandes und seiner Temperaturabhängigkeit funktioniert,
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Widerstand
R+∆R R
n
Uref
p
UD
Druck R R+∆R
Bild 6.101 Querschnitt eines
Piezowiderstandes Bild 6.102 Drucksensor als Messbrücke
erhält man, wenn die Anordnung zu einer Messbrücke erweitert wird. Zwei
Dehnmessstreifen im Membranbereich stellen die veränderlichen Widerstände
R dar. Die beiden Festwiderstände R1 werden mit dem gleichen Material
realisiert, aber außerhalb des Membranbereiches angeordnet. Unter Berück-
sichtigung von Gleichung (6.76) ergibt sich für die druckabhängige Ausgangs- 6
spannung der Messbrücke UD :
UD ∆R ∼ ∆R
= =
Uref 2R + ∆R 2R
6.13.2.2 Piezoelektrische Wandler

Bei piezoelektrischen Materialien, z. B. Quarz, ZnO und speziellen Kerami-
ken, entstehen infolge von Druckeinwirkung innere Ladungsverschiebungen
(piezoelektrischer Effekt → 2.1.8), die an den äußeren Anschlüssen eine
Piezospannung UP verursachen.
G ID
S D UGS = konst.
n+ n+ Druck
Bild 6.103
Prinzipieller Aufbau
Piezodielektrikum eines piezoelektri-
p-Substrat UDS
schen MOSFET
Eine Nutzung des piezoelektrischen Effekts kann z. B. am Gateisolator von
MOSFETs erfolgen, um dessen Schwellspannung zu verändern. Ein auf das
Gate wirkender Druck erzeugt im piezoelektrischen Gateisolator eine Piezo-
spannung. Die Schwellspannung des MOSFET wird dann um die Größe dieser
Piezospannung verändert. Andererseits verschiebt sich dadurch die Strom-
Spannungs-Kennlinie des MOSFET (→ Bild 6.103). Beide Effekte sind leicht
auswertbar.
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6.13.3 Magnetfeldsensoren
6.13.3.1 Feldplatten
Feldplatten sind polykristalline, magnetfeldabhängige Halbleiterwider-

stände aus Indiumantimonid (InSb) mit eingelagerten, gut leitenden Ni-
ckelantimonidnadeln (NiSb).
Die InSb-Schicht (25 µm dick) ist auf eine etwa 100 µm dicke Trägerplatte
aufgetragen und kontaktiert. Die winzigen NiSb-Nadeln liegen senkrecht
zur Verbindungslinie der Kontakte (→ Bild 6.104). Ohne Einfluss eines
Magnetfeldes verlaufen die Strombahnen auf kürzestem Wege von der einen
Kontaktseite zur anderen. Die Feldplatte hat ihren Nennwiderstand RFP = R0
(je nach Typ 20 Ω . . . 5 kΩ). Wird die Platte von einem Magnetfeld durch-
setzt, erfahren die Ladungsträger unter dem Einfluss der Lorentz-Kraft (→
2.4.1) eine Ablenkung, die Strombahnen werden länger. Der Widerstand ist
proportional der magnetischen Flussdichte B. Feldplatten haben einen Tempe-
raturkoeffizienten von ca. −0,4 %/K. Er hängt selbst noch von der Flussdichte
ab.
Anwendungen:
stufenlos einstellbare, kontaktfreie Widerstände
kontaktlose, prellfreie Taster
Messsonden für Magnetfelder
b
l
B
Bild 6.104 Prinzipieller
Aufbau, praktische
NiSb l ≈ 3K4 mm Bauform und Symbol
Trägerplatte
InSb b ≈ 1K3 mm einer Feldplatte
6.13.3.2 Hall-Generatoren
Hall-Generatoren bestehen aus einer polykristallinen Halbleiterschicht

aus Indiumantimonid (InSb) oder Inidiumarsenid (InAs). Die Halbleiter-
schicht ist mit zwei Steuerstromanschlüssen (A und B) und zwei recht-
winklig dazu versetzten Spannungs- oder Hall-Elektroden (C und D) kon-
taktiert (→ Bild 6.105).
Wenn das Halbleiterplättchen von einem Magnetfeld durchsetzt wird, erfahren

die Ladungsträger des Steuerstromes eine Ablenkung (→ 2.4.1, → Bild
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6.105). An den Anschlüssen C und D tritt infolge des Hall-Effektes (→ 2.4.7)

ein Potenzialunterschied, die Hall-Spannung UH , auf, die dem Produkt aus
Steuerstromstärke und magnetischer Flussdichte direkt proportional ist.
UH = KH · BN · IST (6.77)
KH Hall-Faktor des Bauelementes
BN Vertikalkomponente der magnetischen Flussdichte
Vom Hersteller werden maximal zulässige Grenzwerte für die Betriebstempe-

ratur ϑ max (etwa 100 ◦ C), die Steuerstromstärke IST (100 . . . 500 mA) und die
maximale Flussdichte BN (etwa 1 T) angegeben, bis zu der Proportionalität
zwischen B und UH besteht.
r
B D
- - B
IST
A
+
- 6
+
B C D
Bild 6.105 Prinzipieller
C UH A Aufbau und Symbol eines

Hall-Generators
Anwendungen:
Messung großer Gleichströme (den vom zu messenden Strom durchflossenen
Leiter umgibt ein Magnetfeld, das der Hall-Generator auswertet)
Messung elektrischer Gleichstromleistungen
kontaktlose Schaltelemente in der Mikroelektronik (häufig bereits mit einem
Verstärker oder Komparator integriert)
6.13.3.3 Reed-Kontakte
Reed-Kontakte (Reed-Schalter) bestehen aus einem Paar ferromagneti-

scher Kontaktzungen, die in eine kleine, hermetisch abgeschlossene, Glas-
kapsel eingebaut sind. Wirkt ein magnetisches Feld auf die Reed-Kontakte,
erhalten die Kontaktzungen unterschiedliche magnetische Polarität. Die
entstehende Kraftwirkung führt zum Schließen der Kontakte.
Reed-Kontakte, auch als Reed-Schalter bzw. Reed-Relais bekannt, gibt es in

verschiedenen Ausführungen, z. B. als Schließer, Öffner bzw. Umschalter. Am
verbreitetsten ist die Bauform eines Schließers, d. h., durch Magnetfeldein-
wirkung werden die vorher offenen Kontakte geschlossen (→ Bild 6.106).
Das Magnetfeld sollte dabei parallel zur Längsrichtung der Kontaktzungen
ausgerichtet sein. Damit eine ausreichende Kraft zum Schließen der Kontakte
aufgebracht wird, muss dass Magnetfeld eine gewisse Stärke überschreiten.
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S
N S
N
S N
Bild 6.106 Reed-Kontakt im Feld

eines Permanentmagneten
Beim Entfernen des Magneten bzw. der Reduzierung der Magnetfeldstärke

öffnen die Kontakte wieder. Dieser Vorgang weist allerdings eine spürbare
Hysterese auf. Eine Schutzgasfüllung der Glaskapsel vermindert Funkenbil-
dung beim Öffnen des Kontaktes und erhöht so die Lebensdauer des Relais.
Vorteilhaft ist der hohe Strom (bis 1 A), der bei geschlossenen Kontakten
fließen kann. Er kann zur direkten Versorgung nachgeschalteter Baugruppen
genutzt werden.
Nachteilig ist die mechanische Empfindlichkeit gegenüber Stößen und die
begrenzte Schaltfrequenz aufgrund der Trägheit des Systems.
6.13.4 Feuchtesensoren
Feuchtesensoren dienen der Messung des Wassergehaltes in der Luft oder

in festen Stoffen..
Die Luftfeuchte wird durch den Gehalt an gasförmigem Wasser (Wasser-

dampf) in der Luft bestimmt. Die maximale Aufnahmefähigkeit an Wasser in
der Luft (Sättigungsmenge bzw. maximale Feuchte) ist temperaturabhängig.
Die absolute Feuchte entspricht der Masse des Wasserdampfes pro Volumen-
einheit. Die relative Feuchte ergibt sich aus dem Verhältnis der momentanen
enthaltenen zur maximal möglichen Masse des Wasserdampfes in der Luft.
Das Messprinzip elektronischer Feuchtesensoren basiert auf der feuchteab-
hängigen Änderung einer Kapazität. Dabei wird ein feuchteempfindliches
Dielektrikum (z. B. Polymere, Al2 O3 ) zwischen zwei metallischen Konden-
satorplatten angeordnet. Die Kapazitätsänderung wird in ein verarbeitbares
Ausgangssignal umgewandelt. Das kann z. B. die Frequenzänderung eines
Resonanzkreises oder eines Multivibrators sein. Dabei ergibt sich die Kapazi-
tätsänderung in Abhängigkeit von der absoluten Luftfeuchte.
Da die maximale Feuchte stark temperaturabhängig ist, ändert sich mit der
Temperatur die relative Feuchte, auch wenn die absolute Feuchte konstant
bleibt. Bei einer Abkühlung bis zum Taupunkt steigt die relative Feuchte auf
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100 %. Mit Taupunkt bezeichnet man die Temperatur, bei der die Abkühlung
feuchter Luft zur Kondenswasserbildung (Tau) führt. Um aus der Kapazi-
tätsänderung auf die relativen Luftfeuchte schließen zu können ist folglich
die Beschaffung eines Bezugswertes nötig. Bei integrierten elektronischen
Feuchtesensoren ist dieser üblicherweise die aktuelle Temperatur.
Messprinzipien zur Bestimmung der Feuchte fester Stoffe beruhen auf der
Veränderung ihrer Übertragungs- bzw. Absorptionseigenschaften für Mikro-
wellensignale.
poröse Elektrode
Bild 6.107
wasserabsorbierendes Feuchtesensitiver
Dielektrikum Kondensator
6.13.5 Gassensoren
6
Gassensoren dienen zum Nachweis von Gasen verschiedenster Art. Auf-
grund der verwendeten Sensormaterialien können sie jedoch immer nur zur
Erkennung einzelner gasförmiger Stoffe eingesetzt werden.
Halbleiter-Gassensoren eignen sich zum Nachweis von oxidierenden und

reduzierenden Gasen im ppm- und ppb-Bereich (parts per million bzw. parts
per billion). Die gassensitiven Halbleiterschichten bestehen meist aus gesinter-
ten polykristallinen nichtstöchiometrischen Metalloxiden (z. B. SnO2 , Ga2 O3 ,
SrTiO3 ) und verkraften Temperaturen bis 1000 ◦ C. Diese chemisorbieren
Sauerstoffmoleküle aus der Umgebungsluft und binden sie an den Halbleiter.
Durch diesen Vorgang wird das Sauerstoffdefizit im Kristallgitter abgebaut.
Dabei werden dem Halbleiter quasifreie Elektronen entzogen, sodass dessen
Leitfähigkeit mit steigendem Sauerstoffpartialdruck der Luft sinkt. Bei einem
Vorhandensein reduzierender Gase erfolgt durch deren Absorption im Halb-
leiter der gegenläufige Prozess, sodass sich ein resultierender Gleichgewichts-
wert einstellt, der als Maß für die Gaskonzentration ausgewertet werden kann.
Messanschlüsse Metalloxid
Isolator (Al 2O3 )

Bild 6.108
Heizwendel (Pt) Metalloxid-Gassensor
Die Sensitivität für bestimmte Gase kann durch die Auswahl des Metalloxids,
dessen Temperatur, dessen Dotierung mit verschiedenen Metallatomen oder
durch das Aufbringen von katalytisch aktiven Membranen beeinflusst werden.
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Die Auswertung des Sensors kann auf direktem Weg erfolgen, wenn die
Änderung der Leitfähigkeit in Form einer Widerstandsänderung einer gas-
sensitiven Halbleiterschicht interpretiert wird. Es sind aber auch indirekte
Auswerteverfahren möglich, z. B. wenn die gassensitive Schicht den Kanal
eines MOSFET darstellt. Dann ist die auszuwertende Größe der Kanalleitwert
dieses MOSFET.
6.13.6 Fotosensoren
Fotosensoren basieren auf der Lichtempfindlichkeit von Fotohalbleitern. Die

Wirkungsmechanismen und ihre Anwendung in Form elektronischer Bauele-
mente wird im Abschnitt 6.12.3 behandelt.
6.13.7 Auswerteprinzipien und Messschaltungen für Sensoren

Bei den bisher betrachteten Sensoren handelt es sich um Bauelemente der ana-
logen Signalverarbeitung. Ihr Ausgangssignal ist in der Regel eine Spannung
oder ein Strom und ergibt sich aus der direkten Auswertung der Veränderung
einer Bauelementeeigenschaft wie z. B. einer Widerstandsänderung, einer

Kapazitätsänderung oder einer Änderung der Strom-Spannungs-Kennlinie.
Ein komplettes Messsystem auf Basis dieser Sensoren erfordert ein signal-
verarbeitendes System (Messverstärker), dass sich entweder in unmittelbarer
Nähe des Sensors befindet, oder über eine Übertragungsstrecke mit diesem
verbunden ist. Bei einer langen Übertragungsstrecke können die auftretenden
Leitungswiderstände das Sensorsignal verfälschen. Zur Vermeidung derarti-
ger Fehlereinflüsse stehen einige erprobte Schaltungsvarianten zur Auswahl.
Diese lassen sich nach der Anzahl der Übertragungsleitungen unterscheiden
und in die Kategorien Vierleiter-, Dreileiter- und Zweileiter-Messschaltungen
einordnen.
Vierleiter-Messschaltung. Die Speisung des Sensorwiderstands erfolgt über
eine Konstantstromquelle. Das Sensorsignal, die Messspannung US , wird über
zwei separate Leitungen übertragen und in der hochohmigen Verarbeitungs-
schaltung (Elektrometersubtrahierer) belastungsfrei gemessen und zum Aus-
gangssignal Ua verstärkt (→ Bild 6.109a). Dabei entstehen keine Spannungs-
abfälle auf den Signalübertragungsleitungen. Die Spannungsabfälle auf den
Versorgungsleitungen beeinflussen das Ausgangssignal nicht, wenn nur die
Potenzialdifferenz über dem Sensorwiderstand verstärkt wird. Als Sonderfall
kann die Verstärkung auch den Wert 1 annehmen.
Dreileiter-Messschaltung. Diese Schaltung (→ Bild 6.109b) ist einsetzbar,
wenn alle Leitungswiderstände gleich groß sind. Durch geeignete Wahl der
Verstärkung des Elektrometersubtrahierers lässt sich ihr Einfluss heraus-
rechnen. Eine verbesserte Lösung ergibt sich, wenn es möglich ist, einen
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6.14 Integrierte Schaltungen 339
Spannungs-Strom-Wandler auf dem Sensor zu integrieren (→ Bild 6.109c),

da ein Strom nicht durch die Leitungswiderstände verfälscht wird.
Zweileiter-Messschaltung. Sorgt man dafür, dass die Gesamtstromaufnahme
von Sensor und Spannungs-Strom-Wandler konstant ist, kann der Signalstrom
IS und der Verbraucherstrom IV über dieselbe Leitung übertragen werden.
Durch Subtraktion des Verbraucherstroms vom Gesamtstrom kann nun der
Signalstrom ermittelt werden (→ Bild 6.109d). Dieses Messprinzip ist unter
dem Begriff Stromschleife bekannt. Die Minimal- und Maximalwerte des
Gesamtstroms sind mit 4 mA bzw. 20 mA in Standards festgelegt. Für unipo-

lare Signale ergibt sich daraus eine untere Signalstromgrenze von 4 mA und
eine obere Signalstromgrenze von 20 mA. Bei bipolaren Signalen folgt eine
negative Signalstromgrenze von 4 mA und eine positive Signalstromgrenze
von 20 mA, wobei der Nullpunkt des Signalwertes bei 12 mA liegt. Der
Signalspannungsbereich am Messwiderstand Rm kann durch dessen Größe
eingestellt werden. Bei Rm = 250 Ω ergibt sich als Signalspannungsbereich
1 . . . 5 V. 6
a) RL b) RL U2
RL RL U1
+1 I0 −1
I0
RS US RL RS US
−1 Ua +2 Ua
RL RL
Ua = I0 R S = U S U1 = I 0 (RS + RL ), U 2 = I 0 (RS + 2RL ),

U a = 2U1 −U 2 = I 0 RS
c) RL d) RL
R R
S US IS RL
RS US U0 R S US S US U0
Ua Ua
IV RL Rm IS RL
IV I S+I V R m
Bild 6.109 Messschaltungen für Sensoren
6.14 Integrierte Schaltungen
6.14.1 Übersicht
Eine integrierte Schaltung (integrierter Schaltkreis, IS; integrated circuit,

IC) ist die irreparable, nicht demontierbare kleinste Einheit der Mikroelek-
tronik. Sie kann als ein einziges Bauelement aufgefasst werden, das sich
von den diskreten Bauelementen durch ein komplexeres Funktionsniveau
unterscheidet. Eine integrierte Schaltung vereinigt die Funktionen und das
Zusammenspiel vieler diskreter Bauelemente.
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Die Einteilung integrierter Schaltungen kann vorgenommen werden nach:

Herstellungstechnologie (Filmschaltkreise, Festkörperschaltkreise, Hyb-
ridschaltkreise)
Funktion und Anwendung (Analogschaltungen, Digitalschaltungen, Mi-
xed-Signal-Schaltungen)
Entwurfsverfahren (Standardschaltkreise, Kundenwunsch-IC (ASIC-appli-
cation specific IC), programmierbare IC) (→ 8.8)
Integrationsgrad (→ Tabelle 6.2)
6.14.2 Filmschaltkreise
Ausgangsmaterial für Filmschaltkreise sind Glas- oder Keramikplättchen von
0,2 . . . 1 mm Dicke. Auf diese Plättchen werden Widerstandsnetzwerke (Wi-
derstände und Verbindungsleitungen) und in begrenztem Maße Kondensa-
toren und kleine Induktivitäten als Flachspulen (bis zu einigen µH) mittels
Dünnschicht- oder Dickschichttechnik aufgebracht (→ Tabelle 6.22).
Tabelle 6.22 Technologische Kennwerte der Dickschicht- und der Dünnschicht-
Filmtechnik
Dickschichttechnik Dünnschichttechnik
Substrat Aluminiumoxidkeramik Glas, Keramik
Dicke 0,5 . . . 1 mm 0,2 . . . 0,8 mm
Leitermaterial Pasten aus Metall, Metall- Al, Cr, NiCr
oxid und Glaspulver
Widerstandsmaterial Ag-Pd, Pt-Au NiCr, Ta2 N, Ta
Dielektrische Zwi- SiO, SiO2 SiO, SiO2 , Al2 O3 ,
schenschicht TiO2 , Ta2 O5
Leiterbahnbreite 100 . . . 500 µm 10 . . . 100 µm
Widerstände 10 . . . 107 Ω 10 . . . 106 Ω
Kapazitäten < 1 nF < 500 pF
Anzahl der 5 20 5 50
Funktionselemente
Beschichtungs- Siebdruck Aufdampfen, Aufstäuben
prozess (bis 10 000 Maschen je oder chemisches Abscheiden
Quadratzentimeter); im Vakuum; Masken- oder
Einbrennen Elektronenstrahlstrukturierung
Abgleich durch Sand- oder Laserstrahl Elektronenstrahl
Materialabtrag
In Filmschaltkreistechnik lassen sich Halbleiterelemente mit pn-Übergängen

nicht erzeugen. Diese müssen als speziell für diesen Zweck hergestellte
Bauelemente (z. B. in Form der SMD-Bauteile) in die Netzwerke eingefügt
werden. Auf diese Weise erhält man die Hybrid- und die Multichipschaltun-
gen.
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6.14.3 Festkörperschaltkreise
6.14.3.1 Grundlagen
Aufbau. Ausgangsmaterial für Festkörperschaltkreise (monolithische Schalt-

kreise) sind Wafer (Scheiben) aus einkristallinem, vordotiertem Silicium
von 3 . . . 12 Zoll (75 . . . 300 mm) Durchmesser. Die Scheiben sind etwa
0,3 . . . 1,0 mm dick. Sie werden geschliffen, poliert, geätzt und danach in zahl-
reichen Arbeitsgängen strukturiert, d. h. mit der funktionsfähigen Schaltung

versehen.
Jeder Wafer enthält viele gleichartige Schaltungen, die man durch Zerteilen
der Scheiben in einzelne Chips erhält. Die so gewonnenen Nacktchips werden
nach einer Funktionsprüfung in einem Gehäuse befestigt, mit den Anschlüssen
versehen (gebondet) und verkappt.
In monolithischer Technik lassen sich Dioden, Transistoren, Widerstände und 6
kleine Kapazitätswerte erzeugen. Induktivitäten sind nicht realisierbar.
Integrationsgrad. Um auf kleiner Chipfläche (die wesentlich die Kosten eines

Schaltkreises bestimmt) einen großen Integrationsgrad zu erreichen, ist es
notwendig, durch Verringerung der Strukturabmessungen die Packungsdichte
der Bauelemente zu erhöhen. Ein wichtiges Maß für die Strukturabmessun-
gen ist die minimal realisierbare Strukturgröße auf dem Chip. Diese bein-
haltet z. B. einen Leitbahnabstand, eine Leitbahnbreite oder die Gatelänge
eines MOSFET. Gegenwärtig betragen die minimalen Strukturgrößen übli-
cher Schaltkreistechnologien λ min = 0,8 . . . 0,065 µm. Sicher funktionierende
Transistoren benötigen eine minimale Größe von:
2
Bipolartransistor: ca. 150 . . . 180λ min
2
MOSFET: ca. 50 . . . 70λ min
Mit diesen Maßen sind heute Packungsdichten von über 100 Millionen Tran-
sistorfunktionen auf einem 150 mm2 großen Chip erreichbar.
6.14.3.2 Herstellungszyklen
Zyklus 0: Schaltkreisentwurf
Entwurf der Blockschaltung, des Stromlaufplanes und des Layouts; Herstel-
lung des Schablonensatzes für die Strukturierung der Wafer.
Zyklus 1: Scheibenprozess
Bearbeitung der Wafer durch Beschichten mit Fotolack, Belichten mittels
UV- bzw. bei kleinsten Strukturen mit Röntgenstrahlung (Fotolithografie),
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anschließend Ätzen, Dotieren, Oxidieren; automatische Scheibenmessung,

Kennzeichnung fehlerhafter Chips.
Zyklus 2: Plättchenprozess
Vereinzeln der Chips, Befestigung der Chips auf einem Trägerstreifen, Her-
stellen der Drahtverbindungen zwischen Chip und Anschlussstreifen, Aus-
stanzen der Trägerstreifen, anschließend Verkappen, Prüfen, Bedrucken, Ver-
packen.
6.14.3.3 Schaltkreistechnologien
Bipolare Schaltkreise
Bipolare Schaltkreise basieren i. Allg. auf einem Silicium-Epitaxie-

Planarprozess, der auf die Realisierung von Bipolartransistoren optimiert
ist. Sie eignen sich für Analog- und Digitalschaltungen.
Träger der integrierten Funktionselemente ist eine n-leitende Epitaxieschicht

auf einem p-leitenden Substrat (→ Bild 6.110). Die Funktionselemente sind so

in pn-Übergänge eingebettet, dass sie trotz des elektronisch aktiven Substrats
voneinander isoliert sind (Sperrschichtisolation).
Widerstand Transistor Kondensator Schottky-Diode
1 2 3 4 5 6 1 2 3 4 5
3
1 2 5 6
1
a) 4 b) 5
2 3 4
SiO2 p n p+ n+ Metall
Bild 6.110 Ausschnitte und zugehörige Schaltungsstrukturen aus bipolaren
Schaltkreisen
a) Widerstands-, Transistor-, Kondensatorstruktur, b) Multiemittertransistor mit
C-B-Schottky-Diode (TTL-Schottky-IC)
Integrierte Funktionselemente:
Widerstände in Form p- bzw. n-dotierter, vom Substrat durch pn-Übergänge
getrennter Schichten
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Transistoren als npn-Vertikalstrukturen und pnp-Lateral- oder Vertikal-

strukturen
Dioden, die aus integrierten Transistoren abgeleitet werden
Kondensatoren als Sperrschicht- oder Isolierschichtkapazitäten (nur bis zu
einigen 100 pF möglich)
Leiterbahnen (meist aus Aluminium)
Daneben gibt es weitere (aufwendigere) Technologien, bei denen die Funk-

tionselemente durch Zwischenschichten aus SiO2 (Isoplanar- oder OXIM-

Technik) oder Luft (Beam-Lead-Technik) voneinander isoliert sind, womit
parasitäre Elemente wegfallen.
Anwendungen in der Digitaltechnik:
TTL-Logik-Familien (74xxx-Serie) mit zahlreichen Varianten (→ 8.3.2.1)
ECL-Logik-Familie
Anwendungen in der Analogtechnik:
Operationsverstärker (→ 7.4), Videoverstärker
schnelle A/D- und D/A-Wandler
6
Spannungsreferenzen, Spannungsregler (→ 9.2)
CMOS-Schaltkreise
CMOS-Schaltkreise basieren auf einem zur Realisierung von MOSFETs
optimierten Silicon-Gate-Prozess.
Die MOS-Feldeffekttransistoren werden im Substrat (z. B. p-leitend) bzw. in

einer umdotierten Wanne (n-leitend) angeordnet (→ Bild 6.111). Da sie un-
tereinander selbstisolierend sind, kann auf zusätzliche Isolationsmechanismen
verzichtet werden. Es ergibt sich eine hohe Packungsdichte der Bauelemente.
Das dotierbare polykristalline Silicon-Gate erlaubt eine relativ frei einstellbare
Schwellspannung der MOSFETs. Die Schaltkreise sind auch auf n-leitendem
Substrat realisierbar.
Vorteile der CMOS-Technik:
minimale statische Verlustleistung
hohe Packungsdichte
kostengünstige Technologie (im Vergleich zu Bipolartechnologien)
großer Variationsbereich der Betriebsspannung
Wegen der minimalen Verlustleistung hat die CMOS-Technik alle Einkanal-

MOS-Techniken verdrängt.
Integrierte Funktionselemente:
n-Kanal- und p-Kanal-Anreicherungs-MOSFET
n-Kanal-Verarmungs-MOSFET
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Kapazitäten
Widerstände
Anwendungen in der Digitaltechnik:
CMOS-Logik-Familien (4xxx-Serie, 74HC-Serie) (→ 8.3.2.2)
VLSI-Schaltkreise (Mikroprozessoren, Signalprozessoren, Speicher)
Programmierbare Logik-IC (GAL, FPGA) (→ 8.8)
Anwendungen in der Analogtechnik:
Analogschalter, digital steuerbare Potentiometer
SC-Filter
hochauflösende A/D- und D/A-Wandler
1 2
Poly-Si
SiO2
n+ n+ p+ p+
n
p-Substrat
Bild 6.111 Ausschnitt aus einem CMOS-Schaltkreis

1 n-Kanal-FET, 2 p-Kanal-FET
Neben ihrem Haupteinsatzgebiet, den Digitalschaltungen, werden CMOS-

Schaltkreise zunehemend auch für Mixed-Signal-Schaltungen verwendet. Die-
se beinhalten meist komplexe Systeme der Signalverarbeitung und verfügen
neben einem digitalen Hauptteil auch über angepasste Analogbaugruppen, wie
z. B. Signalaufnehmer und A/D-Wandler.
BICMOS-Schaltkreise
BICMOS-Schaltkreise beruhen auf einem sehr komplexen technologi-

schen Prozess, der die gemeinsame Realisierung von CMOS- und Bipo-
lartransistoren ermöglicht.
Dadurch lassen sich die wesentlichen Vorteile der MOSFETs (hohe Packungs-
dichte, kleine Verlustleistung) mit den Vorteilen der Bipolartransistoren (hohe
Grenzfrequenz, hohe Steilheit) verbinden. Der Preis sind relativ hohe Herstel-
lungskosten.
Einsatzgebiete der BICMOS-Technik:
signalverarbeitende Mixed-Signal-Systeme mit guten Analogeigenschaften
Digitalschaltungen mit hoher Leistungsfähigkeit der Ausgangstreiber und
minimaler Verlustleistung
A/D-Wandler, D/A-Wandler
Operationsverstärker mit hohem Eingangswiderstand (MOSFET-Eingang)
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SOI-Schaltkreise
Bei der SOI- (silicon on insulator) oder SOS-Technik (silicon on sapphire)

wird die Halbleiterschicht, in der sich die Funktionselemente befinden, auf
einem Isolator (SiO2 , Saphir) angeordnet oder durch ein vergrabenes Oxid
vom Halbleitersubstrat elektrisch isoliert.
Der Siliciumfilm wird durch Trennfugenätzung in Inseln unterteilt, auf denen

durch Diffusion oder Implantation die MOS-Strukturen erzeugt werden (→

Bild 6.113). Vorteil dieser Technologie ist die dielektrische Isolation der
Bauelemente. Die Vermeidung von Leckströmen zum Substrat, wie sie bei pn-
Isolation der gewöhnlichen CMOS-Technik auftreten, erlaubt den Einsatz von
SOI-Schaltkreisen auch bei Temperaturen größer als 80 ◦ C. Dafür ist jedoch
ein sehr hoher technologischer Aufwand nötig.
1 2 3
6
6 4 5
S G D S G D n+ 3
SiO2
n+ n+
+ p + + + +
n n p n p n
p-Si-Substrat
Saphir
2 1
Bild 6.112 Ausschnitt aus einem Bild 6.113 Ausschnitt aus
SOS-Schaltkreis einem SOI-Schaltkreis
1 n-Kanal-FET, 2 p-Kanal-FET, 3 Leiter- 1 p-Si, 2 vergrabenes Oxid,
bahnen (unten aus n+ -Silicium, darüber 3 Feldoxid, 4 SiO2 ,
metallische Leiterbahn, Isolation SiO2 5 Poly-Si, 6 Al-Leiterbahn
GaAs-Schaltkreise
GaAs-Schaltkreise sind extrem schnelle VLSI-Schaltungen auf Metall-

Halbleiter-FET-Basis. Wegen der hohen Herstellungskosten ist die Anwen-
dung auf spezielle Fälle beschränkt.
Vom Wirkungsprinzip her handelt es sich um Sperrschicht-FET, bei denen

ein Schottky-Übergang die Gateelektrode bildet. Die Raumladungszone des
Schottky-Übergangs steuert den Querschnitt des Kanals; die Kanallänge liegt
bei 0,5 µm. Vorteilhaft sind die hohe Ladungsträgerbeweglichkeit und die
große Breite der verbotenen Zone Wg von GaAs. Dies führt zu sehr schnellen
und temperaturunempfindlichen Schaltkreisen.
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Hybridtechnik und Multichipmodule
Die Hybridtechnik ist eine Mischform aus integrierter und diskreter

Schaltungstechnik.
Passive Bauelemente und Leiterbahnen werden integriert als Filmschaltungen

hergestellt, in die aktive Bauelemente (Dioden, Transistoren) und Kondensa-
toren meist als SMD-Baugruppen sowie integrierte Standardschaltkreise als
Nacktchips eingefügt werden.

Vorteile der Hybridtechnik:
kurze Entwicklungszeiten bis zur Serienreife
kostengünstig auch bei Kleinserien und Kundenwunschschaltungen
Anwendungen:
eng tolerierte Widerstandsnetzwerke und Kettenleiter (z. B. für D/A-Umsetzer)
einfache Verstärkerschaltungen
Interface-Schaltungen (z. B. in der Mikrorechentechnik)
Mikrowellenschaltungen
Multichipmodule sind Hybridschaltungen, bei denen mehrere integrierte
Schaltkreise als Nacktchips auf einem Keramiksubstrat durch Filmschaltkreis-

technik zu einem größeren System vereinigt werden.
6.14.3.4 Schaltkreisentwurf
Standardschaltkreise. Der Entwurf der auf einem Schaltkreis zu realisieren-
den Schaltung und des zugehörigen Layouts erfolgt für Standardschaltkreise
beim Chiphersteller. Dies betrifft:
digitale Grundschaltungen (→ 8.3)
Mikroprozessoren, Signalprozessoren, Speicher (→ 8.6, 8.5)
Operationsverstärker (→ 7.4)
A/D- und D/A-Wandler (→ 7.7)
Spannungsreferenzen, Spannungsregler (→ 9.2)
Signalgeneratoren
Kundenspezifische Schaltkreise. Auf dem Teilgebiet der digitalen Schalt-
kreise werden durch die Chiphersteller verschiedene Konzepte zum kun-
denspezifischen Schaltkreisentwurf angeboten. Diese ermöglichen es dem
Anwender, seine eigenen Schaltungen auf einem integrierten Schaltkreis zu
realisieren. Dabei sind drei Kategorien zu unterscheiden:
Die programmierbaren Logikbausteine enthalten bis 5 Millionen vorgefer-
tigte Gatteräquivalente, deren logische Funktion und Verknüpfung entspre-
chend der konkreten Schaltung vom Anwender selbst programmiert werden
können (z. B. GAL, CPLD, FPGA; → 8.8).
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Die Gate-Array-ASICs (application spezific IC) beinhalten eine große An-

zahl (. . . 500 000) vorgefertigter Logikbaugruppen (Gatter, Flipflop), deren
Verdrahtung der Anwender festlegt. Auf vorgefertigte Chips werden in der
Endfertigung die kundenspezifischen Leitbahnebenen aufgebracht.
Bei den Standardzellen-ASICs wird die vom Kunden gewünschte Schaltung
aus einer Bibliothek von Grundbaublöcken (Gatter, Flipflop, RAM, ROM)
zusammengesetzt, ins Layout übertragen und der Chip entsprechend pro-
duziert.
Für den Entwurf der Schaltungen stehen dem Anwender zahlreiche universelle
und herstellerspezifische CAD-Systeme zur Verfügung. Diese CAD-Systeme
enthalten neben umfangreichen Baublockbibliotheken auch Synthesewerkzeu-
ge, um eine Verhaltensbeschreibung des Systems (z. B. eine Automatenta-
belle) automatisch in die Logik umzusetzen, Simulationsprogramme, um die
Schaltungsfunktion bereits vor der Fertigung zu überprüfen, und Testgenerato-
ren, um Eingangssignalfolgen zu erzeugen, mit denen die Funktionsfähigkeit
der fertigen Schaltkreise überprüft werden kann.
6
6.14.4 Schaltkreisgehäuse
Aus der großen Vielfalt der für Schaltkreise verwendeten Gehäuseformen sind
die fünf Grundformen (→ Bild 6.114) zu nennen:
TO220-Gehäuse mit bis zu 11 Anschlüssen
Dual-inline-Gehäuse (DIL) mit 4 bis 64 Anschlüssen aus Kunststoff
(zulässiger Betriebstemperaturbereich 0 . . . + 70 ◦ C) oder Keramik
(−55 . . . + 125 ◦ C)
Flat-pack-Gehäuse (FP) mit bis zu 196 Anschlüssen
PLCC-Gehäuse (plastic leaded chip carrier, SMD-Bauform) mit bis zu 84
Anschlüssen. PLCC-Gehäuse können auch in Fassungen mit Federkontak-
ten gesteckt werden.
PGA-Gehäuse (pin grid array) mit bis zu 240 Anschlüssen. Die Anschluss-
Pins sind hier kleine Stifte. PGA-Gehäuse werden üblicherweise in passen-
de Fassungen gesteckt.
BGA-Gehäuse (ball grid array) ähneln sehr den PGA-Gehäusen. Sie be-
sitzen mehrere hundert Anschlüsse. Die Anschluss-Pins sind hier kleine
Kügelchen. Diese Gehäuse werden fest auf die Platine gelötet.
Die Anschlussnummerierung rechteckiger IC-Gehäuse gilt für den Blick auf

die Gehäuseoberseite; die Zählrichtung ist durch eine Kerbe oder Vertiefung
auf dem Gehäuse gekennzeichnet.
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13 12
6 1 40 1 17
9 8 7 39 A
16 1 17 9 Q
1 7 24 1 18 28
a) b) c) d) e)
Bild 6.114 Gehäuseformen integrierter Schaltkreise (nicht maßstäblich)

a) TO220, b) Flat-pack-Gehäuse FP-24, c) Dual-Inline-Gehäuse DIL 16,
d) PLCC-Gehäuse, e) PGA-Gehäuse
6.15 Kühlung von Halbleiterbauelementen

Wärmeableitung. Die in Halbleiterbauelementen in Wärme umgesetzte elek-
trische Leistung muss an die Umgebung abgeführt werden, um eine unzuläs-
sig große Aufheizung des Halbleiterkristalls zu verhindern. Das kann durch
Wärmeabstrahlung unmittelbar vom Gehäuse des Bauelementes, durch zu-
sätzliche, in gutem Wärmekontakt mit dem Bauelement stehende Kühlkörper

oder/und forcierte Luftkühlung geschehen.
Thermisches Ersatzschaltbild (→ Bild 6.115). In Analogie zu elektrischen

Grundgrößen lässt sich für die Wärmeableitung ein thermisches Ersatzschalt-
bild aufstellen. Dabei gelten folgende Entsprechungen:
elektrische Stromstärke ⇔ Wärmestrom PV (W)
elektrisches Potenzial ⇔ Temperatur ϑ (K)
elektrischer Widerstand ⇔ Wärmewiderstand Rth (K/W)
elektrische Kapazität ⇔ Wärmekapazität Cth (Ws/K)
1 ϑj ϑc ϑk ϑa
3 2
Rthjc Rthjk Rthja
Umgebung
d PV (t )
Cj Cc Ck
4
1 2 3 4
Bild 6.115 Thermisches Ersatzschaltbild zur Darstellung der Wärmeableitung
1 Kristall, 2 Gehäuse, 3 Isolierscheibe, 4 Kühlkörper
Bei Verwendung eines Kühlkörpers muss die der elektrischen Leistung äqui-
valente Wärmeleistung PV die Wärmewiderstände
vom Kristall zum Gehäuse Rthjc (j junction, pn-Übergang; c case, Gehäuse),
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6.15 Kühlung von Halbleiterbauelementen 349
vom Gehäuse zum Kühlkörper Rthck (k Kühlkörper) entweder durch direk-

ten Kontakt oder über eine Isolierzwischenlage und
vom Kühlkörper zur Umgebung Rthka (a äußere Umgebung) überwinden.
Wärmewiderstände muss man den technischen Unterlagen (Kennwerte) der

Bauelemente- bzw. Kühlkörperhersteller entnehmen (→ Tabelle 6.23).
Tabelle 6.23 Richtwerte für Wärmewiderstände elektronischer Bauelemente
Bauelement Diode Transistor Transistor Transistor Transistor

Gehäuse Plastik Plastik Metall Plastik1) Metall
Do-35 TO-92 TO-5 SOT-32 TO-3
Rthja K/W 300 500 250 100 30
2) 2)
Rthja K/W 60 10 3
1)
Flachgehäuse mit einseitiger Metallfläche
2)
nur freitragende Montage ohne Kühlkörper
6
Wegen der Wärmekapazitäten (Kondensatoren im Ersatzschaltbild) treten
nach veränderter Wärmeleistung Temperaturänderungen verzögert mit der

thermischen Zeitkonstanten τ th = RthCth auf. Die innere thermische Zeitkon-
stante τ thi elektronischer Bauelemente ist gegenüber den äußeren thermischen
Zeitkonstanten (Gehäuse, Kühlkörper) so klein, dass schon bei kurzzeitiger
Überlastung das Bauelement thermisch zerstört werden kann, ohne eine außen
messbare Temperaturerhöhung zu hinterlassen.
1,5 9 12
15 I 11
D=20
29
a) b) c)
33
8
Profil I
Rthka in K/W
6
24 4
II Profil II
4
2
65
40 60 80 100
d) e)
l in mm
Bild 6.116 Kühlprofile
a) Aufsteckkörper für Gehäuse TO-5; h = 5 mm, Rthka = 50 K/W, b) U-Kühlkörper
für Gehäuse SOT-32; L = 25 mm, Rthka = 30 K/W, c) Kühlschiene für Gehäuse
TO-220, SOT-32, d) Strangkühlkörper, e) Rthka = f (l) für die Profile nach Bild c
und d
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Kühlkörper. Der Wärmewiderstand vorgefertigter Kühlkörper und von ge-

zogenen Kühlkörperprofilen in Abhängigkeit von der Profillänge sind den
Herstellerangaben zu entnehmen. Einige Beispiele zeigt Bild 6.116.
Wärmewiderstand bei Impulsbetrieb. Bei Impulsbetrieb darf wegen der
Wärmeträgheit die Impulsleistung größer als die statische Nennleistung sein,
sofern andere Grenzwerte nicht überschritten werden. Der Wärmewiderstand
wird scheinbar kleiner, da in den Impulspausen keine Wärme entsteht, wohl
aber abgeführt wird; es gilt:

0
Rthjc = kRthjc (6.78)
k Konstante, die vom Tastverhältnis ϑ = tE /TS abhängt.
6.16 Rauschen elektronischer Bauelemente
6.16.1 Grundbeziehungen und Widerstandsrauschen

In jedem elektronischen Bauelement werden durch den diskreten Charakter

des elektrischen Stromflusses regellose spontane Strom- und Spannungsän-
derungen erzeugt, die als Rauschen bezeichnet werden. Rauschvorgänge
sind stationär und ergodisch, d. h., ihre statistischen Eigenschaften ändern
sich nicht mit der Zeit /6.13/.
Widerstandsrauschen. Als Folge der thermischen Bewegung der Ladungs-

träger entstehen an den Enden eines Leiters (eines Widerstands) statische
Spannungsschwankungen (thermisches Rauschen). Die erzeugte Rauschspan-
nung ist bis zu sehr hohen Frequenzen frequenzunabhängig. In Analogie zum
weißen Licht spricht man deshalb vom weißen Rauschen. Betrachtet man aus
dem Rauschspektrum einen bestimmten, schmalen Frequenzbereich mit der
Bandbreite ∆ f , so ist die Rauschleistung an jeder Stelle des Spektrums gleich
groß. Nach Nyquist erzeugt jeder Widerstand, unabhängig vom Widerstands-
wert, eine Rauschleistung PR , die proportional der absoluten Temperatur ist.
PR = 4kT ∆ f k = 1,38 · 10−23 Ws/K (6.79)
Aus P = I 2 R bzw. P = U 2 /R erhält man für den Rauschstrom und die

Rauschspannung:
r
4kT ∆ f
IR = (6.80)
R
p
UR = 4kT ∆ f R (6.81)
i i
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6.16 Rauschen elektronischer Bauelemente 351
6.16.2 Äquivalenter Rauschwiderstand
Jedes Bauelement erzeugt eine Rauschspannung. Um die Rauscheigenschaf-

ten aller Rauschquellen vergleichen zu können, ersetzt man das Bauelement
durch einen gedachten Widerstand, den äquivalenten Rauschwiderstand Räq ,
der die gleiche Rauschspannung hervorbringen würde.
Signal-Rausch-Verhältnis. Durch das Rauschen wird die Möglichkeit der
Signalverstärkung eingeschränkt. Rausch- und Nutzsignal überlagern sich.
Für eine Auswertung des Nutzsignals muss ein bestimmtes Signal-Rausch-

Verhältnis ASR eingehalten werden. Im Allgemeinen muss die Signalleistung
PS größer als die immer vorhandene Rauschleistung PR sein:
PS
ASR = (6.82)
PR
Da das Rauschen der Bauelemente in einem Verstärker durch die folgenden
Verstärkerstufen mit verstärkt wird, muss man in den Eingangsstufen rausch- 6
arme Bauelemente einsetzen.
6.16.3 Rauschzahl und Rauschmaß

Rauschzahl. Die Rauscheigenschaften eines Bauelementes oder einer Bau-
gruppe werden durch die Rauschzahl F beschrieben. Die Rauschzahl drückt
aus, in welchem Verhältnis die Signal-Rausch-Verhältnisse am Ein- und Aus-
gang des Elementes zueinander stehen:
ASRE
F= (6.83)
ASRA
Rauschmaß F 0 . Es ist durch folgende Beziehung definiert; es wird in Dezibel
(dB) angegeben.
F 0 = 10 lg F (6.84)
6.16.4 Rauschen von Feldeffekttransistoren

Der Kanalstrom von Feldeffekttransistoren besitzt drei Rauschquellen /6.26/:
p
thermisches (weißes) Rauschen: IRth = 4kT ∆ f S/α
α transistorspezifische Konstante (etwa 1 . . . 3), S Steilheit
Schrotrauschen (i. Allg. vernachlässigbar klein)
Funkelrauschen (1/ f -Rauschen), das auf die Generation und Rekombinati-
on von Ladungsträgern zurückzuführen
q ist; ab etwa 1 kHz nimmt es nach
kleinen Frequenzen hin zu: IRF = KF I0AF ∆ f /(COX f b )
(COX , KF , AF, b sind transistorspezifische Konstanten)
i i
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Die verschiedenen Rauschleistungsanteile überlagern sich und werden i. Allg.

in einen äquivalenten Rauschwiderstand oder einen Rauschfaktor umgerech-
net. Für den äquivalenten Rauschwiderstand des FET gilt:
α
Räq = (6.85)
S
Da bei kleinen Frequenzen das Funkelrauschen zunimmt und bei hohen
Frequenzen die Steilheit des FET abnimmt, ergibt sich der in Bild 6.117
dargestellte Frequenzverlauf des Rauschmaßes.

Das üblicherweise in Datenblättern angegebene Rauschmaß von FET bezieht
sich immer auf einen bestimmten Arbeitspunkt, Generatorwiderstand und eine
bestimmte Frequenz.
F′ in 16 RG = 5 kΩ
dB
1 kΩ
F′
12 500 Ω
Funkelrauschen 250 Ω
8
S nimmt ab
4
weißes Rauschen
0
10−2 2 5 10−1 2 5 100 2 5 101
lg f IC in A
Bild 6.117 Abhängigkeit des Bild 6.118 Abhängigkeit des Rausch-
Rauschmaßes bei Feldeffekt- maßes bei Bipolartransistoren vom
transistoren von der Frequenz Kollektorstrom und Generatorwiderstand
6.16.5 Rauschen bipolarer Transistoren
Ursachen des Rauschens bipolarer Transistoren sind /6.26/:

thermisches
p (weißes) Rauschen der Basisbahnwiderstände:
IBRth = 4kT ∆ f /RBB
Funkelrauschen (1/ f -Rauschen) durch Generations-
q und Rekombinations-
vorgänge in den Sperrschichten: IBRF = KF IBAF ∆ f / f b
p
Schrotrauschen in den pn-Übergängen: IBRS = 2eIB ∆ f
Wenn der Transistor als Verstärker arbeitet, treten diese Rauschströme sowohl
an der leitenden Basis-Emitter-Diode (als Basisrauschstrom IBR ) als auch
an der gesperrten Basis-Kollektor-Diode (als ICR ) auf. Die sich überlagern-
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6.16 Rauschen elektronischer Bauelemente 353
den Wirkungen werden in einen äquivalenten Rauschwiderstand oder einen

Rauschfaktor umgerechnet.
Das Funkelrauschen nimmt nach kleinen Frequenzen hin zu. Die Stromver-
stärkung h21 sinkt mit steigender Frequenz. Daraus ergibt sich ein ähnlicher
Frequenzverlauf des Rauschmaßes wie bei Feldeffekttransistoren. Der Anstieg
bei hohen Frequenzen beginnt etwa bei 0,1 fα (→ 6.9.4).
Das Rauschmaß ist abhängig vom Generatorwiderstand und vom Arbeits-
punkt. Praktische Werte des Rauschmaßes eines Siliciumtransistors zeigt Bild

6.118.
6
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7 Analoge Schaltungen
7.1 Begriffsbestimmung
Die elektrische Verbindung von Bauelementen der Elektronik zu einer

zweckbestimmten Funktionseinheit wird als Schaltkreis oder elektroni-

sche Schaltung bezeichnet.
Die integrierte Schaltungstechnik verwendet heute vorwiegend Mikrochips

(integrierte Schaltkreise, IC), die teilweise mit diskreten Bauelementen kom-
biniert werden. Dabei ist die Leiterplatte (Leiterkarte) die kleinste konstruk-
tive Einheit. Schaltkreise (elektronische Schaltungen) dienen zur Wandlung,
Übertragung und Verarbeitung von Informationen mittels elektrischer Signale
(Informationselektronik) oder zur Umformung und Steuerung von elektrischer
Energie (Leistungselektronik). Eine Informationskette (→ Bild 7.1) hat fol-
gende Aufgaben:
Informationsgewinnung (IG), z. B. Sensoren, Messwandler
Informationsübertragung (IÜ), z. B. Leitungen, Bussysteme
Informationsverarbeitung (IV), z. B. Verstärker, Rechner
Informationsnutzung (IN), z. B. Displays, Stellglieder
IG IÜ IV IN
Bild 7.1 Glieder einer Informationskette
Nach der grundsätzlichen Arbeitsweise und der verwendeten Signalart unter-

scheidet man zwischen analogen und digitalen Schaltkreisen bzw. Schaltun-
gen (→ 8.1).
Information
Information (im engeren Sinne) ist der Oberbegriff für Mitteilungen, Be-
fehle, Messwerte, Rechenergebnisse, Daten usw.
Im weiteren Sinne ist Information die Beseitigung einer Ungewissheit. Der

Informationsgehalt ist umso größer, je unbestimmter das Ereignis vor Eintref-
fen der Information war. Als Maß für die Information gilt in der Informati-
onstheorie die Zunahme an Wahrscheinlichkeit.
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7.1 Begriffsbestimmung 355
Der Informationsgehalt I einer Nachricht ist umso größer, je kleiner die

Wahrscheinlichkeit p ihres Auftretens ist, d. h. je größer ihr „Neuigkeitswert“
ist.
1
I = ld (7.1)
p
„ld“ bedeutet dyadischer Logarithmus (Log. zur Basis 2). I wird in bit ange-
geben.
Nachricht
Nachricht ist eine Information, die vom Menschen erzeugt, mit beliebigen
Mitteln übertragen und von Menschen wieder aufgenommen wird.
Die technische Informationsübertragung, so auch die Nachrichtenübertra-

gung, ist an Signale gebunden.
Signal
Ein Signal ist die Darstellung von Informationen durch physikalische Grö-
ßen als Signalträger.

7
Informationsparameter (IP). Der IP des Signals enthält die Information.
Jedes Signal hat mindestens einen IP. IPs einer Wechselspannung als Signal-
träger können Amplitude, Frequenz oder Phase sein. Je nachdem, wie sich der
IP verändern kann, unterscheidet man z. B. analoge und diskrete Signale (→
8.1).
Analoges Signal
Bei analogen Signalen kann der Informationsparameter innerhalb festge-

legter Grenzen jeden beliebigen Wert annehmen.
Analoge Signale werden als kontinuierlich analog (wert- und zeitkontinuier-

lich) bezeichnet, wenn die Änderung der Informationsparameter zu beliebigen
Zeitpunkten erfolgen kann. Ist die Änderung nur zu bestimmten Zeitpunkten
möglich, so spricht man von diskontinuierlich analogen (wertkontinuierlichen,
zeitdiskreten) Signalen.
Analoges System (Analoger Schaltkreis)
Bei einem analogen System liegen nur analoge Eingangs-, Zustands- und
Ausgangsgrößen vor.
Ändert man bei einem analogen System die Eingangssignalgröße stetig, so

ändert sich die Ausgangssignalgröße ebenfalls stetig, also nicht sprunghaft.
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356 7 Analoge Schaltungen
U U
t t
∆t
a) b)
Bild 7.2 Analoges Signal: a) kontinuierlich, b) diskontinuierlich (Abtastsignal)
(Signalträger = Spannung, Informationsparameter = Amplitude)
Typische analoge Schaltungen sind z. B. lineare Verstärker, analoge Filter.
7.2 Analysemethoden
Zur Analyse des Übertragungsverhaltens analoger Schaltungen werden die
aus der Elektrotechnik bekannten Methoden (Kirchhoff’sche Regeln, Über-
lagerungssatz, Zweipoltheorie) verwendet. Darüber hinaus wird besonders
die Knotenspannungsmethode als Grundlage für rechnergestützte Analysen
(z. B. Simulation mit PSpice) behandelt. Auf Vierpole in herkömmlicher
Form sowie Zweitore mit wellenbezogener Betrachtungsweise wird ebenfalls

eingegangen.
7.2.1 Vierpolanalyse (Zweitoranalyse)
Ein Vierpol (Zweitor) ist ein Übertragungssystem mit vier äußeren

Schnittstellen (Klemmen, Pole), von denen jeweils zwei zusammen be-
trachtet werden (Eingangstor, Ausgangstor).
Unabhängig von ihrer konkreten Beschaffenheit werden Vierpole (Zweitore)

durch Funktionsblöcke symbolisiert und durch zwei Klemmenspannungen
und zwei Klemmenströme beschrieben (→ Bild 7.3). Für die Berechnung wird
hier das in der Elektronik übliche Zählpfeilsystem verwendet. Für I 2 ist noch
eine zweite Richtung zugelassen (im Bild 7.3 eingeklammert).
I Beachte: Zählpfeile sind vereinbarte Richtungsfestlegungen für Spannungen und
Ströme, die als Berechnungsgrundlage dienen und mit der tatsächlichen Richtung
(z. B. technische Stromrichtung „plus nach minus“) nicht übereinstimmen müs-
sen. Nichtübereinstimmung ergibt negative Größen, z. B. im Bild 7.3:
U
−I 2 = 2
R2
Im Bild 7.3 ist sowohl die herkömmliche Strom-Spannungsbeschreibung als
auch die normierte Wellenbeschreibung mit einlaufenden Wellen M1 ; M2
und auslaufenden Wellen N1 ; N2 dargestellt. Die Wellendarstellung wird im
Abschnitt 7.2.1.3 behandelt.
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7.2 Analysemethoden 357
( )
R1 I1 I2
U0 U1 M1 Zweitor M2U R2 Bild 7.3 Vierpol (Zweitor)

N1 (LTI) N2 2
zwischen Sender und Empfänger
Klassifizierung von Vierpolen (Zweitoren)

Linearität. Lineare Vierpole bestehen nur aus linearen Bauelementen (R,
L, C). Ihre Übertragungsfaktoren sind unabhängig von Strom und Spannung

(weitere Definitionen → 5.2.1).
Nichtlineare Vierpole enthalten Bauelemente mit nichtlinearen I/U-Kennlini-
en. Bei Kleinsignalbetrieb können sie näherungsweise wie lineare Vierpole
behandelt werden (z. B. Dioden, Transistoren).
Leistungsbilanz. Passive Vierpole (z. B. Dämpfungsglieder) enthalten keine
inneren Energiequellen, sodass die Ausgangswirkleistung P2 kleiner als die
Eingangswirkleistung P1 sein muss (Verlustleistung Pv = P1 − P2 ). Aktive
Vierpole (z. B. Verstärker) entnehmen die Energie für die Erzeugung der
Ausgangssignale nicht aus den Eingangssignalen, sondern einer Hilfsenergie-

quelle (Stromversorgung), sodass P2 = P1 ist.
7
Umkehrbarkeit. Umkehrbare Vierpole haben in beiden Richtungen gleiches
Übertragungsverhalten. Alle passiven, linearen Vierpole sind umkehrbar. In
den Vierpolmatrizen gilt:
z12 = z21 y12 = y21 ∆a = −1 (7.2)
Nichtumkehrbar sind aktive Vierpole und Diodenschaltungen.
Symmetrie. Bei symmetrischen Vierpolen sind Eingänge und Ausgänge mit-
einander vertauschbar, ohne dass sich dies elektrisch auswirkt. Oft kann die
Symmetrieeigenschaft direkt aus der Schaltung abgelesen werden.
In den Vierpolmatrizen gilt:
z11 = z22 y11 = y22 a 11 = −a 22 (7.3)
Erdsymmetrie. Bei erdsymmetrischen Vierpolen kann eine Symmetrielinie
in Längsrichtung eingetragen werden. Bei erdunsymmetrischen Vierpolen
ist eine durchgehende Erd- oder Masseleitung vorhanden, sodass derartige
Vierpole eigentlich nur Dreipole sind.
7.2.1.1 Rechnen mit Vierpolen
Das Übertragungsverhalten linearer Vierpole kann durch zwei voneinander

unabhängige Gleichungen beschrieben werden. Die Vierpolgleichungen wer-
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den auch in Matrizenform geschrieben und können außerdem durch Ersatz-

schaltbilder veranschaulicht werden.
Vierpolgleichungen
Bei bekannter Schaltungsstruktur können die Vierpolgleichungen unter An-
wendung der Kirchhoff’schen Regeln aufgestellt werden (Beispiel im Bild
7.4).
I1 R1 R3 I2
I1 + I 2
U1 M1 R2 M2 U2
Bild 7.4 Zur Ableitung der Vierpol-
gleichungen am Beispiel eines T-Gliedes
Die Anwendung des Maschensatzes ∑ U = 0 ergibt das Vierpolgleichungs-

system in Widerstandsform:
M1: U1 = I1 (R1 + R2 ) +I2 R2
M2: U2 = I1 R2 +I2 (R2 + R3 )

Zweckmäßig ist die Anwendung der Matrizenschreibweise:

U1 R1 + R2 R2 I1
=
U2 R2 R2 + R3 I2
I Die Elemente der Vierpolmatrizen (Vierpolparameter) werden mit Zeichen-
Spalten-Indizes gekennzeichnet (z. B. bedeutet Index 21: Element steht in der 2.
Zeile und der 1. Spalte der Matrix).
Formen der Vierpolgleichungen

U1 z11 z12 I1
Widerstandsform = (7.4)
U2 z21 z22 I2
!
I1 y11 y12 U1
Leitwertform = (7.5)
I2 y21 y22 U2

U1 h11 h12 I1
Hybridform = (7.6)
I2 h21 h22 U2

U1 a 11 a 12 U2
Kettenform = (7.7)
I1 a 21 a 22 I2
Die Definitionsgleichungen der Vierpolparameter ergeben sich, indem jeweils
am Ein- oder Ausgang des Vierpols Kurzschluss (U = 0) oder Leerlauf (I = 0)
angenommen wird.
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Vierpol-Ersatzschaltbilder
I 1 h11 h21 I 1 I2
1
U1 h12U 2 U2
h22
a)
I1 y U 2 y U1 I2
12 21
U1 y y U2
11 22
b)
y SU 1
3
U1 y y U2
1 2
Bild 7.5 Vierpol-Ersatzschaltbilder
c) a) in h-Form, b) in y-Form, c) in π-Form 7

Anschaulicher als die Vierpolgleichungen sind die Ersatzschaltbilder:
h-Ersatzschaltbild (→ Bild 7.5a)
y-Ersatzschaltbild (→ Bild 7.5b)
π-Ersatzschaltbild (→ Bild 7.5c)
Neben Widerständen und Leitwerten enthalten die Ersatzschaltbilder gesteu-

erte Quellen zur Verkopplung der Eingangs- und Ausgangskreise.
Gesteuerte Quellen sind an das Ersatzschaltbild gebundene Strom- oder
Spannungsquellen, deren Kurzschlussströme (Ik ) oder Leerlaufspannungen
(Ul ) von anderen elektrischen Größen (z. B. Klemmenspannung, Klemmen-
strom) abhängig sind. Zwischen π-Ersatzschaltbild und y-Parametern bestehen
folgende Zusammenhänge:
Y 1 = y11 + y12
Y 2 = y22 + y12
(7.8)
Y 3 = −y12
S = y21 − y12
I Hinweis: Der Leitwert S wird als Steilheit bezeichnet (nicht mit den S-Parametern
im Abschnitt 7.2.1.3 zu verwechseln!).
Zur Berechnung des Übertragungsverhaltens eines Vierpols kann die Schal-
tung in bekannte Grundvierpole zerlegt werden. Die Matrix des Gesamtvier-
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pols berechnet sich dann aus den Matrizen der Einzelvierpole, wobei die Art
der Zusammenschaltung beachtet werden muss.
I Bedingung: Durch die Zusammenschaltung dürfen sich die Längsspannungen der
Vierpole nicht verändern. Bei erdunsymmetrischen Vierpolen müssen deshalb die
Masseleitungen miteinander verbunden werden.
Reihenschaltung erdunsymmetrischer Vierpole (→ Bild 7.6)

Eingänge und Ausgänge sind jeweils in Reihe geschaltet.
In der Vierpol-Reihenschaltung addieren sich die Widerstandsmatrizen, wenn

beide Vierpole eine durchgehende Masseleitung haben.
(z) = (z)A + (z)B (7.9)
Ein Transistor mit Emitterwiderstand (Serien-Stromgegenkopplung →

7.3.2.2) lässt sich als Vierpol-Reihenschaltung betrachten.
I1 I2
I 1A I 2A
U 1A ( z )A U 2A
I1 ( y )A I2
U1 U2
U1 I 1B I 2B U2
U 1B ( z )B U 2B
( y )B
I1 I2
Bild 7.6 Reihenschaltung Bild 7.7 Parallelschaltung
erdunsymmetrischer Vierpole erdunsymmetrischer Vierpole
Parallelschaltung erdunsymmetrischer Vierpole (→ Bild 7.7)

Eingänge und Ausgänge sind jeweils parallel geschaltet.
In der Vierpol-Parallelschaltung addieren sich die Leitwertmatrizen, wenn
beide Vierpole eine durchgehende Masseleitung haben.
(y) = (y)A + (y)B (7.10)
Ein Transistor mit Widerstand zwischen Kollektor und Basis (Parallel-Span-

nungsgegenkopplung → 7.3.2.2) lässt sich als Vierpol-Parallelschaltung be-
trachten.
Kettenschaltung von Vierpolen (→ Bild 7.8)

Der Ausgang des ersten Vierpols ist mit dem Eingang des zweiten verbunden.
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I1 −I 2A I 1B I2
U1 (a)∗A ( a) B U2
Bild 7.8 Kettenschaltung von Vierpolen
Die Kettenschaltung erfordert eine Vorzeichenumkehr beim Ausgangsstrom

des ersten Vierpols (bei n in Kette geschalteten Vierpolen ist die Vorzei-
chenumkehr bei den ersten n − 1 Vierpolen vorzunehmen), Gl. (7.11).

1 0
(a)∗A = (a)A · (7.11)
0 −1
In der Vierpolkettenschaltung multiplizieren sich die Kettenmatrizen.
(a) = (a)∗A (a)B (7.12)
I Beachte: Bei der Matrizenmultiplikation dürfen die Faktoren nicht vertauscht
werden.
(a)A (a)B 6= (a)B (a)A
Mehrstufige Verstärker lassen sich als Kettenschaltung von Vierpolen auf-
fassen.
7
7.2.1.2 Widerstände und Übertragungsfaktoren
Übertragungsfaktoren sind diskrete Werte von Übertragungsfunktionen für

vorgegebene Frequenzen.
Tabelle 7.1 Widerstände und Übertragungsfaktoren von Vierpolen
(z) (y) (a) (h)
z12 z21 y22 R2 + 1 a 12 − a 11 R2 h12 h21 R2
Z 1 z11 − h11 −
z22 + R2 ∆yR2 + y11 a 22 − a 21 R2 h22 R2 + 1
z12 z21 1 + y11 R1 a + a 22 R1 h11 + R1

Z 2 z22 − − 12
z11 + R1 y22 + ∆yR1 a 11 + a 21 R1 ∆h + h22 R1
z21 R2 y21 R2 R2 h21 + R2

Gu − −
∆z + z11 R2 y22 R2 + 1 a 11 R2 − a 12 ∆hR2 + h11
z21 y21 1 h21
Gi −
z22 + R2 ∆yR2 + y11 a 22 − a 21 R2 1 + h22 R2
∆ Determinante einer Matrix; z. B. ∆z = z11 z22 − z12 z21
Dynamischer Eingangswiderstand Z 1 (anderes Formelzeichen: re )

U
Z1 = 1 (7.13)
I1
Z 1 ist von den Vierpolparametern und dem Lastwiderstand R2 abhängig.
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Nach dem Funktionsverlauf |Z 1 | = f (|R2 |) werden drei Fälle unterschieden:

Bei umkehrbaren Vierpolen ist stets z11 > h11 , sodass sich ein mit |R2 |
ansteigender Verlauf ergibt.
Bei umkehrbaren Vierpolen hoher Dämpfung ist z11 ≈ h11 , sodass |R2 |
keinen wesentlichen Einfluss auf |Z 1 | hat.
Bei nichtumkehrbaren Vierpolen kann z11 < h11 sein, sodass in diesem
Fall |Z 1 | mit zunehmendem |R2 | abnimmt. Solche Vierpole werden als Gy-
ratoren bezeichnet. Gyratorisches Verhalten zeigen z. B. gegengekoppelte
Emitterstufen und spezielle Schaltungen mit Operationsverstärkern.
Dynamischer Ausgangswiderstand Z 2 (anderes Formelzeichen: ra )

U
Z2 = 2 (7.14)
I2
Z 2 ist von den Vierpolparametern und dem Quellenwiderstand R1 abhängig.
Wellenwiderstand Z w
Der Wellenwiderstand dient zur Festlegung des Anpassungswiderstandes in
nachrichtentechnischen Übertragungssystemen. Der Begriff stammt aus der

Leitungstheorie und beinhaltet dort das Verhältnis von Wellenspannung zu
Wellenstrom. (→ 7.2.1.3).
I Hinweis: Bei frequenzabhängigen Wellenwiderständen werden reelle Mittelwerte
(R1 ; R2 ) als Anpassungswiderstände verwendet.
Der Wellenwiderstand eines symmetrischen, umkehrbaren Vierpols ist

derjenige Widerstandswert, mit dem der Vierpol am Ausgang abgeschlos-
sen werden muss, um den gleichen Wert am Eingang messen zu können.
p
Zw = z11 h11 (7.15)
I Beachte: Bei unsymmetrischen Vierpolen wird zwischen eingangsseitigem und

ausgangsseitigem Wellenwiderstand (Z w1 6= Z w2 ) unterschieden.
Stromübertragungsfaktor Gi
Gi wird auch als Stromverstärkung V i bezeichnet.
I
Gi = V i = 2 (7.16)
I1
Spannungsübertragungsfaktor Gu
Gu wird auch als Spannungsverstärkung V u bezeichnet.
U
Gu = V u = 2 (7.17)
U1
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Leistungsübertragungsfaktor Gp
Gp wird auch als Leistungsverstärkung V p bezeichnet.
P2
Gp = V p = (7.18)
P1
Die Leistungsverstärkung ist das Produkt aus Spannungs- und Stromverstär-
kung.
V p = V uV i (7.19)
Logarithmische Übertragungsgrößen
Die logarithmischen Übertragungsgrößen werden aus den Logarithmen der
reziproken Übertragungsfaktoren gebildet.
Das komplexe Übertragungsmaß g ist:

P1
g = 10 lg = a + jb (7.20)
P2
In Gl. (7.20) ist a das Dämpfungsmaß in Dezibel (dB), b das Phasenmaß
in Radiant (rad). Teilweise wird noch die veraltete Pseudoeinheit „Neper“ 7

verwendet.
Umrechnung Neper ↔ Dezibel:
1 Np ≈ 8,686 dB
(7.21)
1 dB ≈ 0,115 Np
Das Dämpfungsmaß eines symmetrischen, umkehrbaren Vierpols (Zweitors)

folgt aus Gl. (7.20). Die Anpassungswiderstände sind gleich groß und kürzen
sich.

U
a = 20 lg 1 a in dB (7.22)
U 2
7.2.1.3 Wellenbezogene Parameter
Die Anwendung der Vierpolparameter setzt die hinreichend genaue Messbar-

keit der Ströme und Spannungen am Vierpol voraus. Bei hohen Frequenzen
(UHF; Mikrowellenbereich) wirken selbst kurze Leitungsstücke transformie-
rend, sodass eine Wellendarstellung den physikalischen Gegebenheiten (Wel-
lenausbreitung; Reflexionen) besser entspricht.
I Merke: Jede stationäre Strom/Spannungsverteilung kann durch hin-und rücklau-
fende Wellen dargestellt werden.
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Normierung der Wellen

Die normierte Wellendarstellung erleichtert den rechnerischen Umgang mit
Wellengrößen.
I Hinweis: Eine normierte Wellengröße N ist dadurch gekennzeichnet, dass das
Produkt mit ihrer konjugiert komplexen Größe N ∗ die doppelte Leistung angibt,
die mit dieser Welle transportiert wird (2P = N · N ∗ ).
Analogie „Wellendarstellung ↔ Strom/Spannungs-Darstellung“ (→ Bild 7.3)
N 1 ↔ U 1; M1 ↔ I1; N 2 ↔ ±I 2 ; M2 ↔ U 2 (7.23)
N normierte reflektierte Wellen (am Eingang: N 1 , am Ausgang: N 2 )
M normierte hinlaufende Wellen (am Eingang: M 1 , am Ausgang: M 2 )
N und M sind komplexe Amplituden.
Umrechnung der Spannungen und Ströme in normierte Wellen N; M:
U +Z I
M= √ (7.24)
2 Z
U −Z I
N= √ (7.25)
2 Z
Z Betriebswiderstand (komplexer Bezugswiderstand; am Eingang: Z 1 , am Aus-
gang: Z 2 )
Mit Anwendung dieser formalen Analogien lassen sich die Vierpolgleichun-
gen in Strom-/Spannungs-Form (→ Gln. (7.4) bis (7.7)) in die entsprechen-
den Zweitor-Gleichungen in Wellenform umrechnen. Aus der Gleichung in
Hybrid-Form (→ Gl. (7.6)) entsteht die Gleichung in Streumatrixform (auch
Scattering-Form genannt).
Zweitor-Gleichung in Streumatrixform

N1 S11 S12 M1
= (7.26)
N2 S21 S22 M2
I Hinweis: Die Streumatrixform kann auf Mehrtore erweitert werden. Ein typisches
Dreitor ist z. B. der Richtkoppler, der u. a. zur Messung der S-Parameter dient.
Mit dem Richtkoppler lassen sich hinlaufende und reflektierte Wellen getrennt
messen.
Die Bedeutung der S-Parameter zeigt sich durch Setzen von M 1 = 0 (reflexi-
onsfreier Eingang) oder M 2 = 0 (reflexionsfreier Ausgang):
Eingangsreflexionsfaktor (Reflexionsfaktor vorwärts (am Tor 1))

N Z − R1
r B1 = S11 = 1 = 1 (7.27)
M 1 M2 =0 Z 2 + R1
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Betriebsübertragungsfaktor vorwärts (von Tor 1 nach Tor 2)

s
N 2 2 U 2 R1
T B = S2 1 = = (7.28)
M 1 M2 =0 U0 R2
S12 Betriebsübertragungsfaktor rückwärts (von Tor 2 nach Tor 1)

S22 Ausgangsreflexionsfaktor (Betriebsreflexionsfaktor rückwärts (am Tor 2))
Alle S-Parameter, so auch r 1 und T B , sind vom Ansatz her komplexe Größen,
die in Exponentialform (Betrag und Phase) dargestellt werden können. Bei na-
hezu verlustfreien Zweitoren (z. B. Dämpfungsglieder, kurze HF-Leitungen)
wird mit den Beträgen gerechnet. Aus dem Betrag vom Kehrwert des Be-
triebsübertragungsfaktors leitet sich das Betriebsdämpfungsmaß ab.
Betriebsdämpfungsmaß
r
P1 max U0 R2
AB = 10 lg = 20 lg in dB (7.29)
P2 2U2 R1
Hierin ist P1 max die verfügbare Maximalleistung, die dem Eingang des Zwei- 7
tors bei Leistungsanpassung zugeführt würde. R1 und R2 sind die in der Praxis
verwendeten Abschlusswiderstände (Systemimpedanzen: z. B. 50 Ω, 240 Ω).
U02
P1 max = (7.30)
4R1
I Hinweis: Bei exakter Wellenanpassung (R1 = ZW1 ; R2 = ZW2 ) würde das Be-
triebsdämpfungsmaß in das Wellendämpfungsmaß übergehen. Da die Wellenwi-
derstände zumeist komplexe Größen haben, lassen sich diese Bedingungen nur in
Ausnahmefällen erfüllen.
7.2.2 Knotenspannungsanalyse
Vorteile gegenüber anderen elementaren Methoden:

Die Zahl n der aufzustellenden Gleichungen ist minimal; sie beträgt bei k
Netzwerk-Knoten:
n=k−1 (7.31)
Der Begriff der Knotenspannung (Potenzial) als Spannung zwischen Netz-
werk-Knoten und Masse ist anschaulich, da es sich um eine messbare
Spannung handelt.
Die Methode lässt sich gut in algorithmischer Form (Matrizen, Graphen,
Simulationsprogramme z. B. PSpice) anwenden.
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Elementarer Ablauf beim Aufstellen der Netzwerkgleichungen

1. Spannungsquellen in Stromquellen umrechnen (Ik = Ul · Yi )
2. Passive Bauelemente durch Leitwerte ausdrücken (Y = 1/Z; YC = jω C)
3. Zweigströme durch Spannungen und Leitwerte ausdrücken (I = ∆U · Y )
4. k − 1 Knotenpunktgleichungen aufstellen (∑ I = 0)
i1 i2 i1 i2
u1 i3 u2 u1 u2 Bild 7.9 Allgemeines Netzwerk

u3 a) erdsymmetrisches 3-Tor
a) b) b) erdunsymmetrisches 2-Tor
Zur Berechnung der Knotenspannungen ist ein lineares Gleichungssystem

mit n Unbekannten zu lösen. Das geordnete Gleichungssystem lässt sich in
Matrixform schreiben, dabei ist zwischen erdsymmetrischen und erdunsym-
metrischen Netzwerken zu unterscheiden (→ Bild 7.9).
Bildungsregeln für das Aufstellen der Matrix-Gleichungen

1. Alle Quellenströme nach Knotennummer ordnen und in Matrixform unter-
einander schreiben (zufließende Ströme positiv, abfließende negativ).
2. Die Hauptdiagonal-Elemente yii der Leitwertmatrix ergeben sich aus der
Summe der an den Knoten i angrenzenden Leitwerte.
3. Die anderen Elemente yik der Leitwertmatrix entsprechen den negativen
Leitwerten vom Knoten k zum Knoten i.
4. Alle Knotenspannungen nach Knotennummer ordnen und in Matrixform
untereinander schreiben.
5. Die Matrix-Gleichungen nach dem Muster der Gln. (7.32) oder (7.5)
aufschreiben; für ein erdsymmetrisches Dreitor nach Gl. (7.32), für ein
erdunsymmetrisches Zweitor nach Gl. (7.5). Bei höheren Knotenzahlen
werden auch die Matrizen größer; sie bleiben aber immer quadratisch.
    
i1 y11 y12 y13 u1
 i2  =  y21 y22 y23   u2  (7.32)
i3 y31 y32 y33 u3
I Hinweise:
In einer „unbestimmten Matrixgleichung“, z. B. Gl. (7.32), ist jede Zeilen- oder
Spaltensumme gleich null (Kontrollmöglichkeit!).
Die „unbestimmte Matrixgleichung“, z. B. Gl. (7.32), lässt sich auf die be-
stimmte Gleichung, z. B. Gl. (7.5) reduzieren, indem diejenige Zeile und Spalte
gestrichen werden, die dem geerdeten Knoten zugeordnet sind (im Bild 7.9 sind
das die 3. Zeile und die 3. Spalte).
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7.2.3 Computergestützte Netzwerk-Analysen
Die Simulationsprogramme „Design Center/Design Lab“, die Windows-Ver-

sionen von PSpice, stehen als leistungsfähige Evaluations-Programme zur
allgemeinen Verfügung. Die umfangreichen Möglichkeiten dieser Programme
können hier nur angedeutet werden. Ausführliche Instruktionen → /7.6/,
/7.15/.
Mit PSpice sind verschiedene Standardanalysen möglich, die aus „Schema-
tics“, einem CAD-Programm zur Schaltplanerstellung, unter dem Menüpunkt

„Analysis/Setup. . . “ ausgewählt werden (→ Bild 7.10).
Gleichstromanalyse (DC Sweep)
Berechnung von Gleichgrößen (U; I) in Abhängigkeit von einer Variablen.
Übertragungsfunktionsanalyse (Transfer Function)
Berechnung der Kleinsignalparameter sowie der dynamischen Eingangs-
und Ausgangswiderstände.
Detaillierte Arbeitspunktbestimmung (Bias Point Detail)
Die Arbeitspunktdaten werden in die Ausgabedatei geschrieben.
Frequenzanalyse (AC Sweep)
Berechnung des Frequenzganges (z. B. Bode-Diagramm). 7

Transienten-Analyse (Transient)
Einschwinganalyse, Berechnung des Zeitverhaltens (z. B. Sprungantwort).
Fourier-Analyse (Fourier Analysis)
Die Daten der Transientenanalyse werden zur Berechnung des Frequenz-
spektrums einer Zeitfunktion verwendet (Methode: Schnelle Fourier-Trans-
formation (FFT)).
Rauschanalyse (Noise Analysis)
Die Daten der Frequenzanalyse werden zur Berechnung von Rauschkenn-
größen verwendet.
Statistische Analyse (Monte Carlo or Worst Case)
Die Daten aus verschiedenen Analysen (dc, ac oder tran) werden für statis-
tische Berechnungen verwendet (z. B. Toleranzuntersuchungen).
Empfindlichkeitsanalyse (Sensitivity Analysis)
Die statischen Parameter (Gleichgrößen) von Bauelementen werden variiert
und die Ergebnisse in die Ausgabedatei geschrieben.
Beispiel: Übertragungsfunktionsanalyse (Transfer Function) eines Dämpfungs-
gliedes (überbrücktes T-Glied)
Nachdem der Schaltplan (→ Bild 7.11) unter „Schematics“ gezeichnet wurde
(keine DIN-Symbole!), erfolgt die Erstellung der Netzliste (Create Netlist). Die
Netzliste ist nach den Regeln der Knotenspannungsanalyse strukturiert. Alle Kno-
ten werden automatisch in der Eingabereihenfolge nummeriert (hier: 0; 1; 2; 3 –
statt 1 steht 0001 in der Liste). Die Bauelemente werden durch ihre Bezeichnung,
die Knoten-Position im Netzwerk und ihren Wert gekennzeichnet.
Einsicht in die Netzliste (Examine Netlist)
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Bild 7.10 Schaltflächen zur Auswahl der Standardanalysen im Design Center
* Schematics Netlist *
V_V1 $N_0001 0 10V
R_R1 $N_0001 $N_0002 1k
R_R2 $N_0002 $N_0003 2.2k
R_R3 0 $N_0002 1.5k
R_R4 $N 0001 $N 0003 680
R_R5 0 $N_0003 680

Nach Auswahl der „Transfer Function“ im „Analysis Setup“ (→ Bild 7.10) und
Eingabe von Quellenspannung und Ausgangs-Knotenspannung wird die Simu-
lation gestartet (Simulate). Das Ergebnis wird nicht, wie bei anderen Analysen,
im Grafikprogramm „Probe“ dargestellt, sondern direkt in die Ausgabedatei ge-
schrieben. Einsicht in die Ausgabedatei (Examine Output) – nur die wichtigsten
Daten sind hier dargestellt –:
** Analysis setup **
.TF V([$N_0003] V_V1
.OP
es folgen Netzlisten ...
.probe
.END
**** SMALL SIGNAL BIAS SOLUTION TEMPERATURE = 27.000 DEG C
NODE VOLTAGE
($N_0001) 10.0000
($N_0002) 5.8089
($N_0003) 5.1083
**** SMALL SIGNAL CHARAKTERISTICS
V($N_0003)/V_V1 = 5.108E-01
INPUT RESISTANCE AT V_V1 = 8.784E+02
OUTPUT RESISTANCE AT V($N_0003) = 3.032E+02
Zu den Ergebnissen: Die Knotenspannungen (Potenziale) betragen: U1 = 10 V;
U2 = 5,8089 V; U3 = 5,1083 V. Die Leerlauf-Spannungsverstärkung beträgt Vu =
0,5108, der Eingangswiderstand Z1 = 878,4 Ω, der Ausgangswiderstand Z2 =
303,2 Ω.
I Hinweise zu weiteren Analysen sind in den jeweils dazu passenden Abschnitten
enthalten.
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7.3 Aktive Grundschaltungen 369

Bild 7.11 Dämpfungsglied, gezeichnet im PSpice-Schaltplaneditor „Schematics“
7.3 Aktive Grundschaltungen

7
Gegenstand der Betrachtung sind sowohl elementare Verstärkerstufen mit
Transistoren als auch Substrukturen von linearen Schaltkreisen. Das Augen-
merk gilt besonders dem Einfluss der Gegenkopplung auf die dynamischen
Eigenschaften der betrachteten Schaltungen.
Verstärker sind aktive Vierpole (Zweitore), die mittels Hilfsleistung PH

(Stromversorgung) eine kleine Eingangssignalleistung P1 in eine größere
Ausgangssignalleistung P2 wandeln.
Die Leistungsbilanz beträgt mit der Wärmeverlustleistung PV

P1 + PH = P2 + PV mit PH > PV und P2 > P1
Merkmale zur Klassifizierung der Verstärker
Integrationsgrad (Transistorstufen, Analogschaltkreise, Operationsverstär-
ker)
Signalgröße (Kleinsignalverstärker, Leistungsverstärker)
Signalart (Wechselspannungsverstärker, Impulsverstärker, Gleichspan-
nungsverstärker)
Bandbreite (Breitbandverstärker, Selektivverstärker)
Kopplungsart (NF-Verstärker mit RC-Kopplung, Verstärker mit direkter
Kopplung)
Spezielle Verstärker der HF-Technik werden hier nicht behandelt.
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7.3.2 Gegengekoppelte Schaltungen
7.3.2.1 Begriff der Rückkopplung
Rückkopplung liegt vor, wenn das Ausgangssignal eines aktiven Übertra-

gungsgliedes (Verstärker) über ein Rückkopplungsglied (passiv oder auch
aktiv) an den Eingang zurückgeführt wird.
Der Signalflussplan des rückgekoppelten Verstärkers (→ Bild 7.12) bildet die

Grundlage für das Modell eines Regelkreises.
x1 x2
V
x1∗ x2 x1∗ x2
≡ V∗
Bild 7.12 Signalflussplan
K des rückgekoppelten
K ⋅ x2 x2 Verstärkers
Im Signalflussplan treten Verzweigungsstellen und Überlagerungsstellen auf

(→ Bild 7.13).
x1 x3 x3
x3 x1 x1 +
x2 x2 − x2
a) x3 = x2 = x1 b) x1 + x2 = x3 c) x1 − x2 = x3
Bild 7.13 Symbolische Darstellung von a) Verzweigungsstelle,
b) Überlagerungsstelle bei Gleichphasigkeit und c) bei Gegenphasigkeit
An Verzweigungsstellen sind die Signale gleich groß. An Überlagerungs-

stellen ist die Summe der zufließenden Signale gleich der Summe der ab-
fließenden Signale. Zusätzliche Vorzeichenangaben bringen die Phasenlage
[Gleichphasigkeit (+), Gegenphasigkeit (−)] in den Signalbeziehungen zum
Ausdruck. Entsprechend der Schaltungsstruktur können die Signale sowohl
Spannungen als auch Ströme darstellen.
Die allgemeine Rückkopplungsgleichung ergibt sich mit x ∗1 +K x 2 = x 1 und
V = x 2 /x 1 :
V
V∗ = (7.33)
1−KV
K Rückkopplungsfaktor
V Verstärkung in offener Schleife (open loop)
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Die Verstärkung in geschlossener Schleife (closed loop) V ∗ ist von der Schlei-
fenverstärkung K V bzw. vom Rückkopplungsgrad g = 1 − K V abhängig.
Dabei sind drei charakteristische Fälle zu unterscheiden:
1. |g| > 1: |V ∗ | < |V | negative Rückkopplung (Gegenkopplung)
2. |g| < 1: |V ∗ | > |V | positive Rückkopplung (Mitkopplung)
3. K V = 1: |V ∗ | → ∞ Selbsterregung (Schwingbedingung → 7.6)
I Durch Gegenkopplung verringert sich die Verstärkung, durch Mitkopplung ver-
größert sie sich.
7.3.2.2 Gegenkopplungsmodelle
Gegenkopplung entsteht durch gegenphasige Rückführung des Ausgangs-

signals an den Eingang des Verstärkers.
Unter der Voraussetzung, dass K und V reelle Zahlen sind (frequenzunabhän-

gige Gegenkopplung), folgt für die Verstärkungsbeträge aus Gl. (7.33) mit
K V = −KV :
7
V
V∗ = (7.34)
1 + KV
Bei KV 1 ist die Verstärkung V ∗ im Wesentlichen nur von der Rückführung

K abhängig:
1
V∗ ≈ (7.35)
K
Gegenkopplungsmodelle. Je nach Zusammenschaltung von Verstärker- und
Rückkopplungsvierpol werden verschiedene Gegenkopplungsmodelle unter-
schieden:
Serien-Spannungsgegenkopplung
Parallel-Spannungsgegenkopplung
Serien-Stromgegenkopplung
Parallel-Stromgegenkopplung
I Bei Seriengegenkopplung ist die Additionsstelle eine Masche; es werden Span-
nungen am Eingang subtrahiert.
I Bei Parallelgegenkopplung ist die Additionsstelle ein Knoten; es werden die
Ströme am Eingang subtrahiert.
I Bei Spannungsgegenkopplung ist das Gegenkopplungssignal eine Funktion der
Ausgangsspannung.
I Bei Stromgegenkopplung ist das Gegenkopplungssignal eine Funktion des Aus-
gangsstromes.
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Gemeinsames Merkmal aller Gegenkopplungsmodelle ist die Stabilisierung

der Übertragungseigenschaften. In jedem Modell wird dabei ein anderer
Übertragungsfaktor stabilisiert, sodass sich jeweils bevorzugte Anwendungs-
fälle ergeben. In Tafel 7.1 werden die Modelle mit idealisierten Operations-
verstärkern (→ 7.4) dargestellt.
Tafel 7.1 Gegenkopplungsmodelle
Gegenkopplungsmodell Eigenschaften und Formeln

1. Serien-Spannungsgegenkopplung Vierpole in Reihen-Parallelschaltung

Anwendung: Nichtinvertierender Span-
Vu nungsverstärker
+ R2
U1 − Vu∗ ≈ 1 + (7.36)
R1
Effekt: Stabilisierung der Spannungs-
U1∗ RL verstärkung
I 2 R2 U2
KU2 R1
2. Parallel-Spannungsgegenkopplung Vierpole in Parallelschaltung

Anwendung: Invertierender Strom-Span-
I1∗ I1 → 0 Vu nungs-Wandler; mit zusätzlichem Wider-

− stand R1 am Eingang als invertierender
+
Spannungsverstärker
U2
RL ≈ −R2 (7.37)
U2 I1∗
R2 Effekt: Stabilisierung des Übertragungs-
−KI 2 widerstandes (Transimpedanz)
3. Serien-Stromgegenkopplung Vierpole in Reihenschaltung
Anwendung: Spannungs-Strom-Wandler;
Vu I2 Konstantstromquelle für erdfreie Last
+ I2 1
U1 − ≈ (7.38)
RL U1∗ R1
U1∗ Effekt: Stabilisierung des Übertragungs-
leitwertes (Transkonduktanz)
KU2 R1
4. Parallel-Stromgegenkopplung Vierpole in Parallel-Reihenschaltung

Anwendung: Invertierender Strom-
I1∗ I1 → 0 Vu −I 2 verstärker
− R2
+
Vi∗ ≈ − 1 + (7.39)
R1
RL Effekt: Stabilisierung der Strom-
−KI 2 verstärkung
R2 R1
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7.3.2.3 Gegenkopplungseffekte
Stabilisierung der Verstärkung. Die Anwendung der Fehlerrechnung (tota-

les Differenzial) auf die allgemeine Gegenkopplungsgleichung (→ Gl. (7.34))
ergibt mit dem Gegenkopplungsgrad g = 1 + KV :
∆V ∗ 1 ∆V
≈ · (7.40)
V∗ g V
I Bei mehrstufigen Verstärkern ist es zweckmäßg, die Gegenkopplung über mehrere

Stufen zu führen (g wird dann sehr groß, die relative Verstärkungsänderung
demnach sehr klein).
Verringerung der nichtlinearen Verzerrungen (Klirrfaktor)
Der Klirrfaktor k ist das Verhältnis des Oberwelleneffektivwertes zum

Gesamteffektivwert (einschließlich Grundwellenanteil).
s
Ũ22 + Ũ32 + . . .
k = 100 % · (7.41)
Ũ12 + Ũ22 + Ũ32 + . . .

7
Der Klirrfaktor k wird in % angegeben.
Ũ1 Effektivwert der 1. Harmonischen (Grundwelle)
Ũ2 Effektivwert der 2. Harmonischen (1. Oberwelle).
Der Klirrfaktor erhöht sich mit zunehmender Eingangsspannungsamplitude.
Durch Gegenkopplung wird die Verstärkerkennlinie linearisiert und der Klirr-
faktor verkleinert sich etwa im gleichen Maße wie die Verstärkung.
k∗ V∗
≈ (7.42)
k V
Änderung der dynamischen Widerstände. Durch Gegenkopplung ändern

sich die Ein- und Ausgangswiderstände der Verstärkerstufen jeweils mit dem
Faktor g oder 1/g:
Bei Serien-Spannungsgegenkopplung wird Z1 vergrößert und Z2 verklei-
nert.
Z2
Z1∗ ≈ gZ1 ; Z2∗ ≈ (7.43)
g
Bei Parallel-Spannungsgegenkopplung werden Z1 und Z2 verkleinert.
Z1 Z2
Z1∗ ≈ ; Z2∗ ≈ (7.44)
g g
Bei Serien-Stromgegenkopplung werden Z1 und Z2 vergrößert.
Z1∗ ≈ gZ1 ; Z2∗ ≈ gZ2 (7.45)
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Bei Parallel-Stromgegenkopplung wird Z1 verkleinert und Z2 vergrößert.

