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Mikroaktorik - Grundlage

Mikroaktorik (Karlsruher Institut für Technologie)

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Mikroaktorik SS 2019
M.Kohl

1. Aktor Eigenschaften

Skalierungsverhalten Änderung einer physikalischen Größe F als Funktion der


geometrischen Abmessung r
(Mess-) Genauigkeit Vergleichsgröße bezüglich einer kalibrierten Referenz
Präzision Maß, wie reproduzierbar ein gewünschtes Verhalten ausgeführt wird
Empfindlichkeit Änderung des Ausgangsverhaltens bezüglich einer inkrementalen
Änderung der Eingangsgröße ∆𝑥𝑥: 𝑆𝑆 = ∆𝐹𝐹/∆𝑥𝑥
Inkremental (增量的)
Linearität Linearität der Ausgangsgröße als Funktion der Eingangsgröße.
Auflösung Kleinste Änderung der Eingangsgröße, die zu einem messbaren
Ausgangssignal führt. 𝐴𝐴(%) = 100 × (𝑥𝑥𝑚𝑚𝑚𝑚𝑚𝑚 )/(𝑥𝑥𝑚𝑚𝑚𝑚𝑚𝑚 − 𝑥𝑥𝑚𝑚𝑚𝑚𝑚𝑚 )
Wiederholbarkeit Zeitliche Änderung der Ausgangsgröße mit zunehmender
Zyklenzahl i, bedingt durch innere und äußere Einflüsse.
Zyklenzahl (循环次数)
Geschwindigkeit Änderung der Ausgangsgröße pro Zeitintervall zwischen Einschalt-
und Ausschaltvorgang.
Leistungseffizienz 𝜂𝜂 = 𝑃𝑃𝑚𝑚𝑎𝑎𝑎𝑎 /(𝑃𝑃𝑒𝑒𝑚𝑚𝑚𝑚 + 𝑃𝑃𝑣𝑣𝑒𝑒𝑣𝑣𝑣𝑣𝑎𝑎𝑎𝑎𝑣𝑣 )
Lastverhalten Kraft-Weg-Kennlinien
Schwelle Kleinste Eingangsgröße, die zu einer detektierbaren Ausgangsgröße
阈值 führt
Rauschen Fluktuationen der Ausgangsgröße
Fluktuation (变动)
Drift Änderung der Ausgangsgröße (Ohne Eingang)
Hysterese Richtungsabhängigkeit der Ausgangsgröße

2. Elektrostatische Prinzip
a. Coulombsches Gesetz 库伦定律, 静电学基本定律
1 𝑞𝑞1 𝑞𝑞2
𝐹𝐹 = ∙
4𝜋𝜋𝜀𝜀0 𝑟𝑟 2
𝑞𝑞1 , 𝑞𝑞2 Ladungsmenge von 2 Kugeln (称𝑞𝑞1 为检验电荷, 𝑞𝑞2 = Q)
𝑟𝑟 Abstand zwischen Mittelpunkten den 2 Kugeln
𝜀𝜀0 elektrische Feldkonstante (真空介电常数)
b. Elektrisches Feld 电场
2 Kugel.
𝐹𝐹 1 𝑞𝑞1
𝐸𝐸 = =
𝑄𝑄 4𝜋𝜋𝜀𝜀0 𝑟𝑟 2
Plattenkondensator.
𝑄𝑄
𝐸𝐸 =
𝜀𝜀0 𝐴𝐴

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c. Energie des elektrischen Feldes (Plattenkondensator)