Z1
Z1∗ ≈ ; Z2∗ ≈ gZ2 (7.46)
g
Vergrößerung der Bandbreite. Durch Gegenkopplung wird das Bandbrei-
ten-Verstärkungs-Produkt BV nur unwesentlich verändert. Die Verringerung
der Verstärkung bei Anwendungen von Gegenkopplung bewirkt somit eine
Erhöhung der Bandbreite des Verstärkers. Es gilt:
V
B∗ ≈ B · ∗ (7.47)
V
I Bandbreite und Verstärkung sind gegeneinander austauschbar.
Miller-Theorem
Das Miller-Theorem besagt, dass ein Widerstand Z zwischen Ein- und
Ausgang eines idealen Verstärkers durch zwei Widerstände Z ∗1 und Z ∗2
ersetzt werden kann (→ Bild 7.14).
Dabei ist besonders der zusätzliche Eingangswiderstand Z ∗1 von Interesse:

Z
Z ∗1 = (7.48)
1 − Vu
Wendet man das Miller-Theorem auf eine Emitterstufe mit Parallel-Span-
nungsgegenkopplung an, so ergibt sich wegen V u = Vu e jπ = −Vu ein positiver
reeller Ersatzwiderstand:
Rp
Z1∗ = (7.49)
1 + Vu
Infolge des Miller-Effektes tritt bei Emitterstufen eine dynamische Vergrö-
ßerung der Eingangskapazität auf. Die kleine Kollektor-Basis-Kapazität Ccb
erscheint um den Verstärkungsfaktor vergrößert am Eingang der Schaltung
(→ Bild 7.15).
∗
Ccb ≈ Ccb (1 + Vu ) (7.50)
Damit verschlechtern sich die dynamischen Eigenschaften Frequenzgang und

Impulsverhalten mit zunehmender Spannungsverstärkung Vu .
Bootstrap-Effekt
Der Bootstrap-Effekt lässt sich ebenfalls mit dem Miller-Theorem erklären.
Für Kollektorstufen (Emitterfolger) gilt V u = Vu e j0 = Vu und Vu < 1. Damit
ergibt sich aus Gl. (7.48) ein vergrößerter reeller Ersatzwiderstand Z1∗ > Z.
Ein bekannter Anwendungsfall ist die dynamische Widerstandserhöhung im
Basisspannungsteiler einer Kollektorstufe.
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+ +
Ccb RC RC
Z
≡
U1 Vu U2 ≡ Z 1∗ Vu Z ∗2 ∗
Ccb
Bild 7.14 Zum Miller-Theorem Bild 7.15 Dynamische Eingangs-

kapazität durch Miller-Effekt
7.3.3 Kopplungsarten bei mehrstufigen Verstärkern
7.3.3.1 Grenzfrequenz bei RC-Kopplung
Durch RC-Kopplung zwischen den Verstärkerstufen lassen sich die Gleichpo-

tenziale der einzelnen Stufen voneinander trennen.
Vorteile:
7
keine Driftübertragung von Stufe zu Stufe
leichtere Schaltungsberechnung durch getrennte Arbeitspunktfestlegungen
Nachteile:
keine Übertragung von Gleichspannungs-Nutzsignalen
große Koppelkondensatoren für niedrige untere Grenzfrequenzen
Phasendrehung bei tiefen Frequenzen
Durch die Entwicklung der integrierten Schaltungstechnik hat die RC-Kopp-
lung an Bedeutung verloren. Hier wird sich auf einige Grundkenntnisse über
den Frequenzgang beschränkt.
Grenzfrequenz
Als Grenzfrequenz fg wird diejenige√ Frequenz bezeichnet, bei der die

relative Verstärkung auf V /Vm = 1/ 2 =
b − 3 dB abgefallen ist.
Bild 7.16 zeigt den Frequenzgang in doppeltlogarithmischer Darstellung

(Bode-Diagramm, V /Vm in dB. Der übertragene Frequenzbereich wird durch
die Bandbreite B gekennzeichnet:
B = fgo − fgu (7.51)
Die untere Grenzfrequenz fgu wird im Wesentlichen durch die Zeitkonstan-
ten der RC-Koppelglieder bestimmt.
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Bei n RC-Koppelgliedern mit gleichen Zeitkonstanten gilt:

an
fgu = (7.52)
2πCK RK
Der Faktor an ist aus Tabelle 7.2 zu entnehmen.
Tabelle 7.2 Koeffizienten zur Berechnung der unteren Grenzfrequenz
n 1 2 3 4 5 6 7 8 9
an 1 1,55 1,96 2,30 2,59 2,86 3,10 3,32 3,53
V 3 dB Vm
dB
Bild 7.16 Frequenzgang eines
Verstärkers mit RC-Kopplung
fgu (log) fgo f (Bode-Diagramm)
Die obere Grenzfrequenz fgo wird durch alle Zeitkonstanten bestimmt, die im
Ersatzschaltbild (→ Bild 7.5) parallel zur Übertragungsrichtung liegen. Ein-
fluss nehmen die dynamischen Transistoreigenschaften sowie die durch den
Schaltungsaufbau bedingten Parallelwiderstände und parasitären Kapazitäten.
Transitfrequenz fT . Grenzfrequenz, bei der die Verstärkung auf den Wert 1
(0 dB) gefallen ist. Damit ist eine absolute Grenze des Verstärkers gekenn-
zeichnet. Die Transitfrequenz fT kann auch als Bandbreiten-Verstärkungs-
Produkt interpretiert werden.
7.3.3.2 Drift bei direkter Kopplung

In vielen Anwendungsgebieten elektronischer Verstärker (z. B. Messtechnik,
Fernsehtechnik) müssen auch Signale der Frequenz f = 0 (Gleichspannung)
übertragen werden.
Das Nutzsignal hebt sich nicht mehr durch die höhere Frequenz vom Drift-
störsignal ab. Die Driftunterdrückung durch Frequenzselektion scheidet des-
halb aus. Die Ausgangsspannung eines Gleichspannungsverstärkers beträgt
allgemein:
ua = [Vu + ∆Vu (ϑ ; UB ; t)] · [uE + UIO + ∆UIO (ϑ ; UB ; t)] (7.53)
Folgende Störgrößen treten auf:
Verstärkungsdrift ∆Vu (ϑ ; UB ; t)
Offsetspannung (Nullpunktfehler) UIO
Offsetspannungsdrift ∆UIO (ϑ ; UB ; t)
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Das Driftsignal kann aus den Komponenten Temperaturdrift (ϑ ), Speisespan-

nungsdrift (UB ) und Alterung (t) bestehen. ∆Vu kann durch Gegenkopplungs-
maßnahmen wirksam reduziert werden. UIO kann durch eine Gleichspannung
entgegengesetzter Polarität kompensiert werden (Nullpunktkompensation).
Die Komponenten f (UB ) werden durch Stabilisierung der Speisespannung re-
duziert. Die Alterungskomponenten f (t) liegen bei Verwendung entsprechen-
der Bauelemente in vertretbarer Größenordnung. Besonders problematisch ist
die Temperaturdrift ∆UIO (ϑ ).
Die Temperaturabhängigkeit der Basis-Emitter-Spannung UBE wirkt sich wie

eine zusätzliche Eingangsspannung ∆UBE aus, die über den Temperaturdurch-
griff DT abgeschätzt werden kann.

∆UBE
|DT | = ≈ 2 . . . 3 mV/K (7.54)
∆ϑ
Driftverstärkung
Die Eingangsspannungsdrift einer Verstärkerstufe kann als Gleichspannungs-
quelle am Eingang einer driftfrei gedachten Stufe aufgefasst werden (→ Bild
7.17). 7
Vu− ∆U I Vu−
∆UO ≡ ∆UO
Bild 7.17 Zur Berech-
driftbehaftet driftfrei nung des Drifteinflusses
Die Ausgangsspannungsdrift ∆UO beträgt bei einer Verstärkerstufe mit der

Driftverstärkung V
∆UO = V · ∆UI (7.55)
Die Drift wird ebenso wie das Nutzsignal verstärkt.
Die Ausgangsspannungsdrift beträgt bei zwei Stufen in Kettenschaltung:

∆UI2
∆UO1 = V1 · V2 · ∆UI1 + (7.56)
V1
Für V1 1 wird die Ausgangsspannungsdrift im Wesentlichen durch die
Drift der 1. Stufe bestimmt. Eingangsstufen müssen bei hoher Verstärkung
besonders driftarm sein.
Hinweis zu Potenzialproblemen
Im direktgekoppelten Verstärker ist die Einstellung optimaler Arbeitspunkte
problematisch, da UCE1 und UBE2 unterschiedliche Größenordnung haben.
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In der analogen integrierten Schaltungstechnik werden deshalb Potenzialver-

satzstufen verwendet.
7.3.4 Differenzverstärker
7.3.4.1 Eigenschaften der Grundschaltung

Der Differenzverstärker zählt zu den wichtigsten Strukturen der analogen

integrierten Technik. Durch Symmetrie werden Gleichtaktsignale (z. B. Drift)
weitgehend unterdrückt, sodass mehrstufige Gleichspannungsverstärker (z. B.
Operationsverstärker) mit sehr guten Kennwerten realisiert werden können.
Der Grundschaltung besteht aus zwei Transistoren mit möglichst gleichen
Kennlinien. Die Emitter sind miteinander verbunden und werden über eine
ideale Konstantstromquelle (RE → ∞) gespeist. Im Bild 7.18 ist die Grund-
schaltung mit realer Stromquelle (RE endlich) dargestellt.
+UB1
RC RC
T1 T2
U01 U02
UI1 UI2
I E1 I E2
IK
RE
−UB2 Bild 7.18 Differenzverstärker
Die Summe der Emitterströme (und auch der Kollektorströme) wird mit der
Stromquelle IK konstant gehalten.
IE1 + IE2 = IK = const (7.57)
Infolge IK = const findet zwischen IE1 und IE2 eine Stromverteilungssteuerung
statt, d. h., wenn IE1 größer wird, dann muss IE2 um den gleichen Betrag kleiner
werden. Die Steuerung ist von der Differenz der beiden Eingangsspannungen
abhängig:
∆UID = UI1 − UI2 (7.58)
Am Ausgang beträgt die verstärkte Differenzspannung:
∆UOD = UO1 − UO2 (7.59)
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Die symmetrische Differenzverstärkung ist damit allgemein:

∆UOD
VD = − (7.60)
∆UID
Bei idealer Schaltungssymmetrie (Nullpunktabgleich) ist bei ∆UID = 0 auch
∆UOD = 0. Bei reiner Gleichtaktsteuerung, d. h. gleichphasiger Änderung
beider Eingangsspannungen um den gleichen Betrag, bleibt die Stromver-
teilung konstant. Gleichtaktsignale werden demnach nicht übertragen. Die
Gleichtaktunterdrückung G des idealen Differenzverstärkers ist unendlich

groß.
Die Temperaturdrift wirkt als Gleichtaktsignal, sodass der ideale Differenzver-
stärker mit G → ∞ driftfrei ist. Der reale Differenzverstärker zeigt dagegen
eine endliche Offsetspannungsdrift, die jedoch um zwei bis drei Zehnerpoten-
zen unter der eines Einzeltransistors liegt (≈ 1 . . . 2 µV/K). Die Abweichung
vom Idealfall ist durch die Kennlinienunsymmetrie der Transistoren und die
nichtideale Konstantstromquelle bedingt.
Differenzverstärkung VD . Bei IK = const bewirkt RE keine Gegenkopplung,
sodass VD gleich der Spannungsverstärkung einer einzelnen Emitterstufe ist.
Mit S = β /rBE und RC rCE ist 7

β
VD ≈ − RC (7.61)
rBE
Differenzeingangswiderstand ZID . Allgemein gilt ZID = ∆UID /∆II . Für sym-
metrische Ansteuerung ist dann
ZID ≈ 2rBE (7.62)
Gleichtaktverstärkung VC . Allgemein gilt:
∆UOD
VC = − (7.63)
∆UIC
∆UIC ist als arithmetisches Mittel der gleichphasigen Spannungsänderungen
∆UI1 und ∆UI2 definiert.
1
∆UIC = (∆UI1 + ∆UI2 ) (7.64)
2
IK ändert sich bei Gleichtaktsteuerung und nichtidealer Konstantstromquelle,
sodass RE eine Stromgegenkopplung bewirkt. Die symmetrische Schaltung
kann in zwei spiegelbildliche Teilschaltungen mit 2RE zerlegt werden.
Die Gleichtaktverstärkung errechnet sich:
RC
VC ≈ − (7.65)
2RE
Gleichtaktunterdrückung G
VD
G= (7.66)
VC
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Die Gleichtaktunterdrückung wird oft in dB angegeben und dann als CMRR

(engl.: common mode rejection ratio) bezeichnet:
CMRR = 20 lg G (7.67)
Mit einer Signalaufteilung in Differenzspannung UID und Gleichtaktspannung
UIC lässt sich bei linearem Verhalten (Kleinsignalbetrieb) der Überlagerungs-
satz anwenden.
∆UOD = VD · ∆UID + VC · ∆UIC (7.68)
Gleichtakteingangswiderstand ZIC . Bei der Bestimmung von ZIC sind die

beiden Eingänge des Differenzverstärkers miteinander zu verbinden, sodass
der doppelte Eingangsstrom eines Transistors fließt; damit ist:
∆UIC
ZIC = (7.69)
2∆II
Für β RE rBE /2 ergibt sich:
ZIC = β RE (7.70)
7.3.4.2 Stromspiegel
Stromspiegel sind Grundstrukturen der analogen integrierten Technik, aus

denen z. B. Konstantstromquellen und Lastelemente der Differenzverstärker
gebildet werden. Beim Stromspiegel ist das Verhältnis von Laststrom I2 zu
Referenzstrom I1 eine Konstante, die als Spiegelverhältnis S bezeichnet wird:
I2
S= (7.71)
I1
Bild 7.19 zeigt einen einfachen Stromspiegel, bei dem der Widerstand R2 des
Basisspannungsteilers durch einen als Diode geschalteten Transistor T1 ge-
bildet wird. Bei übereinstimmendem Temperaturverhalten der Basis-Emitter-
Dioden von T1 und T2 ist I2 temperaturstabil.
Wird RE2 = 0 gesetzt, so entsteht ein Stromspiegel mit S ≈ 1. Bei B1 = B2 = B
und IE1 = IE2 = IE (gleiche Emitterflächen) gilt:
B
S= (7.72)
B+2
Nach Gl. (7.72) ist für S ≈ 1 eine hohe Stromverstärkung notwendig (S = 0,98
erfordert B = 100). Bild 7.20 zeigt einen Stromspiegel aus pnp-Lateraltransis-
toren, die anstelle der Kollektorwiderstände im Differenzverstärker integriert
sind (Vorteil: niedrigere Verlustleistung). Nachteilig ist die Stromunsymmetrie
(S < 1), die durch die niedrige Stromverstärkung der pnp-Lateraltransistoren
(B ≈ 10 . . . 30) bedingt ist. Durch erweiterte Stromspiegel mit Basisstroment-
lastung kann dieser Nachteil vermieden werden.
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Strombank. Bei mehrstufigen Differenzverstärkern werden z. B. unterschied-

liche Konstantströme benötigt. Dazu dient die Strombank, die auf einem
Stromspiegel mit S 6= 1 beruht. In der Schaltung nach Bild 7.19 kann S durch
einen Referenzstrom I1 und den Emitterwiderstand RE2 eingestellt werden; es
gilt:

−I2 RE2
S ≈ exp (7.73)
UT
+UB
+UB
I1 I2
VT1 VT2
R1 R2
UO
T1 T2
I B1 I B2
UI1 UI2
RE2 7
−UB
Bild 7.19 Stromspiegel mit S 6= 1 Bild 7.20 Differenzverstärker mit
Stromspiegellast
In einer Strombank werden durch einen Referenzstrom I1 mehrere Konstant-

ströme I2 ; I3 ; I4 bei unterschiedlichen Emitterwiderständen erzeugt (→ Bild
7.21). Die Widerstände R2 ; R3 ; R4 sind die Ersatzwiderstände der versorgten
Differenzverstärker. Die konstanten Referenzströme müssen durch eine stabi-
lisierte Stromversorgung bereitgestellt werden. Fügt man im Bild 7.19 auch in
die Emitterleitung von T1 einen Widerstand RE1 ein, so ergibt sich ein nahezu
temperaturunabhängiges Spiegelverhältnis:
RE1
S≈ (7.74)
RE2
+UB
I1 I2 I3 I4
R1 R2 R3 R4
T1
T2 T3 T4
RE2 RE3 RE4
Bild 7.21 Strombank
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7.3.5 Leistungsendstufen
7.3.5.1 Begriffsbestimmung
Leistungsendstufen haben die Aufgabe, aus der Signalleistung einer Vor-

stufe (Treiberstufe) eine größere Ausgangssignalleistung zu erzeugen und
an einen Verbraucher (z. B. Messgerät, Stellglied, Lautsprecher) abzuge-
ben.
Forderungen an Endstufen sind:

hohe Ausgangssignalleistung Pa∼
hoher Wirkungsgrad η
niedriger Klirrfaktor k
Widerstandsanpassung an die Last
Kurzschlussfestigkeit
Dazu ist es notwendig,
die Leistungstransistoren unter Beachtung des thermisch sicheren Arbeits-
bereiches (SOAR: safe operating area) auszusteuern (die Transistorgrenz-

werte ICmax , UCEmax und Pvmax ) dürfen nicht überschritten werden),
die nichtlinearen Verzerrungen (Klirrfaktor) durch geignete Arbeits-
punkteinstellungen (zumeist in Gegentaktschaltungen) zu begrenzen.
I Hinweis: Leistungstransistoren werden im Großsignalbetrieb eingesetzt. Die Be-
rechnung erfolgt anhand des Kennlinienfeldes und der Leistungsparameter für die
jeweilige Endstufenschaltung.
Betriebsarten
Je nach Lage des Arbeitspunktes im Kennlinienfeld unterscheidet man ver-
schiedene Betriebsarten (→ Bild 7.22).
IC
+ A
AB
C B
+ UBE Bild 7.22 Übertragungskennlinie
bei Spannungssteuerung
A-Betrieb. Der Arbeitspunkt A liegt in der Mitte des Aussteuerbereiches. Die

Aussteuerung erfolgt symmetrisch zum Arbeitspunkt. Charakteristisch sind
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der hohe Ruhestrom ICO , die damit verbundene große Verlustleistung und der
niedrige Wirkungsgrad.
B-Betrieb. Der Arbeitspunkt B liegt im unteren Teil des Aussteuerbereiches.
Es fließt daher nur ein geringer Ruhestrom. Der Wirkungsgrad und der Klirr-
faktor sind höher als im A-Betrieb. Durch Gegentaktschaltungen werden die
nichtlinearen Verzerrungen in Grenzen gehalten.
AB-Betrieb. Charakteristisch ist der gleitende Arbeitspunkt. Im unausgesteu-
erten Zustand liegt er in der Nähe von A, bei Aussteuerung verschiebt er sich
automatisch in Richtung B. Vorteil: Vermeidung der Stromübernahmeverzer-
rungen des B-Betriebes.
C-Betrieb. Der Arbeitspunkt C liegt im Sperrbereich, sodass die aktiven
Bauelemente erst durch das Steuersignal impulsförmig aufgetastet werden.
Hoher Wirkungsgrad, aber starke nichtlineare Verzerrungen. Anwendung bei
Sendeverstärkern (Verzerrungen werden durch Schwingkreise unterdrückt)
und Schaltverstärkern der Digitaltechnik.
7.3.5.2 Grundschaltungen 7
Emitterfolger im Eintakt-A-Betrieb
Anwendung: als integrierte Substruktur in Standard-Operationsverstärkern (→
7.4.1).
Der Emitterfolger wird direkt gekoppelt betrieben. Die Ausgangssignale
(Spannung Ua , Strom Ia ) sollen positive und negative Werte annehmen können.
Die Betriebsspannungsversorgung muss daher bipolar sein (+UB ; −UB ) (→
Bild 7.23). Der niederohmige Ausgang (ra ≈ RE + 1/S) ermöglicht eine
Anpassung an entsprechende Lastwiderstände RL .
U
UCE 15 30 mA
+UB V
10
UCE 5
IC
ue _5 0 5 V 10
RE ua RL _5
Ue
Ua
ue
_
UB
Bild 7.23 Emitterfolger als Endstufe Bild 7.24 Maximale Aussteuerung
des Emitterfolgers
(UB = 10 V; RE = RL = 1 kΩ )
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Die maximale Ausgangsamplitude ûa wird durch die negative Austeuerungs-

grenze für unverzerrte Verstärkung bestimmt (→ Gl. (7.75)).
RL
ûa = · UB (7.75)
RL + RE
Wegen Vu ≈ 1 ist auch ûe ≈ ûa . Bei RL = RE beträgt ûe ≈ UB /2 (→ Bild 7.24).
Schaltungseigenschaften
Die an RL abgegebene Wechselstromleistung Pa errechnet sich nach dem

Leistungsgesetz:
û2
Pa = a (7.76)
2RL
Für RE = RL wird diese Leistung ein Maximum:
U2
Pamax = B (7.77)
8RE
Die Verlustleistung des Transistors PT errechnet sich für sinusförmige Aus-
steuerung zu:

U 2 û2 1 1
PT = B − a + (7.78)
RE 2 RE RL
Ohne Aussteuerung (ûa = 0) ist die Verlustleistung maximal (PT = PTmax ).
Die Wechselstromleistung an RE beträgt:
U2 û2
PE = B + a (7.79)
RE 2RE
Der maximale Wirkungsgrad η max ist das Verhältnis von abgegebener ma-
ximaler Wechselstromleistung zur aufgenommenen Gesamtleistung.
Pamax
η max = (7.80)
Pg
Die Gesamtleistung ergibt sich aus den Gln. (7.76), (7.78) und (7.79):
U2
Pg = PT + PE + Pa = B (7.81)
RE
I Beachte: Die Gesamtleistung ist von der Aussteuerung unabhängig, der maximale
Wirkungsgrad beträgt η max = 6,25 %.
Emitterfolger im Gegentakt-B-Betrieb
Anwendung: als integrierte Substruktur in Leistungsoperationsverstärkern und als
zusätzliche externe Leistungsverstärkerstufe am Ausgang von Standard-Operati-
onsverstärkern.
Die parallel geschalteten Basisanschlüsse der zwei komplementären Transis-
toren (T1 : npn; T2 : pnp) liegen an der Eingangswechselspannung ue (→ Bild
7.25).
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Ua S1
10
V
5
0
+UB
−5 −0,6 +0,6
T1
(npn) −10
S2
T2 −10 −5 0 5 V 10
Ue
ue ua RL
(pnp)
ue
_U
B
Bild 7.25 Gegentakt-B-Endstufe Bild 7.26 Spannungsübertragungskennlinie
in Komplementärtechnik bei Gegentakt-B-Betrieb
Komplementäre Gegentakt-Endstufen benötigen weder Übertrager noch Pha- 7

senumkehrstufen. Die komplementäre Transistoranordnung ermöglicht eine
gleichphasige Ansteuerung. Die Transistoren T1 ; T2 liegen gleichstrommäßig
in Reihe. Bei positiver Eingangsspannungs-Halbwelle arbeitet T1 als Emitter-
folger, und T2 ist gesperrt. Bei der negativen Halbwelle ist es umgekehrt. In
der Nähe des Nulldurchganges (|ue | < 0,6 V) sind beide Transistoren gesperrt.
Dadurch weist die Kennlinie ua = f (ue ) einen Knick auf, der die Ursache von
nichtlinearen Verzerrungen ist (→ Bild 7.26). Der Aussteuerbereich wird nur
durch die Sättigungsübergänge (S1 ; S2 ) begrenzt (2∆ue ≈ 2∆ua ≈ 2UB ).
Schaltungseigenschaften für sinusförmige Aussteuerung

Abgegebene maximale Wechselstromleistung
U2
Pamax ≈ B (7.82)
2RL
Maximale Verlustleistung pro Transistor
U2
PTmax ≈ 2 B (7.83)
π RL
Aufgenommene Gesamtleistung
2UB
Pg = 2PT + Pa ≈ · ûa (7.84)
πRL
Wirkungsgrad
Pa π ûa
η = = · (7.85)
Pg 4 UB
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Bei Vollaussteuerung (ûa = UB ) beträgt der maximale Wirkungsgrad

η max = 78,5 %.
Emitterfolger im Gegentakt-AB-Betrieb
Anwendung: als zusätzliche externe Leistungsverstärkerstufe am Ausgang von
Operationsverstärkern.
Durch die exponentiell verlaufenden Eingangskennlinien der Transistoren
entstehen Übernahmeverzerrungen im Kennlinienverlauf IC = f (UBE ). Der
verzerrungsgünstigere AB-Betrieb vermeidet diesen Nachteil. Durch zwei

Basisvorspannungen werden die Kennlinien so gegeneinander verschoben,
dass die Resultierende im Nullpunkt eine Gerade wird (→ Bild 7.27).
+UB
RV
IC T1
D1
RE D2
T1 RE D2
D1
T2
U BE
T2 RV
−UB
Bild 7.27 Übertragungskennlinie bei Bild 7.28 Gegentakt-AB-Endstufe in
AB-Betrieb Komplementärtechnik
Zur Vorspannungserzeugung können Dioden, bipolare oder unipolare Transis-

toren verwendet werden. Im Schaltungsbeispiel (→ Bild 7.28) werden die Vor-
spannungen durch RV und D1 erzeugt. Zur Temperaturstabilisierung dient eine
Stromgegenkopplung über RE . Die Dioden D2 begrenzen den Spannungsabfall
an RE auf ≈ 0,7 V und verhindern ein starkes Ansteigen der Verlustleistung
bei Belastung des Verstärkers.
I Hinweis: Zur Reduzierung der Basisstöme von T1 und T2 (→ Bild 7.28) werden
Darlington-Transistoren verwendet.
7.4 Operationsverstärker
Operationsverstärker (OV) sind mehrstufige integrierte Gleichspan-

nungsverstärker, deren Eigenschaften maßgeblich durch die äußere Be-
schaltung beeinflusst werden.
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7.4 Operationsverstärker 387
Neben den Standard-OV (1. Generation) mit Eingangs-Differenzverstärker

und Gegentakt-Endstufe aus bipolaren Transistoren wurden weitere Opera-
tionsverstärkerarten entwickelt:
OV mit speziellen Ein- und Ausgängen (z. B. BIFET-Eingang, Darlington-
Eingang, Open-Collector-Ausgang, TTL-kompatibler Ausgang)
Programmierbare OV (z. B. Beeinflussung der Betriebseigenschaften durch
Ruhestromänderung der Transistoren)
Driftarme Verstärker (z. B. Chopper-Verstärker, driftgeregelte Verstärker)
Leistungsoperationsverstärker
OV mit unipolarer Betriebsspannung (2. Generation: Single-Supply)
OV in CMOS-Technologie für kleine Betriebsspannungen (3 . . . 5 V) und
Spitze-Spitze-Aussteuerung (3. Generation: Rail-to-Rail), (→ Bild 7.29c)
Präzisions-Operationsverstärker (Messverstärker mit geringen Offset- und
Driftfehlern)
Steilheits-Operationsverstärker (OTA: Operational Transconductance Am-
plifier) mit Stromquellen-Ausgang. Der eingeprägte Ausgangsstrom wird
durch die veränderbare Steilheit der Eingangstransistoren bestimmt.
7
UB +15 V
1,5 V
+10 V
1,5 V
+3 V
0
1,5 V
−15 V
a) b) c)
Bild 7.29 OV-Generationen, gegliedert nach der Aussteuerbarkeit
a) Standard, b) Single-Supply, c) Rail-to-Rail
Die Innenschaltungen der Standard-Operationsverstärker (1. Generation) ent-

halten bis zu 20 Transistorfunktionen. Zur Vermittlung einer Grundvorstellung
dient die im Bild 7.30 dargestellte Schaltung. T1 , T2 bilden eine Differenzver-
stärkerschaltung mit T3 als Konstantstromquelle.
T4 ist eine Kollektorstufe zur Realisierung des niedrigen Ausgangswiderstan-
des (Z2 ≈ RA ). Die Z-Diode dient zur Potenzialverschiebung. Im Ruhezustand
[(+) und (−) an Masse] soll UO = 0 sein. Die Z-Spannung der Diode muss
dann UZ = 0,5UB −0,6 V betragen. Bei Differenzaussteuerung ist UO ≈ UC2 −
0,5UB , sodass sich eine Aussteuerung zwischen zwei Sättigungsspannungen
ergibt (→ Bild 7.31), die in diesem einfachen Beispiel nur ±US ≈ 0,5UB
betragen.
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Der OV hat zwei Eingänge:

(+) ist der nichtinvertierende Eingang, d. h., UO und UIp sind phasengleich;
(−) ist der invertierende Eingang, d. h., UO und UIn sind gegenphasig
(∆ ϕ = π).
+UB
RC RC
FG 1 U IJ
(+)
H2 K B
T4
T1 T2 I ip Vu0
(−) UZ D +
Uip −
Uin I in UO
T3 (UO =0)
RA
−UB
Bild 7.30 Operationsverstärker: a) einfachste Innenschaltung, b) Schaltzeichen mit
Spannungen und Strömen
UO +US
UO U Nullpunktfehler
ID=0
UI1 −UI2
U IO
Bild 7.31 Statische Übertragungskennlinie

−US
eines Operationsverstärkers mit Offsetfehler
7.4.2 Kenngrößen
7.4.2.1 Statische Kenngrößen
Der Eingang des Operationsverstärkers ist erdsymmetrisch, da die erste Stufe

der Innenschaltung ein Differenzverstärker ist. Der Ausgang ist dagegen
erdunsymmetrisch. Die in den Datenblättern angegebene Verstärkung Vu0
entspricht der Differenzverstärkung VD , die bei offener Schleife (d. h. ohne
Gegenkopplung) und bei ausgangsseitigem Leerlauf gemessen wird.
Bild 7.32 zeigt das vereinfachte Wechselspannungs-Ersatzschaltbild des Ope-
rationsverstärkers (Gleichtaktverstärkung vernachlässigt). Die auftretenden
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Kenngrößen sind vom Differenzverstärker (→ 7.3.4) bekannt. Eine Übersicht

zeigt Tabelle 7.3.
Tabelle 7.3 Statische Kenngrößen von Operationsverstärkern
Kenngröße Definitionsgleichung Typische Werte Idealer Opera-
tionsverstärker
Differenzverstärkung → Gl. (7.60) 104 . . . 106 →∞
Vu (bei Leerlauf) (80 . . . 120 dB)
Gleichtaktunter- → Gl. (7.67) 60 . . . 120 dB →∞

drückung CMRR
Differenz- ZID = ∆UIp /∆IIp 100 kΩ . . . 10 MΩ → ∞
Eingangswiderstand bei UIn = 0 oder (mit FET-Eingang
ZID ZID = ∆UIn /∆IIn bis 1012 Ω)
bei UIp = 0
Gleichtakt- → Gl. (7.69) und Richtwert: →∞
Eingangswiderstand ZIC = ∆UIC /∆IIC ZIC = 100ZID
ZIC bei UIC = UIp = UIn
Ausgangswiderstand ZO = ∆UO /∆IO 1 kΩ . . . 75 Ω →0
ZO bei UIp = UIn = 0
7
+ VD ⋅U ID
ZO
2ZIC
U ID ZID
UIp 2ZIC
− UO
UIn
Bild 7.32 Kleinsignal-Ersatzschaltbild des Operationsverstärkers
7.4.2.2 Offset- und Driftkenngrößen
Die Ausgangsspannung des realen OV besteht aus Nutz- und Fehlerkompo-

nente. Auf die Fehlerspannung UOF wirken sich aus:
Eingangsruheströme IIn , IIp
Eingangs-Offsetstrom IIO
Eingangs-Offsetspannung UIO
Drift dieser Größen ∆UIO , ∆IIO
Ohne Eingangssignal (bei kurzgeschlossenem Differenzeingang) stellt sich
infolge innerer Unsymmetrien eine Ausgangsgleichspannung UOF ein und
die Übertragungskennlinie verschiebt sich in horizontaler Richtung (→ Bild
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7.31). Zur Berechnung des Fehlereinflusses dient Bild 7.33. In Tabelle 7.4
sind die Fehlerkenngrößen zusammengestellt.
Tabelle 7.4 Offset- und Driftkenngrößen von Operationsverstärkern
Kenngröße Definitions- Typische Werte Idealer Opera-
gleichung tionsverstärker
Eingangsruhestrom II II = (IIp + IIn )/2 1 . . . 5 000 nA →0
(Mittelwert der Basis- (bei FET: 5 3 pA)
ruheströme der Eingangs-

transistoren)
Eingangs-Offsetstrom IIO IIO = IIp − IIn IIO < II →0
(Ruhestromunsymmetrie)
Eingangs-Offsetspannung UIO = −UID bei 0,01 . . . 200 mV →0
UIO UO = 0
(Spannungsunsymmetrie) → Bild 7.31
Offsetspannungs-Drift ∆UIO /∆ ϑ 0,1 . . . 25 µV/K →0
(Temperaturdrift)
I Ip
+ ∞
+
−
− UOF
U IO
I In
Bild 7.33 Driftersatzschaltbild
des Operationsverstärkers
7.4.2.3 Dynamische Kenngrößen
Der komplexe Frequenzgang des Operationsverstärkers zeigt Tiefpassverhal-

ten und verläuft annähernd nach der Funktion:
V0
V ≈ (7.86)
1 + jω τ
Die obere Grenzfrequenz fgo ergibt sich aus dem Kehrwert der Zeitkonstan-
ten τ :
1
fgo = (7.87)
2πτ
Der Amplituden-Frequenzgang verläuft mit annähernd konstanter Verstär-
kung V0 bis zur oberen Grenzfrequenz (V0 − 3 dB) und fällt dann mit 20 dB
pro Dekade ab (→ Bild 7.37).
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Die Transitfrequenz fT ≈ f1 gibt das Bandbreiten-Verstärkungsprodukt an:

fT ≈ V0 fog (7.88)
I Typische Werte je nach OV-Typ: 1 . . . 1 000 MHz
Die Spannungsanstiegsgeschwindigkeit (Slew Rate) ist bei sinusförmiger

Aussteuerung im Nulldurchgang maximal:

∆UO
Sr = = 2π f ûO (7.89)
∆t max
I Typische Werte je nach OV-Typ: 0,5 . . . 4 000 V/µs
Bei Großsignalaussteuerung treten Übersteuerungs- und Speichereffekte auf.
Die Kompensationskapazitäten CK können nicht beliebig schnell umgeladen
werden. Die Slew Rate wird dadurch begrenzt.
Für unverzerrte Verstärkung muss gelten:
2π f ÛOmax 5 Sr (7.90)
Die Großsignal-Grenzfrequenz fp gibt die Verzerrungsgrenze an: 7

Sr
fp = (7.91)
2πûOmax
Bild 7.34 zeigt die Abnahme der Ausgangsamplitude bei Überschreiten von
fp .
Weitere dynamische Kenngrößen sind:
Anstiegszeit
Überschwingfaktor
äquivalente Eingangs-Rauschspannung
U$ O U$
Omax
CK1 > CK2
CK1
CK2
Bild 7.34 Einfluss der Großsignal-Grenz-

fP1 fP2 f frequenz auf die maximale Aussteuerung
7.4.2.4 Kompensationsmaßnahmen
Beim praktischen Schaltungsaufbau können die realen Eigenschaften des

Operationsverstärkers nicht vernachlässigt werden. Notwendige Kompensa-
tionsmaßnahmen sind:
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Ruhestromkompensation
Offsetspannungskompensation
Frequenzgangkompensation
Ruhestromkompensation
Der Einfluss der Basisgleichströme (Biasströme) der Eingangstransistoren
auf die Ausgangsgleichspannung ist zu unterdrücken. Dies gilt für OV mit
Eingangsstufen aus bipolaren Transistoren. Die Basisströme des OV fließen
über die Widerstände der äußeren Schaltung und erzeugen Spannungsabfälle,

die das Ausgangspotenzial verschieben (Offset). Bild 7.35 zeigt die Kompen-
sation durch einen zusätzlichen Widerstand R3 beim Inverter.
+UB
1M
2,2 M
R2
R1 I In ∞ − 5
− 2 7 1
+ 6
I Ip 3 4 8
+
R3 CK
−UB
Bild 7.35 Ruhestromkompensation Bild 7.36 Kompensationsbeschaltung
mit R3 eines Operationsverstärkers mit BIFET-
Eingang
Die Kompensationsbedingung lautet:

IIp R3 = IIn (R1 k R2 ) (7.92)
Für IIp ≈ IIn wird:
R1 R2
R3 ≈ (7.93)
R1 + R2
Offsetkompensation
Sie kann entweder durch eine zusätzliche Gleichspannung am Eingang des OV
oder bei Vorhandensein besonderer Offsetabgleichanschlüsse durch Gleich-
spannungszuführung über Spannungsteiler (→ Bild 7.36) erfolgen. Die letzt-
genannte Methode bewirkt eine Symmetrierung der Ströme des internen
Differenzverstärkers.
Frequenzgangkompensation
Der Amplituden-Frequenzgang des OV in offener Schleife (ohne Gegenkopp-
lung) weist je nach Innenschaltung mehrere Knickfrequenzen auf, bei denen
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die Phasendrehung ϕ v = −45◦ , −135◦ , −225◦ beträgt (→ Bild 7.37). Bei

ϕ v = −180◦ würde eine Gegenkopplung in eine Mitkopplung umschlagen
(Instabilität!).
V
V −45o ohne Kompensation (−45o )
−20 dB / dec
V1∗
dB (−135o )
−20 dB / dec −40 dB / dec

V2∗
−135o (−225o )
(log) f
Bild 7.37 Frequenzgangkompensation mit 45◦ Phasenspielraum
7
Die Stabilitätsbedingung lautet:
KV |ϕ =−180◦ < 1 (7.94)
Aus Sicherheitsgründen wird zumeist ein Phasenspielraum (auch als Phasen-

rand bezeichnet) von α = 180◦ − |ϕ | eingehalten. Das heißt, KV muss bereits
bei einem Phasenwinkel ϕ = −(180◦ − α ) kleiner als 1 sein (bei α = 45◦
ist ϕ = −135◦ ). Die Frequenzgangkompensation wird durch Beschalten des
Operationsverstärkers mit RC-Gliedern (TP-Verhalten) erreicht. Bild 7.37
zeigt den Frequenzgang eines dreistufigen Operationsverstärkers im Bode-
Diagramm mit und ohne Kompensation. Die Kompensationsglieder bewirken
einen bei tieferen Frequenzen beginnenden Verstärkungsabfall, sodass bei
gleicher Verstärkung V ∗ eine geringere Phasendrehung entsteht.
Externe Frequenzgangkompensation. Je niedriger die Verstärkung V ∗ ein-
gestellt wird, desto größer sind die Zeitkonstanten der Kompensationsglieder
zu wählen. Die Werte der Kompensationsglieder CK , RK sind den Applikati-
onsunterlagen zum jeweiligen OV-Typ zu entnehmen.
Interne Frequenzgangkompensation. Durch integrierte Zeitkonstanten feste
Kompensation auf V ∗ = 0 dB. Nachteilig ist dabei die reduzierte Bandbreite
(Anwendung: Verstärkung von Gleichspannung oder niederfrequente Wech-
selspannung).
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7.4.3 Grundschaltungen mit Operationsverstärkern
7.4.3.1 Verstärkergrundschaltungen
Infolge ihrer hohen Verstärkungsreserve werden OV meistens in Gegenkopp-

lungsschaltungen betrieben. Dadurch ergeben sich sehr stabile Betriebsver-
hältnisse. Unter der Voraussetzung, dass eine wirksame Kompensation von
Offset und Frequenzgang vorgenommen wurde, genügt es zumeist, den OV
als ideal zu betrachten (→ Tabelle 7.3, 7.4). Viele Schaltungen lassen sich auf
eine der beiden Grundschaltungen (Inverter, Nichtinverter) zurückführen.
Invertierender Verstärker (Inverter)

Da der invertierende Eingang (−) angesteuert wird, dreht der Inverter (→
Bild 7.35) bei tiefen und mittleren Frequenzen die Signalphase um den
Winkel 180◦ (eine positive Gleichspannung am Eingang ergibt eine negative
Ausgangsgleichspannung). Die Spannungsverstärkung errechnet sich unter
Anwendung von Bild 7.32 zu:
−Vu
Vu∗ = (7.95)
R1 R1
1 + (1 + Vu ) +
R2 ZID
Für Vu → ∞ ergibt sich:
R2
Vu∗ ≈ − (7.96)
R1
I Die Betriebsverstärkung ist vom Verhältnis der Gegenkopplungswiderstände ab-
hängig.
Der Eingangswiderstand folgt aus Gl. (7.43):

∗
∗
V
Z1 ≈ R1 + ZID u (7.97)
Vu
Für Vu → ∞ wird:
Z1∗ ≈ R1 (7.98)
Der dynamische Eingangswiderstand des Inverters ist relativ klein (die Werte
liegen je nach gewählter Verstärkung im Bereich 1 . . . 100 kΩ).
Der Ausgangswiderstand ergibt sich analog zu:
∗
V
Z2∗ ≈ ZO u (7.99)
Vu
Für Vu → ∞ ist:
Z2∗ ≈ 0 (7.100)
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I Der Ausgang des OV verhält sich wie eine ideale Spannungsquelle.
Nichtinvertierender Verstärker (Elektrometerverstärker)

Da der nichtinvertierende Eingang (+) angesteuert wird, dreht diese Schaltung
(→ Tafel 7.1) die Signalphase bei tiefen und mittleren Frequenzen nicht. Eine
positive Gleichspannung am Eingang ergibt auch eine positive Ausgangs-
gleichspannung. Die Spannungsverstärkung berechnet sich mit ausreichender
Näherung nach Gl. (7.36).
Der Eingangswiderstand für Vu → ∞ folgt aus Bild 7.32 zu:

Z1∗ ≈ 2ZIC (7.101)
Der dynamische Eingangswiderstand wird vom Gleichtakt-Eingangswider-
stand bestimmt und ist deswegen sehr groß (Megaohm-Bereich). Die Be-
zeichnung „Elektrometerverstärker“ deutet auf das hochohmige Verhalten hin.
OV mit FET-Eingang sind wegen ihres vernachlässigbar kleinen Eingangsru-
hestromes und ihres günstigen Rauschverhaltens für Elektrometerverstärker
besonders geeignet.
7
Der Ausgangswiderstand berechnet sich ebenfalls nach Gl. (7.99) bzw.
Gl. (7.100).
7.4.3.2 Verstärkerschaltungen mit speziellen Eigenschaften
NF-Verstärker mit Driftunterdrückung (→ Bild 7.38)

Das Verhalten der Schaltung wird getrennt für das Nutzsignal (Wechselspan-
nung) und das Störsignal (Drift) untersucht.
Nutzsignal. Die Verstärkung bei mittleren Frequenzen berechnet sich nach Gl.
(7.36). Der Eingangswiderstand beträgt Z1 ≈ RK . Die untere Grenzfrequenz
fgu wird von den Zeitkonstanten CK RK und C1 R1 bestimmt.
Driftsignal. Die Driftverstärkung beträgt nur Vu− ≈ 1, da 1/ω C1 → ∞. Somit
ist die Ausgangsspannungsdrift nur etwa so groß wie die Eingangsspannungs-
drift (∆UOO ≈ ∆UIO ). Mit R2 ≈ RK wird der Stromoffseteinfluss in Grenzen
gehalten.
Differenzverstärker
Für UI1 = 0 verhält sich die Schaltung (→ Bild 7.39) als Nichtinverter mit
vorgeschaltetem Spannungsteiler:

R4 R2
UO(1) = UI2 · 1+ (7.102)
R3 + R4 R1
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R2
CK ∞ UI1 R1
~ + ∞
− R2 ≈ RK −
RK + UO
UI2 R3
R1
R4
C1
Bild 7.38 NF-Verstärker mit Bild 7.39 Differenzverstärker
Driftunterdrückung (Analogsubtrahierer)
Für UI2 = 0 verhält sich die Schaltung als Inverter:

R2
UO(2) = −UI1 · (7.103)
R1
Die Ausgangsspannung ergibt sich nach dem Superpositionssatz:
UO = UO(1) + UO(2) (7.104)
Setzt man in Gl. (7.104) p = R4 /R3 und n = R2 /R1 , dann wird:
n+1
UO = pUI2 − nUI1 (7.105)
p+1
Für n = p = VD ergibt sich:
UO = VD (UI2 − UI1 ) (7.106)
Das Differenzsignal UID = UI2 − UI1 wird mit VD verstärkt. Diese Schaltung
erfordert eine hohe Paarungsgenauigkeit der Widerstandsverhältnisse (p = n).
Für p 6= n wirkt eine zusätzliche Gleichtaktaussteuerung (die Gleichtaktunter-
drückung G verschlechtert sich).
Instrumentierungsverstärker
Dem Differenzverstärker (→ Bild 7.39) wird ein Impedanzwandler aus zwei
Nichtinvertern vorgeschaltet, sodass ein hochohmiger Differenzeingangswi-
derstand entsteht. Diese linearen ICs werden als Präzisions-Messverstärker
eingesetzt.
7.4.3.3 Konstantstromquellen
Konstantstromquelle mit erdfreier Last

Der Nichtinverter mit Serien-Stromgegenkopplung (→ Tafel 7.1) wirkt als
Konstantstromquelle für RL als „schwimmende“ Last.
Für Vu → ∞ ist U1 = 0. Wir setzen U1∗ = Uref . Der Strom I2 ist im linearen
Aussteuerbereich nur von der Referenzspannung und einem internen Gegen-
kopplungswiderstand abhängig. Es ergibt sich ein einstellbarer, konstanter
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Laststrom, der in einem großen Widerstandsbereich unabhängig vom Last-

widerstand ist:
Uref
I2 = 6= f (RL ) (7.107)
R1
Der zulässige Widerstandsbereich wird durch die Sättigungsspannung US (→
Bild 7.31) begrenzt:
US − Uref
RL 5 (7.108)
I2
Konstantstromquelle mit geerdeter Last
Im Bild 7.40 beträgt der Laststrom bei Annahme von idealen OV (Vu → ∞):
Uref
IL = (7.109)
R1 + RL [1 + (R1 − R2 )/R3 ]
R3
R2 R2
R2 ∞ R2 ∞ R1
−
+
−
+ IL
7
U ref
RL
Bild 7.40 Konstantstromquelle mit zwei Operationsverstärkern

Mit der Abgleichbedingung (R3 = R2 −R1 ) ergibt sich auch hier ein konstanter
Laststrom nach Gl. (7.107).
7.4.3.4 Analogrechenschaltungen
Der Begriff Analogrechenschaltung dient als Sammelbegriff für aktive

Analogschaltungen, die Signale mit mathematischen Funktionen verknüp-
fen können.
Nach der Art der Rechenfunktion werden lineare und nichtlineare Analogre-
chenschaltungen unterschieden. Im Folgenden werden einige lineare Analog-
rechenschaltungen behandelt.
Umkehraddierer
Die Schaltung (→ Bild 7.41) basiert auf der Grundschaltung des Inverters (→
Bild 7.35). In Punkt N gilt nach Kirchhoff: I1 + I2 + I3 + IN = 0. Damit wird
für UID = 0:

RN RN RN
−UO = UI1 + UI2 + UI3 (7.110)
R1 R2 R3
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I In RN
R1 I1
R2 I2 N ∞
UI1 −
R3 I3 +
UO
UI3 Bild 7.41 Umkehraddierer
UI2 mit drei Eingängen
Die Schaltung vermag mehrere Eingangsspannungen mit wählbarer Wichtung

zu addieren.
Für R1 = R2 = R3 = R ergibt sich eine ungewichtete Addition mit dem
Verstärkungsfaktor −(RN /R):
RN
UO = − (UI1 + UI2 + UI3 ) (7.111)
R
Für R/RN = 2 bildet die Schaltung den arithmetischen Mittelwert.

Differenzierer
Die Grundschaltung eines Differenzierers entsteht aus dem Inverter (→ Bild
7.35), wenn der Widerstand R1 durch eine Kapazität C1 ersetzt wird. In dieser
einfachen Form ist die Schaltung allerdings mit wesentlichen Nachteilen
behaftet:
erhebliche Schwingneigung (wegen Phasendrehung des RC-Gliedes)
niedriger Eingangswiderstand [|Z 1 | = 1/(ω C)]
starkes Rauschen (das Eingangsrauschen wird bei höheren Frequenzen
wegen 1/ω C → 0 mit der Leerlaufverstärkung V0 verstärkt)
Eine verbesserte Schaltung zeigt Bild 7.42.
V Vmax (b)
Vmax (a)
R2 dB
C1
R1 ∞ 20dB
ue - ua
+ 1dec
(log) fg f
Bild 7.42 Differenzierer mit verbes- Bild 7.43 Frequenzgang
serten Eigenschaften eines Differenzierers
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1
Im Frequenzbereich f wird die Eingangsspannung ue ausreichend
2πC1 R1
genau differenziert:
due
ua = −C1 R2 · (7.112)
dt
Aus dem Frequenzgang im Bode-Diagramm kann auf das Zeitverhalten (Ge-
nauigkeit der Differenziation und Stabilität) geschlossen werden. Ein linearer
Anstieg der Verstärkung mit 20 dB pro Dekade kennzeichnet die fehlerfreie

Differenziation. Bild 7.43 zeigt qualitativ das Ergebnis einer PSpice-Analyse
(Frequenzanalyse; AC-Sweep). Zugrunde liegt die Schaltung nach Bild 7.42
mit R1 = 1 kΩ; R2 = 10 kΩ; C1 = 1 nF. Der Frequenzbereich wurde mit
10 Hz . . . 10 MHz gewählt.
Ergebnisse:
a) Mit R1 reicht der lineare Bereich bis etwa 100 kHz. Die Kurve hat ein Maxi-
mum (ohne Spitze) bei etwa 120 kHz.
b) Ohne R1 reicht der lineare Bereich nur bis etwa 15 kHz. Die Spitze bei 125
MHz ist ein Kennzeichen für Instabilität.
Zur praktischen Überprüfung der Differenziationseigenschaften wird an den 7

Eingang ein Sägezahngenerator gelegt. Das Oszillogramm der Ausgangsspan-
nung muss einen rechteckförmigen Impulsverlauf zeigen.
Integrierer
Integrierer werden u. a. als I-Regler, Sägezahnoszillatoren (Miller-Integrator)
sowie in A/D-Umsetzern, Abtast- und Halteschaltungen (sample and hold)
eingesetzt.
a) b) UO
+10 V
R2
∆UO
R1 C
UII
S2
∞
UI − 0 T t
R S1 + −5 V
UO
set run hold
Bild 7.44 Integrierer: a) Schaltung mit drei Betriebsarten, b) Integration für
UI = const
Die Betriebsarten des Integrierers nach Bild 7.44a sind:

a) Setzen (set) der Anfangsbedingungen: S1 offen, S2 geschlossen.
Nach Aufladen von C stellt sich die Anfangsbedingung für die Integration
ein:
R2
UO |t=0 = − · UII (7.113)
R1
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b) Integrieren (run): S1 geschlossen, S2 offen.

Die Zeitfunktion der Eingangsspannung UI (t) wird über die Zeit T inte-
griert:
T
1 Z
UO (t) = UO |t=0 − UI (t) dt (7.114)
CR
0
Für UI = const (Gleichspannung) entsteht durch Integration eine zeitpro-

portionale Ausgangsspannung:
t
UO (t) = −UI · (7.115)
CR
c) Halten (hold) des Integrationsergebnisses: S1 offen, S2 offen.
Nach Ablauf der Integrationszeit T kann UO kurzzeitig auf UO (T ) gehalten
werden.
Die Kontakte S1 , S2 werden durch Analogschalter (CMOS-Schalter) realisiert.
Die bisherige Betrachtungen bezogen sich auf den idealen Integrator. Bei
R1 = R2 , UII = +5 V, UI = −5 V, T = 3CR würde sich unter Annahme feh-
lerfreier Integration der im Bild 7.44b dargestellte Funktionsverlauf ergeben
(durchgehender Linienzug).
Integrationsfehler werden beim realen Integrator im Wesentlichen durch die
Fehler des Operationsverstärkers verursacht. Geht man von einer endlichen
Verstärkung Vu aus, dann ergibt sich z. B. für UI = const und UO |t=0 = 0 eine
Exponentialfunktion (gestrichelt im Bild 7.44b).
7.4.3.5 Komparatoren
Analoge Komparatoren sind Schaltungen zum Amplitudenvergleich ana-

loger Signale.
R1 2×D
UI ∞
- UO
U ref + Bild 7.45 Komparator mit
R1 Operationsverstärker
Steuert man den Operationsverstärker ohne äußere Gegenkopplung bis an die
Sättigungsspannungen durch, so arbeitet er als Schalter (Knickpunkte im Bild
7.31). Bild 7.45 zeigt die Prinzipschaltung eines Komparators. Die Dioden
verhindern zusammen mit R1 die Eingangsübersteuerung.
Es gilt:

+Us bei UI < Uref
UO = (7.116)
−Us bei UI > Uref
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7.5 Filter 401
Bei Verwendung von Operationsverstärkern liegt die Ansprechempfindlich-

keit bei etwa 1 mV; die Sättigungsspannungen sind von der Betriebsspannung
abhängig.
Der Fensterkomparator ensteht durch Zusammenschalten zweier Kompara-
toren. Diese Schaltung ist für Sortierzwecke geeignet (Gut/Schlecht-Prüfung).
Je nachdem, ob die Signalspannung innerhalb oder außerhalb eines durch
zwei Referenzspannungen festgelegten Spannungsbereiches liegt, schaltet der
Ausgang auf Umax oder Umin . Bild 7.46a zeigt eine Schaltung aus zwei Ope-
rationsverstärkern mit einer verdrahteten UND-Verknüpfung aus R, D1 , D2 .
Diese Zusatzschaltung kann bei Verwendung integrierter, TTL-kompatibler
Komparatoren entfallen. Die Ausgänge werden dann direkt parallel geschaltet.
Die Verzögerungszeiten sind vom Grad der Übersteuerung abhängig. Erst
nach einer Erholzeit kann die Umschaltung erfolgen. Die Flankensteilheit ist
durch die Slew Rate (→ 7.4.2.3) festgelegt.
a) +UB b)
D2 UO
∞
U ref2 -
U max
+ U ref1 U ref2 7
UI UO
∞ D1 UI
U ref1 - U min
+
Bild 7.46 Fensterkomparator: a) Schaltbild, b) Spannungsverlauf
Komparatoren mit Hysterese (Schmitt-Trigger) → Kapitel 8
7.5 Filter
7.5.1 Übersicht
Filter (F) sind Schaltungen mit vorgeschriebenem Frequenzgang, die be-

stimmte Frequenzbereiche unterdrücken (Sperrbereiche) und andere bevor-
zugt übertragen (Durchlassbereiche).
Die Filter werden nach verschiedenen Gesichtspunkten klassifiziert. Bild

7.47 zeigt eine Übersicht, gegliedert nach Signalverarbeitung und techni-
scher Realisierung. Hier beschränken wir uns auf aktive RC-Filter, die aus
integrierten Analogschaltkreisen (Operationsverstärker) sowie zusätzlichen
diskreten Bauelementen (Widerstände, Kondensatoren) aufgebaut werden,
und SC-Filter, die aus Analogschaltern (S) und Kapazitäten (C) monolithisch
herstellbar sind. Die Digitalfilter, unterteilt in „FIR-Filter“ (Finite-Impul-
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se-Response-Filter) mit zeitlich begrenzter Impulsantwort und „IIR-Filter“

(Infinite-Impulse-Response-Filter) mit zeitlich unbegrenzter Impulsantwort
sind ebenfalls monolithisch integrierbar. Begünstigt durch die Fortschritte der
Mikroelektronik lassen sich Digitalfilter (→ 5.4) mit hohen Qualitätsmerkma-
len kostengünstig herstellen.
Filter
Analoge Filter Zeitdiskrete

Filter
Filter aus Filter aus Digitale

konzentrierten verteilten Abtastfilter
Elementen Filter
Elementen
Passive RLC-Filter
Mechanische Filter
Aktive RC-Filter
Leitungsfilter
CCD-Filter
FIR-Filter
SC-Filter
IIR-Filter
Bild 7.47 Filterarten
7.5.2 Aktive RC-Filter
Vorteile:
einfache Berechnung
weitgehende Belastungsunabhängigkeit
rückwirkungsfreie Kombination von Teilfiltern
einstellbare Filtercharakteristik
Grundverstärkung durch aktive Bauelemente (Operationsverstärker)
Unterscheidungsmerkmale:
Selektionsverhalten (Tiefpass [TP], Hochpass [HP], Bandpass [BP], Band-
sperre [BS], Allpass [AP])
Filterordnung (Zahl der Zeitkonstanten: Filter 1. Ordnung [τ 1 ], 2. Ordnung
[τ 1 ,τ 2 ], . . . n-ter Ordnung [τ 1 ,τ 2 . . . τ n ])
mathematischer Funktionsverlauf (optimierte Filtertypen: Bessel-F. [güns-
tiges Impulsverhalten], Butterworth-F. [maximal geebneter Frequenzgang
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7.5 Filter 403
im Durchlassbereich (DB)], Tschebyscheff-F. [Welligkeit im DB, ungüns-

tiges Impulsverhalten])
Grundschaltung (Rückkopplungsart: Mehrfachgegenkopplung, Einfach-
mitkopplung)
7.5.2.1 Tiefpässe
Die normierte Übertragungsfunktion ist Berechnungsgrundlage:
V0
V = (7.117)
(1 + a1 P + b1 P2 )(1 + a2 P + b2 P2 ) . . .
f
mit P= j (7.118)
fg
V0 Spannungsverstärkung bei f = 0
V komplexe Spannungsverstärkung
P normierter Frequenzparameter
fg Grenzfrequenz (3 dB) 7
an ; bn Filterkoeffizienten (→ Tabelle 7.5)
Tabelle 7.5 Filterkoeffizienten

Filterkoeffizienten a1 b1 a2 b2 Filtertyp
Ordnung
1. 1,0000 0,0000 0,0000 0,0000 alleTypen
2. 1,3617 0,6180 0,0000 0,0000 I
1,4142 1,0000 0,0000 0,0000 II
1,3022 1,5515 0,0000 0,0000 III
1,0650 1,9305 0,0000 0,0000 IV
3. 0,7560 0,0000 0,9996 0,4722 I
1,0000 0,0000 1,0000 1,0000 II
2,2156 0,0000 0,5442 1,2057 III
3,3496 0,0000 0,3559 1,1923 IV
4. 1,3397 0,4889 0,7743 0,3890 I
1,8478 1,0000 0,7654 1,0000 II
2,5904 4,1301 0,3039 1,1697 III
2,1853 5,5339 0,1964 1,2009 IV
I Bessel-Filter
II Butterworth-Filter
III Tschebyscheff-Filter mit 1 dB Welligkeit im DB
IV Tschebyscheff-Filter mit 3 dB Welligkeit im DB
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Im Bild 7.48 sind die optimierten Frequenzgänge eines Tiefpasses 2. Ordnung

dargestellt.Die Berechnungsunterlagen ergeben sich aus der Übertragungs-
funktion der jeweiligen Schaltung (Koeffizientenvergleich mit Gl. (7.117)).
2
Tschebyscheff
3 dB
V/V0
1 dB
1
0,707 Bessel Butterworth
0,1
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0
f / fg
Bild 7.48 Optimierte Frequenzgänge eines Tiefpasses 2. Ordnung
Schaltungsvarianten für Filter 2. Ordnung:

Zweifachgegenkopplung
Einfachmitkopplung
Tiefpass 2. Ordnung mit Zweifachgegenkopplung (→ Bild 7.49)
R2
V0 = − (7.119)
R1

R2 R3
a1 = 2π fgC1 R2 + R3 + (7.120)
R1
b1 = (2π fg )2C1C2 R2 R3 (7.121)
Zur Berechnung der Widerstände (R1 ; R2 ; R3 ) werden die Kapazitäten (C1 ; C2 ),
die Gleichspannungsverstärkung V0 und die Grenzfrequenz fg vorgegeben:
p
a1C2 − a12C22 − 4C1C2 b1 (1 − V0 )
R2 = (7.122)
4π fgC1C2
R2
R1 = (7.123)
−V0
b1
R3 = (7.124)
(2π fg )2C1C2 R2
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7.5 Filter 405
Bei der Wahl der Kapazitäten ist zu beachten, dass der Radikand in Gl. (7.122)
positiv sein muss. Dafür gilt Gl. (7.125):
4C1 b1 (1 − V0 )
C2 = (7.125)
a12
R2 C1
R1 R3 ∞
ue - ua
+
C2 Bild 7.49 Tiefpass 2. Ordnung
mit Zweifachgegenkopplung
Entwurfsbeispiel: Butterworth-TP 2. Ordnung mit fg =5 kHz; V0 =−1; C1 =1 nF;

C2 = 4,7 nF. Lösungen: R2 = 13,8 kΩ; R1 = 13,8 kΩ; R3 = 15,6 kΩ.
Tiefpass 2. Ordnung mit Einfachmitkopplung (→ Bild 7.50)
C1
R1 R2 ∞ 7
+
-
C2 R3
R4 Bild 7.50 Tiefpass 2. Ordnung mit

Einfachmitkopplung
R3
V0 = 1 + (7.126)
R4
a1 = ω g [C2 (R1 + R2 ) + C1 R1 (1 − V0 )] (7.127)
b1 = ω g2C1C2 R1 R2 (7.128)
Berechnung der Bauelemente

1. Spezialfall (R1 = R2 = R; C1 = C2 = C):
√
b1
R = (7.129)
2π fgC
a1
V0 = 3 − √ (7.130)
b1
Vorteil: Alle optimierten Frequenzgänge nach Tabelle 7.5 können durch Ver-
ändern der Verstärkung V0 eingestellt werden. Zu beachten ist die Instabili-
tätsgrenze bei V0 = 3.
V0 = 1,2678: I V0 = 1,5858: II V0 = 1,9546: III V0 = 2,2335: IV
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I Beachte: Die Zeitkonstante τ = CR beeinflusst lediglich die Grenzfrequenz fg ,

aber nicht den Filtertyp.
2. Spezialfall (V0 = 1; R1 = R2 = R):
b1
C1 = (7.131)
a1 π f g R
a1
C2 = (7.132)
4π f g R
Vorteil: Die Schaltung besteht nur aus 4 passiven Bauelementen zusätzlich

zum Operationsverstärker, da die Widerstände zur Verstärkungseinstellung
entfallen (R3 = 0; R4 → ∞).
7.5.2.2 Hochpässe
V
V = ∞ (7.133)
a1 b1 a2 b2
1+ + 2 1+ + 2 ...
P P P P
V∞ Verstärkung für f → ∞
Die übrigen Formelzeichen haben die gleiche Bedeutung wie in Gl. (7.117).
Es gilt auch hier Tabelle 7.5.
Hochpass 2. Ordnung mit Zweifachgegenkopplung
Die Tiefpassschaltung 2. Ordnung (→ Bild 7.49) geht durch Vertauschung
R ↔ C bei Beibehaltung der Indizes in die entsprechende Hochpassschaltung
über.
Hochpass 2. Ordnung mit Einfachmitkopplung (→ Bild 7.51)
Durch Koeffizientenvergleich ergibt sich:
R3
V∞ = 1 + (7.134)
R4
R1 (C1 + C2 ) + R2C2 (1 − V∞ )
a1 = (7.135)
R1 R2C1C2 ω g
1
b1 = (7.136)
R1 R2C1C2 ω g2
1. Spezialfall (C = C1 = C2 ; R1 = R2 = R):
1
R = √ (7.137)
2π fgC b1
a1
V∞ = 3 − √ (7.138)
b1
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7.5 Filter 407
R1
C1 C2 ∞
+
-
R2 R3
R4 Bild 7.51 Hochpass 2. Ordnung

mit Einfachmitkopplung
I Beachte: Die Verstärkung V∞ muss sehr genau eingestellt werden (niedrige Wi-
derstandstoleranzen erforderlich). Dies wird umso kritischer, je näher V∞ an den
Wert 3 heranrückt (z. B. beim Filtertyp IV).
2. Spezialfall (V∞ = 1; C1 = C2 = C)
a1
R1 = (7.139)
4π fg b1C
1
R2 = (7.140)
a1 π fgC
7.5.2.3 Bandpässe (Selektivfilter) 7

dVr P
V = (7.141)
1 + dP + P2
Vr Resonanzverstärkung (Verstärkung bei f = fr )
fr Resonanzfrequenz
d Dämpfungsfaktor (= Kehrwert des Gütefaktors Q)
Realisierungsformen mit unterschiedlichen Eigenschaften entstehen durch:
Zweifachgegenkopplung
Einfachmitkopplung
Kettenschaltung von Hochpass und Tiefpass 1. Ordnung mit gleicher
Grenzfrequenz
Anwendung der Tiefpass-Bandpass-Transformation
Berechnungsunterlagen für Selektivfilter mit Zweifachgegenkopplung (→ Bild
7.52)
Q
R2 = (7.142)
π frC
R2
R1 = (7.143)
2|Vr |
|Vr |R1
R3 = (7.144)
2Q2 − |Vr |
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Beispiel: Vorgaben: C = 470 nF; fr = 100 Hz; Q = 50; Vr = 100 (40 dB):
Rechenergebnisse: R2 = 339 kΩ; R1 = 1,7 kΩ; R3 = 34,7 kΩ.
Kontrolle mit PSpice (AC-Analyse; OV-Baustein LM 324): fr = 99,3 Hz;
Vr = 95,4; B = 2,1 Hz (Q = 47,3).
V
Vr
C R2 Vr / 2
C ∞
-
B
R1 +
R3
a) b) fr f
Bild 7.52 Selektivfilter 2. Ordnung: a) Schaltung, b) Frequenzgang
Schaltungseigenschaften:
unbedingte Stabilität
Resonanzfrequenz fr und Resonanzverstärkung Vr können unabhängig von-
einander gewählt werden.
I Beachte: Der Operationsverstärker muss in offener Schleife bei f = fr eine

genügend große Verstärkungsreserve besitzen (obere Grenze für Gütefaktor:
Vu 2Q2 ).
7.5.2.4 Hinweise zu Filtern höherer Ordnung

Bei Filterschaltungen n-ter Ordnung beträgt die Flankensteilheit im Sperrbe-
reich n · 20 dB pro Dekade. Alle Filtertypen 2. Ordnung (→ Bild 7.48) zeigen
40 dB pro Dekade (10 : 1) bzw. 12 dB pro Oktave (2 : 1).
Filter geradzahliger, höherer Ordnung werden auch als Kettenschaltungen von
Filtern 2. Ordnung konzipiert. Aktive Filterbausteine mit Operationsverstärker
können rückwirkungsfrei in Kette geschaltet werden. Der Tiefpass 4. Ordnung
mit Einfachmitkopplung besteht z. B. aus zwei Teilfiltern nach Bild 7.50. Zur
Berechnung sind jedoch für das 2. Teilfilter statt a1 ; b1 die Koeffizienten a2 ;
b2 aus Tabelle 7.5 anzusetzen.
7.5.3 SC-Filter
Schalter-Kapazitäts-Filter (engl. switched capacitor [SC]) sind monoli-

thisch integrierbare Filter, die als Grundelemente geschaltete Kapazitäten
und aktive Integratoren (→ 7.4.3.4) enthalten.
Ohm’sche Widerstände werden bei diesem Filterkonzept durch geschaltete

Kapazitäten simuliert (→ Bild 7.53).
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7.6 Oszillatoren 409
C2
fs i
R ue fs
ue ua ue ua ∞
C - ua
C1 +
a) b)
Bild 7.53 Grundelement des SC-Filters Bild 7.54 Invertierender SC-Inte-
a) geschaltete Kapazität, b) äquivalenter grierer
Widerstand
Die Kapazität C wird in der einen Schalterstellung auf ue geladen und an-
schließend in der anderen auf ua entladen. Die Ladungsänderung beträgt dabei
∆Q = C(ue − ua ). Dies hat einen mittleren Gleichstrom zur Folge, der von der
Schaltfrequenz fs abhängig ist (→ Gl. (7.145)). Der äquivalente Widerstand R
bestimmt sich nach Gl. (7.146), wenn das Abtasttheorem (→ 5.2.3.3) einge-
halten wird. Die typischen Schaltfrequenzen fs (Abtastfrequenzen fA ) liegen
bei integrierten SC-Filtern um den Faktor 50 . . . 100 über der maximalen
Signalfrequenz fmax .
i = ∆Q fs (7.145) 7
1
R= (7.146)
C fs
Die Grundschaltung des invertierenden Integrierers (→ Bild 7.54) ergibt sich
aus der geschalteten Kapazität (→ Bild 7.53) und einem kapazitiv gegenge-
koppelten, invertierenden Verstärkerelement.
Die Zeitkonstante (allgemein: τ = CR) ergibt sich aus Gl. (7.147).
C2
τ = (7.147)
C1 fs
Damit beträgt die Zeitfunktion des Integrierers:
t
1Z
ua = − ue dt (7.148)
τ
0
7.6 Oszillatoren
Oszillatoren (Signalgeneratoren) sind Schaltungen, die ungedämpfte elek-

trische Schwingungen bestimmter Kurvenform und Frequenz mit konstan-
ter Amplitude erzeugen.
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Bei Rückkopplungsoszillatoren wird ein schwingfähiges System durch Mit-

kopplung entdämpft (→ 7.3.2.1).
Bei Sinusoszillatoren ist eine stetige Amplitudenbegrenzung durch zusätz-
liche Schaltungsmaßnahmen erforderlich, damit der Verstärker beim An-
schwingen nicht übersteuert wird. Als frequenzbestimmende Komponenten
werden RC-Glieder, LC-Glieder (Schwingkreise) und Schwingquarze verwen-
det.
Bei Impulsoszillatoren wird der Verstärker während des Schwingvorganges

übersteuert. Die Amplitudenbegrenzung erfolgt unstetig durch die nichtlinea-
ren Kennlinien der aktive Bauelemente.
Bei Oszillatoren mit Schwingungssynthese wird die Sinusschwingung ent-
weder durch Simulation der Schwingungs-Differenzialgleichung mit analo-
gen Rechenschaltungen (Integrierer, Differenzierer) oder mit einem Sinus-
funktionsnetzwerk aus einer Dreieckschwingung erzeugt. Bei digitalisierten
Schaltungen kann die gewünschte Funktion auch in einem Festwertspeicher
(ROM) gespeichert sein. Eine weitere Möglichkeit der Schwingungserzeu-
gung besteht in der Entdämpfung eines Systems durch negative dynamische
Widerstände (NIC: negative impedance converter).
7.6.2 RC-Oszillatoren
Im Frequenzbereich 0,1 Hz . . . 100 kHz werden RC-Oszillatoren als Signal-
generatoren bevorzugt. LC-Oszillatoren erfordern bei niedrigen Frequenzen
unzweckmäßig große Induktivitäten.
Nach der Art der im Rückkopplungszweig liegenden Filterschaltungen unter-
scheidet man:
Wien-Oszillator (mit Wien-Spannungsteiler)
Wien-Robinson-Oszillator (mit Wien-Robinson-Brücke)
Phasenschieber-Oszillator (mit Filterkette aus drei RC-Gliedern)
Doppel-T-Oszillatoren (mit Doppel-T-Glied)
Die Frequenzstabilität ∆ f / f0 des Oszillators wird im Wesentlichen durch

die Steilheit des Phasen-Frequenzganges (Phasensteilheit ∆ ϕ /∆ f ) bei der
Oszillatorenfrequenz f0 bestimmt.
Die Methode der Oszillatorenberechnung wird an der Schaltung nach Bild
7.55 gezeigt: Ausgangspunkt ist Gl. (7.33). Für Selbsterregung gilt K V = 1.
K V = 1 wird in eine Betragsbedingung
KV = 1 (7.149)
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und eine Phasenbedingung zerlegt:

ϕ K + ϕ V = 2πn; n = 0,1,2 . . . (7.150)
R C
C R
+
UO
R C
R2
UO UK
R C
R1 R3 D1 D2
a) b)
Bild 7.55 Wien-Oszillator mit Operationsverstärker
a) Schaltung, b) Wien-Spannungsteiler
Aus der Phasenbedingung wird die Oszillatorfrequenz f0 und aus der Betrags-
bedingung die notwendige Verstärkung V0 errechnet. Aus Bild 7.55b folgt:
UK 1
K= = (7.151)
UO
3 + j ω CR −
1 7
ω CR
Für den nichtinvertierenden OV ist ϕ V = 0. Aus Gl. (7.150) wird dann ϕ K = 0
(n = 0).
Die Oszillatorfrequenz ergibt sich mit [ω CR − (1/ω CR)] = 0:
1
fO = (7.152)
2πCR
Aus der Betragsbedingung ergibt sich die Verstärkung:

1
VO = (7.153)
K f = fO
Zum Aufrechterhalten einer Schwingung mit konstanter Amplitude muss der
Operationsverstärker auf eine Verstärkung V0 = 3 eingestellt werden. Dies
geschieht durch eine entsprechend bemessene Gegenkopplung, in die eine
Verstärkungsregelung zur Stabilisierung der Oszillatorspannung einbezogen
ist (→ Bild 7.55a).
Bei ÛO < Uz sperren die Z-Dioden und es stellt sich V = Vmax ein. Vmax wird
etwas größer als 3 gewählt, damit ein sicheres Anschwingen gewährleistet ist:
R2
Vmax = 1 + ≈ 3,1 (7.154)
R1
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Bei ÛO > Uz werden die Z-Dioden leitend und es stellt sich V = Vmin ein.
Vmin wird etwas kleiner als 3 gewählt, sodass sich eine konstante Amplitude
ÛO ≈ Uz bei V0 = 3 einregelt:
R2 k R3
Vmin ≈ 1 + ≈ 2,9 (7.155)
R1
I Hinweis: Zumeist wird der Wien-Spannungsteiler in einer Brückenschaltung
(Wien-Robinson-Brücke) eingesetzt. Damit erzielt man eine höhere Phasensteil-
heit und somit eine größere Frequenzstabilität. Mit integrierten Oszillatormodulen
in Wien-Robinson-Schaltung ist ∆ f / f0 ≈ 10−3 . . . 10−4 erreichbar.
7.6.3 Quarzoszillatoren
Quarzoszillatoren zeichnen sich durch eine hohe Frequenzstabilität ∆ f / f0 ≈

10−6 . . . 10−10 aus. Die erreichbaren Werte sind von Quarzschnitt, Quarzbe-
lastung, Schaltungsaufwand und Temperatur abhängig.
Es werden folgende Hauptgruppen von Quarzoszillatoren unterschieden:
einfache Oszillatoren (XO: crystal oscillator)
Spannungsgesteuerte Oszillatoren (VCXO: voltage controlled crystal oscil-

lator). Frequenzmodulation z. B. durch Änderung der Steuerspannung einer
Kapazitätsdiode.
Temperaturkompensierte Oszillatoren (TCXO: temperature compensated
crystal oscillator). Elektrische Kompensation des Temperaturganges, ana-
log z. B. mit NTC-Widerständen.
Temperaturstabilisierte Oszillatoren (OCXO: ovenized compensated cry-
stal oscillator). Der Quarz befindet sich in einem Thermostat.
7.6.3.1 Elektrische Eigenschaften des Quarzes
Schwingquarze und Filterquarze werden aus Quarzkristallen (SiO2 ) in defi-

nierten kristallografischen Richtungen herausgeschnitten, geschliffen, kontak-
tiert und in Gehäuse eingesetzt. Die prinzipielle Anordnung ist mit einem Plat-
tenkondensator vergleichbar. Im elektrischen Wechselfeld führt der Quarz me-
chanische Schwingungen hoher Präzision aus (umgekehrter piezoelektrischer
Effekt, Geschwister Curie, 1880). Die elektrischen Eigenschaften des Quarzes
sind von dem Quarzschnitt, der Schwingungsform und den Abmessungen
abhängig. Bild 7.56 zeigt die bevorzugten Frequenzbereiche der wichtigsten
Quarzschnitte für Grundwellenerregung.
Kennwerte des Quarzes:
Nennfrequenz (z. B. f = 1 MHz)
Abgleichtoleranz (z. B. ∆ f / f = ±20 · 10−6 bei 25 ◦ C)
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Toleranz im Temperaturbereich (z. B. ∆ f/f = ±1·10−4 bei −20 . . .+60 ◦ C)

Temperaturkoeffizient der Frequenz (z. B. T K f = 1 · 10−6 K−1 )
Umkehrpunkt (Temperatur, bei der T K f = 0 ist, z. B. +25 ◦ C). Bei Ther-
mostatierung ist diese Temperatur konstant zu halten.
maximale Lastkapazität (z. B. 20 pF)
maximale Quarzbelastung (z. B. 10 mW)
Frequenz
Charakteristik 1 kHz 10 kHz 100 kHz 1 MHz 10 MHz
XY
Biegeschwinger
NT
Dehnungsschwinger
X
Längsschwinger
DT Flächen-
scherungsschwinger
CT Flächen-
scherungsschwinger 7
AT, BT Dicken-
scherungsschwinger
Bild 7.56 Frequenzbereiche der wichtigsten Quarzschnitte
Aus der Ersatzschaltung des Quarzes (→ Bild 7.57) folgen zwei Resonanz-
frequenzen, die dicht nebeneinander liegen:
C2
=
$
Bild 7.57 Ersatzschaltbild
L R C1 des Quarzes
Serienresonanzfrequenz
1
fs = √ (7.156)
2π LC1
Parallelresonanzfrequenz
1 C1C2
fp = p ; Cp = ≈ C2 (7.157)
2π LCp C1 + C2
fp liegt geringfügig oberhalb fs :

C1
fp = fs 1 + (7.158)
2C2
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Parasitäre Kapazitäten wirken wie Parallelkapazitäten und beeinflussen nur fp ,

nicht aber fs . Daraus folgt: Bei Ausnutzung der Serienresonanz ist gegenüber
der Parallelresonanz eine höhere Frequenzkonstanz zu erwarten.
Aus der Ersatzschaltung folgt weiter:
induktives Verhalten für fs < f < fp und
kapazitives Verhalten für f > fp oder f < fs
7.6.3.2 Hinweise zu einfachen Oszillatoren

Mögliche Schaltungsvarianten:
Quarz im Rückkopplungszweig eines nichtinvertierenden Verstärkers
Beispiel: Verstärker aus zwei Logikgattern mit negierendem Verhalten, Schwin-
gungsform: Rechteckimpuls, Quarz schwingt in Serienresonanz.
Quarz als induktive Komponente eines Schwingkreises
Beispiel: Pierce-Schaltung, Bild 7.58, kapazitive Dreipunktschaltung, Schwin-
gungsform: Sinus (bei richtiger Bemessung der Amplitudenbegrenzung RE , R2 ),
Quarz schwingt auf einer Frequenz, die zwischen fs und fp liegt.
Quarz als zusätzliches Bauelement in einem Schwingkreis (der Schwing-

kreis kann bei AT- und BT-Schnitten auf eine Oberwelle der Quarzfre-
quenz abgestimmt werden. Dadurch sind quarzstabile Oszillatorfrequenzen
> 20 MHz realisierbar).
Durch Reihenschaltung eines Trimmers zum Quarz lässt sich die Oszillator-
frequenz geringfügig korrigieren (Ziehkapazität CZ im Bild 7.58).
+UB
K R1 RC
~
C1
E
CZ C2
B CE
R2 RE
Bild 7.58 Pierce-Schaltung
7.7 Analog/Digital- und Digital/Analog-Umsetzer

Natürliche Signale, die vom Menschen erzeugt (z. B. Sprache, Musik) oder aus
der Umwelt des Menschen gewonnen werden (z. B. Temperatur, Druck), und
ihre elektrischen Abbilder (z. B. Spannungen, Ströme) sind zunächst wert-
und zeitkontinuierlich (analog). Sofern die Übertragung und Verarbeitung
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7.7 Analog/Digital- und Digital/Analog-Umsetzer 415
digital erfolgen soll, ist eine Analog/Digital-Umsetzung notwendig. Die dabei

entstehenden digitalen Signale sind wert- und zeitdiskret, stellen also nur
noch Zahlenfolgen aus Einsen und Nullen dar. Befindet sich der Mensch am
Ende der Informationskette, dann sind die digitalen Signale wieder zurück
in analoge Signale (z. B. Bild, Ton) zu wandeln (Digital/Analog-Umsetzung).
Bild 7.59 zeigt einen Anwendungsfall aus der Unterhaltungselektronik. Bei
der Audio-Echtzeitverarbeitung werden die analogen Signale der Tonquellen
zunächst digital umgesetzt. Der digitale Signalprozessor (DSP) ermöglicht die
professionelle Tonbearbeitung am PC in Echtzeit. Die digitalen Signale wer-

den danach wieder in analoge umgesetzt und der Verstärkeranlage zugeführt.
ADU und DAU sind dabei zumeist Bestandteile eines Schaltkreises (Sound-
Stereo-CODEC).
PC-Steuerung
16 bit 16 bit
analog
ADU
seriell
DSP
seriell
DAU
analog
zum
7
vom
CD-Player Verstärker
CODEC
Bild 7.59 Digitale Signalverarbeitung mit Signalprozessor
Kennwerte von Umsetzern
Auflösung (resolution) n in Bit
Kleinstmögliche Änderung des analogen Signals (z. B. Spannung), die
einem Wechsel des niederwertigsten Datenbits (LSB) zuzuordnen ist.
I Hinweis: Bei n Bit Auflösung sind m = 2n analoge Spannungswerte möglich.
Die Zuordnung des Analogsignals z zum LSB und zum höchstwertigen Bit
(MSB) ergibt sich aus dem theoretischen Bereichsendwert FS (Full Scale)
und der Auflösung n: LSB = FS/2n ; MSB = FS/2. Hieraus resultiert zmax =
FS − LSB. Der entstehende statische Fehler nimmt mit höherer Auflösung ab.
Umsetzzeit (Wandlungszeit) TC (conversion time)
Zeitdauer vom Beginn der Umsetzung bis zur Bereitstellung (ADU) oder
Verarbeitung (DAU) des digitalen Signals.
Umsetzrate (Abtastrate) in Abtastungen (samples) pro Sekunde
Kehrwert der Umsetzzeit, häufig unter Einbeziehung zusätzlich auftreten-
der Verzögerungszeiten (z. B. bei S&H).
I Hinweis: Weitere Kennwerte sind Spannungsbereich, Codierung, Herstellungs-
technologie (monolithisch, hybrid), Verlustleistung, Zahl der Kanäle, statische
und dynamische Fehler.
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7.7.1 Analog/Digital-Umsetzer
Ein Analog/Digital-Umsetzer (ADU), engl. analog digital converter

(ADC) hat die Aufgabe, ein analoges Signal (z. B. Gleichspannung) in eine
dem Spannungswert proportionale Zahl zu wandeln.
Hierbei lassen sich mehrere, prinzipiell verschiedene Umsetzungsverfahren

unterscheiden (→ Tabelle 7.6).
Tabelle 7.6 Einige Analog/Digital-Umsetzungsverfahren

Wirkprinzip Anzahl der Anzahl der Merkmale
Umsetzschritte Komparatoren
Parallelverfahren 1 2n − 1 hoher Aufwand, sehr schnelle
Umsetzung
Wägeverfahren n 1 guter Kompromiss zwischen
Aufwand und Geschwindig-
keit, S&H erforderlich
Zählverfahren 2n 1 geringer Aufwand, langsame
Umsetzung
n Auflösung in Bit
S&H Abtast- und Halteschaltung (engl. sample and hold)
7.7.1.1 Parallelverfahren
Bei einem Parallel-ADU (flash ADC) mit n bit Auflösung wird in einem
einzigen Umsetzschritt die analoge Eingangsspannung Ue mit 2n − 1 ge-
stuften Referenzspannungswerten (Komparatoren) verglichen. Dabei wird
festgestellt, in welcher Quantisierungsstufe Ue liegt. Die Nummern k der
Quantisierungsstufen werden in codierter Form (Dualcode) ausgegeben. Dazu
ist ein Prioritäts-Encoder (X/Y) erforderlich, der die Binärzustände k der
Komparatoren in den Dualcode (n bit) wandelt. Eine Zwischenspeicherung
der binären Komparatorsignale mit einem Parallel-Register – RG – (interner
Aufbau aus flankengetriggerten D-Flipflops) vermeidet Umsetzungsfehler bei
zeitlich variablen Eingangsspannungen (die gleiche Wirkung hätte eine Ana-
logwertspeicherung vor den Komparatoren mittels S&H). Bild 7.60 zeigt das
Schaltungsprinzip für n = 3 bit.
Tabelle 7.7 zeigt die Zuordnung der Quantisierungsstufen k und der Ausgangs-
bits zu einer angenommenen Signalspannung im Bereich ue = 0 . . . 7,499 V.
I Applikationshinweise für FLASH-ADU: Integrierte Ausführungen in verschiede-

nen Herstellungstechnologien (TTL, CMOS, ECL).
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14/14 U ref
R/2
∞ k7 k7*
13/14 -
+ 2
RG X/Y 2
R
∞ k6 k6*
11/14 - 21
+
20
R
∞ k1 k1*
1/14 -
ue +
R/2 Übernahme-
Bild 7.60 ADU nach dem
Takt
Parallelverfahren (3 bit)
Tabelle 7.7 Codetabelle eines 3-bit-Parallel-ADU

ue in V k7 k6 k5 k4 k3 k2 k1 22 21 20 Dezimalzahl z
0,0 . . . 0,499 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
7
0,5 . . . 1,499 0 0 0 0 0 0 1 0 0 1 1
1,5 . . . 2,499 0 0 0 0 0 1 1 0 1 0 2
2,5 . . . 3,499 0 0 0 0 1 1 1 0 1 1 3
3,5 . . . 4,499 0 0 0 1 1 1 1 1 0 0 4
4,5 . . . 5,499 0 0 1 1 1 1 1 1 0 1 5
5,5 . . . 6,499 0 1 1 1 1 1 1 1 1 0 6
6,5 . . . 7,499 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 7
Kennwerte (je nach Typ):

Auflösung: 4 . . . 10 bit
Maximale Umsetzrate: 20 . . . 500 MHz (auch Angabe in MSPS: mega samples
per second)
Anwendung: z. B. Radar-Systeme, Medizinelektronik, Videosignalverarbeitung.
7.7.1.2 Wägeverfahren
Das Wägeverfahren (sukzessive Approximation, Stufenkompensation) be-

ruht auf einer schrittweisen Annäherung eines Vergleichswertes an die Mess-
spannung. Der Vergleichswert wird durch einen Digital/Analog-Umsetzer
(DAU) aus dem gespeicherten Messwert gewonnen. Die Umsetzung wird
durch ein spezielles Schieberegister (SAR: (engl.) succesive approximation
register) gesteuert. Während der Umsetzungszeit darf sich die Eingangsspan-
nung am Komparator nicht ändern, deshalb ist eine analoge Zwischenspeiche-
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rung der Messspannung mit einer Abtast- und Halteschaltung (S&H: sample
and hold) notwendig. Bild 7.61 zeigt ein Prinzipschaltbild für 4 bit Auflösung.
Takt
ue S&H Ua ∞ c
D
+ SAR
-
Uref
Z msb
U (Z) DAU
Z lsb
Bild 7.61 ADU nach dem Wägeverfahren
Im Bild 7.62 ist der Wägevorgang für 4 bit Auflösung dargestellt. Nachdem
bei Messbeginn die im SAR stehende Zahl auf z = 0 rückgesetzt wurde
(RESET), wird probeweise das höchstwertigste Bit (msb) auf eins gesetzt
(z3 = 1). Dann wird geprüft, ob die Messspannung Ua größer oder kleiner als
die Spannung U(z) ist. Ist Ua = U(z), wie im Beispiel, dann bleibt z3 gesetzt
(z3 : = 1). Wäre Ua < U(z), dann würde z3 auf null rückgesetzt. Danach wird
das Bit z2 und alle anderen bis zum niederwertigsten Bit (lsb) geprüft. Nach
n = 4 Umsetzungsschritten steht im SAR eine 4-bit-Zahl, die nach Umsetzung
mit dem DAU eine Spannung U(z) ergibt, die mit der Messspannung (im
Beispiel: Ua = 9 V) übereinstimmt (→ Gl. (7.159)).
z
U(z) = Ua = Uref · (7.159)
zmax + 1
Im Beispiel: Uref = 16 V; z = 9 (binär: 1 0 0 1); zmax = 15 (binär: 1 1 1 1);
U(z) = 9 V.
Die Umsetzzeit ist von der Taktfrequenz fC und der Auflösung n abhängig:
1
TC = (n + 2) (7.160)
fC
I Applikationshinweise für SAR-DAU: Integrierte Ausführungen in verschiedenen
Herstellungstechnologien (CMOS, Bipolar, Hybrid).
Kennwerte (je nach Typ):
Auflösung: 8 . . . 16 bit
Umsetzdauer: 1 . . . 40 µs
zum Teil mit interner Referenzquelle und S&H-Schaltung
bestimmte Typen mit Mikroprozessor-Bus-Interface (8, 12 oder 16 bit)
Anwendung: z. B. industrielle Datenverarbeitung, Prozesssteuerungen, Audiosig-
nalverarbeitung.
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15 V
z2=1?
U(z)
z1=1?
10 V z0=1?
9V z3=1? Ua
z3:=1 z2:=0 z1:=0 z0:=1

5V
0
1 2 3 4
Bild 7.62 Wägevorgang
n bei 4 bit
7.7.1.3 Abtast- und Halteschaltung

7
Sample-and-hold-Schaltungen (S&H) sind Analogwertspeicher für kurze
Speicherzeiten. Sie tasten analoge Signale in bestimmten Zeitintervallen ab
und entnehmen während der Abtastphase die Momentanwerte des Signals
als Proben (samples).
Zwischen zwei Abtastungen liegt jeweils eine Haltephase, in der eine Zwi-
schenspeicherung (hold) des vorherigen Momentanwertes erfolgt. Das Prinzip
verdeutlicht Bild 7.63. H-Pegel am Steuereingang schließt den Schalter (T1 ),
der Kondensator C wird auf den Momentanwert von ue aufgeladen. L-Pegel
öffnet den Schalter, C speichert ue bis zur nächsten Abtastung.
Betrachtet man die periodische Abtastung eines analogen Signals unter idea-
len Bedingungen (Aufladezeitkonstante τ a → 0 und Entladezeitkonstante
τ e → ∞), so entsteht Bild 7.64. Im Interesse einer späteren fehlerfreien
Rückgewinnung des kontinuierlich analogen Signals muss das Abtasttheorem
(→ Gl. (5.77)) eingehalten werden. Die Abtastfrequenz fA = 1/TA muss
mindestens doppelt so groß wie die höchste Frequenzkomponente ( fmax ) des
abgetasteten Signals sein.
Die Realisierung des Analogschalters (→ Bild 7.63) erfolgt im Bild 7.65
durch einen Feldeffekttransistor (Sperrschicht-FET). Bei H-Pegel am S/H-
Eingang sperrt D3 und der selbstleitende SFET T1 ist durchgesteuert (Schalter
geschlossen), C wird schnell über den niederohmigen Kanalwiderstand rDS
geladen. Bei L-Pegel wird D3 leitend, die Gate-Source-Spannung UGS ist
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u a ue
US/H
(T1 )
ue ua
C tS t
S/H
Bild 7.63 Prinzip einer TA
Abtast- und Halteschaltung Bild 7.64 Idealisierte Signalabtastung
negativer als die Schwellspannung Up und T1 sperrt (Schalter offen). Da der

Sperrwiderstand von T1 sehr hoch ist, tritt keine nennenswerte Entladung von
C auf. Die Dioden D1 , D2 verhindern die Übersteuerung von OA1 . Durch die
Gegenkopplung vom Ausgang des OA2 zum invertierenden Eingang von OA1
stellt sich ua = ue ein (Spannungsfolger) und der Offsetfehler wird eliminiert.
D1 D2 OA2
OA1 ∞
∞ - ua
- T1 +
ue +
R C
D3 Bild 7.65 Abtast- und Halte-
S/ H schaltung mit Operationsverstärkern
Integrierte Sample-hold-Bausteine werden zumeist in BIMOS-Technologie

gefertigt (Verstärker und Pegelwandler: bipolar; Schalter: unipolar). Bei ei-
nigen Typen muss die Haltekapazität extern angeschlossen werden. Andere
Typen sind mit einer internen Haltekapazität ausgestattet. Der Verstärker OA2
im Bild 7.65 arbeitet dann als Integrierer. Damit ergeben sich Vorteile bei
der internen Ansteuerung des Analogschalters. Gemeinsames Merkmal vieler
Bausteintypen ist die TTL-Kompatibilität am Steuereingang (S/H).
Einige Kenngrößen des Sample-hold-Vorganges

Einstellzeit tE (engl. acquisition time)
Zeitspanne zwischen dem Beginn der Sample-Phase und dem Erreichen
eines definierten Spannungswertes. Die Verstärker haben eine endliche An-
stiegsgeschwindigkeit (Slew-Rate), sodass die Abtastung als Einschwing-
vorgang abläuft (→ Bild 7.66). tE wird oft auf 10 V Amplitude und 0,1 %
Fehler bezogen.
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Typische Werte: 4 ms bei C = 1 nF oder 350 ns bei intern 90 pF.

0,1%
ua
tE t
tS
(Folgen) (Halten) Bild 7.66 Zur Definition der Einstellzeit
Haltedrift (droop rate)

Zeitliche Änderung der Ausgangsspannung ua während der Hold-Phase.
Typische Werte: z. B. 5 µV/ms; 0,01 µV/µs.
7.7.1.4 Zählverfahren
Die Zählverfahren erfordern den geringsten Schaltungsaufwand. Wegen der 7

großen Umsetzdauer (ms-Bereich) ist die Anwendung auf die Verarbeitung
relativ langsamer Signaländerungen beschränkt. Auflösung, Genauigkeit und
Linearität genügen jedoch zumeist den Anforderungen. Im Wesentlichen wer-
den Sägezahnumsetzer und Nachlaufumsetzer unterschieden. Die Sägezahn-
ADU arbeiten ohne DAU; sie wandeln das Analogsignal zunächst in eine
Zwischengröße (Zeit; Frequenz) um, bevor ein Zähler seriell den Digitalwert
bildet. Die Nachlaufumsetzer sind im Schaltungsaufbau mit den SAR-ADU
verwandt. Die Sägezahn-ADU werden zumeist als Zweiflanken-Umsetzer
(dual slope) monolithisch gefertigt. Bild 7.67a zeigt das Prinzipschaltbild, im
Bild 7.67b ist der Integrationsvorgang für zwei verschiedene Eingangsspan-
nungen dargestellt.
INT C
Ue S T2(1)
R COMP U
T1 T2(2)
- Uref ∞ ∞
- - 0 t
+ +
U1(2)
CTR Zählergebnis z
& U1(1)
c
fc
RCO S-Steuerung
a) b)
Bild 7.67 Dual-Slope-ADU: a) Prinzipschaltung, b) Integrationsvorgang
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Wirkungsweise. Eine konstante Eingangsspannung (Ue > 0) wird mit ei-

nem Miller-Integrator (INT) integriert. Der Komparator (COMP) schaltet bei
Integrationsbeginn auf H-Pegel. Dadurch wird das UND-Tor geöffnet und
der Zähler (CTR) erhält Zählimpulse der Frequenz fC vom Taktgeber. Ist
der maximale Zählerstand zmax nach der Zeit T1 erreicht (Integratorspannung
U1 ), wird der Zähler auf null zurückgestellt und der Übertrag (RCO) schaltet
über die Schalter-Steuerung den Umschalter (S) auf die Referenzspannung
(Uref < 0) um. Die Integration führt zum linearen Anstieg von der Spannung
U1 bis auf 0 in der Zeit T2 (→ Bild 7.67b). Der Komparator schließt das
UND-Tor, sodass keine weiteren Zählimpulse auf den Zähler gelangen. Der
aktuelle Zählerstand z ist der Eingangsspannung Ue proportional, wie die
nachfolgenden Gleichungen zeigen.
T1
1 Z T1
U1 = − Ue dt = −Ue · (7.161)
CR CR
0
zmax
T1 = (7.162)
fC
TZ
1 +T2
1 T2
0 = U1 + Uref dt = U1 + Uref · (7.163)

CR CR
T1
Ue
T2 = T1 · (7.164)
Uref
z = T2 fC (7.165)
Aus den Gln. (7.162), (7.164), (7.165) folgt:
Ue
z = zmax · (7.166)
Uref
I Bemerkenswert ist die Tatsache, dass weder die Zeitkonstante CR noch die Takt-
frequenz fC auf das Zählergebnis Einfluss nehmen (→ Gl. (7.166)).
I Applikationshinweise für Dual-Slope-ADU:
Ausführungen teilweise mit integriertem Siebensegment-Decoder für Anzeigeein-
heiten und/oder Mikroprozessor-Bus-Interface.
I Kennwerte (je nach Typ): Auflösung: 12 . . . 22 bit oder 3 1/2 . . . 5 1/2 Digit
(Digit = Anzeigestelle); Umsetzdauer: 40 . . . 500 ms
Anwendung: z. B. digitale Messgeräte, Prozesssteuerungen, Labortechnik (durch
langsame Umsetzung hohe Störsicherheit)
7.7.1.5 Hinweise zu weiteren Umsetzverfahren

Sigma-Delta-Umsetzer
Die Entwicklungstendenz, präzise Analogfunktionen durch digitale Signal-
verarbeitung zu ersetzen, ist auch bei den ADU/DAU-Umsetzverfahren zu er-
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kennen. Hervorzuheben ist die Entwicklung von Sigma-Delta-Umsetzern mit

hoher Auflösung (16 bis 24 bit), großer Bandbreite und niedrigem Rauschen.
Das Umsetzprinzip basiert auf der Deltamodulation, bei der durch Überabtas-
tung (oversampling) des kontinuierlichen Eingangssignals Ue zunächst eine
hochfrequente, serielle Bitfolge (bitstream) erzeugt wird. Bild 7.68 zeigt dazu
eine vereinfachte Prinzipschaltung.
SUM INT C
Ue R Bitstrom
COMP zur digitalen
∞ ∞ Nachbearbeitung
- -
+ +
Uref
U ( z) DAU z = {0; 1}
(1 bit)
Bild 7.68 Sigma-Delta-ADU mit seriellem Ausgang (vereinfacht)

Die Schaltung stellt einen Regelkreis dar. Der arithmetische Mittelwert der 7
Summe Ue + U(z) wird integriert. Die Integratorspannung hat einen zeitlich
linearen Verlauf. Beim Nulldurchgang schaltet der Komparator um und liefert
entweder z = 0 oder z = 1. Der 1-bit-DAU setzt das jeweilige Ausgangsbit in
eine Gleichspannung U(z) um, die entweder positiv oder negativ ist (U(0) > 0;
U(1) < 0). Aus dem Mittelwert des Bitstromes kann auf die Größe der
Eingangsspannung geschlossen werden. Ue = 0 ergibt einen Bitstrom mit
periodischen 1/0-Wechseln (z. B. 1 0 1 0 1 0 1 0). Bei Ue = Uemax entstehen
dagegen monotone 1-Folgen (z. B. 1 1 1 1 1 1 1 1).
Der grob quantisierte Bitstrom wird anschließend digital gefiltert (FIR-TP-
Filter) und in das parallele Datenformat mit hoher Auflösung umgeformt
(im Bild 7.68 nicht dargestellt). Durch die Überabtastung lässt sich das
Quantisierungsrauschen wirkungsvoll unterdrücken. Die Anforderungen an
die Filterordnung halten sich in Grenzen.
Quantisierungsrauschen. Wandelt man eine im ADU mit endlicher Auf-
lösung quantisierte Spannung (Treppenfunktion) mit einem DAU zurück, so
schwankt die Ausgangsspannung um die Größe des Quantisierungsfehlers
Q = ±1/2 ULSB , Bild 7.69.
Der Signal-Rausch-Abstand S errechnet sich aus dem logarithmischen Ver-
hältnis von Signalspannung zu Rauschspannung (Effektivwerte). Er verbessert
sich mit wachsender Auflösung n.
Ũe
S = 20 dB · lg = 1,8 dB + n · 6 dB (7.167)
Ũr
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Beispiel: Bei einer Auflösung von n = 12 bit errechnet sich der Signal-Rausch-
Abstand zu S = 73,8 dB.
z
100
011
010
Q
001 1/2 ULSB

000 0
0 1 V 2 V 3 V 4 V Ue −1/2 U LSB Ue
U LSB
Bild 7.69 Quantisierungsfehler bei 3 bit Auflösung
I Applikationshinweise für Sigma-Delta-ADU:

Hohe Auflösung (16 . . . 24 bit), hohe Linearität, Signal-Rausch-Abstand unabhän-
gig vom Eingangssignal, keine S&H-Schaltung erforderlich. Ausführungen mit
integriertem Multiplexer für die digitale Signalverarbeitung (→ Bild 7.59).
Kaskaden-Umsetzer (half flash ADC)

Ein weiteres Umsetzprinzip kombiniert die Parallelumsetzung (flash ADC)
mit der Wägeumsetzung (SAR ADC). Ausführungen je nach Typ auch mit
integrierter S&H-Schaltung und digitaler Fehlerkorrektur.
I Hinweis: Bei einer Kaskade aus N Parallelumsetzer-Stufen reduziert sich die Zahl
k der erforderlichen Komparatoren gegenüber der reinen Parallelumsetzung auf
k = N(2n/N − 1).
Beispiel: n = 8 bit; N = 2 ergibt k = 30 gegenüber 28 − 1 = 255.
7.7.2 Digital/Analog-Umsetzer
Ein Digital/Analog-Umsetzer (DAU), engl. digital analog converter

(DAC) hat die Aufgabe, ein digitales Signal (Codewort, Zahl) in einen
Spannungswert (analoges Signal) zu wandeln.
Hierbei werden mehrere, prinzipiell verschiedene Umsetzungsverfahren un-

terschieden, die sich im Ansatz nach den gleichen Kriterien gliedern lassen
wie die ADU-Verfahren nach Tabelle 7.6. Die praktische Realisierung zeigt
jedoch, dass den einzelnen Verfahren unterschiedliche Bedeutung zukommt.
Wir beschränken uns hier auf die Behandlung von CMOS-Schaltungsvarian-
ten, die sowohl Elemente der Parallelumsetzung als auch der Wägeumsetzung
enthalten. Die reine Parallelumsetzung wird nur zur Erläuterung eines allge-
meinen Wirkungsprinzips herangezogen.
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7.7.2.1 Prinzip der Parallelumsetzung
Das Parallelverfahren erfordert bei n bit Auflösung ein Widerstandsnetzwerk

aus 2n gleichen Widerständen sowie 2n − 1 Schalter (→ Bild 7.70a).
Uref
R Ua
1 3V
R z0
0 2V
1
R z1 Ua 1 V
0
1 Bild 7.70
R z0 0V
0 00 01 10 11 z a) Parallelumsetzung (2 bit)
a) b) b) Ausgangsspannungsverlauf
Die Schalter z0 , z1 , . . . , zi entsprechen den Bits des Digitalwortes am Eingang

des Umsetzers mit den Wertigkeiten 20 , 21 , . . . , 2i . Am Ausgang entsteht 7

ein stufenförmiger Spannungsverlauf (→ Bild 7.70b). Die Stufensprünge
werden umso kleiner, je höher die Auflösung n ist. Die Ausgangsspannung
Ua errechnet sich bei n bit Auflösung nach Gl. (7.168).
n−1
Ua = Uref · ∑ 21−nzi; i = 0,1, . . . ,(n − 1) (7.168)
i=0
Beispiel: Bei n = 2 bit und Uref = 4 V ergibt sich die im Bild 7.70b dargestellte
Treppenfunktion, wenn sich in konstanten Zeitabständen die Bits entsprechend
dem Dualcode ändern:
Ua = 4 V · (2−2 z0 + 2−1 z1 ) = 0 V; 1 V; 2 V; 3 V
Der mehr oder weniger stufenförmige Verlauf der Ausgangsspannung muss

noch geglättet werden. Dies gilt für alle DAU-Verfahren. Dazu werden ent-
sprechend bemessene Tiefpässe nachgeschaltet (Glättungs-TP; engl. smoo-
thing TP).
Eigenschaften der reinen Parallel-Umsetzung:

Nachteil: die sehr hohe Anzahl der erforderlichen Schalter
(z. B. bei 8 bit: 255)
Vorteil: Es werden nur Widerstände einer Größe benötigt. Dies ist für die
Genauigkeit der Widerstandswerte bei integrierten Widerstandsnetzwerken
von Bedeutung.
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7.7.2.2 Umsetzverfahren mit R-2R-Netzwerk
Dieses besonders für DAU in CMOS-Technologie geeignete Verfahren ver-

wendet ein Kettenleiternetzwerk, das aus Dünnfilmwiderständen besteht,
die auf einen CMOS-Chip aufgedampft sind. Das Netzwerk aus Längs-
widerständen R und Querwiderständen 2R wirkt als Spannungsteiler für
die Referenzspannung Uref (→ Bild 7.71). An den Knotenpunkten mit den
dort angeschlossenen Querwiderständen entstehen binär gestufte Teilspan-
nungen Ui = Uref /2i ; i = 0, 1, . . . , (n − 1), die zu proportionalen Strömen

Ia(i) = Ui /(2R) führen, wenn die entsprechenden CMOS-Schalter auf der
logischen Eins stehen. Die Summe der Ströme Ia(i) wird mit einem invertie-
renden Strom-Spannungs-Wandler in eine proportionale Ausgangsspannung
Ua gewandelt. Dabei kürzt sich der Widerstand R aus der Gleichung heraus.
Es ergibt sich Gl. (7.169):
z
Ua = −Uref (7.169)
1 + zmax
Hierin ist z der dezimale Wert einer mehrstelligen Dualzahl im Bereich
0 . . . zmax . Die maximale Dualzahl zmax ist von der Auflösung n abhängig. Ihr
dezimaler Wert beträgt:

zmax = 2n − 1 (7.170)
Da die Ausgangsspannung nach Gl. (7.169) vom Produkt Uref · z abhängig ist,
werden diese DAU auch als multiplizierende Umsetzer bezeichnet.
Beispiel bezogen auf Bild 7.71: n = 3 bit (zmax = 7).
Angenommen: Uref = 8 V, R = 1 kΩ, z = 5 (z2 = 1; z1 = 0; z0 = 1).
Über den Gesamtstrom Ia = Ia2 + Ia0 = 4 mA + 1 mA = 5 mA ergibt sich die
Ausgangsspannung zu Ua = Ia R = 5 V. Den binären Zahlenwerten 0 . . . 7 sind
demnach die Spannungswerte 0 . . . 7 V zugeordnet.
Ia
Uref Uref R Uref /2 R Uref /4

R
2R 2R 2R 2R
∞ Ua
1 0 1 0 1 0 -
z2 z1 z0 +
Bild 7.71 Digital/Analog-Umsetzer (3 bit) mit R-2R-Netzwerk
Entsprechende bipolare Umsetzverfahren verwenden geschaltete Konstant-

ströme (Strombänke, → 7.3.4). Die Einzelströme der Strombank sind ent-
weder binär gewichtet (ohne zusätzliches Netzwerk) oder gleich groß (die
Wichtung erfolgt mit R-2R-Netzwerk).
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Eigenschaften der gewichteten Parallelumsetzung (multiplizierende DAU):

Vorteile: Geringe Zahl der Umschalter (ein Schalter pro Bit).
Preiswerte integrierte Lösungen (zumeist in CMOS) mit gängigen Auf-
lösungen von 8 . . . 12 bit. Auch High-Speed-DAU für Videosignalverarbei-
tung mit hoher Linearität bis 160 MHz (160 MSPS).
7.7.2.3 Analogschalter
Elektronische Analogschalter dienen zum Ein- und Ausschalten kontinu-

ierlicher Signale.
Die elektrischen Eigenschaften sollen denen mechanischer Schalter möglichst

nahe kommen (niedriger Durchlasswiderstand, hoher Sperrwiderstand, großer
Strom-Spannungs-Bereich, kurze Schaltzeiten, lineares bilaterales Übertra-
gungsverhalten). Ein schnelles und präzises Schalten kleiner Gleichgrößen
stellt besonders hohe Anforderungen an das Schalterkonzept. Übertragungs-
fehler enstehen u. a. durch Offsetspannung und Temperaturdrift der aktiven
Bauelemente. Die Schaltgeschwindigkeit wird durch parasitäre Kapazitäten 7

(Zeitkonstanten) begrenzt. Als Schalterbauelemente können Dioden, bipolare
Transistoren und Feldeffekttransistoren verwendet werden. Nach der Anord-
nung des Schalters werden Serienschalter, Parallelschalter (Kurzschlussschal-
ter) und Serien-Kurzschlussschalter (Umschalter) unterschieden.
CMOS-Analogschalter
Integrierte Analogschalter sind überwiegend CMOS-Strukturen. Die einfachs-
te CMOS-Schalterzelle (→ Bild 7.72) besteht aus zwei komplementären
MOSFET vom Anreicherungstyp.
Der p-Kanal-MOSFET T1 leitet bei negativer Gate-Source-Spannung
(UGS < UT0 ), der n-Kanal-MOSFET T2 leitet bei positiver Gate-Source-Span-
nung (UGS > UT0 ). Durch eine binäre, gegenphasige Gate-Ansteuerung sind
entweder beide Transistoren gesperrt oder beide leitend. Die leitenden Kanäle
beider Transistoren liegen parallel. Source (S) und Drain (D) sind die Schal-
teranschlüsse. Zumeist erfolgt die Steuerung des Schalters durch Binärsignale
(TTL-Pegel). Dazu sind im Schalterbaustein entsprechende Pegelwandler
integriert. Der resultierende Kanalwiderstand (RDS ) der Schalterzelle ist im
Bild 7.73 als Funktion der Drainspannung (UD ) aufgetragen.
Die Widerstandsänderung im Bereich UD = −UB . . . 0 . . .+UB lässt sich durch
die Parallelschaltung von T1 und T2 relativ gering halten (typische Werte:
Spannung im Analogbereich UD = −15 V . . . + 15 V; RDS = 40 . . . 50 Ω bei
+25 ◦ C).
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+U B RDS
(G1) T1
Ust Pegel- T2
Wandler T1
(S) (D)
T2
(G2) T1 T2
UD
UB UB 0 +UB
Bild 7.72 Prinzipschaltung Bild 7.73 Widerstandsverlauf beim
eines CMOS-Schalters CMOS-Schalter
Technische Ausführungsformen von CMOS-Schaltern.

Wie bei mechanischen Schaltern sind EIN-Schalter (Schließer), AUS-Schalter
(Öffner) und Umschalter zu unterscheiden. Außerdem werden Einzelschalter
(single switch), Doppelschalter (dual switch) und Vierfachschalter (quad switch)
angeboten.
Die TTL-Steuerung kann sowohl H-aktiv als auch L-aktiv sein. Im Bild 7.74
wird ein Vierfach-EIN-Schalter mit L-aktiver Steuerung gezeigt.

Die vier Schalter schließen bei L-Pegel (Ust 5 0,8 V) und öffnen (sperren) bei
H-Pegel (Ust = 2,4 V).
Pegel- (S1)
Ust1
Wandler (D1)
Pegel- (S2)
U st2
Wandler (D2)
Pegel- (S3)
Ust3
Wandler (D3)
Pegel- (S4)
Ust4
Wandler (D4) Bild 7.74 Funktionsblock eines
CMOS-Vierfach-Schalters
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8 Digitale Schaltungen
8.1 Begriffsbestimmung
Die Begriffsfestlegungen beziehen sich wie bei analogen Schaltungen (→ 7.1)
vor allem auf die Einteilung der Signale:
Diskretes Signal
Es wird zwischen „wertdiskret“ und „zeitdiskret“ unterschieden.
Wertdiskretes Signal
Die Informationsparameter können nur bestimmte Werte, diskrete Werte

genannt, einer endlichen Menge annehmen.
I Hinweis: Nach der Anzahl der Informationsparameter (i) und der Anzahl der
Werte (k), die jeder Informationsparameter annehmen kann, werden Mehrpunkt-
signale und binäre Signale unterschieden.

Zeitdiskretes Signal
Es ist nur zu bestimmten (diskreten) Zeitpunkten definiert. 8

I Beispiel: Abtastsignal
Mehrpunktsignal
Die Informationsparameter können mehrere diskrete Werte (k = 2) anneh-

men, die nicht Alphabetzeichen oder Worten zugeordnet sind.
I Beispiel: Zweipunktsignal (ein/aus) bei Temperaturreglern

Binäres Signal
Der Informationsparameter kann genau zwei Werte annehmen (i = 1;

k = 2). Entsprechend dem binären Zahlensystem (Dualsystem) werden die
beiden Werte als Signalwert 0 und Signalwert 1 bezeichnet.
Digitales Signal
Diskretes Signal, bei dem den Werten der Informationsparameter Worte

entsprechen (i = 1, k = 2). Die Wortzuordnung wird als Codierung be-
zeichnet.
Digitale Signale sind codierte diskrete Signale.
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430 8 Digitale Schaltungen
Wort
Geordnete Menge von Zeichen eines Alphabets, die erst in ihrer Gesamt-
heit eine Bedeutung hat bzw. eine Information enthält.
Alphabet
Liste von vereinbarten Zeichen oder Symbolen.

Systemklassen der Digitaltechnik
Abtastsysteme sind wertkontinuierlich und zeitdiskret

Asynchrone Digitalsysteme sind wertdiskret und zeitkontinuierlich
Synchrone Digitalsysteme sind wertdiskret und zeitdiskret
Digitaler Schaltkreis (IC)
Integriertes elektronisches System zur Erzeugung, Übertragung oder Ver-

arbeitung digitaler Signale.
Das Grundelement der Digitaltechnik ist der elektronische Schalter. Schalter-

bauelemente sind Dioden, Transistoren und Logikgatter.
Digitale Schaltungen werden in Elementarschaltungen und komplexe

Schaltungen gegliedert.
Elementarschaltungen sind kombinatorische Schaltungen (Schaltnetze)

oder sequenzielle Schaltungen (Schaltwerke).
Schaltnetze sind speicherfrei; sie enthalten logische Grundelemente (z. B.

Logikgatter). Schaltwerke sind speicherhaltig; sie enthalten neben logischen
Grundelementen elementare Speicherbausteine (z. B. Flipflop).
Komplexe Schaltungen sind aus Elementarschaltungen aufgebaut.
Typische Schaltungen zur digitalen Signalverarbeitung sind z. B. Zähler,

Schieberegister, Matrixspeicher, digitale Filter.
Fuzzy-Logik (fuzzy (engl.) = unscharf (sinngemäß))
Im Gegensatz zur klassischen zweiwertigen Logik (Aussagen: wahr oder
falsch) lehnt sich die Fuzzy-Logik durch eine größere Zahl unscharfer Aussa-
gen mehr der menschlichen Denkweise an. Jedem Element einer Menge wird
eine Zahl zwischen 0 und 1 zugeordenet (Zugehörigkeitszahl ZZ).
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8.2 Grundlagen der Schaltalgebra 431
ZZ = 0 keine Zugehörigkeit
ZZ = 0,5 50%ige Zugehörigkeit
ZZ = 1 100%ige Zugehörigkeit
Bild 8.1 zeigt den Unterschied zwischen Fuzzy-Logik und zweiwertiger Logik
in grafischer Form.
ZZ
1 1
.
.
.
.
. Bild 8.1 Zugehörigkeitsfunktionen
.
0 0 a) bei zweiwertiger Logik,
a) Merkmal b) Merkmal b) bei Fuzzy-Logik
In zunehmendem Maße wird die Fuzzy-Logik in digitale Systeme integriert
(z. B. Systeme mit künstlicher Intelligenz (KI), digitale Bildverarbeitung).
8.2 Grundlagen der Schaltalgebra

Die Schaltalgebra (Boole’sche Algebra: G. Boole, 1815–1864) ist die

mathematische Basis der Digitaltechnik. Ihre Anwendung setzt binäre
(zweiwertige) Logik voraus.
8
Zu den Aufgaben der Schaltalgebra zählen:
die Beschreibung von Signalverknüpfungen in digitalen Schaltungen,
der Schaltungsentwurf bei vorgeschriebener Funktion,
die Minimierung des technischen Aufwandes.
Den binären Signalen mit den Signalwerten 0 und 1 können verschiedene
Bedeutungen zugemessen werden (→ Tabelle 8.1).
Tabelle 8.1 Bedeutung der binären Signalwerte
Signalwert 1 Signalwert 0
Schalter geschlossen offen
Potenzial Hoch (High = H) Tief (Low = L)
Magnetisierung positive Sättigung negative Sättigung
Impuls Impuls vorhanden kein Impuls vorhanden
Wahrheitsgehalt wahr falsch
8.2.1 Logische Funktionen
Logische Funktionen (Schaltfunktionen) dienen der mathematischen Be-

schreibung von kombinatorischen Schaltungen (Schaltnetze).
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Kombinatorische Schaltungen sind speicherfrei, d. h., zu jedem Zeit-

punkt ergibt sich der binäre Ausgangssignalwert y eindeutig aus der Ver-
knüpfung der binären Eingangssignalwerte x1 , x2 , x3 , . . .
Beschreibungsformen für Schaltfunktionen sind:

Funktionsmatrix (Schaltbelegungstabelle, Wahrheitstabelle, Logiktabelle),
Logikgleichung (Boole’sche Gleichung, Schaltfunktion),
Schaltzeichen (EN 60 617, IEC 617),

Karnaugh-Plan (KV-Tafel: Karnaugh-Veitch-Tafel),
Kontaktnetz.
Negation, Konjunktion und Disjunktion werden auch als logische Grundfunk-

tionen bezeichnet.
Negation
Jeder Logikzustand wird umgekehrt (aus 0 wird 1; aus 1 wird 0).

y = ¬x
(lies: y = nicht x) (8.1)
y=x
Konjunktion (UND-Verknüpfung)
y = x1 ∧ x2
(lies: y = x1 und x2) (8.2)
y = x1 x2
Wenn die eine und die andere Variable gleich 1 sind, ist auch y = 1 (→ Tafel
8.1).
Im Kontaktnetz wird die UND-Verknüpfung durch die Reihenschaltung von
Schließern veranschaulicht.
Disjunktion (ODER-Verknüpfung; Adjunktion)

y = x1 ∨ x2 (lies: y=x1 oder x2) (8.3)
Wenn die eine oder die andere Variable oder beide gleich 1 sind, ist auch y = 1
(→ Tafel 8.1).
Im Kontaktnetz wird die ODER-Verknüpfung durch die Parallelschaltung von
Schließern veranschaulicht.
Aus den Grundfunktionen ergeben sich weitere Logikfunktionen mit genorm-
ten Bezeichnungen (→ Tafel 8.1):
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Tafel 8.1 Logische Funktionen mit zwei Variablen

Funktionsbezeichnung Funktionsmatrix Schaltzeichen
x1 0 0 1 1
Logikgleichung x2 0 1 0 1
Konjunktion (UND) y 0 0 0 1 x1
y = x1 x2 &
y
y = x1 ∧ x2 x2
Disjunktion (ODER) y 0 1 1 1 x1 ≥1
y = x1 ∨ x2 y
x2
NAND (NICHT UND) y 1 1 1 0 x1
y = x1 x2 & y
y = x1 ∧x2 x2
NOR (NICHT ODER) y 1 0 0 0 x1 ≥1
y = x1 ∨ x2 y
y = x1 ∨x2 x2
Äquivalenz y 1 0 0 1 x1 =
y = x1 x2 ∨ x1 x2 y
y = x1 ↔ x2 x2
Antivalenz (XOR) y 0 1 1 0 x1 =1
y = x1 x2 ∨ x1 x2 y 8
y = x1 = x2 x2
Implikation y 1 0 1 1 x1
y = x1 ∨ x2 1
y
y = x2 → x1 x2
Inhibition y 0 1 0 0 &
y = x1 ∧ x2
y = x2 → x1
8.2.2 Rechenregeln
Die Rechenregeln der Schaltalgebra stimmen nicht in allen Fällen mit den
Rechenregeln der gewöhnlichen Algebra überein. Auf Abweichungen wird
durch (!) besonders hingewiesen.
Rechenregeln für Schaltfunktionen mit einer Variablen

Zum Nachweis sind in den Kontaktnetzen die Signalwerte 0 als Unterbrechun-
gen und die Signalwerte 1 als Leitungen zu betrachten.
Zunächst gilt:
x=x (8.4)
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Negation der Negation ist Identität.

In konjunktiver Verknüpfung ist
0 ∧ x = 0; x∧x =x (!)
(8.5)
1 ∧ x = x; x∧x =0
In disjunktiver Verknüpfung ist

0 ∨ x = x; x∨x =x
(8.6)
1 ∨ x = 1; x∨x =1
Rechenregeln für Schaltfunktionen mit zwei oder mehr Variablen

Kommutative Gesetze (Vertauschungsgesetze)
x1 x2 = x2 x1
(8.7)
x1 ∨ x2 = x2 ∨ x1
Assoziative Gesetze (Verbindungsgesetze)
x1 x2 x3 = x1 (x2 x3 ) = (x1 x2 )x3

(8.8)
x1 ∨ x2 ∨ x3 = x1 ∨ (x2 ∨ x3 ) = (x1 ∨ x2 ) ∨ x3
Wie in der gewöhnlichen Algebra können die Variablen vertauscht werden.

Außerdem können beliebig Klammern gesetzt oder weggelassen werden.
Distributive Gesetze (Verteilungsgesetze)
x1 (x2 ∨ x3 ) = x1 x2 ∨ x1 x3
(8.9)
x1 ∨ (x2 x3 ) = (x1 ∨ x2 )(x1 ∨ x3 ) (!)
In Konjunktionen können gemeinsame Variable ausgeklammert werden.

I Hinweis: Diese Rechenregeln gelten auch für Antivalenz und Äquivalenz!
Absorptionsregeln (!)
x1 ∨ x1 x2 = x1
x1 (x1 ∨ x2 ) = x1
(8.10)
x1 (x1 ∨ x2 ) = x1 x2
x1 ∨ x1 x2 = x1 ∨ x2
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Negationsregeln (Regeln von de Morgan)
x1 x2 = x1 ∨ x2
(8.11)
x1 ∨ x2 = x1 x2
Die NAND-Verknüpfung kann durch eine ODER-Verknüpfung der negierten

Variablen ersetzt werden. Die NOR-Verknüpfung kann durch eine UND-
Verknüpfung der negierten Variablen ersetzt werden.
x1 = x2 = x1 ↔ x2 (8.12)
Durch Negation wird aus einer Antivalenz eine Äquivalenz und umgekehrt.
Vorrangregeln
Sind keine Klammern gesetzt, so ist die Rangfolge der Operationen: 1. Nega-
tion, 2. Konjunktion, 3. Disjunktion. 2. vor 3. entspricht in der gewöhnlichen
Algebra der Regel „Punktrechnung vor Strichrechnung“. Alle redundanten
Schaltnetze können mit Rechenregeln vereinfacht werden (Minimierung).
Normalformen
Normalformen sind Darstellungen von Schaltfunktionen, die ausschließ-
lich die logischen Grundfunktionen (UND, ODER, NICHT) verwenden. 8
Disjunktive Normalform (DNF): Funktion aus disjunktiv verknüpften Ele-
mentarkonjunktionen.
Konjunktive Normalform (KNF): Funktion aus konjunktiv verknüpften
Elementardisjunktionen.
Kanonische Normalformen (KDNF, KKNF) bestehen aus Mintermen (Voll-
konjunktionen) oder Maxtermen (Volldisjunktionen).
I Merke: Eine vollständige Schaltfunktion mit n Variablen hat 2n Minterme und 2n
Maxterme (Tabelle 8.2).
Tabelle 8.2 Minterme und Maxterme bei 3 Variablen
x2 x1 x0 Minterme Maxterme y(Beispiel)
0 0 0 x2 x1 x0 x2 ∨ x1 ∨ x0 0
0 0 1 x2 x1 x0 x2 ∨ x1 ∨ x0 1
0 1 0 x2 x1 x0 x2 ∨ x1 ∨ x0 1
0 1 1 x2 x1 x0 x2 ∨ x1 ∨ x0 1
1 0 0 x2 x1 x0 x2 ∨ x1 ∨ x0 0
1 0 1 x2 x1 x0 x2 ∨ x1 ∨ x0 1
1 1 0 x2 x1 x0 x2 ∨ x1 ∨ x0 0
1 1 1 x2 x1 x0 x2 ∨ x1 ∨ x0 0
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Beispiel: Aus Tabelle 8.2 ergeben sich die kanonischen (vollständigen) Normal-
formen:
1. KDNF y = x2 x1 x0 ∨ x2 x1 x0 ∨ x2 x1 x0 ∨ x2 x1 x0
2. KKNF y = (x2 ∨ x1 ∨ x0 )(x2 ∨ x1 ∨ x0 )(x2 ∨ x1 ∨ x0 )(x2 ∨ x1 ∨ x0 )
I Hinweis: Die kanonischen Formen sind redundant und lassen sich vereinfachen
(→ 8.2.3).
8.2.3 Minimierung
Redundante Schaltfunktionen lassen sich vereinfachen, sodass der Aufwand

für die zugeordnete Hardware geringer wird. Weniger Schaltkreise für die
gleiche Funktion bedeuten Platzersparnis auf Leiterplatten, niedrigere Ver-
lustleistung und höhere Verarbeitungsgeschwindigkeit.
Verfahren:
Anwendung der schaltalgebraischen Rechenregeln, insbesondere der Re-
duktionsformeln nach Gl. (8.10).
Algorithmische Verfahren beruhen auf der systematischen Durchmusterung
der Minterme einer Schaltfunktion und der Sortierung nach Primimplikan-
ten in mehreren iterativen Schritten. Vorteil: besondere Eignung für den

computergestützten Hardware-Designentwurf.
Grafische Verfahren, z. B. die KV-Tafel (Karnaugh, 1953; Veitch, 1952).
Vorteil: Eignung für manuelle Berechnung, die Übersichtlichkeit ist ge-
währleistet, wenn die Variablenzahl 6 nicht übersteigt.
Karnaugh-Plan (KV-Tafel)
Manuelles, halbgrafisches Minimierungsverfahren für maximal 6 Variablen.
Der Grundgedanke beruht auf der identischen Umformung
x1 x0 ∨ x1 x0 = x0 (x1 ∨ x1 ) = x0 (8.13)
Im Karnaugh-Plan entspricht dies einer Einkreisung der auftretenden Ele-
mentarfunktionen (Blockbildung). Die zu minimierende Schaltfunktion muss
in der kanonisch disjunktiven Normalform (KDNF) vorliegen, d. h., in allen
Elementarfunktionen muss die Variablenzahl gleich groß sein. In nichtkano-
nischen Ausdrücken sind die fehlenden Variablen über die Operation x ∨ x zu
ergänzen:
Beispiel:
y = x1 x0 ∨ x1 = x1 x0 ∨ x1 (x0 ∨ x0 ) = x1 x0 ∨ x1 x0 ∨ x1 x0
Der Karnaugh-Plan einer Schaltfunktion mit n Variablen besteht aus 2n
Feldern. Jedem Feld ist eine Elementarkonjunktion zugeordnet. Das Ord-
nungsprinzip besteht darin, dass sich zwischen benachbarten Zeilen bzw.
benachbarten Spalten jeweils nur eine Variable ändert.
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Zur Anwendung des Karnaugh-Planes. Alle Elementarkonjunktionen der

zu minimierenden Schaltfunktion sind mit 1 in die jeweiligen Felder einzu-
tragen. (Es ist auch möglich, die fehlenden Elementarkonjunktionen mit 0
einzutragen, das Ergebnis ist dann die negierte Funktion.) Durch Zusammen-
fassen solcher 1-Felder (oder auch der 0-Felder) zu rechteckigen Blöcken wird
die Variablenzahl gekürzt. Bei Blöcken aus 2m Variablen mit m 5 n entfallen
m Variablen, deshalb ist es zweckmäßig, möglichst große Blöcke zu bilden
(zulässig sind 2er-, 4er-, 8er-Blöcke).
I Hinweise zur Blockbildung bei Funktionen bis zu 4 Variablen: Die Blöcke dürfen
sich überlappen oder auch über die Ränder des Karnaugh-Planes hinaus gebildet
werden.
I Hinweise zur Blockbildung bei Funktionen mit 5 oder 6 Variablen: Der Karnaugh-
Plan mit 6 Variablen besteht aus 64 Feldern. Er ist aus 4 symmetrisch angeordne-
ten Teilplänen mit jeweils 16 Feldern aufgebaut. Innerhalb der einzelnen Teilpläne
erfolgt die Blockbildung nach den bisher bekannten Regeln. Blöcke über zwei
oder mehrere Teilpläne hinweg müssen symmetrisch liegen.
Auswertungsbeispiele:
1. Schaltfunktion mit 4 Variablen
y = x3 x2 x1 x0 ∨x3 x2 x1 x0 ∨x3 x2 x1 x0 ∨x3 x2 x1 x0 ∨x3 x2 x1 x0 ∨x3 x2 x1 x0 ∨x3 x2 x1 x0

Durch Festlegung der Wertigkeiten {x3 ; x2 ; x1 ; x0 } = {8; 4; 2; 1} lässt sich die
Funktion durch ihre Elementarkonjunktionen ausdrücken:
y = k1 ∨ k3 ∨ k7 ∨ k8 ∨ k9 ∨ k11 ∨ k15 8
Aus Bild 8.2 ergibt sich die minimierte Funktion:
y = x1 x0 ∨ x3 x2 x1 ∨ x2 x0
(A) (B) (C)
x2 x2
x 1x 0 x1x 0 x1x0 x1x0 x1x0 x1x0 x1x0 x1x0
x4 x3 1 A A 1
x4 x3 1 1 1 1 1 1 1 1
x1x0 x1x0 x1x0 x1x0 x5
x4x3 E
x3x2 1 1 (C)
x4x3 1 1
x3x2 1 1 1 x4x3 1 1 1 1
B
x3x2 (B) 1 (B) x4x3 1 1 C
(A) x5
x4 x3 A 1 1 1 1 1
x3x2 1 A
x4 x3 1 1 1 D 1
Bild 8.2 Karnaugh-Plan mit 4 Bild 8.3 Karnaugh-Plan mit 6 Variablen

Variablen (leere Felder enthalten 0) (leere Felder enthalten 0)
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2. Schaltfunktion mit 6 Variablen

Die Wertigkeiten betragen: {x5 ; x4 ; x3 ; x2 ; x1 ; x0 } = {32; 16; 8; 4; 2; 1}
y = k0 ∨k4 ∨k9 ∨k13 ∨k16 ∨k17 ∨k18 ∨k19 ∨k20 ∨k21 ∨k22 ∨k23 ∨k32 ∨k34 ∨k35 ∨
∨k36 ∨k41 ∨k42 ∨k43 ∨k45 ∨k49 ∨k50 ∨k51 ∨k53 ∨k55 ∨k58 ∨k59
Aus Bild 8.3 ergibt sich die minimierte Funktion:
y = x4 x3 x1 x0 ∨ x5 x2 x1 ∨ x4 x3 x1 x0 ∨ x5 x4 x3 x0 ∨ x5 x4 x3
(A) (B) (C) (D) (E)
I Hinweis zur Behandlung beliebiger Logik-Zustände (auch Joker oder wild cards
genannt).
Beim Schaltungsentwurf können auch Logik-Zustände auftreten, die für die je-
weilige Lösung ohne Bedeutung sind. Über diese Zustände kann beliebig verfügt
werden. Im Karnaugh-Plan werden die Joker gewöhnlich mit „x“ eingetragen.
Bei der Minimierung werden sie je nach Bedarf als „0“ oder „1“ definiert, sodass
damit größere 1-Felder entstehen (stärkere Minimierung).
Algorithmische Minimierung mit Primimplikanten-Verfahren

Es sind mehrere Verfahren bekannt:
Bestimmung der Primimplikanten durch systematisches Kürzen von Ter-
men (Q UINE und M C C LUSKEY, 1956)

Bestimmung der Primimplikanten durch systematischen Vergleich der
Einsmenge mit der Nullmenge (K AZAKOV, 1962)
Definitionen:
1. Ein Implikant k in einer disjunktiven Normalform y ist eine Konjunktion
k 5 y, wenn für kn = 1 (kn ⊂ k) auch y = 1 ist.
2. Ein Primimplikant (Primkonjunktion) pn ist der kürzeste Implikant k, für
den noch Definition 1 gilt.
3. Die minimierte Funktion ist die disjunktive Verknüpfung aller Primimpli-
kanten pn .
Den geringsten formalen Aufwand bei der Bestimmung der Primkonjunktio-

nen erfordert das Verfahren nach Kazakov, wenn der Vergleich zwischen
Einsmenge (M1) und Nullmenge (M0) durch systematisches Probieren er-
folgt.
Beschreibung des Algorithmus:
1. Die Elementarkonjunktionen der zu minimierenden Funktion werden nach
M1 und M0 geordnet.
2. Für die erste Elementarkonjunktion in M1 sind die in ihr enthaltenen Varia-
blenkombinationen zu bilden, beginnend mit Einzelvariablen, fortzusetzen
mit Zweierkombinationen, Dreierkombinationen usw.
3. Ist die jeweilige Variablenkombination nicht in M0 enthalten, so ist sie eine
Primkonjunktion und wird in der entsprechenden Zeile von M1 notiert.
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8.3 Logische Grundschaltungen 439
4. Ergeben sich Variablenkombinationen, in denen eine bereits ermittelte

Primkonjunktion enthalten ist, so sind diese wegzulassen.
5. Fortsetzung (wie in 2. und 3. beschrieben) Zeile für Zeile, bis alle Element-
arkonjunktionen abgearbeitet sind.
Beispiel:
Minimierung einer unvollständig definierten Funktion mit 4 Variablen, bereits
nach M1 und M0 geordnet (→ Tabelle 8.3). Die fehlenden 10 Belegungen sind
Joker (beliebig: x).
Tabelle 8.3 Einfaches Beispiel einer Minimierung nach K AZAKOV

x3 x2 x1 x0
0 0 0 0 x2 x0
M1 0 0 1 0 x1 x2 x0
1 1 0 0 x3
0 0 0 1
M0 0 1 0 0 Ergebnis:
0 1 0 1 y = x1 ∨ x3 ∨ x2 x0
I Hinweis: Es kann nicht ausgeschlossen werden, dass andere Minimierungsverfah-

ren bessere Lösungen (kürzere Terme) liefern.
8
8.3 Logische Grundschaltungen
Die elektronische Realisierung logischer Funktion (→ 8.2.1) wird als logische
Grundschaltung bezeichnet. Die Grundschaltungen sind als digitale Schalt-
kreise verfügbar.
8.3.1 Logische Pegel
Logikpegel. Die binären Signalwerte (0; 1) werden durch Gleichspannungs-

werte (Logikpegel) ausgedrückt. Die Fertigungstoleranzen erfordern die Fest-
legung von Toleranzbereichen:
UH Hoher Pegel (High-Pegel) : U = UH min
(8.14)
UL Tiefer Pegel (Low-Pegel) : U 5 UL max
Übertragungsweite. Zwischen den Grenzwerten liegt ein verbotener Bereich
mit der Übertragungsweite W :
W = UH min − UL max (8.15)
Die Grenzwerte UH min und UL max sind für jede Schaltkreisfamilie genormt.
Die TTL-Logikpegel werden universell verwendet (TTL-Kompatibilität). Zur
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Einhaltung einer geforderten Störsicherheit unterscheiden sich Eingangs- und

Ausgangspegel voneinander (→ Bild 8.4).
UI UO
H
H MH +2,4 V
+2 V
+0,8 V
ML
L +0,4 V
0 0 L
Bild 8.4 Toleranzbereiche für logische Pegel (Standard-TTL)
Die statischen Störsicherheiten M:
MH = UOH min − UIH min

(8.16)
ML = UIL max − UOL max
UO Ausgangsspannung (Output Voltage),

UI Eingangsspannung (Input Voltage)
Die Störsicherheit beträgt bei Standard-TTL (74xx): M = MH = ML = 0,4 V.

Nach der Zuordnung „binäre Signalwerte ⇔ logische Pegel“ unterscheidet
man
positive Logik (H =
b 1; L =
b 0): Anwendung z. B. bei TTL und CMOS,
negative Logik (H =
b 0; L =
b 1): Anwendung z. B. bei ECL.
Die Funktion eines Gatters kann ohne Logikangabe allgemein gültig durch
eine Pegeltabelle beschrieben werden. Wählt man in der Pegeltabelle eines
TTL-Gatters positive Logik, dann ergibt sich z. B. eine NAND-Verknüpfung.
Würde man negative Logik verwenden (Sonderfall), ergäbe sich beim gleichen
Gatter eine NOR-Verknüpfung.
8.3.2 Integrierte Standard-Schaltkreise
Integrierte Schaltkreise (IC: Integrated Circuit) werden in verschiedenen

Technologien gefertigt. Daraus resultieren genormte Schaltkreisfamilien und
Baureihen. Im Wesentlichen wird zwischen bipolaren und unipolaren IC-
Familien unterschieden.
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8.3.2.1 TTL-Schaltkreise
Die TTL (Transistor-Transistor-Logik) ist die bekannteste bipolare Schalt-

kreisfamilie. Das Typensortiment besteht aus vielen Varianten in mehreren
Baureihen.
Eigenschaften:
günstiger Kompromiss zwischen Verlustleistung PV und Verzögerungszeit
tP (Propagation Delay), besonders bei weiterentwickelten TTL-Baureihen,
niedriger Ausgangswiderstand (< 100 Ω),

Betriebsspannung (+5 V) und TTL-Signalpegel (→ Bild 8.4) sind interna-
tional genormt.
Einige Kennwerte zum Vergleich von TTL-Baureihen sind in Tabelle 8.4
aufgeführt.
Tabelle 8.4 Kennwerte zum Vergleich von TTL-Baureihen
TTL-Baureihe Verzögerungszeit Verlustleistung Leistungs-Zeit-
je Gatter tP in ns je Gatter PV in mW Produkt PVtP in pJ
74ALS 4,5 1,2 5,4
74F 2,3 4 9,2

74LS 9,5 2 19
74AS 1,5 22 33
74L
74S
33
3,5
1
19
33
66,5
8
74 10 10 100
74ALS Advanced-Low-Power-Schottky-TTL (weiterentwickelte LS-TTL)
74F Fast-TTL (schnelle S-TTL)
74LS Low-Power-Schottky-TTL (S-TTL mit niedriger Verlustleistung)
74AS Advanced-Schottky-TTL (weiterentwickelte S-TTL)
74L Low-Power-TTL (TTL mit niedriger Verlustleistung)
74S Schottky-TTL (schnelle TTL)
74 TTL (Standard-TTL)
Die Baureihen 74 und 74L wurden inzwischen weitgehend durch die wei-
terentwickelten Baureihen ersetzt. Im Allgemeinen ist Funktions- und PIN-
Kompatibilität bei gleicher Baustein-Nummer gewährleistet. Schaltkreise
74xyz können bedenkenlos durch 74LSxyz ersetzt werden. Die Innenschal-
tungen aller TTL-Baureihen sind aus der Standard-TTL entwickelt worden.
Liste der TTL-Bausteine von 7 400 . . . 74 200: → 8.9.3.
Die Grundschaltung der Standard-TTL (→ Bild 8.5) besteht aus dem
Multiemitter-Transistor (Emitterzahl = 2) zur UND-Einfächerung T1, einer
Phasenumkehrstufe T2 sowie der Gegentakt-Endstufe T3, T4 mit Pegelver-
satzdiode (D). Die Eingangsschaltung lässt sich zum besseren Verständnis auf
ein Diodengatter zurückführen (→ Bild 8.6).
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+UB
R1 R2 R4
T3
T1 T2
Eingänge
D
Ausgang
R3
T4 Bild 8.5 Grundschaltung der

Standard-TTL
B B B
C
E1 C C E1
E1
E2
E2
a) b) E2 c)
Bild 8.6 UND-Einfächerung durch Multiemitter-Transistoren

a) bei TTL, b) Ersatzschaltung, c) Vergleich mit Diodengatter
I Merke: Das Grundgatter der TTL bildet eine NAND-Verknüpfung.
Grundschaltung der Low-Power-Schottky-TTL

Bei gleichen Verzögerungszeiten ermöglicht der Low-Power-Schottky-TTL
gegenüber der Standard-TTL eine Senkung der Verlustleistung auf etwa
20 % (→ Tabelle 8.4). Damit ergeben sich wesentliche Vorteile für die
Geräteentwicklung (z. B. kleinere Stromversorgungsgeräte). Die Schottky-
Technologie basiert auf der Anwendung von Planartransistoren mit Schottky-
Klemmdioden (Bipolar-Schottky-Barrierentechnik), → Bilder 8.7, 8.8. Die
Schottky-Diode enthält einen Metall-Halbleiter-Übergang, der sich durch eine
niedrige Flussspannung und eine kurze Sperrerholzeit auszeichnet. Durch die
Klemmdiode wird der Basis-Kollektor-Übergang weniger stark in Durchlass-
richtung vorgespannt. Es verringern sich der Übersteuerungsfaktor m und die
Speicherzeit ts .
C C
B = B Bild 8.7 Schottky-Transistor

E E a) Transistor mit Klemmdiode,
a) b) b) Kurzdarstellung
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+UB
R1 R2
D2
T1 .
D1
R3 R5
R4
T2
D4
D3 Bild 8.8 Eingangsschaltung
eines 74LS-NAND-Gatters
Statische Eigenschaften von TTL-Schaltkreisen
Die statischen Eigenschaften werden durch Kennwerte, Grenzwerte, Kenn-

linien und Lastfaktoren beschrieben.
UO in V
UO = U I
2,4
8
S
0,4
Bild 8.9 Übertragungskennlinie
0,8 2 U I in V eines TTL-NAND-Gatters
Übertragungskennlinie
Zusammenhang zwischen Aus- und Eingangsspannung mit Darstellung der
Toleranzbereiche für Logikpegel (→ Bild 8.9). Als Umschaltpunkt wird der
Punkt S definiert, für den UO = UI ist.
Stromgrenzwerte
Maximale Ströme, bei denen die Logikpegel noch garantiert werden
(„Worst Case“-Grenzen). Für L-Pegel und H-Pegel ergeben sich unter-
schiedliche Stromrichtungen. Wie bei Transistoren werden Ströme, die in
ein Gatter hineinfließen, als positiv, die aus einem Gatter herausfließen, als
negativ gekennzeichnet (→ Tabelle 8.5).
Lastfaktoren N (→ Tabelle 8.6)
Zahl der Gattereingänge, die maximal an den Gatterausgang eines Schalt-
kreises der gleichen Baureihe angeschlossen werden können, ohne die
Einhaltung der Logikpegel zu gefährden. Die Lastfaktoren ermöglichen
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eine schnelle Beurteilung des zulässigen Verknüpfungsgrades, ohne dass

dazu die Stromgrenzwerte bekannt sein müssen.
Beispiel: Bei Eingangslastfaktor NI = 1 und Ausgangslastfaktor NO = 20 können
an einen Gatterausgang maximal 20 Gattereingänge angeschlossen werden.
Tabelle 8.5 Stromgrenzwerte von TTL-Gattern verschiedener Baureihen
TTL-Baureihe −IOH in IOL in IIH in −IIL in
µA µA µA µA
74LS 400 8000 20 400

74L 200 3600 10 180
74S 1000 20000 50 2000
74 400 16000 40 1600
Tabelle 8.6 Vergleich zwischen TTL-Baureihen nach Lastfaktoren

1 TTL-Gatter der Anzahl der TTL-Eingänge in der Baureihe
Baureihe treibt max. 74ALS 74F 74AS 74LS 74L 74S 74
74ALS 20 20 10 20 40 10 10
74F 25 25 10 25 48 10 12
74AS 50 50 10 50 100 10 10
74LS 20 50 8 20 40 10 5
74L 10 10 1 10 20 1 2
74S 50 50 10 50 100 10 12
74 20 20 8 40 40 8 10
Parallelschaltung von Schaltkreisausgängen

Nicht zulässig bei Gattern mit Gegentakt-Endstufe (TP: Totem Pole) (→ Bild
8.5). Befände sich Ausgang Gatter 1 auf H und Ausgang Gatter 2 auf L, dann
würde Gatter 2 den Kurzschlussstrom von Gatter 1 aufnehmen. Zerstörung
der Gatter durch thermische Überlastung wäre die Folge.
Parallelschaltung ist möglich:
bei Gattern mit offenen Kollektorausgängen (OC: Open Collector), z. B.
NAND-Gatter 74LS03,
bei Gattern mit Tristate-Ausgängen (TS), z. B. Leitungstreiber 74S344.
Verdrahtete Logik (Phantom-Logik)
Durch ausgangsseitige Parallelschaltung von NAND-Gattern mit OC-Endstu-
fen (→ Bild 8.10) entsteht eine verdrahtete UND-Verknüpfung (Wired AND).
Das Ausgangspotenzial geht auf L, wenn mindestens ein Ausgang L hat.
y = y1 ∧ y2
y = x1 x2 ∧ x3 x4 (8.17)
y = x1 x2 ∨ x3 x4
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T2
T3
R3
Bild 8.10 Ausgangsschaltung
eines TTL-Gatters mit offenem Kollektor
Der Strom durch die leitenden Transistoren T3 muss durch einen externen
Kollektorwiderstand RC begrenzt werden. RC wird mit der Betriebsspannung

UB verbunden.
Gatter mit Tristate-Endstufen

Die Ausgänge dieser Bausteine können neben den Zuständen L und H noch
einen dritten, hochohmigen Zustand annehmen. Durch ein Steuersignal OE
(Output Enable) lässt sich der Ausgang wahlweise freigeben (OE = H) oder
sperren (OE = L). Mehrere Bausteine können auf einen gemeinsamen Bus
arbeiten, wenn eine Steuerlogik dafür sorgt, dass immer nur einer von n
Ausgängen aktiv ist (→ Bild 8.11). Bei einem TTL-Gatter (→ Bild 8.5)
würden im hochohmigen Zustand die Transistoren T3 und T4 gleichzeitig

gesperrt sein.
DI1
8
DO1
1 OE1
EN
DO2
OE2
Sammelleitung Bild 8.11 Ansteuerung von
DI2 (Bus) zwei Tristate-Gattern
Dynamische Eigenschaften von TTL-Schaltkreisen

Die Flanken der Schaltimpulse werden durch den Schaltkreis verformt (An-
stiegszeit tLH ; Abfallzeit tHL ) und verzögert (Verzögerungszeiten tPLH und tPHL )
(→ Bild 8.12). Die Verzögerungszeiten zählen zu den wichtigsten Kenngrößen
digitaler IC. Die maximale Taktfrequenz fC max ist umso größer, je kleiner die
Delays sind.
1
fC max ≈ (8.18)
2tp
Das Zeitverhalten ist von der Schaltkreistechnologie, der Belastung (Lastfak-

tor N; Lastkapazität CL ) und weiteren Einflüssen abhängig.
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tLH tHL
2,7
U I in V 1,5
0,7
t
2,7
1,5
U0 in V
0,7
t
Bild 8.12 Zeitverhalten von
tHL tLH TTL-Schaltkreisen
Beispiel: Bei einem 74LS-Gatter, das mit NO = 20 und einer Kapazität CL = 15 pF

belastet wird, betragen die typischen Schaltzeiten:
tPHL ≈ 7 ns; tPLH ≈ 11 ns; tHL ≈ 5 ns; tLH ≈ 10 ns
Zum Vergleich ein 74AS-Gatter unter gleichen Messbedingungen:

tPHL ≈ 1,5 ns; tPLH ≈ 1,5 ns; tHL ≈ 1,8 ns; tLH ≈ 2,3 ns
Dynamisches Verhalten von Schaltnetzen (Hasardfehler)
Hasards (engl. hazard = Wagnis) sind fehlerhafte Signalzustände, die

infolge unterschiedlicher Verzögerungszeiten entstehen.
Ursachen können z. B. sein:

Laufzeittoleranzen der Bauelemente,
Ungeeignetes Schaltungs-Design,
Falsches Timing bei getakteten Strukturen.
Strukturhasards. Sie entstehen durch Verzögerungen zwischen Signalen und

deren Negationen. Bild 8.13 zeigt an einem trivialen Fall die Entstehung eines
Strukturhasards. Ein Taktsignal (Rechteckpuls) wird mit dem TTL-Baustein
7404 negiert. Beide Signale gelangen zum NAND-Gatter 7400 (Darstellung
mit amerikanischen Symbolen). Gemäß dem logischen Verhalten der Baustei-
ne müsste der Ausgang konstant auf H-Pegel liegen. Tatsächlich zeigt sich auf
jeder ansteigenden Taktflanke eine schmale L-Impulsnadel (Hasardfehler).
Das Ergebnis einer PSpice-Digitalsimulation (Transienten-Analyse) zeigt Bild
8.14. Messwerte: Der Hasard tritt 7 ns nach der positiven Taktflanke auf.
Seine Dauer beträgt 12 ns. Ursache des Hasardfehlers: Verzögerungszeit des
Negators.
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Bild 8.13 Entstehung eines Strukturhasards (PSpice/Schematics)

Bild 8.14 Taktdiagramm mit Hasardfehler (PSpice/Probe)
Struktur-Hasards können zumeist durch Änderung der Schaltungsstruktur

vermieden werden. Minimierte Schaltnetze (→ 8.2.3) sind stärker hasardge-
fährdet als redundante Schaltnetze.
Funktionshasards. Sie entstehen durch gleichzeitige Zustandsänderungen
von zwei oder mehr Eingangssignalen. Besonders kritisch ist im Dualcode

der Übergang von der 3 (011) zur 4 (100), da sich 3 Bits gleichzeitig ändern.
Funktionshasards lassen sich zumeist durch Änderung der Eingangssignal-
funktion (Testvektor) vermeiden. Wenn möglich, sollten einschrittige Codes
8
(z. B. Gray-Code) verwendet werden. Auch zusätzliche Verzögerungsglieder,
die keine Änderung der Logik bewirken (z. B. doppelte Negation) sind zur
Unterdrückung von Hasardfehlern geeignet.
Timing-Hasards. Sie entstehen durch Verletzung (violation) der in den Da-
tenblättern der Bauelemente vorgeschriebenen Zeitbedingungen (timing). In-
folge können entweder kurzzeitige Fehlzustände in Form von Nadelimpulsen
(glitches) oder auch dauerhafte Logikfehler (persitent hazards) auftreten.
I Hinweis: Ein Beispiel für Zeitbedingungen ist in Abschnitt 8.5.2.3 und Bild 8.40
dargestellt.
8.3.2.2 CMOS-Schaltkreise
Die CMOS (Komplementäre MOS-Logik) ist die bekannteste unipolare
Schaltkreisfamilie. Das Typensortiment besteht aus vielen Varianten in meh-
reren Baureihen. Wegen ihrer vorteilhaften Eigenschaften hat der Marktanteil
gegenüber anderen Logikfamilien eine steigende Tendenz.
Eigenschaften:
extrem niedrige statische Verlustleistung,
Frequenzabhängigkeit der dynamischen Verlustleistung,
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hohe statische Störsicherheit (35 . . . 45 % von UB ),

großer Ausgangs-Signalhub (96 . . . 98 % von UB ),
großer Betriebsspannungsbereich (3 . . . 15 V),
TTL-Kompatibilität bei einigen Baureihen (HCT, ACT),
sehr hoher statischer Eingangswiderstand,
Schutzmaßnahmen gegen statische Aufladung erforderlich (Gateschutz).
Anwendung:
Universelles Logikdesign mit hoher Störsicherheit,

Logikschaltungen für batteriebetriebene Geräte, u. a. in der Kfz-Elektronik
VLSI-Schaltkreise, z. B. für Uhren, Speicher und Mikrorechner,
Sensoren und Fotodetektoren, z. B. für Digitalkameras und Spektroskope.
CMOS-Grundstruktur
Die einfachste CMOS-Struktur besteht aus zwei komplementären MOSFETs
vom selbstsperrenden Anreicherungstyp (Enhancement). Bild 8.15 zeigt den
CMOS-Inverter der Baureihe 4000B (ohne Schutzbeschaltung und Ausgangs-
puffer).
Wirkungsweise: Bei H-Pegel am Eingang ist T2 leitend und T1 gesperrt;

UIH = UB − UT . Am Ausgang liegt UOL ≈ 0 V. Bei L-Potenzial am Eingang
(0 < UIL < UT ) ist T2 gesperrt und T1 leitet. Am Ausgang liegt UOH ≈ UB . Der
Vergleich mit einer komplementären Gegentakt-B-Endstufe liegt nahe. Nimmt
man den verbotenen Pegelbereich aus, so ist stets einer der beiden Transistoren
gesperrt. Der statische Speisestrom ist folglich gleich null. Der Durchlasswider-
stand eines MOSFET ist sehr klein (Ohm-Bereich), der Sperrwiderstand dagegen
sehr groß (Megaohm-Bereich).
Der Ausgangs-Signalhub ist nahezu gleich der Betriebsspannung:
∆UO ≈ UB (8.19)
Kennwerte von CMOS-Baureihen

Aus der ursprünglich ungepufferten CMOS-Reihe CD 4000A entstand die
gepufferte LOCMOS-Reihe HEF 4000B. Die Bezeichnung „LOCMOS (local
oxidation of silicon)“ deutete auf einen speziellen Herstellungsprozess hin, der
kleinere Chipflächen und höhere Taktfrequenzen ermöglicht. Gepuffert heißt:
Am Gatter-Ausgang werden noch ein oder zwei Negatoren als Ausgangspuffer
vorgesehen. Dadurch verbessern sich die statischen und dynamischen Eigen-
schaften. Mit der Entwicklung der HIGH-SPEED-CMOS (74HC) wurden die
Ausgangsströme und Verzögerungszeiten der LS-TTL erreicht. Volle TTL-
Kompatibilität (Logikpegel, Ströme, PIN-Belegung) wird dagegen erst mit der
Baureihe 74HCT gewährleistet. Die weitere Entwicklung führte schließlich
zu den ADVANCED-CMOS-Baureihen 74AC und 74ACT, die hinsichtlich
Verzögerungzeit die Werte der 74S erreichen (≈ 3 ns). Tabelle 8.7 zeigt die
wesentlichsten Kennwerte der CMOS-Familie.
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+UB
+UB
}
x2
p-Kanal
T1 x1
y
UI
T2
UO
} n-Kanal
Bild 8.15 CMOS-Inverter Bild 8.16 CMOS-NOR-Gatter mit

(vereinfacht) zwei Eingängen (vereinfacht)
Tabelle 8.7 Kennwerte von CMOS-Baureihen (UB = 5 V; δ = 25 ◦ C)
Kennwert 4000B 74HC 74HCT 74AC 74ACT
UIL max in V 1,5 1,0 0,8 1,35 0,8
UIH min in V 3,5 3,5 2,0 3,5 2,0
UOL max in V 0,05 0,1 0,1 0,1 0,1
UOH min in V 4,95 4,9 4,9 4,9 4,9
UB in V 5 . . . 15 2...6 4,5 . . . 5,5 2. . . 6 4,5. . . 5,5

IOL in mA 0,44 5 5 24 24
IOH in mA 0,44 5 5 24 24
tP in ns (15 pF) 16 . . . 35 8 8 k. A. k. A.
tP in ns (50 pF) 35 . . . 60 10 10 3. . . 5 3. . . 5 8
fC max in MHz 12 50 50 125 125
CMOS-Logikstrukturen
Logische Verknüpfungen erfordern je Gatter bei i Eingängen 2i Transistor-
strukturen, da die Umschaltung des Inverters (→ Bild 8.15) von allen Ein-
gängen aus erfolgen muss. Bild 8.16 zeigt ein NOR-Gatter mit zwei Eingän-
gen. Die Schaltungen von n- und p-Kanaltransistoren sind zueinander invers.
Beim entsprechenden NAND-Gatter liegen (unten) die n-Kanal-Transistoren
in Reihe und (oben) die p-Kanal-Transistoren parallel.
Verlustleistung PV
PV setzt sich aus einer statischen und einer dynamischen Komponente zu-
sammen. Durch die periodische Ansteuerung mit Rechtecksignalen (Taktung)
werden die parasitären Kapazitäten fortwährend umgeladen. Es entsteht eine
Blindleistung, die auch als dynamische Verlustleistung oder Schaltleistung PVd
bezeichnet wird. Die Gleichstromleistung wird im Wesentlichen durch Leck-
und Kurzschlussströme (IB ) verursacht. Bei CMOS-Schaltungen überwiegt im
Regelfall der dynamische Anteil (PVd PVs ).
PV = PVs + PVd = UB · IB + UB2 · CL · fC (8.20)
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PVd ∼ UB2 : Mit einer höheren Betriebsspannung steigt die Verlustleistung stark an
(z. B. um den Faktor 9 bei 15 V statt 5 V)
PVd ∼ CL : Mit der Anzahl der Lastgatter wächst CL und damit PVd (dynamische
Begrenzung der Ausfächerung)
PVd ∼ fC : frequenzabhängige Verlustleistung (bei fC > 1 MHz haben einige CMOS-
Gatter eine höhere Verlustleistung als vergleichbare TTL-Gatter)
Im Bild 8.17 wurde ein LS-TTL-Gatter mit einem funktionell identischem
HIGH-SPEED-CMOS-Gatter verglichen. Bei niedrigen Taktfrequenzen
( f < 1 MHz) hat das CMOS-Gatter die geringere Verlustleistung.
3
10
P in mW
74LS00
1
UB = 5 V
CL = 50 pF
10
−3
Bild 8.17 Dynamische
−1
10 1 10
2
10
5
Verlustleistung als Funktion
f in kHz der Taktfrequenz
Weitere CMOS-Strukturen
Das Transmissions-Gate (Transfer-Gate) ist eine Schalterstruktur zur Ver-
kopplung von Funktionsblöcken im CMOS-VLSI-Layout.
Der CMOS-Analogschalter ist ein Bauelement zur Übertragung kontinuier-
licher Signale.
BICMOS-Logik kombiniert CMOS mit Bipolartechnik. Eingangsstufen
und logische Verknüpfungen werden in CMOS, die Ausgangsstufen mit
Bipolar-Transistoren realisiert. Vorteil: höhere Ausgangsströme, geringere
Lastabhängikeit.
Dynamische CMOS-Strukturen werden für hohe Taktfrequenzen verwen-
det. Sie benötigen eine periodische Datenauffrischung (refreshing). An-
wendung z. B. als DRAM (→ 8.7.2.2).
Die passive dynamische CMOS-Logik kommt ohne Betriebsspannung aus.
Die Stromversorgung wird dabei durch die Logiksignale mit übernommen.
Formal ist dazu der Source-Anschluss im Bild 8.16 nicht mit +UB , sondern
mit dem Ausgang y zu verbinden.
Bei der getakteten C2 MOS-Logik erfolgt jeweils zwischen zwei Taktim-
pulsen eine Ladungsspeicherung im Ausgangsknoten y. Formal ist dazu
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8.4 Ausgewählte Bausteine für Schaltnetze 451
im Bild 8.15 der Eingang UI mit dem Takt (CLK) zu verbinden. Zwischen
die Transistorschalter T1 und T2 ist das eigentliche CMOS-Logikschaltnetz
einzufügen.
Bei der NORA-CMOS (NORA: No Race) werden Ladungsverluste infolge
endlicher Schaltzeiten durch eine intelligente Taktlogik vermieden.
Pegelanpassung zwischen TTL und CMOS
Der systemreine Entwurf einer Digitalschaltung beinhaltet nur eine einzige
Schaltkreisfamilie bzw. Baureihe. Dies ist zumeist die einfachste Lösung. Bei
systemfremder Zusammenschaltung ist in einigen Fällen eine zusätzliche Pe-
gelanpassung erforderlich. Eine Zusammenschaltung ist problemlos möglich,
wenn:
die Betriebsspannungen identisch sind,
die Pegelbereiche kompatibel sind (UOH min = UIH min ; UOL max 5 UIL max ),
die Last- und Steuerströme von beiden ICs aufgebracht werden können.
Beispiel: TTL (74LS) ⇒ CMOS (4000B/74HC); gleiche Betriebsspannung UB =

5 V. Die H-Pegel sind unverträglich, da UOH min < UIH min ist (→ Bild 8.18). Mit
einem Pull-up-Widerstand (Ra = 2 . . . 10 kΩ) kann der H-Pegel in Richtung +5 V
gezogen werden, sodass UOH nicht in den verbotenen Bereich des CMOS-Gatters
gelangt.
5V
Pegelverschiebung
5V 8
+5 V
TTL CMOS 3,5 V
Ra
& 1 2,4 V
1,5 V
0,4 V 0V
a) b) TTL CMOS
Bild 8.18 Kopplung TTL ⇒ CMOS: a) Schaltung, b) Pegeldiagramm
8.4 Ausgewählte Bausteine für Schaltnetze
Schaltnetze verkörpern speicherfreie, kombinatorische Logik. Ein Schalt-

netz besteht aus elementaren Logikbausteinen (z. B. Logikgatter) und kom-
plexen Bausteinen (z. B. Multiplexer, Codewandler, Addierer).
Die komplexen Bausteine heben sich durch ihre Funktionsspezifik und den
höheren Integrationsgrad von den Elementarbausteinen ab. Das Merkmal
„Speicherfreiheit“ bedeutet: Die Ausgangssignale eines Schaltnetzes sind den
Eingangssignalen eindeutig zugeordnet. Die Ausgangszustände sind von der
Schaltfolge der Eingangszustände unabhängig.
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8.4.1 Komparatoren
Komparatoren sind Schaltnetze zum Vergleichen von Binär-Signalen.
Vergleichskriterien sind Gleichheit (x1 = x2 ) und Ungleichheit (x1 > x2 ;

x1 < x2 ). Die Grundschaltung des 1-bit-Komparators nach Bild 8.19 ergibt
sich aus Tabelle 8.8. Die Gleichheit wird durch die Äquivalenz beschrieben.
Für die Ungleichheit werden UND-Verknüpfungen und Negationen benötigt.
Tabelle 8.8 Logik des x1

1-Bit-Komparators =
y=
x1 x2 y> y= y<
0 0 0 1 0
0 1 0 0 1 &
1 y>
1 0 1 0 0 x2
1 1 0 1 0
&
1 y<
Bild 8.19 1-Bit-Komparator mit Größenvergleich
U1 U2
AL AH
BL BH
A<B
+5 V
A=B
A>B
Bild 8.20 8-Bit-Komparator aus zwei 4-Bit-Bausteinen mit Serienübertrag
Bild 8.20 zeigt die Verwendung von 4-Bit-Komparatorbausteinen. Zur Er-

höhung der Wortlänge auf 8 bit werden zwei Bausteine (U1; U2) zusam-
mengeschaltet. Die zu vergleichenden Binärzahlen A; B werden jeweils in
höherwertige (AH ; BH ) und niederwertige Tetraden (AL ; BL ) zerlegt und auf
beide Bausteine verteilt.
I Hinweis: Schaltungen mit Parallelübertrag sind schneller, erfordern aber mehr
Komparator-Bausteine.
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8.4.2 Multiplexer und Demultiplexer
Multiplexer (MUX) sind adressengesteuerte elektronische Umschalter mit

mehreren Dateneingängen und einem Datenausgang.
Demultiplexer (DX) sind adressengesteuerte elektronische Umschalter

mit einem Dateneingang und mehreren Datenausgängen.
Bei einem Zeitmultiplexsystem werden die parallel anliegenden Daten ver-

schiedener Sender (Datenquellen) bitseriell (zeitlich nacheinander) über eine
Leitung übertragen und am Empfangsort wieder auf die zugehörigen Emp-
fänger (Datensenken) parallel verteilt. Die taktgesteuerte Umschaltung muss
dabei synchronisiert ablaufen (→ Bild 8.21).
MUX DX
S1 E1
S2 Serieller E2
Datenbus
S3 E3
Bild 8.21 Prinzip der

seriellen Datenübertragung
Sm Takt
Synchronismus
Em im Zeitmultiplex
8
Die elementare Logikstruktur eines 4-auf-1-Multiplexers ist im Bild 8.22
dargestellt. Die zugehörige Logikfunktion lautet:
y = A1 A0 D0 ∨ A1 A0 D1 ∨ A1 A0 D2 ∨ A1 A0 D3 (8.21)
Integrierte Multiplexer-Bausteine verfügen neben Datenein- und -ausgängen
noch über Adresseingänge (SELECT) und Freigabeeingänge (ENABLE).
Multiplexer als universelle Logikelemente.
Die Multiplexer-Logik ist eine Alternative zur herkömmlichen Gatterlo-

gik.
Derartige Lösungen sind sehr flexibel, da sich die Logikfunktionen durch die
Beschaltung des MUX ändern lassen. Bild 8.23 zeigt die Schaltung für eine
Funktion mit drei Variablen. Die Variablen liegen an den Adresseingängen des
MUX. Die Dateneingänge sind mit den Konstanten „1“ oder „0“ belegt. Der
Baustein 74LS253 enthält zwei 4-auf-1-MUX. Die Erweiterung zu „8-auf-1“
wird mit der Ansteuerlogik für die Low-aktiven ENABLE-Eingänge und die
ausgangsseitige Parallelschaltung gelöst.
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A0 A1
1 A0 1 A1
&
&
≥1 y
&
&
D0
D1
D2 Bild 8.22 4-auf-1-Multiplexer

D3 aus Grundgattern
Beispiel: Aus Bild 8.23 ergibt sich Tabelle 8.9. Die Logikfunktion aus vier
Elementarkonjunktionen wird nach Karnaugh (→ 8.2.3) minimiert.
Das Ergebnis lautet: y = x2 x0 ∨ x2 x1
I Hinweis: Wenn die Dateneingänge nicht nur mit Konstanten, sondern auch mit
Variablen belegt werden, dann erniedrigt sich der Multiplexer-Grad um eins
(die Funktion mit drei Variablen könnte dann mit einem 4-auf-1-MUX realisiert
werden).
Tabelle 8.9 Logiktabelle +5 V

zu Bild 8.23
A0
x2 x1 x0 1Y 2Y y
x0
x1
A1
0
1 } G0/3
0 0 0 0 ∞ 0
0 0 0 1 ∞ 1 1G
EN MUX
0 1 0 0 ∞ 0 1D0
0 1Y
x2 1D1 1
0 1 1 1 ∞ 1 1D2 2
1 0 0 ∞ 0 0 1D3 3
1 2G y
1 0 1 ∞ 0 0 2D0 EN
0 2Y
1 1 0 ∞ 1 1 2D1
1
2D2 2
1 1 1 ∞ 1 1 2D3 3
Bild 8.23 Logikschaltung mit Multiplexer 8-auf-1
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Demultiplexer-Bausteine (DX) sind ähnlich wie MUX organisiert. Das Sig-

nal am Dateneingang D wird in Abgängigkeit von einer Dualadresse auf ver-
schiedene Ausgänge verteilt. Die Logikgleichungen eines 1-auf-4-DX lauten:
y0 = A1 A0 D, y1 = A1 A0 D
(8.22)
y2 = A1 A0 D, y3 = A1 A0 D
Bei konstanter logischer Eingangsbelegung sind DX zugleich DECODER, die

den Dualcode an den Adresseingängen in den 1-aus-m-Code wandeln.
8.4.3 Codeumsetzer
Unter dem Begriff Codeumsetzer werden Schaltungen zur Codierung,

Decodierung und Umcodierung zusammengefasst.
I Hinweis: Weitere Begriffe und Übersichten zu Code-Arten sind im Abschnitt 8.9.1

nachzulesen.
Codierer (Encoder) sind Schaltungen zur Binärverschlüsselung von Dezi-
malzahlen. Sie werden benötigt, wenn die Ziffernsignale 0 . . . 9 in eine digitale

Schaltung einzugeben sind (Tasteneingabe).
Decodierer (Decoder) sind Schaltungen zur Umsetzung eines beliebigen 8
Codes in den Dezimal-Code (1-aus-10-Code). Sie werden benötigt, wenn
die Ausgangssignale einer digitalen Schaltung in die Ziffernsignale 0 . . . 9
zurückgewandelt werden sollen.
I Hinweis: Im weiteren Sinne werden auch Umcodierer als Decoder bezeichnet,
wenn sie einen anzeigegerechten Code (z. B. Siebensegment-Code) bilden.
x0 =1
y0
x1 =1
x2 =1 y1
x3 y2
Bild 8.24 Umcodierer
y3 Gray-Code auf Dualcode
Umcodierer (Codekonverter) sind Schaltungen, die zwei Codes ineinander

umwandeln, wobei die 1-aus-10-Codes ausgenommen sind. Die logische
Struktur eines Umcodierers ergibt sich aus der Gegenüberstellung zweier Co-
detabellen. Für jede Ausgangsvariable ist eine Logikgleichung aufzustellen.
Dabei sind die Regeln der Schaltalgebra zu beachten (z. B. Minimierung nach
Karnaugh). Bild 8.24 zeigt einen Umcodierer für 4 bit, der den Gray-Code (→
8.9.1) in den Dualcode wandelt.
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Prioritäts-Encoder wandeln den 1-aus-10-Code in den BCD-Code (→ Ta-

belle 8.10).
Tabelle 8.10 Logiktabelle eines Prioritäts-Encoders (X: beliebig)
1-aus-10-Code BCD-Code
d9 d8 d7 d6 d5 d4 d3 d2 d1 d0 b3 b2 b1 b0
0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 0 0 0
0 0 0 0 0 0 0 0 1 X 0 0 0 1
0 0 0 0 0 0 0 1 X X 0 0 1 0
0 0 0 0 0 0 1 X X X 0 0 1 1
0 0 0 0 0 1 X X X X 0 1 0 0
0 0 0 0 1 X X X X X 0 1 0 1
0 0 0 1 X X X X X X 0 1 1 0
0 0 1 X X X X X X X 0 1 1 1
0 1 X X X X X X X X 1 0 0 0
1 X X X X X X X X X 1 0 0 1
Aus Tabelle 8.10 folgen die Logikgleichungen:

b3 = d9 ∨ d8
b2 = d7 ∨ d6 ∨ d5 ∨ d4
(8.23)
b1 = d7 ∨ d6 ∨ d3 ∨ d2
b0 = d9 ∨ d7 ∨ d5 ∨ d3 ∨ d1
Damit ergibt sich die Logikstruktur (→ Bild 8.25).

d
9 8 7 6 5 4 3 2 1 0
≥1 b 3
≥1 b 2
≥1 b 1
≥1 b 0 Bild 8.25 Logikstruktur

eines Prioritäts-Encoders
BCD-zu-Siebensegment-Umcodierer werden auch als Siebensegment-De-

coder bezeichnet. Sie dienen zur Ansteuerung von Siebensegment-Anzeige-
bauelementen. Der 4-Bit-BCD-Code wird zur Darstellung der Ziffern 0 . . . 9
in den Siebensegment-Code gewandelt.
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Varianten sind:
Decoder mit L-aktiven Open-Collektor-Ausgängen (OC) für Displays mit
gemeinsamer Anode (→ Bild 8.26),
Decoder mit H-aktiven Ausgängen für Displays mit gemeinsamer Katode,
Decoder mit Konstantstromausgängen (keine Vorwiderstände erforderlich),
Decoder mit Anzeige der Hexadezimalziffern in der Form (A,b,C,d,E,F).
+UB
BCD/7SEG R
A 1 a
B 2 b
C 4 c
D 8 d
e
LT f
BI/RBO g Bild 8.26 Decoder mit
RBI
7-Segment-Anzeige
Die Anschlüsse (RBI/ (Ripple Blank Input) und RBO/ (Ripple Blank Output))
werden zum automatischen Ausblenden führender Nullen verwendet. Bei

RBI/ = L erlischt die Anzeige bei der Zahleneingabe Null und RBO/ geht
von H auf L. Nullen werden bei dieser Methode nur dann angezeigt, wenn 8
eine höhere Stelle ungleich null ist. Bild 8.27 zeigt das Schaltungsprinzip.
A A A
B B B
C x/y C x/y C x/y
RBI D RBI D RBI D
RBO RBO
Bild 8.27 Mehrstellige
BI Nulldunkeltastung
8.4.4 Addierer und Subtrahierer
Addierer (adder) sind digitale Rechenglieder zur Addition (und Subtrak-

tion) von Dualzahlen. Die Subtraktion wird zumeist auf die Addition
zurückgeführt.
Halbaddierer (half adder)

Addition von zwei 1-Bit-Zahlen ohne Eingangsübertrag (Ci = 0 in Tabelle
8.11). Die logische Struktur des Halbaddierers besteht demnach aus einer
Antivalenzverknüpfung für die Summe Si sowie einer UND-Verknüpfung zur
Bildung des Übertrages Ci+1 (→ Bild 8.28 und Gl. (8.24)).
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xi =1
Si
yi
xi ≤ Si
=
$
yi CO Ci+1
&
Ci+1 Bild 8.28 Halbaddierer aus
Grundgattern
Si = xi = yi
(8.24)
Ci+1 = xi yi
Volladdierer (full adder)

Bei der Addition von mehrstelligen Dualzahlen müssen die Überträge Ci
aus den nächstniedrigen Stellen mit addiert werden. Für jedes Bit (i) ist ein
Addierer mit drei Eingängen erforderlich. Tabelle 8.11 zeigt das logische
Verhalten des Volladdierers.
Tabelle 8.11 Addition von 1-Bit-Zahlen
xi yi Ci Ci+1 Si
0 0 1 0 1
0 1 1 1 0
1 0 1 1 0
1 1 1 1 1
0 0 0 0 0
0 1 0 0 1
1 0 0 0 1
1 1 0 1 0
Aus Tabelle 8.11 folgen die Logikgleichungen des Volladdieres (→ Gl.