𝜀𝜀𝜀𝜀
Kondensator 𝐶𝐶 =
𝑑𝑑
1 𝜀𝜀𝜀𝜀𝑉𝑉 2
Energy 𝐸𝐸𝑒𝑒𝑚𝑚𝑒𝑒𝑣𝑣𝑒𝑒𝑒𝑒 = 𝐶𝐶𝑉𝑉 2 = , 𝑚𝑚𝑚𝑚𝑚𝑚 𝜀𝜀 = 𝜀𝜀0 𝜀𝜀𝑣𝑣
2 2𝑑𝑑
Davon werden 3 Kräfte in 3 Richtungen gerechnet. (𝑊𝑊 = 𝐹𝐹 ∙ 𝑑𝑑, 𝐴𝐴 = 𝑙𝑙ℎ)
𝐸𝐸𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒 𝜀𝜀𝜀𝜀𝑉𝑉 2
𝐹𝐹𝑑𝑑 = 𝑑𝑑
=− 2𝑑𝑑 2
, „-“zeigt die Richtung ist gegen elektrisches Field E.

𝐸𝐸𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒 𝜀𝜀ℎ𝑉𝑉 2
𝐹𝐹𝑣𝑣 = 𝑣𝑣
= 2𝑑𝑑

𝐸𝐸𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒 𝜀𝜀𝑣𝑣𝑉𝑉 2
𝐹𝐹ℎ = =
ℎ 2𝑑𝑑
3. Magnetisch Prinzip
a. H-Field & B-Field
B-Field 磁感应强度
H-Field 磁场强度
�⃗ = 𝜇𝜇0 𝐻𝐻
𝐵𝐵 �⃗, in der Luft
�⃗ = 𝜇𝜇𝜇𝜇0 𝐻𝐻
𝐵𝐵 �⃗, mit 𝜇𝜇 = 1 + 𝜒𝜒, 𝜒𝜒 − 𝑀𝑀𝑀𝑀𝑚𝑚𝑀𝑀𝑟𝑟𝑚𝑚𝑀𝑀𝑙𝑙𝑀𝑀𝑀𝑀𝑀𝑀𝑀𝑀𝑚𝑚𝑀𝑀𝑀𝑀𝑚𝑚𝑀𝑀
b. Magnetfeld einer Spule
i. Für die Spule mit 𝒍𝒍 ≫ 𝒓𝒓 (Radius r)
𝑁𝑁𝑁𝑁
𝐻𝐻 = , 𝐼𝐼 - Spulenstrom
𝑣𝑣
𝑁𝑁 - Windungszahl
𝑙𝑙 – Spulenlänge
ii. Für eine Spule mit kreisförmigem Querschnitt (Radius r)
𝑁𝑁𝑁𝑁
𝐻𝐻 =
√4𝑣𝑣 2 +𝑣𝑣 2
c. Magnetfeld im Eisenjoch einer Spule
𝑙𝑙𝐹𝐹𝑒𝑒
𝑅𝑅𝑚𝑚,𝐹𝐹𝑒𝑒 =
𝜇𝜇𝐹𝐹𝑒𝑒 𝜇𝜇0 𝐴𝐴𝐹𝐹𝑒𝑒
𝑙𝑙𝐿𝐿𝑎𝑎𝐿𝐿𝑣𝑣
𝑅𝑅𝑚𝑚,𝐿𝐿𝑎𝑎𝐿𝐿𝑣𝑣 =
𝜇𝜇0 𝐴𝐴𝐿𝐿𝑎𝑎𝐿𝐿𝑣𝑣
𝑈𝑈 𝑁𝑁𝑁𝑁 𝑁𝑁𝑁𝑁𝜇𝜇0 𝜀𝜀𝐹𝐹𝑒𝑒 𝜀𝜀𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿
Magnetischer Fluss 𝛷𝛷𝑚𝑚 = 𝑅𝑅𝑚𝑚 = = 𝐴𝐴𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿 𝑙𝑙𝐹𝐹𝑒𝑒 = ∫ 𝐵𝐵 𝑑𝑑𝐴𝐴
𝑚𝑚 𝑅𝑅𝑚𝑚,𝐹𝐹𝑒𝑒 +𝑅𝑅𝑚𝑚,𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿 +𝑣𝑣𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿 𝜀𝜀𝐹𝐹𝑒𝑒
𝜇𝜇𝐹𝐹𝑒𝑒