(8.25)).
Si = (xi ↔ yi )Ci ∨ (xi = yi )Ci
(8.25)
Ci+1 = (xi ∨ yi )Ci ∨ xi yi
Die logische Stuktur des Volladdierers lässt sich auf zwei Halbaddierer zu-
rückführen (→ Bild 8.29).
Gi Pi
xi Σ Σ Si
xi Σ Si
yi CO CO
$ yi
=
CI CO Ci+1
Ci ≥1 Ci
Ci+1
Bild 8.29 Volladdierer aus zwei Halbaddierern
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Mehrstellige Addierer
Mehrstellige Parallel-Addierer bestehen aus mehreren Volladdierern. Sie
unterscheiden sich nach der Übertragsverarbeitung:
Addierer mit seriellem Übertrag (Ripple Carry),
Addierer mit „vorausschauendem“ parallelem Übertrag (Look Ahead Car-
ry).
Mehrstellige Serien-Addierer arbeiten mit einem Volladdierer und mehreren
Schieberegistern. Ein 4-Bit-Parallel-Addierer mit seriellem Übertrag besteht

aus vier Volladdierern (→ Bild 8.30).
x0 x1 x2 x3
y0 y1 y2 y3
Σ Σ Σ Σ
CI CO CI CO CI CO CI CO C4 Bild 8.30
C1 C2 C3
4-Bit-Addierer mit
C0 = 0
S0 S1 S2 S3 seriellem Übertrag
Die Eingangs-Daten dürfen sich solange nicht ändern, bis der Übertrag in
der höchsten Bitstelle verarbeitet ist. Die erforderliche Rechenzeit hängt bei
der seriellen Übertragsverarbeitung von der Laufzeit der Übertragsbits ab.
Kürzere Rechenzeiten ergeben sich bei der parallelen Übertragsverarbeitung. 8
Dazu werden die internen Signale „Generate Gi “ und „Propagate Pi “ der
Halbaddierer (→ Bild 8.29) zur Übertragsbildung verwendet. Der Übertrag
errechnet sich aus Gl. (8.26).
Gi = xi yi
Pi = xi = yi (8.26)
Ci+1 = Gi ∨ PiCi
Parallele Übertragsgeneratoren für 4 bit (Look-Ahead-Carry-Generatoren)

sind für das Zusammenwirken mit 4-Bit-Recheneinheiten (ALU) konzipiert.
Die 4-Bit-Recheneinheit (ALU: Arithmetic Logic Unit) ist eine Schaltung zur
Ausführung verschiedener logischer und arithmetischer Operationen. Sie ist
als Standardschaltkreis verfügbar.
I Hinweis: Die ALU ist auch eine Substruktur aus dem Rechenwerk des Mikropro-
zessors.
Grundfunktionen der ALU

In Abhängigkeit von einem 4-bit-Steuerwort (S3 S2 S1 S0 ) und der Betriebsar-
tenwahl (Mode M) können wahlweise 16 Arithmetik-Operationen (M = 0)
oder 16 Logik-Operationen (M = 1) eingestellt werden (→ Bild 8.31).
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Ci M
S3
Übertrags- & xi = y1
S2 Funktions- Logik-
S1 wahl bildung
netz-
S0 x
i werk 4 bit
4 bit Rechen-
4 bit werk Zi
yi Ci+4
Pi
Gi
Bild 8.31 ALU mit paralleler Übertragungslogik (Prinzipschaltbild)
Arithmetikfunktionen :
Addition, Subtraktion, Bit-Transferierung, Inkrementierung (Erhöhung um 1),
Dekrementierung (Erniedrigung um 1).
Logikfunktionen:
UND, ODER, NEGATION, NAND, NOR, ANTIVALENZ, ÄQUIVALENZ.
I Merke: Die Subtraktion wird im Rechenwerk der ALU auf eine Addition mit
Komplementbildung (Zweierkomplement) zurückgeführt.
Darstellungsformen für relative Dualzahlen:

Zweierkomplement-Darstellung mit Vorzeichenbit,
Offset-Binär-Darstellung (→ 8.9.2).
Zweierkomplementbildung
z(2) = ¬ |z| + 1 (8.27)
Das Zweierkomplement einer Dualzahl z entsteht durch Addition von eins

zum Einerkomplement. Das Einerkomplement ergibt sich durch Negation
aller Stellen des Betrages der Dualzahl.
Vorzeichenbit (msb: höchstwertigstes Bit)

msb = 0 kennzeichnet positive Dualzahlen (z > 0)
msb = 1 kennzeichnet negative Dualzahlen (z < 0)
Beispiel: Die Dezimalzahl −52 D ist durch eine 8-Bit-Dualzahl (Zweierkomple-
ment mit Vorzeichenbit) auszudrücken.
Ergebnis: |z| = 0.0110100 ⇔ +52
¬ |z| = 1.1001011
+ 1
z(2) = 1.1001100 ⇔ −52
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8.5 Elementare Kippschaltungen 461
Die Subtraktion xi − yi ergibt eine Differenz Di in der Bitstelle i und einen

Untertrag (Entleihung, borrow) Ei+1 von der nächsthöheren Bitstelle nach
Tabelle 8.12.
Tabelle 8.12 Subtraktion von 1-Bit-Zahlen
xi yi Di Ei+1
0 0 0 0
0 1 1 1
1 0 1 0
1 1 0 0
Zur Subtraktion kann ein Addierer verwendet werden (→ Bild 8.32). Dazu ist
die Zweierkomplement-Darstellung zu verwenden.
Di = xi − yi = xi + yi + 1 (8.28)
Der Ausgangs-Übertrag Ci+1 wird dabei negiert.
Ei+1 = Ci+1 (8.29)
1 (H)
xi Di = Si
1 yi Σ
yi Ci+1 1
Ei+1
8
CI CO
Bild 8.32 Subtraktion von 1-Bit-Zahlen mit Volladdierer
8.5 Elementare Kippschaltungen
Kippschaltungen sind digitale Schaltungen mit sprunghaftem Übertra-

gungsverhalten. In Schaltnetzen entsteht das Kippverhalten durch Rück-
kopplung (→ 7.3.2.1).
Stabile Kippschaltungen. Durch Rückkopplung ist eine Selbsthaltung

wirksam. Definierte Eingangssignale bewirken eine kurzzeitige Instabilität
(K V = 1), die zum Kippen aus dem einen in den anderen Zustand führt (H/L
oder L/H).
Bistabile Kippschaltungen (Flipflop). Flipflops besitzen zwei stabile, stati-
sche Arbeitspunkte. Die internen Rückkopplungwege verlaufen über ohmsche
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Widerstände. Ihre Eigenschaft, binäre Signale temporär zu speichern, wird

vielseitig genutzt (→ 8.6).
Schmitt-Trigger sind bistabile Kippschaltungen mit Hysterese, die bei ste-
tiger Änderung der Eingangsspannung unstetige (sprungartige) Ausgangssi-
gnale liefern.
Anwendung: Rechteckimpulserzeugung, Signalregenerierung, Grenzwertsignali-
sierung.
Monostabile Kippschaltungen (Monoflop) besitzen einen stabilen, stati-

schen Arbeitspunkt. Der zweite Arbeitspunkt ist nur während einer bestimm-
ten Haltezeit dynamisch stabil (metastabil). In der Rückkopplung ist ein
Signalweg kapazitiv aufgetrennt.
Anwendung: Impulserzeugung, Impulsdehnung, Zeitschalter.
Astabile Kippschaltungen (Multivibratoren) besitzen überhaupt keinen sta-
bilen Arbeitspunkt. Die beiden internen Zustände wechseln sich autonom ab.
In der Rückkopplung sind alle Signalwege kapazitiv aufgetrennt.
Anwendung: Takterzeugung
8.5.2 Bistabile Kippschaltungen (Flipflop)
Flipflops sind die Grundbausteine von Schaltwerken. Schaltwerke sind

sequenzielle Schaltungen (Folgeschaltungen).
Bistabile Kippglieder
(Flipflop)
ungetaktet taktgesteuert
z.B. NOR-Basis-FF
zustandsgesteuert flankengesteuert
mit einem mit zwei einflanken- zweiflanken-

Speicher Speichern gesteuert gesteuert
z.B. D-Latch z.B. JK-MS-FF z.B. D-FF z.B. JK-FF
7475 7472 7474 74111
Bild 8.33 Gliederung der Flipflops nach der Art der Taktung
Bei sequenziellen Schaltungen sind die Ausgangsvariablen nicht nur von

den Kombinationen der Eingangsvariablen abhängig, sondern auch von zwi-
schengespeicherten inneren Zuständen. Die Einteilung der hysteresefreien
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bistabilen Kippschaltungen (Flipflop) erfolgt nach der Taktwirkungsweise (→

Bild 8.33) und dem logischen Verhalten (z. B. RS, D, JK).
8.5.2.1 Ungetaktete Flipflops

Anwendung: Grundbausteine für elementare Zustandsautomaten, Strukturelemen-
te von statischen Schreib-Lese-Speichern (SRAM → 8.7).
Die Grundschaltung eines Basis-Flipflops entsteht aus zwei kreuzgekoppel-
ten Negatoren (z. B. Transistoren in Emitterschaltung, NOR-Gatter, NAND-

Gatter). Bild 8.34 zeigt das NOR-Basis-FF.
S ≥1
Q
S Q
=
$
R Q
≥1
Q
R Bild 8.34 NOR-Basis-Flipflop
Beschreibungsformen für Flipflops sind:

Funktionstabelle (Zustandstabelle, Schaltfolgetabelle),
Übergangstabelle (Automatentabelle, Synthesetabelle),
Logikgleichung (charakteristische Gleichung). 8
Beim Aufstellen der Funktionstabelle (→ Tabelle 8.13) ist von einem stabilen
Zustand auszugehen (z. B. Q = 0) und für eine vorgegebenen Eingangsbele-
gung (z. B. S = 1; R = 0) der Folgezustand zu bestimmen (z. B. Q+ = 1).
Tabelle 8.13 Funktionstabelle Tabelle 8.14 Übergangstabelle
des RS-Flipflops des RS-Flipflops
z Q S R Q+ Q → Q+ Kommentar S R
0 0 0 0 0 0 0 0 speichern 0 X
1 0 0 1 0 0 1 auf 1 setzen 1 0
2 0 1 0 1 1 1 1 speichern X 0
3 0 1 1 – 1 0 auf 0 rücksetzen 0 1
4 1 0 0 1 X beliebige Belegung (0 ∨ 1)
5 1 0 1 0
6 1 1 0 1
7 1 1 1 –
I Beachte: An S und R dürfen nicht gleichzeitig H-Pegel (1) anliegen. Folgt auf
diesen irregulären Zustand (–) ein Speicherzustand, dann nehmen die Ausgänge
zufällige Belegungen an, die von den Gatterlaufzeiten abhängen. Außerdem sind
die Belegungen der beiden Ausgänge (Q; Q) nicht mehr komplementär.
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Die Übergangstabelle (→ Tabelle 8.14) entsteht aus Tabelle 8.13 durch

Zusammenfassen von Zeilen mit gleichen Übergängen (Q → Q+ ). Sie eignet
sich besonders für den Schaltungsentwurf.
Die charakteristische Gleichung (8.30) des RS-Flipflops folgt aus Tabelle
8.13 und Minimierung nach Karnaugh (→ 8.2.3).
Q+ = S ∨ RQ; S ∧ R 6= 1 (8.30)
Weitere Basis-Flipflops
RS-Basis-Flipflop aus NAND-Gattern
Im Bild 8.34 sind zu ersetzen: NOR → NAND; S → S; R → R; Q → Q;
Q → Q (→ Bild 8.37). .
SL-Flipflop (RS-FF mit Setzvorrang)
Die irregulären Zustände (–) werden zu „1“ (→ Bild 8.35 a)
Q+ = S ∨ LQ (8.31)
EL-Flipflop (RS-FF mit Löschvorrang)
Die irregulären Zustände (–) werden zu „0“ (→ Bild 8.35 b)
Q+ = L(E ∨ Q) (8.32)
I Beachte: L hat hier nicht die Bedeutung LOW, sondern kennzeichnet die Lösch-
variable.
S S Q E &
S Q
& R Q
a) L b) L R Q
Bild 8.35 RS-Flipflop mit Vorrangeigenschaft
a) dominierendes Setzen (SL), b) dominierendes Löschen (EL)
+UB (H)
R
S
& t
Q S
b
a t
& Q
tu tu t
R
a) +UB ( H ) b)
Bild 8.36 Kontaktentprellung mit Flipflop: a) Schaltung, b) Impulsdiagramm
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Entprellung von Kontakten

Zur mechanischen Dateneingabe in Digitalschaltungen ist eine Kontaktent-
prellung erforderlich. Die unkontrolliert entstehenden Prellimpulse (Impuls-
vervielfachung durch Schwingungen der Kontaktfeder) würden sonst Daten-
fehleingaben verursachen. Im Bild 8.36 wird ein R S-Flipflop (FF) über einen
Umschaltkontakt angesteuert. In Kontaktstellung a ist das FF rückgesetzt
(Q = 0). Während der Umschaltzeit tu bleibt Q = 0 gespeichert, sodass die
Öffnungsprellung unterdrückt wird. Gelangt die Kontaktfeder in Position b,
dann wird das FF auf Q = 1 gesetzt. Die Schließungsprellung wird unter-

drückt, da die Setzinformation gespeichert bleibt, bis beim Zurückschalten
wiederum Position a erreicht ist.
8.5.2.2 Zustandsgesteuerte Flipflops
Einspeicher-Flipflops (Latches)
Bei Zustandssteuerung wird das Flipflop über einen Steuereingang C freige-
geben oder gesperrt. Die Freigabe erfolgt bei C = H. Bei C = L ist das FF
gesperrt. Ein derartiges FF wird auch als Auffang-FF oder Latch bezeichnet.
Nach dem logischen Verhalten unterscheidet man RS-Latch und D-Latch.
D -Latch 8
D & S
&
Q
D 1D Q
C =
$
C C1 Q
&
& Q
R
Bild 8.37 D-Latch
Die beiden Eingänge eines R S-Flipflops sind zueinander negiert (→ Bild

8.37). Dadurch entfallen die irregulären Zustände (→ Tabelle 8.13). Die
vorgeschalteten NAND-Glieder wirken als Torschaltung (bei C = H ist das
Tor für das D-Signal offen). Die charakteristische Gleichung lautet:
( )
D bei C = H
Q =
+
(8.33)
Q bei C = L
Bei C = H übernimmt das FF den am D-Eingang liegenden Zustand und

schaltet auf Q+ = H oder Q+ = L. Bei C = L speichert es den vorherigen
Zustand Q.
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I Betriebs-Hinweise für Latches:

Die Signale an den Bedingungseingängen (D; S; R) dürfen sich nur im gesperr-
ten Zustand (C = L) ändern.
Rückführungen von Ausgängen (z. B. Q) zu Bedingungseingängen (z. B. D)
sind nicht zulässig, da sie instabiles Verhalten (Schwingen) verursachen.
Anwendung als Datenpuffer (Auffang-Register); für Zähler und Schieberegis-
ter ungeeignet.
Zweispeicher-Flipflops
Zweistufige Flipflops (Master-Slave-Flipflops) nehmen mit dem Taktimpuls
eine Eingangsinformation in den Zwischenspeicher und geben zeitlich ge-
trennt eine im Hauptspeicher befindliche Information an den Ausgang weiter.
JK -Master-Slave-Flipflop
Zwei getaktete RS-Flipflops (1. Master, 2. Slave) sind über Logikgatter rück-
gekoppelt (→ Bild 8.38). Die Informationsverarbeitung erfolgt mit der im
Bild 8.39 angegebenen zeitlichen Reihenfolge:
t1 Slave wird gesperrt und vom Master getrennt,

t2 Master wird freigegeben; Zwischenspeicherung der JK-Belegungen im
Master,
t3 Ga 1; Ga 2 werden gesperrt; Trennung der JK-Eingänge vom Master,
t4 Slave übernimmt die Information vom Master und schaltet dementspre-
chend.
Nachteil: Im Taktzustand H dürfen sich die JK-Belegungen nicht ändern. Stör-
impulse auf den JK-Leitungen können Fehlfunktionen verursachen (schlechte
Störsicherheit).
Master
&
J
&
Slave
Ga 1 Q Q
1S 1J
C1 =
$ C1
1R Q 1K Q
Ga 2 &
&
K
Ga 3
1
C
Bild 8.38 JK-Master-Slave-Flipflop (vereinfacht)
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Beschreibung des JK-Verhaltens
Q+ = JQ ∨ KQ (8.34)
I Hinweis: Auf der L/H-Flanke des Taktimpulses wird die Information eingeschrie-
ben, auf der H/L-Flanke nach Gl. (8.34) ausgelesen.
Integrierte JK-Flipflops haben zusätzlich S- und R-Eingänge mit Vorrang-
eigenschaft. Damit kann der Ausgangszustand unabhängig vom Taktsignal
eingestellt werden.
Tabelle 8.15 Vereinfachte Funk- Tabelle 8.16 Übergangstabelle des

tionstabelle des JK-Flipflops JK-Flipflops
z J K Q+ Q → Q+ Kommentar J K
0 0 0 Q 0 0 0 speichern 0 X
1 1 0 1 0 1 auf 1 setzen 1 X
2 0 1 0 1 1 1 speichern X 0
3 1 1 Q 1 0 auf 0 rücksetzen X 1
Bild 8.39
L Verarbeitungszeitpunkte
8
t1 t2 t3 t4 t beim JK-MS-Flipflop
8.5.2.3 Flankengesteuerte Flipflops
Je nach FF-Typ ist entweder die L/H-Flanke (positiv flankengesteuert) oder

die H/L-Flanke (negativ flankengesteuert) aktiv. Außerdem werden einflan-
kengesteuerte FF (ohne Zwischenspeicher) und zweiflankengesteuerte FF (mit
Zwischenspeicher) unterschieden.
Einflankengesteuertes D-Flipflop
Zusätzliche Schaltungsmaßnahmen bewirken eine starke Verkürzung der
wirksamen Taktflanke (Nadelimpuls):
Differenziation des Taktimpulses oder
Kippvorgang, ausgelöst von einer durch Gatterlaufzeiten verzögerten Takt-
flanke.
Charakteristische Gleichung:
Q+ = D (8.35)
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Besonderheiten:
Mit der aktiven Taktflanke übernimmt das Flipflop die D-Belegung an den
Ausgang, unmittelbar danach wird der D-Eingang blockiert.
Die Triggerung erfolgt je nach IC-Typ entweder auf der L/H-Flanke (positiv
flankengetriggert) oder auf der H/L-Flanke (negativ flankengetriggert).
Die Anforderungen an die Steilheit der Taktflanken sind höher als bei der
Zweiflankensteuerung.
Dynamisches Verhalten des D -Flipflops

Allgemein gilt: Bei höheren Taktfrequenzen sind Flanken- und Verzögerungs-
zeiten nicht mehr zu vernachlässigen. Bild 8.40 zeigt das Taktdiagramm eines
TTL-Bausteins. Der Baustein wurde mit ≈ 15 MHz getaktet. Mit der Ver-
zögerungszeit tPLH ≈ 18 ns wird der jeweilige D-Zustand (1 oder 0) nach der
ansteigenden Taktflanke an den Ausgang Q gelegt. Zur korrekten Arbeitsweise
des Flipflops darf sich der D-Zustand in zeitlicher Nähe zur aktiven Taktflanke
nicht ändern.
Einzuhaltende Zeitbedingungen sind:

Einstellzeit (SETUP TIME) tSETUP ≈ 25 ns
Haltezeit (HOLD TIME) tHOLD ≈ 5 ns
tSETUP tHOLD
C
D
tPLH
Q
0 50 ns t
Bild 8.40 Impulsdiagramm (gezoomt) des flankengetriggerten D-Flipflops
Zweiflankengesteuerte JK-Flipflops
Zweistufige FF nach dem Master-Slave-Prinzip mit interner Störimpulssperre
(data lock-out). Der Master ist beim Taktpegel H gegenüber Potenzialänderun-
gen an den JK-Eingängen unempfindlich (Verbesserung der Störsicherheit).
I Anwendungshinweise für flankengesteuerte Flipflops:
JK-Flipflop sind die Grundbausteine von Zählschaltungen,
D-Flipflop sind die Grundbausteine von Schieberegistern.
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8.5.3 Schmitt-Trigger
Schmitt-Trigger sind Schwellwertschalter mit Hysterese (→ 8.5.1).
Als „Kippen“ wird ein schnelles Umschalten zwischen zwei stabilen Arbeits-
punkten (A1; A2) bezeichnet. Beim Überschreiten der Schwellspannung UT1
kippt die Schaltung von A1 nach A2, beim Unterschreiten von UT2 kippt sie
von A2 nach A1 zurück.
Schalthysterese (Schwellspannungsunterschied):
UH = UT1 − UT2 (8.36)
Bild 8.41 zeigt die idealisierte Übertragungskennlinie. Schmitt-Trigger sind

Spannungsdiskriminatoren, die aus kontinuierlichen Signalen diskrete (Zwei-
punktsignale) formen (→ Bild 8.42).
U1
U0
UT1
A2
U T2
U0
A1 t
U0max
U T2 U T1 U1
U0min
t 8
Bild 8.41 Übertragungskennlinie Bild 8.42 Signalformung mit Schmitt-Trigger
eines Schmitt-Triggers
Schmitt-Trigger mit Operationsverstärkern

Es ergeben sich zwei Schaltungsvarianten, die aus den Operationsverstärker-
Grundschaltungen (→ 7.4.3, Inverter; Nichtinverter) durch Vertauschen der
Eingänge hervorgehen:
Inverter ⇒ Nichtinvertierender Schmitt-Trigger
Nichtinverter ⇒ Invertierender Schmitt-Trigger
Bei der Berechnung der Schaltschwellen wird vom idealen Operationsver-
stärker ausgegangen (Vu → ∞). Die stationären Arbeitspunkte liegen in den
Sättigungsgebieten der Übertragungskennlinie. Die Schwellwerte errechnen
sich aus UO max und UO min jeweils durch Anwendung der Spannungsteilerregel.
Invertierender Schmitt-Trigger
Charakteristisch ist die Ansteuerung des invertierenden Einganges (−) und
die Mitkopplung auf den nichtinvertierenden Eingang (+) (→ Bild 8.43).
Die Schaltung verhält sich instabil und schaltet, beschleunigt durch die hohe
Schleifenverstärkung, sehr schnell in die Sättigung. Die Schaltschwellen er-
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rechnen sich aus Gl. (8.37), wobei für UO jeweils UO max oder UO min einzuset-
zen ist. Mit der Verschiebespannung UV kann der Hysteresebereich vertikal
verschoben werden.
UV UO
UT = + (8.37)
R3 R3 R2 R2
1+ + 1+ +
R1 R2 R1 R3
∞
ue - ua
+
R2
R1 R3
UT
Bild 8.43 Invertierender
UV Schmitt-Trigger
Die Grundschaltung des Schmitt-Triggers wird zumeist ohne UV und Wider-

stand R3 dargestellt. Mit UV = 0 und R3 = 0 ergibt sich dann:
Ua
UT = (8.38)
R2
1+
R1
Eigenschaften der Grundschaltungen

Bei Verwendung von OV mit symmetrischer Betriebsspannung und UV = 0
liegen auch die Ausgangsspannungen UO symmetrisch zu 0 V (keine TTL-
Kompatibilität).
Die Schaltschwellen hängen von den Aussteuergrenzen (±Us ) ab und sind
daher nicht sehr präzis.
Die Hysterese ist von den Schaltschwellen und dem Widerstandsverhältnis
R2 /R1 abhängig. Die Verschiebespannung UV hat keinen Einfluss.
Schmitt-Trigger mit digitalen Schaltkreisen
Komplett integrierte Schmitt-Trigger sind sowohl im TTL- als auch im
CMOS-Sortiment zu finden. Es handelt sich dabei zumeist um Logikgat-
ter oder Monoflops mit Schmitt-Trigger-Eingängen (STE). Die typischen
Schwellwerte sind aus den Bauelemente-Katalogen zu entnehmen:
Vorteile von Schmitt-Trigger-Gattern:
Regenerierung von verschliffenen Signalspannungen,
Erhöhung der Störsicherheit.
I Hinweis: Komplett integrierte Komparatorbausteine verschiedener Hersteller bie-
ten ein Schaltverhalten mit sehr kleiner Hysterese. Die Schwellspannung kann
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bei einigen Typen digital eingestellt werden (engl. Programmable Threshold).

Mehrere Digital/Analog-Umsetzer (DAC) und ein Mikroprozessor-Interface sind
dazu auf dem gleichen Chip untergebracht.
8.5.4 Monostabile Kippschaltungen
Monostabile Kippschaltungen (Monoflop) sind sequenzielle Schaltun-

gen mit einem stabilen Arbeitspunkt (Ruhezustand), die beim Eintreffen
eines Triggerimpulses in den Arbeitszustand umkippen und nach einer

festgelegten Haltezeit von selbst in den Ruhezustand zurückkippen.
Monostabile Kippschaltungen mit Logikgattern

Aus TTL- oder CMOS-Gattern lassen sich durch Zwischenschalten eines
CR-Gliedes (Zeitkonstante) einfache Grundschaltungen realisieren. Bild 8.44
zeigt eine Schaltungsvariante mit zwei NAND-Gattern. Zweckmäßig sind
Gatter mit Schmitt-Trigger-Eingängen (z. B. 74LS132, 74HC132), damit die
Umschaltpunkte exakt definiert sind.
Ga 1 Ga 2
& C MP3 & MP4

MP1
MP2 8
H D R H
L L
Bild 8.44 Monostabile Kippschaltung mit NAND-Gattern
I Hinweis: Der Messpunkt MP3 muss im Ruhezustand auf L-Pegel gehalten wer-
den, dazu ist R entsprechend zu wählen.
bei TTL: 220 Ω < R < 680 Ω
bei CMOS: R 5 1 MΩ
Die Diode D schützt Ga 2 vor negativen Impulsspitzen und verkürzt die Erholzeit
tE (Entladung von C auf 0,05UB ).
Die Haltezeit tH ist von der Zeitkonstante des CR-Gliedes abhängig:
tH = kCR (8.39)
k ≈ 1,4 (TTL); k ≈ 0,8 (CMOS)
Eigenschaften der Grundschaltung (→ Bild 8.44):
Die Triggerung erfolgt durch eine H/L-Flanke am Eingang.
Die Haltezeit wird auch von Temperatur und Speisespannung beeinflusst.
Die Triggerimpulsdauer muss kürzer als die Haltezeit sein (ti < th )
Bild 8.45 zeigt das Impulsdiagramm zur Grundschaltung.
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MP1
t
MP2
t
UT mit D 0,05 UB
MP3
t
Bild 8.45
MP4 Impulsdiagramm
tH tE(o.D) t eines Monoflops
Integrierte Monoflop-Bausteine
Sowohl das TTL- als auch das CMOS-Sortiment enthalten komplett integrierte
Monoflops. Durch Beschalten mit einer RC-Kombination lässt sich die Halte-
zeit einstellen.
Zu unterscheiden sind:
Retriggerbare Monoflops (die Haltezeit wird bei mehreren Triggerimpulsen

erst nach dem letzten Impuls gebildet), z. B. 74LS123.
Nicht retriggerbare Monoflops (die Haltezeit wird mit dem ersten Impuls
gebildet, nachfolgende Impulse werden ignoriert, wenn sie in die Haltezeit
fallen), z. B. 74LS221.
I Hinweis: Mit integrierten Zeitgeberbausteinen (z. B. Timer 555 und 556) lassen
sich auch Verzögerungszeiten im Minutenbereich realisieren.
8.5.5 Astabile Kippschaltungen
Astabile Kippschaltungen (Multivibratoren) sind einfache Impulserzeu-

ger (Taktgeber).
Sie bestehen aus mitgekoppelten Verstärkerstufen (Mitkopplung; KV > 1).

Bei unstetig wirkender Amplitudenbegrenzung (Übersteuerung der aktiven
Bauelemente) entstehen Kippschwingungen in Rechteckform. Die Impulsfre-
quenz wird je nach Schaltung durch eine oder zwei Zeitkonstanten bestimmt.
Multivibratoren mit Logikgattern

Multivibratoren (Taktgeber) können aus Logikgattern mit invertierendem Ver-
halten aufgebaut werden. Bild 8.46 zeigt einen sperrbaren Taktgeber aus
NAND-Gattern und einem RC-Glied. Zweckmäßig ist die Verwendung von
Gattern mit Schmitt-Trigger-Eingängen.
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Wirkungsweise (→ Bild 8.47): Mit S = L wird der Oszillator gestartet. Nach der
Einschwingzeit TE ergibt sich eine Rechteck-Schwingung mit der Periodendauer
T . Mit S = H wird der Ozsillator wieder gestoppt.
Ga 1
& R Ga 2 Ga 3
& 1
S MP1 Q
MP2 MP3
C Bild 8.46 Sperrbarer

Multivibrator mit NAND-Gattern
Die Taktfrequenz f wird aus den Schwellwerten der Gatter berechnet:

1 UT1
f = ; k = 2 ln (8.40)
kCR UT2
Für CMOS-Gatter mit UT1 = 3 V und UT2 = 2,2 V ergibt sich k ≈ 0,62.
I Hinweis: Bei TTL-Gattern muss mit einer Einflussnahme durch den Gatter-
Eingangswiderstand gerechnet werden, sodass der gemessene k-Wert vom berech-
neten abweichen wird.
Start Stop
H
MP1 L R 8
H t
U T1 ∞
MP2 U T2 − ~
C +
H t
MP3 R2
L R1
TE T t
Bild 8.47 Impulsdiagramm eines Multivibrators Bild 8.48 Multivibrator mit
Schmitt-Trigger
Multivibratoren mit Operationsverstärkern

Durch eine zusätzliche Gegenkopplung über ein RC-Glied wird der Schmitt-
Trigger (→ Bild 8.43) zum Multivibrator (→ Bild 8.48). Diese Schaltung
eignet sich besonders für niedrige Taktfrequenzen f .
1
f ≈ (8.41)
2R1
2 ln CR 1 +
R2
I Hinweis: Hohe zeitliche Konstanz der Schwingungen erzielt man durch den
Einsatz von Schwingquarzen in Multivibratorschaltungen.
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8.6 Komplexe Bausteine für digitale Systeme
Als digitale Systeme werden hier komplexe Digitalschaltungen bezeich-

net, die aus kombinatorischen und sequenziellen Schaltungskomponenten
bestehen.
8.6.1 Zähler
Zähler sind sequenzielle Schaltungen zum Zählen von Impulsen.
Allgemeines Merkmal einer sequenziellen Schaltung ist ihr Speichervermö-

gen. Die Ausgangssignale sind von Eingangssignalen und zwischengespei-
cherten Zuständen abhängig. Typisch ist der Ablauf einer Zustandsfolge (z. B.
Zählerstände in Abhängigkeit von der Taktimpulszahl).
Unterscheidungsmerkmale:
Art der Taktung
(Serientaktung: Asynchronzähler; Paralleltaktung: Synchronzähler),

Codierung der Zählerzustände
(Dualcode: Dualzähler; BCD-Code: Dezimalzähler),
Zählrichtung
(Vorwärtszähler (up counter); Rückwärtszähler (down counter)).
Die Zählkapazität c eines Dualzählers beträgt bei n Stufen:

c = 2n − 1 (8.42)
Werden durch zusätzliche Maßnahmen k Zustände übersprungen, so verblei-
ben m Zählerzustände:
m = 2n − k (8.43)
I Ein auf m Zustände begrenzter Zähler wird als Modulo-m-Zähler bezeichnet.
I Die Zustandszahl eines Dualzählers aus vier Flipflops beträgt m1 = 24 = 16. Der
Zähler zählt vorwärts von 0 bis 15. Durch Überspringen der letzten sechs Zustände
(k = 6) entsteht ein Dezimalzähler mit m2 = 16−6 = 10. Die Zählung erfolgt von
0 bis 9. Mit dem 10. Takt ergibt sich wieder der Zustand z = 0 und gleichzeitig
ein Übertrag zur nächsten Dekade.
Elementarbausteine für Zähler

sind flankengesteuerte Flipflops (→ 8.5.2). Transparente Flipflops (Latches)
sind ungeeignet. Der Binärteiler ist die einfachste Zählerkonstruktion. Bild
8.49 zeigt Schaltungen von Binärteilern (Frequenzteiler 2 : 1), a) mit JK-
Flipflop und b) mit D-Flipflop.
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8.6 Komplexe Bausteine für digitale Systeme 475
H(+5 V) T t
Q Q
1J Q 1D
C C1 H
1K C C1
L
a) b) 2T t
Bild 8.49 Schaltungsvarianten des Binärteilers Bild 8.50 Impulsdiagramm des

Binärteilers bei positiver
Flankentriggerung
Die charakteristische Gleichung des Binärteilers lautet:
Q+ = Q (8.44)
Der Binärteiler kippt mit jeder aktiven Taktflanke in den entgegengesetzten
Zustand (→ Bild 8.50).
8.6.1.1 Asynchronzähler
Bei asynchronen Zählern werden die Zählimpulse dem Takteingang des

ersten Kippgliedes zugeführt. Die Taktung der nächsten Kippglieder erfolgt 8
jeweils durch die vorherigen.
Vorteil: einfacher Schaltungsaufbau

Nachteil: Asynchronzähler sind langsamer als vergleichbare Synchronzähler.
Bild 8.51 zeigt einen Asynchronzähler für 4 bit. Die Schaltung wurde aus ne-
gativ flankengetriggerten JK-Flipflops aufgebaut. Jede Stufe arbeitete als Bi-
närteiler. Beim Vorwärtszähler ist jeder Q-Ausgang mit dem nächsten Taktein-
gang verbunden. Beim Rückwärtszähler sind die negierten Q-Ausgänge zu
verwenden.
QA QB QC QD
T=H
S S S S
C 1J 1J 1J 1J
C1 C1 C1 C1
1K 1K 1K 1K
Bild 8.51 4-Bit-Asynchronzähler (Dualcode, vorwärtszählend)
Das zugehörige Impulsdiagramm zeigt Bild 8.52. Die dargestellte Schaltung

eignet sich auch als Frequenzteiler für die Teilerverhältnisse 2n : 1; n =
1; 2; 3; 4.
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z =10
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15
C
t
T0
QA
t
T1
QB
t
T2
QC
t
T3
QD
t
T4
Bild 8.52 Impulsdiagramm eines 4-Bit-Asynchronzählers (Dualcode,
vorwärtszählend)
8.6.1.2 Synchronzähler
Bei synchronen Zählern werden die Zählimpulse parallel und damit

gleichzeitig allen Kippgliedern zugeführt.
Vorteil: Schneller als vergleichbare Asynchronzähler

Nachteil: Zusätzliche Logik erforderlich, die das gleichzeitige Kippen aller
Flipflops mit dem Zähltakt verhindert
Bild 8.53 zeigt einen synchronen 4-Bit-Dezimalzähler mit positiv flankenget-
riggerten JK-Flipflops.
Wirkungsweise: QA schaltet auf jeder aktiven Taktflanke (L/H), die anderen Aus-
gänge nur dann, wenn es die JK-Bedingungen während der aktiven Taktflanke
zulassen; QB nur dann, wenn QA = H und QD = L ist (z = 1); QC nur dann, wenn
QA ∧QB = H ist (z = 3); QD immer dann, wenn QA ∧QB ∧QC = H ist (z = 7). Die
Zählkapazitätsbegrenzung auf m = 10 erfordert noch ein Umschalten auf QD = L,
wenn QA ∧ QD = H ist (z = 9).
QA (1) QB (2) QC (4) QD (8)
H &
1J & 1J & 1J ≥1 1J
C1 C1 C1 & C1
C 1K 1K 1K 1K
Bild 8.53 4-Bit-Synchronzähler (BCD-Code, vorwärtszählend)
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8.6.1.3 Integrierte Zähler
Zähler werden in allen TTL-und CMOS-Logikbaureihen in vielen Varianten

angeboten. Intern arbeiten sie je nach Typ als Synchron- oder Asynchron-
zähler. Zusätzlich sind sie mit einer umfangreichen Steuerlogik ausgestattet.
Dadurch können diese Bausteine vielseitig genutzt werden. Einzelheiten zu
Funktionen und Anschlussbelegungen sind den einschlägigen Bauelemente-
katalogen zu entnehmen.
Synchroner Vorwärts/Rückwärts-Dezimalzähler
Die symbolische Darstellung im Bild 8.54 ist international genormt (Abhän-
gigkeitsnotation → 8.9.3).
74LS190
CTR DIV 10
4
G1
5 M2[DOWN]
13
M3[UP] 6,1,4
14 1,2−1,3+
11 G4 2(CT=0)Z6 12
C5 3(CT=9)Z6
3
15
1
5D [1] +−
2 8
[2]
10 [4] 6
9 7 Bild 8.54 Schaltsymbol
[8] eines TTL-Zählerbausteins
Der 4-Bit-Baustein 74LS190 ist ein Synchronzähler mit 10 Zählschritten:

Vorwärtszählen (0 . . . 9):
Takt an PIN 14, L/H-Taktflanke ist zählwirksam,
PIN 5 auf L (MODE 3: UP), PIN 4 auf L (G1: ENABLE)
Rückwärtszählen (9 . . . 0):
Takt an PIN 14, L/H-Taktflanke ist zählwirksam,
PIN 5 auf H (MODE 2: DOWN), PIN 4 auf L (G1: ENABLE)
Voreinstellen:
Mit PIN 11 auf L (C5: LOAD) wird die BCD-Zahl an (5D) [A (PIN 15),
B (PIN 1), C (PIN 10), D (PIN 9)] geladen (PIN 3: QA := A, PIN 2:
QB := B, PIN 6: QC := C, PIN 7: QD := D)
Serieller Übertrag:
Während des Zählerendstandes (9 bei UP; 0 bei DOWN) geht PIN 13 auf
L (RCO)
Paralleler Übertrag:
Mit Erreichen des Zählerendstandes (9 bei UP; 0 bei DOWN) geht PIN 12
auf H (MAX/MIN)
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Synchroner Vorwärts/Rückwärts-Binärzähler
Der Baustein 74LS191 hat die gleiche Steuerlogik wie der 74LS190, verfügt
aber über 16 Zählschritte (Binärzähler). Im Schaltsymbol (→ Bild 8.54) steht
die Bezeichnung CTR4 (4-Bit-Zähler) statt CTR DIV 10 (Counter Dividing
by 10).
Mehrstufige Zähler
Mehrstufige Zähler sind Zusammenschaltungen aus einzelnen Zähler-

schaltkreisen zur Vergrößerung der Zählkapazität.
Generell müssen bei allen Zusammenschaltungen Überträge gebildet und an

nachfolgende Bausteine weitergegeben werden. Je nach Taktzuführung und
Übertragsweitergabe werden drei Zusammenschaltungen unterschieden (→
Bild 8.55):
asynchrone Taktung, serieller Übertrag (→ Bild 8.55 a),
synchrone Taktung, serieller Übertrag (→ Bild 8.55 b),
synchrone Taktung, paralleler Übertrag (→ Bild 8.55 c).
Zähler mit asynchroner Taktung und seriellem Übertrag

Diese einfache Zusammenschaltung wird dann verwendet, wenn keine hohen
Anforderungen an die maximale Zählfrequenz gestellt werden. Die Über-
tragsausgänge der Vorgänger werden mit den Takteingängen der Nachfolger
verbunden (→ Bild 8.55 a). Die Zählerverzögerungszeit tPZ lässt sich für q
Einzelzähler abschätzen:
tPZ ≈ qtP + (q − 1)tÜ (8.45)
Zähler mit synchroner Taktung und seriellem Übertrag

Die synchrone Taktverarbeitung erfordert Einzelzähler mit Freigabeeingängen
(ENABLE). Die Freigabe wird durch die Übertragsausgänge (RCO: Ripple
Carry Output) gesteuert (→ Bild 8.55b). Die synchrone Lösung ist schneller
als die asynchrone:
tPZ ≈ tP + (q − 1)tÜ (8.46)
Zähler mit synchroner Taktung und parallelem Übertrag

Die parallele Übertragsverarbeitung erfordert neben den Freigabeeingängen
(ENABLE) noch Parallelübertragsausgänge (MAX/MIN) sowie zusätzliche
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Verknüpfungsgatter (→ Bild 8.75c). Dabei ergibt sich mit vorgegebenen

Zählerschaltkreisen die kürzeste Verzögerungszeit:
tPZ ≈ tP + tÜ (8.47)
tP Verzögerungszeit des Einzelzählers

tÜ Verzögerungszeit des Übertragdurchlaufes
CTR CTR CTR

a) C RCO C RCO C RCO
CTR CTR CTR

b) C RCO C RCO C RCO
EN EN EN
CTR CTR CTR

c) C C C
8
EN Ma/Mi EN Ma/Mi EN Ma/Mi
&
Bild 8.55 Zusammenschaltung von Zählerbausteinen
I Hinweis: Schiebezähler (Ringzähler) werden im Zusammenhang mit Schiebere-

gistern behandelt (→ 8.6.3).
8.6.2 Frequenzteiler
Frequenzteiler sind digitale Schaltungen, bei denen die Eingangsfrequen-

zen ganzzahlige Vielfache der Ausgangsfrequenzen sind.
Prinzipiell können Zähler auch als Frequenzteiler genutzt werden, wobei

jeweils nur ein Ausgang zu verwenden ist. Der einfachste Frequenzteiler
besteht aus einem bistabilen T-Kippglied (→ Bilder 8.49, 8.50); es teilt die
Eingangsfrequenz im Verhältnis 2 : 1. Frequenzteiler werden ebenso wie
Zähler in asynchrone und synchrone Teiler gegliedert.
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8.6.2.1 Asynchrone Frequenzteiler
Frequenzteiler aus 4-Bit-Dualzähler (→ Bild 8.51)

Der Takt ist die Eingangsfrequenz fI . An den Ausgängen QA ; QB ; QC ; QD
können vier verschiedene Ausgangsfrequenzen fO abgenommen werden (→
Bild 8.52). Es gilt:
fI
= 2n ;
n = 1; 2; 3; 4 (8.48)
fO
Frequenzteiler für ungeradzahlige Teilerverhältnisse

Bild 8.56 zeigt eine Schaltung mit JK-MS-Flipflop für das Teilerverhältnis.
fI
= 2n + 1; n>1 (8.49)
fO
Beispiel: Aus (2n + 1) : 1 ergibt sich zusammen mit einem Binärteiler (2 : 1) das
neue Teilerverhältnis 5 : 1.
Bei mehrmaliger Anwendung dieses Schaltungsprinzips können die Teilerver-

hältnisse vergrößert werden:
Beispiel: Aus (2n + 1) : 1 ergibt sich mit dem Teiler (5 : 1) das neue Teilerverhält-
nis 11 : 1.
Q2 f0
1J ¬ 1J ¬
C1 n:1 C1 Q3
1K ¬ 1K ¬ Bild 8.56 Asynchroner Frequenzteiler
Q1 (offene Eingänge sind auf H-Pegel zu
f1 legen)
8.6.2.2 Synchrone Frequenzteiler
Aus 4-Bit-Zählerschaltkreisen können programmierbare Frequenzteiler auf-

gebaut werden. Die Programmierung erfolgt durch Voreinstellen der Zähler.
Wird der jeweilige Endzählerstand erreicht (z. B. 15 beim Vorwärtszählen
oder 0 beim Rückwärtszählen), dann setzt der Übertrag die Zähler wieder
auf die programmierte Zahl z. Der letzte Übertrag der Zählerkette ergibt die
Ausgangs-Frequenz f0 .
Frequenzteiler (vorwärtszählend) (→ Bild 8.57)
Im Bild 8.57 wird nach Erreichen des Endstandes 15 die Dualzahl z = 7
geladen. Die Schaltung zählt periodisch von 7 bis 15. Das Ergebnis einer
PSpice-Simulation zeigt Bild 8.58.
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U1 RCO
LOAD CTR 4
CLK 9 M1 U2
2 1,3,4 + 1
15
7 C2 3CT=15
10 G4
1 G3
R
3 14
1,2D [1] QA
H 4 [2] 13 QB
5 [4] 12 QC
6 11 QD
L [8]
Bild 8.57 Programmierbarer Frequenzteiler mit Vorwärtszähler
Berechnung der Teilerverhältnisse (bei Verwendung von Zählerbausteinen

mit taktsynchronen Ladeeingängen, z. B. 74161)
beim Rückwärtszählen:
fI
=z+1 (8.50)
fO
beim Vorwärtszählen mit Dezimalzählern:
fI
= 10n − z (8.51) 8
fO
beim Vorwärtszählen mit Dualzählern:
fI
= 16n − z (8.52)
fO
n Anzahl der Einzelzähler in der Zählkette
z gesamter Voreinstellwert
7 8 9 10 11 12 13 14 15 7
CLK
QA
QB
QC
QD
RCO
TI
TO
Bild 8.58 Taktdiagramm für das Teilerverhältnis 9 : 1

Beispiel: Vorwätszählen mit einem Dualzähler (n=1) und Voreinstellung auf z =7
ergibt mit Gl. (8.52), wie auch Bild 8.58 zeigt, das Teilerverhältnis fI / fO = 9.
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I Hinweis: Bei Verwendung von Zählerbausteinen mit asynchronem Ladeverhalten

(z. B. 74LS190/191) ändern sich die in den Gln. (8.50), (8.51), (8.52) angegebenen
Teilerverhältnisse (in allen Gleichungen ist noch eins zu subtrahieren).
8.6.3 Register
8.6.3.1 Begriffsbestimmung und Überblick

Register sind schnelle Halbleiterspeicher für geringe Datenmengen

(n = 4 . . . 64 bit).
Die kurzzeitige Speicherung der Daten erfolgt in Anordnungen aus n Spei-

cherzellen. Die Bestimmung des Speicherplatzes erfolgt durch eine feste
zeitliche Reihenfolge von Datenein- und -ausgabe. Register benötigen daher
keine Adresse zum Schreiben und Lesen der Daten.
Gliederung der Register nach dem Datenformat der Ein- und Ausgabe:
• Speicherregister: parallele Eingabe parallele Ausgabe

• Schieberegister: serielle Eingabe serielle Ausgabe
• Serien-Parallel-Wandler: serielle Eingabe parallele Ausgabe
• Parallel-Serien-Wandler: parallele Eingabe serielle Ausgabe
Speicherregister (Parallelregister, RG)
Register mit parallelem Datentransfer. In n unabhängigen Speicherzellen

werden gleichzeitig n bit gespeichert.
Sie dienen als Auffangregister für parallel übertragene Daten (Datenpuffer),

als Bustreiber und als Ein/Ausgabe-Tore für Mikrocontroller. Speicherregister,
die zum Anschluss an einen Mikrorechnerbus vorgesehen sind, bestehen aus n
Speicherzellen (D-Flipflop), Ausgangstreiber mit Tristate-Verhalten und einer
Ansteuerlogik.
I Hinweis: Programmierbare Mikrorechner-Schaltkreise verfügen intern über unter-
schiedliche Registersätze, auf die über Software zugegriffen wird.
Schieberegister (SRG)
Register mit seriellem Datentransfer. Sie bestehen im Wesentlichen aus n

miteinander gekoppelten Speicherzellen.
Die im Register befindlichen Daten werden taktsynchron von Speicherzelle

zu Speicherzelle weitergeleitet. Integrierte Schieberegister-Bausteine ermögli-
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chen zumeist auch die Wandlung des Datenformats, sodass neben der seriellen
Ein/Ausgabe auch die parallele Ein/Ausgabe möglich ist.
8.6.3.2 Elementare Schieberegister
Geeignet sind prinzipiell alle flankengesteuerten Flipflops (→ Bild 8.33).

Bei Einflankensteuerung muss die aktive Taktflanke kürzer als die Verzö-
gerungszeit sein. Ungeeignet sind zustandsgesteuerte Flipflops (Latches), da
mit dem aktiven Taktzustand alle Flipflops gleichzeitig umschalten würden.

Die Binär-Information wird mit dem Schiebetakt von Flipflop zu Flipflop
weitergeschoben, wobei zwei Schieberichtungen möglich sind (von links nach
rechts und von rechts nach links).
Bild 8.59 zeigt die Prinzipschaltung eines SRG aus JK-MS-Flipflops mit
Schieberichtung nach rechts. Die Beschaltung K = J der Flipflop-Eingänge
bewirkt D-Verhalten (→ Gl. (8.34)). Das zugehörige Impulsdiagramm ist
im Bild 8.60 dargestellt. Ein 4-Bit-Wort (H, H, L, H) wird mit 4 Takten
seriell eingeschrieben. Mit weiteren 4 Takten kann es an QD seriell ausgelesen
werden. Das zuerst eingeschriebene Bit wird dabei zuerst ausgelesen (FIFO-
Organisation: First In - First Out). Außerdem kann das Wort nach dem 4.
Takt an (QA ,QB ,QC ,QD ) parallel ausgelesen werden. Damit ergibt sich eine
Anwendung als Serien-Parallel-Wandler. 8
QA QB QC QD
1J ¬ 1J ¬ 1J ¬ 1J ¬
1 C1 C1 C1 C1
ES 1K ¬ 1K ¬ 1K ¬ 1K ¬
Takt
Bild 8.59 Grundschaltung eines 4-Bit-Schieberegisters mit serieller Eingabe
Ringzähler
Umlaufspeicher mit 1-aus-m-Code. Im Speicher darf nur ein Bit auf H (logisch
1) liegen. Bei dem 4-Bit-SRG im Bild 8.59 ist z. B. das Bitmuster (H, L, L, L)
zu laden. Es ergibt sich der 1-aus-4-Code (→ Tabelle 8.17).
Tabelle 8.17 Ringzähler-Code (1-aus-4)
Takt QA QB QC QD
1 1 0 0 0
2 0 1 0 0
3 0 0 1 0
4 0 0 0 1
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(1) (2) (3) (4) (5) (6) (7) (8)

CP
t
H H H
ES L
H t
QA
t
QB L
t
H
QC
t
H H H
QD L
t
Schieberichtung
Bild 8.60 Impulsdiagramm eines 4-Bit-Schieberegisters
8.6.3.3 Integrierte Schieberegister

Integrierte Schieberegister haben zumeist universelle Eigenschaften. Die In-

formation kann parallel oder seriell eingeschrieben werden und parallel oder
seriell ausgelesen werden. Bei einigen IC ist sowohl Rechtsschieben (von links
nach rechts) als auch Linksschieben (von rechts nach links) möglich.
Umlaufspeicher
Schieberegister mit Umschaltung zwischen serieller Eingabe und dynami-

scher Speicherung.
Der serielle Ausgang (QD ) des Bausteins 74LS194 wird im Rechtsschiebe-

betrieb (MODE 1) mit dem seriellen Eingang (ES/R) verbunden. Das seriell
eingegebene Bitmuster rotiert im Speicher, solange der Takt wirksam ist (→
Bild 8.61).
Mehrphasen-Taktgeber mit Schieberegistern

Aus Schieberegistern mit Rückführungen über Schaltnetze lassen sich aus
einem Muttertakt mehrere zeitlich verschobene Einzeltakte erzeugen.
Pseudo-Zufallsgeneratoren (Scrambler)
Bei Verwendung von Antivalenzgattern in den Rückführungen von Schie-
beregistern entstehen Pseudo-Zufallsgeneratoren. Eine Pseudo-Zufallsfolge
ist eine vom eingeschriebenen Bitmuster abhängige Zufallsfolge, die sich
periodisch wiederholt. Bei n bit ergibt sich eine Zufallsfolge der Länge 2n − 1.
Der Zustand 0 bleibt ausgenommen.
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H(1)
SRG 4
0
1
} M 03
Takt
C4
1 /2
CLEAR
R
ES/R
1,4 D QA
A 3,4 D
B 3,4 D QB
C 3,4 D QC
D 3,4 D
QD
2,4 D Bild 8.61 Schieberegister als
ES/L Umlaufspeicher
Beispiel: Ein zusätzliches Antivalenzgatter wird in die Rückführung eines 4-Bit-

SRG (→ Bild 8.61) eingeschaltet (→ Gl. (8.53)):
ES/R = QC = QD (8.53)
Zur Beschreibung der Zustandsfolge werden die SRG-Ausgänge mit Wertigkeiten

versehen (QA := 1; QB := 2; QC := 4; QD := 8)
Ergebnis: Pseudo-Zufallsfolge: Z = {1; 2; 4; 9; 3; 6; 13; 10; 5; 11; 7; 15; 14; 12; 8}
8
FIFO-Speicher
Serielle Speicher, die nach der Organisation „FIFO = First In – First Out“
arbeiten. Die zuerst eingeschriebene Information wird auch zuerst wieder
ausgelesen.
Besonderheiten:
Schreib- und Lesevorgänge sind voneinander unabhängig (getrennte Takte),
Eigenkontrolle über den Füllzustand des Registers (neue Daten können erst
eingeschrieben werden, wenn die alten ausgelesen worden sind),
Datentransfer nach dem Warteschlangen-Prinzip (Daten werden erst wei-
tergeschoben, wenn freie Plätze vorhanden sind).
Bei weiterentwickelten FIFO-Speichern werden die Durchlaufzeiten dadurch

verkürzt, dass nicht mehr die Daten, sondern nur noch zwei Adresszeiger
verschoben werden. Die Differenz der beiden Adresszeiger gibt den Füllstand
des Speichers an.
I Hinweis: Höhere Speicherkapazitäten können mit Schreib-Lese-Speichern
(RAM) und einer zusätzlichen Steuerlogik (FIFO-RAM-Controller) realisiert
werden.
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Dynamische Schieberegister
bestehen aus MOS-Speicherzellen. Ausgenutzt wird die kurzzeitige Ladungs-
speicherung in den Transistorkapazitäten. Über getaktete FET-Schalter wird
die gespeicherte Information von Zelle zu Zelle verschoben.
Ladungsgekoppelte Halbleiterstrukturen (z. B. CCD, engl: Charge Coupled
Device) verwenden das Prinzip der gesteuerten Ladungsträgerverschiebung.
In dicht nebeneinander liegenden integrierten MOS-Kapazitäten können die
gespeicherten Ladungen durch Taktsignale verschoben werden.

Vorteile der CCD-Technik gegenüber herkömmlichen Schieberregisterprinzi-
pien:
hohe Speicherkapazität,
niedriger Leistungsverbrauch,
erträgliche Herstellungskosten.
Anwendung: z. B. in Fotosensoren für Digitalkameras, Camcordern und opto-

elektronischen Messgeräten.
8.7 Halbleiterspeicher
Halbleiterspeicher sind integrierte Schaltkreise zur vorübergehenden

(RAM) oder bleibenden (ROM) Aufbewahrung binärer Daten.
Bei Halbleiterspeichern mit wahlfreiem Zugriff sind die Speicherzellen ma-

trixförmig auf dem Chip angeordnet (Matrixspeicher). Zum Auffinden einer
Speicherzelle in der Matrix dient eine Adresse. Derartige Speicher werden
als ortsadressierbare Speicher bezeichnet. Bei inhaltsadressierbaren Speichern
(Assoziativspeicher, CAM (Content Addressable Memory)) erfolgt die Loka-
lisation der Speicherzellen durch Suchworte. Matrixspeicher sind entweder
Tabellenspeicher (RAM, ROM) oder Funktionsspeicher (PLD, → 8.8.2). Bild
8.62 zeigt eine Gliederung der Halbleiterspeicher.
Kenngrößen der Halbleiterspeicher sind u. a.:
Speicherkapazität,
Speicherorganisation,
Zugriffszeit,
Zykluszeit.
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8.7 Halbleiterspeicher 487
Die Speicherkapazität C ist die maximale speicherbare Informations-

menge in Bit oder Byte. C wird auf die kleinste, getrennnt adressierbare
Informationseinheit bezogen.
Üblich sind noch die Angaben Bit und Byte sowie deren Vielfache K und M.
Es gilt:
1 K = 210 ; 1 M = 220
1 Byte = 8 bit
1 Kbit = 1 024 bit
1 Mbit = 1 048 576 bit
I Hinweis: Die Binärpräfixe wurden in der Norm IEC 60 027 standardisiert. Damit
ist die eindeutige Unterscheidung zwischen den SI-Präfixen kilo (k = 103 ), mega
(M = 106 ) und giga (G = 109 ) und den Binärpräfixen kibi (Ki = 210 ), mebi (Mi =
220 ) und tebi (Gi = 230 ) gewährleistet.
Eine Speichermatrix aus n Zeilen und m Spalten enthält C Speicherzellen.
C = nm (8.54)
Halbleiterspeicher
mit Matrixstruktur
8
Tabellenspeicher Funktionsspeicher
Schreib-Lese- Festwert-
PLD
Speicher (RAM) Speicher (ROM)
SRAM DRAM MROM EPROM PLA PAL
PROM EEPROM GAL

Bild 8.62 Klassifizierung der Halbleiterspeicher
Speicherorganisation
Hauptmerkmal ist das Auswahlprinzip der Speicherzellen nach vorgegebenen
Adressen.
Es wird unterschieden:
direkte Bitorganisation (Anwendung bei PLD),
codierte Bitorganisation (oft nur Bitorganisation genannt),
Wortorganisation.
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Wortorganisation
Bei Wortorganisation werden die n Zeilen der Speichermatrix über Decoder
angesprochen (X-Decoder). Jede Zeile enthält m Speicherzellen. Die Informa-
tion einer Zeile entspricht einem Wort aus m Bit. Bild 8.63 zeigt das Prinzip.
Ein Wort ist eine definierte Menge von Bits, die der Rechner als Informa-
tionseinheit betrachtet.
Beispiel: Die Angabe der Speicherkapazität (32 K × 8) bei einem SRAM bedeutet:
Wortzahl = 32 K = 215 = 32 768; Wortlänge = 8 bit; Anzahl der Speicherzellen
= 262 144.
Der X-Decoder ist ein Binär/1-aus-n-Decoder. Mit a Adressbits lassen sich
n = 2a Zeilen adressieren.
Adresswortlänge (auch Adresswortbreite genannt):
a = ld n ; ld = log2 (8.55)
Beispiel: Ein SRAM mit 32 K × 8 erfordert a = 15 Adressbits (A0 . . . A14 ).
Adress-
register Y-Decoder
m Bit y0/ y1 y2 y3
x0/ x0/
Adressregister
x1 x1
X-Decoder
X-Decoder
n Wörter
x2 x2
x3 x3
Schreib/Lese-Verstärker Schreib/Lese-Verstärker
Bild 8.63 Schema einer Bild 8.64 Schema einer

wortorganisierten Speichermatrix bitorganisierten Speichermatrix
Codierte Bitorganisation
Bei codierter Bitorganisation werden sowohl n Zeilen als auch m Spalten
der Speichermatrix über Decoder angesprochen (X-Decoder; Y -Decoder). Es
handelt sich um eine Koinzidenz-Adressierung; im Kreuzungspunkt zweier
Adressen steht die ausgewählte Speicherzelle. Jedes Bit des Speichers kann
somit einzeln aufgerufen werden. Bild 8.64 zeigt das Prinzip.
Beispiel: Die Angabe der Speicherkapazität (1 M × 1) bei einem DRAM bedeutet:
Wortzahl = 1 M = 220 = 1 048 576; Wortlänge = 1 bit; Anzahl der Speicherzellen
= 1 048 576.
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Die Adresswortlänge teilt sich entsprechend der Matrixstruktur in Zeilen-

und Spaltenadresswortlänge auf:
a = ld n + ld m (8.56)
Beispiel: Ein DRAM (1 M × 1) mit einer Matrix (n = 512; m = 2048) hat intern
9 Zeilenadressen (A0 . . . A8 ) und 11 Spaltenadressen (A9 . . . A19 ).
Zugriffszeit
Die Adresszugriffszeit tAA ; tACC (Address Access Time) ist die Zeit, die von
der Adressenbereitstellung bis zur Ausgabe gültiger Daten aus dem Speicher
vergeht.
A neue Adresse
OE
DO Daten gültig Bild 8.65

tAA Zugriffszeit beim
Lesen eines SRAM
Bild 8.65 zeigt einen Lesezugriff bei einem SRAM. Der betrachtete Speicher
verfügt über eine Tristate-Steuerung der Datenanschlüsse (Output Enable:
OE). Bei OE = H sind die Datenausgänge gesperrt (der hochohmige Zustand 8
wird im Taktdiagramm durch eine Linie gekennzeichnet). Die schraffierten
Daten-Bereiche beschreiben ungültige Daten (d. h. Daten, die nicht zur aktu-
ellen Adresse gehören).
Zykluszeit
Kleinste zulässige Zeitdifferenz zwischen zwei Speicherzugriffen. Die Zeit-
bedingungen beim Lesen und Schreiben sind unterschiedlich:
Lese-Zykluszeit tRC (Read Cycle Time),
Schreib-Zykluszeit tWC (Write Cycle Time) (→ Bild 8.67).
8.7.2 Schreib-Lese-Speicher (RAM)
RAM (Random Access Memory) sind Arbeitsspeicher, die schnelles

Speichern (Schreiben) und Lesen von Daten ermöglichen.
Schreiben und Lesen sind getrennte Vorgänge. Beim Lesen wird die ge-
speicherte (d. h. vorher eingeschriebene) Information nicht gelöscht. Beim
Schreiben wird die vorher gespeicherte Information überschrieben. RAM
sind in der Regel flüchtige Speicher, beim Ausschalten der Betriebsspannung
gehen alle Informationen verloren.
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Sonderausführungen zum Speicherschutz:

Batteriegepufferte CMOS-Speicher (Zero Power RAM),
Kombinationen aus RAM und EEPROM (NOVRAM = Non Volatile RAM).
Anwendung: z. B. bei Personalcomputern und programmierbaren Taschen-

rechnern.
8.7.2.1 Statische RAM
Statische RAM (SRAM) speichern die Information in statischen Speicher-

zellen. Die Speicherwirkung ist an das Vorhandensein der Versorgungs-
spannung gebunden (flüchtige Speicherung).
Die SRAM-Speicherzellen bestehen aus bistabilen Kippgliedern (Speicher-

Flipflop).
In CMOS wird die 6-Transistor-Zelle verwendet (Nachteil: große Chipfläche).
Platzsparende Strukturen arbeiten mit der 4-Transistor-Zelle, bei der die zwei
PMOS-Lasttransistoren durch hochohmige Polisilicium-Widerstände ersetzt

sind.
Herstellungstechnologie:
Vorrangig in CMOS (5V; 3,3V), vereinzelt auch in NMOS und TTL.
SRAM-Ausführungen:
asynchrone Speicher (Asynchronous Static Memory),
synchrone Speicher (Synchronous Static Memory).
Asynchrone SRAM
Diese Speicher erfordern kein Taktsignal; sie sind adressen-aktivierbar.
Die aktuelle Speicheradresse muss während eines gesamten Schreib- bzw.

Lesezyklus stabil anliegen.
Bild 8.66 zeigt das Blockschaltbild eines einfachen 64-Kbit-SRAM (8 K × 8).
Folgende Betriebsarten sind zu unterscheiden (→ Tabelle 8.18).

Lesen:
Beim Lesen reagiert der Speicher, verzögert um die Zugriffszeit, auf jede
Adressänderung.
Schreiben:
Beim Schreiben sind zusätzliche Zeitbedingungen einzuhalten, damit die
Information in die richtige Speicherzelle gelangt.
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A0
X-Decoder
9 512 Speicher-Matrix
(512 × 16 × 8)
Adress-Puffer
16 × 8
Y-Decoder
4 16
Spalten-Tor
A12
8
CS1
Steuer-
Logik
CS2
Ein/Ausgabe-
OE Puffer
WE
I/O1 I/O8
Bild 8.66 Blockschaltbild eines SRAM
Tabelle 8.18 Wahrheitstabelle eines 64-Kbit-SRAM 8
Mode CS1 CS2 OE WE A0 . . . A12 DataI/O
Standby H x x x x Hi-Z
Standby x L x x x Hi-Z
Write L H x L stabil Input
Read L H L H stabil Output
Disable L H H H stabil Hi-Z
Standby Unselektierter Zustand; Energiesparmodus

Write Schreibmodus
Read Lesemodus
Disable Selektierter Zustand; Ausgang gesperrt
Hi-Z Hochohmiger Zustand (Tristate)
x Beliebiger Zustand (L oder H)
Schreibmodi:
Late Write Mode,
Early Write Mode.
Ein Schreibzyklus (Late Write Mode), bei dem das Signal „Write Enable“
W E nach den „Chip Select“-Signalen CS1; CS2 aktiv wird, ist im Bild 8.67
dargestellt.
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tWC
A0 ... A12 neue Adresse
CS1
CS2
WE
Din Daten gültig

tAS
tDW tDH
tWP
tWR
tAW
Bild 8.67 Schreibzyklus eines SRAM

Beispiel: Folgende Zeitparameter werden angegeben:
• Schreibzykluszeit (Write cycle time) tWC
• Adressfreigabezeit (Address enable time) tAW
• Adresseinstellzeit (Address setup time) tAS
• Schreibimpulsbreite (Write pulse width) tWP
• Adresshaltezeit (Address hold time) tWR

• Dateneinstellzeit (Input data setup time) tDW
• Datenhaltezeit (Input data hold time) tDH
I Hinweis: Im PC werden asynchrone SRAM für den Level-2-Cache (L2-Cache)
verwendet. Die mittlere Zugriffszeit liegt etwa bei 8 ns. Die Betriebsspannung
beträgt 2,7. . .3,1 V.
Synchrone SRAM
SRAM mit getakteter Adresseingabe in einen Zwischenspeicher (clocked

registered inputs).
Die gültige Adresse braucht nur während eines Bruchteils der Zykluszeit
anzuliegen.
Eigenschaften: schnelle Speicher für größere Wortlängen.
Burst-RAM
Synchrone SRAM mit integriertem Burst-Zähler. Vom Prozessor wird nur
die Startadresse auf den Adressbus gelegt. Nach der Zwischenspeicherung im
Adressregister des RAM kann der Prozessor andere Operationen durchführen,
ohne auf die RAM-Daten warten zu müssen. Der interne Burst-Zähler arbeitet,
beginnend mit der Start-Adresse, drei aufeinander folgende Adressen auto-
matisch ab. Die zugehörigen Daten werden nacheinander auf den Datenbus
gelegt. Für ein 16-Byte-Datenwort werden dabei statt 8 Taktzyklen nur 6
benötigt. Die Datenausgabe wird damit schneller.
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8.7.2.2 Dynamische RAM
Dynamische RAM (DRAM) speichern die Information in dynamischen

Speicherzellen. Die Speicherwirkung ist an das Vorhandensein der Versor-
gungsspannung und eine periodische Datenauffrischung (Refresh) gebun-
den (flüchtige Speicherung).
Die DRAM-Speicherzellen bestehen aus integrierten MOS-Kapazitäten (CS <

0,1 pF). CS geladen entspricht H-Pegel (logisch 1), entladen L-Pegel (logisch
0). Die technische Entwicklung führte von der Viertransistorzelle zur Eintran-
sistorzelle.
Refresh-Mechanismus
Eine periodische Ladungsauffrischung ist notwendig, weil sich beim Le-
sen der Zelle die kleine Speicherkapazität CS über die wesentlich größere
parasitäre Lastkapazität CL entlädt (zerstörendes Lesen). Der Inhalt jeder
Speicherzelle muss innerhalb eines Zeitraumes von wenigen Millisekunden
einmal gelesen und regeneriert werden. Der Spannungsimpuls einer gelese-
nen Zelle (T1 /CS ) wird mit einem extrem empfindlichen Verstärker (Sense-
Verstärker) verstärkt und mit dem Refresh-Takt Φ R über T2 auf die gleiche
Zelle zurückgeschrieben. Bild 8.68 zeigt den vereinfachten Wirkmechanismus
beim Lesen und Regenerieren der Daten. 8
Auswahlleitung
Datenleitung
T1
CS
CL
T2 V
ΦR
Bild 8.68 Prinzip der

zum Leseverstärker DRAM-Eintransistorzelle
Adress-Multiplexsteuerung
Durch eine interne Multiplexsteuerung wird die die Adressanschlusszahl auf
die Hälfte reduziert.
Beispiel: Ein 1-MBit-DRAM mit der Matrix (512 × 2048) erfordert intern 20
Adressanschlüsse (1 M = 220 ). Extern wird nur eine 10-Bit-Multiplex-Adresse
(MA) verwendet (→ Bild 8.69). Zur Unterscheidung von Zeilen und Spalten
benötigt man noch zwei Steuersignale (RAS: Row Address Strobe; CAS: Column
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Address Strobe). Der Chip kann in einem 18poligen Gehäuse untergebracht

werden.
RAS
Zeilen- 9 Zeilen- 512 Speichermatrix
10 A0 ... A8 Adress-
MA Latch
Decoder (512 × 2048)
A9... A19
Spalten- 11 Spalten- 2048
Adress- Decoder
Latch Bild 8.69 Blockschaltbild
CAS eines DRAM (vereinfacht)
Betriebsarten und Zugriffsvarianten:
Lesen (Read),
Schreiben (Write),
Lesen und Schreiben im gleichen Zyklus (Read Modify Write),
seitenweises Lesen und Schreiben (Page Mode Read; Page Mode Write),
nur Auffrischen (RAS Only Refresh).
DRAM-Varianten
Im Zuge der technischen Entwicklung wurden viele spezialisierte DRAM
eingeführt und auch teilweise wieder verworfen. Einige Varianten sind hier
genannt:
FPM-DRAM
Die seitenweisen Betriebsarten gestatten eine schnelle Verarbeitung großer
Datenmengen (FPM: Fast Page Mode). Eine bestimmte Zeilenadresse lässt
sich im Schaltkreis abspeichern, sodass alle Zugriffe nur in dieser be-
treffenden Zeile erfolgen. Für jedes Lesen und Schreiben wird dann nur
ein CAS-Zyklus benötigt. Der Speichercontroller muss also nur noch die
entsprechende Spalte adressieren.
EDO-DRAM (EDO = Extended Data Out)
Verlängertes Data-Output: Daten können noch zum Auslesen bereit ge-
halten werden, während bereits die nächste Adresse anliegt. Dadurch Be-
schleunigung der Lesezugriffe (etwa 10 . . . 30 % schneller als FPM).
SDRAM (Synchronous DRAM)
Erhöhte Datenrate durch taktsychrone Arbeitsweise und eine interne Pipe-
line-Architektur.
RDRAM (Rambus DRAM), DRDRAM (Direct Rambus DRAM)
DRAM-Module mit sehr hoher Datenrate, die neben Speicherbausteinen
auch Busstrukturen und Interfaces (Schnittstellen) umfassen.
DDR-SDRAM (Double Data Rate SDRAM)
Weiterentwickelte SDRAM-Module mit verdoppelter Datenrate. Die Da-
tenbits werden auf beiden Taktflanken übertragen. Die nachfolgenden
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Generationen „DDR2“ und „DDR3“ bieten Datenübertragungsraten von

6,4. . .9,6 GByte/s.
PRAM (Phase-Change RAM)
Phasenwechselspeicher sind nichtflüchtige RAM, die sich ähnlich wie
Flash-Speicher (→ 8.7.3.2) verhalten, aber schneller, platzsparender und
kostengünstiger sind. Neuentwicklung: 128-Mbit-Chip (Intel).
I Hinweis: Bei SDRAMs wird oft statt der Zugriffszeit die Lese-Zykluszeit angege-
ben (tRC = 10, 12 oder 15 ns). Auf dem Chipgehäuse steht dann nur 0, 2 oder 5).
Zum sicheren Betrieb von DRAM sind neben dem periodischen Refresh eine
Vielzahl von Zeitbedingungen zu erfüllen. Dazu werden entweder
Refresh-Controller als zusätzliche Schaltkreise oder
Mikroprozessoren mit Refresh-Unterstützung verwendet.
Anwendung von DRAM: Arbeitsspeicher für PC, zumeist mehrere Chips als
Module konfektioniert (→ 8.7.4)
8.7.3 Festwertspeicher (ROM)
ROM (Read Only Memory) sind nichtflüchtige Speicher, die eine gespei-
cherte Information beliebig oft auszulesen gestatten. Das Löschen oder 8
Umschreiben der Information ist im eigentlichen Arbeitsrhythmus des
Speichers nicht möglich.
ROM-Varianten
Maskenprogrammierte ROM. (M)ROM sind Kundenwunsch-Schaltkreise
mit hohem Vorfertigungsgrad. Die Programmierung erfolgt beim Schaltkreis-
Hersteller. Die Programmierung ist ein selektiver Ätzprozess, bei dem die
Dicke des Siliciumoxids zwischen Gate und Kanal in jeder Speicherzelle
beeinflusst wird. Die logische 1 wird durch eine leitende Transistorstruktur
gebildet. Bei der logischen 0 ist das Gate unterbrochen, sodass keine Kopplung
zwischen Wort- und Bitleitungen auftritt. (M)ROM sind nur bei sehr großen
Stückzahlen kostengünstig.
Programmierbare ROM (PROM, Programmable ROM) vom Anwender
programmierbar, aber nicht wieder löschbar
Reprogrammierbare ROM (EPROM; EEPROM)
EPROM (Erasable Programmable ROM)
vom Anwender programmierbar, vom Anwender global löschbar (mittels
UV-Licht),
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EEPROM (Electrically Erasable Programmable ROM)

vom Anwender programmierbar, vom Anwender selektiv löschbar (mittels
elektrischer Spannung),
EAROM (Electrically Alterable ROM)
Funktion wie EEPROM.
8.7.3.1 Programmierbare ROM

PROM sind kostengünstige ROM-Bausteine zur einmaligen Programmie-

rung durch den Anwender.
Technologische Varianten:
TTL-PROM 256 bit . . . 16 Kbit; Zugriffszeit: 25 . . . 50 ns
Fusible Link (FL). Programmieren durch Schmelzen leitender Verbindun-
gen. Ein dünner Nickel-Chrom-Film wird mittels Stromwärme durchge-
brannt. Dazu wird der betreffenden Zelle ein kurzer Stromimpuls zugeführt
(≈ 500 mA; 1 ms).
CMOS-PROM 64 Kbit . . . > 1 Mbit; Zugriffszeit: < 120 . . . 250 ns
Avalanche Induced Migration. Programmierung durch kurzzeitiges An-

legen einer Spannung, die innerhalb der Speicherzelle zum Lawinen-
Durchbruch einer Sperrschicht führt. Ähnlich wirkt die bei einigen FPGA-
Bausteinen verwendete Antifuse-Technologie.
Bild 8.70 zeigt die Prinzipschaltung eines bitorganisierten PROM mit Aus-
brennelementen (FL) in den Speicherzellen der Matrix. Mit einer Binäradresse
(aufgeteilt in Ax und Ay ) wird jeweils eine Zeilenleitung und eine Spaltenlei-
tung auf H (logisch 1) gelegt. Eine der n × m UND-Verknüpfungen wird damit
aktiviert, ihr Ausgang nimmt L (logisch 0) an. Alle UND-Verknüpfungen
bilden zusammen mit dem Widerstand R eine verdrahtete ODER-Verknüpfung
(Wired OR). Ist FL nicht ausgebrannt (ursprünglicher Zustand), dann wird
am Ausgang DO = H (logisch 1) gelesen. Die Programmierung erfolgt durch
einen von außen aufgeprägten Stromimpuls. Das FL der ausgewählten Zelle
brennt durch, und der Datenausgang nimmt DO = L (logisch 0) an. Zur
Programmierung werden vom Hersteller Spannungswerte vorgeschrieben, die
größer sind als die im Lesebetrieb üblichen 5 V. Diese Programmierspan-
nungen dürfen nur kurzzeitig anliegen (z. B. 5 µs). Weiterhin ist bei der
Programmierung eine definierte Ablauffolge einzuhalten.
I Empfehlung: Anwendung entsprechender Programmiergeräte.
Allgemeine Eigenschaften der PROM:
freie Programmierbarkeit,
keine Lösch- oder Umprogrammiermöglichkeit,
Programmierfehler sind nicht behebbar.
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+U
0 R
x0
& FL & FL
Zeilen-
Decoder
n Lese-
xn leitung
Ax
& FL & FL
y0 ym Lese-
Ay m verstärker
0
Spalten-Decoder 1 DO
CE EN
Bild 8.70 PROM-Speichermatrix (vereinfacht)
8.7.3.2 Reprogrammierbare ROM

EPROM
EPROM sind kostengünstige ROM-Bausteine zur mehrmaligen Program-
mierung durch den Anwender.
8
Programmieren: mittels elektrischer Spannung
Löschen: mittels UV-Licht
Das Typenspektrum der EPROM-Standard-Bausteine umfasst z. B. Speicher-
kapazitäten von 64 Kbit (8 K × 8) bis 8 Mbit (1 M × 8). Die Betriebspannungen
betragen 5 V, 3 V oder 2,7 V.
Die EPROM-Speicherzellen bestehen aus FAMOS-Transistoren (Floating Ga-
te Avalanche Injection MOS). Zwischen Auswahlgate und dem P-Substrat
mit eindiffundierten N+ -Zonen für Source und Drain befindet sich im Silici-
umoxid (SiO2 ) ein hochisoliertes Gate ohne elektrischen Anschluss (Floating
Gate), → Bild 8.71 a.
Prinzipielle Wirkungsweise:
Lesen der unprogrammierten (gelöschten) Zelle:
Positive Lesespannung (H-Pegel des Zeilendecoders) liegt am Auswahlgate,
Transistorkanal leitet, Bitleitung wird auf L-Pegel gezogen, Leseverstärker
(Negation) gibt H-Pegel (logisch 1) aus.
Programmieren der Zelle:
Relativ hohe positive Programmierspannung (12 . . . 25 V je nach Typ) liegt am
Drain-Anschluss der ausgewählten Zelle. Mit einem kurzen Programmierim-
puls am Auswahlgate (externe Zuführung über CS oder PGM je nach Typ) wird
kurzzeitig ein hohes elektrisches Feld erzeugt, das die im Substrat befindlichen
Elektronen stark beschleunigt. Lawineneffekt führt zum Durchbruch des SiO2 ,
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Elektronen laden Floating Gate bleibend negativ auf, Schwellspannung Uth

verschiebt sich von Uth1 nach Uth2 (→ Bild 8.71b).
Lesen der programmierten Zelle:
Lesespannung erreicht nicht die erhöhte Schwellspannung Uth2 , Transistorkanal
sperrt, Bitleitung liegt auf H-Pegel, Leseverstärker gibt L-Pegel (logisch 0) aus.
Löschen der programmierten Zelle:
Einwirkung von UV-Licht (Wellenlänge ≈ 250 nm) mit 20 . . . 30 min Dauer,
Elektronenenergie erhöht sich durch Photoneneinfluss, Elektronen fließen in
das Substrat ab.
+U
Wortleitung R
ID
FG Lese-
D strom
G S
U th1 U th2 UGS
a) Bitleitung b) Lesespannung
Bild 8.71 EPROM-Speicherzelle: a) Prinzipschaltung, b) elektrisches Verhalten
Schaltkreisbeispiel: Der EPROM-Baustein 27512 (viele Hersteller) hat eine Spei-

cherkapazität von 512 Kbit (64 K × 8). Betriebsspannung ist 5 V; der Baustein ist
TTL-kompatibel. Die Programmierung erfolgt mit 12,5 V. Die Zugriffszeiten (im
Lesebetrieb) liegen herstellerspezifisch bei 90 . . . 250 ns.
Betriebsarten (→ Tabelle 8.19):

Tabelle 8.19 Betriebsarten des EPROM 27512
Mode CE OE/Vpp A9 A0 D0 . . . D7
Standby H x x x Hi-Z
Lesen L L x x Output
Lesen sperren L H x x Hi-Z
Programmieren L(Impuls 1 ms) Vpp x x Input
Progr. sperren H Vpp x x Hi-Z
Signatur lesen L L Vsig L/H Hersteller/Typ
Hi-Z hochohmiger Zustand (Tristate)

Output Ausgang (8 bit)
Input Eingang (8 bit)
Vpp Programmierspannung (Upp = 12,5 V ± 0,5 V)
Vsig Signaturspannung (Usig = 11,5 V . . . 12,5 V)
I Beachte: Nicht alle Hersteller des 27512 bieten den Signatur-Lesemode an!
I Hinweis: Nur die Verwendung von handelsüblichen Programmiergeräten garan-
tiert eine schnelle und fehlerfreie Programmierung. Der Baustein 27512 unter-
stützt den schnellen Programmier-Algorithmus von INTEL, der mit einer Pro-
grammierimpulszeit von 1 ms arbeitet (statt 50 ms beim Standard-Algorithmus).
Die kürzeste Programmierzeit des gesamten Bausteins beträgt etwa 2 min.
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Allgemeine Eigenschaften der EPROM:

freiprogrammierbare Festwertspeicher in Wortorganisation,
vom Anwender programmierbar, löschbar und reprogrammierbar,
unprogrammiert (gelöscht) liegen alle Zellen auf H-Pegel (logisch 1), pro-
grammiert („gebrannt“) werden die logischen Nullen,
Programmierspannungen und Zeitbedingungen bei verschiedenen Typen
und Herstellern unterschiedlich (Programmiergeräte verwenden),
zum Löschen UV-Löschgeräte benutzen (alle Zellen werden global ge-
löscht), max. 100 . . . 200 Löschvorgänge möglich,

Ausnahme: fensterlose OTP-EPROM sind wie PROM nicht wieder lösch-
bar,
Anwendung: flexibler und zeitlich stabiler Programmspeicher (die gespei-
cherten Daten sind nach Herstellerangaben über 10 Jahre stabil).
EEPROM
EEPROM sind ROM-Bausteine zur mehrmaligen Programmierung durch

den Anwender.

Löschen: selektiv (byteweise) mittels elektrischer Spannung
8
Es wird zwischen parallelen (Parallel EEPROM) und seriellen Bausteinen
(Serial EEPROM) unterschieden. Serial EEPROM sind für verschiedene Bus-
Systeme konzipiert (z. B. I2 C-Bus, Microwire Bus, SPI-Bus). Die 8-Bit-
Datenwörter werden sowohl beim Programmieren als auch beim Lesen über
serielle Zweidraht-Interfaces geführt.
Das Typenspektrum der Parallel-EEPROM-Bausteine umfasst z. B. Speicher-
kapazitäten von 16 Kbit (2 K × 8) bis 512 Kbit (64 K × 8). Die Betriebsspan-
nungen betragen 3,3 V oder 5 V.
Die EEPROM-Speicherzellen sind prinzipiell mit den EPROM-Zellen ver-
gleichbar. Das Speicherelement ist ebenfalls ein FAMOS-Transistor (Floating
Gate Avalanche Injection MOS). Die Besonderheit besteht jedoch in einer
Zone mit extrem dünner Oxidschicht (10 . . . 20 nm) zwischen Floating
Gate und Drain-Gebiet. Durch dieses Tunnel-Oxid können die Elektronen,
beschleunigt durch eine hohe Feldstärke, vom Floating Gate wieder abfließen
(elektrisches Löschen).
Allgemeine Eigenschaften der EEPROM:
freiprogrammierbare Festwertspeicher in Wortorganisation,
vom Anwender wiederholt programmierbar (nach Herstellerangaben bis zu
106 Lösch/Schreibzyklen möglich),
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Programmierspannungen und Zeitbedingungen bei verschiedenen Typen

und Herstellern unterschiedlich (Programmiergeräte verwenden),
Anwendung: zeitlich stabiler Programmspeicher (die gespeicherten Daten
sind nach Herstellerangaben über 10 Jahre stabil),
Anwendung u. a. als Programmspeicher in eingebetteten Systemen (embed-
ded systems).
FLASH-Speicher
FLASH-Speicher sind flexible ROM-Bausteine in verschiedenen techni-

schen Varianten, mit hoher Speicherdichte, zur mehrmaligen Programmie-
rung durch den Anwender.
Technische Varianten:
CMOS-FLASH-EEPROM (Boot Block Flash Memory, Bulk Erase Flash
Memory)
NAND-Flash
NOR-Flash
CMOS-FLASH-EEPROM
Löschen: global (Bulk Erase) und schnell (in 1 s) mittels elektrischer
Spannung (12 V); bei Typen mit 5 V Löschspannung auch
sektorweise
Das Typenspektrum der CMOS-FLASH-Bausteine umfasst z. B. Speicherka-
pazitäten von 256 Kbit (32 K × 8) bis 4 Mbit (512 K × 8).
Schaltkreisbeispiel: Die Bausteine 28F020 (mehrere Hersteller) haben eine
Speicherkapazität von 2 Mbit (256 K × 8). Die Bausteine verfügen über eine
Befehlsregister-Architektur zum Anschluss an einen Mikrocontroller-Systembus.
Die 8-bit-Datenwörter werden sowohl beim Programmieren als auch beim Lesen
über die parallelen Anschlüsse (DQ0 . . . DQ7 ) geführt. Zur Generierung der
internen Programmier- und Löschvorgänge muss neben der Betriebsspannung
5 V (VCC ) noch zusätzlich 12 V (VPP ) zugeführt werden.
I Hinweis: Einige neuere FLASH-Bausteine benötigen nur eine einzige Betriebs-
spannung (VPP = 5 V only). Nur für Schreiben und Lesen wird Strom benötigt
nicht aber für den Datenerhalt.
Allgemeine Eigenschaften der FLASH-EEPROM:
freiprogrammierbare und freilöschbare Festwertspeicher in Wortorganisa-
tion,
vom Anwender schnell programmierbar und auch schnell (elektrisch)
löschbar,
eingebaute Programmierhilfen ermöglichen eine einfache Handhabung
(Anwendung des schnellen Programmier-Algorithmus),
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Bausteine sind EPROM-anschlusskompatibel (Austausch gegen EPROM

der gleichen Typennummer ist möglich),
zum Löschen und Reprogrammieren können die Bausteine auf der Leiter-
platte verbleiben (OBP: On Board Programming; dazu wird das Program-
miergerät über Steckadapter angeschlossen).
NAND-FLASH
Kostengünstige Speicherbausteine mit Page- und Blockorientierung. Eine Pa-
ge besteht zumeist aus 512 Byte, ein Block umfasst dann 32 Pages (16 KByte).
Die Bausteine werden byteweise beschrieben, allerdings müssen sie vorher
blockweise gelöscht werden (keine byteweise Löschung wie bei EEPROM
möglich).
Eigenschaften und Anwendung:
hohe Speicherkapazitäten (bis 16 GByte), kostengünstige Fertigung (in 50-
Nanometertechnik)
USB-Sticks
Flash-Speicherkarten (z. B. CF- und SD-Karten für Digitalkameras)
MP3-Player
NOR-FLASH
Flexible Speicherbausteine mit EEPROM-ähnlichem Verhalten. Geringere 8
Speicherkapazitäten und langsameres Schreiben und Löschen im Vergleich
mit NAND-FLASH. Einfachere BUS-Struktur, dadurch Ankopplung an Mi-
krocontroller ohne zusätzliche Anpssungslogik (glue logic) möglich.
Anwendung:
Speicherung des Boot-Codes in Comptersystemen
Speicherung der Firmware bei eingebetteten Systemen (z. B. in der Unter-
haltungselektronik)
8.7.4 Kombinierte Speicherschaltungen

Speicher-ICs lassen sich kombinieren, um
die Speicherkapazität zu erhöhen oder
den Funktionsumfang zu erweitern.
Zusammenschalten von Speicherschaltkreisen
Zur Vergrößerung der Speicherkapazität können mehrere Chips auf einer
Leiterkarte angeordnet werden. Dabei sind zwei Schaltungsprinzipien zu
unterscheiden:
Vergrößerung der Speicherwortlänge,
Vergrößerung der Speicherwortzahl.
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Im Bild 8.72 ist ein CMOS-SRAM mit 1 Kbit (256 × 4) und Tristate-Ausgän-
gen eingesetzt. Im Bild 8.72 a wird die Wortlänge von 4 auf 8 bit vergrößert.
Im Bild 8.72 b erhöht sich die Wortzahl von 256 auf 512.
Die Adressen müssen an jeden Schaltkreis parallel angelegt werden. Zur Ver-
größerung der Wortzahl sind auch die Dateneingänge und die Datenausgänge
jeweils parallel zu schalten. Außerdem ist eine Auswahllogik erforderlich, für
die eine entsprechende Adresszahl zu reservieren ist (im Beispiel wird die
Auswahl der zwei Bausteine durch die negierte oder direkte Ansteuerung der
CE-Anschlüsse vom 9. Adressbit realisiert).
D0 ... D3 4 bit D0 ... D3 4 bit

DI DI
RAM RAM
A 256 × 4 8 bit A 256 × 4
8 bit bit bit
CE CE
D4 ... D7
DI DI
RAM 4 bit RAM
8 bit A 256 × 4
A 256 × 4
8 bit bit bit
CE CE
1
8 bit
256 × 8 bit 512 × 4 bit
a) b) 9 bit
Bild 8.72 Erhöhung der Speicherkapazität
a) durch Vergrößerung der Wortlänge, b) durch Vergrößerung der Wortzahl
RAM-Speichermodule
SIMM (Single Inline Memory Module)
Arbeitsspeicherbaustein für PC mit mehreren Chips und einer gemein-
samen Kontaktfläche. Bei der 72-PIN-Ausführung (PS/2-Speicher) wird
pro SIMM eine Wortbreite von 32 bit geboten. Bei PC mit Pentium-
Prozessor beträgt die Datenbusbreite 64 bit. Deshalb müssen jeweils zwei
PS/2-SIMM zu einer Speicherbank zusammengefasst werden (2 × 32 bit =
64 bit). SIMM werden mit und ohne Parität gefertigt. Welche Ausführung
erforderlich ist, hängt vom Chipsatz auf dem Motherboard (Hauptplatine)
des PC ab.
DIMM (Dual Inline Memory Module)
Arbeitsspeicherbaustein mit 168 PIN. Unterstützung von 64 bit Speicher-
zugriff.
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8.8 Anwenderspezifische Schaltkreise (ASIC) 503
RAM-Schieberegister
Übliche Schieberegister-Schaltkreise haben nur geringe Speicherkapazitäten
(4 . . . 64 bit). Größere Speicherkapazitäten sind mit RAM-Schieberegistern
zu erzielen. Die Adressen eines bitorganisierten RAM werden durch einen
Zähler im Rhythmus des Schiebetaktes inkrementiert. Beim Taktpegel H wird
die adressierte Speicherzelle gelesen und das Ergebnis in einem D-Flipflop
zwischengespeichert. Beim darauf folgenden Taktpegel L wird die gleiche
Zelle mit der neuen Information beschrieben. Während beim eigentlichen

Schieberegister (→ 8.6.3) die Bits verschoben werden, wird beim RAM-
Schieberegister nur der Adresszeiger verschoben (ähnlich wie bei FIFO-
Speichern).
8.8 Anwenderspezifische Schaltkreise (ASIC)
ASIC (Application Spezific IC) sind Schaltkreise, die für spezifische

Anwendungsfälle entworfen werden und eine Vielzahl von Schaltungen
aus Standardschaltkreisen ersetzen können.
Standardschaltkreise werden vom Hersteller entwickelt und vollständig

konfektioniert.
8
Der Entwurf erfolgt entweder auf Kundenwunsch voll beim Hersteller (Full
Custom IC) oder unter Mitwirkung des Anwenders (Semi Custom IC). Dafür
stellt der Schaltkreishersteller geeignete CAD-Software zur Verfügung. Frei
programmierbare Logikbausteine werden wie Standard-IC angeboten und sind
vom Anwender zu konfigurieren (→ Bild 8.73).
Anwenderspezifische
Schaltkreise (ASIC)
Semi-Kunden- Voll-Kunden-
Frei programmierbare
schaltkreise schaltkreise
Logikschaltkreise
(Semi Custom IC) (Full Custom IC)
Einfache PLD Komplexe PLD Gate-Array- Standardzellen-

(SPLD) (CPLD) Logik Logik
Programmierbare Reprogrammierbare Feldprogrammier-

PLD (PAL) PLD (GAL) bare Gate Array
(FPGA)
Bild 8.73 Übersicht zu anwenderspezifischen Schaltkreisen
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8.8.1 Merkmale von ASIC-Strukturen
Vollkundenspezifische IC (Full Custom IC)

werden auf Transistorebene vom Hersteller entwickelt. Alle Masken müssen
entsprechend der Lösung entworfen werden. Damit ergeben sich hohe Ent-
wicklungskosten und längere Lieferzeiten. Bei extrem hohen Stückzahlen und
scharfen Forderungen an die Eigenschaften der ICs kann diese Variante in
Erwägung gezogen werden.
Gate-Array-Technik (Gate Array Technique)

ist ein Entwurfskonzept, das eine Mitwirkung des Anwenders ermöglicht
(Semi Custom IC), auch wenn keine speziellen Kenntnisse der Halblei-
tertechnologie vorhanden sind. Ein Gatearray besteht aus einem Master-
Chip mit einer größeren Anzahl vorgefertigter Halbleiterstrukturen (Dioden,
Transistoren, Gatter, Flipflop usw.), zunächst ohne feste Verbindungen. Der
Anwender entwirft entsprechend der gewünschten Lösung die Verbindungs-
technik, die dann vom IC-Hersteller realisiert wird. Nicht benötigte Strukturen
bleiben offen. Neuere Gatearray-Familien werden z. B. in 0,25-µm-HCMOS-
Technologie gefertigt. Die Zellenbibliotheken enthalten mehr als 200 SSI-

und E/A-Funktionen sowie über 150 MSI-Makros. Damit lassen sich ICs
entwickeln, die bis zu 200 000 nutzbare Gatter enthalten können. Dabei stehen
über 20 verschiedene Array-Größen zur Verfügung.
Standardzellentechnik (Standard Cell Technique)
ist ein Entwurfskonzept, das eine Mitwirkung des Anwenders nur bedingt
ermöglicht (Custom IC). Cellarrays haben im Gegensatz zum Gatearray keine
vorgefertigte Wafer-Struktur. Auf der Grundlage einer Zellenbibliothek wer-
den auf dem Chip nur die für die kundenspezifische Lösung erforderlichen
Strukturen realisiert. In der Fertigung müssen jedoch alle Maskenschritte
durchlaufen werden (höhere Kosten).
Analoge ASIC (PAC: Progammable Analog Cell, FPAA: Field Programmable
Analog Array)
basieren auf Matrixstrukturen aus integrierten Operationsverstärkern (→ 7.4),
ergänzt z. B. durch programmierbare Schalter aus SRAM (→ 8.7.2) und
Widerstände aus geschalteten Kondensatoren (SC, → 7.5.3).
Programmierbare Logik (PLD: Programmable Logic Device), (→ 8.8.2)
Komplexe PLD (CPLD: Complex PLD), (→ 8.8.2.3)
Feldprogrammierbare Gate Array (FPGA: Field Programmable Gate Ar-
ray), (→ 8.8.2.4)
LCA: Logic Cell Array, firmenspezifische Bezeichnung für FPGA
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8.8.2 Einfache PLD
Programmierbare Logikbausteine (PLD) sind anwenderprogrammierba-

re Funktionsspeicher. Sie werden in vielen Varianten mit herstellerspezifi-
schen Bezeichnungen angeboten.
PLD ist ein Entwurfskonzept, das auf der Grundlage von programmierbaren
Standard-IC die Realisierung anwenderspezifischer Lösungen geringer Kom-
plexität ermöglicht. Bei freier Programmierbarkeit der Bausteine (ähnlich wie

bei PROM/EPROM) obliegt der Schaltungsentwurf voll dem Anwender. Die
PLD-Strukturen bestehen im Wesentlichen aus zwei Speichermatrizen (UND-
Matrix; ODER-Matrix).
Einfache PLD (SPLD: Simple PLD) sind Matrix-Strukturen ohne Makrozel-
len (PAL) oder solche mit zusätzlichen Makrozellen (GAL).
Vergleich zwischen PLD und PROM

Baustein UND-Matrix ODER-Matrix
PLA programmierbar programmierbar

PAL/GAL programmierbar fest verdrahtet
PROM/EPROM fest verdrahtet programmierbar
8
I Hinweis: Bei Tabellenspeichern (PROM/EPROM) wird die festverdrahtete UND-
Matrix durch den Adress-Decoder verkörpert.
Eine Anwendung von wortorganisierten PROM/EPROM als Funktionsspeicher ist
ebenfalls möglich. Die Logik-Variablen sind dazu an die Adresseingänge zu legen.
Allerdings entstehen dabei an den Datenausgängen stets kanonisch disjunktive
Normalformen (KDNF → 8.2.3). Derartige Funktionskonstruktionen sind nur bei
kleinen Speicherkapazitäten sinnvoll. Anwendung z. B. als LUT mit 5 Eingängen
(→ 8.8.2.4).
8.8.2.1 PAL-Grundstrukturen
Einfache PAL (Programmable Array Logic) bestehen intern aus ei-

ner programmierbaren UND-Matrix sowie einer festverdrahteten ODER-
Matrix.
PAL sind Funktionsspeicher; sie speichern Boole’sche Funktionen in disjunk-

tiver Normalform (→ Bild 8.74).
Die Programmierung erfolgt durch den Anwender typbezogen entweder nach
dem Ausbrennverfahren (fusible link → 8.7.3.1) oder der technologischen
Umkehrung (Antifuse). Dazu werden handelsübliche Programmiergeräte ver-
wendet.
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Statt der physikalisch realen logischen Verknüpfungen, z. B. über Dioden-und

Transistormatrizen, werden zur besseren Übersicht symbolisch UND- bzw.
ODER-Gatter gezeichnet. Firmentypische Logikdiagramme verwenden dabei
zumeist die Logiksymbole der US-Norm. Bei der Leitungsführung werden
Punkte für feste Verbindungen und Kreuze für programmierte Verbindungen
dargestellt (→ Bild 8.74).
20 Spalten
x1 1
programmierbare
UND-Matrix
x x & ≥1
y1
x x &
x2 1
x3 y2
y8 Bild 8.74 PAL-Struktur in

x10
vereinfachter Darstellung
Kennwerte von PAL mit kombinatorischer Logik

Zahl der Eingänge n,
Zahl der Ausgänge m,
Zahl der Übergänge p,
Ausgangsaktivität (H oder L).
Beispiel: PAL 10 H 8 (→ Bild 8.74):
Der Chip hat n = 10 Eingänge (es lassen sich maximal 10 Binärvariablen negiert
oder direkt verknüpfen), m = 8 Ausgänge (maximal 8 Boole’sche Funktionen
in disjunktiver Form sind bildbar), p = 2 Übergänge von der UND-Matrix zur
ODER-Matrix sind pro Ausgang möglich (maximal 2 Elementarkonjunktionen
können pro Ausgang disjunktiv verknüpft werden). Die Ausgänge sind H-aktiv.
Programmiert wurde im Bild 8.74:
y1 = x 1 x 2 ∨ x1 x2
PAL 10 L 8:
Die Ausgänge sind L-aktiv (im Bild 8.74 sind die ODER-Verknüpfungen durch
NOR zu ersetzen). PAL-Bausteine unterscheiden sich durch die Verknüpfungspa-
rameter (n; m; p) und die Architektur der Ausgangsschaltungen.
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PAL-Ausgangsschaltungen:
L-aktiver Ausgang,
H-aktiver Ausgang,
TS-Ausgang,
Register-Ausgang.
x1 1
&
programmierbare
UND-Matrix
&
EN
_1
& > x/y
&
1
8
x2
Bild 8.75 PAL-Fragment mit bidirektionalem Anschluss x/y
Verwendung von PAL mit erweiterten Ausgangsschaltungen (TS-Ausgänge;

Register-Ausgänge):
Ausgangssignale können intern auf Eingänge zurückgeführt werden (Rea-
lisierung von sequenzieller Logik),
die entsprechenden Anschlüsse können wahlweise als Ein- oder Ausgänge
verwendet werden (bidirektionales Verhalten).
Bild 8.75 zeigt ein Fragment eines PAL mit kombinatorischer Logik und
Rückkopplung über Tristate-Puffer. TS-Ausgänge werden über die PAL-Logik
von programmierbaren Eingängen aus freigegeben (EN = H) oder gesperrt
(EN = L). Es ergibt sich ein bidirektionales Verhalten. Die gesperrten Aus-
gängen werden zu Eingängen. Damit lässt sich die Zahl der Eingänge auf
Kosten der Ausgänge erhöhen.
Beispiel: PAL 20 L 10 (→ Bild 8.75):
Der Chip hat neben der Stromversorgung 22 Anschlüsse. Davon sind 8 bidirektio-
nal. Werden 20 Eingänge benötigt, dann verbleiben nur 2 Ausgänge. Werden 10
Ausgänge benötigt, dann verbleiben nur 12 Eingänge.
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8.8.2.2 Reprogrammierbare PLD
Reprogrammierbare PLD sind PLD mit PAL-Matrixstruktur und zusätzli-

chen programmierbaren Makrozellen, elektrisch programmierbar und elek-
trisch löschbar. Firmenspezifische Unterschiede in der Architektur dieser
zumeist sehr komplexen Bausteine führen auch zu uneinheitlichen Bezeich-
nungen (z. B. GAL: Generic Array Logic; PEEL: Programmable Electrically
Erasable Logic, EEPLD: Electrically Erasable PLD).
GAL-Strukturen (→ Bild 8.76)
CLK
I1 8
Makrozelle I/O/Q1
(OLMC)
I2
Programmierbare
UND-Matrix
8
(64x32) Makrozelle I/O/Q2
(OLMC)
8 Makrozelle I/O/Q8
(OLMC)
I8
I/OE
Bild 8.76 Darstellung einer GAL-Struktur
Beispiel: Der Baustein GAL 16 V 8 (Lattice) verfügt neben den Anschlüssen für
die Stromversorgung über 16 Eingänge und 8 Ausgänge. Jedem der 8 Ausgänge
ist eine programmierbare Makrozelle (OLMC: Output Logic Macrocell) zuge-
ordnet. Weiterhin sind ein Takteingang (CLK) und eine Freigabeeingang (OE)
vorhanden. Dank der Makrozellen kann dieser universelle GAL-Baustein bis zu
21 einfache PAL-Bausteine emulieren, u. a. 16R8, 16H8, 16P2.
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GAL-Makrozellen (→ Bild 8.77)

Die Makrozellen können in verschiedenen Modi betrieben werden:
Register-Modus (registered mode)
komplexer Modus (complex mode)
einfacher Modus (simple mode)
Im komplexen und im einfachen Modus ist nur kombinatorische Logik

möglich. Dagegen bietet der Register-Modus sowohl eine kombinatorische

(combinatorial) als auch eine sequenzielle Konfiguration (registered). Bild
8.77 zeigt die Makrozelle in der sequenziellen Konfiguration (registered confi-
guration for registered mode). Die Schaltung enthält ein getaktetes D-Flipflop
mit einer Rückführung in die UND-Matrix. Dadurch ist eine Programmierung
von Schaltwerken (sequenzielle Logik) möglich. Der PIN XOR definiert den
Ausgang L-aktiv (XOR = 0) oder H-aktiv (XOR = 1).
CLK
OE
&
& 8
&
& 1 =1 D
C o
&
&
&
&
XOR
Bild 8.77 Makrozelle (OLMC) in sequenzieller Konfiguration
Bezeichnungsbeispiel: Gekennzeichnet werden Bausteintyp sowie Verzögerungs-

zeit, Verlustleistungsgruppe und Gehäuseart (z. B. GAL16V8D-3LJ: GAL16V8D
ist der Bausteintyp, 3 bedeutet 3,5 ns, L ist LowPower, J bezeichnet ein PLCC-
Gehäuse, quadratisch mit 20 Kontakten).
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Hinweise zur Programmierung:

Für die Programmierung der GAL-Bausteine werden handelsübliche Uni-
versal-Programmiergeräte verwendet. Damit können sowohl EPROM als
auch GAL programmiert werden.
Der elektrischen Programmierung muss ein rechnergestützter Entwurf vor-
ausgehen. Dafür ist entsprechende Compiler-Software, wie z. B. ABEL,
CUPL, PLDesigner, verfügbar.
8.8.2.3 Komplexe PLD (CPLD)
Komplexe PLD (CPLD: Complex PLD) bestehen in vielen kaskadierten,

integrierten PAL-Strukturen (Basiszellen). Das logische Verhalten wird im
Wesentlichen durch die Programmierung der großen Basiszellen bestimmt
(grobe Granularität). Die Verbindungstechnik ist hierbei wenig flexibel.
IOE IOE IOE IOE IOE IOE
LAB LAB LAB
Logic Logic Logic

IOE Element Element Element
Logic Logic Logic

MTI MTI MTI
LAB LAB LAB

Logic Logic Logic
IOE
Element Element Element
Logic Logic Logic

MTI MTI
Bild 8.78 Blockschaltbild eines CPLD (nach Firmen-Dokumentation)
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Weiterentwicklung einfacher PLD (SPLD), bestehend aus einer Vielzahl von

Makrozellen-Blöcken (LAB: Logic Array Block), wobei jeder LAB aus einer
großen Zahl von Logik-Elementen (LE: Logic Element) besteht. Die LAB
werden durch Bus-Systeme miteinander verbunden und sind über bidirektio-
nale Eingabe-/Ausgabeelemente (IOE) ansteuerbar. Die Verbindungsmatrix
ist ein wesentliches Kriterium der CPLD, sie kann Gitter- und/oder Multiple-
xerstruktur aufweisen. Die Bezeichnungen sind herstellertypisch (z. B. Altera:
MIT: Multi Track Interconnect, Atmel: Global Bus).
Bild 8.78 zeigt das Blockschaltbild der MAX II-Familie von Altera. Die
Bausteine werden als Flash-Memories in 0,18-µm-Technologie hergestellt.
Das Angebot reicht vom Baustein EPM240 mit 240 LE und 192 LAB bis
EPM2210 mit 2210 LE und 1700 LAB.
8.8.2.4 Feldprogrammierbare Gate Array (FPGA)
FPGA bestehen aus vielen integrierten Basiszellen (CLB). Das logische

Verhalten wird im Wesentlichen durch eine flexible, komplexe Verbin-
dungstechnik bestimmt und weniger durch die Programmierung der klei-

nen Basiszellen (feine Granularität).
Bild 8.79 zeigt eine vereinfachte FPGA-Struktur. Da es erhebliche firmen- 8

spezifische Unterschiede gibt, sind auch Strukturbilder und Bezeichnungen
uneinheitlich.
Bestandteile von FPGA:
CLB konfigurierbarer Logikblock (Configurable Logic Block)
PSM programmierbare Schaltmatrix (Programmable Switching Matrix)
CM Verbindungsmatrix (Connectivity Matrix)
IOB konfigurierbarer Ein-/Ausgabeblock (Input Output Block)
LUT (Look Up Table) – dies sind Logiktabellen,
abgelegt in Speicherbausteinen (→ 8.7.2)
MUX Multiplexer, (→ 8.4.2)
SR Schieberegister (→ 8.6.3)
DFF D-Flipflop (→ 8.5.2 )
FPGA bestehen im Wesentlichen aus einer Vielzahl verhältnismäßig einfach
strukturierter Elemente, den matrixförmig angeordneten CLB. Hauptbestand-
teile der CLB sind die LUT sowie DFF und MUX. Ein 4-Eingangs-LUT ist
ein SRAM aus 4 × 4-Speicherzellen. Durch 4 Eingangsbelegungen lassen sich
16 Boole’sche Funktionen erzeugen.
Über PSM können alle CLB miteinander verbunden werden. Das gesamte
Array ist in unmittelbarer Nähe der Bondinseln mit IOB bestückt, die sich
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ähnlich wie bei PLD konfigurieren lassen. Hinsichtlich Strukturen und Daten
gibt es viele herstellertypische Besonderheiten.
IOB
CLB CM CLB
IOB
IOB
CM PSM CM
CLB CM CLB
Bild 8.79 Allgemeine
FPGA-Struktur (stark
IOB
vereinfacht)
Schaltkreisbeispiel: Xilinx Virtex-5 Family (4 Unterfamilien: LX, LXT, SXT

and FXT Platforms), hergestellt in 65-nm-Cu-CMOS Technologie. Schaltkrei-

se für allgemeine Logik-Anwendung LX30 bis LX330 (Bezeichnung: z. B.
XC5VLX330), → Tabelle 8.20.
Tabelle 8.20 Übersichtsdaten FPGA

(nach Firmendokumentation Xilinx: Virtex-5 LX Platform)
Typen-Nr. LX30 LX50 LX85 LX110 LX220 LX330
CLB Array 80×30 120×30 120×54 160×54 160×108 240×108
Slices 4800 7200 12960 17280 34560 51840
Logik-Zellen 30720 46080 82944 110592 221184 331776
CLB FF 19200 28800 51840 69120 138240 207360
RAM (Kbit) 1152 1728 3456 4608 6912 10368
DCM 4 12 12 12 12 12
PLL 2 6 6 6 6 6
IO Pins 400 560 560 800 800 1200
IO Bänke 13 17 17 23 23 33
DSP48E 32 48 48 64 128 192
Config. (Mbit) 8,4 12,6 21,8 29,1 53,1 79,7
CLB Array: Zeilen × Spalten
CLB FF: FlipFlop
RAM: gesamte Block-RAM-Kapazität
DCM: Digital Clock Manager
PLL: Phase Locked Loop (Phasenregelkreis)
IO: Ein-/Ausgabe
DSP48E: Signalprozessoren
Config.: Konfigurationsspeicher
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Merkmale von FPGA:

CLB Array-Größe bis 240 Zeilen × 108 Spalten
550-MHz-Taktsystem (bis zu 12 Takt-Manager)
bis zu 207.360 × 6-Eingangs-LUT (optional 5-Eingangs-Dual-LUT)
wahlfreie Konfigurierung der LUT auch als kaskadierbare 32-Bit-SR oder
als 64-Bit-RAM
bis zu 51.840 konfigurierbare Slices (jeder CLB besteht aus zwei gleichen
Blöcken – slices) mit 4 Funktionsgeneratoren (4 × RAM, ALU, MUX und
Look-ahead carry)
bis zu 192 kaskadierbare DSP48E-Slices (Signalprozessoren), Zweierkom-
plement-Multiplizierer und 48-Bit-Recheneinheiten
Hybrid-FPGA (Xilinx Virtex 4FX) enthalten zusätzlich ein oder zwei Hard-
cores (Computer-Kerne). Dadurch gewinnt man Schnelligkeit und Flächen-
ausnutzung, büßt aber Flexibilität ein.
Vorteile von FPGA:

parallele Datenverarbeitung, deshalb schneller als Prozessoren mit gleicher
Taktfrequenz
schnelle Echtzeitverarbeitung einfacher Algorithmen (z. B. digitale Signal-

verarbeitung, Ethernet, GPRS) bei großen Datenströmen
wesentlich geringere Entwicklungskosten gegenüber maskenprogrammier- 8
ten ASIC (Gate Array)
sehr kurze Implementierungszeiten
Wirtschaftlichkeit auch bei kleinen Stückzahlen und Prototypen
Nachteile von FPGA:

durch Blockarchitektur und frei programmierbaren Signalfluss keine exakte
Vorausberechnung von Verarbeitungszeiten möglich
SRAM-basierte FPGA (Xilinx, Altera) müssen bei jedem Systemstart
durch zusätzliche Hardware initialisiert werden. Dazu sind EEPROM oder
Mikrocontroller mit Flash-Speicher notwendig, die mit der aktuellen Kon-
figuration geladen sind.
höherer Energiebedarf
Entwurfswerkzeuge:
Firmware für FPGA kann mit Hardware-Beschreibungssprachen (z. B.
VHDL, Verilog → 8.9.4) erstellt werden.
Außerdem können herstellerspezifische Sprachen genutzt werden (z. B.
Altera-HDL, ABEL-HDL).
Zur Implementierung eingebetteter Systeme sind Werkzeuge auf Funkti-
onsblockebene geeignet (z. B. Xilinx EDK (Embedded Development Kit).
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8.9 Ergänzende Informationen
8.9.1 Code-Arten
Tetradische Codes
Die Codes unterscheiden sich durch die Wertigkeit der einzelnen Bits und die
Anordnung der Pseudotetraden (PT).
Dualcode BCD-Code Aiken-Code Dreiexzess-Code Gray-Code

Wertigkeit Wertigkeit Wertigkeit Ohne Ohne
8421 8421 2421 Wertigkeit Wertigkeit
LLLL 0 LLLL 0 LLLL 0 PT LLLL 0
LLLH 1 LLLH 1 LLLH 1 PT LLLH 1
LLHL 2 LLHL 2 LLHL 2 PT LLHL 3
LLHH 3 LLHH 3 LLHH 3 LLHH 0 LLHH 2
LHLL 4 LHLL 4 LHLL 4 LHLL 1 LHLL 7
LHLH 5 LHLH 5 PT LHLH 2 LHLH 6
LHHL 6 LHHL 6 PT LHHL 3 LHHL 4

LHHH 7 LHHH 7 PT LHHH 4 LHHH 5
HLLL 8 HLLL 8 PT HLLL 5 PT
HLLH 9 HLLH 9 PT HLLH 6 PT
HLHL 10 PT PT HLHL 7 PT
HLHH 11 PT HLHH 5 HLHH 8 PT
HHLL 12 PT HHLL 6 HHLL 9 HHLL 8
HHLH 13 PT HHLH 7 PT HHLH 9
HHHL 14 PT HHHL 8 PT PT
HHHH 15 PT HHHH 9 PT PT
Nichttetradische Codes
Bekannte Codes sind z. B.:
Dezimalcode (1-aus-10): Von 10 bit ist jeweils 1 bit logisch 1 (H)
2-aus-5-Code: Von 5 bit sind jeweils 2 bit logisch 1 (H)
Siebensegment-Code: Von 7 bit (entsprechend den Segmenten a bis g der
Anzeigeelemente) sind diejenigen Bits aktiv (L-aktiv oder H-aktiv je nach
Ansteuerung), die zur Darstellung der entsprechenden Ziffer führen.
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8.9 Ergänzende Informationen 515
Fehlererkennbare Codes
Dezimalzahl Dualcode mit Prüfbit Hamming-Code
(gerade Parität) (3 Prüfbit: k0 ; k1 ; k2 ;)
Wertigkeit 8 4 2 1 p k0 k1 8 k2 4 2 1
0 L L L L L L L L L L L L
1 L L L H H H H L H L L H
2 L L H L H L H L H L H L
3 L L H H L H L L L L H H
4 L H L L H H L L H H L L
5 L H L H L L H L L H L H
6 L H H L L H H L L H H L
7 L H H H H L L L H H H H
8 H L L L H H H H L L L L
9 H L L H L L L H H L L H
10 H L H L L H L H H L H L
11 H L H H H L H H L L H H
12 H H L L L L H H H H L L
13 H H L H H H L H L H L H
14 H H H L H L L H L H H L
15 H H H H L H H H H H H H
I Hinweise: Zur Fehlererkennung muss die Wortlänge mc des Codes größer als die
Mindestwortlänge m sein.
Mindestwortlänge m für v zu codierende Zeichenkombinationen: 8

m = ld v ≈ 3,322 · lg v
Redundanz R
R = mc − m
Je größer die Redundanz (Weitschweifigkeit) ist, desto sicherer können über-
tragungsbedingte Fehler im Code erkannt werden. Zur Erkennung von Ein-
fachfehlern (1 falsches Bit) wird 1 Prüfbit ergänzt.
Parität (parity)
gerade Parität (parity even),
ungerade Parität (parity odd).
Bei gerader Parität wird Zahl der Einsen im Codewort zur geraden Zahl
ergänzt.
Fehler-Lokalisierung
Die Anzahl der erforderlichen Prüfbits p wächst mit der Datenwortbreite m:
m = 1 . . . 4 bit erfordern p = 3 Prüfbit,
m = 5 . . . 11 bit erfordern p = 4 Prüfbit,
m = 12 . . . 26 bit erfordern p = 5 Prüfbit.
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Alphanumerische Codes
Alphanumerische Codes verschlüsseln Buchstaben, Zahlen, Symbole und

Befehle.
ASCII-Code
Im ASCII-Code (American Standard Code for Information Interchange) sind
Ziffern, Buchstaben, Symbole sowie Steuerbefehle für Computer, Drucker
und Geräte der Telekommunikation verschlüsselt.

I Beispiele:
Dezimalziffer 9 39 (H) = 57 (D)
Großbuchstabe M 4D (H) = 77 (D)
Kleinbuchstabe k 6B (H) = 107 (D)
Symbol # 23 (H) = 35 (D)
Steuerzeichen <LF> line feed (Zeilenvorschub) 0A (H) = 10 (D)
Der 7-Bit-ASCII-Code wird mit einigen länderspezifischen Zeichen ausge-

stattet. Der Symbolsatz ISO 21 (Deutschland) berücksichtigt z. B. die Umlaute
(Ä, Ö, Ü, ä, ö, ü) sowie ß.
I Beispiele:
Umlaut Ä 5B (H) = 91 (D)
Buchstabe ß 7E (H) = 126 (D)
Der 8-Bit-ASCII-Code ergänzt entweder den 7-Bit-Code um ein Paritäts-

bit oder er liefert weitere Symbole, so z. B. im Symbolsatz IBM-PC (US-
Zeichensatz).
I Beispiele:
Summenzeichen ∑ E4 (H) = 228 (D)
Griechischer Buchstabe π E3 (H) = 227 (D)
8.9.2 Zahlensysteme
Ein Zahlensystem ist eine geordnete Menge von Ziffern zur Darstellung
der natürlichen Zahlen.
Zahlenaufbau:
Alle modernen Zahlensysteme (im Gegensatz zu antiken) sind Stellenwert-
systeme, d. h., der Wert einer Ziffer Zi hängt von ihrer Position i innerhalb der
Zahl z ab:
n
z = ∑ Zi b i = Zn b n + Zn−1 b n−1 + . . . + Z1 b + Z0
i=0
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Beispiele:
Dezimalzahl 125 (D) = 1 · 102 + 2 · 101 + 5 · 100
Binärzahl 101 (B) = 1 · 22 + 0 · 21 + 1 · 20 = 5 (D)
Hexadezimalzahl 1AF(H) = 1 · 162 + 10 · 161 + 15 · 160 = 431 (D)
Liste der natürlichen Zahlen 0 . . . 20 D

Dezimal- Binär- Oktal- Hex- Dezimal- Binär- Oktal- Hex-
zahlen zahlen zahlen zahlen zahlen zahlen zahlen zahlen
(D) (B) (Q) (H) (D) (B) (Q) (H)

0 0 00 00 11 1011 13 0B
1 1 01 01 12 1100 14 0C
2 10 02 02 13 1101 15 0D
3 11 03 03 14 1110 16 0E
4 100 04 04 15 1111 17 0F
5 101 05 05 16 10000 20 10
6 110 06 06 17 10001 21 11
7 111 07 07 18 10010 22 12
8 1000 10 08 19 10011 23 13
9 1001 11 09 20 10100 24 14
10 1010 12 0A
Zahlenkonvertierung
Umwandlung von Dezimalzahlen in ein beliebiges Zahlensystem (Reste- 8
Methode): Die Dezimalzahl wird solange durch die Basis b dividiert, bis das
Ergebnis null ist. Die entstehenden Reste ergeben in umgekehrter Folge die
gesuchte Zahl.
Beispiel: Dezimal → Dual
135 : 2 = 67 R. 1 33 : 2 = 16 R. 1
67 : 2 = 33 R. 1 16 : 2 = 8 R. 0 ↑
8 : 2 = 4 R. 0 2 : 2 = 1 R. 0
4 : 2 = 2 R. 0 1 : 2 = 0 R. 1 ↑
Ergebnis: 135 (D) = 10000111 (B)
Umwandlung von Dualzahlen in Hexadezimalzahlen

Die Dualzahl wird, von rechts (bzw. vom Komma) beginnend, zu Tetraden
(Vierergruppen) zusammengefasst. Die äußeren Tetraden sind dabei ggf. mit
Nullen aufzufüllen. Zu jeder Tetrade wird dann mit der Tabelle in 8.9.2
die entsprechende Hex-Zahl bestimmt. Diese Methode ist auch umgekehrt
anwendbar (H → B).
Beispiel: Dual → Hexadezimal
0010 / 1110 / 1101 / 0111
2 E D 7
Ergebnis: 10111011010111 (B) = 2ED7 (H)
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Relative Dualzahlen mit Vorzeichenbit und 4 Betragsbit
Dez. Vorzeichen Einer- Zweier- Offset-

Dual und Betrag komplement komplement binär
+0 0.0000 0.0000 0.0000 0.0000
−0 1.0000 1.1111 0.0000 1.0000
−1 1.0001 1.1110 1.1111 0.1111
−2 1.0010 1.1101 1.1110 0.1110
−3 1.0011 1.1100 1.1101 0.1101

−4 1.0100 1.1011 1.1100 0.1100
−5 1.0101 1.1010 1.1011 0.1011
−6 1.0110 1.1001 1.1010 0.1010
−7 1.0111 1.1000 1.1001 0.1001
−8 1.1000 1.0111 1.1000 0.1000
−9 1.1001 1.0110 1.0111 0.0111
−10 1.1010 1.0101 1.0110 0.0110
−11 1.1011 1.0100 1.0101 0.0101
−12 1.1100 1.0011 1.0100 0.0100
−13 1.1101 1.0010 1.0011 0.0011
−14 1.1110 1.0001 1.0010 0.0010

−15 1.1111 1.0000 1.0001 0.0001
−16 1.0000 0.0000
Beispiel: Im 8-bit-Format sind 256 Zeichen codiert. Bei Verwendung des Zweier-
komplementes mit Vorzeichenbit wird der Zahlenbereich
−128 (D) = 1.0000000 (B) . . . + 127 (D) = 0.1111111 (B) erfasst.
8.9.3 Schaltkreis-Listen
I Hinweise:
Die Listen beziehen sich auf TTL-Schaltkreise und pinkompatible CMOS-
Schaltkreise (HCT, ACT, → Tabelle 8.7)
Die Typen-Nummern werden von 7400 bis 74200 aufgeführt /8.27/. Das Typen-
sortiment umfasst weiter die Nummern 74201 bis 74640 /8.28/ sowie 74641 bis
7430640 /8.29/.
Nicht alle Typen-Nummern sind in allen Baureihen verfügbar. Außerdem gibt
es herstellerspezifische Einschränkungen.
Standardschaltkreise (nach Funktionsgruppen geordnet)

NAND-Gatter (z. B. 7400)
NOR-Gatter (z. B. 7402)
UND-Gatter (z. B. 7408)
ODER-Gatter (z. B. 7432)
XOR-Gatter (z. B. 7486)
Inverter (z. B. 7404)
Volladdierer (z. B. 7483)
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Multiplexer (z. B. 74151)

Decoder/Demultiplexer (z. B. 74138)
7-Segmentanzeige-Decoder (z. B. 7447)
Flipflop (z. B. 7474)
Binärzähler (z. B. 74191)
Dezimalzähler (z. B. 74192)
Parallelregister (z. B. 74175)
Schieberegister (z. B. 74195)
RAM-Speicher (z. B. 74189)

Monoflop (z. B. 74122)
Abhängigkeitsarten (nach DIN 40 900 Teil 12)

Mit der Abhängigkeitsnotation werden die Beziehungen zwischen Ein- und
Ausgängen bei digitalen Elementen angegeben, ohne die entsprechenden
Elemente und Verbindungen detailliert darzustellen.
Abhängigkeit Kürzel Wirkung auf Ausgang bei Wirkung auf Ausgang bei
Eingang im 1-Zustand Eingang im 0-Zustand
Adresse A Auswahl Adresse keine Auswahl

Freigabe EN Aktion erlaubt keine Aktion
Mode M Auswahl Betriebsart keine Auswahl
Negation N Negiert Zustand keine Wirkung 8
Oder V Bewirkt 1-Zustand Aktion erlaubt
Rücksetzen R wie R = 1 und S = 0 keine Wirkung
Setzen S wie S = 1 und R = 0 keine Wirkung
Steuerung C Aktion erlaubt keine Aktion
Takt
Und G Aktion erlaubt Bewirkt 0-Zustand
Verbindung Z Bewirkt 1-Zustand Bewirkt 0-Zustand
Beispiel: Die Verbindungsabhängigkeit (Z) gibt an, dass ein Ausgang seinen
Logikzustand anderen Ausgängen (oder auch Eingängen) aufzwingt.
Am Parallel-Übertragsausgang (PIN 12) des Zählerbausteins 74LS190 (→ Bild
8.54) steht die Notation „3(CT = 9)Z6“. Dies bedeutet: Beim Aufwärtszählen „3“
wird mit dem 9. Takt der Ausgang aktiv. Am negierten Ripple-Carry-Ausgang
(PIN 13) steht die Notation „6, 1, 4“. Die Verbindung „Z6“ erzwingt eine halbe
Taktperiode später L-Aktivität am Ripple-Carry-Ausgang.
8.9.4 Hardware-Beschreibungssprachen
Im Abschnitt 8.2 sind elementare Beschreibungsformen für digitale Schaltun-

gen, z. B. Funktionsmatrix und Logikgleichung, behandelt. Für den manuellen
Entwurf bei niedrigen Integrationsgraden ist die Gatterebene ausreichend. Für
hochintegrierte Schaltkreise, die aus vielen Millionen Transistorfunktionen
bestehen können, müssen die Beschreibungen ein höheres Abstraktionsniveau
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aufweisen. Grundlage dafür sind standardisierte Hardware-Beschreibungs-

sprachen (HDL: Hardware Description Language).
Darstellungsarten einer allgemeinen Schaltungsbeschreibung sind:
Struktur (z. B. innerer Aufbau, Zusammenspiel der Komponenten)
Verhalten (z. B. Reaktion auf Signale, Zeitverhalten)
Geometrie (z. B. Realisierung im Layout, Verdrahtung)
Abstraktionsebenen des Schaltungsentwurfes sind aufsteigend von der

niederen zur höheren Ebene:
1. Transistorebene
2. Gatterebene
3. Register-Transfer-Ebene (RT)
4. Algorithmenebene
5. Systemebene
Der Entwurfsprozess ist heute weitestgehend automatisiert und wird in seiner

Gesamtheit als EDA (Electronic Design Automation) bezeichnet.
Gegenwärtig sind zwei HDL international verbreitet:

VHDL (nach IEEE-Standard 1076 von 1987, aktualisiert 1993)
Verilog (nach IEEE-Standard 1364 von 1995, aktualisiert 2001)
8.9.4.1 VHDL
VHDL (Very High Speed Integrated Circuit Hardware Description Lan-

guage) ist eine technologieunabhängige Beschreibungssprache, die alle
Phasen (Spezifikation, Entwurf, Implementierung) einer hochintegrierten
Schaltkreisentwicklung unterstützt.
Die Schlüsselworte für die Komponentenbeschreibung in VHDL sind:

entity (kennzeichnet den Namen der Komponente und beschreibt die
Schnittstellen – Ports – nach außen)
architecture (beschreibt die funktionellen Eigenschaften einer entity)
configuration (beschreibt die Zuordnung, wenn mehrere architecture zu
einer entity formuliert sind.
Die Schnittstellenbeschreibung (entity) kennzeichnet das Interface eines

Modells (black box) mit Bezeichnungen, Portdeklarationen, Ein- und Ausgän-
gen und verwendeten Variablen, ohne Festlegung von Funktionen und Ver-
knüpfungen. Außerdem können zusätzliche Parameter (generics) vereinbart
werden, die dem Modell zuzuordnen sind (z. B. Verzögerungszeiten).
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Tabelle 8.21 Typen der Ein- und Ausgänge
Typ Art
IN Eingang
OUT Ausgang
INOUT bidirektional
LINKAGE undefiniert
BUFFER gepuffert
Die Architekturbeschreibung (architecture) kennzeichnet die Funktionen

und Verknüpfungen, die ein Modell erfüllen soll. Dazu werden VHDL-
Operatoren vereinbart (→ Tabelle 8.22). Das zu entwerfende System kann
durch mehrere Modelle abgebildet werden (z. B. getrennte Optimierung nach
der Laufzeit und der Verlustleistung). Demzufolge kann es zu einer entity auch
mehrere architecture geben.
Die Zuordnungsbeschreibung (configuration) vereint alle Beschreibungs-
merkmale eines Systems, insbesondere wird die Auswahl verschiedener ar-
chitekture zu einer entity gekennzeichnet.

Tabelle 8.22 VHDL-Operatoren (Auswahl)
Spezifikation Operatoren 8
Logik NOT, AND, OR, NAND, NOR, XOR
Addition, Subtraktion +, -
Vergleich =, <, >, <=, >=
Schieben, Rotieren SSL, SSR, ROL, ROR
Multiplikation, Division, Modulo *, /, MOD
Potenz, Betrag **, ABS
I Beachte: Die in der elementaren Schaltalgebra formulierten Vorrangregeln (→

8.2.2) gelten in VHDL nicht. Alle Logikoperatoren (außer NOT) haben die gleiche
Priorität, sodass bei Verknüpfungen immer Klammern gesetzt werden müssen.
Beispiel 8.1: Die Boole’sche Gleichung y = x3 ∨ x2 x1 lautet in VHDL-Syntax:
y <= NOT x3 OR (x2 AND x1 )
I Merke: <= bedeutet „Signalzuweisung“
Das Signal x3 soll in der Simulation um 10 s verzögert werden. Dieser Para-
meter „delay“ wird durch ein GENERIC-Kommando übergeben.
Die VHDL-Beschreibung einer Schaltung mit dem Namen „Modul“ und der
Funktion „Logik_Beispiel“ lautet dann:
ENTITY Modul IS
GENERIC (x3 delay: TIME := 10 ns) ;
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PORT (x3 , x2 , x1 : IN BIT ;

y : OUT BIT) ;
END Modul ;
ARCHITEKTURE Logik_Beispiel OF Modul IS

BEGIN
y <= NOT x3 OR (x2 AND x1 ) ;
END Logik_Beispiel ;
Prozesse
Ein Prozess (process) beinhaltet die sequenzielle Abarbeitung einzelner

Befehle. Damit lassen sich z. B. Verzweigungen (IF THEN ELSE), Bedin-
gungen (CASE WHEN) und Schleifen (LOOP) formulieren.
Beispiel 8.2: Ein positiv flankengetriggertes D-Flipflop (→ 8.5.2.3) ist in VHDL-

Syntax zu beschreiben:
ENTITY dflipflop IS
PORT (D: IN std_logic ;
CLK: IN std_logic ;
Q: OUT std_logic) ;
END dflipflop ;
ARCHITEKTURE dflipflop_pos OF dflipflop IS
BEGIN
PROCESS (CLK, D)
BEGIN
IF RISING_EDGE (CLK) THEN
Q <= D ;
ELSE
Q <= Q ;
END PROCESS ;
END dflipflop_pos ;
I Beachte:
Rising_Edge ist die ansteigende Taktflanke (0/1 von CLK),
Falling_Edge die fallende (1/0 von CLK),
der Datentyp std_logic bezieht sich auf den TTL-Pegel (→ 8.3.1).
8.9.4.2 Verilog
Verilog ist eine technologieunabhängige Beschreibungssprache, die mit

der Programmiersprache C verwandt ist. Wie auch VHDL unterstützt sie
alle Phasen (Spezifikation, Entwurf, Implementierung) einer hochintegrier-
ten Schaltkreisentwicklung.
Die Beschreibungsstruktur basiert auf der Grundkomponente MODUL

(module). Auf das Schlüsselwort module folgen der Name des Moduls, die
Liste der verwendeten Signale, Anweisungen für die Signaltypen und die
Funktionsbeschreibungen.
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I Merke: Alle Schlüsselworte werden (wie in der Programmiersprache C) klein

geschrieben. Kommentare werden mit // eingeleitet.
Zur Funktionsbeschreibung werden Operatoren, vordefinierte Logikelemen-
te, Blöcke und Befehle für sequenzielles Verhalten verwendet.
Tabelle 8.23 Verschiedene Tabelle 8.24 Bit-Operatoren
Operatoren (Auswahl) (Auswahl)
Symbol Operator Symbol Bit-Operator
! NOT ~ NOT
&& AND & AND
| OR | OR
== GLEICH ^ XOR
!= UNGLEICH
Vordefinierte Logikelemente (primitive) sind z. B. Grundgatter (not, and,

nand, or, nor, xor), Tristate-Treiber, Transistoren, Schalter).
Blöcke enthalten z. B. Anweisungen zur Simulation: initial – der Block wird
nur einmal ausgeführt, always – der Block wird ständig wiederholt.

Befehle für sequenzielles Verhalten sind z. B.:
Verzweigung: if, else 8
Bedingung: case
Schleifen: while, for, repeat
Warten: wait.
Beispiel 8.3: Der Volladdierer (bestehend aus zwei Halbaddierern) nach Bild
8.29 und Gl. (8.25) soll in Verilog unter Verwendung von primitives beschrieben
werden:
module fulladder (xi , yi , ci , ci+1 , si ) ;
input xi , yi , ci ;
output ci+1 , si ;
wire a1 , b1 , c1 ; // a1 = gi
xor (si , xi , yi , ci ) ;
and (a1 , xi , ci ) ;
and (a2 , yi , ci ) ;
and (a3 , xi , yi ) ;
or (ci+1 , a1 , a2 , a3 ) ;
endmodule
I Merke: Der Objekttyp Leitung (wire) beschreibt Verbindungen zwischen Gattern
oder Variablen.
Zur impliziten Beschreibung von Schaltnetzen dient die assign-Anweisung
in Verbindung mit Bit-Operatoren (→ Tabelle 8.24).
Beispiel 8.4: beschreibt den Volladdierer aus Beispiel 3 als Logikfunktion gemäß
Gl. (8.25):
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module fulladder (xi , yi , ci , ci+1 , si ) ;

input xi , yi , ci ;
output ci+1 , si ;
assign si = xi ^ yi ^ ci ;
assign ci+1 = xi & yi | xi & ci | yi & ci ;
endmodule
Die Beschreibung von sequenziellen Schaltungen vereinfacht sich, wenn
nicht von der elementaren Gatterstruktur ausgegangen wird, sondern konse-
quent logische und arithmetische Operatoren benutzt werden.
Beispiel 8.5: Ein 4-Bit-Synchronzähler CTR ist in Verilog zu beschreiben. Folgen-

de Bedingungen sind zu erfüllen: Takt clk, wirksam auf positiver Flanke, Reset bei
res = 1 auf q = 0, Enable bei en = 0.
module CTR (q, clk, res, en) ;
input clk, res, en ;
output [15 : 0] q ; // bei 4 Bit: q = 0 ... 15
reg [15 : 0] q ; // q wird in einem 4-Bit-Register gespeichet
always @ (posedge clk or res)
begin
if (res == 1) q <= 4’ b0 ; // 4-Bit-Binärzahl 0000
else if (en == 0) q <= q +1 ;
end
endmodule
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9 Stromversorgungsschaltungen
Stromversorgungen sind Hilfseinrichtungen zum Betrieb elektronischer

Geräte und Anlagen.
Allgemeines Gliederungs-Merkmal ist die Art der Spannungsumformung

zwischen Ein- und Ausgang:

AC/AC: Wechselspannung in größere oder kleinere Wechselspannung
(Transformator)
AC/DC: Wechselspannung in Gleichspannung (Gleichrichter)
DC/DC: Gleichspannung in größere Gleichspannung
(Gleichspannungswandler-Transverter)
DC/AC: Gleichspannung in Wechselspannung
(Wechselrichter-Zerhacker; Chopper)
9.1 Grundfunktionen konventioneller Netzteile

Das Netzteil (engl. power supply) eines elektronischen Gerätes hat die Auf-
gabe, die zum Betrieb der Halbleiterbauelemente und ICs erforderlichen
Gleichgrößen (Spannungen, Ströme) aus dem Wechselstromnetz (zumeist
220 V,50 Hz) zu gewinnen. Es wird zwischen konventionellen Netzteilen
und Schaltnetzteilen unterschieden. Externe Netzteile (mit eigenem Gehäuse) 9
werden als Netzgeräte bezeichnet. Labor-Netzgeräte sind universell ausge-
legt. Sie bieten einstellbare Ausgangsspannungen mit hoher Genauigkeit und
geringer Restwelligkeit. Hochwertige Geräte sind über serielle Schnittstellen
(RS 232/V24 oder IEEE 448/IEC-Bus) rechnersteuerbar. Interne Netzteile
sind dagegen auf wenige feste Gleichspannungswerte spezialisiert (z. B. +5 V
für TTL-ICs, +/ − 12 V für Operationsverstärker).
Netzteile konventioneller Bauart (→ Bild 9.1) bestehen im Wesentlichen
aus
Netztransformator (TRA),
Gleichrichter (GLR) und
Siebschaltung (SIEB).
Bauteile und Schaltungen zwischen Netz und Trafo:
Steckverbinder (z. B. dreipoliger IEC-Verbinder mit Farbcodierung:
schwarz (Phase), weiß (Null/MP), grün (SL/Erde)),
Ein-/Ausschalter (hier nicht dargestellt),
Sicherung (SI), träge, in der „heißen“ Leitung (Phase) und
HF-Filter (HF-FI) zur Unterdrückung von Hochfrequenzstörungen.
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526 9 Stromversorgungsschaltungen
Die Verwendung von HF-Netzfiltern ist bei konventionellen Netzteilen optio-

nal, aber zweckmäßig. Bei Schaltnetzteilen ist es wegen der Forderung nach
elektromagnetischer Verträglichkeit (EMV) unverzichtbar. Netzfiltermodule
(passive Tiefpässe in π-Schaltung) sind teilweise bereits mit Sicherung und
Schalter kombiniert.
Schaltungen zur Stabilisierung der Gleichspannung (STAB)
Moderne Netzteile müssen hochgesiebte (batterieähnliche), sehr genaue und
hochstabile Gleichspannungen abgeben. Dafür werden zusätzliche Stabili-

sierungsschaltungen, von der Z-Diode bis zum integrierten Spannungsregler,
verwendet. Unstabilisierte Netzteile sind nur für einfachste Anwendungsfälle
sinnvoll.
Weitere Schaltungen erhöhen den technischen Komfort, z. B.
elektronische Strombegrenzung,
Temperaturkompensation.
HF-FI TRA GLR SIEB STAB
SI
220 V/ 50 Hz Gleich-
spannung
Bild 9.1 Blockschaltbild eines Netzteils
9.1.1 Gleichrichtung
Durch Gleichrichtung wird die transformierte Wechselspannung (Sekundär-

spannung) in eine Mischspannung verwandelt, die neben der gewünschten
Gleichspannungskomponente U0AV noch Wechselspannungsanteile (Harmo-
nische) enthält. Die spektrale Zusammensetzung der Mischspannung wird
durch die Fourier-Reihen für Sinus- oder Kosinushalbwellen beschrieben (→
5.1.2.2).
9.1.1.1 Einweggleichrichtung
Bei dieser einfachsten Gleichrichterschaltung wird nur eine Diode benötigt

(→ Bild 9.2a). Bei der positiven Halbwelle leitet die Diode, bei der negativen
sperrt sie. Über dem Lastwiderstand liegt eine Mischspannung aus Sinus- bzw.
Kosinushalbwellen. Es gilt sinngemäß Gl. (5.17).
Wir ersetzen in Gl. (5.17) die allgemeine Amplitude A durch die Amplitude
der Sekundärspannung und brechen die Reihe nach der 2. Harmonischen ab.
√
A = û2 = 2Ũ2 (9.1)
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9.1 Grundfunktionen konventioneller Netzteile 527
û2
û2 2û2
u2 (t) ≈ cos(ω t) +
+ cos(2ω t) (9.2)
π
2 3π
Die Gleichspannungskomponente entspricht dem arithmetischen Mittel-
wert:
û2
U0AV = ≈ 0,45 · Ũ2 (9.3)
π
Die 1. Harmonische ( f = 50 Hz) bildet den Hauptanteil der Brummspannung:
û2
û1∼ = ≈ 0,707 · Ũ2 (9.4)
2
Brummspannung
Der Effektivwert des gesamten Wechselspannungsanteils wird als Brumm-

spannung bezeichnet.
q
ŨBr = 2 + Ũ 2 + . . .
Ũ1∼ 2∼
(9.5)
ŨBr ≈ 0,54 · Ũ2
Welligkeitsfaktor
Verhältnis von Brummspannung zum Gleichspannungsmittelwert
ŨBr
kW =
U0AV 9
kW ≈ 1,21 (9.6)
Nachteile der Einweggleichrichtung:

Gleichstromvormagnetisierung des Netztrafos,
niedriger Gleichspannungsmittelwert,
großer Welligkeitsfaktor,
niedrige Brummfrequenz (50 Hz),
hoher Glättungsaufwand.
9.1.1.2 Zweiweggleichrichtung
Bei Zweiweggleichrichtung werden zwei Dioden (Mittelpunktschaltung, →
Bild 9.2b) oder vier Dioden (Brückenschaltung, → Bild 9.2c) benötigt. Die
Dioden sind so gepolt, dass der Strom bei beiden Halbwellen in gleicher
Richtung über den Lastwiderstand fließt. Es gilt sinngemäß Gl. (5.16):
2û2 4û2
u2 (t) ≈ − cos(2ω t) (9.7)
π 3π
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Die Gleichspannungskomponente ist doppelt so groß wie bei der Einweg-

gleichrichtung:
2û2
U0AV = ≈ 0,9 · Ũ2 (9.8)
π
Die 2. Harmonische (2 f = 100 Hz) bildet den Hauptanteil der Brummspan-

nung:
4û2
û2∼ = ≈ 0,6 · Ũ2 (9.9)
3π
Der Effektivwert der Brummspannung ergibt sich aus Gl. (9.5):
ŨBr ≈ 0,43 · Ũ2
Der Welligkeitsfaktor folgt aus Gl. (9.6):

kW = 0,48
Vorteile der Zweiweggleichrichtung:
keine Gleichstromvormagnetisierung des Netztrafos,

höherer Gleichspannungsmittelwert,
niedrigerer Welligkeitsfaktor,
höhere Brummfrequenz (100 Hz),
niedrigerer Glättungsaufwand.
+ I0 U
U$
a) ~ U0AV
U2 U0 RL π 2π ωt
+ I0 U
U$
~ U0AV
b) U2 U0
~ RL π 2π
U2 ωt
~ U
I + I0 U$
U0AV
c) ~ U0
U2 RL π 2π ωt
Bild 9.2 Gleichrichterschaltungen

a) Einwegschaltung, b) Mittelpunktschaltung, c) Brücken- oder Graetz-Schaltung
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Tabelle 9.1 Kenngrößen von Gleichrichterschaltungen bei Widerstandslast

Spannungsverhältnisse Diodenauswahl-Parameter
U0AV Ũ0 U0AV IFAV IFRM IFRMS URRM URRM
kW
Ũ2 Ũ2 û2 I0AV I0AV I0AV U0AV Ũ2
E 0,45 0,707 0,318 1,21 1,0 3,14 1,57 3,14 1,414
M 0,9 1,0 0,637 0,48 0,5 1,57 0,785 3,14 2,828
B 0,9 1,0 0,637 0,48 0,5 1,57 0,785 1,57 1,414
E Einwegschaltung (→ Bild 9.2a)

M Mittelpunktschaltung (→ Bild 9.2b)
B Brückenschaltung (→ Bild 9.2c)
U0AV Gleichspannungsmittelwert
Ũ0 Effektivwert der Gleichrichter-Ausgangsspannung
Ũ2 Effektivwert der sekundären Trafospannung
û2 Amplitude der sekundären Trafospannung
IFAV Mittelwert des Durchlassstromes
IFRM maximal zulässiger periodischer Durchlassstrom
I0AV Mittelwert des Laststromes
URRM maximal zulässige periodische Sperrspannung
In Tabelle 9.1 sind Angaben über Größe und Welligkeit der Ausgangsspan-
nung sowie zu Durchlassstrom IF und Sperrspannung UR der Dioden gemacht.
Zur Diodenauswahl können im Abschnitt 6 weitere Ausführungen nachgele-
sen werden.
9
9.1.1.3 Gleichrichtung mit Spannungsvervielfachung
Spannungsvervielfachung, im einfachsten Fall Spannungsverdopplung,

entsteht in einer Reihenschaltung aus mehreren Ladekondensatoren, die
durch die gleiche Zahl von Dioden nacheinander aufgeladen werden.
Anwendung:
wenn die zu erzeugende Gleichspannung wesentlich größer als die Netz-
spannung sein muss und
nur geringe Lastströme gefordert sind.
Beispiele: Anodenspannungserzeugung für Bildröhren und Geiger-Müller-Zähl-
rohre.
Spannungsverdopplung mit Delonschaltung

Beim Gegentaktverdoppler (→ Bild 9.3) werden die beiden Kondensatoren
C1 , C2 nacheinander (während verschiedener Halbwellen) aufgeladen, wobei
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sich die beiden Kondensatorspannungen addieren. Legt man den Mittelan-

schluss zwischen den beiden Kondensatoren auf Masse, so lässt sich die ge-
samte Gleichspannung in eine positive und eine negative Spannung aufteilen.
I0
~ +
U2 D1 C1
+ U0AV RL Bild 9.3 Spannungsverdoppler
D2 C2 (Schaltung nach Delon und
Greinacher)
Leerlauf-Gleichspannung (RL → ∞):

√
U0AV = 2 2 · Ũ2 ≈ 2,8 · Ũ2 (9.10)
Die nutzbare Gleichspannung U0AV ist stark von der Belastung abhängig. In
Tabelle 9.2 ist die Abhängigkeit des Verhältnisses U0AV /Ũ2 von ω CRL und
RL /Ri mit Näherungswerten angegeben.
Tabelle 9.2 Lastabhängigkeit der Gleichspannung bei Spannungsverdopplern
ω CRL 1000 100 50 20 10 5

RL /Ri
∞ 2,8 2,7 2,6 2,3 2,0 1,6
100 2,4 2,4 2,4 2,2 1,9 1,5
10 1,5 1,5 1,5 1,5 1,4 1,3
Ri Ersatzinnenwiderstand des Gleichrichters
Eine andere einfache Schaltung zur Spannungsvervielfachung ist z. B. die

Villard-Kaskadenschaltung, die von verschiedenen Herstellern als komplette
Bausteine (Hochspannungskaskaden) angeboten wird.
9.1.2 Glättung und Siebung
Die Stromversorgung elektronischer Schaltungen und Geräte erfordert ei-

ne batterieähnliche Gleichspannung. Die hohe Welligkeit der Gleichrichter-
Ausgangsspannung (→ Bild 9.2) wirkt sich störend auf die angeschlosse-
nen elektronischen Verbraucher aus. Zur Glättung wird zum Lastwiderstand
ein Ladekondensator CL parallel geschaltet. Die weitere Siebung kann mit
passiven oder aktiven Schaltungen erfolgen. Zur Berechnung einer Gleich-
richterschaltung (komplett mit Glättung und Siebung) sind keine einfachen
mathematischen Beziehungen angebbar. Man begnügt sich deshalb mit der
Anwendung von Näherungsmethoden. Vielfach wird dazu der Gleichrichter
mit Ladekondensator getrennt von den weiteren Siebeinrichtungen betrachtet.
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9.1.2.1 Glättung mit Ladekondensator
Die weiteren Betrachtungen beziehen sich zunächst auf die Ersatzschaltung

des Einweggleichrichters (→ Bild 9.4) und werden später auf den Zwei-
weggleichrichter (p = 2) ausgedehnt. Die Kondensatorspannung uC (t) wirkt
für die Diode als negative Vorspannung, sodass nur dann über die Diode
Strom fließen kann, wenn u(t) > uC (t) ist. Während der Stromflussdauer
(Öffnungszeit der Diode; tF < T /2) wird CL über Ri aufgeladen. Während
der Sperrzeit (tR = T − tF ) entlädt sich CL teilweise über RL , sodass der

Verbraucherstrom nicht unterbrochen wird.
Ri D
+
iC (t ) I0
~ u(t ) uC (t ) CL RL U0AV
Bild 9.4 Ersatzschaltung
des Einweggleichrichters
mit Ladekondensator
Die Spannung am Ladekondensator hat einen exponentiellen Verlauf. Die her-

kömmliche Näherungsmethode ersetzt die e-Funktionen durch Geradenzüge

(→ Bild 9.5).
Die charakteristischen Winkel sind

Stromflusswinkel Θ und
Unsymmetriewinkel δ . 9
u
u$
UCmax
uC (t )
∆u$
∆u$ U
0AV
UCmin
δ ωt
2Θ
π
Bild 9.5 Spannungsverlauf am Ladekondensator bei Einweggleichrichtung
(uC (ω t): —— tatsächlicher Verlauf, - - - - angenäherter Verlauf)
Theoretische Berechnungsgrundlagen
Gleichspannungsmittelwert
U0AV = û cos Θ cos δ (9.11)
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Relative Brummspannung
∆ û
= tan Θ tan δ (9.12)
U0AV
Widerstandsverhältnis als Funktion des Stromflusswinkels (→ Bild 9.6)
RL π
p = (9.13)
Ri tan Θ tan δ
In Gl. (9.13) ist

Ri Ersatzinnenwiderstand
R1
Ri = 2 + R2 + pRF (9.14)
ü
ü Windungszahlverhältnis
N1
ü= (9.15)
N2
p=1 Einweggleichrichtung
p=2 Zweiweggleichrichtung
R1 ,R2 ohmsche Wicklungswiderstände

RF Flusswiderstand einer Diode
Kapazität des Ladekondensators
π − pΘ
CL = (9.16)
pω RL tan Θ tan δ
I Hinweise zur Anwendungen der Gleichungen (9.12). . . (9.16):
Vorgaben zur Berechnung:
die mittleren Gleichgrößen U0AV , I0AV ,
die relative Brummspannung ∆ û/U0AV ,
der Ersatzinnenwiderstand Ri .
Zu bestimmende Hilfsgrößen:
Lastwiderstand RL (aus U0AV /I0AV ),
Stromflusswinkel Θ (mit Gl. (9.13)),
Unsymmetriewinkel δ (mit Gl. (9.12)).
I Beachte: Die Berechnung von Θ mit Gl. (9.13) ist nur auf grafischem Weg mög-
lich. Dazu dient Bild 9.6.
Zielgrößen der Berechnung:
Sekundäre Trafowechselspannung Ũ2 (mit Gl. (9.11)),
Kapazität des Ladekondensators CL (mit Gl. (9.16)).
Hinweise auf Näherungsmethoden

Netzteile mit niedrigen Innenwiderständen erfordern einen höheren Glättungs-
aufwand, da die Kondensatorspannung uC (t) während der Aufladezeit annä-
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hernd den gleichen Verlauf wie die Wechselspannung u(t) hat. Entsprechende
Berechnungsmethoden gehen von Ri → 0 aus.
6
10
5
10
4
pRL 10
Ri 3
10
2
10
1
10
1
10
−1 Bild 9.6
0 10 20 30 40 50 60 70 80 Funktion zur
o Ermittlung des
Θ in Stromflusswinkels
Abschätzung der Ladekapazität

Gl. (9.17) wurde empirisch ermittelt. Für den Zahlenfaktor werden in der
Fachliteratur auch geringfügig abweichende Werte angegeben.
CL ≈
2,5 · 105
; CL inµF; kW in%; RL inΩ (9.17) 9
kW RL
Beispiel: 10 % Welligkeit bei 5 Ω Lastwiderstand erfordert einen Ladekondensa-
tor von 5000 µF. Dieser Wertezusammenhang kann auch aus Bild 9.7 abgelesen
werden.
100
%
kW
10
Bild 9.7 Nomogramm

zur Bestimmung des
1 Ladekondensators bei
1 10 100
RL Zweiweggleichrichtung
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9.1.2.2 Siebung mit frequenzabhängigen Bauelementen
Zur weiteren Siebung der geglätteten Gleichrichterspannung können passive

Tiefpassfilter verwendet werden. Die herkömmlichen Siebketten bestehen aus
LC- oder RC-Gliedern (→ Bilder 9.8 und 9.9).
Der Glättungsfaktor G ist das Verhältnis der Wechselspannungskompo-

nenten (Brummspannungen) am Ein- und Ausgang des Siebgliedes.
ŨBr 1
G= (9.18)
ŨBr 2
LC -Siebglied
Zur Abschätzung des Glättungsfaktors wird der ohmsche Widerstand der Sieb-
drossel vernachlässigt und Leerlauf am Ausgang angenommen (RL → ∞):

G = 1 − ω 2 LSCS ≈ ω 2 LSCS (9.19)
Bei Netzfrequenz ( f = 50 Hz) ist beim Einweggleichrichter ω = 314 s−1 und

beim Zweiweggleichrichter ω = 628 s−1 einzusetzen.
LS RS
~ ~ ~ ~
U Br1 CS U Br2 U Br1 CS U Br2
Bild 9.8 LC-Siebglied Bild 9.9 RC-Siebglied
RC -Siebglied
p
G= 1 + (ω CS RS )2 ≈ ω CS RS (9.20)
Die Verwendung von RC-Gliedern ist im Hinblick auf die angestrebte Ge-
wichtsreduzierung bei Netzteilen (Wegfall der Drossel) zweckmäßig. Aller-
dings sind die erreichbaren Siebfaktoren niedriger als bei LC-Gliedern (die
Frequenz geht nur linear in den Siebfaktor ein). Eine Vergrößerung von G wäre
prinzipiell durch Aufteilung des Längswiderstandes RS und der Querkapazität
CS auf k gleiche Glieder möglich. Effizienter ist jedoch der Einsatz von
Stabilisierungsschaltungen mit Z-Dioden oder Spannungsreglern (→ 9.2).
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9.2 Spannungsstabilisierung 535
9.2 Spannungsstabilisierung
Die Ausgangsspannung UO eines Netzteiles ist allgemein von der Netzspan-

nung (Eingangsspannung UI ) und der Belastung (Lastwiderstand RL ; Last-
strom IL ) abhängig. Außerdem wirkt sich die Temperatur ϑ (Temperatur-
Drift) und in geringerem Maße auch die Zeit t (Alterung der Bauelemente)
aus. Die Spannungsstabilisierung soll diese Einflüsse möglichst klein halten.
Definitionen zur Beschreibung der Stabilisierungs-Güte

Glättungsfaktor G
G ist das Verhältnis von Ausgangsspannungsänderung zur Eingangsspan-
nungsänderung
∆UI
G= (9.21)
∆UO
Bei idealer Stabilisierung (∆UO → 0) ergäbe sich G → ∞.

Stabilisierungsfaktor S
S ist das Verhältnis der relativen Spannungsänderungen (Eingang zu Ausgang)
∆UI
S=
UI
=G
UO
(9.22) 9
∆UO UI
UO
Die Angabe von S führt bei Wandlern mit stark unterschiedlichen Eingangs-
und Ausgangsspannungen (UO 6= UI ) zu realistischeren Aussagen als die
Angabe von G.
Spannungs-
stabilisierung
ungeregelt geregelt
Schaltungen Integrierte Linearregler Schaltregler

mit Z-Dioden Referenzquellen (stetig) (unstetig)
Festspannungs- Variable Gleichspannungs- Schaltnetzteile

Regler Spannungsregler Wandler (primär getaktet)
Bild 9.10 Klassifizierung von Stabilisierungsschaltungen
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Eine Übersicht zu Verfahren der Spannungsstabilisierung zeigt Bild 9.10.

Am wirkungsvollsten ist die elektronische Spannungsregelung, die begünstigt
durch ein umfassendes Angebot von integrierten Reglern und Hilfsschaltun-
gen, zum Standard bei Stromversorgungen aller Art zählt.
9.2.2 Erzeugung von Referenzspannungen

Referenzspannungsquellen dienen u. a. als Sollwertgeber für Spannungs-

regler. Referenzspannungen müssen sehr genau definiert, zeitlich kon-
stant und gegen äußere Einflüsse unempfindlich sein.
9.2.2.1 Diskrete Schaltungen mit Z-Dioden
Die einfachste Referenzspannungsquelle besteht aus einer Z-Diode mit vor-

geschaltetem Widerstand RV (→ Bild 9.11, ohne Transistor T1). Die Refe-
renzspannung UO wird über der Z-Diode abgegriffen. Parallel dazu liegt die
Last mit dem Widerstand RL . Die Polarität der Eingangsgleichspannung UI ist

so zu wählen, dass die Diode in Sperrichtung arbeitet (→ Kennlinie im Bild
6.22).
Der Stabilisierungsfaktor S ist von den Widerstandsverhältnissen in der Schal-
tung abhängig:

RV RV UO
S= 1+ + (9.23)
rz RL UI
rz dynamischer Innenwiderstand der Z-Diode
Wahl der Eingangsspannung:
UI
≈ 1,5 . . . 3,0 ; UO ≈ UZ (9.24)
UO
Eigenschaften der Grundschaltung
Belastungsabhängiger Stabilisierungsfaktor
hohe Toleranz der Z-Spannung
starkes Rauschen bei kleinen Strömen
relativ großer Temperaturkoeffizient
Maßnahmen zur Verbesserung der Grundschaltung

Entlastung der Z-Diode durch einen Emitterfolger (→ Bild 9.11)
Der Laststrom wird durch den Emitterstrom eines npn-Transistors gebildet
und fließt somit nicht über den Vorwiderstand. In Gl. (9.23) kann RL → ∞
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gesetzt werden:

RV UO
S= 1+ (9.25)
rz UI
UO = UZ − UBE (9.26)
+UI
+ +URef
T1 −
R2
RV
U1 U BE
UO RL UZ
RV
UZ R1
D1
Bild 9.11 Spannungsstabilisierung Bild 9.12 Referenzspannungsquelle

mit Z-Diode und Transistor mit Operationsverstärker und
Z-Diode
Speisung der Z-Diode aus einer Konstantstromquelle

Maßnahme zur Vergrößerung des Stabilisierungsfaktors. RV wird durch
den großen dynamischen Innenwiderstand einer Stromquelle ersetzt. Damit
erhöht sich das Verhältnis RV /rz in Gl. (9.25). Bei der Diodenauswahl
sind Exemplare mit kleinem rz zu bevorzugen. Unter Umständen kann 9
es günstiger sein, zwei Z-Dioden mit geringerer Z-Spannung in Reihe zu
schalten, als eine Z-Diode zu verwenden.
Speisung der Z-Diode mit der Referenzspannung
Betreibt man die Z-Diode nicht an der unstabilisierten Spannung, sondern
an der Referenzspannung, dann lassen sich Stabilisierungsfaktoren bis etwa
S = 104 erzielen (→ Bild 9.12).
Der Nichtinverter (Elektrometerverstärker, → 7.4.3.1) wird mit einem uni-
polar gespeisten Operationsverstärker (Single Supply, → 7.4.1) aufgebaut.
Der Stabilisierungseffekt beruht auf der hohen Betriebsspannungsunter-
drückung spezieller Operationsverstärkerbausteine:
∆UO
5 1 µV/V (9.27)
∆UB
Im Bild 9.12 ist UB = UI . Die Eingangsspannungsänderung wirkt sich nur
geringfügig auf die Ausgangsspannung (UO = Uref ) aus:

R2
Uref = 1 + UZ (9.28)
R1
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Verwendung von Referenz-Z-Dioden mit niedrigen Toleranzen, geringen

Temperatur-Koeffizienten und hoher Langzeitstabilität
9.2.2.2 Integrierte Referenzspannungsquellen
Es wird zwischen Zener-Referenzen und Bandabstands-Referenzen unter-

schieden.
Integrierte Zener-Referenzen
Das Typenspektrum umfasst zwei-, drei- und vierpolige Ausführungen. Die
zweipoligen Ausführungen sind wie diskrete Referenz-Z-Dioden einzusetzen.
Intern bestehen Sie aus integrierten Z-Dioden und aktiven Bauelementen
zur Temperaturkompensation. Die mehrpoligen Ausführungen werden wie
Festspannungsregler (→ 9.2.3.3) verwendet.
Integrierte Bandabstandsreferenzen
Bandabstandsreferenzen (Bandgap-Referenzen) nutzen die Gitterspannun-

gen (Bandabstandsspannungen) des Halbleitermaterials.
Bei Silicium beträgt die Bandgap-Spannung UBG ≈ 1,2 V.
U1
T4
U ref
R1 IC R2 U ref
T3 I K 0 ... 90 °C
1,223 V
T1 U BE
nT2
R3
1,45 V 5,00 V UI
Bild 9.13 Integrierte Struktur einer Bild 9.14 Spannungsverlauf einer
Bandgap-Referenz (Vierpol) Bandgap-Referenz
Temperaturkompensation
Zur Basis-Emitter-Spannung (UBE ≈ 0,6 V) eines Bipolartransistors wird eine
Kompensationsspannung (UK ) mit positivem Temperaturkoeffizienten addiert.
Die Größe von UK wählt man so, dass eine Kompensation des negativen TK
(−2 mV/K) von UBE eintritt. Bild 9.13 zeigt eine integrierte Struktur, bei der
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UK = IC RC mit einem unsymmetrischen Stromspiegel (→ Bild 7.19) erzeugt

wird. Die erforderliche Unsymmetrie entsteht bei R1 = R2 durch n parallele
Transistoren T2. Der interne Abgleich wurde in dieser Schaltung durch einen
Konstantstrom IK ≈ 26 µA vorgenommen, sodass die Referenzspannung in
der Nähe der Bandgap-Spannung liegt.
Uref ≈ UBG = UBE(T3) + IC R2 (9.29)
Die Referenzspannung ist einem großen Bereich unabhängig von der Ein-
gangsspannung und der Temperatur (→ Bild 9.14). Die Ergebnisse wurden

durch eine PSpice-Simulation bestätigt.
9.2.3 Stetige Gleichspannungsregelung
Spannungsregler sind elektronische Schaltungen, die im Netzteil für die

Konstanthaltung der Ausgangsspannung sorgen.
Störgrößen (z. B. Netzspannungsschwankungen, Belastungsänderungen, Tem-

peratureinflüsse) werden weitestgehend kompensiert.
9.2.3.1 Grundschaltung aus diskreten Bauelementen
Nach der Anordnung des Stellgliedes im Regelkreis unterscheidet man

Serienregler (Stellglied liegt in Reihe zur Last),
Parallelregler (Stellglied liegt parallel zur Last). 9
Die Grundschaltung eines Serienreglers wurde im Bild 9.15 als PSpice-
Schaltplan (Schematics) dargestellt.
Funktionen der Bauelemente
Stellglied (Darlington-Stufe aus zwei npn-Transistoren Q1; Q2)
Referenzquelle (Z-Diode D1 mit Vorwiderstand R3 )
Regelverstärker (Operationsverstärker U1A)
Messeinrichtung (Spannungsteiler aus R4 ; R5 )
Wirkungsweise: Ein Spannungsteiler liefert den Istwert als Funktion der Aus-
gangsspannung (k UO ). Der Sollwert der Führungsgröße wird durch die Z-
Spannung der Diode gebildet (Uref ). Der Regelverstärker verstärkt die Regel-
abweichung (Differenz aus Istwert und Sollwert) und liefert den Steuerstrom
(Basisstrom) für das Stellglied. Im stationären Fall (siehe Viewpoints im Bild
9.15) ist die Regelabweichung minimal (4,6288 V − 4,6273 V = 1,5 mV),
sodass die stabilisierte Spannung UO aus dem Spannungsteilerverhältnis und der
Referenzspannung berechnet werden kann:

R4
UO ≈ Uref 1 + (9.30)
R5
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Bild 9.15 Grundschaltung eines Serienreglers (amerikanische Symbole)
Dynamisches Verhalten des Reglers bei Störeinflüssen

Eine Änderung der Eingangsspannung ∆UI (V1 6= 20 V) bewirkt kurz-
zeitig eine Änderung des Laststromes. Die Ausgangsspannung ändert sich
proportional zum Strom. Dadurch ändert sich auch die Regelabweichung,

und der Verstärker steuert das Stellglied gegenphasig an, sodass sich am
Ausgang wieder der Sollwert einstellt.
Eine Änderung der Belastung ∆RL (R6 6= 50 Ω) bewirkt kurzzeitig eine
Änderung der Ausgangsspannung. Dadurch ändert sich auch die Regelab-
weichung, und der Verstärker steuert das Stellglied gegenphasig an, sodass
die Ausgangspannung wieder den Sollwert erreicht.
Ergebnisse der PSpice-Simulation zu Bild 9.15:
Im untersuchten Spannungsbereich (V1 = 10 . . . 30 V) steigt die Ausgangsspan-
nung im 1. Teilbereich (V1 = 10 . . . 10,93 V) proportional an und bleibt dann im
2. Teilbereich (V1 = 10,93 . . . 30 V) auf dem konstanten Wert V(R6) = 9,998 V.
Eine Laständerung im Bereich R6 = 10 Ω . . . 1 kΩ hat keinen nachweisbaren
Einfluss auf die Ausgangsspannung.
Nachteilig ist die fehlende Temperaturkompensation: Die bisher genannten Werte
beziehen sich auf 27 ◦ C. Mit steigender Temperatur nimmt die Ausgangsspannung
ab. Bei 87 ◦ C ergibt die Simulation 9,95 V (Abweichung: ≈ +0,05 V, also ≈
+0,5 %).
I Hinweis: Obwohl sich bei diskretem Schaltungsaufbau durchaus Regler mit be-
friedigenden Eigenschaften herstellen lassen, werden solche Lösungen beim heu-
tigen Stand der Mikroelektronik kaum noch verwendet. Die behandelte Schaltung
soll lediglich das Prinzip der stetigen Spannungsreglung erläutern.
9.2.3.2 Integrierte Regler mit einstellbarer Spannung
Zur stetigen Spannungsregelung werden integrierte Analogschaltkreise ver-

wendet. Spannungsregler enthalten auf einem Chip Transistoren, Widerstände
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und Dioden, mit denen die Regelkreisfunktionen (Referenzquelle, Regelver-

stärker, Stellglied), die Temperaturkompensation sowie zusätzliche Schutz-
funktionen erfüllt werden. Bild 9.16 zeigt die Prinzipschaltung eines univer-
sellen Spannungsreglers mit drei Anschlüssen.
+ Vin 317 Vout +

(−) U I (337) (−)UO
C1 adj R1 C2
R2
Bild 9.16 Spannungsregler für
positive (negative) Spannungen
Die Ausgangsspannung regelt sich so ein, dass an R1 die Referenzspannung

Uref = 1,25 V abfällt. Damit gilt:

R2
UO = 1 + Uref (9.31)
R1
Die Größe des externen Widerstandes R1 wird zumeist vom Hersteller vor-
gegeben (z. B. 240 Ω). Mit R2 kann die Ausgangsspannung im Bereich
1,2 . . . 37 V (−1,2 . . .−37 V) eingestellt werden. Die unstabilisierte Spannung
UI muss mindestens um die Dropout-Spannung (2,5 . . . 3 V) größer als die
stabilisierte Spannung UO sein. Der Reglerausgang ist dabei stets zu belasten
(max. 0,5 A bzw. max. 1,5 A in der Leistungsversion). Die zusätzlichen Kon- 9
densatoren (C1 = 0,1 µF; C2 = 1 µF) sind aus Stabilitätsgründen notwendig.
Neben dreipoligen Reglern werden noch vier- und fünfpolige Regler gefertigt.
9.2.3.3 Integrierte Festspannungsregler
Integrierte Festspannungsregler sind auf eine feste Ausgangsspannung einge-

stellt. Die komplette Regelschaltung ist in einem Transistor-Gehäuse (z. B.
TO-3 (Metall); TO-220AB (Kunststoff)) untergebracht. Ähnlich wie bei ei-
nem Leistungstransistor sind nur drei Außenanschlüsse vorhanden (UI ; UO ;
Masse). Festspannungsregler werden in vielen Varianten hergestellt. Prinzi-
piell werden Positiv-Spannungsregler (z. B. Serie 78xx) und Negativ-Span-
nungsregler unterschieden.
Der Reglereingang wird direkt am Ladekondensator des Netzteils angeschlos-
sen. Die zum jeweiligen Reglertyp angegebenen Spannungsgrenzwerte UI min ,
UI max sind unbedingt einzuhalten. Der Reglerausgang darf kapazitiv nur gering
belastet werden (Cmax ≈ 0,1 . . . 2,2 µF), deshalb sind die Ladekondensatoren
vor dem Regler anzuordnen.
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I Merke: Die Regler sind gegen stoßartige Rückströme zu sichern. Bei hoher kapa-
zitiver oder induktiver Belastung sind zusätzliche Freilaufdioden erforderlich.
D7
+18...+35 V Positivregler +15 V

D1 (7815)
D2 C2 D5
C1
~ 0
C3 C4 D6
D3 D4
Negativregler
−18...−35 V (7915) −15 V
D8
Bild 9.17 Einsatz von Festspannungsreglern in einem Doppelnetzteil
Bild 9.17 zeigt ein stabilisiertes Netzteil für bipolare Spannungen mit zusätz-
lichen Freilaufdioden (D5; D6 als Schutz bei induktiver Last, D7; D8 bei
kapazitiver Last). Die Kapazitäten C2 ; C4 verbessern das Regelverhalten bei
Lastschwankungen.
9.2.4 Unstetige Regelung mit Schaltregler
9.2.4.1 Begriffsbestimmung und Übersicht
Schaltregler (switched controller) sind Stromversorgungseinrichtungen

mit unstetiger Regelung.
Stellglieder sind Leistungsschalttransistoren, die mit Frequenzen oberhalb

des Hörbereichs getaktet werden (20 . . . 200 kHz). Der Regeleingriff auf
die Stellglieder erfolgt über die Änderung der Impulsdauer (Pulsbreiten-
Modulation, PWM) oder die Taktfrequenz (Pulsfrequenz-Modulation, PFM).
Je nach Anordnung des Stellgliedes im Netzteil (vor oder nach dem Netztrafo)
unterscheidet man:
primärgetaktete Schaltregler (→ Bild 9.18a),
sekundärgetaktete Schaltregler (→ Bild 9.18b).
Allgemeine Eigenschaften:
Stetige Regler (→ 9.2.3) haben bei hohen Lastströmen und bei großen
Spannungsdifferenzen zwischen Ein-und Ausgang einen niedrigen Wir-
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kungsgrad, da am Stellglied eine erhebliche Kollektorverlustleistung ent-

steht.
Schaltregler vermeiden die Nachteile der stetigen Regler. Sie zeichnen sich
durch einen hohen, nahezu spannungsunabhängigen Wirkungsgrad aus.
Außerdem entfällt bei primär getakteten Schaltnetzteilen der große und
schwere Netztrafo (Ersatz durch einen kleinen und leichten HF-Trafo).
I Anwendungshinweis: Schaltregler werden als integrierte Schaltkreise in großer
Typenvielfalt angeboten.
Primärregler eignen sich wegen des günstigen Wirkungsgrades für Schaltnetz-

teile mit höherer Leistung.
Sekundärregler werden als Gleichspannungswandler (dc/dc-Converter; Trans-
verter) für kleinere Leistungen eingesetzt.
Gleichspannungswandler
a)
Netz- HF-
Leistungs- TP-
~ gleich- HF-Trafo Gleich- =
richter schalter Filter
richter
Regel- Potential-
verstärker trenner
Ansteuerschaltung
b)
Netz-
9
Netz- Leistungs- TP-
~ gleich- =
trafo schalter Filter
richter
Regel-
verstärker
Gleichspannungswandler
Bild 9.18 Blockschaltbilder von Schaltnetzteilen
a) primär getaktet, b) sekundär getaktet
9.2.4.2 Gleichspannungswandler
Sekundärregler (DC-DC-Wandler) werden nach dem physikalischen Prinzip

gegliedert. Man unterscheidet:
Drosselregler,
Ladungspumpen.
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Drosselregler nutzen eine Induktivität als Energiespeicher. Es werden unter-

schieden:
Abwärtswandler (Buck-converter),
Aufwärtswandler (Boost-converter),
Invertierende Wandler (Flyback-converter).
Bild 9.19 zeigt die entsprechenden Prinzipschaltungen.
+UI S L +UO +UI D +UO
a) D C b) S C
+UI S D −UO
c) L C
Bild 9.19 Schaltregler-Varianten
a) Abwärtswandler, b) Aufwärtswandler,
c) Invertierender Wandler
Der in den Bildern 9.19a, b, c dargestellte Schalter (S) symbolisiert das Stell-
glied, einen Leistungsschalttransistor, der durch eine Rechteckimpulsfolge mit
dem Tastgrad ti /TS auf- und zugesteuert wird. Die mittlere Verlustleistung am
Stellglied beträgt dabei:
Zti
1
PV = uCE (t)iC (t) dt (9.32)
TS
0
TS Periodendauer der Schaltfrequenz fS (TS = 1/ fS )
ti Impulsdauer
Betrachtet man den Transistor näherungsweise als idealen Schalter, so folgt
aus Gl. (9.32):
1 ti
PV max ≈ UCE max IC max (9.33)
6 TS
Tastgrad ti /TS 1
I Hinweis: Im Schalterbetrieb darf die Arbeitsgerade die Verlustleistungshyperbel
schneiden.
Zum Vergleich: Die Verlustleistung (bei A-Betrieb) im Stellglied eines stetigen
Reglers beträgt:
1
PV max = UCE max IC max (9.34)
4
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Drosselregler als Abwärtswandler (Step-Down Switching Regulator)
Diese Schaltregler setzen eine größere Gleichspannung in eine kleinere um.
+UI L IL IO
S
C UO RL
Bild 9.20 Zur Wirkungsweise

des Abwärtswandlers
I Hinweis: Im Bild 9.20 wurde die Schalt- und Steuerelektronik des Reglers durch
einen mechanischen Umschalter S ersetzt.
Erklärung der Wirkungsweise: Sinkt UO unter einen Schwellwert UO , so wird der
elektronische Schalter des Reglers leitend (S an UI ). Der Ladestrom fließt über
die Drossel L und lädt C auf, bis UO einen oberen Schwellwert UO2 erreicht hat.
Dabei wird der elektronische Schalter gesperrt (S an Masse). Der Energiespeicher
(L; C) übernimmt nun in der Sperrphase die Speisung der Last (RL ), wobei der
Stromfluss über L aufrechterhalten wird (Selbstinduktion). Beim Absinken von

UO wiederholt sich dieser Vorgang. Die Ausgangsspannung weist eine prinzipbe-
dingte Welligkeit auf, deren Größe durch die Differenz der Komparatorschwellen
gegeben ist (→ Bild 9.21).
I
I Lmax
9
I Lmin
I LAV
IOAV
a)
t
U
UI
∆UO
b) UOAV
ti t Bild 9.21 Strom- und
TS Spannungsverlauf beim
Abwärtswandler
Schwankungen der Eingangsspannungen oder Laständerungen führen im Reg-

ler zu einer Änderung der Einschaltzeit oder der Schaltfrequenz fS und somit
zu kürzeren oder längeren Umladezeiten für den Energiespeicher. Unter den
idealisierten Bedingungen im Bild 9.20 folgt gemäß Induktionsgesetz ein
linearer Stromanstieg in der Induktivität L während der Einschaltzeit ti und
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ein linearer Stromabfall während der Ausschaltzeit TS − ti . Der Mittelwert der

Ausgangsspannung U0AV ist dem Tastgrad direkt proportional.
ti
U0AV = UI (9.35)
TS
I Beachte: Der Laststrom I0 darf einen Mindestwert I0 min nicht unterschreiten,
sonst wird der kontinuierliche Stromfluss in der Drossel unterbrochen (lückender
Betrieb).
Bild 9.22 zeigt die Standardbeschaltung für die Erzeugung einer Festspannung
(TTL-Speisespannung +5 V±4 %) aus einer unstabilisierten größeren Gleich-
spannung. Der Energiespeicher wird extern angeschlossen. Induktivitäts- und
Kapazitätswerte sind vom Hersteller vorgegeben.
+5,5 ... +11,5 V 6
V+ Vout 1
MAX639
100 µH +5 V/100 mA
8 SHDN LX 5
100 µF 1N5817 100 µF

VFB LBI GND
7 3 4
Bild 9.22 Anschluss eines Abwärts-Schaltreglers (nach Herstellerangaben)
Drosselregler als Aufwärtswandler (Step-Up Switching Regulator)
Diese Schaltregler setzen eine kleinere Gleichspannung in eine größere um.
Beim Aufwärtswandler (Prinzip → Bild 9.19b) ist die Größe der Ausgangs-
spannung von der Öffnungszeit (TS − ti ) des Schalters abhängig.
Mit kleinen Öffnungszeiten ergeben sich große Ausgangsspannungen. In Gl.
(9.36) wird der Tastgrad ti /TS wie beim Abwärtswandler (→ Gl. (9.35)) ver-
wendet. Die Impulszeit ti ist in jedem Falle die Schließungszeit des Schalters:
UI
U0AV = ti (9.36)
1−
TS
Drosselregler als invertierender Wandler (Inverting Switching Regulator)
Diese Schaltregler setzen eine Gleichspannung in eine andere mit entge-

gengesetztem Vorzeichen um.
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Beim invertierenden Wandler (Prinzip → Bild 9.19 c) ist der Betrag der
Ausgangsspannung vom Verhältnis der Schließungszeit zur Öffnungszeit des
Schalters abhängig.
ti
U0AV = − UI (9.37)
TS − ti
Ladungspumpen-Wandler (Charge-pump Voltage Converter)

Ladungspumpen-Wandler arbeiten mit geschalteten Kapazitäten (Swit-

ched-Capacitors). Sie werden zur Invertierung, Verdopplung und Halbie-
rung von Gleichspannungen verwendet.
Bild 9.23 zeigt das Schaltungsprinzip eines Inverters.

+UI
S1 C1 −UO
+ S2
C2 Bild 9.23 Ladungspumpe als
+ Spannungsinverter
Wirkungsweise: Die elektronischen Schalter (S1; S2) werden synchron getaktet.
Die Kapazität C1 wird zunächst auf +UI aufgeladen (gezeichnete Schaltstellung).
Danach entlädt sich C1 über C2 (andere Schaltstellung). C2 wird mit umgekehrten
Vorzeichen aufgeladen. Bei den üblichen Taktfrequenzen (8 . . . 90 kHz) kann der
Wirkungsmechanismus auch als Zerhacken der Gleichspannung mit S1 und syn-
chrones Gleichrichten der Wechselspannung mit S2 erklärt werden. Im stationären
Fall gilt Gl. (9.38). 9
UO = −UI (9.38)
+1,5 ... +8 V
1 8
FC V+
MAX665
2 7
CAP+ OSC
150 µF 3
GND LV 6
4 CAP− OUT 5 −1,5 ... −8 V
Bild 9.24 Anschluss eines
150 µF Ladepumpen-Inverters (nach
Herstellerangaben)
Eigenschaften:
einfache Schaltungstechnik (es werden weder Induktivitäten noch Freilauf-
dioden benötigt),
sehr kleine Ruheströme (CMOS-Technologie),
Lastströme bis etwa 100 mA,
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relativ hoher Ausgangswiderstand (5 . . . 15 Ω), dadurch größere Lastabhän-

gigkeit der Ausgangsspannung,
Anwendung als Gleichspannungswandler für Batteriebetrieb.
9.2.4.3 Wandler für Netzbetrieb

Gleichspannungswandler für primärgetaktete Schaltnetzteile unterscheiden
sich nach der Energieabgabe des Leistungsstellgliedes an die Last:
Eintakt-Sperrwandler (Energieabgabe in der Sperrphase),

Eintakt-Durchflusswandler (Energieabgabe in der Leitphase) und
Gegentaktwandler (Energieabgabe in beiden Phasen).
Die Auswahl der Wandler erfolgt nach der zu übertragenden Leistung (→
Tabelle 9.3). Für niedrige Ausgangsleistungen werden vorwiegend Eintakt-
wandler, für höhere Gegentaktwandler eingesetzt.
Tabelle 9.3 Wandler-Auswahl nach der Wirkleistung
Wirkleistung in W < 10 10 . . . 100 . . . 300 . . . 1000 . . . > 3000
100 300 1000 3000
Eintakt- X X
Sperrwandler
Eintakt- X X X
Durchflusswandler
Gegentakt- X X X
Halbbrückenwandler
Gegentakt- X X X
Vollbrückenwandler
Gegentaktwandler mit X X X
Parallelspeisung
I Hinweise: Die galvanische Trennung, die der Netztrafo des konventionellen Netz-
teils bietet, wird bei Schaltnetzteilen (SNT) durch den wesentlich kleineren und
leichteren Impulsübertrager des Gleichspannungswandlers realisiert. Die gleich-
gerichtete Netzwechselspannung (oft nur Einweggleichrichtung mit Ladekon-
densator) wird einem Gleichspannungswandler (Transverter) zugeführt (→ Bild
9.18a). Als steuerbare Schalter werden Leistungstransistoren oder auch Thyristo-
ren eingesetzt. In den Prinzipdarstellungen sind zur Vereinfachung mechanische
Schalter dargestellt.
Aufgaben des Gleichspannungswandlers

1. Wechselrichtung der Gleichspannung auf der Primärseite des Impulsüber-
tragers mit Schaltfrequenzen oberhalb des Hörbereichs.
2. Potenzialfreie Übersetzung der impulsförmigen Wechselspannung mit dem
Impulsübertrager auf die Sekundärseite.
3. Gleichrichtung und Siebung der auf die Sekundärseite übertragenen Im-
pulsspannung.
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Eintakt-Sperrwandler
Sperrwandler sind die einfachsten SNT-Wandler. Sie eignen sich für kleine
Leistungen (→ Tabelle 9.3).
Die Grundschaltung des Sperrwandlers (→ Bild 9.25) besteht aus dem Im-
pulsübertrager mit dem Übersetzungsverhältnis ü, dem Leistungsschalter S,
der Diode D und dem Ladekondensator CL . Der Lastwiderstand RL liegt in
der Grundschaltung parallel zu CL . Der Regelmechanismus wird durch eine

integrierte Ansteuerschaltung realisiert.
Wirkungsweise: Der Primärstromkreis wird durch S periodisch ein- und ausge-
schaltet. Im Ein-Zustand (tON = ti ) ist die Sekundärspannung u2 negativ (gegen-
sinnige Übertragerkopplung), und die Diode D sperrt. Im Aus-Zustand (tOFF =
TS − ti ) ist u2 positiv, und D leitet. Die während des Ein-Zustandes im Über-
trager gespeicherte magnetische Energie wird im Aus-Zustand an RL und CL
abgegeben. Betrachtet man den Übertrager als verlustlos und den Transistor als
idealen Schalter, dann ergeben sich die im Bild 9.26 dargestellten Strom- und
Spannungsverläufe.
i1 ü i2 D +U
+
UI u1 u2 CL RL
S
−
fS
Ansteuer-
schaltung
Bild 9.25 Prinzipschaltung 9
eines Sperrwandlers
Der Mittelwert der Ausgangsspannung U0AV ist von der Eingangsgleich-

spannung UI , dem Übersetzungsverhältnis ü = N1 /N2 und dem Tastgrad
v = ti /TS abhängig. Die Diodenflussspannung wird vernachlässigt.
UI tON UI v
U0AV ≈ · = · (9.39)
ü tOFF ü 1−v
Die maximale Spannung über dem Schalter ist infolge der Selbstindukti-
onswirkung der Primärspule höher als die maximale Eingangsgleichspannung
UI max :

tON UI max
US max ≈ UI max 1 + = (9.40)
tOFF 1−v
Beispiel: Bei Einphasen-Gleichrichtung der Netzspannung mit Glättung ergibt

sich:
√
UI max = 2 · 220 V ≈ 311 V
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Wählt man einen Tastgrad v = 0,5 (tON = tOFF ), so beträgt die maximale Spannung
über dem Schalter (Leistungsstellglied):
US max ≈ 622 V (!)
Eigenschaften des Sperrwandlers:
einfacher Schaltungsaufbau (keine zusätzliche Speicherdrossel vorgese-
hen),
Gleichstrom-Vormagnetisierung des HF-Trafos (reichliche Dimensionie-
rung erforderlich),
Anwendung für kleinere Leistungen (Masse und Größe des Trafos ist bei
höheren Leistungen unvertretbar hoch),
Stromquellen-Verhalten (Ri RL ), deshalb Einsatz bei konstanter Grund-
last (kein Leerlauf zulässig, da Ausgangsspannung trotz zusätzlicher Rege-
lung stark ansteigen würde),
zusätzlicher Schaltungsaufwand für Funkentstörung und Bedämpfung des
Überschwingens notwendig.
a) u1 b)
u1max i1
t t
ü⋅u2max
i2
u2
u2max
u tON tOFF
− 1max t t
ü
Bild 9.26 a) Spannungsverläufe und b) Stromverläufe am Sperrwandler
Eintakt-Durchflusswandler
Durchflusswandler sind SNT-Wandler für kleine und mittlere Leistungen

(→ Tabelle 9.3). Die Energieabgabe an die Last erfolgt in Durchlassphase
des Stellgliedes (geschlossener Schalter).
Die Schaltung (hier nicht dargestellt) besteht aus einem Impulsübertrager mit
drei Wicklungen, dem Leistungsschalter, drei Dioden, Speicherdrossel und
Ladekondensator. Die dritte Wicklung des Übertragers dient in Verbindung
mit einer Freilaufdiode zur Aufnahme des Induktionsstromes in der Sperr-
phase des Stellgliedes (offener Schalter).
Mittelwert der Ausgangsspannung U0AV
UI tON UI
U0AV ≈ · = ·v (9.41)
ü tON + tOFF ü
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Die maximale Spannung über dem Schalter wird durch die Entmagnetisie-
rungswicklung und die Freilaufdiode begrenzt:
US max ≈ 2 · UI max (9.42)
Eigenschaften des Durchflusswandlers:

umfangreicher Schaltungsaufbau (Entmagnetisierungswicklung und zu-
sätzliche Speicherdrossel notwendig),
keine Gleichstrom-Vormagnetisierung des HF-Trafos (dadurch günstige

Dimensionierung),
Anwendung bis zu mittleren Leistungen bei gutem Wirkungsgrad,
Spannungsquellenverhalten (Ri RL ), deshalb Absicherung gegen Kurz-
schluss erforderlich,
geringe Restwelligkeit durch Speicherdrossel,
zusätzlicher Schaltungsaufwand für Funkentstörung notwendig.
Gegentaktwandler
Der Gegentaktwandler mit Parallelspeisung (→ Bild 9.27) besteht aus

zwei Durchflusswandlern, die im Gegentakt auf eine gemeinsame Spei-

cherdrossel arbeiten.
Die Wechselrichtung der Eingangsgleichspannung erfolgt durch zwei gegen-

phasig angesteuerte Leistungsschalter.
Wirkungsweise: Der Wirkungsablauf vollzieht sich in vier Zeitphasen: 9
1. Phase: S1 geschlossen, S2 offen (D1 leitend)
2. Phase: S1 offen, S2 offen (Drosselstrom wird je zur Hälfte von D1 und D2
übernommen)
3. Phase: S1 offen, S2 geschlossen (D2 leitend)
4. Phase: S1 offen, S2 offen (Drosselstrom wird je zur Hälfte von D1 und D2
übernommen)
D1 L
ü +U
S2 C RL
UI S1 D2
Ansteuer- Bild 9.27 Prinzipschaltbild

schaltung eines Gegentaktwandlers
Durch die Zweiweggleichrichtung auf der Sekundärseite ist die Ausgangs-

spannung doppelt so groß wie beim Eintaktflusswandler.
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Mittelwert der Ausgangsspannung U0AV
UI tON UI
U0AV ≈ 2 · =2 ·v
ü tON + tOFF ü (9.43)
v < 0,5
Eine sichere Arbeitsweise des Gegentaktwandlers ist nur möglich, wenn

die Einschaltzeiten beider Schalter genau gleich sind (tON = tON1 = tON2 ).
Dies muss durch die Ansteuerschaltung gewährleistet werden. Die maximale

Spannung über den Schaltern US max errechnet sich nach Gl. (9.42).
Eigenschaften der Gegentaktwandler:
umfangreicher Schaltungsaufbau (Trafo mit Mittelanzapfungen und zu-
sätzliche Speicherdrossel notwendig),
keine Gleichstrom-Vormagnetisierung des HF-Trafos bei genau symmetri-
schen Wicklungen,
Anwendung bis zu großen Leistungen bei gutem Wirkungsgrad,
hohe Anforderungen an die Schaltungssymmetrie,
geringe Restwelligkeit durch Speicherdrossel,
zusätzlicher Schaltungsaufwand für Funkentstörung notwendig.
9.2.4.4 Integrierte Ansteuerschaltungen
Der Ansteuermodul im Schaltnetzteil verbindet den Ausgang des Gleich-

spannungs-Wandlers mit dem Steuereingang des Leistungsschalters zu ei-
nem Regelkreis.
I Hinweis: Bei netzverbundenen SNT befindet sich in der Regelschleife noch eine
Potenzialtrennstufe (z. B. Optokoppler oder Impulstrenntrafo).
Allgemeines Regelungsprinzip
Eine Störgröße (z. B. Veränderung der Ausgangsspannung durch Lastände-
rung) bewirkt über den Ansteuerschaltkreis im Stellglied (z. B. PowerMOS-
FET) eine gegenphasige Änderung, sodass der Störeinfluss kompensiert und
der Sollwert der Ausgangsspannung wieder eingeregelt wird.
Die Basisfunktion der integrierten Ansteuerschaltung besteht im Wesent-
lichen aus einem spannungsgesteuerten Modulator, der die Steuersignale für
den Leistungschalter aufbereitet.
Varianten:
Variable Einschaltdauer bei konstanter Frequenz (PWM),
variable Frequenz bei konstanter Einschaltdauer (PFM),
variable Frequenz und variable Einschaltdauer.
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Synchro- Vorwärts-
nisation regelung
R C UZ 0 V +UCC
7 8 9 16 2 12 1
interne interne
Verstärkungs-
Referenz- Sägezahn-
Spannungs-
einstellung
spannung generator
versorgung
4
+ + Ausgangs- 15
Ausgang
3 −
− Pulsdauer- Logik- stufe
spannung
modulator schaltung
Steuer-
0,6 V −
− 14
− +
+ − + − + −
TDA 1060 B 0,5 V 0,6 V 0,6 V
6 5 10 11 13
VTmax −
Über- Ein/Aus Strom- Über-
Einstellung strom- (Fernbedienung) begrenzung spannungs-
schutz schutz
Bild 9.28 Blockschaltbild eines Ansteuerschaltkreises (nach Firmendokumentation)
Ansteuerschaltkreise werden sowohl für Eintakt- als auch Gegentakt-Wandler

angeboten. Die Ausgangsströme betragen je nach Typ 0,02 . . . 1 A. Für höhere
Ströme sind zusätzliche Leistungstreiber einzusetzen.
9
Strombegrenzung durch Überlastschutz (elektronische Sicherung)

Verhinderung von Schäden durch Überstrom oder Kurzschluss. Dabei wird
zwischen statischer und dynamischer Strombegrenzung unterschieden.
Kennlinienarten zur Strombegrenzung (→ Bild 9.29):
a) statische Strombegrenzung mit Sättigungskennlinie,
b) statische Strombegrenzung mit rückläufiger Kennlinie (Fold Back),
c) dynamische Stromabschaltung mit Kippkennlinie.
U U U
a) I K = I max I b) IK I max I c) I
Bild 9.29 Kennlinien von Überlastungsschutzschaltungen
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Elektrische Maschinen sind Energiewandler.