0𝛷𝛷 𝑁𝑁𝑁𝑁𝜇𝜇 𝜀𝜀𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿


 B-Feld 𝐵𝐵𝐹𝐹𝑒𝑒 = 𝜀𝜀 𝑚𝑚 = 𝐴𝐴𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿𝑙𝑙𝐹𝐹𝑒𝑒
𝐹𝐹𝑒𝑒 +𝑣𝑣𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿 𝜀𝜀𝐹𝐹𝑒𝑒
𝜇𝜇𝐹𝐹𝑒𝑒
𝛷𝛷𝑚𝑚 𝑁𝑁𝑁𝑁𝜇𝜇 𝜀𝜀𝐹𝐹𝑒𝑒
 B-Feld 𝐵𝐵𝐿𝐿𝑎𝑎𝐿𝐿𝑣𝑣 = 𝜀𝜀 = 𝐴𝐴𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿 𝑙𝑙𝐹𝐹𝑒𝑒 0
𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿 +𝑣𝑣𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿 𝜀𝜀𝐹𝐹𝑒𝑒
𝜇𝜇𝐹𝐹𝑒𝑒

1
�⃗ = 𝜇𝜇𝐹𝐹𝑒𝑒 𝜇𝜇0 𝐻𝐻
*auch 𝐵𝐵 �⃗; 𝐻𝐻
�⃗ = �⃗,
𝐵𝐵
𝜇𝜇𝐹𝐹𝑒𝑒 𝜇𝜇0

1 𝑁𝑁𝑁𝑁 𝜀𝜀𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿 𝑁𝑁𝑁𝑁


 H-Feld 𝐻𝐻𝐹𝐹𝑒𝑒 = �⃗
𝐵𝐵 = 𝜇𝜇𝐹𝐹𝑒𝑒 𝐴𝐴𝐹𝐹𝑒𝑒 𝑙𝑙𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿 = (𝐴𝐴𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿 𝑙𝑙𝐹𝐹𝑒𝑒 )
𝜇𝜇𝐹𝐹𝑒𝑒 𝜇𝜇0 𝑣𝑣𝐹𝐹𝑒𝑒 + 𝜀𝜀𝐹𝐹𝑒𝑒 +𝑣𝑣𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿 𝜇𝜇𝐹𝐹𝑒𝑒
𝐴𝐴𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿 𝐴𝐴𝐹𝐹𝑒𝑒
1 𝑁𝑁𝑁𝑁
 H-Feld 𝐻𝐻𝐿𝐿𝑎𝑎𝐿𝐿𝑣𝑣 = �⃗
𝐵𝐵 = 𝐴𝐴𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿𝑙𝑙𝐹𝐹𝑒𝑒
𝜇𝜇0 +𝑣𝑣𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿
𝐴𝐴𝐹𝐹𝑒𝑒 𝜇𝜇𝐹𝐹𝑒𝑒

d. Potentielle Energie
1 2
1 2
𝐸𝐸(𝐸𝐸𝑚𝑚𝑒𝑒𝑣𝑣𝑒𝑒𝑒𝑒) = 𝜇𝜇0 𝜇𝜇𝐹𝐹𝑒𝑒 𝐻𝐻𝐹𝐹𝑒𝑒 𝐴𝐴𝐹𝐹𝑒𝑒 𝑙𝑙𝐹𝐹𝑒𝑒 + 𝜇𝜇0 𝐻𝐻𝐿𝐿𝑎𝑎𝐿𝐿𝑣𝑣 𝐴𝐴𝐿𝐿𝑎𝑎𝐿𝐿𝑣𝑣 𝑙𝑙𝐿𝐿𝑎𝑎𝐿𝐿𝑣𝑣
2 2

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e. Die Kraft auf den beweglichen Anker

f. Ferromagnetismus 铁磁性

某些材料在外部磁场作用下磁化,即使外磁场消
失,仍保持磁化,称自发磁化现象.具有自发磁化
性质的材料称铁磁性. (代表 Fe)

g. Magnetisierungsverhalten

𝐵𝐵𝑣𝑣 剩磁 Remanenz

𝐵𝐵𝑆𝑆 饱和磁感应强度

Sättigungsmagnetische Induktion

𝐻𝐻𝐶𝐶 矫顽力 Koerzitivfeldstärke (=0 时的 H 值)抵抗退磁的能力,硬磁性 hartmagnetisch 𝐻𝐻𝐶𝐶 较大


4. Piezoelektrische Linear Aktoren 压电
a. Grundlage 压电效应
正压电效应:某些电介质在沿一定方向受外力作用而产生形变时,其内部会发生极化,从而在其相对的两个
表面产生正负电荷,去除外力后又恢复不带电状态.
逆压电效应:对上述电介质在极化方向上施加外电场,将发生形变,去除外电压后形变消失,
b. Ferroelektrizität(铁电性)
某些材料存在自发极化,并且在外加电场下可被反转(▲铁电材料的介电常数ε不为常数)
c. Die elektrische Verschiebungsdichte D (电位移)
Beschreibt das Verhalten eines Dielektrikums im elektrischen Feld.
ε𝐸𝐸, 𝑑𝑑𝑚𝑚𝑀𝑀𝑙𝑙𝑀𝑀𝑀𝑀𝑚𝑚𝑟𝑟𝑚𝑚𝑀𝑀𝑑𝑑ℎ𝑀𝑀 𝑉𝑉𝑀𝑀𝑟𝑟𝑀𝑀𝑑𝑑ℎ𝑚𝑚𝑀𝑀𝑖𝑖𝑖𝑖𝑀𝑀𝑖𝑖 介电质位移
D = ε𝐸𝐸 + 𝑃𝑃 mit � [𝐶𝐶/𝑚𝑚2]
𝑃𝑃, 𝑑𝑑𝑚𝑚𝑀𝑀 𝑃𝑃𝑀𝑀𝑙𝑙𝑀𝑀𝑟𝑟𝑚𝑚𝑀𝑀𝑀𝑀𝑚𝑚𝑚𝑚𝑀𝑀𝑀𝑀 极化强度
d. Die Polarisation P 极化强度
𝑃𝑃𝑎𝑎 , die spontane Polarisation 自发极化
𝑃𝑃 = 𝑃𝑃𝑎𝑎 + 𝑃𝑃𝑚𝑚 mit � [𝐶𝐶/𝑚𝑚2]
𝑃𝑃𝑚𝑚 , 𝑑𝑑𝑚𝑚𝑀𝑀 𝑚𝑚𝑀𝑀𝑑𝑑𝑖𝑖𝑖𝑖𝑚𝑚𝑀𝑀𝑟𝑟𝑚𝑚𝑀𝑀 𝑃𝑃𝑀𝑀𝑙𝑙𝑀𝑀𝑟𝑟𝑚𝑚𝑀𝑀𝑀𝑀𝑚𝑚𝑚𝑚𝑀𝑀𝑀𝑀 激发极化
e. Die Permittivität ε 介电常数

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f. Piezoelektrische Zustandsgleichung
𝜀𝜀𝜆𝜆 = 𝑑𝑑𝑘𝑘𝜆𝜆 𝐸𝐸𝑘𝑘 ,
mit 𝑑𝑑𝑘𝑘𝜆𝜆 − 𝑃𝑃𝑚𝑚𝑀𝑀𝑖𝑖𝑀𝑀𝑚𝑚𝑀𝑀𝑑𝑑𝑖𝑖𝑙𝑙 压电模数�aka. 压电应变系数�
𝐸𝐸𝑘𝑘 – 电场强度
𝜀𝜀𝜆𝜆 − 晶体应变 𝐷𝐷𝑀𝑀ℎ𝑀𝑀𝑖𝑖𝑀𝑀𝑖𝑖
𝑃𝑃𝛼𝛼 = ∑6𝜆𝜆=1 𝑀𝑀𝛼𝛼𝜆𝜆 𝜀𝜀𝜆𝜆 ,
mit eαλ − Piezoelektrische Konstante 压电常数
g. Piezoelektrische Zustandsgleichung