Motoren formen elektrische Energie in mechanische an der Welle um. Bei
Generatoren erfolgt die Wandlung in umgekehrter Richtung. Alle Bauarten
können für beide Energierichtungen eingesetzt werden.
10.1 Allgemeine Vorgaben
10.1.1 Klassifikation
10.1.1.1 Leistungsbereich
Elektrische Maschinen sind als

Generatoren in Wärme-, Wasser- und Windkraftanlagen für die Erzeugung

fast der gesamten elektrischen Energie eines Landes im Einsatz.
Motoren das wichtigste Betriebsmittel in Industrie. Gewerbe und Bestand-
teil vieler Konsumgüter.
Das Produktionsvolumen elektrischer Maschinen einschließlich Steuerung

und Zubehör erreicht in Deutschland derzeit etwa 6 Milliarden Euro. Vom
Großgenerator mit über 1000 MW Leistung bis zum winzigen Schrittmotor
mit ca. 10 µW in einer Quarzuhr besteht so eine Spanne von über 14 Zeh-
nerpotenzen für das Fertigungsprogramm. Darin liegen die mit zweistelligen
Millionen pro Jahr produzierten Dauermagnet-Kleinmotoren als Hilfsantriebe
im Auto oder für batterieversorgte Elektrowerkzeuge. Große Stückzahlen
erreichen Universalmotoren für Gewerbe und Hausgeräte. Industrieantriebe –
in der Regel als Drehstrommotoren ausgeführt – werden listenmäßig bis über
1000 kW angeboten und erreichen im Einzelfall Leistungen bis etwa 30 MW.
Auch bei Generatoren reicht das Fertigungsprogramm von Millionen Licht-
maschinen pro Jahr für Kraftfahrzeuge über autarke Stromversorgungsgeräte
von einigen kVA, Blockheizkraftwerke und Windkraftanlagen im MW-Bereich
bis zu den genannten Großgeneratoren in Wärmekraftwerken.
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10.1 Allgemeine Vorgaben 555
10.1.1.2 Leistungsangaben
Leistungsschild. Nach VDE 0530 T.1 muss eine elektrische Maschine ein
am Gehäuse angebrachtes Leistungsschild mit Angaben zum Hersteller
und allen Daten für den ordnungsgemäßen Betrieb erhalten.
Maschinendaten. Besondere Beachtung verlangt die nach dem Leistungs-

schild vorgesehene Spannungsversorgung und die an der Welle verfügbare
Bemessungsleistung PN . Der Hersteller garantiert hierbei die Einhaltung der

zulässigen Erwärmung für die angegebene Wärmeklasse der Wicklungen. Für
alle übrigen Angaben gelten in VDE 0530 T. 1 angegebene Toleranzen. Dies
bedeutet, dass die Kontrolle auf zulässige Erwärmung im Prüffeld nur durch
Belastung mit der Bemessungsleistung PN an der Welle und nicht z. B. allein
durch den Betrieb mit dem Bemessungsstrom IN erfolgen darf.
Bemessungsmoment MN und Wirkungsgrad η sind nicht zwingend auf dem
Leistungsschild verzeichnet, da sie aus dessen Daten leicht zu errechnen sind.
Für den wichtigsten Fall eines Drehstrommotors gilt:
PN
MN = (10.1)
2π · nN
PN
ηN = √ (10.2)
3 · UN IN cos ϕ N
PN Bemessungsleistung
nN Bemessungsdrehzahl
UN
cos ϕ N
Bemessungsspannnung
Leistungsfaktor bei PN
10
Energiesparmotoren. Zur Steigerung der Energieeffizienz im Sinne der CO2 -
Problematik werden zwei- und vierpolige Drehstromasynchronmotoren bis ca.
375 kW nach VDE 0530 T (Europanorm 60 034-30) inzwischen in Wirkungs-
gradklassen mit der nachstehenden Klassifizierung eingeteilt:
IE1 Standardwirkungsgrad (Conventional Efficiency)
IE2 Hoher Wirkungsgrad (High Efficiency)
IE3 Premium-Wirkungsgrad (Premium Efficiency)
Motoren der einzelnen Klassen müssen ihre Wirkungsgrad-Kennlinien im
Diagramm nach Bild 10.1 mindestens erreichen. Man erkennt deutlich die
Energieeinsparung, besonders bei kleineren Motorleistungen. Für Motoren
mit hoher Betriebsstundenzahl macht sich der Mehrpreis der IE3-Ausführung
innerhalb weniger Jahre bezahlt. IE1-Motoren werden bereits nicht mehr
angeboten.
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556 10 Elektrische Maschinen

Bild 10.1 Wirkungsgradklassen für Asynchronmotoren

10.1.1.3 Gliederung
Als Industrieantriebe werden ausschließlich Asynchron-, Synchron- und

Gleichstrommotoren mit Versorgung aus dem Drehstromnetz eingesetzt.
n0
1
2
3
4
M
Bild 10.2 Charakteristische Drehzahl-Drehmoment-Kennlinien elektrischer
Maschinen (1 synchrones Verhalten, 2 Nebenschlussverhalten, 3 Reihenschluss-
verhalten, 4 asynchrones Verhalten)
Darüber hinaus gibt es eine Vielzahl von vor allem Kleinmotoren für Bat-
teriebetrieb oder Anschluss an die 230-V-Steckdose. Tabelle 10.1 gibt einen
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Tabelle 10.1 Klassifikation und Einsatzcharakteristik elektrischer Maschinen
Stromart Stromanwender- Asynchronmaschine Synchronmaschine Anwendungsbeispiele typische

prinzip Antriebsleistung
Reihenschlussmotor elektrische Fahrzeuge 100 W. . . 500 kW
Gleichstrom Dauermagnetmotor Batterieantriebe 1 W. . . 12 kW
Nebenschlussmotor Werkzeugmaschinen 10 kW. . . 10 MW
Kondensatormotor Haushaltmaschinen 50 W. . . 2 kW
Einphasen- Hysteresemotor Feingeräteantriebe 100 W
wechsel-
strom Spaltpolmotor Haushaltmaschinen 1 W. . . 200 W
Reluktanzmotor Textilmaschinen 100 W. . . 10 kW
Vollpolmaschine Generatoren, Verdichter 100 kW. . . 1800 MW
Dauermagnetmotor Servoantriebe 100 W. . . 10 kW
Schenkelpolmaschine Generatoren 10 kW. . . 1000 MW
Drehstrom Linearmotor Linearmotor Antriebstechnik 50 W. . . 100 kW
Schleifringläufer Pumpen, Hebezeuge 5 kW. . . 500 kW
Universalmotor Elektrohandwerkzeuge 10 W. . . 2 kW
Käfigläufermotor Werkzeugmaschinen 1 kW. . . 30 MW
10.1 Allgemeine Vorgaben
“tbel” — 2017/8/28 — 0:50 — page 557 — #560
elektronische Elektronikmotor Feingerätetechnik 0,5 W. . . 250 W

Gleichstrom- Kommutierung
impulse
Schrittmotor Positionierantriebe 5 µW. . . 500 W
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10
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Überblick zu den eingesetzten Motortypen mit einer Zuordnung sowohl zur

erforderlichen Stromart wie auch dem Wirkungsprinzip. Für Werkzeugma-
schinen und Schienenfahrzeuge mit Gleichstrommotoren sind die Angaben
eher historisch.
Drehzahl-Drehmoment-Charakteristik. Entscheidend für die Wahl eines
Motortyps ist die Zuordnung zwischen Drehzahl n und Drehmoment M.
Bild 10.2 zeigt die vier grundsätzlichen Möglichkeiten.
10.1.2 Normen
Zur Herstellung, Prüfung und den Betrieb einer elektrischen Maschine beste-
hen eine Vielzahl von VDE-Bestimmungen bzw. EN-Europanormen.
10.1.2.1 Bauformen und Schutzarten

Von Sondermaschinen abgesehen unterliegt auch die äußere Ausführung eines
Elektromotors einer Vielzahl von Vorgaben, welche der Standardisierung
gelten und nach Bild 10.3 vor allem die äußere Form betreffen.
Bauform und Schutzart bestimmen die äußere Gestalt einer Maschine.
Bauformen. Die Anordnung der Lager, die Gehäusebefestigung, die Be-

triebslage usw. sind den Anforderungen des Einsatzes anzupassen und nach
der Europanorm EN 60 034-7 bzw. VDE 0530 T.7 in Bauformen festgelegt.
Aus der Vielzahl der möglichen Ausführungen zeigt Tabelle 10.2 die zwei
wichtigsten Varianten.
Bild 10.3 Normvorgaben

im Elektromaschinenbau
Schutzarten. Zum Schutz vor der Berührung unter Spannung stehender oder
bewegter Teile und dem Eindringen von Fremdkörpern oder Wasser erhal-
ten elektrische Maschinen eine geeignete Kapselung. Der dadurch erreichte
Schutzgrad wird nach EN 60 034-5 (VDE 050 T.5) durch die Buchstaben IP
(International Protection) und zwei Zahlen gekennzeichnet, von denen die
erste den Grad des Berührungsschutzes, die zweite den Schutz vor Eindringen
von Wasser angibt. Höhere Zahlenwerte bedeuten einen verstärken Schutz-
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10.1 Allgemeine Vorgaben 559
grad. Als Beispiel sind in Tabelle 10.3 einige der am häufigsten ausgeführten
Schutzgrade angegeben.
Tabelle 10.2 Ausgewählte Bauformen umlaufender elektrischer Maschinen
IEC-Code Bild Erklärung
IM B3 2 Lagerschilde, mit Füßen, ein zylindri-
sches Wellenende, Flansch auf Antriebs-
seite, Aufstellung auf Unterbau mit
Zusatzflansch
IM B5 2 Lagerschilde, ohne Füße, ein zylindri-
sches Wellenende, Flanschanbau
Tabelle 10.3 Ausgewählte Schutzgrade elektrischer Maschinen

Schutzgrad Berührungs- und Fremdkörperschutz Wasserschutz
IP 23 Schutz gegen Fremdkörper größer Schutz gegen Sprühwasser
12 mm Durchmesser
IP 54 Schutz gegen Staubablagerungen vollständiger Schutz
im Innern gegen Spritzwasser

IP 55 Schutz gegen Staubablagerungen vollständiger Schutz
im Innern gegen Strahlwasser
10.1.2.2 Betriebsarten
Die Betriebsart definiert einen Belastungszyklus, dem jeweils eine eigene

Bemessungsleistung PN zugrunde liegt.
10
Tabelle 10.4 Betriebsarten S3, S4 und S5 elektrischer Maschinen
(PV Verlustleistung, ϑ Übertemperatur, n Drehzahl, T Spieldauer, tB Belastungszeit,
tA Anlaufzeit, tP Pausenzeit)
Betriebsart Charakteristik Betriebsverhalten
S3, S4, S5 T Pausen zu kurz, um Maschine auf
Aussetzbetrieb PV Ausgangstemperatur zurückzu-
führen, wenn nicht anders ange-
t A tB t p geben
t Spieldauer T = 10 min,
ϑ
S4: Anlauf bestimmt Erwärmung
mit, S5: Erwärmung durch Anlauf
und Bremsen mitbestimmt
n t (Hebezeuge, Positionierantriebe)
S4 t
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EN 60 034-1 (VDE 0530 T.1) nennt zehn Betriebsarten mit dem Kennbuchsta-
ben S (Service) und einer Zahl, beginnend mit dem häufigsten Dauerbetrieb
S1, über Kurzzeitbetrieb S2, Aussetzbetrieb S4 bis zu Lastspielen in S8 bis
S10. Dem Belastungsverlauf werden auch die auftretenden Temperaturzyklen
zugeordnet. Tabelle 10.4 zeigt als Beispiel Varianten von S3 bis S5.
10.1.2.3 Baugrößen
Die Baugröße einer elektrischen Maschine wird durch das geforderte

Drehmoment MN bestimmt. Je nach Drehzahl nN gehört dazu eine kleine
oder große Leistung PN .
Die Baugröße wird nach Bild 10.3 durch die Achshöhe h bestimmt. Sie
ist nach einer IEC-Norm in einer Reihe von 56 mm bis 450 mm gestuft,
wobei für Drehstrommotoren auch gleichzeitig Anbaumaße und Leistungen
zugeordnet sind. Um eine Achshöhe für mehrere Leistungen verwenden zu
können, werden mit den Kennzeichen S (Short), M (Mittel) und L (Lang) drei
Gehäuselängen hergestellt. Beispielhaft gilt für vierpolige Drehstrommotoren

bei UN = 400 V, 50 Hz, IE2, IP55 (→ Tabelle 10.5):
Tabelle 10.5 Ausgewählte Baugrößen vierpoliger Drehstrommotoren
Baugröße PN nN IN MN η (EFF2) cos ϕ N
in kW in min−1 in A in N · m in %
100 L 3,0 1445 6,1 20 85 0,83
132 S 5,5 1450 11,2 36 86 0,83
132 M 7,5 1450 15,0 49 87 0,83
160 L 15,0 1460 29,5 98 89,4 0,82
Verluste und Erwärmung. Entsprechend dem Wirkungsgrad η N entstehen

im Bemessungsbetrieb einer elektrischen Maschine die Verluste PV N nach:
PN (1 − η N )
PVN = (10.3)
ηN
Sie setzen sich aus Stromwärmeverlusten in den Wicklungen, Ummagnetisie-

rungs- und Wirbelstromverlusten im Elektroblech sowie Reibungsverlusten
zusammen. In ihrer Summe erwärmen sie alle Maschinenteile, wobei mit
Rücksicht auf die Temperaturbeständigkeit der Wicklungsisolierung Grenz-
werte einzuhalten sind. Diese sind nach EN 60 034-1 (VDE 0530 T.1) in
Wärmeklassen mit den Buchstaben A bis H klassifiziert. Bei der üblichen
Bestimmung der Erwärmung aus der Erhöhung des ohmschen Wicklungswi-
derständes gelten bis zu Kühllufttemperaturen von 40 ◦ C für Wicklungen im
Wesentlichen die zulässigen Übertemperaturen ∆ ϑ nach Tabelle 10.6.
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10.2 Gleichstrommaschinen 561
Tabelle 10.6 Zulässige Übertemperaturen von Wicklungen

Wärmeklasse A E B F H
Übertemperatur in ◦ C 60 75 80 110 125
10.2 Gleichstrommaschinen
Als klassischer drehzahlgeregelter Antrieb für die industrielle Produktion und
die Verkehrstechnik hat die Gleichstrommaschine inzwischen diesen Platz an

die umrichtergespeiste Drehstommaschine verloren und behauptet sich hier
nur noch in Sonderfällen. Es bleibt vor allem der Einsatz mit sehr hohen
Stückzahlen pro Jahr als batterieversorgter Kleinmotor im Kfz-Bereich, bei
Elektrowerkzeugen und bei der Feinwerktechnik (→ 10.5.1). Gleichstromge-
neratoren haben keine Bedeutung mehr.
10.2.1 Aufbau und Wirkungsweise

Um rasche Änderungen des Ankerstromes zu ermöglichen, werden Gleich-

strommaschinen im Ständer und Anker vollständig geblecht.
10.2.1.1 Bauteile
10
Bild 10.4 Längs- und
Querschnitt einer vier-
poligen, vollgeblechten
Gleichstrommaschine in
Viereckbauweise 38 kW,
400 V, 1460 min−1
(Franz Kessler KG, Bad
Buchau)
1 Ständerblech mit
Hauptpolen (2) und
Wendepolen (3),
4 Erregerwicklung,
5 Wendepolwicklung,
6 Anker,
7 Ankerwicklung,
8 Stromwender,
9 Kohlebürsten
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Ständer. Bild 10.4 zeigt den Querschnitt einer modernen Gleichstromma-

schine in der heute üblichen Rechteckform. Zwischen den Hauptpolen mit
der Erregerwicklung sitzen Wendepole, deren Wicklung vom Ankerstrom
durchflossen ist und die ab Leistungen von einigen kW für einen Betrieb
ohne Bürstenfeuer zwingend sind. Beide Polarten umgibt als magnetischer
Rückschluss das Ständerblech.
Anker und Stromwender. Auf der Welle sitzen hintereinander das Anker-
blechpaket mit Nuten entlang des Umfangs und der Stromwender (Kollektor,
Kommutator) Die Leiter in den Ankernuten bilden in ihrer Summe die An-
kerwicklung, deren einzelne Spulen an den Stegen (Segmenten, Lamellen)
des Stromwenders angeschlossen sind. Damit wird erreicht, dass der über
die Kohlebürsten eingespeiste Ankerstrom innerhalb eines Hauptpolbereichs
immer dieselbe Richtung hat.
10.2.1.2 Wirkungsweise
Spannung. Nach dem Induktionsgesetz in der Form U = Blv (→ 2.3.9.2)

ergibt sich mit der Leiterzahl z im Anker die zwischen den Kohlebürsten
induzierte Spannung zu:
Uq = cnΦ (10.4)
c = z p/a Maschinenkonstante mit p = Polpaarzahl

a=1 bei Wellenwicklungen, a = p bei Schleifenwicklungen
n Drehzahl
Φ magnetischer Fluss pro Hauptpol
Die Spannung U an den Kohlebürsten unterscheidet sich gegenüber Uq um
den Spannungsverlust am Widerstand RA der Ankerwicklung und die Bürs-
tenübergangsspannung 2 UB ≈ 2V. Ohne UB gilt vereinfacht:
U = Uq ± IA RA (10.5)
Das Pluszeichen gilt für den Motorbetrieb.

Drehzahl. Durch Umstellen von Gl. (10.4) erhält man mit Gl. (10.5) die
Drehzahl einer Gleichstrommaschine zu:
U − IA RA
n= (10.6)
cΦ
Drehmoment.
Das Drehmoment einer Gleichstrommaschine ist dem Produkt aus Anker-
strom IA ünd Flussdichte Φ unter dem Hauptpol proportional.
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Das so genannte innere Drehmoment Mi , das nach Mi = M + Mv um einen

kleinen Anteil Mv zur Deckung der Eisen- und Reibungsverluste im Anker
größer ist als das an der Welle verfügbare Moment M, errechnet sich am
einfachsten aus der inneren Leistung Pi = Uq IA . Mit Mi = Pi /(2πn) erhält man
mit Gl. (10.4):
c
Mi = · Φ · IA (10.7)
2π
Verknüpft man obige Beziehungen, so erhält man die allgemeine Beziehung

zwischen Drehmoment und Drehzahl mit:
U 2π RA Mi
n= − (10.8)
cΦ (cΦ )2
Lamellenspannung. Der Stromwender besteht aus K Kupferlamellen (Ste-

gen, Segmenten), die gegeneinander durch eine ca. 1 mm breite Isolation
elektrisch getrennt sind. Die Oberfläche dieser Trennung ist nur sehr begrenzt
spannungsfest und neigt ab Spannungen dazwischen von über etwa 30 V zu
Überschlägen, was zu Rundfeuer und damit Kurzschluss der Maschine führt.

Mit Rücksicht auf örtliche Abweichungen begrenzt man daher die zwischen
den Lamellen anliegende Spannung UL auf ca. 15 V mit:
U · 2p
UL = (10.9)
K
Kommutierung. Für die Wirkungsweise der Gleichstrommaschinen ist es
generell notwendig, dass unter einem Ständerpol immer die gleiche Läufer-
stromrichtung trotz der Läuferdrehung beibehalten wird. Der Vorgang des 10
notwendigen Wechsels der Stromrichtung in der die neutrale Zone durch-
laufenden Spule (kommutierende Spule) im Läufer wird als Kommutierung
(Stromwendung) bezeichnet (→ Bild 10.5). Der Stromwechsel in der jewei-
ligen kommutierenden Spule muss in der Zeit tk erfolgen, in der sie über
die jeweiligen Kupferlamellen und die Kohlebürste kurzgeschlossen wird (→
Bild 10.6). Infolge der Induktivität der kommutierenden Spule erfolgt die
Kommutierung zeitlich verzögert. Wird die Stromdichte an der ablaufenden
1 4 Bild 10.5
Kommutierungsprinzip des Stromes in
−I +I der kommutierenden Spule
1 kommutierende Spule, 2 Kupfer-
lamellen, 3 Kohlebürste, 4 Leiterschlei-
fen des Läuferwicklungszweiges
2
v I Leiterstrom, v Gleitgeschwindigkeit
2I 3 der Kohlebürsten auf dem Kommutator
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Bürstenkante zu groß, tritt Bürstenfeuer auf und führt zum Verschleiß von
Kohlebürsten und Kupferlamellen.
isp Kommutierung
Bild 10.6
I
Zeitlicher Verlauf des
2a Stromes isp in einer Spule
t des Kommutatorankers
I tk Kommutierungszeit,
− p Polpaarzahl, n Drehzahl,
2a 1 tk a Zahl der parallelen
pn Ankerzweige
10.2.1.3 Anker- und Erregerwicklung
Die Drehzahl-Drehmoment-Charakteristik eines Gleichstrommotors

wird durch die Schaltung von Erreger- zur Ankerwicklung bestimmt.
Fremderregter Motor Nebenschlussmotor

UA U
IA UE
IA
A1 A1
F2 F1 E1
E2
M M
IE IE
A2 A2
B2 B2
B1 B1
Reihenschlussmotor Doppelschlussmotor
(Compoundmotor)
U UA
I IA UE
A1 D2 A1
D1 F2 F1 D2
D1
M M
I IE IA
A2 A2
Bild 10.7 Klassifikation
B2 B2 von Gleichstrommotoren
B1 B1 hinsichtlich ihrer Erregung
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Schaltung der Erregerwicklung. Die Bauarten der Gleichstrommotoren er-

geben sich durch Variation der Schaltung der Erregerwicklung (Feldwicklung)
zur Ankerwicklung. Nach Bild 10.7 ergeben sich prinzipiell vier Modifikatio-
nen.
Drehsinn. Für den Betrieb der Motoren ist festgelegt, dass bei Stromrichtung
in jeder Wicklung nach Bild 10.7 vom Anschluss 1 (Anfang der Wicklung)
zu 2 bei Blick auf die Welle Rechtslauf entsteht. Für eine Umkehr der
Drehrichtung wird in der Regel mit der Ankerspannung der Ankerstrom IA

umgepolt. Bei Einsatz eines Doppelschlussmotors ist dabei auch die Hilfs-
reihenschlusswicklung umzupolen, da sonst beide Erregungen gegeneinander
wirken.
10.2.2 Betriebsverhalten
Für den Einsatz der Maschine ist ihre Drehzahl-Drehmoment-Kennlinie

entscheidend.
10.2.2.1 Ankerrückwirkung
Die vom Strom durchflossenen Wicklungen des Ankers erzeugen ein magne-
tisches Feld Φ A , das senkrecht (quer) zum Hauptfeld (Erregerfeld) Φ H steht.
Dieses Ankerfeld (Ankerquerfeld) bildet mit dem Hauptfeld ein resultierendes
Feld Φ r , das gegenüber dem Hauptfeld im Leerlauf der Maschine verzerrt ist.
Diese Verzerrung führt zu einer ungleichen Induktionsverteilung unter den
Hauptpolen mit Sättigung jeweils einer Polschuhkante und in der Folge damit
zur Feldschwächung und weiter zu einer Verschiebung der neutralen Zone
10
(feldfreier Raum) der elektrischen Maschine. Diese Verschiebung erfolgt bei
Generatoren in Drehrichtung und bei Motorbetrieb entgegen der Drehrich-
tung. Man bezeichnet diesen Einfluss des Ankerstromes auf Größe und Lage
des Luftspaltfeldes einer Gleichstrommaschine als Ankerrückwirkung. Ihre
Folgen:
Verschiebung der neutralen Zone mit β > 0
Verzerrung des Feldverlaufs Bx unter den Hauptpolen
Minderung des resultierenden Magnetfeldes gegenüber Leerlauf Φ < Φ 0
lassen sich zwar nicht beseitigen, doch können ihre Folgen durch konstruktive
Maßnahmen aufgehoben werden.
Wendepole. Diese schon in Bild 10.4 angegebenen Hilfspole zwischen den
Hauptpolen beseitigen durch die Durchflutung ihrer vom Ankerstrom erregten
Wicklung das Ankerquerfeld in der neutralen Zone und bauen ihrerseits dort
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S S
neutrale β neutrale
n n
Zone Zone
N N
Hauptfeld Ankerquerfeld Gesamtfeld

Bild 10.8 Auswirkung der Ankerrückwirkung auf das Erregerfeld der
Gleichstrommaschine (Motorbetrieb)
das Wendefeld auf. Dies erzeugt in der kommutierenden, d. h. momentan von

einer Kohlebürste überbrückten Ankerspule die so genannte Wendefeldspan-
nung Uw . Mit Ur − Uw = 0 hebt sie die durch die Stromänderung (→ Bild
10.6) entstandene Stromwendespannung oder Reaktanzspannung Ur auf und
sichert einen bürstenfeuerfreien Betrieb.
Bei Kleinmaschinen verzichtet man aus Kostengründen auf Wendepole und

verändert die Lage der kommutierenden Spule durch eine fest eingestellte
Bürsten- oder Schaltverschiebung mit dem gleichen Effekt in das Feld des
benachbarten Hauptpols.
Kompensationswicklungen. Da im Bereich der Polschuhe das Ankerquer-
feld durch die Wendepole unbeeinflusst bleibt, erhalten größere elektrische
Maschinen in den Nuten der Hauptpole (→ Bild 10.4) zusätzliche Kompensa-
tionswicklungen, die mit den Wendepolwicklungen in Reihe geschaltet sind.
Die Stromrichtung in den Kompensationswicklungen muss dabei wie in den
Wendepolwicklungen dem Ankerstrom entgegengerichtet sein.
Bei Leistungen PN > 100 kW sind Kompensationswicklungen zweckmäßig.
Hilfsreihenschlusswicklungen. Sie sind im Gegensatz zu den konstruktiv
aufwändigen Kompensationswicklungen konzentrisch auf die Hauptpole ge-
steckt (→ Bild 10.9), wobei nur die Feldschwächung kompensiert wird.
1
2 Bild 10.9 Hilfsreihenschlusswicklung
(1 Erregerwicklung, 2 Hilfsreihen-
schlusswicklung)
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10.2.2.2 Fremderregte Gleichstrommotoren
Fremderregte Motoren haben hinsichtlich ihrer Drehzahl Nebenschluss-

verhalten mit getrennter Versorgung von Anker- und Erregerwicklung.
Soweit nicht vollständig von umrichtergespeisten Drehstrommotoren abge-

löst, werden für drehzahlgeregelte Antriebe stets fremderregte Motoren ein-
gesetzt. Die Versorgung und Regelung erfolgt wie unter 10.2.3.4 gezeigt mit
Stromrichterschaltungen der Leistungselektronik.

Bei Betrieb mit Kompensations- oder in der Regel mit der preiswerteren
Hilfsreihenschlusswicklung, d. h. der Ausführung als Doppelschlussmotor, ist
die feldschwächende Wirkung der Ankerrückung beseitigt und es entstehen
flach abfallende Kennlinien n = f (M) nach Kurve 1 in Bild 10.10. Ursache für
den Drehzahlrückgang ist nach Gl. (10.6) bzw. (10.4) der Spannungsverlust
am Ankerwiderstand RA .
n
n0 2
∆nN 1
Bild 10.10 Drehzahl-Drehmoment-Kenn-

linie des fremderregten Gleichstrommotors
1 kompensierte Maschine (ohne Anker-
rückwirkung), 2 unkompensierte Maschine
MN M (mit Ankerrückwirkung)
10
Ohne Hilfsreihenschlusswicklung entsteht als Folge der Ankerrückwirkung
eine mit der Belastung anwachsende Feldschwächung mit einem allmählichen
Wiederanstieg der Drehzahl (Kurve 2). Dies kann zu instabilem Betrieb führen
und ist zu vermeiden.
10.2.2.3 Reihenschlussmotoren
Reihenschlussmotoren haben eine stark lastabhängige Drehzahl mit sehr

hohen Werten im Leerlauf – der Motor geht durch.
Erreger- und Ankerwicklung liegen nach Bild 10.7 in Reihe, sodass mit
IA = IE = I der Ankerstrom gleichzeitig auch der für das Hauptpolfeld Φ
erforderliche Erregerstrom ist. Vernachlassigt man die magnetische Sättigung,
so gilt Φ = cE I und man erhält mit der neuen Konstante cR = c · cE über die
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Gln. (10.4) und (10.7) als Drehzahl und Drehmoment für einen Reihenschluss-
motor:
U R cR 2
n= √ − (10.10a) M= ·I (10.10b)
2π · cR M cR 2π
Gleichung (10.10a) beschreibt im Wesentlichen eine Parabel nach Bild 10.11.
Die quadratische Zuordnung M ∼ I 2 machte den Reihenschlussmotor zum
klassischen Fahrzeugantrieb für Bahnen aller Art, da so die für den häufigen
Anlauf erforderlichen hohen Drehmomente bei begrenztem Strom erreichbar

sind. Aber auch hier sind diese Motoren weitestgehend durch umrichterge-
steuerte Drehstrommotoren ersetzt.
n
2
1 Bild 10.11 Drehzahl-Drehmoment-

Kennlinie des Gleichstrom-Reihen-
schluss-motors; 1 ohne Sättigungs-
M einfluss, 2 mit Sättigungseinfluss
10.2.3 Drehzahlsteuerung
Der Gleichstrommotor verdankt seinen früher vorrangigen Einsatz als ge-

regelter Antrieb seiner einfachen und fast verlustfreien Steuerbarkeit.
Stellmöglichkeiten. Nach Gl. (10.8) lässt sich die einem Drehmoment zuge-
ordnete Drehzahl durch
Zuschalten eines Ankervorwiderstandes RV
Schwächung des Erregerfeldes Φ
Absenken der Ankerspannung U
verändern. Für drehzahlgeregelte Antriebe werden nur die beiden letzten
Verfahren eingesetzt.
10.2.3.1 Ankervorwiderstand
Die Drehzahlstellmöglichkeit mittels Ankervorwiderstand zählt zu den

verlustbehafteten Drehzahlstellmöglichkeiten.
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Der Ankerkreiswiderstand wird durch den Vorwiderstand RV erhöht. Nach

Gl. (10.8) verringert sich dadurch die Drehzahl n bei gleichem Moment M (da
M ∼ IA ).
U − (RA + RV )IA
n= (10.11)
cΦ
Die im Bild 10.12 gezeigte Stellmöglichkeit bedingt eine Vergrößerung der
Verluste durch Stromwärme im Ankerkreis. Durch die Verringerung der Dreh-
zahl n bei gleich bleibendem Drehmoment sinkt trotz konstant aufgenomme-

ner Leistung UIA die abgegebene mechanische Abgabeleistung und damit der
Wirkungsgrad etwa proportional mit der Drehzahl. Das Verfahren ist daher
unwirtschaftlich und wird praktisch nicht eingesetzt.
L+ L−
I, n RV1 < RV2 < RV3
n0
IA RV1
A1
E1
E2
M
RV2
IE I(M)
A2
RV3
B2 MLast M
B1
Bild 10.12 Drehzahländerung durch Ankervorwiderstand
10
10.2.3.2 Feldschwächung
Durch Feldschwächung kann die Drehzahl verlustfrei auf Werte über den
Bemessungswert nN erhöht werden.
U
I
A1 1 2 3
M D2 D1
A2
B2
Bild 10.13 Feldschwächung durch Anzapfen der
B1 Erregerwicklung beim Gleichstrom-Reihenschlussmotor
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Das Verfahren findet seine Grenze mit Rücksicht auf die Fliehkräfte und das
Bürstenfeuer. Für Reihenschlussmotoren im Bahnbetrieb wurde gerne eine
Anzapfung der Erregerwicklung (→ Bild 10.13) verwendet, wodurch die
Erregerdurchflutung und damit der Polfluss Φ sinken. Zusammen mit der
Änderung der Klemmenspannung ergibt sich damit das Kennlinienfeld in Bild
10.14.
M
Φ < ΦN
Bild 10.14 Drehzahlkennlinien

UN ,Φ N des Reihenschlussmotors bei
U <UN Feldschwächung und Herab-
n setzen der Klemmenspannung
10.2.3.3 Spannungsabsenkung
Mit Spannungsabsenkung wird der Drehzahlbereich unterhalb des Be-

messungswertes nN abgedeckt.
Realisiert werden Ankerspannungen U 5 UN durchweg durch Stromrichter-

schaltungen mit dem nachfolgend dargestellten Prinzip. Spannungsänderung
und Feldschwächung ergeben zusammen ein geschlossenes Kennlinienfeld
(→ Bild 10.15). Ab n = nN kann mit Rücksicht auf den Ankerstrom nicht
mehr das volle Drehmoment MN erreicht werden.
Bild 10.15 Drehzahlkennlinien des

fremderregten Motors mit Anker- und
Feldstellbereich
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10.2.3.4 Stromrichterbetrieb
Gleichstrommotoren werden durchweg über Stromrichterschaltungen der

Leistungselektronik versorgt und gesteuert.
Bei Anschluss an das Drehstromnetz werden als Stellglieder Thyristoren

eingesetzt, die ab Leistungen über einigen kW fast immer zur Sechspuls-
Brückenschaltung (→ Bild 10.16) verbunden sind. Zur Anpassung der Span-
nung wird häufig eine Transformator vorgeschaltet. Ist keine Feldschwächung

vorgesehen, genügt für den Erregerkreis eine Diodenschaltung.
Bild 10.16 Gleichstromantrieb mit

Stromrichter in Sechpuls-Brückenschaltung
Die Änderung der Ankerspannung erfolgt nach dem Verfahren der Pha- 10
senanschnittsteuerung, mit dem die einzelnen elektronischen Schalter (Thy-
ristoren) mit dem Steuerwinkel α verzögert gegenüber dem Schnittpunkt
der Netzwechselspannungen uL eingeschaltet werden. Je nach eingestelltem
Winkel entstehen so Spannungsverläufe ud nach Bild 10.17, die positive und
negative Werte annehmen können. Die Glättungsinduktivität L nimmt die
Oberschwingungen der Spannungskurve auf, sodass der Anker eine fast reine
Gleichspannung UA erhält.
Je nach Anforderungen an den Antrieb unterscheidet man Stromrichterschal-
tungen für Ein- bis Vierquadrantenbetrieb, wobei mit Letzerem ein Motor-
und Bremsbetrieb in beiden Drehrichtungen möglich ist.
Bild 10.18 zeigt das Prinzip eines typischen Regelkreises eines stromrichterge-
speisten Antriebs. Der Drehzahlregelung ist eine Stromregelung unterlagert,
womit jede Drehzahländerung nur innerhalb einer eingestellten Stromgrenze
erfolgt.
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Bild 10.17 Bildung der Gleichspannung ud bei einer Sechpuls-Brückenschaltung

Regler
Netz
Hochlauf- Drehzahl- Strom- Leistungs-

regler regler Steuerteil
nsoll geber − − teil
nist I ist
Gleich-
strom-
wandler
Belas-
Tacho M
tung
Bild 10.18 Prinzip eines Drehzahlregelkreises für Gleichstromantriebe
10.2.3.5 Bremsverfahren
Ziel eines Bremsverfahrens sollte es sein, die freiwerdende Bewegungs-

energie als elektrische Energie in das Netz rückzuspeisen.
Nutzbremsung. Nach Gl. (10.5) ergibt sich der Ankerstrom zu:

U − Uq
IA = (10.12)
RA
Für eine Netzbremsung gegen eine gegebene Spannung U muss die Richtung
des Ankerstromes umgekehrt werden. Da mit sinkender Drehzahl nach Gl.
(10.4) die induzierte Spannung Uq = cnΦ abnimmt, ist nach U < Uq die An-
kerspannung ständig anzupassen. Dies ist praktisch nur mit einer Stromrichter-
schaltung möglich und wird in der Praxis durch eine Gegenparallelschaltung
zweier Stromrichter – jeder für eine Stromrichtung – realisiert.
Widerstandsbremsung. Hier wird nur der Ankerkreis von der Versorgung
getrennt und auf einen vielstufigen Widerstand z. B. R = R1 bis R4 (→ Bild
10.19) geschaltet. Wird dieser der Drehzahl angepasst verringert, kann fast bis
zum Stillstand mit dem vollen Drehmoment gebremst werden.
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10.3 Drehstrom-Asynchronmaschinen 573
Die Technik der Widerstandsbremsung wurde früher zum Stillsetzen von

Bahnmotoren verwendet. Da die kinetische Energie der Anlage in Wärme
verloren geht, ist sie heute mit Rücksicht auf die Energieeffizienz nur noch
selten im Einsatz.
n
L+ n0
L− R1
R2
2 1
R3
E1
M E2 R4
RV
−M1 −M 2 M
Bild 10.19 Widerstandsbremsen Bild 10.20 Drehzahlverlauf bei
1 Motorbetrieb, 2 Bremsen Widerstandsbremsung
10.3 Drehstrom-Asynchronmaschinen
Asynchronmaschinen sind der weitaus wichtigste Elektroantrieb für Ge-

werbe, Transport und alle Bereiche industrieller Produktion.
Einsatzgebiete. Sie verdanken ihre Vormachtstellung dem einfachen, robus-

ten Aufbau mit entsprechend niedrigen Anschaffungskosten, dem geringen
Wartungsaufwand und der hohen Betriebssicherheit. Seit Entwicklung der
Frequenzumrichtertechnik sind Asynchronmaschinen zudem wie der Gleich-
strommotor im weiten Bereich verlustfrei drehzahlsteuerbar.
Asynchronmaschinen werden listenmäßig in einem weiten Leistungsbereich 10
hergestellt, wobei für Pumpen, Gebläse, Geräte usw. mit PN < 2 kW gerne
Einphasenmotoren mit Anschluss an die Steckdose verwendet werden.
10.3.1.1 Bauteile
Aufbau. Bild 10.21 zeigt in einem Längsschnitt schematisch die elektromag-
netisch aktiven und passiven Hauptbaugruppen der Drehstromasynchronma-
schine mit Kurzschlussläufer.
Ständer. Das im Gehäuse befestigte Ständerblechpaket nimmt in den Nuten
die isolierte Drehstromwicklung auf. Bei den Niederspannungsmaschinen sind
sie meist halb geschlossen. Für Hochspanungsmaschinen sind offene Nuten
typisch.
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Gehäuse mit Kühlrippen

Ständerwicklung
Lüfter
Luftspalt
Kurzschluss- Wälz-
käfig lager
Abdeck-
kappe
Welle
Läuferblech-
paket
Ständerblech- Lager-
paket schild
Fuß
Bild 10.21 Schnittbild einer Niederspannungs-Asynchronmaschine
Die Anfänge U1, V1, W1 und die Enden U2, V2, W2 der in den Nuten
verteilt angeordneten drei Spulengruppen (Stränge) U, V, W werden zum
Klemmkasten der Maschine geführt. Durch geeignete Schaltverbindungen im
Klemmkasten kann die Drehstromwicklung in Y- bzw. 4-Schaltung betrieben
werden (→ Bild 10.25).
a) b) c)
Bild 10.22 Beispiele für die Nutgestaltung und Stabformen bei Asynchron-
maschinen mit Käfigläufern; a) Rundstabläufer, b) Hochstabläufer mit
Rechteckstäben, c) Doppelkäfigläufer mit Rundstäben
Kurzschlussläufer. Auf der Läuferwelle ist wiederum ein Blechpaket mit

Nuten angeordnet. Die Wicklung besteht beim Kurzschlussläufer aus Lei-
terstäben (Aluminium, Kupfer) ohne zusätzliche Isolation. Die parallel oder
leicht verdreht zur Welle am Läuferumfang verteilt angeordneten Leiterstäbe
in den Nuten sind an den Stirnseiten des Läuferblechpaketes durch Ringe
kurzgeschlossen und bilden so den Kurzschlusskäfig. Durch die Wahl spe-
zieller Querschnittsformen der Läuferstäbe (→ Bild 10.22a, b, c) lässt sich
das Anlaufverhalten des Motors beeinflussen. Bild 10.23 veranschaulicht die
prinzipielle Konstruktion von Kurzschlussläuferkäfigen.
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Die Blechung von Ständer und Läufer ist erforderlich, um die infolge der
magnetischen Wechselfelder entstehenden Wirbelstromverluste zu begrenzen.
Drehstrom-
wicklung
des Schleif-
ringläufers
Anlass-
widerstände
M
L
Rotorstab K
Kurzschlussring Schleifringe
Bild 10.24 Schleifringläufer mit
Bild 10.23 Kurzschlussläuferkäfig Anlasswiderständen
Schleifringläufer. Der Schleifringläufer hat in den Nuten des Blechpaketes

analog zum Ständer eine isolierte dreisträngige Läuferwicklung. Die Enden

der Läuferwicklungstränge sind dabei meist zu einem Sternpunkt verbunden,
während die Anfänge auf Schleifringe geführt sind. Über die Schleifringe
können der Wicklung Anlasswiderstände oder eine Stromrichterschaltung (→
10.3.3.3) zugeschaltet werden.
Der Luftspalt zwischen Ständer- und Läuferblechpaket wird mit Rücksicht auf
den Magnetisierungsstrom und damit den Leistungsfaktor cos ϕ so klein wie
konstruktiv möglich gehalten. Er beträgt Leistungsbereich von einigen kW
nur einige Zehntelmillimeter. 10
Anschlusskasten. Um die drei Ständerwicklungen sowohl in Stern- wie in
Dreieckschaltung durch einfaches Umlegen von Kupferlaschen an das Dreh-
stromnetz anschließen zu können, werden die jeweils drei Anfänge und Enden
in der in Bild 10.25 gezeigten Reihenfolge angeordnet.
Y-Schaltung -Schaltung
W2 U2 V2 W2 U2 V2
U1 V1 W1
U1 V1 W1 U1 V1 W1
a) U2 V2 W2 b) L1 L2 L3 c) L1 L2 L3
Bild 10.25 Schaltbilder von Drehstrommotoren
a) Anschlussbezeichnung, b) Sternschaltung, c) Dreieckschaltung der Wicklungen
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10.3.1.2 Drehfeld und Drehmoment
Asynchronmaschinen bilden ihr Drehmoment durch die Induktion des

umlaufenden Magnetfeldes (Drehfeld) der Ständerwicklungen in den Läu-
ferleitern.
Die drei jeweils um 120◦ phasenverschobenen, Ständerströme iU , iV und

iW (→ Bild 10.26a) erzeugen in ihrer Wicklungsachse zeitlich sinusförmi-
ge Wechselfelder, die sich zu einem resultierenden Feld der Amplitude B1

zusammensetzen. Idealisiert ist der Verlauf der Flussdichte Bx entlang des
Luftspaltes sinusförmig wie in den Bildern 10.26b, c für eine Halbwelle
angedeutet. Betrachtet man zwei Zeitpunkte t1 und t2 , so ist zu erkennen,
dass die Feldwelle in der Spanne ∆t = t2 − t1 , also während eines Drittels
der Periodendauer T bei zweipoligen Maschinen um den Umfangswinkel
α = 120◦ gewandert ist.Während einer Periode durchläuft die Feldwelle somit
eine volle Umdrehung. Damit ergibt sich die so genannte Synchrondrehzahl
ns eines Drehfeldes zu:
fN
ns = (10.13)
p
Bei der Frequenz des öffentlichen Netzes fN = 50 Hz rotiert das Drehfeld mit
einem Polpaar p (zweipolige Maschine) mit 50 Umdrehungen pro Sekunde
(3000 min−1 ), beim häufig vierpoligen Motor (p = 2) mit n = 1500 min−1 .
Bild 10.26 Drehfeldbildung der Ständerwicklung

a) Zeitdiagramm der Wicklungsströme, b) Lage der Sinuswelle des Drehfeldes zum
Zeitpunkt t1 , c) zum Zeitpunkt t2
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Schlupf. Damit der Läufer der Maschine ein Drehmoment entwickeln kann,
muss der Läuferstrom I2 nach F = BlI2 zusammen mit dem Drehfeld B1
Tangentialkräfte entwickeln. Läuferströme können aber bei kurzgeschlossener
Wicklung nur durch Induktion entstehen, wozu zwischen der Drehfelddreh-
zahl ns und der Läuferdrehzahl n ein Unterschied ∆n = ns − n bestehen muss.
Asynchronmotoren rotieren also bauartbestimmt langsamer als ihr Ständer-
drehfeld und damit nicht im Gleichlauf (asynchron). Man bezeichnet den auf
ns bezogenen Unterschied als Schlupf und erhält:
ns − n
s= (10.14) n = ns (1 − s) (10.15)
ns
Der Schlupf bei Bemessungsleistung PN beträgt ca. 6 % bis 1 % und sinkt mit
größeren Leistungen.
10.3.2 Betriebsverhalten
Das Betriebsverhalten der Asynchronmaschine lässt sich über ihre Ersatz-

schaltung bestimmen, die sich wiederum aus Spannungsgleichungen der

Ständer- und der Läuferwicklung ergibt.
10.3.2.1 Ersatzschaltung und Zeigerbild
Gleichungssystem. Wie bei einem Transformator mit Primär- und Sekundär-

wicklung sind hier beide Seiten durch den gemeinsamen Fluss Φ h des Drehfel-
des verknüpft. Er induziert in einem Strang der Ständerwicklung die Spannung
U1q und im Läuferstrang im Stillstand bei s = 1 die Läuferstillstandsspannung 10
U2q0 . Im Betrieb mit der Drehzahl n reduziert sich dieser Wert entsprechend
der Schlupfdrehzahl ∆n = sns auf:
U2q = sU2q0 (10.16)
Die geringere Relativdrehzahl ∆n = sns des Drehfeldes zum Läufer hat auch
eine eigene Läuferfrequenz nach
f2 = s fN (10.17)
zur Folge. Vor Entwicklung der Frequenzumrichter wurden nach Gl. (10.17)
Schleifringläufermaschinen als rotierende Frequenzwandler eingesetzt. Treibt
man z. B. eine vierpolige Maschine bei der Netzfrequenz fN = 50 Hz mit
n = 300 min−1 entgegen der Drehfeldrichtung an, so entsteht wegen s = 1,2
an den Läuferklemmen eine Spannung mit f2 = 1,2 · 50 Hz = 60 Hz wie sie
in den USA üblich ist.
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Um in der Ersatzschaltung eine galvanische Kopplung von Ständer- und

Läuferstromkreis zu erhalten, werden die Läuferdaten auf die Windungszahl
und Frequenz des Ständers umgerechnet und dies durch ein Hochkomma ( 0 )
gekennzeichnet. Als Ergebnis erhält man das Gleichungssystem Gl. (10.18):
Ständerstrang U 1 = I 1 R1 + jI 1 ω L1σ + U 1q
R0
Läuferstrang 0 = I 20 2 + jI 20 ω L20 σ + U 1q (10.18)
s
Eisenverlustkreis 0 = I fe Rfe + U 1q
Dabei werden folgende Bezeichnungen verwendet:

U1 Ständerstrangspannung,
I1 Ständerstrangstrom,
R1 Ständerstrangwiderstand,
L1σ Streuinduktivität eines Ständerstranges,
ω Kreisfrequenz,
U1q Quellenspannung eines Ständerstranges,
I20 = I2 · 1/ü reduzierter Läuferstrangstrom,
R20 = R2 ü2 reduzierter Läuferstrangswiderstand,

L20 σ reduzierte Streuinduktivität des Läuferstranges,
Ife Eisenverluststrom,
Rfe Eisenverlustwiderstand,
ü Übersetzungsverhältnis zwischen Ständer- und Läuferstrang.
Für die Ausbildung des magnetischen Flusses Φ h mit konstanter Amplitude
ist auf dem Magnetkreis der Asynchronmaschine ebenfalls eine Durchflutung
Θ µ mit konstanter Amplitude erforderlich.
Θ µ = Θ 1 + Θ 2 + Θ fe = Θ res (10.19)
Mit den auf die Ständerstrangwindungszahl reduzierten Strömen (I20 , Ife0 ) erhält
man schließlich die Stromgleichung.
I µ = I 1 + I 20 + I fe (10.20)
Die Stromsumme Iµ wird Magnetisierungsstrom genannt.
Ersatzschaltbild. Zu den Gln. (10.18) und (10.20) ist das Ersatzschaltbild (→
Bild 10.27) angegeben.
Zeigerbild. Die Gln. (10.18) und (10.20) gestatten die Darstellung des Zei-
gerbildes für den Asynchronmotor (→ Bild 10.28).
Aus dem Zeigerbild lassen sich für einen vorgegebenen Belastungsfall viele
Informationen über das Betriebsverhalten der Asynchronmaschine ablesen,
wie zum Beispiel Magnetisierungsstrombedarf (Iµ ), Leistungsfaktor cos ϕ 1 ,
Leistungskomponenten (z. B. P1 el = m1U1 I1 cos ϕ 1 ) u. a. m.
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jωL1σ I1
R1 I1 I1
U1 U1q
I2′
ϕ1
Ife
Iµ Φ 1h
Ife
R2′ I2′
R1 jωL1σ Ife jωL′ s I2′
2σ
I1 −U1q
U1 U1q Rfe R2′
jωL1h I2′
s
Iµ jωL2′ σ I2′
Bild 10.27 Ersatzschaltbild des Bild 10.28 Darstellung des Zeiger-
Asynchronmotors bildes des Asynchronmotors aus den
Zeigergleichungen
10.3.2.2 Stromortskurve
Der Stromortskurve (I 1 = f (s)) sind für die möglichen Betriebsweisen

der Asynchronmaschine (Motor-, Generator- und Bremsbetrieb) alle cha-
rakteristischen Betriebskennlinien zu entnehmen.
Um für den allgemeinen Fall variablen Schlupfes Aussagen zum Betriebsver-

halten machen zu können, verwendet man anstelle der Zeigerdiagramme die 10
Ortskurve des Ständerstrangstromes I 1 als Funktion des Parameters Schlupf s
(−∞ < s < +∞) bei vorgegebener Strangspannung U 1 .
Die Bestimmung der Ortskurve I 1 = f (s) erfolgt durch die Auswertung der
komplexen Gleichungen (10.18) für den Ständerstrangstrom I 1 . Vernachlässigt
man die Eisenverluste und löst das Gleichungssystem nach I 1 auf, erhält man
mit
U 1q = jX1h (I 1 + I 20 ); X1h + X1σ = X1 ; X1h + X20σ = X20
die Gleichung:
R20
+ jX20
I 1 (s) = s
· U1 (10.21)
R20
(R1 + jX1 ) + jX20 + X1h
2
s
X1h = ω L1h mit L1h Hauptinduktivität eines Ständerstranges
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Re
Pkipp ( s = sK ) Pmech − Linie

U1 I 1M M-Linie
P Motor P1( PK )( s = 1)
S P∞( s =±∞)
P0 ( s = 0) ϕ1 F G+
E D G M T
Im O C
Generator
I 1G
P∗ ∗
Pkipp
a)
M , I ,cos ϕ , η
I1 Generator MK Motor I1
I ′2 I ′2
η η cosϕ
−1 0 1 s
cosϕ
M ns − n f
s= ; ns =
ns p
b)
Bild 10.29 Ortskurve (a) und Betriebskennlinien (b) der Asynchronmaschine
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Die Gl. (10.21) für den Zeiger I 1 (s) beschreibt entsprechend der Ortskurven-
theorie einen Kreis allgemeiner Lage in der Gauß’schen Zahlenebene (→ Bild
10.29a).
Auswertung der Stromortskurve. Die Stromortskurve der Asynchronma-
schine ist für die Bewertung des stationären und quasistationären Betriebsver-
haltens in allen Betriebsbereichen (Motor-, Generator-, Bremsbetrieb) hilf-
reich. Die aus der Stromortskurve (→ Bild 10.29a) zu entnehmenden Größen
als Funktion des auf dem Kreis nichtlinear verteilten Parameters Schlupf s
(−∞ < s < +∞) sind:
• aufgenommene Wirkleistung P1 el im Motorbetrieb: Strecke PC
• abgegebene Wirkleistung P1 el im Generatorbetrieb: Strecke P∗C
• Eisenverluste PV fe : Strecke DC
• Stromwärmeverluste im Ständer PVcu1 : Strecke ED
• Stromwärmeverluste im Läufer PVcu2 : Strecke FE
• abgegebene mechanische Leistung Pmech : Strecke PF
• Kippmoment im Motorbetrieb MK : Strecke Pkipp G
• Kippmoment im Generatorbetrieb MK∗ : ∗
Strecke Pkipp G+
• Moment im Motorbetrieb M: Strecke PE
Strecke P∗ E
• Moment im Generatorbetrieb MG :
• Anlaufmoment MA : Strecke P1 S
• Anlaufstrom (Kurzschlussstrom) I11 : Strecke OP1
• Leerlaufstrom I10 : Strecke OP0
Betriebskennlinie. Bild 10.29b zeigt qualitativ die typischen Betriebskenn-
linien einer stromverdrängungsfreien Asynchronmaschine im Motor- und
Generatorbetrieb
I1 = f1 (s); I20 = f2 (s); cos ϕ 1 = f3 (s);
M = f4 (s); η = f5 (s) 10
wie sie bei Wahl geeigneter Maßstäbe der Stromortskurve I 1 = f (s) entnom-
men werden können.
Leistungsbilanz. Die von der Asynchronmaschine im Motorbetrieb aufge-
nommene Wirkleistung P1 beinhaltet die Ständerverluste PV1 = PVCu1 + PVfe
und die über dem Luftspalt auf den Läufer übergebende Luftspaltleistung Pδ .
Die Luftspaltleistung entspricht dem Produkt
Pδ = Mi · 2π · ns (10.22)
Mi inneres Drehmoment
Sie teilt sich nach
Pel = s · Pδ und (10.23)
Pmech = (1 − s)Pδ (10.24)
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in im Läuferstromkreis umgesetzte elektrische Leistung Pel und in mechani-

sche Leistung Pmech . Der Anteil Pel = PVCu2 + P2el besteht aus den Läuferstom-
wärmeverlusten PVCu2 und einen evtl. über Schleifringe an äußere Widerstände
oder eine Stromrichterschaltung abgegebenen Wert P2el . Berücksichtigt man
schließlich noch die Leistung PVR für die Reibungs- und Lüfterverluste, so
ergibt sich für die Leistung P2 an der Welle:
P2 = (1 − s)Pδ − PVR (10.25)
Alle Einzelwerte ergeben die Leistungsbilanz (→ Bild 10.30) der Asynchron-

maschine.
Bild 10.30 Leistungsbilanz

der Asynchronmaschine
10.3.2.3 Drehmoment
Die Drehmoment-Drehzahl-Kennlinie einer Asynchronmaschine hat im

Betriebsbereich Nebenschlussverhalten mit dem Höchstwert Kippmoment
MK .
Die Luftspaltleistung Pδ wird in der Ersatzschaltung (→ Bild 10.27) im Wi-

derstand R20 /s umgesetzt und beträgt damit bei der dreisträngigen Maschine:
R20 02
Pδ = 3 ·I (10.26)
s 2
Aus der allgemeinen Beziehung für ein Drehmoment M = P2 /(2πn) erhält
man mit den Gln. (10.15), (10.25), (10.26) für das innere Moment Mi , von
dem für die Welle noch das Reibungsmoment abzuziehen ist:
3 R0
Mi = · 2 I202 (10.27)
2πns s
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Unter Berücksichtigung der folgenden praktisch oft zulässigen Näherungen

X1 ≈ X20 ; σ X1 ≈ X1σ + X20σ = Xσ ; R1 X1
erhält man für den Kipppunkt MK mit dem Kippschlupf sK
3U12
MK ≈ und (10.28)
4πns Xσ
R0 R0
sK ≈ p 2 2 ≈ 2 (10.29)
R1 + Xσ2 Xσ
Im Bezug auf diese Kippwerte gilt für einen beliebigen Schlupf eine allgemei-
ne Drehmoment-Schlupf-Beziehung M = f (s) die als Kloß’sche Gleichung
bekannt ist. Sie lautet:
Mi 2
= s sK (10.30)
MK +
sK s
Diskussion der Kloß’schen Gleichung

s Mi 2
Fall 1: 1 → ≈ ·s
sK MK sK
Moment steigt linear mit dem Schlupf s an.
s Mi 1
Fall 2: 1 → ≈ 2sK ·
sK MK s
Moment fällt hyperbolisch mit dem Schlupf s ab.
M / MK
10
2
Motor
−sK
Generator 0 sK 1 s
−1
Bild 10.31 Drehmoment nach

−2 der Kloß’schen Formel
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10.3.3 Drehzahlsteuerung
Verfahren. Aus den Gln. (10.13) und (10.15) ergibt sich für die Drehzahl bei
beliebiger Frequenz f1 :
f1
n= (1 − s) (10.31)
p
Die einem Drehmoment zugeordnete Drehzahl kann danach mit folgenden

Verfahren geändert werden:
Vergrößern des Schlupfes s durch:
Vorwiderstände bei Schleifringläufermotoren
Absenken der Ständerspannung bei Netzfrequenz
Energierückspeisung aus dem Schleifringläufer
Änderung der Polzahl 2p durch:

eine polumschaltbare Ständerwicklung, (Dahlander-Schaltung)
getrennte Wicklungen verschiedlicher Polzahl in den Ständernuten
Änderung der Frequenz f1 durch:

Umrichterschaltungen der Leistungselektronik
10.3.3.1 Frequenzänderung
Die Frequenzänderung der Ständerspannung gestattet eine praktisch verlust-

freie Drehzahleinstellung im gesamten Betriebsbereich.
Um stets eine volle magnetische Ausnutzung mit Φ h = Φ N zu erhalten, muss
nach dem Induktionsgesetz Uq ≈ f Φ die Spannung mit U1 = UN f1 / fN der
Frequenz f1 angepasst werden. Wegen Xσ = 2π f1 Lσ und ns = f1 /p erhält
man dann für das Kippmoment aus Gl. (10.28):
2 2
U1 fN
MK = MKN · · (10.32)
UN f1
Proportionalbereich. Im unteren Drehzahlbereich bis fN und UN wird die

Spannung mit steigender Frequenz proportional erhöht, womit nach Gl.
(10.32) das Kippmoment seinen vollen Wert MKN behält (→ Bild 10.32). Mit
Rücksicht auf den Spannungsverlust am Widerstand R1 der Ständerwicklung
muss U1 bei niedrigen Frequenzen etwas über den Proportionalwert angeho-
ben werden. Die Drehzahlkurven n = f (M) liegen wie beim fremderregten
Gleichstrommotor leicht abfallend parallel (→ Bild 10.33).
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Feldschwächbereich. Ab fN wird mit Rücksicht auf die Spannungsfestig-

keit von Halbleitern und Wicklungsisolation die Spannung mit U1 = UN
nicht weiter erhöht. Bei noch höherer Frequenz sinkt damit die magnetische
Ausnutzung mit Φ = Φ N fN / f1 . Die Folge ist eine quadratische Abnahme
des Kippmomentes (Gl. (10.32)), was nach Bild 10.33 eine immer stärkere
Begrenzung der Belastung verlangt. Im Feldschwächbereich ist nur noch
maximal ein Betrieb mit konstanter Leistung möglich (→ Bild 10.32).
MK
15
, Feldschwäch-
U1 = U N
bereich
U1
P1 f1 > f N U1 , fN
1
MK
M KN U1 ~ f1
Proportional-
UN
U1 0,5
PN
bereich
P1 MK
f /f
=
Φ ΦN 1 N M /M N
0 1 2 3 0 1 2 M KN
Proportional- Feldschwäch- Feldschwäch-
bereich bereich bereich
Bild 10.32 Steuerkennlinien der Bild 10.33 Drehmomentkennlinien der
frequenzgesteuerten AsM frequenzgesteuerten AsM
Frequenzumrichter. Der Betrieb mit frequenzvariabler Spannung erfolgt

10
immer über eine Umrichterschaltung der Leistungselektronik, wobei als elek-
tronischer Schalter überwiegend das Bauelement IGBT eingesetzt wird.
Die 50-Hz-Spannung des Netzes wird – bis auf den Ausnahmefall des Direkt-
umrichters – zunächst in einer Sechspuls-Brückenschaltung GR gleichgerich-
tet und einem Glättungskondensator C zugeführt. Danach bildet der Wech-
selrichterteil WR durch eine prozessorgesteuerte Logik mit entsprechender
Steuerung der IGBTs die neue Wechselspannung der gewünschten Frequenz.
Verwendet man für den Gleichrichter GR eine Diodenschaltung, so weicht der
Netzstrom (= Ladestrom des Kondensators) stark von der Sinusform ab. Die
(teuere) Fortentwicklung ist ein IGBT-Gleichrichter (→ Bild 10.34), welcher
den Kondensator so auflädt, dass der Netzstrom weitgehend sinusförmig ist.
Außer der Ausführung mit einem Kondensator im Gleichspannungszwischen-
kreis mit der Spannung Ud werden im geringem Umfang auch Umrichter mit
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Gleichstrom-Zwischenkreis gefertigt. Hier sorgt eine Induktivität L für einen

etwa konstanten Gleichstrom, den der Wechselrichter nacheinander so auf die
Wicklungsstränge verteilt, dass ein Drehfeld der Frequenz f1 entsteht.
Bild 10.34 Frequenz-Umrichter mit beidseitiger IGBT-Brücke für sinusförmigen

Netzstrom
I Bewertung: Umrichtergesteuerte Asynchronmaschinen haben weitestgehend die

fremderregte Gleichstromaschine als drehzahlgeregelten Industrieantrieb ersetzt.
Das Verfahren ist praktisch verlustfrei, ergibt dasselbe Kennlinienfeld n = f (M)
und hat alle Vorteile der preiswerten Drehstrommaschine wie:
geringer Wartungsaufwand
höhere Grenzdrehzahl
kleineres Läuferträgheitsmoment
einfacher Explosionsschutz
10.3.3.2 Polumschaltung
Die Polumschaltung gestattet eine Drehzahländerung im Verhältnis 2 : 1

bei Käfigläufermotoren.
In der Regel wird die Ständerwicklung in Dahlander-Schaltung ausgeführt,

wobei die Polpaarzahlen p1 : p2 = 1 : 2 entstehen. Nach Gl. (10.13) erge-
ben sich dann Synchrondrehzahlen im Verhältnis 2 : 1. Meist werden die
Kombinationen 3000 min−1 mit 1500 min−1 gewählt. Bei zwei Dahlander-
Wicklungen in den Ständernuten sind die Synchrondrehzahlen (3000; 1500;
1000; 500) min−1 möglich.
Bild 10.35 zeigt einen polumschaltbaren Asynchronmotor mit Dahlander-
Drehstromwicklung und Polumschalter. Die im Bild wiedergegebene Schal-
tungskombination der Spulengruppen Dreieck/Doppelstern (4/YY) für nied-
rige/hohe Drehzahl wird als Standardschaltung eingesetzt.
I Bewertung: Die Polumschaltung ermöglicht nur zwei bis maximal vier grobstufige
Drehzahlbereiche. Sie ist verlustfrei und wird für einfache Aufgaben wie Pumpen-
und Gebläseantriebe eingesetzt.
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L1
L2
L3 n
Polumschalter
0 I II P1 = 1
P2 = 2
U
2W
1V
V
2U
1W
W
2V M
1U
Stellung 0 Stillstand
−1
Stellung I 750 min
2p=8 / 4 −1
Stellung II 1500 min
M Bild 10.35 Polumschaltbarer AsM mit Polumschalter

3~ a) Schaltung, b) Kennlinien
10.3.3.3 Läufervorwiderstände
Gestufte Läufervorwiderstände ergeben immer stärker geneigte Dreh-

zahlkurven und hohe Zusatzverluste.
n
10
M W = M N = konst.
0 ns
sN te
=1 (R = 0)
tp 2V
sAP
10
MK
MN M te
0< <1
tp
Bild 10.36
Drehzahleinstellung durch
te
Läuferwiderstand R2V für
s = 0 (R2V = Rd ) ein Lastmoment MW = MN ,
tp
AP Arbeitspunkt
Ein an die Anschlüsse K, L, M des Läufers zugeschalteter Stufenwiderstand

R2V wirkt wie eine Vergrößerung von R2 und erhöht nach Gl. (10.29) den
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Kippschlupf sK . Das Kippmoment bleibt unverändert, sodass ein immer stei-

leres Kennlinienfeld (→ Bild 10.36) entsteht.
I Bewertung: Das Verfahren hat wie Ankervorwiderstände bei der Gleichstrom-
maschine hohe Zusatzverluste und verlangt den aufwändigeren Schleifringläu-
fermotor. Es wird gelegentlich zu Anfahrvorgängen, aber nicht zur betrieblichen
Drehzahlsteuerung verwendet.
10.3.3.4 Absenken der Ständerspannung

Mit Absenken der Ständerspannung bei fN erhält man steilere Drehzahl-

kurven mit einem immer begrenzteren Drehmomentbereich.
Nach Gl. (10.32) sinkt das Kippmoment quadratisch mit U1 /UN , während
der Kippschlupf konstant bleibt. Das Verfahren wird mit Rücksicht auf die
Zusatzverluste nach Gl. (10.23) mit
PV2 = Pel = 2π · s · ns · M (10.33)
meist nur dort verwendet, wo wie bei Lüftern und Kreiselpumpen das Last-
moment Mw ∼ n2 stark mit der Drehzahl abnimmt (→ Bild 10.37). Dann
entsteht trotz des Betriebs mit großem Schlupf s ein zulässiges Produkt sM mit
beherrschbaren Stromwärmeverlusten PV2 . Um auf dem stabilen Kennlinienast
zu bleiben, führt man den Käfigläufer durch einen reduzierten Leitwert der
Stäbe mit erhöhten Läuferwiderstand R2 aus (Widerstandsläufer). Zur Än-
derung der Spannung wird fast immer anstelle eines Stelltransformators ein
Drehstromsteller mit gegenparallelen Thyristoren oder Triacs verwendet. Bild
10.38 zeigt das Prinzip der Kaskadenregelung bei einem selten eingesetzten
Schleifringläufermotor.
n
s
ns 0 M W ≈ kn 2
n1 U1
=1
∆n U1N
n2
0,5 0,7 0,9
sK
1 Bild 10.37
MK Drehzahl-Drehmoment-Kennlinien
M bei Ständerspannungssteuerung
I Bewertung: Wegen der hohen Stromwärmeverluste im Läufer wird das Verfahren

nur im unteren Leistungsbereich verwendet. Durch die Spannungsabsenkung mit-
tels Phasenanschnittsteuerung im Drehstromsteller entstehen nichtsinusförmige
Strom- und Spannungskurven mit weiteren Zusatzverlusten.
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L1
L2
L3
U1 Steuer-
gerät I-Regler n-Regler
α = ust nsoll
DSS
− −
I ist nist
U1α
M
AM 3~ TG
R2V
Bild 10.38 Ständerspannungssteuerung durch Drehstromsteller (DSS)

ust Steuerspannung, α Zündwinkel, TG Tachogenerator, AM Arbeitsmaschine
10.3.3.5 Untersynchrone Stromrichterkaskade (USK)
Die USK senkt die Drehzahl des Schleifringläufermotors durch Rückspei-

sung eines Teils der auf den Läufer übertragenen Energie in das Netz.
Da der Läuferkreis mit f2 = s fN und das Netz mit fN unterschiedliche Fre-

quenzen haben, muss zur Entkopplung dazwischen ein Umrichter mit Dioden- 10
gleichrichter GR, Gleichstromzwischenkreis und Thyristorwechselrichter WR
geschaltet werden (→ Bild 10.39). Der Gleichrichter entnimmt dem Läufer die
Gleichstromleistung P2el = Ud Id für den Zwischenkreis, wo eine Induktivität L
den Strom Id glättet. Der Wechselrichter in Sechspuls-Brückenschaltung gibt
P2el mit Anschnittsteuerung im Zündwinkelbereich 90◦ 5 α 5 150◦ (→ Bild
10.17) nach Abzug der Verluste mit PRN an das Netz zurück. Zur Anpassung
der Spannung beider Seiten wird häufig zusätzlich ein Transformator vorge-
sehen.
Der Drehzahlstellbereich ist meist auf 0,5nN 5 n 5 nN begrenzt, da dann
der Umrichter nur für die halbe Motorleistung auszulegen ist. Der Aufwand
lohnt sich zudem nur bei Leistungen über etwa 200 kW. Typische Anwen-
dungen sind große Pumpen in Wasserwerken und Kesselspeisepumpen in
Kraftwerken, die auch nur bei entsprechenden Drehzahlen betrieben werden.
Man erhält ein oberes paralleles Kennlinienfeld mit Nebenschlusscharakter
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(→ Bild 10.40), womit der Schleifringläufer erst über Anlasswiderstände

hochgefahren wird.
Bild 10.39 Aufbau

der untersynchronen
Stromrichterkaskade
n natürliche Kennlinie
s
des Asynchronmotors
s0
ns α = 90o
Drehzahl-
Stellbereich
s0a max Bild 10.40

sU α =150o Drehzahl-Drehmoment-
Anlauf über Kennlinienfeld der
Anlasser R untersynchronen
Stromrichterkaskade
MM max M K α Zündwinkel
M
I Bewertung: Untersynchrone Stromrichterkaskaden sind bei hohen Motorleistun-
gen und begrenztem Drehzahlstellbereich eine preiswerte Alternative zu einem
Frequenzumrichterantrieb.
10.3.4 Anlauf- und Bremsverfahren
10.3.4.1 Anlasstechniken
Wegen ihrer hohen Anlaufströme werden Asynchronmaschinen in der Re-

gel nicht direkt an das öffentliche Netz geschaltet.
Zur Reduzierung des hohen Anlaufstromes IA = 4 IN bis 7 IN in der Ständer-

wicklung (Strecke OP1 in Bild 10.29) kann entweder kurzzeitig die Spannung
U1 herabgesetzt oder der Läuferwiderstand R2 erhöht werden. Beide Techni-
ken haben praktische Bedeutung.
Stern-Dreieck-Anlauf (Y-4-Anlauf). Der bemessungsmäßig in 4-Schaltung
betriebene Motor wird während des Hochlaufens in Y-Schaltung an das Dreh-
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stromnetz geschaltet (Umschaltung erfolgt mittels speziellem Y-4-Schalter.

→ Bilder 10.41, 10.42 verdeutlichen das Y-4-Anlaufen.)
Durch das Anlassen in Sternschaltung wird der Einschaltstrom auf 1/3 des
Wertes bei direktem Einschalten vermindert (ILY /IL4 = 1/3). Der Y-4-
Anlauf wirkt sich bei jeder Drehzahl n auf das Drehmoment ebenfalls im
Verhältnis MY /M4 = 1/3 aus. Bei Anlaufmomenten von MA 5 1 bis 2 MN
in Normalausführung ist damit z. B. bei einem Hebezeug kein Volllastanlauf
möglich. Zu beachten ist ferner, dass der Motor nicht in dem oft üblich Span-
nungsverhältnis 230 V 4/400 V Y, sondern mit 400 V 4/690 V Y ausgeführt
wird, da er nur dann mit 400 V Y mit verminderter Spannung anläuft.
L1
L2
L3
0 Y
U
U1
W2
V n
V1
U2 ns
W
W1
V2 MY
Y -Schalter
M
IL
I LY
M
10
3~ IL M
Bild 10.41 Asynchronmotor mit Bild 10.42 Leiterströme und Momente
Stern-Dreieck-Anlassschalter bei Stern-Dreieck-Anlauf
I Beachte: Bezüglich Bild 10.42 ist zu bemerken, dass hier ein langsamer (qua-
sistationärer) Anlauf ohne Einfluss der dynamischen Vorgänge angenommen ist.
Im Schaltaugenblick treten nämlich abhängig von den momentanen Werten der
Drehspannung Drehmomente auf, die sich von den Werten nach der Kloß’schen
Gleichung stark unterscheiden.
Stromverdrängungsläufer. Durch den Stern-Dreick-Anlauf wird das Anlauf-
moment bei normaler Gestaltung der Läufernuten deutlich kleiner als der
Bemessungswert MN . Diesen Nachteil kann man mit Bauformen als Strom-
verdrängungsläufer (→ Bild 10.43) vermeiden und etwa MA ≈ MK erreichen.
Vor allem bei Ausführung des Käfigs mit Doppelstäben entsteht bei s = 1
und damit f2 = 50 Hz eine einseitige Verdrängung des Läuferstromes I2 in
i i
i i
i i
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i i
M
n MN
ns I1
I1N
1 2 3
Bild 10.43 Drehzahl-Dreh-
moment-Kennlinien für
0 1 M / MN 2 verschiedene Läuferarten
1 kaum Einfluss der Strom-
0 1 2 3 4 5 verdrängung, 2, 3 starker
I / IN Einfluss der Stromverdrängung
Richtung Rundstab an der Nutöffnung (Anlaufkäfig a mit Widerstand R2a ).

Der wesentlich größere Querschnitt innen (Betriebskäfig) bleibt dagegen fast
stromlos. Für das Anlaufmoment ist daher nur der hohe Widerstand R2a
wirksam und der Motor kann mit MA ≈ MK anlaufen. Bei MK 5 3,5 MN
ist dies trotz auf ein Drittel reduzierter Spannung immer noch etwa der
Bemessungswert MN .
Ursache für die einseitige Stromverdrängung ist das starke Nutstreufeld des
unteren Querschnitts, das bei 50 Hz einen hohen Blindwiderstand ausbildet.
Der Läuferstrom weicht in seiner Folge auf den Anlaufkäfig aus. Der Effekt
vermindert sich selbsttätig mit dem Hochlauf, also sinkender Frequenz f2 , und
verschwindet im Normalbetrieb ganz.
Sanftanlauf mit leistungselektronischem Anlasser (Drehstromsteller)

Neuerdings werden Drehstromsteller als Sanftanlaufgeräte mit dem Ziel der
Reduktion des Anlaufstromes eingesetzt. Dabei lässt sich die Betriebsspan-
nung des Motors über den Drehstromsteller so dosieren, dass der gewünschte
sanfte Anlauf erfolgt. Dieser Sanftanlauf ermöglicht es, die Motorspannung
US von einem Anfangswert innerhalb einer bestimmten Zeit auf den Bemes-
sungswert USN „hochzufahren“. Dazu sind Drehstromsteller mit einer unterla-
gerten Stromregelung versehen, welche die weitere Spannungsanhebung nur
im Rahmen der eingestellten Strombegrenzung zulässt.
Ferner nutzt man zum Anlassen großer Asynchronmaschinen:
Zuschalten von Impedanzen vor die Ständerwicklung,
Vorschalten eines Anlassstelltransformators.
Anlasswiderstände. Das bereits vorgestellte Verfahren der Drehzahlsteue-
rung bei Schleifringläufermotoren über Vorwiderstände an den Anschlüssen
i i
i i
i i
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i i
K, L, M kann auch für den Anlauf verwendet werden (→ Bild 10.44). Wegen
dieser Möglichkeit wird natürlich nicht dieser im Vergleich zum Käfigläufer
teuere Motortyp verwendet, doch ist z. B. beim Einsatz der untersynchronen
Stromrichterkaskade ein Anlasswiderstand erforderlich.
0 0
M sN sN
3~ s1 s1
s2 s2
s3 s3
R1 s s
R.2 sn
.
.
. 1 1
0 MW M1 M2 MK 0 I 2N I 21 I 22 I 2K
Rn
M I2
Bild 10.44 Drehmoment und Läuferstrom des Schleifringläuferasynchronmotors
mit symmetrischem Anlasser
Die Anlasswiderstände werden nach dem Hochlauf an den Schleifringen

kurzgeschlossen (spezielle Bürstenabhebevorrichtungen).
10.3.4.2 Bremsverfahren
Mit einer Bremstechnik wird häufig anstelle des spannungslosen Auslaufs

ein gezielter Stillstand (z. B. Fahrstuhl) des Motors hergestellt. 10
Mechanische Bremse. In der Regel werden listenmäßige Asynchronmotoren
für den Anbau einer mechanischen Bremse angeboten. Sie arbeiten nach dem
Prinzip der Federdruck-Scheibenbremse, die bei laufendem Motor durch einen
Elektromagneten gelöst ist. Für den Bremsvorgang wird der Magnet stromlos
geschaltet und damit die Bremswirkung durch Federkraft mit Reibschluss zwi-
schen rotierender Scheibe und fester Gegenfläche eingeleitet. Die Bremszeit
tBr ist wesentlich vom Gesamträgheitsmoment J der Anlage abhängig und
errechnet sich aus der Zahlenwertgleichung
J · nN
tBr = (10.34)
9,55 (MBr ± ML )
tBr Bremszeit in s
J Trägheitsmoment der Anlage in kg · m2
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nN Drehzahl vor Bremsbeginn in min−1

MBr Bremsmoment in N · m
ML Lastmoment in N · m, mitbremsend +
Das Stillsetzen mit einer angebauten mechanischen Bremse ist das am meisten
eingesetzte Verfahren.
Gegenstrombremsung. Aus dem Lauf heraus wird durch Tauschen zweier
Zuleitungen die Drehfeldrichtung umgekehrt, wodurch der Motor im Schlupf-
bereich 1 < s 5 2 arbeitet. Mit I1 > IN entstehen kurzzeitig hohe Strom-

wärmeverluste, wofür Käfigläufermotoren bei betrieblichem Einsatz dieser
Bremsart aber ausgelegt sind. Ohne Läufervorwiderstände entsteht das höchs-
te Bremsmoment kurz vor dem Stillstand, bei Schleifringläufermotoren kann
es beliebig eingestellt werden (→ Bild 10.45).
U1, f1
L1
L2 Bremse Motor
L3
R2Z = 25R2 n
R2Z = 20 R2
ns MW
MM
R2Z =15R2
G
AM 3~ Drehfeld
0 M
−ns M
a)
} R2Z
b)
−ns
Bild 10.45 Gegenstrombremsung a) Schaltung, b) Kennlinien

MW Widerstandsmoment der Arbeitsmaschine
Die Gegenstrombremsung ist vor allem für Schleifringläuferasynchronmaschi-

nen effektiv.
Schalthandlungen:
Asynchronmotor vom Drehstromnetz trennen,
eventuell Zuschalten von Läuferzusatzwiderständen (Strombegrenzung →
effektive Bremsmomentbildung),
Umpolung 2er Strangzuleitungen (Umkehr der Drehfeldrichtung),
Zuschalten an das Drehstromnetz,
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Maschine nach Abbremsen auf Drehzahl 0 vor Drehrichtungswechsel vom

Netz trennen.
Schaltungsprinzip und Bremskennlinien sind Bild 10.45 zu entnehmen.

I Bewertung: Zugeführte elektrische Drehstromleistung und mechanische Brems-
leistung werden in Verlustleistung überführt → erhebliche thermische Belastung,
energetisch unwirtschaftlich.
Anwendungen: Hubwerke (Senkbremse)
Gleichstrombremsung. Hier wird der Ständerwicklung Gleichstrom einge-

speist, wodurch ein ruhendes Magnetfeld entsteht. Die kinetische Energie des
Antriebs wird wieder im Läuferkreis in Wärme umgesetzt. Im Unterschied
zur Gegenstrombremsung besteht bei n = 0 kein Anlaufmoment.
Schalthandlungen:
Ständerwicklung vom Drehstromnetz abschalten.
Bei Schleifringläufermaschine sind je nach gewünschtem Bremsverhalten
Läuferzusatzwiderstände R2Z einzuschalten.
Die Drehstromwicklung ist mit Gleichstrom einzuspeisen.
Bild 10.46 zeigt eine mögliche Schaltungsanordnung für das Gleichstrom-

bremsen einer Schleifringläuferasynchronmaschine und die Bremskennlinien
M = f (n) für verschiedene Läuferzusatzwiderstände.
L1 L2 L3
n n
II ν=
ns
ns ν = 1
10
νK
0 M
R2Z = 0
M
AM 3~
R2Z =10 R2
IV
R2Z Bild 10.46
Gleichstrombremsen der AMSL
a) b)
a) Schaltung, b) Kennlinien
Die Bremskennlinien ähneln im Verlauf der natürlichen Motorkennlinie mit

der „synchronen Drehzahl“ nd = 0 (→ Bild 10.46). Der Vorteil der Gleich-
strombremsung besteht in der einfachen Schaltung. Wiederhochlauf analog
der Gegenstrombremsung ist nicht möglich (M(n=0) = 0). Üblicherweise schal-
tet nach erfolgter Abbremsung ein Zeitrelais die Bremsschaltung ab.
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Anwendungen: Zentrifugen, Sägeantriebe, Schleifmaschinen, Förderanlagen, He-

bezeuge
Nutzbremsung. Die Rückspeisung der kinetischen Energie des Antriebs
durch Generatorbetrieb der Maschine verlangt übersynchrone Drehzahlen.
Bei Netzanschluss ist dies beim Senken von Lasten bei einem polumschalt-
baren Motor möglich. Schaltet man z. B. bei einer Auslegung mit p = 2,
nN ≈ 1450 min−1 auf p = 4, ns = 750 min−1 um, so arbeitet der Motor jetzt
übersynchron als Generator.
Bei Frequenzumrichterbetrieb ist zumindest eine Rückspeisung in den Zwi-

schenkreis möglich. Wird die Eingangsschaltung wechselrichterfähig ausge-
führt, kann auch in das Netz Energie abgegeben werden.
10.3.5 Asynchronmotoren für Wechselstrombetrieb
Im Leistungsbereich bis PN ≈ 2 kW werden Asynchronmotoren mit Kä-

figläufer in großen Stückzahlen für den Betrieb an 230 V (Steckdose)
gefertigt.
10.3.5.1 Kondensatormotoren
Käfigläufermotoren benötigen zur Drehmomentbildung ein Ständerdrehfeld,
das in der Drehstromausführung durch drei räumlich 120◦ versetzte Strang-
wicklungen, die mit drei zeitlich 120◦ phasenverschobenen Strömen gespeist
werden, erreicht wird. Bei Kondensatormotoren erhält der Ständer nur zwei
um 90◦ versetzte Wicklungen als:
Arbeitswicklung A Anschlüsse U1–U2 Windungszahl NA
Hilfswicklung H Anschlüsse Z1–Z2 Windungszahl NH
Die erforderliche 90◦ -Phasenverschiebung zwischen den zugehörigen Strö-
men IA und IH = IC erhält man durch einen Kondensator C (→ Bild 10.47) in
der Hilfswicklung. Für einen Betrieb mit Kreisdrehfeld gilt:
PN
C= (10.35)
4π · fN · η · UN2 · tan ϕ N
UN Bemessungsspannung
fN Netzfrequenz (50 Hz)
η Wirkungsgrad bei PN
ϕ N Phasenwinkel bei PN
Die Berechnung ergibt etwa 30 µF/kW.
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Schaltungen
von Motoren n> n>
mit Konden-
satorhilfs-
wicklung
M M M
1 1 1
n-M-Kenn-
linien n / ns n / ns n / ns
1 2 1 2 3 1 2 3
M / MN M / MN M / MN
Motorart Betriebskonden- Anlaufkonden- Doppelkonden-
satormotor satormotor satormotor
Bild 10.47 n-M-Kennlinien von Kondensatormotoren
Im Unterschied zum Drehstrommotor ist mit dem Kondensator nur in einem

Betriebspunkt, z. B. bei PN eine optimale Ausnutzung, d. h. ein Kreisdrehfeld
möglich. Dieser Punkt ist
NH · kwH
tan ϕ N = (10.36)
NA · kwA
NA , NA Windungszahlen
kwA , wH Wicklungsfaktoren
bereits mit der Wahl der Windungszahlen beider Ständerstränge festgelegt.
10
Bei allen anderen Lastzuständen erhält man durch ein elliptisches Drehfeld
schlechtere Daten, insbesondere ein nur geringes Anlaufmoment. Letzteres
lässt sich durch Ausführung als Anlauf- oder Doppelkondensatormotor (→
Bild 10.47) vermeiden.
Anwendungen: Pumpen, Gebläse, Rasenmäher, Haustechnik
10.3.5.2 Spaltpolmotoren
Beim Spaltpolmotor wird die Hilfswicklung durch einen Kurzschlussring

um einen Teil des Hauptpols, den Spaltpol, ersetzt. Dies ist die einfachste
Bauform einer Drehfeldmaschine.
Aufbau. Der Spaltpolmotor wird in einer Reihe von Bauformen hergestellt.
Seinen prinzipiellen Aufbau zeigt Bild 10.48. Der Spaltpolmotor besitzt im
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Gegensatz zu den bisher behandelten Einphasenasynchronmaschinen keine in

Nuten verteilte Ständerwicklung, sondern eine konzentrierte Spulenwicklung.
Die in Form von einem oder mehreren Kurzschlussringen aufgebrachte „Hilfs-
wicklung“ ist jeweils in einem Polteil untergebracht, der vom Gesamtpol
abgespaltet ist. Der Läufer ist ein normaler Kurzschlusskäfigläufer.
1 1
U1 U2 2
n / ns b
4 1 a
3
M
1~ 3
0 1 2
a) b) c) M / MN
Bild 10.48 Spaltpolmotor; a) Schaltung, b) Aufbau: 1 Ständerblechpaket,
2 Kurzschlussläufer, 3 Hauptstrang, 4 Hilfsstrang, c) n-M-Kennlinien für Motoren
mit Pmech von ca. 10 W (a) und 200 W (b)
Wirkungsweise. Der vom Wechselstromnetz gespeiste Hauptstrang erzeugt

im Magnetkreis des Motors ein Wechselfeld. Durch dieses Feld werden die
Spaltpolwindungen transformatorisch erregt und erzeugen ihrerseits ein mag-
netisches Wechselfeld, das gegenüber dem Hauptfeld zeitlich und räumlich
verschoben ist. Die Überlagerung beider Felder führt zu einem elliptischen
Drehfeld, das sich in Richtung Spaltpol bewegt. Durch das Zusammenwirken
des Drehfeldes mit den induzierten Strömen im Käfigläufer bildet sich nach
Maßgabe des Lorentz-Kraft-Gesetzes ein Moment analog zum Drehstroma-
synchronmotor aus.
Das Drehmoment weist bei n ≈ ns /3 eine ausgeprägte Einsattelung auf.
Bedingt durch die konzentrierte Erregung durch ausgeprägte Pole weicht die
Feldkurve des Spaltpolmotors stark von der Sinusform ab und enthält eine
dritte Oberwelle, was sich in der n-M-Kennlinie auswirkt. Der Wirkungsgrad
ist mit η ≈ 0,2 − 0,4 gering. Der Anzugsstrom beträgt etwa I1 (s = 1) ≈
(1,5 − 2)I1N . Das Anzugsmoment MA hat Werte von 0,5 bis 1,0MN .
Anwendungen: Querstromgebläse, Heizlüfter, Laugenpumpen, Haartrockner
10.3.5.3 Steinmetz-Schaltung für Drehstrommotoren
Auch ein Drehstrommotor kann mithilfe eines Kondensators an der Steck-

dose betrieben werden.
Ein symmetrisches Drehspannungssystem, d. h. Kreisdrehfeldbetrieb ist allein

mit einem Kondensator nur bei einen Betriebspunkt mit cosϕ = 0,5, also
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10.4 Synchronmaschinen 599
Teillast möglich. Bild 10.49 zeigt für ϕ = 60◦ Schaltung und Zeigerbild. Der
Kondensator errechnet sich aus:
2 sin ϕ N · IN
C= (10.37)
2π · fN · UN
IN , UN Strangwerte für Strom und Spannung

fN Netzfrequenz (50 Hz)
Bild 10.49 Symmetrierung des Drehstrommotors am Wechselstromnetz bei ϕ = 60◦

a) Steinmetz-Schaltung mit Betriebskondensator, b) Zeigerdiagramm bei ϕ = 60◦
Wie bei Kondensatormotoren ist die Bemessungsleistung PN wegen des An-

laufstromes mit Rücksicht auf die Sicherungsautomaten (16 A) auf ca. 2 kW
begrenzt. Richtwert (C)PN = (40 . . . 70) µF/kW.
I Diese Schaltung ist eine preiswerte Alternative zum Kondensatormotor.
10.4 Synchronmaschinen
10
Synchronmaschinen sind der klassische Kraftwerksgenerator, sie werden
aber auch im weiten Bereich als umrichtergespeiste Motoren eingesetzt.
Einsatzgebiete. Es können nachstehende Einsatzfelder abgegrenzt werden:

Drehstromgeneratoren der elektrischen Energieversorgung (Kraftwerksge-
neratoren, auch für Windkraftanlagen)
Hierbei werden Synchronmaschinen bis zu größten Einheitsleistungen
gefertigt (Turbogeneratoren in Wärmekraftwerken bis ca. 1 200 MVA
(2-polig) bzw. bis 1 700 MVA (4-polig), Schenkelpolgeneratoren bis ca.
800 MVA),
Industrieantriebe
– bis zu größten Antriebsleistungen (bis ca. 30 MW) wird die Drehzahl-
stellung über direkte Frequenzumrichter erreicht (Förderanlagen, Walz-
straßen, Zementmühlen),
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– Servomotoren, Stellantriebe bis ca.10 kW mit Dauermagneterregung für

Werkzeugmaschinen, Roboter und Transferstraßen.
10.4.1.1 Bauteile
Synchronmaschinen erhalten ihr Drehfeld grundsätzlich durch eine Gleich-
stromerregung. Wird dieses Gleichfeld vom Läufer gebildet, bezeichnet man

diese Maschinen als Innenpolmaschinen. Dies ist bei Synchrongeneratoren
großer Leistung stets der Fall. Für kleinere Leistungen gibt es auch die
Ausführungsvariante, bei der das Erregerfeld vom Ständer erzeugt wird →
Außenpolmaschine. Dieser Maschinentyp findet Verwendung bei Notstrom-
und Baustromversorgungseinrichtungen (→ Bild 10.50).
Ankerwicklung
Ständerblechpaket Joch
im Ständer im Läufer
Polschuhe Vollpol-
Schenkel- läufer
polläufer
Erreger-
wicklung
im im
Läufer Ständer
a) b)
Bild 10.50 Prinzipdarstellung der Synchronmaschine
a) Innenpolmaschine, b) Außenpolmaschine
Nach Bild 10.51 kann die Gestaltung des Läufers der Innenpolmaschine in
zwei verschiedenen Formen erfolgen.
Läuferformen von Innenpolmaschinen
Vollpolläufer (Induktor)
rotationssymmetisches Schmiedestück (Stahllegierung hoher Permeabilität
µ ),
auf 2/3 des Umfanges sind Nuten zur Aufnahme der verteilten Erreger-
wicklung eingefräst,
Durchmesser d < 1 250 mm; Länge l < 9 m,
2- oder 4-polige Ausführung,
Rotorkappen bilden gemeinsam mit den leitfähigen Nutkeilen einen Kurz-
schlusskäfig (Dämpferkäfig bei Synchronmaschinen),
typisch für Wärmekraftwerksgeneratoren.
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d-Achse d-Achse
q-Achse
2 p = 4 2 p =8
a) b)
Bild 10.51 Läuferausführung von Synchronmaschinen
a) Vollpolläufer (2p = 2), b) Schenkelpolläufer (2p = 4 bzw. 8)
Schenkelpolläufer
ausgeprägte Einzelpole mit konzentrierter Erregerwicklung (→ Polrad),
Polräder mit hohen Polzahlen (2p < 80) → große Polraddurchmesser
d < 15 m bei geringer axialer Länge,
Polschuhe geometrisch gestaltet (→ sinusförmige Magnetfeldverteilung),
Anwendung für Wasserkraftwerksgeneratoren,
große Unterschiede des magnetischen Leitwertes in Längs- und Querachse

(d- und q-Achse → Bild 10.51b),
Polrad meist auf geschweißtem Tragsystem angeordnet.
Die Zuführung der Erregerleistung erfolgt über zwei Schleifringe auf dem
Wellenende oder „bürstenlos“ mittels einer mitrotierenden Diodengleichrich-
terbrücke, die die Erregerleistung gleichrichtet (→ Bild 10.53).
Ständer
analog zum Asynchronmaschinenständer, 10
Ständerblechpaket mit Nuten, bei Großmaschinen aus Segmenten ge-
schichtet (in Nuten 3strängige Drehstromwicklung für Leiterspannungen
UL = 6 . . . 27 kV),
Spulen aus stromverdrängungsarmen Roebelstäben,
Ständer ist in stabiles Gehäuse in Schweißkonstruktion eingebaut.
10.4.1.2 Erregersysteme
Durch die Einspeisung der Erregerwicklung mit einem einstellbaren Gleich-

strom IE wird das magnetische Erregerfeld der Synchronmaschine erzeugt.
Der Leistungsbedarf für die Erregerwicklung beträgt 3 . . . 5 % der Bemes-
sungsscheinleistung SN bei kleinen Synchronmaschinen (bis einige 100 kVA)
und ≈ (0,5 %)SN , bei sehr großen Synchronmaschinen von einigen 100 MVA.
Bei Generatoren im Grenzleistungsbereich beträgt der Erregerstrom IE über
10 kA. Je nach Leistung und Verwendungszweck der Synchronmaschine (Mo-
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torbetrieb, Generatorbetrieb, Phasenschieber, Insel- oder Netzbetrieb) haben

sich verschiedene Erregertechniken herausgebildet.
I Die klassische Erregertechnik durch einen direkt oder Getriebe angekuppelten
Gleichstromgenerator ist inzwischen durch Stromrichterschaltungen ersetzt.
Stromrichtererregung (statische Erregereinrichtung)

Schaltungen der Leistungselektronik,
einsetzbar bis zu höchsten Leistungen,
dynamisch hochwertiges Erregersystem (vorteilhaft bei hohen Laststößen,

Blindleistungskompensation).
Man unterscheidet eine Variante mit netzgeführtem Thyristorgleichrichter und
Phasenanschnittsteuerung (→ Bild 10.52a) sowie Varianten mit Innenpol-
Drehstromgenerator mit netzgeführtem Thyristorgleichrichter (→ Bild
10.52b). Die Übergabe der Gleichstromleistung an die Synchronmaschine
erfolgt in beiden Varianten mittels Schleifringen.
V2
Regler Regler
GS T GS G1 GS
3~ V1 3~ 3~
IE G2
IE V1
Bild 10.52a Statische Bild 10.52b Direkt gekuppelte
Erregereinrichtung Innenpol-Drehstrommaschine G1;
T Erregertransformator, G2 Hilfserregermaschine, V1 Thyristor-
V1 Thyristorumrichter stromumrichter, V2 Diodengleichrichter
Schleifringlose Erregerleistungsübertragung mit Außenpol-Drehstromer-

regergenerator und rotierendem Diodengleichrichter (→ Bild 10.53)
Die Drehstromerregermaschine ist unmittelbar auf der Welle der Hauptma-
schine angeordnet.
Die Speisung erfolgt über den angekoppelten, meist permanentmagnetisch
erregten Hilfsgenerator und geregelten Gleichrichter.
Die Erregerleistung wird über mitrotierende ungesteuerte Diodengleich-
richterbrücke „bürstenlos“ zugeführt.
Diese Variante ist typisch für Großgeneratoren, aber auch für große schleif-
ringlose Synchronmotoren.
Permanentmagneterregung von Synchronmotoren (→ Bild 10.54)
Leistungsbereich bis PN ≈ 10 kW (synchrone Servomotoren)
Für diese Innenpolläufer werden „Seltene Erden“-Magnete (SmCo,
NdFeB) eingesetzt.
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Gleichstromzuführung zum Rotor entfällt (damit aber auch die Einfluss-

nahme auf den Blindleistungshaushalt dieser Synchronmaschinen).
Regler stillstehender Teil der

Erregereinrichtung
V2
IE
rotierender Teil der
Erregereinrichtung
GS V1 G1 G2
Bild 10.53 Schleifringlose Erregereinrichtung
G1 Außenpol-Drehstromerregermaschine, G2 Hilfserregermaschine mit
Dauermagnetläufer, V1 mitrotierender Diodengleichrichter, V2 Thyristor-
stromrichter
N
S S
N N
Bild 10.54 Dauermagneterregter
1 Läufer von Synchronmaschinen
S 1 Seltenerd-Magnete
10
10.4.1.3 Spannungsinduktion
Ständerstrangspannung. Rotiert der gleichstromerregte Läufer mit der

Drehzahl ns = f1 /p, so induziert das Grundwellenfeld B1 des Läufers in
jedem Wicklungsstrang des Ständers dem Induktionsgesetz entsprechend eine
sinusförmige Spannung. Der Effektivwert der induzierten Strangspannung
Uq1 ergibt sich zu:
2π 4
Uq1 = √ N1 kw1 f1 Φ̂ 1h = √ N1 kw1 f1 l τ p B̂1 (10.38)
2 2
B̂1 Amplitude des Grundwellenfeldes
f1 Frequenz
l Ständerblechpaketlänge
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kw1 Wicklungsfaktor
τ p Polteilung
Φ̂ 1h Maximalwert des Polflusses
N1 Strangwindungszahl
Leerlauf, Leerlaufkennlinie (Uq1 = f (IE ))

Trägt man bei konstanter Antriebsdrehzahl ns die induzierte Strangspannung
Uq1 als Funktion des Erregerstromes IE auf, so erhält man die Leerlaufkennli-
nie. Sie weicht mit beginnender magnetischer Sättigung immer mehr von der
Anfangssteigung ab (→ Bild 10.55).
Uq1 Arbeitspunkt
Φ1
U q1N
nS = konst.
Bild 10.55
URem Leerlaufkennlinie (Uq1 = fm (IE ),

fm Magnetisierungsfunktion,
0 I E0 IE URem Remanenzspannung)
Wichtige Kennlinienpunkte: IE = 0 → Uq1 = URem ; IE = IE0 → Uq1 = UN .