h. Reales elektromechanisches Verhalten

5. Formgedächtnislegierung, FGL, 形状记忆合金


a. 定义
形状记忆合金, 是一种在加热升温后能完全消除其在较低的温度下发生的变形,恢复其变形前原始形状的
合金材料。除上述形状记忆效应外,这种合金的另一个独特性质是在高温(奥氏体状态)下发生的“伪弹
性”(又称“超弹性”,英文 pseudoelasticity)行为,表现为这种合金能承载比一般金属大几倍甚至几十倍的
可恢复应变。形状记忆合金的这些独特性质源于其内部发生的一种独特的固态相变——热弹性马氏体相变。

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b. 分类

形状记忆合金的记忆效应可以分为下列三种:
1.单程记忆效应(1-way)Einweg-Effekt
形状记忆合金在较低的温度下变形,加热后可恢复变形前的形状,这种只在加热过程中存在的形状记
忆现象称为单程记忆效应。

𝑀𝑀𝐿𝐿 − 𝑀𝑀𝑀𝑀𝑟𝑟𝑚𝑚𝑀𝑀𝑀𝑀𝑀𝑀𝑚𝑚𝑀𝑀𝑟𝑟𝑖𝑖𝑀𝑀𝑖𝑖𝑀𝑀𝑀𝑀𝑀𝑀𝑑𝑑𝑚𝑚𝑀𝑀𝑚𝑚𝑀𝑀𝑀𝑀𝑟𝑟𝑀𝑀𝑚𝑚𝑖𝑖𝑟𝑟

𝑀𝑀𝑎𝑎 − 𝑀𝑀𝑀𝑀𝑟𝑟𝑚𝑚𝑀𝑀𝑀𝑀𝑀𝑀𝑚𝑚𝑀𝑀𝑟𝑟𝑖𝑖𝑀𝑀𝑖𝑖𝑀𝑀𝑀𝑀𝑚𝑚𝑀𝑀𝑟𝑟𝑚𝑚𝑚𝑚𝑀𝑀𝑚𝑚𝑀𝑀𝑀𝑀𝑟𝑟𝑀𝑀𝑚𝑚𝑖𝑖𝑟𝑟

𝐴𝐴𝐿𝐿 − Austensierungsendtemperatur

𝐴𝐴𝑎𝑎 − 𝐴𝐴𝑖𝑖𝑀𝑀𝑚𝑚𝑀𝑀𝑀𝑀𝑀𝑀𝑚𝑚𝑀𝑀𝑟𝑟𝑖𝑖𝑀𝑀𝑖𝑖𝑀𝑀𝑀𝑀𝑚𝑚𝑀𝑀𝑟𝑟𝑚𝑚𝑚𝑚𝑀𝑀𝑚𝑚𝑀𝑀𝑀𝑀𝑟𝑟𝑀𝑀𝑚𝑚𝑖𝑖𝑟𝑟

(1) 𝜀𝜀 = 0; Start Ladung


(2) Entladung im pesudoelastischen Bereich, dann bleibt eine scheinbare Verformung 𝜀𝜀1𝑊𝑊 zurück.
(3) 𝜀𝜀 = 𝜀𝜀1𝑊𝑊 ; Start Erwärmung
(4) 𝜀𝜀 = 0; 𝑇𝑇 ≥ 𝐴𝐴𝐿𝐿 ; Durch Erwärmung des Verformten Bauteils über die Austenit-Endtemperatur 𝐴𝐴𝐿𝐿 kann die
gesamte Formänderung wieder zurückgebildet werden.

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2.双程记忆效应(2-way)Zweiweg-Effekt
某些合金加热时恢复高温相形状,冷却时又能恢复低温相形状,称为双程记忆效应。

Beim Zweiweg-Effekt trifft eine Formänderung sowohl beim Erwärmen als auch beim Abkühlen auf.

(2)-> (1) Erwärmungsprozesse

(1)-> (2) Abkühlungsprozesse

c. Pseudoelastizität 假弹性

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d. Ursache

e. Formgedächtnisaktorik

6. Fluidische Mikroaktoren
a. Kontinuitätsgleichung A – Querschnitt
𝑚𝑚̇ = 𝐴𝐴𝐴𝐴𝐴𝐴 = 𝑑𝑑𝑀𝑀𝑀𝑀𝑀𝑀𝑚𝑚. 𝑀𝑀𝑀𝑀𝑀𝑀𝑀𝑀𝑀𝑀𝑀𝑀𝑟𝑟ℎ𝑀𝑀𝑙𝑙𝑚𝑚𝑖𝑖𝑀𝑀𝑖𝑖
𝐴𝐴 – Geschwindigkeit
𝑉𝑉̇ = 𝐴𝐴𝐴𝐴 = 𝑑𝑑𝑀𝑀𝑀𝑀𝑀𝑀𝑚𝑚. 𝐼𝐼𝑀𝑀𝑀𝑀𝑀𝑀𝑚𝑚𝑀𝑀𝑟𝑟𝑀𝑀𝑀𝑀𝑀𝑀𝑚𝑚𝑖𝑖𝑚𝑚𝑙𝑙𝑚𝑚𝑚𝑚ä𝑚𝑚
𝐴𝐴 - Dichte

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b. Energiegleichung
Von Thermodynamische Gleichung für kompressible Flüssigkeit 由可压缩流体的热力学公式而来.
𝐴𝐴2
+ 𝜓𝜓 + ℎ = 𝑑𝑑𝑀𝑀𝑀𝑀𝑀𝑀𝑚𝑚
2 𝐴𝐴 – Geschwindigkeit

𝐴𝐴2 𝑀𝑀 𝜓𝜓 – 重力位势 𝜓𝜓 = 𝑖𝑖𝑖𝑖



+ 𝑖𝑖𝑖𝑖 + + 𝑖𝑖 = 𝑑𝑑𝑀𝑀𝑀𝑀𝑀𝑀𝑚𝑚
2 𝐴𝐴 𝑝𝑝
ℎ – 单位质量的焓 ℎ = 𝑖𝑖 + , 𝑖𝑖 – 比内能
𝜌𝜌
𝑚𝑚 2 𝑚𝑚𝑀𝑀
∙ 𝑚𝑚 → 𝐴𝐴 + 𝑚𝑚𝑖𝑖𝑖𝑖 + + 𝑚𝑚𝑖𝑖 = 𝑑𝑑𝑀𝑀𝑀𝑀𝑀𝑀𝑚𝑚 → 𝐸𝐸𝑀𝑀𝑀𝑀𝑟𝑟𝑖𝑖𝑚𝑚𝑀𝑀𝑖𝑖𝑙𝑙𝑀𝑀𝑚𝑚𝑑𝑑ℎ𝑖𝑖𝑀𝑀𝑖𝑖
2 𝐴𝐴
c. Druckverlustgleichung:

d. Reynodszahl

7. Elektro-/Magnetrheologische Mikroaktoren
a. Prinzip

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b. Fluideigenschaften

 (2) Bingham-Flüssigkeit
宾汉流体,是非牛顿流体的一种,通常是一种粘塑性材料,在低应力下,它表现为刚性体,但在高应力
下,它会像粘性流体一样流动,且其流动性为线性的。牙膏是宾汉流体的典型例子,需要有一定的压
力作用在牙膏上,才挤得出牙膏。