Die vom Läufergleichfeld induzierte Ständerstrangspannung Uq1 wird auch
als Polradspannung UP bezeichnet.
10.4.2 Betriebsverhalten der Vollpolmaschine
10.4.2.1 Inselbetrieb
Bei Insel- oder Alleinbetrieb versorgt ein Synchrongenerator eine Verbrau-

chergruppe ohne Verbindung mit dem öffentlichen Netz.
Ankerrückwirkung. Wird die Synchronmaschine durch einen Drehstromver-

braucher belastet, so erzeugt die nun stromdurchflossene Ständerdrehstrom-
wicklung eine eigene Drehdurchflutung Θ 1 , die synchron zur Läuferdurch-
flutung Θ E rotiert. Beide Durchflutungen überlagern sich resultierend zur
Magnetisierungsdurchflutung Θ µ . Dieser Effekt ist die Ankerrückwirkung.
Θµ = ΘE +Θ1 (10.39)
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Zwischen den Durchflutungen Θ 1 und Θ E gilt die Proportion:

Θ1 3N1 kw1 I1 I1
=√ · =g· (10.40)
ΘE 2NE kwE IE IE
N1 Ständerstrangwindungszahl,
NE Erregerwicklungswindungszahl,
kw1 , kwE Wicklungsfaktoren
Dabei ist g der Umrechnungsfaktor für den Ständerstrangstrom I1 auf einen
äquivalenten Erregerstrom I10 .

I 10 = g · I 1 (10.41)
Mit dieser Zuordnung ergibt sich für den das resultierende Magnetfeld be-
stimmenden Magnetisierungsstrom Iµ :
I µ = I E + I 10 (10.42)
Spannungsgleichung, Ersatzschaltbild, Zeigerdiagramm. Die Spannungs-

gleichung für einen Strang der Vollpolmaschine ergibt sich zu:
U 1 = U p + jXh I 1 + jX1σ I 1 +R1 I 1 = U p + jXd I 1 +R1 I 1 (10.43)
j I 1X h
j Xd
Up j I 1 X1σ
{
j X1σ j Xh
R1 Uq
I 1R1
I1
U1 ist gültig für 10
U1 Uq Up ~
ω Generator-
betrieb,
ϑ übererregt
IE
Bild 10.56 Ersatzschaltbild der
Vollpolmaschine I1′
ϕ1 Iµ
R1 Strangwiderstand I1
X1σ Strangstreureaktanz
Xh Hauptreaktanz Bild 10.57 Zeigerdiagramm der
Up ideelle Polradspannung Vollpolmaschine im Inselbetrieb
U1 Ständerstrangspannung (ohmsch-induktive Belastung)
ϑ Polradwinkel
Die Summe von Hauptreaktanz Xh und Streureaktanz X1σ wird als Synchron-
reaktanz
Xd = Xh + X1σ (10.44)
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und Up = f (IE ) als ideelle Polradspannung bezeichnet. I1 ist der Ständer-

strangstrom. Es lässt sich nach Bild 10.56 das Ersatzschaltbild für die Voll-
polmaschine angeben.
Durch die grafische Auswertung der zwei Zeigergleichungen (→ Gln. (10.42),
(10.43)) gewinnt man das vollständige Zeigerdiagramm des Vollpolsynchron-
generators im Inselbetrieb, wie es für ohmsch-induktive Belastung im Bild
10.57 dargestellt ist.
a) b)
j Xd I 1 cos ϕ1k = 0
U1
ϕ1k =−90o
U1
I E = konst.
Up
U1 −60o cos ϕ = 1
1
−30o
I1 I1 cos ϕ1i = 0 0o
ϕ1 ϕ1i =+90o
ϕ1
ohmsch-induktive ohmsch-kapazitive
Belastung Belastung 0 I1
Bild 10.58 Ortskurve der Klemmenspannung im Inselbetrieb für IE und I1 = konst.
und beliebigen Leistungsfaktor
a) U 1 = f (I 1 ), b) U1 = f (I1 ) ohmscher, induktiver und kapazitiver Belastung
Spannungsverhalten. Die Klemmenspannung U1 ist bei konstanter Drehzahl

ns und bei konstant eingestellter Läufererregung (Up = konst.) abhängig von
der Größe und Phasenlage des Laststromes I1 . Auskunft über die Belastungs-
kennlinien U1 = f (I1 ) mit dem Parameter cos ϕ 1 gibt die Ortskurvenschar
für die Klemmenspannung U1 für Up = konst.; (IE , ns = konst.) mit den
Parametern I1 und cos ϕ 1 unter der zulässigen Vernachlässigung von R1 . Der
Kennlinienverlauf U1 = f (I1 ) bei vorgegebenen Leistungsfaktor cos ϕ 1 lässt
sich unmittelbar aus der Ortskurve ablesen (→ Bild 10.58)
IE cos ϕi = 0
cos ϕ=1
cos ϕk = 0
Bild 10.59 Regelkennlinie für
0
I1 konstante Netzspannung
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Die Forderung nach konstanter Einspeisespannung in das Netz kann durch

Nachregeln des Erregerstromes IE erreicht werden. Bild 10.59 zeigt entspre-
chende Regelkennlinien für induktive (cos ϕ i = 0), ohmsche (cos ϕ = 1) und
kapazitive (cos ϕ k = 0) Last.
10.4.2.2 Stoß- und Dauerkurzschlussstrom

Dauerkurzschlussstrom. Wird ein Synchrongenerator an seinen Klemmen
kurzgeschlossen, so arbeitet nach Bild 10.56 bei vernachlässigtem Widerstand

R1 die Polradspannung Up auf die Synchronreaktanz Xd . Die Folge ist (→ Bild
10.58) ein Strom Ik3 , der das Drehfeld weitgehend abbaut. Aus dem Leerlauf
heraus mit Up = UN fließt dann der dreipolige Dauerkurzschlussstrom
UN
Ik3 = (10.45)
Xd
Da die meist zweipoligen Kraftwerksgeneratoren (Turbogenerator) für Xd =
(1,2 . . . 2)UN /IN ausgelegt sind, fließt nach Abklingen des Einschaltstoßes mit
Ik3 nicht einmal der Bemessungsstrom IN .

Ungünstigere Werte erhält man bei zwei- oder gar einpoligem Kurzschluss an
den Generatorklemmen. Vereinfacht gelten die Zuordnungen
√
Ik3 : Ik2 : Ik1 = 1 : 3 : 3
Stoßkurzschlussstrom. Im Schaltaugenblick ist der weitgehende Abbau des
Drehfeldes noch nicht erreicht, sodass die für den stationären Betrieb aufge-
stellte Ersatzschaltung (→ Bild 10.56) nicht gilt. Hier sind die Kopplungen
mit der Erregerwicklung und der Dämpferwicklung an der oberen Nutseite zu
beachten. Es entstehen so genannte subtransiente (Anfangs-) und transiente
10
(Übergangs-)Reaktanzen, die verschiedene Stromanteile ausbilden. Für die
erste Stromspitze enthält man wieder bei Kurzschluss aus dem Leerlauf heraus
√ UN
IS = 1,8 · 2 · 00 (10.46)
Xd
wobei Xd00 ≈ 0,1 UN /IN die subtransiente Längsreaktanz ist. Für die Kräfte
dieses Stoßkurzschlussstroms muss vor allem der Wickelkopf des Generators
gefestigt sein.
10.4.2.3 Netzbetrieb
Beim Netzbetrieb wird die Synchronmaschine auf das Verbundnetz ge-

schaltet, wobei Klemmenspannung und Frequenz vorgegeben sind.
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Synchronisation
Mit dem Synchronisationsverfahren wird die Synchronmaschine hin-

sichtlich Phasenfolge, Frequenz, Spannung und Phasenwinkel an das Dreh-
stromnetz angepasst.
Die Synchronmaschine kann nicht ohne besondere Vorkehrungen an das

Drehstromnetz angeschlossen werden. Man muss sie synchronisieren. Dar-
unter versteht man das nahezu stromlose Zuschalten der Synchronmaschine

auf ein Drehstromnetz. Nachfolgende Bedingungen müssen für Netz und
Synchronmaschine erfüllt sein:
gleiche Phasenfolgen,
gleiche Frequenz f1 ,
gleiche Spannung U1 ,
gleicher Phasenwinkel ϕ .
Eine Überwachung dieser Voraussetzungen erfolgt beispielsweise mittels der

Dunkelschaltung oder eines Synchronoskops.
Betriebsverhalten der Synchronmaschine am Netz
Im Netzbetrieb kann eine Synchronmaschine sowohl Wirk- wie Blindleis-

tung abgeben und aufnehmen.
Nach der Synchronisation läuft die Maschine leer am Netz. Klemmenspan-

nung und Frequenz sind fest vorgegeben. Der Ständerstrangstrom I1 ist null.
Sie entwickelt kein Moment M und wird mit dem Leerlauferregerstrom IE0
gespeist. Von diesem Betriebszustand aus lässt sich die Synchronmaschine
durch
Einleiten von Momenten an der Welle (treiben, bremsen),
Variieren des Erregerstromes (Über-, Untererregung)
in verschiedenen Betriebsweisen betreiben.
Generatorbetrieb
Ein antreibendes Moment M an der Welle wird eingeleitet. Die Maschine
nimmt mechanische Leistung Pmech = M · ω s auf.
Das Polrad wird beschleunigt, ein Polradwinkel ϑ stellt sich ein.
Zwischen U p und U 1 tritt eine Phasenverschiebung von ϑ auf.
Die Differenzspannung ∆U = jXd I 1 treibt den um 90◦ nacheilenden Strom
I 1 = − j(∆U/Xd ) an.
I 1 ist der generatorische Strangstrom; der Generator gibt elektrische Leis-
tung an das Netz ab.
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Es stellt sich Gleichgewicht zwischen zugeführter mechanischer Leistung

Pmech = M · ω s und abgegebener elektrischer Leistung Pel = 3U1 · I1 · cos ϕ 1
ein.
Motorbetrieb
Von der Welle der Maschine wird ein Moment M abverlangt. Sie gibt die
mechanische Leistung Pmech = M · ω s ab.
Das Polrad wird verzögert. Es stellt sich der Polradwinkel −ϑ nach ei-
nem Übergang ein. Zwischen den Spannungen U p und U 1 stellt sich eine
Phasenverschiebung um den Winkel ϑ ein. Die Differenzspannung ∆U
treibt wiederum den Strom I 1 = − j(∆U/Xd ) an. I 1 ist ein fast reiner
Motorwirkstrom (in Phase mit U 1 ).
Die als Motor arbeitende Synchronmaschine entnimmt dem Netz die elek-
trische Leistung Pel = 3U1 · I1 · cos ϕ 1 .
Der jeweilige Übergangsvorgang des Polradwinkels ϑ (t) erfolgt durch Ein-

schwingen (Polradwinkelpendelung).
jX d I 1
Up
jX d I 1
Uq U1
U1 Uq
Up
Motorbetrieb
I1
I1
Iµ
10
Iµ
I1 I1
IE IE
Übererregung Untererregung
jX d I 1
Up Generatorbetrieb
Uq jX d I 1
U1 U1
Uq
Up
IE IE
I1 I1
Iµ Iµ Bild 10.60 Betriebszustände
der Synchronmaschine am
I1 I1 Netz (Vereinfachung: R1 = 0)
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Über- und Untererregung

Die Synchronmaschine befindet sich mechanisch im Leerlauf (M = 0).
Der Erregerstrom IE wird gegenüber IE 0 variiert. Die ideelle Polradspan-
nung Up ist proportional zu IE .
Die Differenzspannung ∆U bildet sich in Phase (Untererregung) bzw. in
Gegenphase (Übererregung) zu U 1 aus.
∆U treibt den reinen Blindstrom I 1 = − j(∆U/Xd ) an (bei Untererregung
induktiv, bei Übererregung kapazitiv).
Ergebnis. Über die Welle lässt sich der Wirkleistungshaushalt und über
die Erregung die Blindleistungsbilanz beeinflussen. Die leerlaufende Syn-
chronmaschine kann als Phasenschieber verwendet werden. Bild 10.60 zeigt
alle für den praktischen Einsatz wichtigen Betriebsweisen, die sich durch
Kombinationen der zwei Steuerverfahren (Welle, Erregung) ergeben.
Stromortskurve. Die Ortskurve I 1 = f (ϑ ) gestattet in anschaulicher Weise

einen Überblick über alle Betriebskennlinien für Motor- und Generatorbetrieb
bei Über- und Untererregung. Die Spannungsgleichung U 1 = U p + jXd I 1
liefert die Gleichung für den Ständerstrangstrom I 1 .
U1 Up
I1 = − j +j (10.47)
Xd Xd
Für die Ortskurven des Ständerstrangstromes I 1 = f (ϑ ) ergibt sich mit dem
Erregungsgrad Up /U1 als Parameter nach Bild 10.61 eine Kreisschar.
U1 Motor Up
= 1,4
U1
stabil instabil
U1 0,6
−j
ϕ1 Xd
B ϑ −j
I1
Up
j e jϑ
Xd
Pel = konst. Bild 10.61
A Stromortskurve der
Stabilitätsgrenze Vollpolmaschine
Generator (R1 ≡ 0)
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Man erkennt
Up /U1 < 1 (Untererregung) → Bezug von Blindstrom
Up /U1 > 1 (Übererregung) → Abgabe von Blindstrom
Parameter auf den Kreisen ist der Polradwinkel ϑ .
Die Wirkleistung der Synchronmaschine wird durch den Wirkstrom
Up
I1W = I1 · cos ϕ 1 = − sin ϑ repräsentiert (Strecke AB in Bild 10.61).
Xd
Für Polradwinkel ϑ → 90◦ wird bei vorgegebenem Erregergrad die ma-
ximale Wirkleistung Pel = 3U1 · I1 · cos ϕ 1 (Stabilitätsgrenze) erreicht; für

ϑ > 90◦ fällt die Synchronmaschine „außer Tritt“.
V-Kurven (→ Bild 10.62). Verlangt man von der Synchronmaschine die

Abgabe konstanter Wirkleistung ( = b konstanter Wirkstrom I1 W ) und ändert
den Erregungsgrad Up /U1 , so erhält man für die Kennlinie I1 = f (IE ) wegen
Up ∼ IE entsprechend der Stromortskurve (→ Bild 10.61) einen v-förmigen
Verlauf. Für eine andere Wirkleistung Pel ergibt sich eine andere V-Kurve.
cos ϕ1 = 1
I1 nze
tsgre
litä
bi 1,5⋅PelN
Sta 1
0,5
0
Bild 10.62
untererregt übererregt V-Kurven (I1 = f (IE ))
I E(0) IE mit dem Parameter Pel
0
10
Im Minimum der V-Kurven führt die Ständerwicklung jeweils nur den zur
Leistung Pel gehörenden Wirkstrom (cos ϕ 1 = 1). Rechts und links von der Li-
nie für cos ϕ 1 = 1 überlagert sich dem Wirkstrom noch jeweils ein Blindstrom.
Die hier für den Generatorbetrieb beschriebenen V-Kurven gelten in analoger
Weise für konstantes Moment M bzw. konstante mechanische Leistung Pmech
auch im Motorbetrieb.
Drehmoment der Vollpolmaschine
P1 el m1U1 I1 cos ϕ 1 Up
Wegen M = = und I1 cos ϕ 1 = − sin ϑ erhält man das
2πns 2πns Xd
Drehmoment der konstant erregten Vollpolmaschine zu:
m1 U1Up
M=− · sin ϑ (10.48)
2πns Xd
m1 Strangzahl (meist 3)
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Ergebnis (→ Bild 10.63):

M verläuft als Funktion des Polradwinkels ϑ sinusförmig.
M wird bei vorgegebener Netzspannung U1 von der Polradspannung Up
bestimmt.
Bei Generatorbetrieb (ϑ > 0 → M < 0) muss der Maschine ein Drehmo-
ment zugeführt werden.
Bei Motorbetrieb (ϑ < 0 → M > 0) gibt die Maschine ein Drehmoment an
die Arbeitsmaschine ab.
Das maximale Drehmoment tritt bei dem Polradwinkel ϑ = ±90◦ auf.

Motor M
U p >U N
Up =U N
−π π ϑ
m1⋅U1 U p
M =− ⋅ ⋅sin ϑ
2πns X d
Generator
Bild 10.63 Abhängigkeit des Drehmoments der Vollpolmaschine vom Erregerstrom
und Polradwinkel (- - - - - stationäre Stabilitätsgrenze)
Der Differenzialquotient der Momentenkurve dM(ϑ )/ d ϑ wird als synchro-

nisierendes Moment bezeichnet.
10.4.3 Spezielle Bauformen und Betriebsarten
10.4.3.1 Schenkelpolmaschinen
Im Gegensatz zur Vollpolmaschine ist wegen der ausgeprägten Pole des

Polrades der magnetische Widerstand des Luftspaltes am Läuferumfang
der Schenkelpolmaschine nicht konstant. Das hat Auswirkungen auf das
Betriebsverhalten.
Ankerrückwirkung bei Schenkelpolmaschinen

Das Magnetfeld, das von der Ständerdurchflutung Θ 1 hervorgerufen wird, ist
wegen des unterschiedlichen magnetischen Leitwertes im Pol- und Pollücken-
bereich abhängig von der räumlichen Lage zur Läuferquerachse (q-Achse).
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Die lineare Addition von Erreger- und Ständerdurchflutung (wie bei Vollpol-
maschine → Gl. (10.39)) ist nicht zulässig. Die Ständerdurchflutung ist in
ihrer Längs- und Querkomponente (→ Bild 10.64) den Leitwertverhältnissen
entsprechend unterschiedlich zu bewerten.
Es gilt für die Schenkelpolmaschine analog zu Gl. (10.39)
Θ µ = Θ E + kd Θ 1d + kq Θ 1q (10.49)
Λq Λd
mit kq = ≈ 0,25 . . . 0,45. und kd = ≈ 0,85 . . . 0,92.
ΛE ΛE
Λ d , Λ q , Λ E magnetische Leitwerte für Ankerlängs-, Ankerquer- und Polradfeld
Analog zur Vollpolmaschine kann man anstelle der Durchflutungsgleichung

(10.49) die äquivalente Stromgleichung (10.50) für die Schenkelpolmaschine
angeben.
0 0
I µ = I E + I 1d + I 1q = I E + I 10 (10.50)
mit
0
I 1d = kd gs I1 sin Ψ = kd gs I1d
(10.51)
0
I 1q = kq gs I1 cos Ψ = kq gs I1q
ΘE Θ1d = Θ1 sin ψ
Θ1q = Θ1 cos ψ
10
mit
Θ1q
⊗ ⊗ ⊗
⊗ q-Achse ψ=∠ {Θ1 , Θ1q }

ψ
Θ1d
⊗
⊗
⊗
Θ1
⊗
⊗ ⊗ ⊗
Bild 10.64 Durchflutungsdiagramm

d-Achse der Schenkelpolmaschine
Die Spannungsgleichung für einen Strang der Schenkelpolmaschine ergibt

sich nach dem Maschensatz zu:
U 1 = U p + jXhd I1d + jXhq I1q + I 1 R1 · I 1 jX1σ (10.52)
Die grafische Darstellung der zwei Zeigergleichungen (10.50), (10.52) führt

zum Zeigerdiagramm der Schenkelpolmaschine (→ Bild 10.65).
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j X hd ⋅ I 1d
j X hq ⋅ I 1q
j X1σ ⋅ I 1
Up R1⋅ I 1
Uq
U1
ϑ 0
I1d = kd gs · I1 sin ψ
0
I1q = kq gs · I1 cos ψ
gs Umrechnungsfaktor für den
IE Ständerstrangstrom auf einen
I1′ äquivalenten Erregerstrom bei
′
I1′ I1d
I 1d Iµ
Schenkelpolmaschinen
′
I1q
ψ Bild 10.65 Zeigerdiagramm der
I1 Schenkelpolmaschine im Generator-
I 1q betrieb (ohmsch-induktive Belastung)
Die Schenkelpolmaschine besitzt die den zwei Achsen q und d zugeordneten

Synchronreaktanzen
Xd = Xhd + X1σ , Xq = Xhq + X1σ (10.53)
Ortskurve I 1 = f (ϑ ) mit dem Parameter Erregergrad Up /U1

Die zur Stromortskurve gehörende Gleichung I 1 = f (ϑ ) mit dem Parameter
U p lautet

Up U1 1 1 U 1 1 1 1
I1 = j − − sin 2ϑ − j 1 + − − cos 2ϑ (10.54)
Xd 2 Xq Xd 2 Xd Xq Xq Xd
Up Polradspannung,
U1 Ständerstrangspannung,
Xd und Xq synchrone Längs- bzw. Querreaktanz,
ϑ Polradwinkel
Die Auswertung von Gl. (10.54) liefert für ausgewählte Erregergrade Up /U1
die Ortskurvenschar nach Bild 10.66.
Diese Ortskurvenschar gestattet den Einblick zu allen wichtigen Betriebskenn-
linien der Schenkelpolmaschine im Motor- und Generatorbetrieb.
Drehmoment
Das Drehmoment wird aus der aufgenommenen elektrischen Leistung P1 el bei
verlustfrei angenommener Maschine nach Gl. (10.48) gewonnen.
P1 el m1U1
M= = · I1 W
ωs 2πns
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+
U1 Up
= 1,5 Stabilitätsgrenze
U1
1
Motor 0,5
A
ϕ 0,25
0
I1 ϑ
B 0
−j
Generator
Bild 10.66 Stromortskurven der Schenkelpolmaschine

(R1 = 0, verschiedene Erregungen Up /U1 )
Unter Beachtung der Gl. (10.54) für I 1 = I1 W + jI1 B erhält man durch
Umformen:

m1U1 Up U1 1 1
M=− sin ϑ + − sin 2ϑ (10.55)
2πns Xd 2 Xq Xd
Bewertung des Ergebnisses (→ Bild 10.67)

M
10
Up
=0
−π UN π
ϑ
0,5
Reaktionsmoment Bild 10.67 Drehmoment der
Up 1 Schenkelpolmaschine in
=0
UN Abhängigkeit vom Polradwinkel
bei verschiedenen Erregergraden
2 (Up /U1 = 0 . . . 2)
Motor Generator
Das Moment enthält zwei Anteile.

– Moment analog zur Vollpolmaschine (M ∼ sin ϑ )
– Reaktionsmoment MR (nur verschieden von 0, wenn Xd > Xq , d. h., es
resultiert wegen X = ω L = ω N 2 Λ (N Windungszahl, ω Kreisfrequenz)
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aus den unterschiedlichen magnetischen Leitwerten Λ d und Λ q ; M = MR

für Up /UN = 0 → MR ist schon bei unerregter Maschine vorhanden; MR
bereits bei ϑ = 45◦ maximal groß, d. h., MR ∼ sin 2ϑ . Das Reaktions-
moment MR allein wird bei so genannten Reluktanzmotoren genutzt.
Das Maximalmoment ist mithilfe des Erregergrades einstellbar.
10.4.3.2 Stromrichtergespeiste Synchronmaschinen

Die Umrichtertechnik erlaubt den Einsatz der Synchronmaschine als dreh-

zahlgeregelter Antrieb.
Antriebsstruktur. Die Möglichkeit der freien Frequenzwahl verlangt stets

eine Entkopplung von Netz- und Motorseite durch einen Zwischenkreis.
Damit entsteht für einen Umrichterantrieb die Struktur in Bild 10.68.
Bild 10.68 Struktur eines Umrichterantriebs

GR Netzgleichrichter, ZK Zwischenkreis, WR Wechselrichter, FU Frequenz-
umrichter, NR Netzrückwirkungen, MR Motorrückwirkungen
Für die Baugruppen GR und WR sind je nach Leistung und sonstigen Anfor-
derungen verschiedene elektronische Stellglieder im Einsatz. Die Wirkungs-
pfeile NR und MR bezeichnen Netz- und motorseitige Rückwirkungen wie
Oberschwingungen, Störspannungen, Geräusche.
Umrichtertechnik. Mit der Fertigung der Frequenzumrichter vom kleinen
Transistorgerät bis zu Thyristorstromrichter im MW-Bereich kann die Syn-
chronmaschine für praktisch jede Antriebsaufgabe eingesetzt werden. Gegen-
über der Asynchronmaschine hat sie den Vorteil, dass sie ständerseitig keinen
Magnetisierungsstrom aufnehmen muss, was zu einer höheren Ausnutzung
des Bauvolumens führt.
Hinsichtlich der eingesetzten Umrichtertechnik gilt etwa folgende Gliederung:
1. Im unteren Leistungsbereich werden dauermagneterregte Motoren mit tran-
sistorisierten Pulsumrichtern eingesetzt. Sie bilden aus einem Gleichspan-
nungszwischenkreis im Wechselrichterteil WR eine sinusmodulierte Dreh-
spannung (→ Bild 10.34).
2. Alternativ zum Käfigläufermotor werden auch Synchronmaschinen über
IGBT-Pulsumrichter im Bereich 10 kW bis 1 MW betrieben.
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3. Für mittlere bis große Leistungen (100 kW bis 20 MW) werden Strom-
richtermotoren eingesetzt, die mit einem Stromzwischenkreis arbeiten. Die
elektronischen Stellglieder (meist IGBT) schalten den Gleichstrom Id mit
der gewünschten Frequenz nacheinander auf die drei Wicklungsstränge im
Ständer, was ein sprungförmig umlaufendes Drehfeld ergibt.
4. Synchronmaschinen mit Direktumrichter für einen Frequenzbereich von 0
bis 20 Hz kommen für Großantriebe (Zementmühlen, Brecher, Verdichter)
zum Einsatz. Direktumrichter arbeiten ohne Zwischenkreis und liefern je
nach gewünschter Frequenz nacheinander die positive und negative Hüll-

kurve der Wechselspannung.
10.4.3.3 Dauermagneterregte Servomotoren (E-Auto)
Für Stellantriebe (Servomotoren) werden überwiegend Synchronmotoren

mit Dauermagnetläufer eingesetzt.
Aufbau. Bild 10.69 zeigt den Querschnitt eines Servomotors mit der Dreh-
stromwickung in den Ständernuten und aufgeklebten SE-Dauermagneten

auf dem Läuferblech (→ Bild 10.54). Zur Ausstattung gehören meist eine
elektrische gelöste Federkraft-Reibungsbremse, Temperaturfühler und eine
Einrichtung zur Drehzahl- und zur Polradlagebestimmung (Resolver).
Permanent-
Läuferblech magnete Bandage
10
S S S S N
N
S S N NN
N
N N S S S
S
S
N N N NS
Bild 10.69 Ständer

Gehäuse Ständerblech- Ständer- und Läufer eines
paket wicklung permanentmagnetisch
(Drehstrom) erregten Servomotors
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Die Struktur des Antriebs (→ Bild 10.70) entspricht der aller Stromrichteran-
lagen mit Drehzahl- und unterlagerter Stromregelung.
GR
Hochlauf- Drehzahl- Stromregler Steuersatz

geber regler
n*w nw iLw ust te , ε
WR
−n −iL
3
T RLG SM
Bild 10.70 Prinzipdarstellung eines elektronisch kommutierten Stromrichtermotors

GR Gleichrichter, WR Wechselrichter, T Tachogenerator, RLG Rotorlagegeber,
SM Stromrichtermotor
Betriebsverhalten. In der modernsten Technik arbeitet auch der Eingangs-

Gleichrichter GR mit IGBTs, womit der Ladestrom des Zwischenkreiskon-
densators C so getaktet werden kann, dass ein fast sinusförmiger Netzstrom I
entsteht (→ Bild 10.71) Der motorseitige Wechselrichter erhält eine konstante
Zwischenkreisspannung Ud und liefert die fast sinusförmigen Wicklungsströ-
me I1 .
Bild 10.71 Aufbau eines AC-Servomotorsystems
Die Ansteuerung erfolgt in der Regel so, dass die Verhältnisse der Gleich-
strommaschine nachgebildet werden, bei der Erreger- und Ankerdurchflutung
senkrecht aufeinanderstehen, also IE ⊥IA .
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Vernachlässigt man wieder den ohmschen Wicklungswiderstand R1 , so erhält

man aus Bild 10.71 die Spannungsgleichung:
U1L
U 1 = jXI1 + U p = U x + U p mit U1 = √
3
Dies ergibt ein Zeigerbild (→ Bild 10.72), in dem jetzt der Ständerstrom I1
(entspricht IA ) und der Erregerstrom IE senkrecht aufeinander stehen.
Die innere Leistung ergibt sich daraus zu:
Pi = 3U1 I1 cos ϕ 1 = 3Up I1

Es entsteht das innere Drehmoment:
3p · Up · I1
Mi = (10.56)
2π · f
p Polpaarzahl, meist 3
Up Polradspannung
I1 Ständerstrangstrom
f freie Frequenz
Bild 10.72 Zeigerbild der dauermagneterregten

Synchronmaschine (90◦ -Versatz zwischen
10
Erregerfeld und Ständerdurchflutung)
Anwendungen: Die Anwendungen resultieren aus den vorteilhaften Betriebseigen-

schaften, wie:
nahezu gleiches Verhalten wie Gleichstromstellantrieb,
Drehzahlstellbereiche nmax : nmin ≈ 10 000 : 1, aber
ohne die Begrenzungen, die der mechanische Kommutator bedingt.
Sie werden eingesetzt als:
Servoantriebe bei Werkzeugmaschinen, Robotern, Elektroautos.
10.4.3.4 Linearmotoren
Wenn man den Ständer einer Drehstrommaschine radial öffnet und das
Blechpaket samt Drehstromwicklung in eine Ebene verlegt, so entsteht ein
Linearmotor. Dieses Konstruktionsprinzip kann (→ Bild 10.73) prinzipiell
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auf alle Maschinenarten angewandt werden, wobei die synchrone Bauweise

die größte Bedeutung erlangt hat.
Das Linearmotorprinzip lässt sich auf alle Motorvarianten übertragen.
Einsatzcharakteristik. Der Einsatz von Linearmotoren in der Antriebstech-

nik wird dadurch charakterisiert, dass die Schubkraft direkt, ohne die Zwi-
schenschaltung von Getrieben erzeugt wird (Direktantriebe). Damit ergeben
sich u. a. folgende Vorteile bei deren Anwendung:

Zugkraft ist unabhängig von der Haftreibung,
Erhöhung der Zuverlässigkeit infolge Wegfall von Verschleißteilen,
Kraftübertragung erfolgt berührungslos,
robuste, einfache Gestaltung des Antriebes.
Linearmotoren
Funktionsprinzip Konstruktionsprinzip
Gleichstrommotor
Synchronmotor relative Länge der
Asynchronmotor Hauptbaugruppe Induktorgestaltung
Schrittmotor
Langstatormotoren Einzelkammmotor
Kurzstatormotoren Doppelkammmotor
Solenoidmotor
Bild 10.73 Klassifikation elektromechanischer Linearmotoren
Bild 10.73 zeigt eine Klassifikation elektromechanischer Linearantriebsmo-

toren. Demnach ist dieses Antriebsprinzip auf der Basis aller rotierenden
Motorvarianten realisierbar.
Aufbau. In der asynchronen Bauart werden Linearmotoren meist mit dop-
pelseitigem Blechpaket (→ Bild 10.74) gebaut. Das Wanderfeld Φ schließt
sich dann über die beidseitigen kammartigen Blechpakete und induziert in der
leitfähigen Läuferschiene aus Kupfer, Alu oder Eisen Ströme. Diese bilden
wie beim Käfigläufer zusammen mit dem Wanderfeld die Schubkraft F.
Wirkungsweise. Aus der synchronen Umfangsgeschwindigkeit
2pτ p f1
vs = πD1 ns =
p
des Drehfeldes der rotierenden Maschine ergibt sich die synchrone Wander-
geschwindigkeit beim Linearmotor mit:
vs = 2p f1 (10.57)
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Ebenso erhält man die Vorschubkraft F aus der am Läufer einer rotierenden
Maschine wirkenden gesamten Tangentialkraft, die das Drehmoment Mi be-
wirkt. Es ist:
Pδ D1
Mi = =F
2πns 2
Pδ Pδ PN
Mi = = = (10.58)
π · D1 · ns vs vN
p Polpaarzahl
f1 Speisefrequenz
Pδ Luftspaltleistung
vs synchrone Wanderfeldgeschwindigkeit
vN Geschwindigkeit bei PN
Φ Φ 1
1
τp 3
Bild 10.74 Asynchroner Doppelkammerlinearmotor (schematisch)
1 Induktor, 2 Läufer, 3 Drehstromwicklung
Linearer Positionierantrieb. Zum Transport des Schlittens einer Bearbei-

tungseinheit muss beim Einsatz eines rotierenden Motors eine Umsetzung der
Dreh- in eine geradlinige Bewegung erfolgen. Letzteres leistet ein Linearan- 10
trieb ideal ohne Zwischenteile (→ Bild 10.75).
Bild 10.75 Positionierantriebe mit AC-Servomotoren

a) Rotierender Motor mit Kugelrollspindel, 1 Kugelrollspindel, 2 Motor, 3 Schlitten;
b) Direktantrieb durch einen Linearmotor, 1 Ständer mit Schlitten, 2 Magnetplatte
Ein Kurzstatorlinearmotor mit Drehstromwicklung wird über einen Frequenz-

umrichter versorgt und gesteuert. Ein hochauflösendes Lineal ermöglicht die
exakte Lagebestimmung mit einer Genauigkeit unter 1 µm. Der Läufer besteht
aus aneinandergelegten SE-Dauermagneten, deren Magnetfeld der Flussdichte
B sich über das Ständerblechpaket schließt.
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Schubkräfte. Die Berechnung der Schubkraft F kann über die Lorentz-Kraft

mit F = BlI erfolgen. Man erhält:
F = α zges lBI1 (10.59)
α Minderungsfaktor für Randzonen und Feldform

zges gesamte Leiterzahl in den Ständernuten in Reihe
l Leiter- und Magnetlänge
B Flussdichte im Luftspalt
I1 Strom in der Drehstromwicklung

Zwischen den durch einen Luftspalt getrennten Oberflächen von Ständerblech
und Dauermagnet stehen nach Fa ∼ B2 hohe Anziehungskräfte, die den Wert
der Schubkraft deutlich übersteigen. Der Linearmotor benötigt daher eine
stabile Unterkonstruktion und eine kräftige Lagerung.
I Anwendungen: Linearbewegung in Werkzeugmaschinen, Transferstraßen
Langstatorlinearmotor. Beim Linearmotor muss grundsätzlich ein Maschi-
nenteil der Bewegungsstrecke entsprechen. Beim Positionierantrieb ist dies
die Dauermagnetanordnung, entlang welcher der Ständer wandert.
In der Verkehrstechnik wird mit dem bekanntesten Beispiel des Transrapid

die umgekehrte Anordnung ausgeführt. Entlang der Trasse liegt eine Dreh-
stromwicklung, die in Abschnitte geteilt, von Frequenzumrichtern gespeist
wird. Die Fahrgeschwindigkeit kann über die Frequenz der in die Strecke
eingespeisten Drehspannung bis ca. 500 km/h frei gewählt werden, wobei
immer nur Teilabschnitte der Trasse versorgt sind.
Die Fahrgastkabine enthält unter sich den Läufer, dessen Wicklung wie bei
der normalen Synchronmaschine mit Gleichstrom versorgt wird. Die Über-
tragung dieses Erregerstromes erfolgt allerdings nicht über Schleifer, wie bei
Schienenbahnen üblich, sondern induktiv. Man benutzt dazu Oberwellen des
Ständerfeldes, die transformatorisch die Leistung sowohl für den Erregerstrom
wie die Hubmagnete übertragen.
10.5 Kleinmaschinen
Neben den Kondensatormotoren (→ 10.3.5.1) und Spaltpolmotoren (→
10.3.5.2) gibt es mit unterschiedlicher Energieversorgung weitere Kleinma-
schinen, die teils mit Stückzahlen von vielen Millionen pro Jahr gefertigt
werden.
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10.5 Kleinmaschinen 623
10.5.1 Batterieversorgte Gleichstrommaschinen
Aufbau. Ein Ständerblech aus rollierten Stahl oder Rohr trägt in der fast
immer zweipoligen Ausführung zwei angeklebte oder mechanisch fixierte
Magnetschalen (→ Bild 10.76). Als Dauermagnete werden meist Ferrite
eingesetzt, die zwar mit Br ≈ 0,4 T nur eine geringe Remanenzflussdichte
besitzen, aber gegenüber den viel hochwertigeren Selten-Erden-Magneten
(SE-Magnete) preiswert sind. Der Läufer hat die normale Konstruktion des
Gleichstromankers mit Schleifenwicklung, Stromwender und Kohlebürsten.
Bild 10.76 Aufbau eines zweipoligen

Gleichstrom-Dauermagnetmotors
1 Ankerblech mit Wicklung, 2 Ferrit-
Dauermagnet, 3 Ständerrücken (Joch)
Aus Preisgründen erhalten diese Kleinmaschinen keine Wendepole, sondern

eine Schaltverschiebung der Ankerleiter, die damit wie bei einer Bürstenver-
schiebung im Feld des nächsten Pols liegen. Die Reaktanzspannung (Strom-
wendespannung) wird so wie bei der Wendepolausführung kompensiert und
die kommutierende Spule wieder spannungsfrei. Der Stromwender zeigt zu-
mindest bei Volllast kein Bürstenfeuer.
Wirkungsweise. Es gelten alle für die fremderregte Gleichstrommaschine
unter 10.2 angegebenen Beziehungen. Setzt man wegen der Dauermagnete 10
mit Φ = konst. ein nicht veränderbares Hauptpolfeld an, so ergeben sich für
Drehmoment und Drehzahl mit der Konstanten cD = cΦ aus den Gln. (10.6)
und (10.7):
cD IA UA − IA RA
Mi = (10.60) n= (10.61)
2π cD
Die Drehzahlsteuerung kann verlustbehaftet über Vorwiderstände mit RA →

RA + RV erfolgen oder verlustfrei über Reduktion der Ankerspannung durch
eine Transistorschaltung. Je nach Leistung und Anforderungen sind hier
unterschiedliche Schaltungen im Einsatz. Bei fester Drehrichtung genügt die
Einstellung der Ankerspannung durch einen gepulsten Transistor mit der
Periodendauer T (→ Bild 10.77) und einer Freilaufdiode parallel zum Anker.
Die Betriebsspannung UB wird mit einem Einschaltverhältnis tE /T getaktet,
womit sich als wirksame Ankerspannung UA = UBtE /T einstellt.
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Bild 10.77 Drehzahlsteuerung

durch Pulsen eines Transistors
I Anwendungen:
Kfz-Elektrik (Scheibenwischer, Gebläse, Heber usw.)
Elektrowerkzeuge (Bohrmaschinen, Schrauber, Tacker usw.)
Geräte der Feinwerktechnik
10.5.2 Universalmotoren
Wegen der Reihenschaltung von Anker und Erregerwicklung haben Univer-
salmotoren ein von der Stromrichtung unabhängiges Drehmoment und können
daher universell mit Gleich- oder Wechselspannung laufen.
Aufbau. Universalmotoren entsprechen Gleichstrom-Reihenschlussmotoren

(→ 10.2.2.3), die mit Wechselspannung betrieben werden. Als charakteristi-
sche Unterschiede im mechanischen Aufbau sind zu nennen:
stets zweipolige Ausführungen,
gedrungenes Ständerblechpaket mit speziell geformten Polschuhen,
Blechung des gesamten Magnetkreises zur Vermeidung von Wirbelstrom-
verlusten (Ständer- und Läuferblechpaket),
symmetrische Aufteilung der Erregerwicklung zum Anker,
Wegfall von Wendepol- und Kompensationswicklungen → keine optimale
Stromwendung,
verkleinerter Luftspalt δ .
3
Bild 10.78
Aufbau des Universalmotors
4 1 Ständerblechpaket,
2 Erregerwicklung,
5 3 Ankerwicklung,
4 Ankerblechpaket,
5 Polschuhe
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Gegenüber dem Asynchronmotor sind folgende Nachteile zu nennen:

Verschleiß der Bürsten → Betriebsgeräusche, Reibmoment,
verkürzte Lebensdauer durch Verschleiß des Kommutators,
infolge der unvollkommenen Kommutierung kann kein funkenfreier Be-
trieb erreicht werden → Funkentstörung nach VDE 0875 ist erforderlich.
Da der Motor in der Regel in tragbare Geräte wie Elektrowerkzeuge, Staub-

sauger usw. eingebaut wird, wählt man kleine Abmessungen (geringes eigenes
Drehmoment Mi ) und erreicht die gewünschte Bemessungsleistung PN durch

hohe Drehzahlen nN 5 20 000 min−1 . Danach sorgt ein Getriebe für die Be-
triebsdrehzahlen am Bohrfutter oder Gebläse.
Ersatzschaltung und Zeigerdiagramm. Für die in der Ankerwicklung in-
duzierte Spannung gilt grundsätzlich wie bei einer Gleichstrommaschine
Uq = cnΦ , wobei hier mit Φ = f (I) das Magnetfeld vom Laststrom I selbst
erzeugt wird. Vereinfacht man durch eine mittlere magnetische Sättigung
obige Funktion, so erhält man mit der neuen Konstanten k:
n f1
Uq = k · ·I =k·ν ·I mit ns =
ns p
Die Größe ν = n/ns ist dabei ein auf die Synchrondrehzahl ns bezogenes
Drehzahlverhältnis.
Aus der inneren Leistung Pi = Uq I ergibt sich das Drehmoment:
k · I2
Mi = (10.62)
2π · ns
√
Mit dem Sinusstrom i = 2I sin ω t erhält man ein oberhalb der Zeitachse
10
pendelndes Drehmoment Mi (t) mit dem Scheitelwert 2 Mi (→ Bild 10.79).
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Φ
Mi (t )
Mi (t )
Mi
Φ (t) Bild 10.79

Drehmomentverlauf beim
i(t) Universalmotor
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Infolge der Reibungsverluste ist die mechanische Leistung Pmech < Pi . Somit
verringert sich das an die Motorwelle abgegebene Drehmoment M gegenüber
dem inneren Drehmoment Mi .
Aus der Spannungsgleichung
U = I(R + jX) + Uq = I(R + kν + jX) (10.63)
entsteht die Ersatzschaltung (→ Bild 10.80) und mit

U
I (ν ) = (10.64)
R + kν + jX
die Stromortskurve I = f (ν ) bei konstanter Spannung.
I Re j Xe Ra j Xa
U Uq
R= Re + Ra
=gesamter ohmscher Widerstand
des Motors
X = Xe + Xa Bild 10.80 Vereinfachtes
=gesamter Blindwiderstand Ersatzschaltbild des
des Motors Universalmotors
Stromortskurve. Nach Bild 10.82 ist die Ortskurve des Stromes I mit dem
Parameter ν = n/ns mit ns = f1 /p (Bezugsdrehzahl) ein Kreis, dessen Mit-
telpunkt auf der Abszisse liegt.
Für einen Punkt P auf der Ortskurve entsprechen
Strecke AP der aufgenommenen Wirkleistung P1 el ,
Strecke BP der mechanischen Leistung Pmech ,
Strecke AB der Verlustleistung PV = I 2 R.
Für den Leistungsfaktor cos ϕ entnimmt man aus dem Zeigerbild die Bezie-
hung:
R + kν 1
cos ϕ = p =s 2 (10.65)
(R + kν )2 + X 2 X
1+
R + kν
Der Leistungsfaktor cos ϕ wird demnach mit wachsendem Drehzahlverhältnis

ν = n/ns besser (ns = „synchrone Drehzahl“ = Vergleichsdrehzahl).
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U
U q = kν I
Spannungsgleichung
a f 2
U = I R + j X + kν I
IR Uq
Φ
n
U q = cΦ × = kν I
ns
ϕ
jXI Bild 10.81 Zeigerbild des
I c, k Konstante
Universalmotors
+ Motorbereich U
I (ν )=
R + kν + j X
νp n
U ν =
ns
ν f
P ns = 1 (synchrone Drehzahl als
ν p
}
Vergleichsdrehzahl)
I
~ Pmech
ϕ B 0
P-Linie A } ~ I 2R
M −j
Bild 10.82 Stromortskurve des
Generatorbereich Universalmotors bei Vernach-
lässigung der Sättigung des
magnetischen Kreises
Drehzahl-Drehmoment-Kennlinie. Über die Gln. (10.63), (10.64) erhält

man das Drehzahlverhalten in Abhängigkeit vom Lastmoment M ≈ Mi zu 10
s 
ns  k U2
n= · − X 2 − R d. h., (10.66)
k 2πns Mi
1
n∼ √ (Reihenschlussverhalten).
Mi
Damit können Universalmotoren hohe Drehmomente beim Anlauf entwi-
ckeln. Bei Entlastung (M verringern) werden der Strom und das Magnetfeld
geringer. Der Motor entwickelt hohe Drehzahlen und kann „durchgehen“.
Drehzahlsteuerung. Die Änderung der Drehzahl erfolgt in den meisten An-
wendungen durch Absenken der Spannung. Hierzu wird eine elektronische
Schaltung mit dem Baustein Triac analog den bekannten Dimmerschaltungen
für Glühlampen verwendet (→ Bild 10.83). Mit dem Potentiometer Rp wird
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über eine Zünddiode Z die Phasenanschnittsteuerung der Wechselspannung

UN eingestellt. Nach Gl. (10.66) wird etwa n ∼ U.
Bei Hausgeräten (Rührer, Mixer) verwendet man auch eine Anzapfung der
Erregerwicklung über einen Stufenschalter S (→ Bild 10.84). Da diese ei-
ne Feldschwächung bewirkt, entstehen Kennlinien oberhalb U = UN . Beide
Verfahren zusammen ergeben das Kennlinienfeld Bild 10.85).
Bild 10.83 Drehzahlsteuerung eines Bild 10.84 Feldschwächung

Universalmotors durch eine Triacschaltung durch Wicklungsanzapfungen

T Triac, Z Diac (Zünddiode), Rp
Steuerpotentiometer
Bild 10.85 Kennlinien zur

Drehzahlsteuerung eines
Universalmotors
10.5.3 Schrittmotoren
Bei Schrittmotoren dreht sich die Welle pro Steuerimpuls ohne Rückmel-
dung um den Schrittwinkel α .
Wirkungsweise. Schrittmotoren benötigen grundsätzlich eine zugeordnete

eigene Energieversorgung, in der Steuerimpulse über eine Leistungsstufe die
einzelnen Ständerwicklungen mit Strom versorgen (→ Bild 10.86).
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ϕ
α
α α
Schrittprogramm
α
Impuls- Steuer- Leistungs- Schritt- α
generator schaltung stufe motor
Bild 10.86 Prinzip der Schrittmotorsteuerung (offene Steuerkette)
Aufbau. Der Ständer enthält je nach Strang- und Polzahl eine Anzahl Ein-
zelpole mit konzentrischer Wicklung wie bei einer Gleichstrommaschine. Für
den Läufer gibt es drei Varianten:
Reluktanzläufer bestehen aus einem Weicheisenzahnrad.
Dauermagnetläufer mit Wechselpolen besitzen am kreisrunden Umfang
abwechselnd Nord- und Südpole (→ Bild 10.87a).
Gleichpolläufer haben einen Längsmagnet mit beidseitigen Weicheisen-
zahnrädern (→ Bild 10.87b).
Bild 10.87 Dauermagnet-

läufer eines Schrittmotors
a) Wechselpolbauweise,
b) Gleichpolbauweise
Bild 10.88 zeigt ein Beispiel für einen Reluktanzläufer. Sobald der Strom
I von der momentanen Wicklung 2 nach 3 wechselt, springt das Zahnrad 10
um α = 15◦ in die neue Zuordnung Ständer – Läuferpol. Bei zyklischer
Bestromung 1 → 2 → 3 entsteht so eine Drehung um jeweils 15◦ .
Bild 10.88 Schaltung

eines dreiständigen
Reduktanzschrittmotors
(Schrittwinkel α = 15◦ )
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Schrittwinkel α < 10◦ lassen sich nur erreichen, wenn auch die Ständerpole
gezahnt sind. Bild 10.89 zeigt, dass die Nuten beider Seiten versetzt sind
und z. B. bei Bestromung von Strang A die Läuferstellung 1 besteht. Bei
Bestromung von Strang B rückt der Läufer in die neue Lage 2 und macht
damit einen Schritt um ein Viertel Läufernutteilung τ n2 . Bei 50 Läufernuten
entspricht dies einem Schrittwinkel von α = 360◦ /(4 · 50) = 1,8◦ .
Bild 10.89 Reduktanzschrittmotor mit gezahnten Ständerpolen (Schrittwinkel

α = 1,8◦ ); a) Aufbau von Ständer und Läufer, b) Läuferzahnstellung vor (1) und
nach (2) einem Schritt
Kennwerte. In der Bauform des Gleichpolläufers (Hybridmotor) sind Steu-

erwinkel α = 0,2◦ möglich und Taktfrequenzen (Steuerfrequenz) bis etwa
30 kHz. Die Baugröße wird durch das Drehmoment von MN = 0,01 . . .
10 N · m definiert.
M
M max
1 2 3
M Am
M Bm
f Am f Am f A0m fBm fB0m f

( J L >0) ( J L = 0)
Bild 10.90 Drehmoment-Frequenz-Diagramm eines Schrittmotors
1 Anlauffrequenz-Kennlinie für JL > 0, 2 Anlauffrequenz-Kennlinie für JL = 0
3 Betriebsgrenzfrequenz-Kennlinie, JL Massenträgheitsmoment des Schrittmotor-
antriebs
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Schrittmotoren besitzen keine Überprüfung der Läuferstellung (offene Steu-

erkette), womit zur Vermeidung von Lagefehlern garantiert sein muss, dass
bereits der erste Steuerimpuls zu einem Schrittwinkel α führt. Die Datenblät-
ter enthalten daher ein Drehmoment-Frequenz-Diagramm (→ Bild 10.90),
das je nach Lastmoment die zulässige maximale Taktfrequenz angibt. Die
Kurve 2 grenzt die möglichen Frequenzen für Anlauf- und Stopp-Betrieb ohne
Schrittfehler bei vernachlässigbarem Lastträgheitsmoment JL ab. Ist JL > 0
gilt nur noch Kurve 1. Im Betrieb darf die Taktfrequenz innerhalb der Kurve
3 liegen.
I Anwendungen: Drucker, Uhren, Programmschalter, Positionierungen aller Art
10.5.4 Elektronikmotor
Im Elektronikmotor ist der mechanische Umschalter „Stromwender“

durch eine Transistorschaltung ersetzt.
Aufbau. Elektronikmotoren erhalten ähnlich einem Schrittmotor am Stän-

derumfang verteilte Polwicklungen und im Läufer einen Dauermagneten
in Wechselpolbauweise (→ Bild 10.91). In Umkehrung des Prinzips einer
Gleichstrommaschine erfolgt die Umschaltung im Ständer durch Transistoren.
Die häufig verwendete Bezeichnung „Bürstenlose Gleichstrommaschine“ ist
unzutreffend, es handelt sich vielmehr um eine selbstgeführte Synchronma-
schine, ähnlich dem Stromrichtermotor.
10
Bild 10.91 Blockschaltbild eines Motors mit elektronischer Kommutierung und

Dauermagnetläufer; 1 Dauermagnetläufer, 2 vierteilige Ständerwicklung,
3 Hall-Sonden, 4 Kommutierungs-Transistoren, 5 Schalttransistor, 6 Glättungs-
drosselspule, 7 Steuer- und Regellogik
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Um ständig ein Drehmoment zu erhalten, müssen die Ständerpole nachein-

ander so bestromt werden, dass mit dem Läufermagnet immer Kräfte für ein
Drehmoment entstehen. Dies verlangt die Kontrolle der Läuferlage, was wie
in Bild 10.91 über Hall-Sonden oder auch Induktionsspulen geschehen kann.
Das Motormoment und damit indirekt die Drehzahl wird über den Strom I
mithilfe eines gepulsten Eingangstransistors eingestellt.
Gegenüber dem Gleichstrom-Kleinmotor entfallen alle Probleme des Ankers
mit Stromwender wie Bürstenfeuer, Kohleabrieb, Grenzdrehzahl und Träg-

heitsmoment. Die Motoren werden daher für Drehzahlen nN 5 100 000 min−1
bei meist PN 5 500 W gebaut.
I Anwendungen: Plattenspeicher, Videogeräte, Wickelantriebe, EDV-Peripherie
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Matlab-Programme
1. Bode-Diagramm (Hochpass, → 4.2.4)
% BodeDiagramm
% Hochpass
R=10ˆ2;C=0.1*10ˆ(-6);
wgr=1./(R*C);
w=logspace(3,7,1001);
wd=wgr./w;
H1=1./(1-j*wd);
y1=20*log10(abs(H1));
y2=-atan(1./wd)*180/pi;
wn=w/wgr;
[AX,H1,H2]=plotyy(wn,y1,wn,y2,’semilogx’)
set(get(AX(1),’Ylabel’),’String’,’|H| in dB’)
set(get(AX(2),’Ylabel’),’String’,’Phase (in Grad)’)
set(H1,’LineStyle’,’-’)
set(H2,’LineStyle’,’- -’)
xlabel(’\omega in Hz’)
grid
2. Ortskurven (→ 4.2.5)
% Ortskurven Y1, Y2, Y aus:
% Parallelschaltung von R,L und R,C
% -----------------------------------
R1=30;
R12=R1*R1;
R2=20;
R22=R2*R2;
L1=0.1;
L12=L1*L1;
C1=0.5*10ˆ-4;
C12=C1*C1;
f=linspace(0.001,200000,100000); 11
% 1. Widerstand R und Induktivität L:
Y1=1./(R1+j*2*pi*f*L1);
Y1real=real(Y1);
Y1imag=imag(Y1);
% 2. Widerstand R und Kapazität C:
Y2=1./(R2+j./(2*pi*f*C1));
Y2real=real(Y2);
Y2imag=imag(Y2);
% 3. Gesamtschaltung
YGreal=Y1real+Y2real;
YGimag=Y1imag-Y2imag;
% Grafik
plot(Y1real,Y1imag,’r’,Y2real,-Y2imag,’b’,YGreal,YGimag,’g’);
xlabel(’Realteil des Leitwertes in S’)
ylabel(’Imaginärteil des Leitwertes in S’)
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634 Matlab-Programme
% rot: Y1: R und L

% blau: Y2: U und C
% grün: Y : Gesamtleitwert
grid
axis([0,0.05,-0.02,0.03]);
legend(’Y1’,’Y2’,’Y’);
% legend(’f in Hz im Uhrzeigersinn’);
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Abkürzungsverzeichnis zur Elektronik
AC alternating current Wechselstrom

ADC analog digital converter Analog/Digital-Umsetzer
ADU Analog/Digital-Umsetzer
ALU arithmetic logic unit Arithmetik-Logik-Einheit

ASCII american standard code for alphanumerischer Code
information interchange
ASIC application specific integrated anwendungsspezifischer integrierter
circuit Schaltkreis
BCD binary coded decimal binär verschlüsselte Dezimalzahl

(tetradischer Code)
BIFET bi-field effect transistor Doppel-FET (OV-Eingangsstufe)
Bit binary digit Binärziffer
CCD charge-coupled device ladungsgekoppeltes Bauelement

CLK clock Takt
CMOS complementary MOS komplementäre MOS-Technik
CMR common mode rejection Gleichtaktunterdrückung
CMRR common mode rejection ratio Gleichtaktunterdrückung in dB
CPLD complex PLD komplexer PLD-Baustein
CPU central processing unit Zentraleinheit eines Digitalrechners
(Mikroprozessor)
CS chip select Bausteinauswahl
CTC counter/timer circuit Zähler-/Zeitgeber-Einheit
D delay (logisches Verhalten bei Flipflop)

DAC digital analog converter Digital/Analog-Umsetzer
DAU Digital/Analog-Umsetzer
DC direct current Gleichstrom
DDR double data rate SDRAM-Modul mit verdoppelter Da- 12
tenrate
Digit digit (Anzeigestelle)
DIMM dual inline memory module Arbeitsspeicherbaustein mit 168 PIN
DIL dual in line (IC-Gehäuseform mit zwei parallelen
Kontaktreihen)
DMA direct memory access direkter Speicherzugriff
DRAM dynamic RAM dynamischer Schreib-Lese-Speicher
DTL diode transistor logic Dioden-Transistor-Logik
(Vorläufer der → TTL)
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636 Abkürzungsverzeichnis zur Elektronik
EAROM electrically alterable ROM elektrisch veränderbares → ROM

ECL emitter-coupled logic emittergekoppelte Logik
EDO enhanced data out beschleunigte Datenausgabe
(bei → DRAM)
EEPLD electrically erasable programmable elektrisch löschbarer programmierba-
logic device rer Logikbaustein
EFL emitter-follower logic Emitterfolgerlogik
EN enable (Freigabe des Bausteins)
EPLD erasable programmable logic (UV-)löschbarer programmierbarer

device Logikbaustein
EPROM erasable programmable ROM löschbares programmierbares
→ ROM
EXOR exclusive or exklusives ODER (Antivalenz)
FAMOS floating-gate avalanche MOS (→ EPROM-Speicherzelle)

FET field-effect transistor Feldeffekttransistor
FFT fast Fourier transformation schnelle Fourier-Transformation
FIR finite impulse response(-filter) nichtrekursives Digital(-filter)
FPAD field-programmable address frei programmierbarer Adress-
decoder decoder
FPAL field-programmable array logic frei programmierbare Logikmatrix
FPGA field-programmable gate array frei programmierbare Gattermatrix
FPLA field-programmable logic array frei programmierbare Logikmatrix
FPLD field-programmable logic device frei programmierbarer Logikbau-
stein
FPLS field-programmable logic frei programmierbare sequenzielle
sequencer Logik
FPM fast page mode seitenweiser Zugriff
(bei → DRAM)
FPML field-programmable macro logic frei programmierbare Makrologik
G gate Tor (Steuerelektrode beim → FET)

GAL generic array logic universelle Matrix-Logik
H high hoch (hoher Logikpegel)

HAL hard array logic (vom Hersteller programmiertes
→ PAL)
HF high frequency Hochfrequenz
HiFi high fidelity hohe Übertragungsqualität
HP high-pass filter Hochpass
IC integrated circuit integrierter Schaltkreis

IFL integrated fuse logic integrierte Logik mit schmelzbaren
Verbindungen
IIR infinite impulse response rekursives Digitalfilter
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Abkürzungsverzeichnis zur Elektronik 637
I2 L integrated injection logic integrierte Injektionslogik
KDNF kanonisch disjunktive Normalform

L low niedrig (niedriger Logikpegel)
LCA logic cell array Logikzellen-Matrix
LCD liquid crystal display Flüssigkristall-Anzeigeeinheit
LED light-emitting diode Lumineszenzdiode
LF low frequency Niederfrequenz (NF)
LIFO last-in-first-out das zuletzt eingeschriebene Bit wird

zuerst ausgelesen (Schieberegister-
prinzip)
LSI large-scale integration hoher Integrationsgrad
LTI linear time invariant linear, zeitlich unveränderlich
(Systemkategorie)
LUT look up table Logiktabelle im Speicher
MOS metal-oxide semiconductor Metalloxid-Halbleiter

MSI medium-scale integration mittlerer Integrationsgrad
MTBF mean time between failures mittlere störungsfreie Betriebszeit
MUX multiplexer Multiplexer
NAND not and (negierte UND-Verknüpfung)

NIC negative impedance converter Negativ-Impedanz-Konverter
NMOS N-channel MOS N-Kanal-MOS
NOR not or (negierte ODER-Verknüpfung)
npn negative-positive-negative (Zonenfolge bei bipolaren Transisto-
ren)
OA operational amplifier Operationsverstärker

(auch OPAmp)
OV (auch OPV) Operationsverstärker
PAL programmable array logic programmierbare Matrix-Logik

PAM pulse amplitude modulation Pulsamplituden-Modulation
PEEL programmable electrically erasable programmierbare elektrisch lösch- 12
logic bare Logik
PFM pulse frequency modulation Pulsfrequenz-Modulation
PIO parallel input output parallele Eingabe/Ausgabe-Einheit
PLA programmable logic array programmierbares logisches Feld
PLD programmable logic device programmierbarer Logikbaustein
PLE programmable logic element programmierbares Logikelement
PLS programmable logic sequencer programmierbare sequenzielle
Logik
PML programmable macro logic programmierbare Makro-Logik
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638 Abkürzungsverzeichnis zur Elektronik
PMOS P-channel MOS P-Kanal-MOS

pnp positive-negative-positive (Zonenfolge bei bipolaren Transisto-
ren)
PROM programmable ROM programmierbarer → ROM
(Festwertspeicher)
PWM pulse width modulation Pulsbreiten-Modulation
RAM random access memory Speicher mit beliebigem Zugriff

(Schreib-Lese-Speicher)
RD read (aus Speicher) lesen
ROM read only memory Nur-Lese-Speichern (Festwert-
speicher)
RS reset/set (logisches Verhalten des Basis-
Flipflops)
RTL resistor transistor logic Widerstands-Transistor-Logik
S source Quelle (Anschlusselektrode beim

FET)
SAR succesive approximation register Schieberegister für Wägeverfahren
SC switched capacitor geschaltete Kapazität

SDRAM synchronous DRAM DRAM mit synchroner Arbeitsweise
SFET surface → FET Sperrschicht-FET
SI standard interface Standard-Schnittstelle
SIMM single in-line memory module (RAM-Speicherbaustein mit
parallelen Kontaktreihen)
SIO serial input output serielle Eingabe/Ausgabe-Einheit
SNT Schaltnetzteil
SOAR safe operating area sicherer Kennlinien-Arbeitsbereich
SRAM static → RAM statischer Schreib-Lesespeicher
SSI small-scale integration niedriger Integrationsgrad
TFT thin-film transistor Transistor in Dünnschichttechnik

TK Temperaturkoeffizient
TP (deep-pass filter) Tiefpass
TS Three State (Tristate) (Logik mit drei Zuständen)
TTL transistor transistor logic Transistor-Transistor-Logik
UART universal asynchronous receiver/ universeller asynchroner Empfän-

transmitter ger/Sender
VLSI very-large-scale integration sehr hoher Integrationsgrad

VCXO voltage controlled crystal oscillator spannungsgesteuerter Quarz-Oszilla-
tor
WR write (auf Speicher) schreiben
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Formelzeichenverzeichnis
A bν Funktionskoeffizient
(ν = 0, 1, 2, . . .)
A Adresse (allgemein)
A Arbeitspunkt C
A Adresssignal
C Taktanschluss (clock)
A Breite des Adressbusses
C Kapazität
A Amplitude, allgemein
C Speicherkapazität
A Fläche, Querschnitt
A Gleichstromverstärkungsfaktor C Übertrag (carry)
in Basisschaltung CD Diffusionskapazität
A Stromverstärkungsfaktor in CGD Gate-Drain-Kapazität
Basisschaltung CGS Gate-Source-Kapazität
AB Betriebsdämpfungsmaß CL Ladekapazität
An Amplitude der n-ten Harmoni- CL Lastkapazität
schen CMRR Gleichtaktunterdrückung
a Adresswortlänge in bit CS Sperrschichtkapazität
a Dämpfungsmaß CSC Kollektorsperrschichtkapazität
a Filterkoeffizient CSE Emittersperrschichtkapazität

a Kettenparameter bei Vierpolen Cth Wärmekapazität
a(ω ) Dämpfungsmaß als Funktion c spezifische Wärmekapazität
von ω c Zählkapazität in bit
a0 Gleichkomponente mal Faktor 2 cn komplexe Amplitude
a1 Filterkoeffizient
an Fourier-Koeffizient D
(Kosinusglieder) D Datenanschluss, Datenbit
aν Funktionskoeffizient D Logikbedingung bei Flipflop
(ν = 0, 1, 2, . . .) (delay)
D Datensignal
B D Differenz aus Binärvariablen
B Bandbreite D Durchgriff
B Blindleitwert D elektrische Flussdichte
B Gleichstromverstärkung (Verschiebungsdichte)
B Magnetflussdichte DT Temperaturdurchgriff
B Stromverstärkungsfaktor in d Dämpfungsfaktor
Emitterschaltung d Durchmesser, Abstand
b Basis des Zahlensystems d Piezomodul
b Breite d Variable im Dezimalcode 13
b Phasenmaß d Verlustfaktor
b Variable im BCD-Code dS Ausdehnung der Sperrschicht
b Kanalbreite des MOSFET
b(ω ) Phasenmaß als Funktion von ω E
b1 Filterkoeffizient E Entleihung (borrow)
bn Fourier-Koeffizient E elektrische Feldstärke
(Sinusglieder) Ev Beleuchtungsstärke
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640 Formelzeichenverzeichnis
e Elementarladung eines Elek- gDS Drain-Source-Leitwert des

trons MOSFET
exp(x) Exponentialfunktion
H
F H High-Pegel
F Kraft H magnetische Feldstärke
F Rauschzahl H Maßstabsfaktor in G( jω )
F normierte Frequenz H( jω ) komplexe Übertragungsfunktion
F( f ) Frequenzfunktion H(z) Übertragungsfunktion in z-Form
F( jω ) komplexe Amplitudendichte h Höhe

f Frequenz, Signalfrequenz h Hybridparameter
f (t) Zeitfunktion h Planck’sches Wirkungsquantum
fA Abtastfrequenz h(t) Impulsantwort
h(xi ) Gauß’sche Normalverteilung
fC Taktfrequenz (clock frequency)
fg Grenzfrequenz
I
fg (t) gerade Zeitfunktion
fgo obere Grenzfrequenz I Eingabe (input)
fgu untere Grenzfrequenz I elektrische Stromstärke, Gleich-
strom, Effektivstromstärke
fI Eingangsfrequenz I Informationsgehalt
fn Frequenz der n-ten Harmo-
I komplexe elektrische Stromstär-

nischen ke
fO Ausgangsfrequenz I(x) Bessel-Funktion
fO Oszillatorfrequenz ∆I Stromänderung
fp Großsignal-Grenzfrequenz IB Basisstrom
fr Resonanzfrequenz IB0 Basisstrom im Arbeitspunkt
fs , fS Schaltfrequenz IBS Basissättigungsstrom
fS Signalfrequenz IBü Basisstrom an Übersteuerungs-
fT Transitfrequenz grenze
fu (t) ungerade Zeitfunktion IC Kollektorstrom
fα Grenzfrequenz der Basis- IC0 Kollektorstrom im Arbeitspunkt
schaltung ICB0 Reststrom der Kollektor-Basis-
Strecke
fβ Grenzfrequenz der Emitter-
schaltung ICE0 Reststrom der Kollektor-
Emitter-Strecke
Icmax maximaler Kollektorstrom
G ID Drainstrom
G elektrischer Leitwert IDSS Sättigungsstrom eines FET
G Generate-Signal IE Emitterstrom
G Glättungsfaktor IF , IT Durchlassstrom
G Gleichtaktunterdrückung IF Flussstrom einer Diode
G Übertragungsfaktor IF , Ip Fotostrom
IFRM periodischer Durchlassspitzen-
G 0 (s) komplexe Übertragungsfunktion strom
g innerer Transistorleitwert IFSM nichtperiodischer Spitzenstrom
g Rückkopplungsgrad IGT Zündstrom des Thyristors
g(t) Sprungantwort IH Haltestrom des Thyristors
g(ω ) logarithmisches Übertragungs- II Eingangsstrom
maß IO Ausgangsstrom
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Formelzeichenverzeichnis 641
IR Rückwärtsstrom einer Diode m Datenwortbreite

IR Sperrstrom m Entmagnetisierungsfaktor
IS Diodensättigungsstrom m Übersteuerungsgrad
ISP Sperrstrom m Wortlänge
IˆC Amplitude des Ladestromes m Zustandszahl bei Zählern
i elektrische Stromstärke,
Wechselstrom N
i Gleichrichtwert, Wechselstrom N Filterlänge, Filtergrad
î Scheitelwert, Wechselstrom
N normierte reflektierte Welle

N Lastfaktor
J N Zeilenzahl bei Speichern
NA Akzeptorendichte
J Logikbedingung bei Flipflop ND Donatorendichte
J Stromdichte n Drehzahl
j imaginäre Einheit n Elektronendichte
n Filterordnung
K n Gatterzahl
n Grad der Harmonischen
K Logikbedingung bei Flipflop
n Ordnungszahl bei Filtern
K Rückkopplungsfaktor
n Potenzfaktor
k Boltzmann-Konstante
n Stufenzahl
k Klirrfaktor n Zahl, allgemein
k Konstante, allgemein n0 Elektronendichte im thermo-
k Kopplungsfaktor dynamischen Gleichgewicht
k Übersteuerungsfaktor ni Eigenleitungsdichte,
k Zählerkonstante Inversionsdichte
kf Formfaktor nn Elektronendichte
kFe Eisenhüllfaktor im n-Halbleiter
kS Scheitelfaktor np Elektronendichte
im p-Halbleiter
kW Welligkeitsfaktor
O
L O Ausgabe (output)
L Low-Pegel
L Induktivität P
L Kanallänge des MOSFET P Leistung (Wirkleistung)
L Schleifentransmission P normierter Frequenzparameter
Lmn Gegeninduktivität P Propagate-Signal
l Länge Pa abgegebene Leistung
lim Zeichen für Grenzwert PB
PC
Basisverlustleistung
Kollektorverlustleistung
13
M PV Verlustleistung
PW Wärmeleistung
M Drehmoment p Löcherdichte
M Maßstab p Ortskurvenparameter
M normierte hinlaufende Welle p Pfadübertragung
M Spaltenzahl bei Speichern p Phasenzahl
M Störsicherheit p Prüfbit (Parität)
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p Wahrscheinlichkeit rz dynamischer Z-Widerstand

p0 Löcherdichte im thermodyna-
mischen Gleichgewicht S
pn Löcherdichte im n-Halbleiter
S Scheinleistung, Leistungsdichte
pp Löcherdichte im p-Halbleiter S Setzbedingung bei Flipflop (set)
S Setzsignal
Q S Siebfaktor
S Signal-Rausch-Abstand
Q Ausgangssignal von sequen-
S Stabilisierungsfaktor
ziellen Schaltungen
S Steilheit
Q Ausgangszustand bei Flipflop
S Steuersignal-Bit
Q Blindleistung
S Streuparameter
Q elektrische Ladung S Summe aus Binärvariablen
Q Gütefaktor SAR Absorptionsrate, spezifische
Q+ Folgezustand Si(x) Integralsinus-Funktion
SP Spiegelverhältnis
R Sr Slew Rate
s komplexer Frequenzparameter
R Rücksetzbedingung (reset)
s Schlupf
R ohmscher Widerstand
(Wirkwiderstand) s0 Nullstelle im PN-Plan
si(x) Spaltfunktion
R Redundanz in Bit
sX Polstelle im PN-Plan
R Reflexionsfaktor
R Rücksetzsignal
Räq äquivalenter Rauschwiderstand
T
RB Basisvorwiderstand T Periodendauer
RC Kollektorwiderstand T Temperatur in K
RD Durchlasswiderstand T Transmission
RDS Kanalwiderstand ∆T Temperaturänderung
TB Betriebsübertragungsfaktor
RF Gleichstromwiderstand einer
Diode TA Abtastperiodendauer
RG Generator- oder Signalquellen- TK Temperaturkoeffizient
widerstand TS Periodendauer der Schalt-
frequenz
RH Hall-Konstante
t Zeit
Ri Innenwiderstand
tAA Adresszugriffszeit
RT Widerstand bei Temperatur T
tF Durchlassdauer
Rth thermischer Widerstand tg Gruppenlaufzeit
Rθ Widerstand bei Temperatur θ tH Haltezeit
r dynamischer Widerstand ti Impulsdauer
r innerer Transistorwiderstand tOFF Ausschaltzeit
r Radius tON Einschaltzeit
rB Betriebsreflexionsfaktor tp Verzögerungszeit
rBE Basis-Emitter-Widerstand tR Sperrdauer
rCE Kollektor-Emitter-Widerstand
rDS Drain-Source-Widerstand U
rect(x) Rechteckfunktion U Baustein (unit)
rF differenzieller Widerstand einer U elektrische Spannung, Gleich-
Diode strom, Effektivspannung
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Formelzeichenverzeichnis 643
U komplexe elektrische Spannung Usmax maximale Schalterspannung

Ũ Effektivwert der Wechselspan- USP Sperrspannung einer Diode
nung Ust Steuerspannung
U Gleichspannung (Mittelwert) UT Durchlassspannung eines
∆U Spannungsänderung Thyristors
UB Betriebsspannung UT Schwellspannung
UBE Basis-Emitter-Spannung UT Temperaturspannung
UT0 Schwellspannung eines FET
UBG Bandgap-Spannung
UZ Z-Spannung
UBR Durchbruchspannung
u elektrische Spannung,
Ubr Brummspannung Wechselstrom
UCB Kollektor-Basis-Spannung u Gleichrichtwert,
UCE Kollektor-Emitter-Spannung Wechselspannung
UCE0 Kollektor-Emitter-Spannung im û Scheitelwert, Wechselspannung
Arbeitspunkt ue Eingangsspannung, allgemein
UCEmax maximale Kollektor-Spannung u(n) Einheitssprungfolge
UCEsat Kollektor-Emitter-Sättigungs- ü Übersetzungsverhältnis
spannung ü Windungszahlverhältnis
UD Diffusionsspannung
UDS Drain-Source-Spannung V
UDSsat Sättigungsspannung eines FET V magnetische Spannung
UEA Early-Spannung V Verstärkung

UF Diodenflussspannung V Volumen
UF Durchlassspannung V∞ Verstärkung bei f → ∞
UGS Gate-Source-Spannung V∗ Verstärkung bei Rückkopplung
UGT Zündspannung eines Thyristors V0 Verstärkung bei f = 0
UH Hysteresespannung VD Differenzverstärkung
UH Spannung im H-Zustand Vi Stromverstärkung
UI Eingangsspannung Vpp Programmierspannung (engl.)
UIO Eingangs-Offsetspannung Vu Spannungsverstärkung
UK Zündspannung eines Thyristors v Anzahl der Zeichenkombinatio-
Uk Kippspannung eines Thyristors nen
Uk Klemmenspannung v Geschwindigkeit
UL Spannung im L-Zustand v Verlustziffer
UO Ausgangsspannung v Verstimmung
UOAV Gleichspannungsmittelwert v Wertevorrat
UP Schwellspannung eines FET W
Up Abschnürspannung eines FET
Upp Programmierspannung W Energie, Arbeit
Uq Quellenspannung W Übertragungsweite
UR Diodensperrspannung Wg Breite der verbotenen Zone 13
UR Sperrspannung w(n) Fensterfunktion
Uref Referenzspannung
URRM maximale periodische Sperr- X
spannung X analoges Signal
Uq Quellenspannung X Blindwiderstand
US Schleusenspannung einer Diode X(z) z-Transformierte, Bildfunktion
Us Sättigungsspannung x Binärvariable (am Eingang)
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x Signal, allgemein δ Verlustwinkel

x(n) zeitdiskretes Eingangssignal δ zulässige Abweichung
x negierte Binärvariable δ (t) Dirac-Stoß
δ T (t), Einheitsimpulsfolge
δ (n)
Y ε Permittivität
Y Scheinleitwert ε0 elektrische Feldkonstante
y Binärvariable (am Ausgang) εr Permittivitätszahl, relative
y Leitwertparameter Permittivität
y(n) zeitdiskretes Ausgangssignal η Frequenzverhältnis

η Spannungsrückwirkung
η Wirkungsgrad
Z Θ elektrische Durchflutung
Z Scheinwiderstand Θ Stromflusswinkel
Z1 Eingangsimpedanz ϑ Celsius-Temperatur
Z2 Ausgangsimpedanz ϑ Temperatur
ZL Lastimpedanz κ Leitfähigkeit
ZW Wellenwiderstand Λ logarithmisches Dämpfungs-
z komplexer Operator dekrement
z Logik-Zustand (allgemein) λ Ausfallrate
λ Kanallängenverkürzung beim
z Widerstandsparameter
MOSFET
z Zahl, allgemein
λ Leistungsfaktor
λ magnetischer Leitwert
α Faktor in e-Funktion (exp) λ Temperaturbeiwert des Dioden-
α Kleinsignalstromverstärkung sperrstromes
in Basisschaltung λ Wärmeleitfähigkeit
α Phasenschnittwinkel λ Wellenlänge
α Temperaturkoeffizient (erster) µ absolute Permeabilität
α Wechselstrom-Verstärkungsfak- µ Beweglichkeit
tor in Basisschaltung µ0 magnetische Feldkonstante
α Wechselstrom-Verstärkungsfak- µn Elektronenbeweglichkeit
tor in Emitterschaltung µp Löcherbeweglichkeit
α Winkel, allgemein µr Permeabilitätszahl,
β dynamische Stromverstärkung relative Permeabilität
β Kleinsignalstromverstärkung in µ rev reversible Permeabilität
Emitterschaltung ν Tastgrad
β relative Widerstandstoleranz % Raumladung,
β Temperaturkoeffizient (zweiter) Raumladungsdichte
β Transistorkonstante des MOS- % spezifischer elektrischer
FET Widerstand
σ Realteil der komplexen
γ Body-Faktor des MOSFET
Frequenz s
∆ Determinante einer Matrix σ Streufaktor
∆(x) Dreieckfunktion σ (t) Sprungfunktion
∆n Bandbreite, relative σi induktiver Streufaktor
δ Dämpfungsfaktor τ Zeitkonstante
δ Eindringtiefe τ BN Basislaufzeit
δ Faktor in e-Funktion (exp) (Normalbetrieb)
δ Unsymmetriewinkel τe Einschwingzeit
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Physikalische Konstanten 645
τS Speicherzeitkonstante ψ elektrischer Fluss,

Φ magnetischer Fluss Verschiebungsfluss
Φ Taktsignal Ω normierte Frequenz
ϕ Phasenwinkel
ϕ Potenzial ω Kreisfrequenz, Winkelfrequenz
ϕF Fermipotenzial ωr Resonanzkreisfrequenz
Physikalische Konstanten
Formelzeichen Größe Wert

F Faraday’sche Konstante 9,648 5 · 104 C/mol
T0 absoluter Temperaturnullpunkt −273,15 ◦ C
e elektrische Elementarladung 1,602 177 · 10−19 C
h Planck’sche Konstante 6,626 075 · 10−34 J · s
k Boltzmannsche Konstante 1,380 658 · 10−23 J/K
re Elektronenradius 2,817 9 · 10−15 m
Z0 Wellenwiderstand des Vakuums 376,730 Ω

ε0 elektrische Feldkonstante 8,854 188 · 10−12 F/m
µ0 magnetische Feldkonstante 4π · 10−7 H/m
µB Bohrsches Magneton 9,274 · 10−24 J/T
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Literaturverzeichnis 649
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/7.2/ Böhmer, E.: Elemente der angewandten Elektronik. – 13. Auflage. – Braun-
schweig, Wiesbaden: Vieweg Verlag, 2007
/7.3/ Deitert, H.; Vogel, M.: Analogtechnik multimedial. – Leipzig: Fachbuch-
verlag, 2001
/7.4/ Dietmeier, U.: Formelsammlung für die elektronische Schaltungstechnik. –
9. Auflage. – München: R. Oldenbourg Verlag, 1997
/7.5/ Federau, J.: Operationsverstärker. – 4. Auflage. – Braunschweig; Wiesba-
den: Vieweg Verlag, 2006 14
/7.6/ Heinemann, R.: PSPICE Einführung in die Elektroniksimulation. – 5. Auf-
lage. – München; Wien: Carl Hanser Verlag, 2007
/7.7/ Herter, E.; Lörcher, W: Nachrichtentechnik. – 9. Auflage. – München;
Wien: Carl Hanser Verlag, 2004
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/7.8/ Hilberg, W.: Grundlagen elektronischer Schaltungen. – 2. Auflage. – Mün-

chen: R. Oldenbourg Verlag, 1996
/7.9/ Horowitz, P.; Hill, W.: Die Hohe Schule der Elektronik (Teil 1: Analogtech-
nik). – 8. Auflage. – Aachen: Elektor-Verlag, 2006
/7.10/ Jayendran, A.; Jayendran, R.: Englisch für Elektroniker. – Braunschweig;
/7.11/ Junge, H.-D.; Möschwitzer, A.: parat-Lexikon Elektronik. – Weinheim;
New York; Basel: VCH Verlagsgesellschaft, 2002
/7.12/ Kammerer, J. u. a.: Elektronik III Baugruppen (HPI-Fachbuchreihe). – 7.
Auflage. – München: Pflaum Verlag, 1992

/7.13/ Koß, G.; Reinhold, W.: Lehr- und Übungsbuch Elektronik. – 3. Auflage. –
Leipzig: Fachbuchverlag, 2005
/7.14/ Kühn, E.: Handbuch TTL- und CMOS-Schaltungen. – 4. Auflage. – Hei-
delberg: Hüthig Buch Verlag, 1993
/7.15/ Kühnel, H.: Schaltungssimulation mit PSpice. – München: Franzis, 1994
/7.16/ Lehmann, C.: Elektronik-Aufgaben (Band II: Analoge und digitale Schal-
tungen). – Leipzig; Köln: Fachbuchverlag, 1994
/7.17/ Mathis, W.; Kurz, G.: Oszillatoren. – Heidelberg: Hüthig Buchverlag, 1994
/7.18/ Meier, U.; Nerreter, W.: Analoge Schaltungen. – München: Carl Hanser
Verlag, 1997
/7.19/ Metz, D. u. a.: Kleine Formelsammlung Elektrotechnik. – 4. Auflage. –

/7.20/ Morgenstern, B.: Elektronik-Aufgaben. Schaltungen. – Braunschweig;
/7.21/ Neubig, B.; Briese, W.: Das große Quarzkochbuch. – Feldkirchen: Franzis-
Verlag, 1997
/7.22/ Oehme, W. F.; Huemer, M.; Pfaff, M.: Elektronik und Schaltungstechnik. –
/7.23/ Ose, R.: Elektrotechnik für Ingenieure. Bauelemente und Grundschaltun-
gen mit PSPICE – Leipzig: Fachbuchverlag, 2007
/7.24/ Seifart, M.: Analoge Schaltungen. – 6. Auflage. – Berlin: Verlag Technik,
2003
Berlin; Heidelberg: Springer-Verlag, 2002
/7.26/ Wupper, H.: Professionelle Schaltungstechnik mit Operationsverstärkern. –
München: Franzis-Verlag, 1994
/7.27/ Zastrow, D.: Elektronik. – 7. Auflage. – Braunschweig; Wiesbaden: Vie-
weg Verlag, 2007
/7.28/ Zirpel, M.: Operationsverstärker. – München: Franzis-Verlag, 1993
8 Digitale Schaltungen
/8.1/ Benda, D.: Basiswissen Elektronik. Band 5: Digitaltechnik. – Berlin: VDE-
Verlag, 1990
/8.2/ Beuth, K.: Elektronik. Bd. 4: Digitaltechnik. – 13. Auflage. – Würzburg:
Vogel Verlag, 2006
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/8.3/ Bitterle, D.: GALs Programmierbare Logikbausteine in Theorie und Praxis.

– München: Franzis-Verlag, 1993
/8.4/ Bitterle, D.; Nasswitz, M.: Schaltungstechnik mit GALs. – 3. Auflage. –
München: Franzis-Verlag, 1997
/8.5/ Borgmeyer, J.: Grundlagen der Digitaltechnik. – 2. Auflage. – München:
Carl Hanser Verlag, 2001
/8.6/ Borucki, L.: Digitaltechnik. – 5. Auflage. – Stuttgart: B. G. Teubner Verlag,
2000
/8.7/ Bremer, H.: Digitaltechnik interaktiv! mit CD-ROM. – Berlin; Heidelberg;

/8.8/ Günther, W.: Schaltungen erfolgreich simulieren mit MICRO-CAP V. –
Feldkirchen: Franzis-Verlag, 1997 (Bookware)
/8.9/ Horowitz, P.; Hill, W.: Die Hohe Schule der Elektronik (Teil 2: Digitaltech-
nik). – Aachen: Elektor-Verlag, 1996
/8.10/ Jansen, D. (Hrsg.): Handbuch der Electronic Design Automation. – Mün-
chen: Carl Hanser Verlag, 2001
/8.11/ Jorke, G.: Rechnergestützter Entwurf digitaler Schaltungen. – Leipzig:
Fachbuchverlag, 2004
/8.12/ Kühn, E.: Handbuch TTL- und CMOS-Schaltungen. – 4. Auflage. – Hei-
delberg: Hüthig Buchverlag, 1993
/8.13/ Lehmann, C.: Elektronik-Aufgaben (Band II: Analoge und digitale Schal-
tungen). – Leipzig; Köln: Fachbuchverlag, 1994
/8.14/ Lichtberger, B.: Praktische Digitaltechnik. – 3. Auflage. – Heidelberg:
Hüthig Buchverlag, 1997
/8.15/ Lipp, H.: Grundlagen der Digitaltechnik. – 5. Auflage. – München; Wien:
R. Oldenbourg Verlag, 2005
/8.16/ Morgenstern, B.: Elektronik 3, Digitale Schaltungen und Systeme. –
2. Auflage. – Braunschweig; Wiesbaden: Vieweg Verlag, 1997
/8.17/ Pernards, P.: Digitaltechnik. – 4. Auflage. – Berlin; Heidelberg: Hüthig
Buchverlag, 2001
/8.18/ Rübel, M.; Schaarschmidt, U.: Elektronik-Aufgaben Digitale Schaltungen
und Systeme. – Braunschweig; Wiesbaden: Vieweg Verlag, 1996
/8.19/ Schaaf, B.-D.: Mikrocomputertechnik. – 4. Auflage. – München; Wien:
Carl Hanser Verlag, 2007
/8.20/ Schneider, U.; Werner, D. (Hrsg.): Taschenbuch der Informatik. – 6. Auf-
lage. – Leipzig: Fachbuchverlag, 2007
/8.21/ Seifart, M.: Digitale Schaltungen. – 5. Auflage. – Berlin: Verlag Technik,
1998
/8.22/ Siemers, C.; Sikora, A. (Hrsg): Taschenbuch Digitaltechnik. – 2. Auflage.
– Leipzig: Fachbuchverlag, 2007
/8.23/ Sikora, A.: Programmierbare Logikbausteine. – München; Wien: Carl Han-
ser Verlag, 2001 14
/8.24/ Sikora, A.; Drechsler, R.: Software-Engineering und Hardware-Design. –
München; Wien: Carl Hanser Verlag, 2002
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/8.26/ Tischler, M.; Oertel, K.: FPGAs und CPLDs. – Heidelberg: Hüthig Verlag,
1998
/8.27/ TTL-Taschenbuch (Teil 1), – 11. Auflage. – Bonn: mitp-Verlag, 2002
/8.30/ Urbanski, K.; Woitowitz, R.: Digitaltechnik. – 5. Auflage. – Berlin:
Springer-Verlag, 2007
9 Stromversorgungsschaltungen
/9.1/ Billings, K. H.: Switchmode Power Supply Handbook. – New York:
Mc-Graw-Hill Inc, 1999
/9.2/ Hirschmann, W.; Hauenstein, A.: Schaltnetzteile. – Berlin, München: Sie-
mens AG, 1990
/9.3/ Horowitz, P.; Hill, W.: Die Hohe Schule der Elektronik (Teil 1: Analogtech-
nik). – 8. Auflage. – Aachen: Elektor-Verlag, 2006
/9.4/ Jungnickel, H.: Lineare und getaktete Stromversorgungs-ICs. – München:
Franzis-Verlag, 1992
/9.5/ Jungnickel, H.: Stromversorgungspraxis. – Berlin: Verlag Technik, 1991
/9.6/ Kammerer, J. u. a.: Elektronik III Baugruppen (HPI-Fachbuchreihe). – 7.