图二是我们最常见的图 ,此图横坐标是剪切速率,纵坐标是剪应力。 其中体积流量的大小取决于管


道,剪切速率是表示速度是如何随距离而变化的,它是与流量成比例的,但不依赖于管的尺寸。和前
面一样,牛顿流体的流动,剪切速率提供了一定的剪切应力。然而,宾汉流体并没有表现出任何剪切
速率(没有流动,从而没有速度),直至达到一定目标应力,才会开始产生剪切速率。

 (3) Strukturviskose Flüssigkeit 剪切稀化流体

指粘度𝜂𝜂随剪切速率𝛾𝛾̇ 的增大而减小

(5) Funktionsprinzipien

𝑁𝑁𝑀𝑀𝑁𝑁𝑚𝑚𝑀𝑀𝑀𝑀𝑀𝑀𝑑𝑑ℎ𝑀𝑀 − 𝐹𝐹𝑙𝑙ü𝑀𝑀𝑀𝑀𝑚𝑚𝑖𝑖𝑀𝑀𝑀𝑀𝑚𝑚𝑚𝑚

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2 gepolte Elektroden relativ zueinander bewegen. Durch ein elektrisches Feld


ist das dabei überträgt Moment Steuerbar.

Hier fließt die ERF zwischen 2 feststehenden Elektroden. (Prinzip des


Ventils). Ein elektrisches Feld beeinflusst hier den Fließwiderstand.

Abstand und Durchpolster (压垫) zwischen 2 Platten. Mit Hilfe eines


elektrischen Feldes kann der sich einstellende Druck und somit zur
Elektrodenbewegung notwendige Normale Kräfte bestimmt werden.

(6) Dynamische Viskosität

𝑉𝑉𝑚𝑚𝑀𝑀𝑀𝑀𝑀𝑀𝑀𝑀𝑚𝑚𝑚𝑚ä𝑚𝑚

8. Informationstechnik
a. Totalreflexion 光的全反射
当光从光密介质(折射率大𝑀𝑀1 ) -> 光疏介质(折射率小𝑀𝑀2 )
𝑚𝑚
当入射角θ > 临界角 C = arctan(𝑚𝑚2 )时, 发生全反射
1
b. Evaneszenz 渐逝波
当光从光密介质射向光疏介质并发生全反射而在两种不
同介质的分界面所产生的一种电磁波。由于其振幅(强度)
随与分界面垂直的深度的增大而呈指数形式衰减。
c. Optische Kopplung 光耦合
光耦合是对同一波长的光功率进行分路或合路。也可以理解为是把光对准某些器件,比如光耦合进光
纤里或者将不同的光进行耦合
举例:纤维光路中的光耦合问题, 把两段( 根) 或多段光纤维永久性地结合在一起, 例如光纤熔接和熔锥型
光纤藕合器, 等等
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d. Substantiv
RF: Radio Frequenz 无线电频率
RFID: Radio Frequenz Identifikation 无线电射频识别
FBAR: Thin Film Bulk Acoustic Wave Resonator 薄膜体声波谐振器
SAW: Surface Acoustic Wave (Filter) 声表面波
BAW: Bulk Acoustic Wave (Filter) 声体波
SMR: Solidly mounted resonators
e. RF-Resonatoren
Durch Piezoelement wird das RF-Signal zu akritischen(未经过处理的) Wellen umwandelt. Die Welle wird
im Medium verbreitet. Durch die Reflexion () erzeugt die akritische Welle eine stehende Welle.
Bemerkung.
Durch bestimmte Struktur von äußerer Schaltung kann viele Resonatoren zusammensetzt werden, als ein
Bandpass Filter.
f. Einführung von 5G

Bandbreite 10-15MHz
𝐿𝐿0
Güte (idealerweise) 𝑄𝑄 ≥ 1000 = , 𝑓𝑓0 中心频率 Resonante Frequenz
𝐿𝐿2 −𝐿𝐿1
𝑓𝑓2 − 𝑓𝑓1 𝐵𝐵𝑀𝑀𝑀𝑀𝑑𝑑𝑖𝑖𝑟𝑟𝑀𝑀𝑚𝑚𝑚𝑚𝑀𝑀

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