Auflage. – München: Pflaum Verlag, 1992
/9.7/ Kilgenstein, O.: Schaltnetzteile in der Praxis. – 3. Auflage. – Würzburg:
Vogel Buchverlag, 1992
/9.8/ Stephan, W.: Leistungselektronik interaktiv. – Leipzig: Fachbuchverlag,
2001
/10.1/ Brosch, P.-F.: Moderne Stromrichterantriebe. – 4. Auflage. – Würzburg:
Vogel-Verlag, 2002
/10.2/ Budig, P.-K.: Stromrichtergespeiste Drehstromantriebe. – Berlin: VDE-
Verlag, 2001
/10.3/ Felderhoff, R.: Leistungselektronik. – 4. Auflage. – München; Wien: Carl
Hanser Verlag, 2006
/10.4/ Fischer, R.: Elektrische Maschinen. – 13. Auflage. – München; Wien: Carl
Hanser Verlag, 2006
/10.5/ Fuest, K.; Döring, P.: Elektrische Maschinen und Antriebe. – 7. Auflage. –
Wiesbaden: Vieweg, 2007
/10.6/ Geitner, G.-H.: Entwurf digitaler Regler für elektrische Antriebe. – Berlin;
Offenbach: VDE Verlag, 1996
/10.7/ Hagmann, G.: Leistungselektronik. Grundlagen und Anwendungen. – 3.
Auflage. – Wiesbaden: Aula Verlag, 2006
/10.8/ Jäger, R.: Leistungselektronik. Grundlagen und Anwendungen. – 5. Auf-
lage. – Berlin: VDE Verlag, 2000
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/10.9/ Kremser, A.: Grundzüge elektrischer Maschinen und Antriebe. – Stuttgart:

B. G. Teubner, 2004
/10.10/ Merz, H.: Elektrische Maschinen und Antriebe. – Berlin: VDE-Verlag,
2001
/10.11/ Lämmerhirdt, E.-H.: Elektrische Maschinen und Antriebe. – München;
Wien: Carl Hanser Verlag, 1989
/10.12/ Lappe, R.: Leistungselektronik, Grundlagen. Stromversorgung. Antriebe. –
5. Auflage. – Berlin; München: Verlag Technik, 1994
/10.13/ Moszala, H.: Elektrische Kleinmotoren. – Renningen: Expert-Verlag, 1993
/10.14/ Müller, G.; Ponick, B.: Grundlagen elektrischer Maschinen 1. – 9. Auflage.

– Weinheim: Wiley-VCH, 2005
/10.15/ Müller, G.; Ponick, B.; Vogt, K.: Berechnung elektrischer Maschinen. – 6.
Auflage. – Wiley-VCH, 2007
/10.16/ Müller, G.; Ponick, B.; Vogt, K.: Berechnung elektrischer Maschinen 2. –
6. Auflage. – Weinheim: Wiley-VCH, 2007
/10.17/ Schönfeld, R.: Digitale Regelung elektrischer Antriebe. – 2. Auflage. –
/10.18/ Schönfeld, R.: Elektrische Antriebe. – Berlin; Heidelberg; New York:
Springer Verlag, 1995
/10.19/ Schönfeld, R.: Regelungen und Steuerungen in der Elektrotechnik. – Berlin;
München: Verlag Technik, 1993

/10.20/ Schönfeld, R.; Habiger, E.: Automatisierte Elektroantriebe. – 3. Auflage. –
/10.21/ Schröder, P.: Elektrische Antriebe – Grundlagen. – 3. Auflage. – Berlin;
Heidelberg; New York: Springer Verlag, 2007
/10.22/ Seefried, E.: Elektrische Maschinen und Antriebstechnik. – Wiesbaden:
Vieweg Verlag, 2001
/10.23/ Seinsch. O.: Grundlagen elektrischer Maschinen und Antriebe. – Stuttgart:
B. G. Teubner, 1993
/10.24/ Spring, E.: Elektrische Maschinen. – 2. Auflage. – Berlin; Heidelberg; New
York: Springer Verlag, 2005
/10.25/ Stölting/Kallenbach: Handbuch Elektrische Kleinantriebe. – 3. Auflage. –
München: Carl Hanser Verlag, 2006
/10.26/ Vogel, J.: Elektrische Antriebstechnik. – Heidelberg: Hüthig Verlag, 1998
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Sachwortverzeichnis
A Ähnlichkeitssatz 203
A-Betrieb 382, 544 Aiken-Code 514
AB-Betrieb 383, 386 aktiver Bereich 278
Abfallzeit 259, 286, 445 Akzeptor 254
Abgleichbedingung 397 Aliasing 217

Abgleichtoleranz 412 Allpass 213, 402
Abhängigkeitsart 519 Alphabet 430
Ableitung 211 alphanumerischer Code 516
–, erste 214 ALU 459 f.
Abschirmung 50 Ampere 21, 93
Abschnürbereich 293 Amplitude 194, 199, 409, 412
Absorptionsregel 434 –, komplexe 200 f.
Amplitudenbegrenzung 410, 472
Abtast- und Halteschaltung 399, 416,
Amplitudendichte 202, 217
418
–, komplexe 201
Abtastfilter 402
Amplituden-Frequenzgang 213, 390,
Abtastfrequenz 217, 419
392
Abtastfunktion 215 f.
Amplitudengang 151 f.
Abtastphase 419
Amplitudenspektrum 195 f., 199 f.
Abtastrate 415
Analog/Digital-Umsetzer 215, 416
Abtasttheorem 217, 409, 419 Analog/Digital-Umsetzung 415
Abtastung 215, 419 f. analoge ASIC 504
Abtastwert 217 Analogrechenschaltung 397
Abwärtswandler 544 f. Analogschalter 400, 419 f., 427, 450
AC-Analyse 408 Analogschaltkreis 540
Addierer 457, 461 Analogsubtrahierer 396
Addition 457, 460 Analogwertspeicher 419
– im Zeiger- und Liniendiagramm 105 Analyse, harmonische 194
– von Zeigern 106 –, statistische 367
Additionssatz 203 Analysemethode 356
Admittanz 119 Anfangsbedingung 399
Adressbit 488 Anfangspermeabilität 74
Adressbus 492 Anker 562
Adresse 482, 487, 492, 502, 519 Ankerblechpaket 624
Adresseinstellzeit 492 Ankerrückwirkung 565 f., 604, 612
Adressfreigabezeit 492 –, Schenkelpolmaschine 612
Adresshaltezeit 492 Ankervorwiderstand 568 f.
Adressregister 492 Ankerwicklung 624
Adresswortbreite 488 Anlassheißleiter 329
Adresswortlänge 488 Anlasswiderstand 592
Adresszahl 502 Anlaufkondensatormotor 597
Adresszeiger 485, 503 Anpassung 383
Adresszugriffszeit 489 Anreicherungstyp 427, 448
ADU 415 f. Anschwingen 411 15
ADVANCED-CMOS 448 Ansprechempfindlichkeit 401
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658 Sachwortverzeichnis
Ansteuerlogik 482 Auffang-FF 465

Ansteuermodul 552 Auffang-Register 466, 482
Ansteuerschaltung 549, 552 Auffrischen 494
Anstiegszeit 260, 286, 391 Auflösung 416 ff., 421 ff., 425 f.
Anti-Aliasing-TP 215, 217 –, n Bit 416
antiferromagnetisch 73 Aufwärtswandler 546
Antivalenz 433, 460 Augenblicksleistung 123
Antivalenzgatter 484 f. Augenblickswert 56, 103
Antivalenzverknüpfung 457 – der Spannung 104
Approximation, sukzessive 417 – des Stromes 104

Äquipotenziallinie 66 Ausbrennelement 496
Äquivalenz 433, 452, 460 Außenpol-Drehstromerregergenerator
Arbeit 29, 94, 123 602
–, elektrische 29 Außenpolmaschine 600
Arbeitsgerade 544 Ausfächerung 450
Arbeitspunkt 383, 461 f., 471 Ausgabedatei 368
–, temperaturunabhängiger 297 Ausgang, H-aktiver 507
Arbeitspunktbestimmung 367 –, L-aktiver 507
Arbeitspunkteinstellung 277, 287 Ausgangslastfaktor 444
Arbeitspunktstabilisierung 288 Ausgangsleitwert 279, 295
Arbeitsspeicher 489, 495 Ausgangspuffer 448
Arbeitsspeicherbaustein 502 Ausgangs-Signalhub 448

Ausgangsspannung 549 f.
architecture 520
Ausgangswiderstand 362, 368, 389,
Arithmetik-Operation 459
394 f.
ASCII-Code 516
Auslieferungstoleranz 244
ASIC 503
AUS-Schalter 428
–, analoge 504
Ausschaltfaktor 286
ASIC-Struktur 504
Ausschaltvorgang 98
assoziatives Gesetz 434 Ausschaltzeit 546
Assoziativspeicher 486 Aussetzbetrieb 559
Asynchronmaschine 573 Aussteuergrenze 470
–, Anlauf- und Bremstechniken 590 Aussteuerung 384 f.
–, Aufbau 573 Austeuerungsgrenze 384
–, Betriebskennlinie 581 Auswahlgate 497
–, Betriebsverhalten 577 Auswahllogik 502
–, Bremsverfahren 593 Autotransformator 168
–, Drehfeld 576 Avalanche Induced Migration 496
–, Drehmoment-Drehzahl-Kennlinie Avalanche-Effekt 258, 267
582
–, Drehzahlsteuerung 584 B
–, Ersatzschaltbild 578 Backgatesteilheit 296
–, Leistungsbilanz 581 Backwarddiode 269
–, Zeigerbild 578 Bahnwiderstand 257
Asynchronmotor, mit Stern-Dreieck- Bandabstand 325
Anlassschalter 591 Bandabstandsreferenz 538
–, Wechselstrombetrieb 596 Bandbegrenzung 217
Asynchronzähler 474 f. Bandbreite 146, 153, 203, 217, 369,
Audio-Echtzeitverarbeitung 415 374 f., 393, 423
Audiotechnik 424 –, relative 147
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Sachwortverzeichnis 659
Bandbreiten-Verstärkungs-Produkt Betriebsspannung 441, 451, 470, 489,

374, 376, 391 498
Bandgap-Referenz 538 Betriebsübertragungsfaktor 365
Bandgap-Spannung 538 Betriebsverhalten 565
Bandpass 153, 402, 407 Betriebsverstärkung 394
Bandsperre 402 Betriebszustand 274
Bandüberlappung 217 – des Bipolartransistors 274
Barritt-Diode 270 –, Synchronmaschine 609
Basis-Flipflop 463 BGA-Gehäuse 347
Basislaufzeit 286 Biasstrom 392

Basisschaltung 275 BICMOS 450
Basisstromentlastung 380 BICMOS-Schaltkreis 344
batterieversorgte Gleichstrommaschine bidirektionales Verhalten 507
623 BIFET-Eingang 387
Bauelement, aktives 239 Bildbereich 208, 210
–, aktorisches 239 Bildfunktion 207, 224
–, diskretes 239 bilineare Transformation 235
–, integriertes 239 BIMOS 420
–, lineares 239 Binäradresse 496
–, nichtlineares 239 Binärteiler 474 f., 480
Binärzahl 517
–, optoelektronisches 317
–, passives 239 Binärzähler 478
Binärzustand 416
–, sensorisches 239
Biot-Savart 70
Bauform 559
Bipolar 418
Baugröße, einer elektrischen Maschine
Bipolartransistor 341, 538
560
Bit 416, 418, 425, 487
Baureihe 440 f., 444, 447 f., 451
Bitfolge 423
Baustromversorgungseinrichtung 600
Bitleitung 498
B-Betrieb 383 Bitmuster 483 f.
BCD-Code 474, 514 Bitorganisation 487 f.
Beam-Lead-Technik 343 Bitstelle 461
Bedämpfung 550 Bitstream 423
Befehlsregister-Architektur 500 Bitstrom 423
Belastungskennlinie 606 Bit-Transferierung 460
Beleuchtungsstärke 318 Blechformen 78
Besetzungsinversion 326 Blindleistung 126, 128, 131, 133 f.
Bessel-Filter 402 f. Blindstrom 128
Bestrahlungsstärke 318 Blindwiderstand 124
Bestückungsplan 241 –, induktiver 111
Betragsbedingung 410 –, kapazitiver 112
Betragsbit 518 Blockbildung 437
Betriebsart 382, 490, 559 Bode-Diagramm 150, 214, 375, 393,
– elektrischer Maschinen 559 399
Betriebsartenwahl 459 Body-Effekt 296
Betriebskennlinie 580 f. Body-Faktor 296
–, Generatorbetrieb 610 Boole’sche Algebra 431
–, Motorbetrieb 610 Boole’sche Gleichung 432 15
Betriebskondensatormotor 597 Bootstrap-Effekt 374
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Bremsbetrieb 581 CMOS-Struktur 427, 448, 450

Bremse, mechanische 593 –, dynamische 450
Bremskennlinie 595 CMOS-Technologie 426, 547
Bremsschaltung 595 CMOS-VLSI-Layout 450
Bremsverfahren 572 Code 514
Brückenschaltung 529 –, 7-Bit-ASCII- 516
Brummspannung 527 f., 532 –, 8-Bit-ASCII- 516
–, relative 532 –, alphanumerischer 516
Bürstenabhebevorrichtung 593 –, ASCII- 516
Bürstenfeuer 564 –, fehlererkennbarer 515

Burst-RAM 492 –, nichttetradischer 514
Burst-Zähler 492 –, tetradischer 514
Bus-Interface 418, 422 Codekonverter 455
Bustreiber 482 Codeumsetzer 455
Butterworth-Filter 402 f. Codewort 424
Butterworth-TP 405 Codierer 455
Byte 487 Codierung 215, 455, 474
Compoundmotor 564
C configuration 520
C2 MOS-Logik 450 Coulomb 21
CAD-Software 503 Coulomb’sches Gesetz 58
CAD-System 347 CPLD 346, 504, 510

CAS 494 CR-Glied 211–214, 471
C AUCHY 224
C-Betrieb 383 D
CCD-Filter 402
CCD-Technik 486 Dahlander-Schaltung 586
Cellarray 504 Dämpferkäfig 600
charakteristische Gleichung 463 ff. Dämpfung 217
Chip 341, 540 Dämpfungsfaktor 407
Chipsatz 502 Dämpfungsmaß 214, 363
Chopper 525 Darlington-Eingang 387
Chopper-Verstärker 387 Darlington-Stufe 539
CLK 508 Daten 482, 489
CMOS 416, 418, 447, 451, 471 –, lesen 482
CMOS-Analogschalter 427 –, schreiben 482
CMOS-Baureihe 448 f. Datenauffrischung 493
CMOS-FLASH-Baustein 500 Datenbus 492
CMOS-FLASH-EEPROM 500 Dateneingabe 465
CMOS-Gatter 450 Dateneinstellzeit 492
CMOS-Inverter 298, 448 Datenformat 423, 482
CMOS-Logik, passive dynamische Datenhaltezeit 492
450 Datenpuffer 466, 482
CMOS-Logikstruktur 449 Datentransfer 485
CMOS-PROM 496 Datenwortbreite 515
CMOS-Reihe 448 DAU 415, 417 f., 421, 424, 426
CMOS-Schalter 400, 426 Dauerbetrieb 560
CMOS-Schalterzelle 427 Dauerkurzschlussstrom 607
CMOS-Schaltkreis 343 dauermagneterregter Servomotor 617
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Dauermagnetläufer, mit Wechselpolen Dimmer 314

629 DIN-Norm 477
Dauermagnetmotor 557 Diode 526, 539, 549
DDR-SDRAM 494 Diodenauswahl 529, 537
Decoder 455, 457, 488 Diodengatter 441
Decodierer 455 Diodengleichrichter 602
Decodierung 455 Diodengleichrichterbrücke 601
Defektelektron 252 Dirac-Distribution 204
Dekrementierung 460 Dirac-Impuls 218
Delonschaltung 529 Dirac-Impulsfolge 215 f.

Deltamodulation 423 Dirac-Stoß 204, 207, 209
Demultiplexer 453 Direktantrieb 620
Demultiplexer-Baustein 455 Direktumrichter 617
Depletion-FET 290 Disjunktion 432 f.
Design Center 367 disjunktive Normalform 435
Dezibel 214, 363 diskrete Faltung 222
Dezimal-Code 455 diskretes Signal 219, 429
Dezimalzahl 517 distributives Gesetz 434
Dezimalzähler 474, 477, 481 D-Latch 465
D-Flipflop 416, 468, 474 DMOS-FET 301
Diac 308 DNF 435
diamagnetisch 73 Domäne 74
Dickschichttechnik 340 Donator 254
Dielektrikum 51, 55 Doppeldiffusionsverfahren 272
–, geschichtetes 55 Doppelkammerlinearmotor 621
Differenz 461 Doppelkammmotor 620
Differenzeingangswiderstand 379 Doppelkondensatormotor 597
Differenzialgleichung 206 Doppelschalter 428
Differenziationssatz 208 Doppelschlussmotor 564
Differenzierer 398, 410 Doppelstabläufer 591
Differenzierglied 210 Doppel-T-Oszillator 410
Differenzsignal 396 Drahtwiderstand 245
Differenzspannung 168, 380 Draindurchbruch 293
Differenzstrom 168 Drainspannung 427
Differenzverstärker 378–381, 387 f., DRAM 489, 493 f.
392, 395 DRAM-Speicherzelle 493
Differenzverstärkung 379, 388 f. Drehfeld 576, 598
Diffusionsspannung 255 Drehkondensator 250
Diffusionsverfahren 262 Drehmoment 130, 562, 583, 593, 614
Digit 422 –, Schenkelpolmaschine 614 f.
Digital/Analog-Umsetzer 215, 424, –, Schleifringläuferasynchronmotor
471 593
Digital/Analog-Umsetzung 415 –, Vollpolmaschine 611
Digitalfilter 225, 401 Drehmoment-Frequenz-Diagramm,
Digitalschaltung 474 Schrittmotor 630
Digitalsimulation 446 Drehmomentverlauf, Universalmotor
Digitalwort 425 625
DIL 347 Drehstrom 172 15
DIMM 502 Drehstrommotor, Schaltbilder 575
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Drehstromnetz 591, 608 Durchbruch 497

Drehstromsteller 589, 592 Durchbruchspannung 258
Drehstromtransformator 173 Durchflusswandler 550 f.
–, Schaltgruppen 174 Durchflutung 68, 79
Drehstromwicklung 573 f. Durchflutungsdiagramm, Schenkelpol-
Drehzahl 562 maschine 613
–, synchrone 626 f. Durchflutungssatz 67 f.
Drehzahl-Drehmoment-Charakteristik Durchkontaktierung 240
558, 564 Durchlassbereich 152 f., 155, 217, 401
Drehzahl-Drehmoment-Kennlinie 565, Durchlassphase 550

567 f., 588, 592 Durchlassspannung 257, 260
Drehzahl-Drehmoment-Kennlinienfeld Durchlassstrom 529
590 Durchlasswiderstand 427, 448
Drehzahleinstellung 587 Durchschlagspannung 249
Drehzahlkennlinie 570 Duroplastkondensator 250
Drehzahlregelkreis 572 dynamische CMOS-Struktur 450
Drehzahlsteuerung 568, 627 dynamoelektrisches Prinzip 85
3-dB-Bandbreite 217
Dreieckersatzwiderstand 33 E
Dreieck-Impuls 204 Early Write Mode 491
Dreieckpuls 198 Early-Effekt 277
Dreieckschaltung 122, 171 Early-Spannung 276

Dreieckschwingung 410 EAROM 496
Dreieck-Stern-Umwandlung 32 Echtzeit 415
Dreiexzess-Code 514 EDA-Leiterplattensoftware 241
Dreileiter-Messschaltung 338 ED-Inverter 298
Dreiphasenstrom 169 EDO-DRAM 494
Dreiphasensystem, symmetrisches 169 EE-Inverter 298
Dreipunktschaltung 414 EEPROM 304, 496, 499
Drei-Spannungsmesser-Verfahren 133 Effektivwert 107, 527 f.
Drei-Strommesser-Verfahren 133 Eigenleitfähigkeit 252
Drift 377 f., 389 f., 395 Ein/Ausgabe-Tor 482
Driftsignal 377, 395 Einerkomplement 460, 518
Driftunterdrückung 376, 395 f. Einfachfehler 515
Driftverstärkung 377 Einfachmitkopplung 404–407
Dropout-Spannung 541 Einflankensteuerung 483
Drossel 534, 545 f. Eingangskapazität 374
Drosselregler 543–546 Eingangslastfaktor 444
Drucksensor 332 Eingangs-Offsetspannung 389 f.
dual slope 421 Eingangs-Offsetstrom 389 f.
Dualcode 416, 425, 447, 455, 474, 514 Eingangs-Rauschspannung 391
– mit Prüfbit 515 Eingangsreflexionsfaktor 364
Dual-inline-Gehäuse 347 Eingangsruhestrom 389 f.
Dual-Slope-ADU 422 Eingangsübersteuerung 400
Dualzahl 426, 457, 460, 517 Eingangswiderstand 279, 361, 389,
Dualzähler 474, 480 f. 394 f., 398, 448
Dunkelstrom 321 Einheitsimpulsfolge 219, 224
Dünnfilmwiderstand 426 Einheitssprung 206 f.
Dünnschichttechnik 340 Einheitssprungfolge 219, 224
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Einrichtungs-Thyristordiode 307 Emitterschaltung 275, 287

Einrichtungs-Thyristortriode 310 – Kennlinien 276
Einsatzcharakteristik 557 Emitterstrom 536
1-aus-m-Code 455, 483 Empfindlichkeitsanalyse 367
1-aus-4-Code 483 EMV 101, 526
1-aus-10-Code 455 ENABLE 477 f.
Einschaltdauer 552 Encoder 455
EIN-Schalter 428 Endstufe 382 f.
Einschaltstrom 98, 591 Energie 29, 59
Einschaltverhältnis 315 Energie bei konstanter Permeabilität

Einschaltverzögerung 285 94
Einschaltvorgang 97, 205 f. Energie des homogenen Magnetfeldes
Einschaltzeit 545, 552 in Luft 94
Einschwingvorgang 420 Energie im eisengefüllten Kreis 94
Einschwingzeit 219, 473 Energiesparmotor 555
Einspeicher-Flipflop 465 Energiespeicher 544 ff.
Einsteckmontage 243 Enhancement 448
Einstellwiderstand 248 Enhancement-FET 290
Einstellzeit 420, 468 entity 520
Eintakt-A-Betrieb 383 Entladespannung 57
Eintakt-Durchflusswandler 548, 550
Entladestrom 57
Eintaktflusswandler 551
Entleihung 461
Eintakt-Sperrwandler 548 f.
Entmagnetisierungswicklung 551
Eintaktwandler 548
Entstördrossel 251
Eintransistorzelle 493
Entwurfsprozess 520
Einweggleichrichter 531, 534
Epitaxie-Planar-Transistor 272, 274
Einweggleichrichtung 526 f., 531 f.
EPROM 303, 495, 497 ff., 505
Einwegschaltung 529
Einzelimpuls 202 Erdsymmetrie 357
Einzelkammmotor 620 E-Reihe 244
Einzelschalter 428 Erholzeit 401, 471
Eisenfüllfaktor 78 Erregereinrichtung 602 f.
Eisenverluste 155 Erregergrad 614
elektrische Maschine 554 Erregerleistungsübertragung,
elektrischer Kreis 77 schleifringlose 602
Elektrolytkondensator 249 Erregersystem 601
elektromagnetische Verträglichkeit 101 Erregerwicklung 562, 624
Elektrometerverstärker 395, 537 –, Schaltung 565
Elektronikmotor 557, 631 Erregungsgrad 610
elektronischer Schalter 284 Ersatzschaltbild 279, 358, 376, 388,
Elementarfunktion 436 578 f.
Elementarkonjunktion 436 f., 454 –, einer Spule 158
Elementarladung 21 –, thermisches 348
Elementarsignal 193 –, Universalmotor 626
Elementhalbleiter 252 Ersatzschaltung 413
EL-Flipflop 464 – eines pn-Übergangs 259
Emission, stimulierte 326 Ersatzspannungsquelle 40
Emitterfolger 374, 383, 385, 536 Ersatzstromquelle 41 15
Emitterinjektionsstrom 272 Ersatzwiderstand 40
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Exponentialform 200 FET, als elektronischer Schalter 297

Exponentialfunktion 207 – als steuerbarer Widerstand 299
–, π-Ersatzschaltbild 295
F –, Speicher- 303
Faltung 205, 210, 216, 222 FET-Schalter 486
–, diskrete 222 Feuchte, absolute 336
Faltungsprodukt 205 –, relative 336
Faltungssatz 205, 210 Feuchtesensor 336
FAMOS-Transistor 303, 497, 499 FIFO 485
Farad 52 FIFO-Organisation 483

Farbcodierung 245 FIFO-RAM-Controller 485
Farbring 245 FIFO-Speicher 485, 503
Farbtemperatur 319 Filmschaltkreis 340
Federdruck-Scheibenbremse 593 Filter 151, 225, 401 f.
fehlererkennbarer Code 515 Filtercharakteristik 402
Fehlererkennung 515 Filterkoeffizient 403
Fehlerkenngröße 390 Filterordnung 402, 423
Fehlerkorrektur 424 Filterquarz 412
Fehler-Lokalisierung 515 Filtertyp 402, 406 f.
Fehlerrechnung 373 FIR-Filter 226, 402
Fehlerspannung 389 Flächenladungsdichte 51
Feld, elektrisches 497 Flankensteilheit 408

–, elektrostatisches 49 Flash ADC 416, 424
–, homogenes 65 Flash ADU 416
–, inhomogenes 65 FLASH-EPROM 500
–, magnetisches 66 FLASH-Speicher 500
Feldeffekttransistor 289, 419 Flat-pack-Gehäuse 347
Feldkonstante, elektrische 50 Flipflop 461, 465, 474, 483
–, magnetische 71 –, Einspeicher- 465
Feldlinie 49 –, flankengesteuertes 467
–, elektrische 49 –, Freigabe 465 f., 519
Feldplatte 334 –, transparenter 474
Feldschwächbereich 585 –, zweistufiges 466
Feldschwächung 569 Floating Gate 498 f.
Feldstärke 49, 66, 499 FLOTOX-Transistor 303
–, elektrische 49 Fluss, magnetischer 71
–, magnetische 67 Flussdichte 71
–, magnetische, Leiteranordnungen 69 –, magnetische 71
Feldwicklung 565 Flüssigkristall-Anzeigeelement 318
Fensterkomparator 401 Flüssigkristall-Anzeigesystem 327
Fenster-Methode 228 Flussspannung 442
Fensterung 228 Flussstrom 257
ferrimagnetisch 73 Formfaktor 108
Ferrit 75 Fotoaktor 318, 326
ferromagnetisch 73 Fotodetektor 317
Festkörperschaltkreis 341 Fotodiode 321 f.
Festspannungsregler 538, 541 Fotoelement 322
Festwertspeicher 410, 495, 499 f. Fotoempfindlichkeit 321
Festwiderstand 246 –, relative 320
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Fotogeneration 254, 320, 322 Funkenlöschung an Kontakten 98

Fotohalbleiter 320 Funkentstörung 550 ff., 625
Fotolithografie 341 Funktion 438
Fotosensor 326, 338 –, gerade 194, 202
Fotostrom 321 f. –, geradlinig steigende 207
Fotothyristor 315, 324 –, harmonische 194 f.
Fototransistor 323 –, logische 431
Fotowiderstand 320 –, ungerade 194, 202
Fourier-Analyse 195, 367 Funktionshasard 447
Fourier-Integral 201 Funktionsmatrix 432 f.

Fourier-Koeffizient 197 Funktionsspeicher 486
Fourier-Reihe 197, 199, 201, 526 Funktionstabelle 463, 467
–, komplexe 200 fusible link 496, 505
Fourier-Rücktransformierte 218 Fuzzy-Logik 430
Fourier-Synthese 195 f.
Fourier-Transformation 193, 201 ff., G
205 f. GaAs-Schaltkreis 345
–, inverse 201 GAL 346, 505, 508
Fourier-Transformierte 216 Gassensor 337
FPAA 504 Gate Array 504
FPGA 346, 511 Gate-Array 504
FPM-DRAM 494 Gate-Array-ASIC 347

Freilaufdiode 542, 547, 550 f. Gatedurchbruch 293
fremderregter Gleichstrommotor 567 Gate-Source-Spannung 419, 427
fremderregter Motor 564 Gatter 449, 504
Frequenz 103, 409, 552 Gatterlogik 453
–, komplexe 206 Gauß-Funktion 204
Frequenzanalyse 367, 399 Gauß-Impuls 204
Frequenzänderung der Ständerspan- gegengekoppelte Schaltung 370
nung 584 Gegeninduktivität 90
Frequenzbereich 193, 210 Gegenkopplung 369, 371, 373, 379,
Frequenzfunktion 204 392, 400, 411, 420, 473
Frequenzgang 374 f., 390, 393, 399, Gegenkopplungsgrad 373
401 Gegenkopplungsmodell 371 f.
Frequenzgang der Kurzschlussstrom- Gegenstrombremsung 594
verstärkung 281 Gegentakt-AB-Betrieb 386
Frequenzgangkompensation 392 f. Gegentakt-B-Betrieb 384
Frequenzkonstanz 414 Gegentakt-B-Endstufe 448
Frequenzparameter 403 Gegentakt-Endstufe 385, 441, 444
Frequenzselektion 376 Gegentaktwandler 548, 551 f.
Frequenzspektrum 202, 217 Genauigkeit 421
Frequenzstabilität 412 Generate 459
Frequenzteiler 475, 479 f. Generation 252
Frequenzumrichter 585 Generator 85, 554
Frequenzverhalten 217 Generatorbereich 627
Frequenzverhältnis 146 Generatorbetrieb 581, 608, 611 f., 614
Frequenzverschiebung 204 Gesamtleistung 384 f.
Frequenzwandler 577 Gesamtverlustfaktor 145 15
Funkelrauschen 351 f. Gesetz von Biot-Savart 70
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Gesetz von Joule 30 Gleichtaktverstärkung 379, 388

Gewicht 216 Gleichwert 103
Gibbs’sches Phänomen 228 Gold-Caps 249
Glättung 530 Gray-Code 447, 455, 514
Glättungsaufwand 532 Grenzfrequenz 213, 218 f., 281, 322,
Glättungsfaktor 534 f. 375 f., 390, 395, 403 f., 406 f.
Glättungs-TP 425 Grenzkreisfrequenz 153
Gleichkomponente 197 Grenzwert 201, 439, 443
Gleichpolläufer 629 Großgenerator 602
Gleichrichter 525 Großsignalbetrieb 382

Gleichrichterdiode 262 Großsignal-Grenzfrequenz 391
Gleichrichterschaltung 529 Grundfrequenz 195
Gleichrichtung 526, 548 Grundschwingung 195
Gleichrichtwert 107 Grundstromkreis 33
Gleichspannungs-Zwischenkreis 585 Grundstromkreis mit Spannungsquelle
Gleichspannungskomponente 527 f. 34
Gleichspannungsmittelwert 527 ff., Grundstromkreis mit Stromquelle 35
531 Grundwellenerregung 412
Gleichspannungsverstärker 378, 386 Gruppenlaufzeit 214, 217
Gleichspannungsverstärkung 404 GTO 317
Gleichspannungswandler 548 Gunn-Diode 271
Gleichstrom 21 Gütefaktor 142, 145, 407 f.

Gleichstromanalyse 367 Gyrator 362
Gleichstrombremse 595
Gleichstrombremsung 595 H
Gleichstromgenerator 84 Halbaddierer 457 f.
Gleichstrommaschine 561 Halbleiterdiode 262
–, Aufbau 562 Halbleiter-Injektionslaser 326
–, batterieversorgte 623 Halbleiterrelais 313
–, Betriebsverhalten 565 Halbleiterschütz 313
–, Drehsinn 565 Halbleitersensor 327
–, Drehzahl-Drehmoment-Kennlinie Halbleiterspeicher 482, 486
565 Halbleiterthermoelement 331
–, Drehzahlsteuerung 568 Halbwelle 526
Gleichstrommotor 93 half flash ADC 424
–, fremderregter 567 Hall-Effekt 99, 335
–, Klassifikation 564 Hall-Element 101
Gleichstrom-Reihenschlussmotor 568, Hall-Generator 334 f.
570 Hall-Konstante 100
Gleichstromvormagnetisierung 159, Hall-Spannung 335
527 f., 550 ff. Haltedrift 421
Gleichstromwiderstand 259 Haltekapazität 420
Gleichstrom-Zwischenkreis 586 Haltephase 419
Gleichtakteingangswiderstand 380 Haltezeit 468, 471 f.
Gleichtaktsignal 379 Hamming-Code 515
Gleichtaktspannung 380 Hamming-Fenster 230
Gleichtaktsteuerung 379 Hardware-Beschreibungssprache 520
Gleichtaktunterdrückung 379 f., 389, Harmonische 195, 197, 202, 526 ff.
396 harmonische Analyse 194
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hartmagnetischer Ferrit 75 IGBT 306, 585

Hasard 446 IGBT-Pulsumrichter 616
Hasardfehler 446 IGFET 290
Hauptstrang 598 IIR-Filter 226, 232, 402
HCMOS-Technologie 504 imaginäre Einheit 113
HDL 520 imaginäre Zahl 113
Heißleiter 28, 328 Impatt-Diode 270
h-Ersatzschaltbild 359 Impedanz 114
Heterodiode 265 Impedanzwandler 396
Hexadezimalzahl 517 Implikation 433

Hexadezimalziffer 457 Impulsantwort 209 f., 218, 220
Hex-Zahl 517 – eines FIR-Filters 222
HF-Filter 525 Impulsdauer 542, 544
HF-Trafo 543, 550, 552 Impulsdiagramm 475, 483
High-Pegel 439 Impulserzeuger 472
HIGH-SPEED-CMOS 448 Impulsfolge 200
Hilfsreihenschlusswicklung 566 Impulsfrequenz 472
Hilfsstrang 598 Impulsoszillator 410
Hilfswicklung 598 Impulstrenntrafo 552
H/L-Flanke 468, 471 Impulsübertrager 548 ff.
Hochpass 151, 212, 402, 406 Impulsverhalten 374, 403
homogenes Feld 65 Impulsverlauf 399

h-Parameter 279 Impulszündung 314
H-Pegel 419, 428, 443, 446, 448, 451, Induktionsgesetz 82 f.
463, 497 f. Induktionsvorgang 71
Hüllkurve 216 Induktionszählwerk 131
Hummel-Schaltung 131, 138 induktive Kopplung 90
Hybrid 418 induktiver Spannungsabfall 88 f.
Hybridform 358 Induktivität 88 f., 545
Hybridmotor 630 –, Schaltvorgänge 97
Hybridparameter 279 Induktor 600
Industrieantriebe 556
Hybridtechnik 346
Influenz 50
Hyperbel-Kosinusfunktion 207
Information 193, 354, 430
Hyperbel-Sinusfunktion 207
Informationsgehalt 355
Hysterese 401, 462, 470
Informationskette 354
Hysteresemotor 557
Informationsmenge 487
Hysteresis 73
Informationsparameter 355
Hysteresisarbeit 95
Infrarotsensor 303
Hysteresiskurve 73
Inhibition 433
Hysteresisschleife 74 inhomogenes Feld 65
Hysteresisverluste 155 Inkrementierung 460
Innenpol-Drehstrommaschine 602
I Innenpolmaschine 600
IC, vollkundenspezifischer 504 Innenwiderstand 537
IC-Familie 440 Input 498
idealer Tiefpass 217 Inselbetrieb 604, 606
Identität 434 Instabilität 393, 399, 461 15
IEC-Verbinder 525 Instabilitätsgrenze 405
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Instrumentierungsverstärker 396 Kapp’sches Dreieck 165

Integralsinus-Funktion 219 Karnaugh 455, 464
Integration 399 Karnaugh-Plan 432, 436 ff.
Integrationsfehler 400 Karnaugh-Veitch-Tafel 432
Integrationsgrad 239, 341, 369, 451 Kaskadenregelung 588
Integrationssatz 208 Kaskaden-Umsetzer 424
Integrationsvorgang 421 Kausalität 209, 220
Integrationszeit 400 K AZAKOV 438
Integrator 400 Kbit 487
Integrierer 399, 409 f., 420 KDNF 435 f.

integrierte Schaltung 339 Kenngröße 390
integrierter Schaltkreis 239, 339, 440 Kennlinie 410, 443
International Protection 558 –, Gegenstrombremsung 594
Intrinsic-Dichte 252 –, Gleichstrombremsung 595
Intrinsic-Leitfähigkeit 254 –, magnetische 80
Inversbetrieb 272, 274 Kennlinienart 553
Inversion 175 Kennlinienfeld 382
–, des Zeigers 176 Kennwert 441, 443, 448
–, einer Geraden 178 Keramikkondensator 250
–, eines Kreises 181 Kerntransformator 160
Inversionskreis 176 Kettenform 358
Inverter 394, 396, 398, 449, 469, 547 Kettenleiternetzwerk 426

Ionen-Implantationsverfahren 262 Kettenschaltung 407
I-Regler 399 kibi 487
Isolationswiderstand 248 Kilowattstunde 29
Istwert 539 Kippkennlinie 310
Kippschaltung 461
J –, astabile 462
JFET 290 –, bistabile 461
JK-Flipflop 467 f., 474 ff. –, monostabile 462
–, zweiflankengesteuertes 468 Kippverhalten 308
JK-Master-Slave-Flipflop 466 Kirchhoff’sche Regel 36
JK-MS-Flipflop 480, 483 KKNF 435
Joker 438 Kleinmaschine 622
Joule, Gesetz 30 Kleinsignalbetrieb 380
Kleinsignalersatzschaltbild 288
K Kleinsignalkennwert 288, 299
Käfigläufer 574 Kleinsignalparameter, Arbeitspunktab-
Käfigläufermotor 557 hängigkeit 281
Kaiser-Fenster 231 Kleinsignaltheorie 209
Kaltleiter 28, 329 Kleinsignalverhalten, des pn-
Kanaleinschnürung 292 Übergangs 259
Kanallängenverkürzung 295 Kleinsignalverstärker 287, 299
Kanalwiderstand 427 Klemmdiode 442
kanonische Normalform 435 Klemmenspannung 34, 606
Kapazität 52, 532, 547 Klemmkasten 574
– von Kondensatoren 54 Klirrfaktor 373, 382 f.
Kapazitätsdiode 257, 270 Kloß’sche Gleichung 583
Kapp-Diagramm 166 f. –, Diskussion 583
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KNF 435 Korrekturfaktor 89

Knotenpotenzialverfahren 42 Korrespondenz 202, 206 f., 210
Knotenpunktsatz 36 f. Kosinus-Fenster 230
Knotenspannung 365 f., 368 Kosinusfunktion 207
Knotenspannungsanalyse 365, 367 –, gedämpfte 207
Koaxialkabel 64 Kosinushalbwellen 198
Koeffizientenvergleich 406 Kraft, auf eine Punktladung 57
Koerzitivfeldstärke 74 – auf geradlinige Stromleiter 92
Koinzidenz-Adressierung 488 – zwischen zwei geladenen Platten 59
Kollektorausgang, offener 444 – zwischen zwei parallelen Stromlei-

Kollektor-Basis-Kapazität 374 tern 92
Kollektorschaltung 275 – zwischen zwei Punktladungen 58
Kollektorstufe 374, 387 Kraftwerksgenerator 599
Kollektorwiderstand 445 Kraftwirkung 57
kommutatives Gesetz 434 Kreisfrequenz 103, 194, 578
kommutierende Spule 563 Kühlkörper 348, 350
Kommutierung 563 Kühlprofil 349
Kommutierungsprinzip 563 Kühlung 348
Kommutierungszeit 564 Kundenwunsch-Schaltkreis 495, 503
Komparator 400, 416 f., 422 f., 452 Kunststofffoliekondensator 250
Kompensation 538 Kupferkaschierung 241
Kompensationsbedingung 392 Kupferverluste 157

Kompensationsglied 393 Kurzschluss 39
Kompensationsmaßnahme 391 Kurzschlusskäfig 574
Kompensationswicklung 566 Kurzschlusskäfigläufer 598
Komplementärtechnik 386 Kurzschlussläufer 574, 598
komplexe Ebene 212 Kurzschlussläuferkäfig 575
komplexe Frequenz 206 Kurzschlussleistung 168
komplexe Rechnung 193, 199, 206, Kurzschlussspannung 165
214 Kurzschlussstrom 34, 168
komplexe Zahl 113 Kurzschlusswiderstand 168
komplexe Zahlenebene 113 Kurzstatormotor 620
Kondensator 52 f., 248 Kurzzeitbetrieb 560
–, Entladung 56 KV-Tafel 432
–, Ladung 55
– mit M-I-E-Struktur 249 L
– mit M-I-M-Struktur 249 Ladekapazität 533
Kondensatormotor 557, 596 f. Ladekondensator 531 ff., 541, 550
konjugiert komplex 113 Ladung 21
Konjunktion 432 f. –, elektrische 21
konjunktive Normalform 435 Ladungsauffrischung 493
Konstantstrom 426 Ladungspumpe 543
Konstantstromquelle 300, 378 f., 387, Ladungspumpen-Wandler 547
396 f., 537 L-Aktivität 519
Kontaktentprellung 465 Lamellenspannung 563
Kontaktnetz 432 f. Langstatorlinearmotor 622
Koppelglied 375 Langstatormotor 620
Kopplungsart 369, 375 Laplace-Transformation 193, 206, 208 15
Kopplungsfaktor 90 –, inverse 208
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Last, schwimmende 396 Leistungsschild 555

Lastabhängigkeit 530 Leistungstransistor 306, 548
Lastfaktor 443 ff. Leistungstreiber 553
Lastgatter 450 Leistungsübertragungsfaktor 363
Lastkapazität 413, 445, 493 Leistungsverstärkung 363
Lastrelais, elektronisches 315 Leistungs-Zeit-Produkt 441
Laststrom 535 f., 546 Leiterkarte 354
Lastwiderstand 397, 535 Leiterplatte 240, 354
– induktiver 286 –, Entwurf von 241
– kapazitiver 286 –, Layout 241

Latch 465 Leiterplatten-Montagetechnik 243
Late Write Mode 491 Leiterspannung 172
Lateraltransistor 380 Leiterstab 574
Läufer, Servomotor 617 Leiterstrom 172
–, Synchronmaschine 603 Leitfähigkeit, elektrische 24 f.
Läuferausführung 601 Leitwert 24, 118
Läuferstrom 593 Leitwertform 358
–, Schleifringläuferasynchronmotor Leitwertparameter 279
593 Leitwertzeigerdiagramm 118
Läufervorwiderstand 587 Lenz’sche Regel 84
Läuferwelle 574 lesen 489 f., 494, 498
Läuferwicklung 575 Lesespannung 497 f.

Laufzeit 459 Leseverstärker 497 f.
Lawinendurchbruch 258, 496 Lesezugriff 489
Lawineneffekt 497 Lese-Zykluszeit 489
Layoutentwurf, computergestützter L/H-Flanke 468
241 L/H-Taktflanke 477
LCA 504 lichtelektrischer Effekt, äußerer 317
LCD 327 –, innerer 317
LC-Oszillator 410 Lichtstärke 318
LC-Siebglied 534 Lichtstrom 318
LED 325 L-Impulsnadel 446
LED-Anzeigesystem 325 Linearfaktor 212
Leerlaufkennlinie 604 Linearisierung 81
Leerlaufspannung 34, 40 Linearität 209, 220, 357, 421, 427
Leistung 29, 123, 384, 548 Linearmotor 557, 619
–, elektrische 29 –, Aufbau 620
–, komplexe 129 –, Klassifikation 620
–, mechanische 626 –, Wirkungsweise 620
–, mittlere 124 Liniendiagramm 104, 170
Leistungsanpassung 36 Linke-Hand-Regel 92
Leistungsbilanz 369, 581 LOCMOS 448
Leistungsdiagramm 127 Logik 431, 451, 506
Leistungsfaktor 127, 578, 626 –, kombinatorische 507
–, Verbesserung 128 –, negative 440
Leistungs-Feldeffekttransistor 301 –, positive 440
Leistungsmessung 130 –, verdrahtete 444
Leistungsschalter 313, 549 ff. Logikbaureihe 477
Leistungsschalttransistor 542, 544 Logikbaustein, programmierbarer 346
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Logikdesign 448 Maschenstromverfahren 41

Logikfunktion 453 Maschine 554
Logikgatter 470 –, Achshöhe 560
Logikgleichung 432 f., 456, 458, 463 –, Bauformen 558 f.
Logik-Operation 459 –, Baugröße 560
Logikpegel 439, 443, 448 –, Betriebsart 559
Logikstruktur 453, 456 –, elektrische 554
Logiktabelle 432 –, Erwärmung 560
Logik-Zustand 438 –, Schutzarten 558
logische Grundschaltung 439 –, Verluste 560

Look Ahead Carry 459 Maschinendaten 555
Lorentz-Kraft 91 Massewiderstand 245
Löschen 497–500 Maßstab 177
Löschverhalten 311 Maßstabsfaktor 212
Löschvorrang 464 Master 466
Low-Pegel 439 Master-Chip 504
L-Pegel 419, 428, 443, 497 f. Matrix 358, 360, 496
L-Potenzial 448 Matrix-Gleichung 366
LS-TTL-Gatter 450 Matrixspeicher 486
LTD 220 Matrizenmultiplikation 361
LTI-System 209, 212 Maximalmoment 616
–, diskretes 220 Maxterm 435

Luftfeuchte 336 Mbit 487
Lumineszensdiode 324 mebi 487
Lumineszenzeffekt 324 mechanische Bremse 593
mechanische Leistung 626
M Mehrpunktsignal 429
Mäander-Form 195 MESFET 290
Magnet 96 Messung, Blindleistung 131
Magnetfeld, ruhendes 83 –, Leistung 47
–, zeitlich veränderliches 82 –, Magnetfeld 101
magnetisch harte Werkstoffe 75 –, Spannung und Strom 44
magnetisch weiche Werkstoffe 75 –, Wechselstromleistung 130
magnetische Kennlinie 80 –, Widerstand 45
magnetische Sättigung 74 –, Wirk- und Blindleistung 133
magnetischer Fluss 71 –, Wirkarbeit 131
magnetischer Kreis 77 f. –, Wirkleistung 130
– ohne Luftspalt 78 Metallpapierkondensator 250
–, verzweigter 82 Mikrocontroller 482
magnetisches Feld 66 Mikrocontroller-Systembus 500
Magnetisierungsdurchflutung 604 Mikroprozessor 495
Magnetisierungskennlinie 75, 81 Mikroprozessor-Interface 471
Magnetisierungsstrom 578, 605 Mikrorechnerbus 482
Magnetisierungsstrombedarf 578 Mikrorechner-Schaltkreis 482
Magnetismus 73 Mikrowellendiode 265
Makro 504 Miller-Effekt 375
Makrozelle 508 Miller-Integrator 399, 422
Manteltransformator 160 Miller-Theorem 374 15
Maschensatz 37 f. Mindestwortlänge 515
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Minimalphasensystem 213 NAND-Gatter 444, 446, 473

Minimierung 431, 436, 438, 455, 464 NAND-Verknüpfung 435, 440, 442
Minimierung nach K AZAKOV 439 Nebenschlussmotor 557, 564
Minimierungsverfahren 436 Nebenschlussverhalten 567
Minterm 435 Negation 432, 434, 519
Mischspannung 526 NEGATION 460
MISFET 290 Negationsregel 435
Mitkopplung 371, 393, 410, 469, 472 Nennfrequenz 412
Mittelpunktschaltung 527, 529 Neper 363
Mittelwert 398, 423, 527 Netzbetrieb 607

–, arithmetischer 106 f., 197 Netzliste 367
–, quadratischer 107 Netzteil 525, 539, 541 f.
Mixed-Signal-Schaltung 344 Netztrafo 542 f., 548
Mode 491, 498, 519 Netztransformator 525
MODE 477 Netzwerk 37
Modell 208 Netzwerkgraph 38
Modulator 552 Neukurve 74
Modulo-m-Zähler 474 neutrale Zone 565
Moment 583 NIC 410
–, synchronisierendes 612 NICHT ODER 433
Momentanwert 103 NICHT UND 433
Monoflop 462, 470 ff. Nichtinverter 395 f., 469

–, retriggerbarer 472 nichtrekursives System 222
Monte Carlo 367 nichttetradischer Code 514
Morgan, Regeln 435 Niederspannungsschalter 298
MOSFET 290, 341, 427 n-Kanal-Transistor 449
–, Dualgate- 304 n-Leitung 254
–, Infrarot- 302 NOR 433, 460
MOS-Kapazität 493 NORA-CMOS 451
MOS-Logik, komplementäre 447 NOR-Basis-FF 463
MOS-Speicherzelle 486 NOR-FLASH 501
Motherboard 502 Norm 477
Motor, fremderregter 564 Normalform 197, 435
Motorbereich 627 –, disjunktive 435
Motorbetrieb 581, 609, 611 f., 614 –, kanonisch disjunktive 436
msb 460 –, kanonische 435
Multichipmodul 346 –, konjunktive 435
Multiplex-Adresse 493 normierte Darstellung 146, 185
Multiplexer 424, 453 normierte Wellengröße 364
Multiplexer-Baustein 453 Normlicht A 319
Multiplexer-Logik 453 NOR-Verknüpfung 435, 440
Multiplex-Steuerung 493 Notstromversorgungseinrichtung 600
Multivibrator 462, 472 f. NOVRAM 490
npn-Transistor 272, 536
N NTC-Widerstand 328
Nachlaufumsetzer 421 Nulldurchgang 423
Nachricht 193, 355 Nullleiter 171
NAND 433, 460 Nullpunktabgleich 379
NAND-FLASH 501 Nullpunktfehler 376
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Nullpunktkompensation 377 Output Enable 445

Nullpunktverschiebung 189 Oversampling 423
Nullspannungsschalter 315
Nullstelle 212 P
Nut 573 Paarungsgenauigkeit 396
Nutgestaltung 574 PAC 504
Nutzbremsung 572, 596 PAL 505 f.
Nutzsignal 395 PAL-Ausgangsschaltung 507
PAL-Matrixstruktur 508
O Papierwickelkondensator 250
Oberflächenmontage 243 Parallel-Addierer 459
Oberschwingung 195 Parallel-ADU 416
Oberwelle 414 Parallel-Register 416, 482, 539
OCXO 412 Parallel-Reihenschaltung 372
Oder 519 Parallelresonanz 148, 414
ODER 433, 460 –, Verluste 149
Parallelresonanzfrequenz 413
ODER-Matrix 505
Parallelresonanzkreis 147
ODER-Verknüpfung 432, 435, 496
Parallelschalter 427
Öffnungsstrom 98
Parallelschaltung 31, 122, 360, 372
Öffnungszeit 546 f.
– aus R und L 118
Offset-binär 518
– von Kondensatoren 53
Offset-Binär-Darstellung 460
Parallel-Serien-Wandler 482
Offsetfehler 420 Parallel-Spannungsgegenkopplung
Offsetkompensation 392 371–374
Offsetspannung 376, 427 Parallelspeisung 551
Offsetspannungsdrift 376, 379 Parallel-Stromgegenkopplung 371 f.,
Offsetspannungskompensation 392 374
Ohm 24 Parallel-Umsetzung 425, 427
ohmscher Bereich 293 Parallelverfahren 416, 425
Oktalzahl 517 paramagnetisch 73
Open Collector 444 Parität 502
Open-Collector-Ausgang 387 –, gerade 515
Operationsverstärker 386, 400 f., 406, –, ungerade 515
408, 411, 469, 537, 539 passive dynamische CMOS-Logik 450
Optokoppler 326, 552 PEEL 508
Originalbereich 210 Pegelanpassung 451
Originalfunktion 207 Pegelbereich 448, 451
Ortskurve 175, 181, 580, 606, 614 Pegelversatzdiode 441
–, bei Reihenresonanz 186 Pegelwandler 420, 427
–, gemischter Schaltungen 187 Peltier-Effekt 332
–, von Grundschaltungen 184 Pentium-Prozessor 502
–, zur Parallelschaltung 187 Pentodenbereich 293
–, zur Reihenschaltung 183, 188 Periodendauer 103, 193, 200
Oszillator 409, 473 Permanentmagneterregung 602
Oszillatorenfrequenz 410 Permeabilität 72 f.
Oszillatorfrequenz 411, 414 –, reversible 159
OTP-EPROM 499 Permeabilitätszahl 72 15
Output 498 Permittivität 51
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Phantom-Logik 444 Polek-Schaltung 131

Phasenanschnittsteuerung 313, 571, Pol-Nullstellen-Paar 213
602 Polrad 601
Phasenbedingung 411 Polradspannung 604, 606, 612
Phasenbeziehungen 113 Polradwinkel 612
Phasendrehung 203 Polschuh 624
–, von 180◦ 140 Polstelle 212
–, von 90◦ 139 Polumschalter 586 f.
Phasen-Frequenzgang 213 Polumschaltung 586
Phasengang 152 f. Positionierantrieb 621

Phasenmaß 214 Potenzfunktion 207
Phasenrand 393 Potenzial 23, 66, 365
Phasenschieberbetrieb 610 Potenzialproblem 377
Phasenschieber-Oszillator 410 Potenzialtrennstufe 552
Phasenspektrum 195 Potenzialversatzstufe 378
Phasenspielraum 393 Potenzialverschiebung 387
Phasensteilheit 410 Power-MOSFET 552
Phasenumkehrstufe 441 Präzisions-Messverstärker 396
Phasenverschiebung 105 Präzisions-Operationsverstärker 387
–, induktive 111 Prellimpuls 465
–, kapazitive 112 Primärregler 543
Phasenwinkel 103, 116, 120, 145, 199 Primimplikanten-Verfahren 438

Phasenwinkel-Funktion 194 primitive 523
Pierce-Schaltung 414 Prioritäts-Encoder 416
π-Ersatzschaltbild 359 Programmier-Algorithmus 498
piezoelektrischer Effekt 60 –, schneller 500
piezoelektrischer Stoff 61 programmierbare Logikbausteine 505
piezoelektrischer Wandler 333 programmieren 497–500
Piezomodul 60 Programmierimpuls 497
piezoresistiver Wandler 332 Programmierimpulszeit 498
Piezowandler 332 Programmierspannung 497, 499 f.
PIN 477 Programmierung 496, 498
PIN-Diode 264 Programmspeicher 499 f.
PIN-Kompatibilität 441 PROM 495 f., 505
PIN-Struktur 263 PROM/EPROM 505
p-Kanal-Transistor 449 Propagate 459
PLA 505 Proportionalbereich 584
Planartransistor 442 Prozess 522
Plattenkondensator 52, 55 Prozessor 492
PLCC-Gehäuse 347 Prüfbit 515
PLD 486 f., 504 f., 508 Pseudo-Zufallsfolge 484 f.
p-Leitung 254 Pseudo-Zufallsgenerator 484
PN-Plan 212 f. PSN-Struktur 263
pnp-Transistor 272, 275 PSpice 356, 365, 367, 399, 408, 447
pn-Übergang 255 PSpice-Schaltplan 539
– abrupter 270 PSpice-Simulation 480, 539 f.
– linearer 270 PS/2-SIMM 502
Pol 212 PTC-Widerstand 329
Polarkoordinaten-Darstellung 213 Pull-up-Widerstand 451
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Puls 200 Reaktionsmoment 615

Puls-Amplituden-Modulation 216 Rechenglied 457
Pulsbreiten-Modulation 542 Rechenregel 433
Pulsform 197 Rechenschaltung 410
Pulsfrequenz 194 Rechenwerk 459
Pulsfrequenz-Modulation 542 Rechenzeit 459
Pulsumrichter 616 Rechteckfenster 228
Rechteckimpuls 202, 204
Q Rechteckpuls 197 f., 446
Quantisierungsfehler 423 Rechteck-Schwingung 473

Quantisierungsrauschen 423 Rechte-Hand-Regel 83
Quantisierungsstufe 416 Reduktanzschrittmotor 629 f.
Quarz 412, 414 Redundanz 515
Quarzbelastung 412 f. Reed-Kontakt 335
Quarzfrequenz 414 reelle Zahl 113
Quarzkristall 412 Referenzquelle 418, 539, 541
Quarzoszillator 412 Referenzspannung 396, 426, 536 f.,
Quarzschnitt 412 f. 539, 541
Quelle 359 Referenzspannungsquelle 536
Quellenspannung 22 Referenzstrom 380 f.
Quellenstromstärke 34 Referenz-Z-Diode 538
Refresh 493, 495

R Refresh-Controller 495
R-2R-Netzwerk 426 Refresh-Mechanismus 493
Radiant 214 Refresh-Takt 493
Rail-to-Rail 387 Regelabweichung 539 f.
RAM 485 f., 489, 503 Regelkennlinie 607
–, dynamischer 493 Regelkreis 423, 539, 552
–, statischer 490 Regeln von de Morgan 435
RAM-Schieberegister 503 Regelschleife 552
RAM-Speichermodul 502 Regelverhalten 542
RAS 494 Regelverstärker 539, 541
Raumladungsdichte 64 Register 482
Rauschanalyse 367 Register-Ausgang 507
Rauschen 350, 398, 423, 536 Registersatz 482
–, 1/ f - 351 Regler 540 ff., 545
–, thermisches 350 –, stetiger 542
–, weißes 350 Reibungsverlust 560
Rauschmaß 351 Reihen-Parallelschaltung 372
Rauschwiderstand, äquivalenter 351 Reihenresonanz, Verluste 145
Rauschzahl 351 Reihenresonanzkreis 143
RC-Filter 402 Reihenschaltung 30, 117, 122, 360,
RC-Glied 139 f., 472 f. 372
RC-Koppelglied 375 – aus R und C 115
RC-Kopplung 375 – aus R und L 114
RC-Oszillator 410 – aus R, L und C 116
RC-Siebglied 534 – von Kondensatoren 53
RDRAM 494 Reihenschlussmotor 557, 564, 567, 15
Reaktanz 119 570
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Rekonstruktions-Tiefpass 215 Sättigung 469

rekursives System 221 Sättigungsbereich 275, 278
Reluktanzmotor 557 Sättigungsspannung 278, 285, 292,
Remanenz 74 397
Resistanz 119 Sättigungssperrstrom 260
Resonanz 143 SC-Filter 401 f., 408
Resonanzbedingung 144 Schaltalgebra 431, 433, 455
Resonanzfrequenz 144, 148, 407 f., Schaltbelegungstabelle 432
413 Schaltdiode 262
Resonanzkurve 144, 148, 186 Schalter 420, 544, 547 ff., 551
Resonanzschärfe 145 –, elektronischer 284
Resonanzspannung 145 –, Schließungszeit 547
Resonanzstrom 148 f. Schalter-Kapazitäts-Filter 408
Resonanzverstärkung 407 f. Schalterzelle 427
Reste-Methode 517 Schaltfolgetabelle 463
Restwelligkeit 551 f. Schaltfrequenz 409, 544 f.
Ringzähler 479, 483 Schaltfunktion 431 f., 436 ff.
Ripple Carry 459 Schaltimpuls 445
Roebelstab 601 Schaltkreis 354, 445
ROM 410, 486, 495 –, bipolarer 342
Rotorlagegeber 618 –, digitaler 430, 439
RS-Basis-Flipflop 464 –, integrierter 440

RS-Flipflop 463 f., 466 –, kundenspezifischer 346
RS-Latch 465 Schaltkreisentwurf 341, 346
Rückführung 371 Schaltkreisfamilie 439 f., 447, 451
Rückinjektionsstrom 272 Schaltkreisgehäuse 347
Rückkopplung 370, 461 f., 507 Schaltkreistechnologie 445
–, optische 326 Schaltnetz 430, 432, 451
Rückkopplungsart 403 Schaltnetzteil 548
Rückkopplungsfaktor 370 –, primärgetaktetes 548
Rückkopplungsgleichung 370 Schaltregler 542 f., 545 f.
Rückkopplungsgrad 371 –, primärgetakteter 542
Rückkopplungsoszillator 410 –, sekundärgetakteter 542
Rücksetzen 519 Schaltung, digitale 430
Rücktransformation 193, 206, 211 –, gegengekoppelte 370
Rückwärtszähler 474 –, gemischte 32, 137
Ruhestrom 383 –, Hummel 138
Ruhestromkompensation 392 –, integrierte 339
–, kombinatorische 430
S –, sequenzielle 430, 462
Sägezahn-ADU 421 –, Umwandlung 121
Sägezahngenerator 399 Schaltungsaufwand 412
Sägezahnpuls 198 Schaltungsentwurf 520
Sägezahnumsetzer 421 Schaltungsstruktur 447
Sample and Hold 418 f. Schaltverstärker 284
Sample & Hold-Schaltung 215 Schaltvorgang mit Induktivität 98
Sanftanlauf 592 Schaltwerk 430, 462
SAR 102, 418 Schaltzeichen 432 f.
SAR-ADU 421 Schaltzeit 285, 427
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Scheibenwicklung 161 Schwellwert 469 f., 545

Scheinleistung 126 Schwingkreis 145, 414
Scheinleitwert 119 Schwingneigung 398
Scheinwiderstand 114, 116, 120 Schwingquarz 412, 473
Scheitelfaktor 108 f. Schwingungsform 412
Scheitelwert 103 Schwingungspaketsteuerung 315
Schematics 367, 447 Schwingungssynthese 410
Schenkelpolgenerator 599 SCR 307
Schenkelpolläufer 601 Scrambler 484
Schenkelpolmaschine 557, 612 SDRAM 494

Scherung der Magnetisierungskennlinie Sechspuls-Brückenschaltung 571
80 f. Seebeck-Effekt 61, 328, 330
Schichtwiderstand 245 Seitenband 204, 217
Schieberegister 417, 459, 482, 484, Sekundärregler 543
503 Selbsterregung 371, 410
Schieberegister-Baustein 483 Selbstinduktion 88, 545
Schiebetakt 483 Selektionsverhalten 402
Schiebezähler 479 Selektivfilter 407 f.
Schleifenverstärkung 371, 469 Sendeimpuls 203
Schleifring 575 Sense-Verstärker 493
Schleifringläufer 557, 575 Sensor 338
Schleifringläuferasynchronmaschine Serien-Addierer 459

594 f. Serien-Parallel-Wandler 482 f.
Schleifringläuferasynchronmotor 593 Serienregler 539
schleifringlose Erregerleistungsübertra- Serienresonanz 414
gung 602 Serienresonanzfrequenz 413
Schleusenspannung 257, 265 Serienschalter 427
Schließungszeit 547 Serien-Spannungsgegenkopplung
Schlupf 577, 581, 583 371 ff.
Schmitt-Trigger 462, 469 f., 473 Serien-Stromgegenkopplung 371 ff.,
Schnittstelle, serielle 525 396
Schottky-Diode 264, 342 Servoantrieb 619
Schottky-Klemmdiode 442 Servomotor 600, 617
Schottky-Technologie 442 –, Betriebsverhalten 618
Schraubenregel 67, 84 –, dauermagneterregter 617
schreiben 489 f., 494 Setzvorrang 464
Schreibimpulsbreite 492 SFET 290, 419
Schreib-Lesespeicher 463 Shift 228
Schreibmodus 491 Sicherung 525
Schreibzyklus 491 Siebensegment-Code 456
Schreibzykluszeit 489, 492 Siebensegment-Decoder 422, 456
Schrittmotor 557, 628 Siebensegmentsystem 325
Schrittmotorsteuerung 629 Siebkette 534
Schrotrauschen 351 f. Siebschaltung 525
Schubkraft 622 Siebung 530, 534, 548
Schutzart 558 Siemens 24
Schutzfunktionen 541 Sigma-Delta-Umsetzer 422
Schwellspannung 292, 471, 498 Signal 193, 204, 354 f. 15
–, Temperaturgradient 297 –, analoges 355
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–, binäres 429 Spannung 23, 552

–, digitales 429 –, elektrische 23
–, diskretes 219, 429 –, magnetische 68
–, nichtperiodisches 200 Spannungsabfall 22
–, wertdiskretes 429 –, induktiver 157
–, zeitdiskretes 219, 429 Spannungsabsenkung 570
Signalart 369 Spannungsanstiegsgeschwindigkeit
Signalbandbreite 217 391
Signalflussplan 370 Spannungsgleichung 605, 627
Signalfrequenz 194, 409 Spannungsquelle 34, 395

Signalfunktion 196 Spannungsreferenz 267
Signalgenerator 409 f. Spannungsregelung 536
Signalgröße 369 Spannungsregler 526, 534, 536, 539 f.
Signalpegel 441 Spannungsresonanz 145
Signalprozessor 415 Spannungsrückwirkung 277, 279
Signal-Rausch-Abstand 423 Spannungs-Stromwandler 372
Signal-Rausch-Verhältnis 351 Spannungsteiler 31, 42, 135 f.
Signalverarbeitung 401, 422, 424, 430 –, belasteter 42
Signalwert 431 –, komplexer 135
Signatur 498 –, mehrstufiger 136
Signatur-Lesemode 498 –, zweistufiger 136

SIMM 502 Spannungsteilerregel 31, 210
Simulation 356, 368, 410 Spannungsübertragungsfaktor 362
Single-Supply 387 Spannungsverdopplung 529
Sinusfunktion 207 Spannungsverhältnis 140
–, gedämpfte 207 Spannungsverlauf 531
Sinusfunktionsnetzwerk 410 Spannungsverstärker 372
Sinushalbwellen 198 Spannungsverstärkung 362, 368, 379,
Sinusoszillator 410 403
Skineffekt 86 f. Spannungsvervielfachung 529
Slave 466 Spartransformator 168
Slew Rate 391, 401, 420 Speicher, asynchroner 490
SL-Flipflop 464 –, synchroner 490
SMD-Bauelement 243 Speicherdrossel 550 ff.
SMD-Widerstand 246 Speicherkapazität 486 ff., 493, 497–
SNT-Wandler 549 f. 501
SOAR 382 Speichermatrix 487 f.
SOI-Schaltkreis 345 Speicherorganisation 486 f.
Solarenergie 323 Speicherregister 482
Solarzelle 322 Speicherschutz 490
Solenoidmotor 620 Speichervermögen 474
Sollwert 539 f., 552 Speicherwortlänge 501
Sollwertgeber 536 Speicherwortzahl 501
SOS-Technik 345 Speicherzeit 260, 286, 442
Sound-Stereo-CODEC 415 Speicherzeitkonstante 286
Spaltfunktion 199, 202, 204, 218 Speicherzelle 482, 486, 490, 493, 496
Spaltpol 598 Speisespannung 471
Spaltpolmotor 557, 597 f. Speisespannungsdrift 377
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Spektraldichte 201 Ständerverlust 581

Spektrum 195, 204, 216 f. statistische Analyse 367
Sperrbereich 152 f., 217, 278, 383, Steckverbinder 525
401, 408 Steilheit 280, 295, 359
Sperrerholzeit 260, 442 Steilheits-Operationsverstärker 387
Sperrphase 550 Stellenwertsystem 516
Sperrschicht 496 Stellglied 539–542, 544, 550
Sperrschicht-FET 419 Step-Recovery-Diode 270
Sperrschichtisolation 342 Stern-Dreieck-Anlassschalter 591
Sperrschichtkapazität 257, 270 Stern-Dreieck-Anlauf 590 f.

Sperrspannung 529 Stern-Dreieck-Schaltung 575
Sperrstrom 257, 260 Sternersatzwiderstand 33
Sperrverzugszeit 260 Sternschaltung 122, 170
Sperrwandler 550 Steuerlogik 445, 478, 485
Sperrwiderstand 420, 427, 448 Steuersignal 445, 494
Sperrzeit 531 Steuerspannung, effektive 296
Spiegelverhältnis 380 f. Steuerung 519
SPLD 505 Störgröße 539, 552
Sprungantwort 209 f., 218 Störschutz 316
Sprungfunktion 193, 206, 209 f. Störsicherheit 422, 440, 448, 470
Sprungtemperatur 27
Störstelle 254, 261

Spule 89, 251
Störstellenerschöpfung 254
–, kommutierende 563
Störstellenreserve 331
SRAM 463, 488 ff.
Stoßfunktion 193, 209
–, asynchroner 490
Stoßionisation 258
–, synchroner 492
Stoßkurzschlussstrom 607
SRAM-Speicherzelle 490
Stabform 574 Strahlungsleistung 318
Stabilisierung 372, 411, 526 Strahlungsstärke 318
Stabilisierungsfaktor 535 ff. Strangspannung 169, 171, 603
Stabilität 209, 221, 408 Strangstrom 170
Stabilitätsbedingung 393 Streufaktor 72
Stabilitätsgrenze 611 f., 615 Streugrad 72
Standardanalyse 367 Streuinduktivität 164
Standardschaltkreis 346, 503 Streuspannung 165
Standard-TTL 440 Strom, elektrischer 21
Standardzellen-ASIC 347 –, komplexer, von Parallelschaltungen
Standardzellentechnik 504 121
Standby 498 –, Richtungssinn 22
Ständer 562, 573, 601 Strombank 381, 426
–, Servomotor 617 Strombegrenzung 526, 553
Ständerblechpaket 573 Stromdichte 63
Ständerdurchflutung 613 Stromfluss 545
Ständerspannung, Absenken 588 Stromflussdauer 531
–, Frequenzänderung 584 Stromflusswinkel 314, 531 f.
Ständerspannungssteuerung 588 Stromgegenkopplung 379
Ständerstrangspannung 578, 603 Stromgleichung 578
Ständerstrangstrom 578 f. Stromgrenzwert 443 f. 15
Ständerstrangwiderstand 578 Stromoffseteinfluss 395
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Stromortskurve 579, 581, 626 Synchronisation 608

–, Schenkelpolmaschine 615 synchronisierendes Moment 612
–, Universalmotor 627 Synchronmaschine 599, 608
–, Vollpolmaschine 610 –, Aufbau 600
Stromquelle 378, 537 –, Betriebsweise 608
Stromquellen-Verhalten 550 –, Erregersystem 601
Stromresonanz 148 –, Läufer 603
Stromrichtererregung 602 –, Läuferausführung 601
stromrichtergespeiste Synchronmaschi- –, Netzbetrieb 607 f.
ne 616 –, Permanentmagneterregung 602

Stromrichterkaskade, untersynchrone –, stromrichtergespeiste 616
589 f. Synchronzähler 474 ff.
Stromrichtermotor 617 f. Synthesetabelle 463
Stromrichterschaltung 571 System 208
Stromröhre 63 –, allpasshaltiges 213
Stromschleife 339 –, analoges 355
Strom-Spannungs-Wandler 426 –, digitales 474
Stromspiegel 380 f., 539 –, ideales 209
Stromstärke 21 –, instabiles 212
–, Definition 93 –, kausales 209
Stromteiler 135 –, lineares 209
–, komplexer 135 –, lineares, zeitinvariantes 209

Stromteilerregel 32 –, LTI- 209
Stromteilung 39 –, nichtkausales 219
Stromübernahmeverzerrung 383 –, nichtlineares 209
Stromübersetzungsverhältnis 162 –, stabiles 212
Stromübertragungsfaktor 362 Systemantwort 218
Strömungsfeld 63 f. Systemreaktion 209
Stromverdrängungsläufer 591 Systemtheorie 193
Stromversorgung 525, 536
Stromverstärkung 279, 362, 372, 380 T
Stromverstärkungsfaktor 274 Tabellenspeicher 486
Stromverstärkungsgruppe 282 Tachogenerator 618
Stromverteilungssteuerung 378 Takt 484, 519
Stromwärme 30 Taktdiagramm 447, 481, 489
Stromwärmeverlust 560 Takteingang 475
Stromwender 562 Takterzeugung 462
Stromwendung 563 Taktflanke 446, 468, 475 f., 483
Stromzeigerdiagramm 117 f. Taktfrequenz 422, 445, 450, 473, 547
Strukturgröße 341 Taktgeber 472, 484
Strukturhasard 446 Taktpegel 503
Stufensprung 425 Taktsignal 446, 486
Substruktur 369, 459 Taktung 474, 478
Subtraktion 457, 460 f. Taktverarbeitung 478
Superpositionssatz 209, 396 Taktwirkungsweise 463
supraleitender Magnet 96 Tastgrad 198, 544, 546, 549 f.
Supraleitung 26 TCXO 412
Symmetrie 357 tebi 487
synchrone Drehzahl 626 f. Teilerverhältnis 480
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Temperatur 412, 471, 535 Transfer-Gate 450

Temperaturabhängigkeit, der Kennwer- Transferstrom 272
te 282 Transformator 160
Temperaturdrift 377, 379, 390, 427, –, belasteter 163
535 –, Ersatzschaltung 164
Temperaturdurchgriff 260, 283, 377 –, Grundgleichungen 162
Temperaturkoeffizient 25 f., 246, 328, –, idealer 161
330, 413, 536, 538 –, realer 162
– der Durchbruchspannung 267 –, Verluste 167
Temperaturkompensation 526, 538, Transienten-Analyse 367, 446

540 f. Transistor 445, 540, 549
Temperaturmessfühler 329 f. –, bipolarer 271
Temperatursensor, passiver 328 – Kleinsignalverhalten 279
Temperaturspannung 256 –, n-Kanal- 449
Temperaturstabilisierung 386 –, p-Kanal- 449
T-Ersatzschaltung 163 – Restströme 282
Tesla 71 Transistorkanal 498
Testsignal 193, 205, 209 Transistorkapazität 281
Testvektor 447 Transistorschalter 284
Tetrade 517 Transistor-Transistor-Logik 441
tetradischer Code 514 Transitfrequenz 281, 376, 391
thermisches Verhalten, des pn- Transmissions-Gate 450

Übergangs 260 Transrapid 622
thermoelektrischer Effekt 61 Transverter 525, 548
Thermoelement 330 Treppenfunktion 423, 425
Thermospannung 330 f. Triac 312
Thomson-Brücke 46 Triggerimpuls 471
Thyristor 307, 310 Triggerimpulsdauer 471
–, Schutzbeschaltung 311 Triggerung 468, 471
Thyristorgleichrichter 602 Trimmer 251, 414
Thyristortetrode 317 Triodenbereich 293
Tiefpass 152 f., 402, 404 f., 408 Tristate-Ausgang 502
–, idealer 217 Tristate-Endstufe 445
Tiefpass-Bandpass-Transformation Tristate-Puffer 507
407 Tristate-Steuerung 489
Tiefpass-Filter 217, 534 Tristate-Verhalten 482
Timer 472 TS-Ausgang 507
Timing-Hasard 447 Tschebyscheff-Filter 236, 403
T-Kippglied 479 TTL 416, 441 f., 451, 471
TO220-Gehäuse 347 –, Advanced-Low-Power-Schottky-
Toleranz 536 441
Toleranzbereich 443 –, Advanced-Schottky- 441
Totem Pol 444 –, Fast- 441
TP-HP-Transformation 237 –, Low-Power- 441
–, analoge 237 –, Low-Power-Schottky- 441 f.
–, digitale 238 –, Schottky- 441
Trafowechselspannung 532 –, Standard- 441 f.
Trägerstaueffekt 259 TTL-Baureihe 441, 444 15
Transduktor 159 TTL-Baustein 441, 446
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TTL-Gatter 440, 444 f., 450 Umcodierer 455

TTL-Kompatibilität 420, 439, 448, 470 Umcodierung 455
TTL-Logikpegel 439 Umkehraddierer 397
TTL-Pegel 427 Umkehrbarkeit 357
TTL-PROM 496 Umkehrformel 201
TTL-Schaltkreis 445, 518 Umkehrpunkt 413
TTL-Steuerung 428 Umlaufspeicher 483 f.
Tunneldiode 268 Ummagnetisierungsverlust 560
– Kleinsignalersatzschaltung 269 Umpolfunktion 197
Tunneleffekt 258, 268 Umrichterantrieb 616

Tunnel-Oxid 499 Umrichterschaltung 585
Turbogenerator 599 Umrichtertechnik 616
Umsetzdauer 418, 421 f.
U Umsetzer 415, 426
Überabtastung 423 Umsetzrate 415, 417
Übererregung 610 f. Umsetzungs-Fehler 416
Umsetzungszeit 417
Übergangstabelle 463 f.
Umsetzverfahren 426
Überlagerungssatz 39
Umsetzzeit 415
Überlastschutz 553
Und 519
Übernahmeverzerrung 386
UND 433, 460
Überschwingen 550
UND-Einfächerung 441
Überschwingfaktor 391
UND-Matrix 505
Übersetzung 548 UND-Tor 422
Übersetzungsverhältnis 161, 549 UND-Verknüpfung 401, 432, 435, 444,
Überspannungsschutzdiode 270 457, 496
Übersteuerung 274, 401, 420 unendliche Reihe 195
Übersteuerungsfaktor 278, 442 Unijunction-Transistor 304
Übersteuerungsgrad 284 Unipolartransistor 290
Übersteuerungsgrenze 278 Universalmotor 557, 624
Überstromsicherung 330 –, Drehzahl-Drehmoment-Kennlinie
Übertrag 457 ff., 461, 474, 477 f. 627
Übertrager 549 –, Drehzahlsteuerung 627
Übertragsgenerator 459 –, Stromortskurve 626
Übertragsverarbeitung 459 Unsymmetriewinkel 531 f.
Übertragungsfaktor 217, 361, 372 Untererregung 610 f.
Übertragungsfehler 427 untersynchrone Stromrichterkaskade
Übertragungsfunktion 150, 225, 361, 589
403 f., 406 Untertrag 461
–, komplexe 210, 213, 217 USK 589
–, mit komplexen Argument 211 UV-Licht 498
Übertragungsfunktionsanalyse 367
Übertragungskanal 203 V
Übertragungskennlinie 388, 390, 443, var 126
469 VCXO 412
Übertragungsmaß 363 Verbindung 519
–, logarithmisches 214 Verbindungshalbleiter 252
Übertragungssystem 193, 211 Verilog 522
Übertragungsverhalten 427 Verknüpfungsgrad 444
Übertragungsweite 439 Verlustfaktor 142, 149, 249
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Verlustleistung 383–386, 441 f., 447, Vollpolmaschine 557, 605

450, 544, 626 –, Ersatzschaltbild 605
Verlustleistungshyperbel 544 –, Zeigerdiagramm 605
Verlustwiderstand 141 Volt 23
Verlustwinkel 141, 143 Voltampere 126
Verlustziffer 156 voltampèreréactif 126
Verschiebespannung 470 Volumen-Halbleiterbauelement 327
Verschiebungsdichte 50 Vorrangregel 435
Verschiebungsfluss 50 Vorspannungserzeugung 386
Verschiebungssatz 203 Vorstufe 382

Verstärker 369, 414, 420, 540 Vorwärtszähler 474 f.
–, nichtinvertierender 395 Vorzeichenbit 460, 518
Verstärkerkenngröße 288
Verstärkerstufe 377 W
Verstärkung 371, 373 f., 384, 390, 394, Wafer 341
405 ff., 411 Wafer-Struktur 504
Verstärkungsdrift 376 Wägeumsetzung 424
Verstärkungsfaktor 398 Wägeverfahren 416 f.
Verstärkungsregelung 411 Wägevorgang 418
Verstärkungsreserve 408 Wahrheitstabelle 432
Wandler, invertierender 544, 546
Verstärkungsverhalten 288
Verstimmung 146 –, piezoelektrischer 333
Verzögerungsglied 447 –, piezoresistiver 332
Verzögerungszeit 401, 441, 445 f., 448, Wandlungszeit 415
468, 479, 483 Wärmeableitung 348
4-Bit-Dezimalzähler 476 Wärmedurchbruch 258
Wärmekapazität 348
4-Bit-Recheneinheit 459
Wärmeklasse 560
4-Bit-Steuerwort 459
Wärmekraftwerksgenerator 600
Vierfach-EIN-Schalter 428
Wärmewiderstand 348
Vierleiter-Messschaltung 338
Warteschlangen-Prinzip 485
Vierpol 211, 356 f., 369 Watt 29, 125
–, aktiver 357 Weak-Inversion-Strom 297
–, Kettenschaltung von 360 Weber 71
–, passiver 357 Wechselfeld 598
Vierpolanalyse 356 Wechselgröße, komplexe 112
Vierpol-Ersatzschaltbild 359 –, sinusförmige 103
Vierpolgleichung 295, 358 Wechselrichtung 548, 551
Vierpolgleichungssystem 358 Wechselstrom 103
Vierpolkettenschaltung 361 Wechselstromleistung 130, 384 f.
Vierpol-Parallelschaltung 360 Wechselstromparadoxon 137 f.
Vierpolparameter 279, 295, 358 Wechselstromschalter 313
Vierpol-Reihenschaltung 360 weichmagnetischer Ferrit 75
Vierschichtdiode 307 Weiß’scher Bezirk 74
V-Kurve 611 wellenbezogener Parameter 363
VLSI-Schaltkreis 448 Wellengröße, normierte 364
Volladdierer 458 Wellenwiderstand 362
vollkundenspezifischer IC 504 Welligkeit 403, 530, 533, 545 15
Vollpolläufer 600 Welligkeitsfaktor 527 f.
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Wendepol 562, 565 Wortorganisation 487 f., 499 f.

Werkstoff, magnetisch harter 75 Wortzahl 502
–, magnetisch weicher 75
Wertigkeit 437, 485, 515 X
Wheatstone-Brücke 46 X-Decoder 488
Widerstand 24, 245 XO 412
–, differenzieller 29, 259, 267 XOR 433
–, elektrischer 24
–, induktiver 110, 119 Y
–, kapazitiver 111, 119

Y -Decoder 488
–, Kennzeichnung der SMD- 246
y-Ersatzschaltbild 359
–, komplexer, von Parallelschaltungen
y-Parameter 279
120
–, komplexer, von Reihenschaltungen
119
Z
–, linearer 28, 245 Zähldekade 478
–, nichtlinearer 28, 245 Zahlenkonvertierung 517
–, spezifischer 24 Zahlensystem 516 f.
Widerstandsanpassung 382 Zähler 422, 474, 480
Widerstandsbremsung 572 Zählerkonstante 132
Widerstandsdiagramm 115 f. Zählerstand 422
Widerstandsform 358 Zählerverzögerungszeit 478

Widerstandsläufer 588 Zählfrequenz 478
Widerstandsmaterial 245 Zählkapazität 474, 478
Widerstandsnetzwerk 425 Zählkapazitätsbegrenzung 476
Widerstandsrauschen 350 Zählkette 481
Widerstandsverhältnis 532 Zählpfeil 356
Widerstandswert, Kennzeichnung 246 Zählpfeilsystem 356
Wien-Oszillator 410 Zählrichtung 474
Wien-Robinson-Brücke 410 Zählverfahren 416, 421
Wien-Robinson-Oszillator 410 Z-Diode 266, 411 f., 526, 534, 536 f.,
Winkelfrequenz 194 539
Wirbelstrom 85 Zeigerbild 578 f.
Wirbelstromverluste 156, 560, 624 –, Universalmotor 627
Wired AND 444 Zeigerdarstellung 113
Wirkarbeit 131 f. Zeigerdiagramm 104, 120, 605
Wirkleistung 125, 128, 130, 133 f., –, einer Spule 158
548, 626 –, Schenkelpolmaschine 614
Wirkspannung 165 Zeitbedingung 499 f.
Wirkstrom 128 Zeitbereich 193, 210 f.
Wirkungsgrad 30, 35, 168, 382–385, Zeitdauer 203
543, 551 f. zeitdiskretes Signal 219
Wirkungsgradklassen für Asynchron- Zeitfunktion 193 f., 204, 409
motoren 556 Zeitinvarianz 209, 220
Wirkwiderstand 28, 110, 119, 123 Zeitkonstante 375 f., 393, 395, 402,
Worst Case 367 406, 409, 422, 427, 471
Worst-Case-Grenze 443 Zeitmultiplexsystem 453
Wort 430, 488 Zeitverhalten 218, 399, 445
Wortlänge 452, 492, 515 Zeitverzögerung 203
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“tbel” — 2017/8/28 — 0:50 — page 685 — #688
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Zellenbibliothek 504 Zustandstabelle 463

Zener-Effekt 258, 267 Zweierkomplement 460 f., 518
Zener-Referenz 538 Zweifachgegenkopplung 404, 406 f.
Zerhacker 525 Zweiflanken-Umsetzer 421
Zickzackschaltung 173 Zweileiter-Messschaltung 339
Ziehkapazität 414 Zweipol 40
Z-Spannung 387, 536 f., 539 –, aktiver 40
z-Transformation 193, 223 –, passiver 40
–, inverse 224
Zweipunktsignal 469
Zugehörigkeitszahl 430
Zweirichtungs-Thyristordiode 308
Zugkraft von Magneten 96
Zugriff 486 Zweirichtungs-Thyristortriode 312
Zugriffsvariante 494 Zweitor 150, 211, 356 f.
Zugriffszeit 486, 489 f., 498 Zweiweggleichrichter 531, 534
Zündschaltung, eines Triac 314 Zweiweggleichrichtung 527 f., 532
Zündverhalten 310 Zwischenspeicher 492
Zustand, irregulärer 464 Zwischenspeicherung 419, 466
Zustandsautomat 463 Zykluszeit 489, 492
Zustandssteuerung 465 Zylinderwicklung 160
15
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Schaltzeichen und ihre Bedeutung

“tbel” — 2017/8/28 — 0:50 — page 689 — #692
Messinstrument mit
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“tbel” — 2017/8/28 — 0:50 — page 690 — #693
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Lindner · Brauer · Lehmann
Helmut Lindner
Taschenbuch der Harry Brauer
Constans Lehmann
Elektrotechnik und Elektronik
Dieses Taschenbuch ist ein bekanntes und erfolgreiches Nachschlage-
werk. Es wurde in weit über einer viertel Million Exemplaren verbreitet Taschenbuch der
und liegt jetzt in aktualisierter Auflage vor.
Das Standardwerk zur Elektrotechnik und Elektronik Elektrotechnik
und Elektronik
Elektrotechnik
■ endet sich an Studierende und Schüler technischer und
w
und Elektronik
Taschenbuch der
wirtschaftlicher Ausbildungsrichtungen sowie an Praktiker der
Elektrobranche.
■ gibt einen Überblick zum Gesamtgebiet der Grundlagen von
Elektrotechnik, elektrischen Maschinen und Elektronik.
■ wird an zahlreichen Ausbildungsstätten empfohlen.

■ hilft bei der Prüfungsvorbereitung und Wiederholung des
Unterrichtsstoffes.
■ vermittelt Wissen in konzentrierter und übersichtlicher Form.
■ dient zum schnellen Nachschlagen von Fachbegriffen.
■ beinhaltet wichtige Übersichten zu Schalt- und Formelzeichen,
Einheiten und Abkürzungen.
■ enthält eine Website zum Buch
http://www.fbeit.htwk-leipzig.de/~tb_et/ mit weiterführenden
Informationen sowie zusätzlichen Aufgaben und Lösungen.
Lehmann
Lindner
Brauer 10. Auflage
www.hanser-fachbuch.de
€ 28,00 [D] | € 28,80 [A]
ISBN 978-3-446-44497-3
44497_Lindner_120x190_RZ.indd 1 19.07.17 13:58

Elektrotechnik Und Elektronik: Taschenbuch Der

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com by Technische Universität Berlin on March 14, 2023

Größen und Einheiten

Formel- Größe Einheit Beziehung zu den Basiseinheiten

Verschiebungsdichte C/m2 1 C/m2 = 1 A · s/m2

elektrische Ladung C 1C=1A·s

2 Elektrische und magnetische Felder 49

4 Besondere Wechselstromkreise 135

5 Signale und Systeme 193

6 Bauelemente der Elektronik 239

7 Analoge Schaltungen 354

8 Digitale Schaltungen 429

10 Elektrische Maschinen 554

12 Abkürzungsverzeichnis zur Elektronik 635

Bleiben Sie auf dem Laufenden!

Hanser Newsletter informieren Sie regelmäßig

und Prof. Dr. Constans Lehmann †

unter Mitarbeit von

10., aktualisierte Auflage

Studiendirektor HELMUT LINDNER †

Prof. Dr. CONSTANS LEHMANN, Leipzig †

Bibliografische Information der Deutschen Nationalbibliothek

Dieses Werk ist urheberrechtlich geschützt.

© 2018 Carl Hanser Verlag München

Lektorat: Manuel Leppert, M.A.

Auch die schnelle Zunahme von Spezialwissen erfordert ständiges Vergegen-

vervollständigen und zu aktualisieren. Das Buch wendet sich gleichermaßen

serhinweise in der neuen Auflage berücksichtigt.

Dezember 2007 Autoren und Verlag

1.1.3 Elektrische Spannung und Potenzial . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22

1.3.1.2 Darstellung mit Stromquelle . . . . . . . . . . . . . . . . . 34

2.1.5.3 Berechnung der Kapazität von Kondensatoren . . . . . 55

2.3.5 Magnetismus des Eisens . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 73

2.4.5.4 Zugkraft von Magneten . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 96

3.1.2 Kenngrößen sinusförmiger Wechselgrößen . . . . . . . . . . . . . . 103

3.3.2 Arithmetik . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 113

4 Besondere Wechselstromkreise . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 135

4.2 Frequenzverhalten von Wechselstromkreisen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 141

4.2.3 Parallelresonanz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 147

4.3.2 Kupferverluste . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 157

4.6.3 Inversion von Punkten, Geraden und Kreisen . . . . . . . . . . . . . 177

4.7.1 Definition . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 181

ten Schaltung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 189

5 Signale und Systeme . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 193

5.2.3.2 Ideale Abtastung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 215

5.4.2 FIR-Filter . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 226

6.2.2 Entwurf und Herstellung von Leiterplatten . . . . . . . . . . . . . . . 241

6.8.4 Heterodioden . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 265

6.9.3 Strom-Spannungs-Kennlinie des Transistors . . . . . . . . . . . . . . 275

6.9.6.2 Kleinsignalverstärker . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 287

6.12 Optoelektronische Bauelemente . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 317

6.12.4 Lichtemittierende Fotohalbleiter . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 324

6.13.1.3 Thermoelemente . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 330

7 Analoge Schaltungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 354

7.3 Aktive Grundschaltungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 369

7.3.4.2 Stromspiegel . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 380

7.6.3 Quarzoszillatoren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 412

7.7.1.5 Hinweise zu weiteren Umsetzverfahren . . . . . . . . . . 422

8 Digitale Schaltungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 429

8.3 Logische Grundschaltungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 439

8.6.3 Register . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 482

8.7.3 Festwertspeicher (ROM) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 495

8.9.1 Code-Arten . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 514